JPH08186404A - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

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JPH08186404A
JPH08186404A JP32644694A JP32644694A JPH08186404A JP H08186404 A JPH08186404 A JP H08186404A JP 32644694 A JP32644694 A JP 32644694A JP 32644694 A JP32644694 A JP 32644694A JP H08186404 A JPH08186404 A JP H08186404A
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capacitance
electrode pattern
capacitive
substrate
comb
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JP32644694A
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Yoshifumi Yamagata
佳史 山形
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】容量結合基板の厚みや誘電体率がばらついても
基本特性の変動が少ない。 【構成】共振手段を複数接合したフィルタ部と、共振手
段間を結合する容量回路が形成された容量結合基板2と
から成る誘電体フィルタにおいて、前記フィルタ部と接
続する容量結合基板2の表面には、共振手段の内導体1
1と接続する複数の第1の容量電極パターン21a、2
1bが形成され、前記結合すべき共振手段に接続する第
1の容量電極パターン21a、21bは互いに噛み合う
ように櫛歯電極部210a、210bを有するととも
に、容量結合基板2の裏面には、入出力用共振手段に接
続する第1の容量電極パターン21a、21bに対向す
る位置に第2の容量電極パターン22a、22bが、互
いに噛み合う第1の容量電極パターン21a、21bの
櫛歯電極部210a、210bに対応する位置に第3の
容量電極パターン22cが形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、容量結合基板の簡単な
構成で特性の変動が小さく、さらに、減衰極の制御が簡
単な誘電体フィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】通信機の高周波用パンドパスフィルタ、
アンテナフィルタなどのフィルタとして、プリント配線
基板上に直接実装可能な表面実装型誘電体フィルタが多
用されている。
【0003】例えば、実開平4−114203に示され
る表面実装型誘電体フィルタは、図6に示すように、複
数の共振手段である共振器71a、71bを接合したフ
ィルタ部71と、入出力用端子電極75、76(76は
図には現れない)、アース導体膜77が夫々形成された
マウント基板72と、共振器71a、71bの結合用容
量、入出力用容量を発生する容量電極パターンが夫々形
成された容量結合基板73と、シールドケース74とか
ら主に構成されている。
【0004】尚、図には現れないが、マウント基板72
の裏面には、基板72の端面を介して入出力用端子電極
75、76が形成されており、また、基板72の端面を
アース導体膜77が夫々形成されている。
【0005】また、図7に示すように、容量結合基板7
3の表面側主面には、互いに噛み合う櫛歯電極部を有す
る2つの容量電極パターン78a、79aが形成されて
おり、図7の点線で示すように、容量結合基板73の裏
面側主面には、表面側の容量電極パターン78a、79
aに対応するように容量電極パターン78b、79bが
形成されている。
【0006】具体的には、共振器71a、71bは1/
4波長型の共振器であり、共振器71a、71bの内導
体と容量結合基板73の容量電極パターン78a、79
aとは接続ピン80a、80bによって接合されてお
り、また、共振器71a、71bの外導体はマウント基
板72のアース導体膜77と接合される。さらに、容量
結合基板73の裏面の容量電極パターン78b、79b
は、マウント基板72の入出力用端子電極75、76に
接合されている。
【0007】さらに、フィルタ部71、容量結合基板7
3をシールドケース74が被覆している。
【0008】これにより、2つの共振器71a、71b
は、容量結合基板73の表面に形成された容量電極パタ
ーン78a、79aの櫛歯電極部分で発生する結合容量
成分によって互いに容量結合されているとともに、例え
ば、入力側共振器71aは、容量結合基板73の表面側
の容量電極パターン78aと裏面側の容量電極パターン
78bとの間の容量成分(入力容量成分)を介して、外
部の回路に接続され、出力側共振器71bは、容量結合
基板73の表面側の容量電極パターン79aと裏面側の
容量電極パターン79bとの間の容量成分(出力容量成
分)を介して、外部の回路に接続されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の容量結
合基板73から得られる3つの容量成分、即ち結合容量
成分、入力容量成分だけでは、細かな減衰極制御は困難
であり、しかも、容量基板の厚みなどのバラツキが発生
した場合、入出力容量成分が変動しても、実質的に結合
容量成分が変動しないため、結果として、入出力容量成
分と結合容量成分とのバランスがずれてしまい、予期し
た基本特性を得ることができないという問題点があっ
た。
【0010】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、容量結合基板の厚みや誘電率が
ばらついても基本特性の変動が少ない誘電体フィルタを
達成するものであり、また、特に第2の発明の目的は、
細かな減衰極の制御が比較的簡単に行える誘電体フィル
タを提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、外導体と
内導体を形成した誘電体ブロックからなる共振手段を複
数接合したフィルタ部と、前記共振手段間を結合する容
量回路が形成された容量結合基板とから成る誘電体フィ
ルタにおいて、前記容量結合基板の表面には、前記共振
手段の内導体と接続する複数の第1の容量電極パターン
が形成され、且つ前記結合すべき共振手段に接続する該
第1の容量電極パターンは互いに噛み合う櫛歯電極部を
有しているとともに、前記容量結合基板の裏面には、前
記共振手段のうち入出力用共振手段に接続する第1の容
量電極パターンに対向する位置に第2の容量電極パター
ンが、前記互いに噛み合う第1の容量電極パターンの櫛
歯電極部に対応する位置に第3の容量電極パターンがそ
れぞれ形成されている誘電体フィルタである。
【0012】また、第2の発明は、上述の第1の発明の
誘電体フィルタであって、前記容量結合基板の表面に
は、前記共振手段の内導体と接続し、且つ櫛歯電極部を
有する複数の第1の容量電極パターンが形成されている
とともに、前記容量結合基板の裏面には、前記共振手段
のうち入出力用共振手段に接続する第1の容量電極パタ
ーンに対向する位置に第2の容量電極パターンが、前記
互いに噛み合う第1の容量電極パターンの櫛歯電極部に
対応する位置に第3の容量電極パターンがそれぞれ形成
され、且つ前記第2の容量電極パターンは、前記対向す
る第1の容量電極パターン以外の他の第1の容量電極パ
ターンに対向している誘電体フィルタである。
【0013】
【作用】本発明によれば、容量結合基板の表面に形成し
た第1の容量電極パターンが互いに噛み合う櫛歯電極部
で、互いに結合しあう共振手段(共振器)の結合容量成
分を発生させている。また、基板の表面側の第1の容量
電極パターンと基板の裏面側の第2の容量電極パターン
との間で、夫々入出力容量成分を発生させている。
【0014】さらに、基板の裏面で2つの第1の容量電
極パターンの櫛歯電極部が噛み合う部分に対応する位置
に第3の容量電極パターンが形成されている。
【0015】ここで、第3の容量電極パターンと第2の
容量電極パターンとか充分に離れている場合には、第2
の容量電極パターンと第3の容量電極パターンとの間の
容量が実質的には発生せず、主に、第3の容量電極パタ
ーンと2つの第1の容量パターンとの間で2つの容量成
分が発生することになる。この2つの容量成分は、互い
に直列的に接続され、第1の容量電極パターンと第2の
容量電極パターンとの間の結合容量と並列的に接続され
て、実質的には全体として、結合容量成分として働くこ
とになる。
【0016】この場合、容量結合基板の厚みや誘電率が
変動した場合、結合容量成分と入出力容量成分とが比例
的に変動するため、結合容量成分と入出力容量成分との
バランスが維持され、結果として、基本特性が変動しに
くい誘電体フィルタとなる。
【0017】また第2の発明によれば、第2の容量電極
パターンが対向する第1の容量電極パターン以外の他の
第1の容量電極パターンの櫛歯電極部に対向するように
配置されており、さらに、第2の容量電極パターンが第
3の容量電極パターンとの間で所定容量が発生する程度
に近接している。
【0018】このため、第1の発明で発生する容量成分
以外に、第2の容量電極パターンと第3の容量電極パタ
ーンとの間にも容量成分が、また、第2の容量電極パタ
ーンとそれと対向する第1の容量電極パターンとの間に
容量成分が、第2の容量電極パターンとそれと対向する
第1の容量電極パターン以外の他の第1の容量電極パタ
ーンの櫛歯電極部との間にも容量成分が発生することに
なる。特に、これらの容量成分は、所定共振手段の飛ば
し容量回路となり、所謂有極化回路を構成することにな
る。
【0019】これにより、第3の容量電極パターンと第
2の容量電極パターンとの間の容量発生量、第2の容量
電極パターンと第1の容量電極パターンの櫛歯電極部と
の間の容量発生量に応じて、細かな減衰極特性の制御が
可能となる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の誘電体フィルタを図面に基づ
いて詳説する。
【0021】図1は、第1の発明の誘電体フィルタのシ
ールドケースのみを分解した状態の外観斜視図であり、
図2は容量結合基板の平面図である。尚、誘電体フィル
タは、マウント基板とシールドケースとでフィルタ部及
び容量結合基板とを隠蔽した表面実装型誘電体フィルタ
を例に、最も簡単な共振手段の組み合わせである2つの
共振手段を接合したフィルタ部でもって説明する。
【0022】図において、表面実装型誘電体フィルタ1
0は、複数の共振器、例えば2つの共振器1a、1bと
で構成されるフィルタ部1と、各共振器1a、1b間を
結合するための結合容量成分や入出力容量成分などが形
成された容量結合基板2と、フィルタ部1及び容量結合
基板2とを載置するマウント基板3と、接続ピン4a、
4bと、シールドケース5とから構成されている。
【0023】フィルタ部1の共振器1a、1bは、高周
波用誘電体磁器材料から成るブロック体の略中心部分を
貫通する貫通孔の内壁面に被着した導体(内導体1
1)、一方端面(開放端面)側を除く全面に被着された
導体(外導体12)が形成されている。尚、共振器1
a、1bの構造については、共振器1a、1bの軸長を
短くするためや共振周波数の修正を簡単にするためや帯
域の制御、結合度合いの制御などを行うためなどで種々
な構造が提案されているが、基本は1/4波長型の共振
器である。
【0024】フィルタ部1の変形態様として、2つの共
振器を1つの誘電体ブロックで形成したり、その間に結
合用のスリットや貫通穴を形成することもできる。ま
た、実施例のように複数の共振器を接合する場合には、
その接合面に両共振器の結合容量を発生するための結合
溝を形成することもできる。
【0025】接続ピン4a、4bは、銅、黄銅、鉄、も
しくはそれらの半田メッキ材などからなり、一端が共振
器1a、1bの内導体11に接続され、他端が容量結合
基板2の容量パターン21a、21bに接続されてい
る。
【0026】容量結合基板2は、複数の容量成分が発生
するように所定形状の容量電極パターン21a、21
b、22a、22b、22cが形成されている。
【0027】具体的には、所定誘電率のアルミナやチタ
ン酸バリウムなどから成る誘電体基板20の表面側の主
面に、図2に示すように、2つの第1の容量電極パター
ン21a、21bが形成されている。この2つの第1の
容量電極パターン21a、21bは、基板20の中央部
付近で、互いに噛み合う櫛歯電極部210a、210b
が形成されている。この互いに噛み合う櫛歯電極部21
0a、210bによって、共振器1a、1bを容量結合
するための容量成分C3 が発生する。尚、この2つの容
量電極パターン21a、21bは、各共振器1a、1b
の内導体11と接続ピン4a、4bを介して接続するた
めの電極として作用する。
【0028】また、誘電体基板20の裏面側の主面に
は、図2の点線で示すように、2つの第2の容量電極パ
ターン22a、22b、1つの第3の容量電極パターン
22cが形成されている。この2つの第2の容量電極パ
ターン22a、22bは、第1の容量電極パターン21
a、21bの矩形状部で所定対向面積をもって対向する
ように配置されている。これにより、第1の容量電極パ
ターン21aと第2の容量電極パターン22aとの間
で、誘電体基板20の厚み、基板20の誘電率、対向面
積に応じて所定入力容量成分C1 が発生する。また、同
様に、第1の容量電極パターン21bと第2の容量電極
パターン22bとの間で、誘電体基板20の厚み、基板
20の誘電率、対向面積に応じて所定出力容量成分C2
が発生する。
【0029】さらに、第3の容量電極パターン22c
は、2つの第1の容量パターン21a、21bが互いに
噛み合う櫛歯電極部210a、210bを含み、少なく
とも櫛歯電極部210a、210bで所定対向面積をも
って対向するように配置されている。これにより、第1
の容量電極パターン21aの櫛歯電極部210aと第3
の容量電極パターン22cとの間で、所定容量成分C4
が発生し、また、同様に、第1の容量電極パターン21
bの櫛歯電極部210bと第3の容量電極パターン22
cとの間で、所定容量成分C5 が発生する。
【0030】さらに、接合する共振手段の数を増加し
て、隣接する共振器以外の共振器の容量的な結合を行う
場合には、容量結合基板2上の容量電極パターンの数を
増加しても構わない。
【0031】マウント基板3は、耐熱性を有する絶縁材
料、例えば、ガラエポ基板、アルミナセラミック基板な
どからなり、表面側主面には、第1のアース導体膜3
1、第2のアース導体32、入出力用端子電極パッド3
4、35が夫々形成されている。
【0032】第1のアース導体膜31は、フィルタ部1
が搭載される領域に広く形成され、共振器1a、1bの
外導体12と電気的に且つ機械的に接合する。また、第
2のアース導体膜32は、マウント基板3の開放側の先
端に島状に形成され、シールドケース5の舌部5a・・
と電気的に且つ機械的に接合する。
【0033】また、マウント基板3の裏面には、図1に
は現れないが、アース導体膜が形成されており、この裏
面のアース導体は表面側の第1のアース導体31、第2
のアース導体32に対応する位置に形成され、さらに、
第1のアース導体31、第2のアース導体32に対応し
た位置に形成された導体どうしを接続するようにマウン
ト基板3の長手方向(開放端面側から短絡端面側に延び
る方向)に延びている。
【0034】さらに、第1のアース導体31、第2のア
ース導体32の縁部、即ちマウント基板3の端面には半
円形状の導通スルーホール33・・・が形成されてお
り、この導通スルーホール33・・・を介して、表面側
の第1のアース導体31、第2のアース導体32と裏面
側のアース導体とが電気的に接続されている。従って、
マウント基板3の表面側には、第1のアース導体31と
第2のアース導体32とが別個に形成されているが、実
際には、導通スルーホール33・・・、裏面側のアース
導体を介して電気的に接続されていることになる。
【0035】入出力用端子電極パッド34、35は、容
量結合基板2が搭載される領域の容量結合基板2の裏面
に形成した第2の容量電極パターン22a、22bに接
続される位置に形成され、マウント基板3の側面に延出
するように形成されている。
【0036】また、マウント基板3の裏面にも、入出力
用端子電極が表面側の入出力用端子電極パッド34、3
5に対応する位置に形成され、マウント基板3の縁部、
即ちマウント基板3の端面の半円形状の導通スルーホー
ル36・・・によって互いに接続されている。
【0037】尚、ここで、マウント基板3の裏面に形成
したアース導体膜や入出力用端子電極は、端面スルーホ
ール33・・・、36・・とともに、プリント配線基板
上に表面実装する場合に用いられる。
【0038】シールドケース5は、黄銅、鉄、もしくは
それらの半田メッキ材などの金属からなり、フィルタ部
1及び容量結合基板2を被覆するように底面及び短絡端
面側の側面が開口した構造となっている。また、シール
ドケース5の開放端面側の側壁には、90度折曲げられ
た舌部5a・・が形成されて、シールドケース5の容量
結合基板2の近傍に相当する側壁には切り込み5bが形
成されている。このシールドケース5はフィルタ部1及
び容量結合基板2を被覆して、その開口周囲が、マウン
ト基板3の表面に当接するように配置・固定されてい
る。
【0039】ここで、舌部5a・・は、マウント基板3
の表面に形成した第2のアース導体膜32と電気的且つ
機械的に接合するためのものであり、切り込み5bは入
出力用端子電極パッド34、35とシールドケース5と
の接触による短絡を防止するためのものである。
【0040】シールドケース5の固定は、シールドケー
ス5の短絡端面側の内面がフィルタ部1の外導体12に
半田などの導電性接着材を介して、また、シールドケー
ス5の開放端面側の先端の舌部5aがマウント基板3の
表面の第2のアース導体32に半田などの導電性接着材
を介して固定されることによって達成される。
【0041】以上のよう各構成部品から成る誘電体フィ
ルタの組立は、まず、マウント基板3の表面に、フィル
タ部1及び容量結合基板2を高温半田37などで接合
し、フイルタ部1を構成する各共振手段1a、1bの内
導体11と接合基板2の容量電極パターン21a、21
bとを接続し、さらに、フィルタ部1及び容量結合基板
2が覆うようにシールドケース5をマウント基板3に配
置して組立られる。
【0042】ここで、本発明の誘電体フィルタに用いる
容量結合基板2は、表面側に第1の容量電極パターン2
1a、21bが、裏面側に第2の容量電極パターン22
a、22b、第3の容量電極パターン22cが形成され
ている。ここで、第3の容量電極パターン22cが第2
の容量電極パターン22a、22bと充分に離して形成
した場合、第3の容量電極パターン22cには、第1の
容量電極パターン21a、21bとの間で2つの容量成
分C4 、C5 が発生することになる。この容量成分
C4 、C5 は互いに直列的に接続され、且つ第1の容量
電極パターン21a、21bの櫛歯電極部210a、2
10b間に発生する容量成分C3 と並列的に接続される
ことになる。即ち、これらの容量成分C3 、C4 、C5
が合成されて、実際上の共振器1a、1b間を結合する
ための合成結合容量Cとなる。
【0043】また、第1の容量電極パターン21aと第
2の容量電極パターン22aに例えば入力容量成分C1
が発生し、第1の容量電極パターン21bと第2の容量
電極パターン22bに例えば出力容量成分C2 が発生す
ることになる。
【0044】この合成結合容量成分C及び入出力容量成
分C1 、C2 は、いずれも、容量結合基板2の誘電体基
板20の基板の厚みの変動により、また誘電率の変動に
よって、その容量成分も変動するが、容量成分C及びC
1 、C2 の変動は互いに正の相関関係となる。例えば、
誘電体基板20の厚みが所定値よりも厚くなると、容量
成分C3 の実質的に変動がなく、容量成分C4 、C5 が
減少し、結果と合成結合容量成分は減少し、入出力容量
成分C1 、C2 も減少する。
【0045】また、例えば、誘電体基板20の厚みが所
定値よりも薄くなると、容量成分C3 の実質的に変動が
なく、容量成分C4 、C5 が増加し、結果と合成結合容
量成分は増加し、入出力容量成分C1 、C2 も増加す
る。
【0046】従って、誘電体基板20の変動によって、
合成結合容量成分と入出力容量とのバランスの変動が少
なく基本的なフィルタ特性、例えば帯域などの変動を非
常に少なくすることができる。
【0047】これにより、容量結合基板2、特に誘電体
基板20のバツラキによっても、特性が比較的安定した
誘電体フィルタ10が達成されることになる。
【0048】以上の誘電体フィルタは、容量結合基板2
の裏面に形成した第3の容量電極パターン22cが、第
2の容量電極パターン22a、22bと充分に離した状
態となっていたが、この第3の容量電極パターン22c
が、第2の容量電極パターン22a、22bに近接さ
れ、且つ第2の容量電極パターン22aの一部が第1の
容量電極パターン21bの櫛歯電極部210bに、第2
の容量電極パターン22bの一部が第1の容量電極パタ
ーン21aの櫛歯電極部210aに対向するように配置
した第2の発明について説明する。
【0049】図3は、第2の発明の誘電体フィルタに用
いる容量結合基板の平面図である。
【0050】尚、図中、点線部分は裏面側の容量電極パ
ターンを示す。
【0051】図において、容量結合基板2の表面には、
共振手段1a、1bの内導体11、11と接続し、且つ
櫛歯電極部210a、210bを有する2つの第1の容
量電極パターン21a、21bが形成されている。ま
た、容量結合基板2の裏面には、入出力用共振手段に接
続する第1の容量電極パターン21a、21bに対向す
る位置に第2の容量電極パターン23a、23bが形成
されている。また、前記互いに噛み合う第1の容量電極
パターン21a、21bの櫛歯電極部210a、220
bに対応する位置に第3の容量電極パターン23cが形
成されている。
【0052】第2の発明の特徴的なことは、例えば裏面
側の第2の容量電極パターン23aは、前記対向して例
えば入力容量成分C1 を発生する表面側の第1の容量電
極パターン21a以外にも表面側の他の第1の容量電極
パターン21bにも対向していることである。即ち、第
2の容量電極パターン23aは、他の第1の容量電極パ
ターン21bの櫛歯電極部210bにも対向している。
同様に、第2の容量電極パターン23bは、前記対向し
て例えば出力容量成分C2 を発生する表面側の第1の容
量電極パターン21b以外にも表面側の他の第1の容量
電極パターン21aにも対向していることである。即
ち、第2の容量電極パターン23bは、他の第1の容量
電極パターン21aの櫛歯電極部210aにも対向して
いる。
【0053】これにより、第1の発明のように、第1の
容量電極パターン21aと第2の容量電極パターン23
aとの誘電体基板20の厚み方向で例えば入力容量成分
C1が発生し、第1の容量電極パターン21bと第2の
容量電極パターン23bとの誘電体基板20の厚み方向
で例えば出力容量成分C2 が発生する。
【0054】さらに、第1の容量電極パターン21a、
21bの互いに噛み合う櫛歯電極部210a、210b
で結合容量成分C3 が発生し、さらに、第3の容量電極
パターン23cと第1の容量電極パターン21aの櫛歯
電極部210aとの誘電体基板20の厚み方向で例えば
容量成分C4 が発生し、第3の容量電極パターン23c
と第1の容量電極パターン21bの櫛歯電極部210b
との誘電体基板20の厚み方向で例えば容量成分C5 が
発生して、合成された結合容量Cを得ることができる。
【0055】さらに、第2の発明では、特に第1の容量
電極パターン21aの櫛歯電極部210aと第2の容量
電極パターン23bとの誘電体基板20の厚み方向で例
えば容量成分C6 が発生し、第1の容量電極パターン2
1bの櫛歯電極部210bと第2の容量電極パターン2
3aとの誘電体基板20の厚み方向で例えば容量成分C
7 が発生し、さらに、第2の容量電極パターン23aと
第3の容量電極パターン23cとの間で容量成分C8 が
発生し、第2の容量電極パターン23bと第3の容量電
極パターン23cとの間で容量成分C9 が発生すること
になる。
【0056】上述の各容量成分C1 〜C9 を2つの共振
手段1a、1bを含めて表すと、図4のようになる。ま
た、このように構成した誘電体フィルタの特性は図5の
ように示される。即ち、図5のように、比較的周波数の
低い領域で、2つの減衰極A、Bが発生する。
【0057】本発明者が種々の実験を行った結果、容量
成分C6 、C7 を小さくする、即ち第1の容量電極パタ
ーン21aの櫛歯電極部210aと第2の容量電極パタ
ーン23bとの対向面積を減少し、且つ第1の容量電極
パターン21bの櫛歯電極部210bと第2の容量電極
パターン23aとの対向面積を減少した場合、減衰極A
を制御することができ、例えば、周波数の低い側に移動
させることができる。
【0058】また、容量成分C8 、C9 を小さくする、
即ち第2の容量電極パターン23aと第3の容量電極パ
ターン23cとの間隔を大きくし、且つ第2の容量電極
パターン23bと第3の容量電極パターン23cとの間
隔を大きくした場合、減衰極Bを制御することができ、
例えば、周波数の低い側に移動させることができる。
【0059】尚、両減衰極A、Bに周波数の高域側に移
動させるには、夫々の容量成分C6〜C9 を大きくすれ
ばよい。
【0060】例えば容量成分C6 、C7 を大きくするに
は、例えば、第1の容量電極パターン21a、21bの
櫛歯電極部210a、210bの櫛歯数を増加させて、
第2の容量電極パターン23a、23bとの対向面積を
広くする。
【0061】また、容量成分C8 、C9 を大きくするに
は、第2の容量電極パターン23a、23bと第3の容
量電極パターン23cとの間隔を狭くしたり、またはそ
の対向する距離を増加させたりすればよい。
【0062】以上のように、第2の発明によれば、容量
結合基板2の各電極パターンを変更するだけで、簡単
に、2つの減衰極の制御を行うことができ、非常に簡単
な構成で有極化の誘電体フィルタが達成できる。
【0063】この第2の発明においても、誘電体基板2
0のバラツキによって、若干の減衰極周波数が変動する
ものの、基本的な特性である帯域なとの変動が少ない誘
電体フィルタとなる。
【0064】尚、上述の実施例では、2つの共振器から
成るフィルタ部を用いたが、共振器の数は任意に変える
ことができ、また、共振器間の結合を容量結合基板2を
用いたが、誘電体材料からなるマウント基板3において
は、マウント基板3に容量結合基板2と同等の各容量電
極パターンを形成しておき、容量結合基板2を省略する
ことができる。
【0065】また、結複数の共振器から成るフィルタ部
を単一の誘電体ブロックで形成しても構わなし、トリプ
レート型などの積層型誘電体フィルタ部を用いてもかま
わない。
【0066】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、入出力
共振手段と接続した入出力容量成分及び共振手段間を結
合する結合容量成分が互いに容量結合基板の厚み方向で
発生する容量成分を含んでいるため、容量結合基板の厚
み、誘電率などがバラツイても、これら各容量成分も互
いに正の相関関係でもって変動するため、フィルタの基
本特性の変動を非常に有効に抑えることができる。
【0067】特に、第2の発明の誘電体フィルタでは、
前記容量結合基板の裏面側の第3の容量電極パターンで
もって、共振器間の飛ばし結合回路を構成する複数の容
量成分を発生させているため、これらの容量成分は、有
極化のための容量回路となるため、これらの容量成分を
制御することにより、減衰極の制御が極めて容易とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明の誘電体フィルタのシールドケース
のみを分解した状態の外観斜視図である。
【図2】第1の発明の誘電体フィルタに用いる容量結合
基板の平面図である。
【図3】第2の発明の誘電体フィルタに用いる容量結合
基板の平面図である。
【図4】第2の発明の誘電体フィルタの等価回路図であ
る。
【図5】第2の発明の誘電体フィルタの特性図である。
【図6】従来の誘電体フィルタのシールドケースのみを
分解した状態の外観斜視図である。
【図7】従来の誘電体フィルタに用いる容量結合基板の
平面図である。
【符号の説明】 1・・・・フィルタ部 1a、1b・・・共振器 2・・・・・・・容量結合基板 21a、21b・・・第1の容量電極パターン 22a、22b・・・第2の容量電極パターン 23a、23b・・・第2の容量電極パターン 22c、23c・・・・・・・第3の容量電極パターン 3・・・・・・・マウント基板 4a、4b・・・接続ピン 5・・・・・・・・シールドケース

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外導体と内導体を形成した誘電体ブロッ
    クからなる共振手段を複数接合したフィルタ部と、前記
    共振手段間を結合する容量回路が形成された容量結合基
    板とから成る誘電体フィルタにおいて、 前記容量結合基板の表面には、前記共振手段の内導体と
    接続し、互いに噛み合う櫛歯電極部を有する複数の第1
    の容量電極パターンが形成されており、 且つ裏面には、前記共振手段のうち入出力用共振手段に
    接続する第1の容量電極パターンと対向する位置に第2
    の容量電極パターンが、 前記第1の容量電極パターンの櫛歯電極部に対応する位
    置に第3の容量電極パターンがそれぞれ形成されている
    ことを特徴とする誘電体フィルタ。
  2. 【請求項2】 前記請求項1に記載された誘電体フィル
    タであって、前記第2の容量電極パターンは、前記対向
    する第1の容量電極パターン以外の他の第1の容量電極
    パターンとも対向することを特徴とする誘電体フィル
    タ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7893881B2 (en) 2004-02-02 2011-02-22 Laird Technologies Ab Antenna device and portable radio communication device comprising such an antenna device
JP2013502122A (ja) * 2009-08-14 2013-01-17 サン−ゴバン グラス フランス 導電性構造体を有するガラス板

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