JPH08188465A - 導電性セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
導電性セラミックス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08188465A JPH08188465A JP7002023A JP202395A JPH08188465A JP H08188465 A JPH08188465 A JP H08188465A JP 7002023 A JP7002023 A JP 7002023A JP 202395 A JP202395 A JP 202395A JP H08188465 A JPH08188465 A JP H08188465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- ionic conductivity
- transition point
- present
- oxygen defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のＢａ2Ｉｎ2Ｏ5ではイオン導電率が著
しく低かった温度領域でのイオン導電率を改善した導電
性セラミックスを提供する。 【構成】 Ｂａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏで表される酸化物セラ
ミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｓｎのモル比がＢａ：Ｉ
ｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６）であるこ
とを特徴とする導電性セラミックス、及びその製造方
法。
しく低かった温度領域でのイオン導電率を改善した導電
性セラミックスを提供する。 【構成】 Ｂａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏで表される酸化物セラ
ミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｓｎのモル比がＢａ：Ｉ
ｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６）であるこ
とを特徴とする導電性セラミックス、及びその製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペロブスカイト関連構造
を有する導電性セラミックスに関するものである。
を有する導電性セラミックスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5はブラウンミラーライト
型化合物（一般式Ａ2Ｂ2Ｏ5）の一種であり、該化合物
は９３０℃程度に酸素欠陥の秩序−無秩序転移点があ
り、この温度より高い温度では酸素欠陥が無秩序配列し
て欠陥ペロブスカイト型の立方晶構造となり、イオン導
電率が該転移点より低い温度におけるそれに比べて数十
倍であることが知られている（Ｊ．Ｂ．Ｇｏｏｄｅｎｏ
ｕｇｈ，Ｊ．Ｅ．Ｒｕｉｚ−Ｄｉａｇ ａｎｄ Ｙ．
Ｓ．Ｚｈｅｎ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃ
ｓ，４４，２１−３１（１９９０））。
型化合物（一般式Ａ2Ｂ2Ｏ5）の一種であり、該化合物
は９３０℃程度に酸素欠陥の秩序−無秩序転移点があ
り、この温度より高い温度では酸素欠陥が無秩序配列し
て欠陥ペロブスカイト型の立方晶構造となり、イオン導
電率が該転移点より低い温度におけるそれに比べて数十
倍であることが知られている（Ｊ．Ｂ．Ｇｏｏｄｅｎｏ
ｕｇｈ，Ｊ．Ｅ．Ｒｕｉｚ−Ｄｉａｇ ａｎｄ Ｙ．
Ｓ．Ｚｈｅｎ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃ
ｓ，４４，２１−３１（１９９０））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、Ｂａ
2Ｉｎ2Ｏ5は酸素欠陥の秩序−無秩序転移点以下の温度
では良好なイオン導電率が得られないという問題があっ
た。
2Ｉｎ2Ｏ5は酸素欠陥の秩序−無秩序転移点以下の温度
では良好なイオン導電率が得られないという問題があっ
た。
【０００４】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5ではイオン導電率
が著しく低かった温度領域でのイオン導電率を改善した
導電性セラミックスを提供することである。
であり、その目的は、Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5ではイオン導電率
が著しく低かった温度領域でのイオン導電率を改善した
導電性セラミックスを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、Ｂａ−Ｉｎ−
Ｓｎ−Ｏで表される酸化物セラミックスが、Ｂａ2Ｉｎ2
Ｏ5ではイオン導電率が著しく低かった温度領域でのイ
オン導電率を改善できることを見出だし本発明を完成し
た。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、Ｂａ−Ｉｎ−
Ｓｎ−Ｏで表される酸化物セラミックスが、Ｂａ2Ｉｎ2
Ｏ5ではイオン導電率が著しく低かった温度領域でのイ
オン導電率を改善できることを見出だし本発明を完成し
た。
【０００６】すなわち本発明は、Ｂａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
で表される酸化物セラミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｓ
ｎのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６） であることを特徴とする導電性セラミックス、及びその
製造方法である。
で表される酸化物セラミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｓ
ｎのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６） であることを特徴とする導電性セラミックス、及びその
製造方法である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明の導電性セラミックスは、Ｓｎの割
合すなわちｘの値を０から上げていくにつれ、酸素欠陥
の秩序−無秩序転移点が低下していき、ついには該転移
点は室温以下となり、ｘが０．１〜０．６の範囲で確実
に該転移点が室温以下が維持された立方晶系欠陥ペロブ
スカイト構造となる。
合すなわちｘの値を０から上げていくにつれ、酸素欠陥
の秩序−無秩序転移点が低下していき、ついには該転移
点は室温以下となり、ｘが０．１〜０．６の範囲で確実
に該転移点が室温以下が維持された立方晶系欠陥ペロブ
スカイト構造となる。
【０００９】しかしながらｘの値が０．１を超えると格
子体積が小さくなり、酸素欠陥が徐々に秩序配列化して
いき、イオン導電率も徐々に低下し始め、０．６を超え
るとイオン導電率の低下が無視しえないものとなる。し
たがって酸素欠陥の秩序−無秩序転移点をＢａ2Ｉｎ2Ｏ
5よりも低くし、かつイオン導電率の高いものとするに
は、ｘは０より大きく０．６以下でなければならず、酸
素欠陥の秩序−無秩序転移点を室温以下にするには、ｘ
は０．１〜０．６の範囲が好ましく、格子体積をＢａ2
Ｉｎ2Ｏ5よりも大きくするには、ｘは０．０２〜０．２
５の範囲が好ましい。このためｘは０．１〜０．２５の
範囲が特に好ましい。
子体積が小さくなり、酸素欠陥が徐々に秩序配列化して
いき、イオン導電率も徐々に低下し始め、０．６を超え
るとイオン導電率の低下が無視しえないものとなる。し
たがって酸素欠陥の秩序−無秩序転移点をＢａ2Ｉｎ2Ｏ
5よりも低くし、かつイオン導電率の高いものとするに
は、ｘは０より大きく０．６以下でなければならず、酸
素欠陥の秩序−無秩序転移点を室温以下にするには、ｘ
は０．１〜０．６の範囲が好ましく、格子体積をＢａ2
Ｉｎ2Ｏ5よりも大きくするには、ｘは０．０２〜０．２
５の範囲が好ましい。このためｘは０．１〜０．２５の
範囲が特に好ましい。
【００１０】本発明の導電性セラミックスを製造する方
法は特に限定するものではない。例えばＢａ、Ｉｎ及び
Ｓｎの化合物を、 Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６） のモル比になるように混合した後、仮焼し、成形し、焼
成する方法、上記各構成金属元素の無機塩の溶液を混合
し、アンモニア等を添加することによって共沈物を得て
から、沈殿を分離し、洗浄し、乾燥した後、仮焼し、成
形し、焼成する方法等によって合成することができる。
また場合によってはＢａ化合物とＩｎ化合物からＢａ2
Ｉｎ2Ｏ5を先に合成し、これに上記の組成となるように
Ｂａ化合物及びＳｎ化合物を添加して仮焼し、成形し、
焼成してもよい。
法は特に限定するものではない。例えばＢａ、Ｉｎ及び
Ｓｎの化合物を、 Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６） のモル比になるように混合した後、仮焼し、成形し、焼
成する方法、上記各構成金属元素の無機塩の溶液を混合
し、アンモニア等を添加することによって共沈物を得て
から、沈殿を分離し、洗浄し、乾燥した後、仮焼し、成
形し、焼成する方法等によって合成することができる。
また場合によってはＢａ化合物とＩｎ化合物からＢａ2
Ｉｎ2Ｏ5を先に合成し、これに上記の組成となるように
Ｂａ化合物及びＳｎ化合物を添加して仮焼し、成形し、
焼成してもよい。
【００１１】得られた原料混合粉末が全て酸化物となっ
ている場合にはそのまま成形した後に焼結してもよい
が、その他、例えば原料に構成金属元素の無機塩を用い
た場合等には、そのまま成形して焼結すると、同時に熱
分解反応を伴うため焼結が阻害され緻密な焼結体を得に
くくなるので、焼結前に一度仮焼することが好ましい。
ている場合にはそのまま成形した後に焼結してもよい
が、その他、例えば原料に構成金属元素の無機塩を用い
た場合等には、そのまま成形して焼結すると、同時に熱
分解反応を伴うため焼結が阻害され緻密な焼結体を得に
くくなるので、焼結前に一度仮焼することが好ましい。
【００１２】仮焼温度は仮焼後に得られる粉末が全て酸
化物状態になっていればよく、特に限定するものではな
いが、溶融やＩｎ成分の蒸発を防ぐため、１４００℃以
下が好ましい。
化物状態になっていればよく、特に限定するものではな
いが、溶融やＩｎ成分の蒸発を防ぐため、１４００℃以
下が好ましい。
【００１３】得られた原料混合粉末又は仮焼粉末の焼結
温度は特に限定するものではないが、反応を十分に進行
させ、焼結体の緻密化を十分にし、かつ溶融やＩｎ成分
の蒸発を防ぐため、１３００℃〜１４００℃の範囲が特
に好ましい。
温度は特に限定するものではないが、反応を十分に進行
させ、焼結体の緻密化を十分にし、かつ溶融やＩｎ成分
の蒸発を防ぐため、１３００℃〜１４００℃の範囲が特
に好ましい。
【００１４】酸素欠陥の秩序−無秩序転移点は、示差熱
重量分析により確認することができる。すなわち、測定
温度領域において、該転移点で、昇温時には重量変化を
伴わずに吸熱反応が起こり、降温時には重量変化を伴わ
ずに発熱反応が起こる。ただし、降温時の発熱反応が観
測される温度は、昇温時の吸熱反応が観測される温度よ
りも低温側へ移行することがある。したがって室温で酸
素欠陥が無秩序配列していて該転移点が室温以下である
ものにおいては、室温以上の温度領域での示差熱重量分
析では上記の発熱反応や吸熱反応は認められないことに
なる。
重量分析により確認することができる。すなわち、測定
温度領域において、該転移点で、昇温時には重量変化を
伴わずに吸熱反応が起こり、降温時には重量変化を伴わ
ずに発熱反応が起こる。ただし、降温時の発熱反応が観
測される温度は、昇温時の吸熱反応が観測される温度よ
りも低温側へ移行することがある。したがって室温で酸
素欠陥が無秩序配列していて該転移点が室温以下である
ものにおいては、室温以上の温度領域での示差熱重量分
析では上記の発熱反応や吸熱反応は認められないことに
なる。
【００１５】本発明の効果発現の機構については、未だ
十分には解明されていないが、本発明の導電性セラミッ
クスでは、そのブラウンミラーライト型化合物Ａ2Ｂ2Ｏ
5のＢサイトにＳｎが位置することにより結晶構造の対
称性が向上して酸素欠陥の無秩序配列が促進され比較的
低い温度から高い導電率が得られたものと考えられる。
しかしながら、このような推測はなんら本発明を拘束す
るものではない。
十分には解明されていないが、本発明の導電性セラミッ
クスでは、そのブラウンミラーライト型化合物Ａ2Ｂ2Ｏ
5のＢサイトにＳｎが位置することにより結晶構造の対
称性が向上して酸素欠陥の無秩序配列が促進され比較的
低い温度から高い導電率が得られたものと考えられる。
しかしながら、このような推測はなんら本発明を拘束す
るものではない。
【００１６】本発明の導電性セラミックスは比較的低温
でも良好なイオン導電率を示すので、極めて有用であ
る。
でも良好なイオン導電率を示すので、極めて有用であ
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】実施例１ Ｂａ（ＮＯ3）2（キシダ化学製）、Ｉｎ2Ｏ3（キシダ化
学製）及びＳｎＯ2（関東化学製）をＢａ：Ｉｎ：Ｓｎ
＝１：０．９５：０．０５のモル比となるように混合し
た後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。得られた
粉末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形し、更に２
ｔ／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４００℃で１
０時間焼成して焼結体を作製した。
学製）及びＳｎＯ2（関東化学製）をＢａ：Ｉｎ：Ｓｎ
＝１：０．９５：０．０５のモル比となるように混合し
た後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。得られた
粉末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形し、更に２
ｔ／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４００℃で１
０時間焼成して焼結体を作製した。
【００１９】得られた焼結体はＢａ2（Ｉｎ0.95Ｓｎ
0.05）2Ｏ5.05であり、Ｘ線回折試験（ＣｕＫα線）の
結果、この結晶相は斜方晶系ブラウンミラーライト型化
合物単一相であったが、従来のＢａ2Ｉｎ2Ｏ5に比べ
て、結晶構造の対称性は向上していた。
0.05）2Ｏ5.05であり、Ｘ線回折試験（ＣｕＫα線）の
結果、この結晶相は斜方晶系ブラウンミラーライト型化
合物単一相であったが、従来のＢａ2Ｉｎ2Ｏ5に比べ
て、結晶構造の対称性は向上していた。
【００２０】また示差熱重量分析の結果から酸素欠陥の
秩序−無秩序転移点は約７００℃であることを確認し
た。
秩序−無秩序転移点は約７００℃であることを確認し
た。
【００２１】得られた焼結体を厚さ２ｍｍに研削し、白
金ペーストを塗布し、１０００℃において電極焼き付け
処理を施した後、交流２端子法（印加交流電流２０ｍ
Ｖ、周波数１０Ｈｚ〜１ＭＨｚ、大気中）により複素イ
ンピーダンスを測定してイオン導電率を算出した。結果
を表１に示す。
金ペーストを塗布し、１０００℃において電極焼き付け
処理を施した後、交流２端子法（印加交流電流２０ｍ
Ｖ、周波数１０Ｈｚ〜１ＭＨｚ、大気中）により複素イ
ンピーダンスを測定してイオン導電率を算出した。結果
を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２、実施例３ Ｂａ（ＮＯ3）2（キシダ化学製）、Ｉｎ2Ｏ3（キシダ化
学製）及びＳｎＯ2（関東化学製）をＢａ：Ｉｎ：Ｓｎ
＝１：０．９：０．１（実施例２）、Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ
＝１：０．５：０．５（実施例３）のモル比となるよう
に混合した後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。
得られた粉末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形
し、更に２ｔ／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４
００℃で１０時間焼成して焼結体を作製した。
学製）及びＳｎＯ2（関東化学製）をＢａ：Ｉｎ：Ｓｎ
＝１：０．９：０．１（実施例２）、Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ
＝１：０．５：０．５（実施例３）のモル比となるよう
に混合した後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。
得られた粉末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形
し、更に２ｔ／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４
００℃で１０時間焼成して焼結体を作製した。
【００２４】得られた焼結体はＢａ2（Ｉｎ0.9Ｓ
ｎ0.1）2Ｏ5.1（実施例２）、Ｂａ2（Ｉｎ0.5Ｓｎ0.5）
2Ｏ5.5（実施例３）であり、Ｘ線回折試験の結果、この
結晶相は立方晶系欠陥ペロブスカイト型化合物単一相で
あった。
ｎ0.1）2Ｏ5.1（実施例２）、Ｂａ2（Ｉｎ0.5Ｓｎ0.5）
2Ｏ5.5（実施例３）であり、Ｘ線回折試験の結果、この
結晶相は立方晶系欠陥ペロブスカイト型化合物単一相で
あった。
【００２５】また示差熱重量分析の結果では降温時の発
熱反応や昇温時の吸熱反応は認められなかった。
熱反応や昇温時の吸熱反応は認められなかった。
【００２６】得られた焼結体を実施例１と同様の方法で
複素インピーダンスを測定してイオン導電率を算出し
た。結果を表１に合わせて示す。
複素インピーダンスを測定してイオン導電率を算出し
た。結果を表１に合わせて示す。
【００２７】比較例 Ｂａ（ＮＯ3）2（キシダ化学製）及びＩｎ2Ｏ3（キシダ
化学製）をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5の組成となるように混合した
後、実施例１と同一の処理条件で焼結体を作製し、実施
例１と同様の方法でイオン導電率を測定した。その測定
結果を表１に示す。
化学製）をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5の組成となるように混合した
後、実施例１と同一の処理条件で焼結体を作製し、実施
例１と同様の方法でイオン導電率を測定した。その測定
結果を表１に示す。
【００２８】Ｘ線回折試験の結果、得られた焼結体の結
晶相は斜方晶系ブラウンミラーライト型化合物単一相で
あった。また示差熱重量分析の結果から酸素欠陥の秩序
−無秩序転移点が約９３０℃であることが確認された。
晶相は斜方晶系ブラウンミラーライト型化合物単一相で
あった。また示差熱重量分析の結果から酸素欠陥の秩序
−無秩序転移点が約９３０℃であることが確認された。
【００２９】表１から明らかなように９００℃以下では
実施例１〜３に比してイオン導電率が１桁程度低かっ
た。
実施例１〜３に比してイオン導電率が１桁程度低かっ
た。
【００３０】
【発明の効果】本発明の導電性セラミックスはＢａ2Ｉ
ｎ2Ｏ5に比べて低い温度で良好なイオン導電率を示すの
で、電池、センサー等各種電子材料への応用が期待でき
る。
ｎ2Ｏ5に比べて低い温度で良好なイオン導電率を示すの
で、電池、センサー等各種電子材料への応用が期待でき
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｂａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏで表される酸化物
セラミックスであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｓｎのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６） であることを特徴とする導電性セラミックス。 - 【請求項２】 バリウム化合物、インジウム化合物及び
スズ化合物を Ｂａ：Ｉｎ：Ｓｎ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．６） のモル比になるように混合し、この粉末をそのまま又は
仮焼して得られた粉末を成形し、続いて１３００〜１４
００℃で焼結することを特徴とする請求項１に記載の導
電性セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7002023A JPH08188465A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 導電性セラミックス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7002023A JPH08188465A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 導電性セラミックス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08188465A true JPH08188465A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11517742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7002023A Pending JPH08188465A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 導電性セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08188465A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007114429A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| WO2007114428A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体の製造方法 |
| WO2009044898A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| WO2009044897A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| WO2010116980A1 (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線基板及び接続構造 |
-
1995
- 1995-01-10 JP JP7002023A patent/JPH08188465A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007114429A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| WO2007114428A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体の製造方法 |
| CN101316944A (zh) * | 2006-03-31 | 2008-12-03 | 三井金属矿业株式会社 | 溅射靶及氧化物烧结体的制造方法 |
| KR100945196B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2010-03-03 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 및 산화물 소결체의 제조 방법 |
| US7754110B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-07-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Indium-oxide-based transparent conductive film and method for producing the film |
| WO2009044898A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| WO2009044897A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| WO2010116980A1 (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線基板及び接続構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3450903B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283256A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0825795B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6051664A (ja) | チタン酸ジルコン酸鉛系磁器の製造法 | |
| JPH08188466A (ja) | 導電性セラミックス及びその製造法 | |
| JP3087644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61285609A (ja) | チタン酸鉛強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| JPH07215763A (ja) | 導電性セラミックス | |
| JP2955293B2 (ja) | 誘電体薄膜の製造方法 | |
| JP2944142B2 (ja) | リチウムイオン導電性複合焼結体 | |
| JPS61232217A (ja) | 誘電体磁器製造用の低温焼結性原料粉末の製造方法 | |
| JPH03223149A (ja) | 磁器組成物 | |
| JP3085587B2 (ja) | 圧電性磁器組成物の製造方法 | |
| JP2900687B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3292490B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09183657A (ja) | 固体電解質 | |
| JPS5867001A (ja) | 正特性半導体磁器の製造方法 | |
| JPS61191519A (ja) | 誘電体磁器製造用低温焼結性原料粉末の製法 | |
| JP2546466B2 (ja) | 高純度誘電体薄膜 | |
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS61232218A (ja) | 誘電体磁器製造用原料粉末の製造方法 | |
| JPH01122956A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH11224803A (ja) | 高キュリー点ｐｔｃサーミスタ組成物及びその製造方法 | |
| JPH04237902A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08310814A (ja) | ブラウンミラ−ライト型固体電解質 |