JPH08188466A - 導電性セラミックス及びその製造法 - Google Patents
導電性セラミックス及びその製造法Info
- Publication number
- JPH08188466A JPH08188466A JP7002024A JP202495A JPH08188466A JP H08188466 A JPH08188466 A JP H08188466A JP 7002024 A JP7002024 A JP 7002024A JP 202495 A JP202495 A JP 202495A JP H08188466 A JPH08188466 A JP H08188466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- ionic conductivity
- present
- conductive ceramics
- oxygen defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5を基としブラウンミラ−ライ
ト構造のＢサイト（Ｉｎサイト）への添加物に工夫を凝
らすことによって、より低い温度まで酸素欠陥を無秩序
配列させて、従来イオン導電率が著しく低かった温度領
域でのイオン導電率を改善した導電性セラミックスを提
供する。 【構成】 Ｂａ−Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏで表される酸化物セラ
ミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔｉのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） である導電性セラミックス、及びその製造法。
ト構造のＢサイト（Ｉｎサイト）への添加物に工夫を凝
らすことによって、より低い温度まで酸素欠陥を無秩序
配列させて、従来イオン導電率が著しく低かった温度領
域でのイオン導電率を改善した導電性セラミックスを提
供する。 【構成】 Ｂａ−Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏで表される酸化物セラ
ミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔｉのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） である導電性セラミックス、及びその製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｂａ−Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ
で表される酸化物セラミックスからなる導電性セラミッ
クスに関するものである。
で表される酸化物セラミックスからなる導電性セラミッ
クスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5は、ブラウンミラーライ
ト型化合物（一般式Ａ2Ｂ2Ｏ5）の一種であり、９３０
℃程度に酸素欠陥の秩序−無秩序転移点があり、この温
度より高い温度では酸素欠陥が無秩序配列して欠陥ペロ
ブスカイト型の立方晶構造となり、イオン導電率が該転
移点より低い温度におけるそれにくらべて数十倍である
ことが知られている（Ｊ．Ｂ．Ｇｏｏｄｅｎｏｕｇｈ，
Ｊ．Ｅ．Ｒｕｉｚ−Ｄｉａｇ ａｎｄ Ｙ．Ｓ．Ｚｈｅ
ｎ、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ，４４，２
１−３１（１９９０））。
ト型化合物（一般式Ａ2Ｂ2Ｏ5）の一種であり、９３０
℃程度に酸素欠陥の秩序−無秩序転移点があり、この温
度より高い温度では酸素欠陥が無秩序配列して欠陥ペロ
ブスカイト型の立方晶構造となり、イオン導電率が該転
移点より低い温度におけるそれにくらべて数十倍である
ことが知られている（Ｊ．Ｂ．Ｇｏｏｄｅｎｏｕｇｈ，
Ｊ．Ｅ．Ｒｕｉｚ−Ｄｉａｇ ａｎｄ Ｙ．Ｓ．Ｚｈｅ
ｎ、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ，４４，２
１−３１（１９９０））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したようにＢａ2
Ｉｎ2Ｏ5は酸素欠陥の秩序−無秩序転移点以下の温度で
は良好なイオン導電率が得られないという問題があっ
た。
Ｉｎ2Ｏ5は酸素欠陥の秩序−無秩序転移点以下の温度で
は良好なイオン導電率が得られないという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5を基としブラウ
ンミラ−ライト構造のＢサイト（Ｉｎサイト）への添加
物に工夫を凝らすことによって、従来イオン導電率が著
しく低かった温度領域でのイオン導電率を改善した導電
性セラミックスを提供するものである。
のであり、その目的は、Ｂａ2Ｉｎ2Ｏ5を基としブラウ
ンミラ−ライト構造のＢサイト（Ｉｎサイト）への添加
物に工夫を凝らすことによって、従来イオン導電率が著
しく低かった温度領域でのイオン導電率を改善した導電
性セラミックスを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、Ｂａ−Ｉｎ−
Ｔｉ−Ｏで表される酸化物セラミックスが、Ｂａ2Ｉｎ2
Ｏ5ではイオン導電率が著しく低かった温度領域でのイ
オン導電率を改善できることを見出だし本発明を完成す
るに至った。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、Ｂａ−Ｉｎ−
Ｔｉ−Ｏで表される酸化物セラミックスが、Ｂａ2Ｉｎ2
Ｏ5ではイオン導電率が著しく低かった温度領域でのイ
オン導電率を改善できることを見出だし本発明を完成す
るに至った。
【０００６】すなわち本発明は、Ｂａ−Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ
で表される酸化物セラミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔ
ｉのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） であることを特徴とする導電性セラミックス、及びその
製造法である。
で表される酸化物セラミックであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔ
ｉのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） であることを特徴とする導電性セラミックス、及びその
製造法である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明の導電性セラミックスは、Ｔｉの割
合すなわちｘの値を０から上げていくにつれ、酸素欠陥
の秩序−無秩序転移点が低下していき、ついには該転移
点は室温以下となり、ｘが０．１〜０．５の範囲で確実
に該転移点が室温以下が維持された立方晶系欠陥ペロブ
スカイト構造となる。。
合すなわちｘの値を０から上げていくにつれ、酸素欠陥
の秩序−無秩序転移点が低下していき、ついには該転移
点は室温以下となり、ｘが０．１〜０．５の範囲で確実
に該転移点が室温以下が維持された立方晶系欠陥ペロブ
スカイト構造となる。。
【０００９】しかしながら、ｘの値が０．１を超えると
酸素欠陥が徐々に秩序配列化していき、ｘの値が０．５
を超えると十分な効果が得られなくなる。したがって、
酸素欠陥の秩序−無秩序転移点をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5よりも
低くしてかつイオン導電率の高いものとするには、ｘは
０より大きく０．５以下でなければならず、酸素欠陥の
秩序−無秩序転移点を室温以下にするにはｘは０．１〜
０．５の範囲が好ましく、格子体積をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5よ
りも大きくするにはｘは０．０２〜０．２５の範囲が好
ましい。特に結晶系が立方晶系からなり、Ｘ線回折によ
り回折角が２０°から６０°の間に、（１１０）、（２
００）及び（２１１）面の代表的な回折線、又は（１１
０）、（１１１）、（２００）及び（２１１）面の代表
的な回折線が認められるｘが０．１〜０．２５の範囲が
さらに望ましい。
酸素欠陥が徐々に秩序配列化していき、ｘの値が０．５
を超えると十分な効果が得られなくなる。したがって、
酸素欠陥の秩序−無秩序転移点をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5よりも
低くしてかつイオン導電率の高いものとするには、ｘは
０より大きく０．５以下でなければならず、酸素欠陥の
秩序−無秩序転移点を室温以下にするにはｘは０．１〜
０．５の範囲が好ましく、格子体積をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5よ
りも大きくするにはｘは０．０２〜０．２５の範囲が好
ましい。特に結晶系が立方晶系からなり、Ｘ線回折によ
り回折角が２０°から６０°の間に、（１１０）、（２
００）及び（２１１）面の代表的な回折線、又は（１１
０）、（１１１）、（２００）及び（２１１）面の代表
的な回折線が認められるｘが０．１〜０．２５の範囲が
さらに望ましい。
【００１０】本発明の導電性セラミックスを製造する方
法は特に限定するものではない。例えば、Ｂａ、Ｉｎ及
びＴｉの化合物を、 Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） のモル比になるように混合した後、仮焼し、成形し、焼
成する方法、上記各構成金属元素の無機塩の溶液を混合
し、アンモニア等を添加することによって共沈物を得て
から、沈殿を分離し、洗浄し、乾燥した後、仮焼し、成
形し、焼成する方法等によって合成することができる。
また、場合によってはＢａ化合物とＩｎ化合物からＢａ
2Ｉｎ2Ｏ5を先に合成し、これに所定の組成となるよう
にＢａ化合物及びＴｉ化合物を添加して仮焼し、成形
し、焼成してもよい。
法は特に限定するものではない。例えば、Ｂａ、Ｉｎ及
びＴｉの化合物を、 Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） のモル比になるように混合した後、仮焼し、成形し、焼
成する方法、上記各構成金属元素の無機塩の溶液を混合
し、アンモニア等を添加することによって共沈物を得て
から、沈殿を分離し、洗浄し、乾燥した後、仮焼し、成
形し、焼成する方法等によって合成することができる。
また、場合によってはＢａ化合物とＩｎ化合物からＢａ
2Ｉｎ2Ｏ5を先に合成し、これに所定の組成となるよう
にＢａ化合物及びＴｉ化合物を添加して仮焼し、成形
し、焼成してもよい。
【００１１】得られた原料混合粉末がすべて酸化物とな
っている場合にはそのまま成形した後に焼結してもよい
が、その他、例えば原料に構成金属元素の無機塩を用い
た場合等はそのまま成形して焼結すると、熱分解反応を
同時に伴うために焼結が阻害され、緻密な焼結体が得に
くくなるので、焼結前に一度仮焼することが好ましい。
っている場合にはそのまま成形した後に焼結してもよい
が、その他、例えば原料に構成金属元素の無機塩を用い
た場合等はそのまま成形して焼結すると、熱分解反応を
同時に伴うために焼結が阻害され、緻密な焼結体が得に
くくなるので、焼結前に一度仮焼することが好ましい。
【００１２】仮焼温度は仮焼後に得られる粉末がすべて
酸化物状態になっていればよく、特に限定するものでは
ないが、溶融やＩｎ成分の蒸発を防ぐため、１４００℃
以下が好ましい。
酸化物状態になっていればよく、特に限定するものでは
ないが、溶融やＩｎ成分の蒸発を防ぐため、１４００℃
以下が好ましい。
【００１３】得られた原料混合粉末及び仮焼粉末の焼結
温度は特に限定するものではないが、反応を十分に進行
させ、焼結体の緻密化を十分にし、かつ溶融やＩｎ成分
の蒸発を防ぐため、１３００℃〜１４００℃の範囲が特
に好ましい。
温度は特に限定するものではないが、反応を十分に進行
させ、焼結体の緻密化を十分にし、かつ溶融やＩｎ成分
の蒸発を防ぐため、１３００℃〜１４００℃の範囲が特
に好ましい。
【００１４】酸素欠陥の秩序−無秩序転移点は、示差熱
重量分析により確認することができる。すなわち測定温
度領域において、該転移点で、昇温時には重量変化を伴
わずに吸熱反応が起こり、降温時には重量変化を伴わず
に発熱反応が起こる。ただし降温時の発熱反応が観測さ
れる温度は、昇温時の吸熱反応が観測される温度よりも
低温側へ移行することがある。したがって室温で酸素欠
陥が無秩序配列していて該転移点が室温以下であるもの
においては、室温以上の温度領域での示差熱重量分析で
は上記の発熱反応や吸熱反応は認められないことにな
る。
重量分析により確認することができる。すなわち測定温
度領域において、該転移点で、昇温時には重量変化を伴
わずに吸熱反応が起こり、降温時には重量変化を伴わず
に発熱反応が起こる。ただし降温時の発熱反応が観測さ
れる温度は、昇温時の吸熱反応が観測される温度よりも
低温側へ移行することがある。したがって室温で酸素欠
陥が無秩序配列していて該転移点が室温以下であるもの
においては、室温以上の温度領域での示差熱重量分析で
は上記の発熱反応や吸熱反応は認められないことにな
る。
【００１５】本発明の効果発現の機構については未だ十
分には解明されていないが、本発明の導電性セラミック
スでは、そのブラウンミラーライト型化合物Ａ2Ｂ2Ｏ5
のＢサイトにＴｉが位置することにより結晶構造の対称
性が向上して酸素欠陥の無秩序配列が促進され比較的低
い温度から高い導電率が得られたものと考えられる。し
かしながらこのような推測はなんら本発明を拘束するも
のではない。
分には解明されていないが、本発明の導電性セラミック
スでは、そのブラウンミラーライト型化合物Ａ2Ｂ2Ｏ5
のＢサイトにＴｉが位置することにより結晶構造の対称
性が向上して酸素欠陥の無秩序配列が促進され比較的低
い温度から高い導電率が得られたものと考えられる。し
かしながらこのような推測はなんら本発明を拘束するも
のではない。
【００１６】本発明の導電性セラミックスは比較的低温
でも良好なイオン導電率を示すので、極めて有用であ
る。
でも良好なイオン導電率を示すので、極めて有用であ
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】実施例１ Ｂａ（ＮＯ3）2（キシダ化学製）、Ｉｎ2Ｏ3（キシダ化
学製）及びＴｉＯ2（出光興産製）をＢａ：Ｉｎ：Ｔｉ
＝１：０．９：０．１のモル比となるように混合した
後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。得られた粉
末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形し、更に２ｔ
／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４００℃で１０
時間焼成して焼結体を作製した。
学製）及びＴｉＯ2（出光興産製）をＢａ：Ｉｎ：Ｔｉ
＝１：０．９：０．１のモル比となるように混合した
後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。得られた粉
末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形し、更に２ｔ
／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４００℃で１０
時間焼成して焼結体を作製した。
【００１９】得られた焼結体はＢａ2（Ｉｎ0.9Ｔ
ｉ0.1）2Ｏ5.1であり、Ｘ線回折試験（ＣｕＫα線）の
結果、この結晶相は立方晶系欠陥ペロブスカイト型化合
物単一相で、回折角が２０°から６０°の間に、（１１
０）、（２００）及び（２１１）面の代表的な回折線が
認められた（図１）。
ｉ0.1）2Ｏ5.1であり、Ｘ線回折試験（ＣｕＫα線）の
結果、この結晶相は立方晶系欠陥ペロブスカイト型化合
物単一相で、回折角が２０°から６０°の間に、（１１
０）、（２００）及び（２１１）面の代表的な回折線が
認められた（図１）。
【００２０】また示差熱重量分析の結果では降温時の発
熱反応や昇温時の吸熱反応は認められなかった。
熱反応や昇温時の吸熱反応は認められなかった。
【００２１】得られた焼結体を厚さ２ｍｍに研削し、白
金ペーストを塗布し、１０００℃において電極焼き付け
処理を施した後、交流２端子法（印加交流電流２０ｍ
Ｖ、周波数１０Ｈｚ〜１ＭＨｚ、大気中）により複素イ
ンピーダンスを測定してイオン導電率を算出した。結果
を表１に示す。
金ペーストを塗布し、１０００℃において電極焼き付け
処理を施した後、交流２端子法（印加交流電流２０ｍ
Ｖ、周波数１０Ｈｚ〜１ＭＨｚ、大気中）により複素イ
ンピーダンスを測定してイオン導電率を算出した。結果
を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２、実施例３ Ｂａ（ＮＯ3）2（キシダ化学製）、Ｉｎ2Ｏ3（キシダ化
学製）及びＴｉＯ2（出光興産製）をＢａ：Ｉｎ：Ｔｉ
＝１：０．８：０．２（実施例２）、Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ
＝１：０．６：０．４のモル比となるように混合した
後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。得られた粉
末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形し、更に２ｔ
／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４００℃で１０
時間焼成して焼結体を作製した。
学製）及びＴｉＯ2（出光興産製）をＢａ：Ｉｎ：Ｔｉ
＝１：０．８：０．２（実施例２）、Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ
＝１：０．６：０．４のモル比となるように混合した
後、１０００℃で６時間大気中で仮焼した。得られた粉
末を５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で予備成形し、更に２ｔ
／ｃｍ2の静水圧により成形した後、１４００℃で１０
時間焼成して焼結体を作製した。
【００２４】得られた焼結体はＢａ2（Ｉｎ0.8Ｔ
ｉ0.2）2Ｏ5.2（実施例２）、Ｂａ2（Ｉｎ0.6Ｔｉ0.4）
2Ｏ5.4（実施例３）であり、これらの結晶相は立方晶系
欠陥ペロブスカイト型化合物単一相で、回折角が２０°
から６０°の間に、実施例２では（１１０）、（１１
１）、（２００）及び（２１１）面の、実施例３では
（１００）、（１１０）、（１１１）、（２００）及び
（２１１）面の代表的な回折線が認められた（図１）。
ｉ0.2）2Ｏ5.2（実施例２）、Ｂａ2（Ｉｎ0.6Ｔｉ0.4）
2Ｏ5.4（実施例３）であり、これらの結晶相は立方晶系
欠陥ペロブスカイト型化合物単一相で、回折角が２０°
から６０°の間に、実施例２では（１１０）、（１１
１）、（２００）及び（２１１）面の、実施例３では
（１００）、（１１０）、（１１１）、（２００）及び
（２１１）面の代表的な回折線が認められた（図１）。
【００２５】また示差熱重量分析の結果では降温時の発
熱反応や昇温時の吸熱反応は認められなかった。
熱反応や昇温時の吸熱反応は認められなかった。
【００２６】得られた焼結体を厚さ２ｍｍに研削し、白
金ペーストを塗布し、１０００℃において電極焼き付け
処理を施した後、交流２端子法により複素インピーダン
スを測定してイオン導電率を算出した。結果を表１に合
わせて示す。
金ペーストを塗布し、１０００℃において電極焼き付け
処理を施した後、交流２端子法により複素インピーダン
スを測定してイオン導電率を算出した。結果を表１に合
わせて示す。
【００２７】比較例 Ｂａ（ＮＯ3）2（キシダ化学製）及びＩｎ2Ｏ3（キシダ
化学製）をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5の組成となるように混合した
後、実施例１〜３と同一の処理条件で焼結体を作製し、
イオン導電率を測定した。その測定結果を表１に合わせ
て示す。 Ｘ線回折試験の結果、得られた焼結体の結晶
相は斜方晶系ブラウンミラーライト型化合物単一相であ
った。また、示差熱重量分析の結果から酸素欠陥の秩序
−無秩序転移点が約９３０℃であることが確認された。
化学製）をＢａ2Ｉｎ2Ｏ5の組成となるように混合した
後、実施例１〜３と同一の処理条件で焼結体を作製し、
イオン導電率を測定した。その測定結果を表１に合わせ
て示す。 Ｘ線回折試験の結果、得られた焼結体の結晶
相は斜方晶系ブラウンミラーライト型化合物単一相であ
った。また、示差熱重量分析の結果から酸素欠陥の秩序
−無秩序転移点が約９３０℃であることが確認された。
【００２８】表１から明らかなように、比較例のＢａ2
Ｉｎ2Ｏ5は酸素欠陥の秩序−無秩序転移点を境に秩序相
（９００℃以下）では実施例１又は実施例２の導電性セ
ラミックスに比してイオン導電率が１桁程度低かった。
Ｉｎ2Ｏ5は酸素欠陥の秩序−無秩序転移点を境に秩序相
（９００℃以下）では実施例１又は実施例２の導電性セ
ラミックスに比してイオン導電率が１桁程度低かった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の導電性セラミックスは、Ｂａ2
Ｉｎ2Ｏ5からなるものにくらべて低い温度で良好なイオ
ン導電率を示し、電池、センサー等各種電子材料への応
用が期待できる。
Ｉｎ2Ｏ5からなるものにくらべて低い温度で良好なイオ
ン導電率を示し、電池、センサー等各種電子材料への応
用が期待できる。
【図１】実施例で得られた導電性セラミックスの結晶相
を示すＸ線回折図である。
を示すＸ線回折図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｂａ−Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏで表される酸化物
セラミックスであって、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔｉのモル比が Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） であることを特徴とする導電性セラミックス。 - 【請求項２】 Ｂａ化合物、Ｉｎ化合物及びＴｉ化合物
を Ｂａ：Ｉｎ：Ｔｉ＝１：１−ｘ：ｘ（０＜ｘ≦０．５） のモル比になるように混合し、この粉末をそのまま又は
仮焼して得られた粉末を成形し、続いて１３００〜１４
００℃で焼結することを特徴とする請求項１に記載の導
電性セラミックスの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7002024A JPH08188466A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 導電性セラミックス及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7002024A JPH08188466A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 導電性セラミックス及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08188466A true JPH08188466A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11517771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7002024A Pending JPH08188466A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 導電性セラミックス及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08188466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728643A (en) * | 1996-02-09 | 1998-03-17 | Isuzu Ceramics Research Institute Co., Ltd. | NOx decomposition catalyst and exhaust gas purifier using said catalyst |
-
1995
- 1995-01-10 JP JP7002024A patent/JPH08188466A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728643A (en) * | 1996-02-09 | 1998-03-17 | Isuzu Ceramics Research Institute Co., Ltd. | NOx decomposition catalyst and exhaust gas purifier using said catalyst |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11322415A (ja) | チタン酸バリウム粉末、および半導体セラミック、ならびに半導体セラミック素子 | |
| JPS6320790B2 (ja) | ||
| Hong et al. | Preparation of Pb (Mg13Nb23) O3 powder using a citrate-gel derived columbite MgNb2O6 precursor and its dielectric properties | |
| Parkash et al. | Dielectric relaxator behaviour of the system Sr1− xLaxTi1− xCoxO3 (x⩽ 0.40) | |
| JPH08188465A (ja) | 導電性セラミックス及びその製造方法 | |
| JPH08188466A (ja) | 導電性セラミックス及びその製造法 | |
| JPH0559048B2 (ja) | ||
| JPS6051664A (ja) | チタン酸ジルコン酸鉛系磁器の製造法 | |
| JP2017061390A (ja) | イオン伝導性セラミックス及びその製造方法 | |
| JP3087644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001199765A (ja) | 誘電体磁器組成物用原料粉体、および誘電体磁器組成物 | |
| Upadhyay et al. | Dielectric relaxation and conduction in the system Ba1-xLaxSn1-xCrxO 3 | |
| JP2580374B2 (ja) | 複合ペロブスカイト型誘電体磁器粉末の製造方法 | |
| JPS61232217A (ja) | 誘電体磁器製造用の低温焼結性原料粉末の製造方法 | |
| JPS61232218A (ja) | 誘電体磁器製造用原料粉末の製造方法 | |
| JPH068204B2 (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
| JPH07215763A (ja) | 導電性セラミックス | |
| JPH09183657A (ja) | 固体電解質 | |
| JPS63291305A (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
| JPS61191519A (ja) | 誘電体磁器製造用低温焼結性原料粉末の製法 | |
| JP2970405B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH08203702A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法 | |
| JP3125263B2 (ja) | 半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法及び半導体磁器の製造方法 | |
| JPH0457615B2 (ja) | ||
| JP2835253B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体材料 |