JPH081884B2 - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPH081884B2 JPH081884B2 JP62089539A JP8953987A JPH081884B2 JP H081884 B2 JPH081884 B2 JP H081884B2 JP 62089539 A JP62089539 A JP 62089539A JP 8953987 A JP8953987 A JP 8953987A JP H081884 B2 JPH081884 B2 JP H081884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- resist
- ammonium
- resist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子ビーム露光を用いたレジストパターン
の形成方法に関するものである。
の形成方法に関するものである。
従来の技術 半導体装置のパターンが微細化されるにつれて、電子
ビーム露光がパターン形成に採用されるようになった。
また、解像度の向上および基板の凹凸の影響の軽減を意
図し、レジストを多層構造とする配慮も払われている。
さらに、多層構造レジスト膜を使用した電子ビーム露光
においては下層レジストの膜厚が大であると入射電子に
より下層レジストが帯電し、電子ビームが曲げられて描
画パターンの位置ずれが発生するため、レジスト間に導
電性を持つシリコン（Si）薄膜を配置し、下層レジスト
の帯電を防止する対策が講じられている。
ビーム露光がパターン形成に採用されるようになった。
また、解像度の向上および基板の凹凸の影響の軽減を意
図し、レジストを多層構造とする配慮も払われている。
さらに、多層構造レジスト膜を使用した電子ビーム露光
においては下層レジストの膜厚が大であると入射電子に
より下層レジストが帯電し、電子ビームが曲げられて描
画パターンの位置ずれが発生するため、レジスト間に導
電性を持つシリコン（Si）薄膜を配置し、下層レジスト
の帯電を防止する対策が講じられている。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、多層構造のレジスト間に
本来は不必要である導電性のSi薄膜を形成しなければな
らず、また、Si薄膜の形成のためにプラズマCVDあるい
は蒸着などの処理を施す必要があり、これらの工程が、
塗布，熱処理工程などからなるホトレジスト工程とは異
質なものであるため工程が複雑化する問題があった。
本来は不必要である導電性のSi薄膜を形成しなければな
らず、また、Si薄膜の形成のためにプラズマCVDあるい
は蒸着などの処理を施す必要があり、これらの工程が、
塗布，熱処理工程などからなるホトレジスト工程とは異
質なものであるため工程が複雑化する問題があった。
問題点を解決するための手段 本発明は、このような問題点の排除を意図してなされ
たものであり、基板上に少なくともポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム膜を塗布したのち、前記ポリスチレン
スルホン酸アンモニウム膜に熱処理を施し、次いで、電
子ビーム露光処理、現像処理を施して、前記ポリスチレ
ンスルホン酸アンモニウム膜にパターンを形成するレジ
ストパターンの形成方法である。
たものであり、基板上に少なくともポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム膜を塗布したのち、前記ポリスチレン
スルホン酸アンモニウム膜に熱処理を施し、次いで、電
子ビーム露光処理、現像処理を施して、前記ポリスチレ
ンスルホン酸アンモニウム膜にパターンを形成するレジ
ストパターンの形成方法である。
作用 本発明のレジストパターンの形成方法によれば、Si薄
膜を用いることなく帯電現象を防止することが可能とな
り、パターンの歪み，位置ずれのない高精度のレジスト
パターンが実現される。
膜を用いることなく帯電現象を防止することが可能とな
り、パターンの歪み，位置ずれのない高精度のレジスト
パターンが実現される。
実施例 以下に第１図〜第５図を参照して本発明のレジストパ
ターンの形成方法について詳しく説明する。
ターンの形成方法について詳しく説明する。
第１図は、本発明のレジストパターンの形成方法の第
１の実施例を説明するための図であり、この方法におい
て、先ず、半絶縁性GaAs基板１の表面上に導電性高分子
薄膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜を
形成する。この薄膜の形成は、ポリスチレンスルホン酸
アンモニウム水溶液を4000rpmの条件で回転塗布し、こ
ののち、窒素（N2）雰囲気中で200℃、30分間の熱処理
を施すことによって行った。次に、加速電圧が25kVの電
子ビーム３を用いて露光量120μc/cm2で電子ビーム露光
を行う〔第１図（ａ）〕。このようにして所定のパター
ン露光がなされた薄膜をメチルアルコール中で10秒間の
現像することによってパターン４が形成される〔第１図
（ｂ）〕。
１の実施例を説明するための図であり、この方法におい
て、先ず、半絶縁性GaAs基板１の表面上に導電性高分子
薄膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜を
形成する。この薄膜の形成は、ポリスチレンスルホン酸
アンモニウム水溶液を4000rpmの条件で回転塗布し、こ
ののち、窒素（N2）雰囲気中で200℃、30分間の熱処理
を施すことによって行った。次に、加速電圧が25kVの電
子ビーム３を用いて露光量120μc/cm2で電子ビーム露光
を行う〔第１図（ａ）〕。このようにして所定のパター
ン露光がなされた薄膜をメチルアルコール中で10秒間の
現像することによってパターン４が形成される〔第１図
（ｂ）〕。
以上の処理を経て形成したパターンには、歪みあるい
は位置ずれはまったく見られなかった。
は位置ずれはまったく見られなかった。
なお、上記と同様に半絶縁性GaAs基板を用い、レジス
トとしてPMMA（ポリメチルメタクリレート）を用いた場
合、電子ビーム露光、現像後のパターンには、大きなパ
ターン歪み、位置ずれの生じることが確認された。
トとしてPMMA（ポリメチルメタクリレート）を用いた場
合、電子ビーム露光、現像後のパターンには、大きなパ
ターン歪み、位置ずれの生じることが確認された。
ところで、ポリスチレンスルホン酸アンモニウムの構
造は第２図で示すようにポリスチレンスルホン酸のアニ
オン基と正電荷を帯びたアンモニウム基の塩とからなる
ものであって、イオン伝導性を有している。また、アン
モニウム基は、窒素と水素とから構成され、金属を含ま
ないため、半導体基板を汚染するおそれがなく、半導体
装置の製造工程におけるレジストパターンの形成に特に
好適である。勿論、アンモニウム基以外の他の正電荷を
帯びた基を用いることもできる。
造は第２図で示すようにポリスチレンスルホン酸のアニ
オン基と正電荷を帯びたアンモニウム基の塩とからなる
ものであって、イオン伝導性を有している。また、アン
モニウム基は、窒素と水素とから構成され、金属を含ま
ないため、半導体基板を汚染するおそれがなく、半導体
装置の製造工程におけるレジストパターンの形成に特に
好適である。勿論、アンモニウム基以外の他の正電荷を
帯びた基を用いることもできる。
第３図は、熱処理温度を変化させた場合のポリスチレ
ンスルホン酸アンモニウム膜のシート抵抗の変化とスパ
ッタ蒸着で形成したSi膜のシート抵抗とを示した図であ
る。この図から明らかなように、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム膜のシート抵抗は、熱処理温度の上昇に
つれて高くなる。しかしながら、200℃の熱処理温度で
は、６×107Ω／□のシート抵抗が得られており、スパ
ッタ蒸着で形成したSi膜のシート抵抗よりもわずかに大
きい程度である。したがって、電子ビーム露光時に入射
する電子を放電させるのに十分な低い抵抗値が得られて
おり、入射電子が帯電することはない。
ンスルホン酸アンモニウム膜のシート抵抗の変化とスパ
ッタ蒸着で形成したSi膜のシート抵抗とを示した図であ
る。この図から明らかなように、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム膜のシート抵抗は、熱処理温度の上昇に
つれて高くなる。しかしながら、200℃の熱処理温度で
は、６×107Ω／□のシート抵抗が得られており、スパ
ッタ蒸着で形成したSi膜のシート抵抗よりもわずかに大
きい程度である。したがって、電子ビーム露光時に入射
する電子を放電させるのに十分な低い抵抗値が得られて
おり、入射電子が帯電することはない。
第４図は、ポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜を
メチルアルコールで10秒間現像した場合の感度曲線を示
す図であり、感度100μC/cm2、γ値1.5が得られた。な
お、メチルアルコールにかえて水を用いることもでき
る。また、解像度としては、0.4μｍのラインアンドス
ペースが得られた。
メチルアルコールで10秒間現像した場合の感度曲線を示
す図であり、感度100μC/cm2、γ値1.5が得られた。な
お、メチルアルコールにかえて水を用いることもでき
る。また、解像度としては、0.4μｍのラインアンドス
ペースが得られた。
第５図は、基板としてシリコン基板を用いるととも
に、この基板上に最上層がポリスチレンスルホン酸アン
モニウム膜である３層レジストを形成し、これをパター
ニンする他の実施例を示す図である。
に、この基板上に最上層がポリスチレンスルホン酸アン
モニウム膜である３層レジストを形成し、これをパター
ニンする他の実施例を示す図である。
この方法では、シリコン基板５を準備し、先ず、この
上に有機薄膜６としてノボラック系ポジ形レジスト膜を
２μｍの厚さに塗布し、270℃,30分の熱処理を施す。次
いで、塗布シリコン酸化膜（SOG）７を１μｍの厚さに
塗布し、250℃,30分の熱処理を施す。さらに、導電性高
分子膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜
を0.5μｍの厚さに塗布し、200℃,30分の熱処理を施す
〔第５図（ａ）〕。
上に有機薄膜６としてノボラック系ポジ形レジスト膜を
２μｍの厚さに塗布し、270℃,30分の熱処理を施す。次
いで、塗布シリコン酸化膜（SOG）７を１μｍの厚さに
塗布し、250℃,30分の熱処理を施す。さらに、導電性高
分子膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜
を0.5μｍの厚さに塗布し、200℃,30分の熱処理を施す
〔第５図（ａ）〕。
次に、露光量120μC/cm2で電子ビーム露光を行い、メ
チルアルコールを用いて現像を行い、パターン４を形成
する〔第５図（ｂ）〕。最後に、導電性高分子膜２をマ
スクとして、CHF3／O2プラズマエッチングにより塗布シ
リコン酸化膜７を選択的に除去し、さらに、塗布シリコ
ン酸化膜７をマスクとして、O2プラズマを用いて有機薄
膜６をエッチングすることによって、パターン８を形成
する〔第５図（ｃ）〕。このような過程を経て形成され
たパターンでは、±0.1μｍ（３σ）という高い重ね合
せ精度がえられた。なお、３層レジストの最上層を通常
の電子ビームレジストとした場合、形成されたパターン
には帯電による位置ずれが生じ、±0.7μｍ（３σ）と
いう低い重ね合せ精度しかえられなかった。
チルアルコールを用いて現像を行い、パターン４を形成
する〔第５図（ｂ）〕。最後に、導電性高分子膜２をマ
スクとして、CHF3／O2プラズマエッチングにより塗布シ
リコン酸化膜７を選択的に除去し、さらに、塗布シリコ
ン酸化膜７をマスクとして、O2プラズマを用いて有機薄
膜６をエッチングすることによって、パターン８を形成
する〔第５図（ｃ）〕。このような過程を経て形成され
たパターンでは、±0.1μｍ（３σ）という高い重ね合
せ精度がえられた。なお、３層レジストの最上層を通常
の電子ビームレジストとした場合、形成されたパターン
には帯電による位置ずれが生じ、±0.7μｍ（３σ）と
いう低い重ね合せ精度しかえられなかった。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明のレジストパ
ターンの形成方法によれば、入射電子によるレジスト膜
の帯電を排除した電子ビーム露光が可能となり、このた
め、電子ビームが曲げらえることがなく、パターン歪み
およびパターンの位置ずれのないレジストパターンを形
成することができる。
ターンの形成方法によれば、入射電子によるレジスト膜
の帯電を排除した電子ビーム露光が可能となり、このた
め、電子ビームが曲げらえることがなく、パターン歪み
およびパターンの位置ずれのないレジストパターンを形
成することができる。
また、Si膜等の導電性被膜を使用する必要がないこと
などにより、工程を簡略化する効果も奏される。
などにより、工程を簡略化する効果も奏される。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明のレジストパターン
の形成方法によりレジストパターンが形成される過程を
示す断面図、第２図はポリスチレンスルホン酸アンモニ
ウムの構造を示す分子構造図、第３図は熱処理温度を変
化させた場合のポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜
のシート抵抗の変化とスパッタ蒸着で形成したSi膜のシ
ート抵抗とを示した特性図、第４図はポリスチレンスル
ホン酸アンモニウム膜をメチルアルコールで10秒間現像
した場合の感度曲線図、第５図（ａ）〜（ｃ）は本発明
のレジストパターンの形成方法の他の実施例によりレジ
ストパターンが形成される過程を示す断面図である。 １……半絶縁性GaAs基板、２……導電性高分子薄膜、３
……電子ビーム、４……パターン、５……シリコン基
板、６……有機薄膜、７……塗布シリコン酸化膜、８…
…パターン。
の形成方法によりレジストパターンが形成される過程を
示す断面図、第２図はポリスチレンスルホン酸アンモニ
ウムの構造を示す分子構造図、第３図は熱処理温度を変
化させた場合のポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜
のシート抵抗の変化とスパッタ蒸着で形成したSi膜のシ
ート抵抗とを示した特性図、第４図はポリスチレンスル
ホン酸アンモニウム膜をメチルアルコールで10秒間現像
した場合の感度曲線図、第５図（ａ）〜（ｃ）は本発明
のレジストパターンの形成方法の他の実施例によりレジ
ストパターンが形成される過程を示す断面図である。 １……半絶縁性GaAs基板、２……導電性高分子薄膜、３
……電子ビーム、４……パターン、５……シリコン基
板、６……有機薄膜、７……塗布シリコン酸化膜、８…
…パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に少なくともポリスチレンスルホン
酸アンモニウム膜を塗布したのち、前記ポリスチレンス
ルホン酸アンモニウム膜に熱処理を施し、次いで、電子
ビーム露光処理、現像処理を施して、前記ポリスチレン
スルホン酸アンモニウム膜にパターンを形成することを
特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089539A JPH081884B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US07/602,930 US5139922A (en) | 1987-04-10 | 1990-10-25 | Method of making resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089539A JPH081884B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254728A JPS63254728A (ja) | 1988-10-21 |
| JPH081884B2 true JPH081884B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=13973619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089539A Expired - Lifetime JPH081884B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081884B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3604533A1 (en) | 2008-04-11 | 2020-02-05 | Arbutus Biopharma Corporation | Site-specific delivery of nucleic acids by combining targeting ligands with endosomolytic components |
| EP3705125A1 (en) | 2007-12-04 | 2020-09-09 | Alnylam Pharmaceuticals, Inc. | Carbohydrate conjugates as delivery agents for oligonucleotides |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103547A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Fujitsu Ltd | 導電性層の形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125833A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method for electron beam |
| JPS62272528A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63181428A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62089539A patent/JPH081884B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3705125A1 (en) | 2007-12-04 | 2020-09-09 | Alnylam Pharmaceuticals, Inc. | Carbohydrate conjugates as delivery agents for oligonucleotides |
| EP4223299A2 (en) | 2007-12-04 | 2023-08-09 | Alnylam Pharmaceuticals, Inc. | Carbohydrate conjugates as delivery agents for oligonucleotides |
| EP3604533A1 (en) | 2008-04-11 | 2020-02-05 | Arbutus Biopharma Corporation | Site-specific delivery of nucleic acids by combining targeting ligands with endosomolytic components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63254728A (ja) | 1988-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6323657B2 (ja) | ||
| US5019485A (en) | Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns | |
| JP2532589B2 (ja) | 微細パタ―ン形成方法 | |
| JP2502564B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| US5139922A (en) | Method of making resist pattern | |
| US5326670A (en) | Process for forming resist pattern | |
| US4259369A (en) | Image hardening process | |
| JPH0795509B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS6239817B2 (ja) | ||
| JPS63254728A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH03261953A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH0661138A (ja) | 二層構造レジストを有する基板およびその製造方法 | |
| JP2583986B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0812842B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH01118127A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6256947A (ja) | 二層構造レジスト用平坦化層組成物 | |
| JPS63271334A (ja) | 二層構造電子線レジスト用平坦化材料 | |
| JPS63181428A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP4425720B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04269756A (ja) | リフトオフ加工に適したレジスト膜 | |
| JP2506800B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2026509518A (ja) | パターン転写を向上させるための薄型ｃａｒの下地層としてのｅｕｖ感応性金属酸化物材料 | |
| JP2738693B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6298799A (ja) | 多層配線形成方法 |