JPH08192024A - 排ガスの処理剤及び処理方法 - Google Patents
排ガスの処理剤及び処理方法Info
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- JPH08192024A JPH08192024A JP7007022A JP702295A JPH08192024A JP H08192024 A JPH08192024 A JP H08192024A JP 7007022 A JP7007022 A JP 7007022A JP 702295 A JP702295 A JP 702295A JP H08192024 A JPH08192024 A JP H08192024A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は
固体金属塩基性炭酸塩の何れか一種又は二種以上を主体
として含有するシラン系ガスを含む排ガスの処理剤又は
処理方法に関する。 【効果】 半導体工業から排出されるシラン系ガス
の無害化が可能。
固体金属塩基性炭酸塩の何れか一種又は二種以上を主体
として含有するシラン系ガスを含む排ガスの処理剤又は
処理方法に関する。 【効果】 半導体工業から排出されるシラン系ガス
の無害化が可能。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシラン系排ガスを処理す
るための処理剤及び処理剤を用いた処理方法に関する。
さらに詳しくは、半導体製造用シラン系ガスの排ガスと
接触せしめて処理するため固体金属水酸化物、固体金属
炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩を主体とする処理剤及
びそれを用いた処理方法に関する。
るための処理剤及び処理剤を用いた処理方法に関する。
さらに詳しくは、半導体製造用シラン系ガスの排ガスと
接触せしめて処理するため固体金属水酸化物、固体金属
炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩を主体とする処理剤及
びそれを用いた処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の半導体工業の発展はめざましく、
超ＬＳＩ、化合物半導体、アモルフアス太陽電池など、
まさに日進月歩の技術革新を続けており、半導体製造用
ガス使用量も増大しつつある。かかる半導体製造用ガ
ス、特にモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ
６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）等のシラン系ガスは、
熱分解、光分解、プラズマ分解等の方法により、単結晶
シリコン、多結晶シリコン、アモルフアスシリコン、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜等の形成に不可欠なガス
である。しかしながら、かかるガスは反応性、自然発火
性が強い上に、例えば、モノシランの場合、吸収により
呼吸器を激しく刺激するなど毒性が強く、若し高濃度で
外部に放出されるならば、人体および自然環境への悪影
響ははかりしれないものがある。そのため、我国におい
ては、良好な作業環境の保持、自然環境の破壊の防止を
目的として、半導体工業における排ガス中のシラン系ガ
ス濃度の規制が強化されつつある。しかも米国において
は、「米国産業衛生監督官会議」がモノシランの作業環
境濃度を０．５ｐｐｍと設定するなど激しい規制が実施
されることになっている。
超ＬＳＩ、化合物半導体、アモルフアス太陽電池など、
まさに日進月歩の技術革新を続けており、半導体製造用
ガス使用量も増大しつつある。かかる半導体製造用ガ
ス、特にモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ
６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）等のシラン系ガスは、
熱分解、光分解、プラズマ分解等の方法により、単結晶
シリコン、多結晶シリコン、アモルフアスシリコン、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜等の形成に不可欠なガス
である。しかしながら、かかるガスは反応性、自然発火
性が強い上に、例えば、モノシランの場合、吸収により
呼吸器を激しく刺激するなど毒性が強く、若し高濃度で
外部に放出されるならば、人体および自然環境への悪影
響ははかりしれないものがある。そのため、我国におい
ては、良好な作業環境の保持、自然環境の破壊の防止を
目的として、半導体工業における排ガス中のシラン系ガ
ス濃度の規制が強化されつつある。しかも米国において
は、「米国産業衛生監督官会議」がモノシランの作業環
境濃度を０．５ｐｐｍと設定するなど激しい規制が実施
されることになっている。
【０００３】通常、半導体製造用には、水素、ヘリウ
ム、アルゴン、窒素などのガスでシラン系ガスを数％か
ら数十％に希釈したガスが用いられることが多いが、時
には、希釈しない１００％のシラン系ガスが用いられる
こともある。
ム、アルゴン、窒素などのガスでシラン系ガスを数％か
ら数十％に希釈したガスが用いられることが多いが、時
には、希釈しない１００％のシラン系ガスが用いられる
こともある。
【０００４】半導体製造装置は、その膜成長の方法によ
り常圧法と減圧法とに大別されている。常圧法の場合、
シラン系ガスを高濃度に含むガスが大量に排出される
が、通常、排ガスを空気と混合して燃焼させる様工夫さ
れた装置によって処理したり、水酸化アルカリ水溶液と
接触する方法（特開昭５６−８４６１９号公報、同５７
−９４３２３号公報）等の手段によってシラン系ガス濃
度をできる限り低減処理した後、大気放出している。
り常圧法と減圧法とに大別されている。常圧法の場合、
シラン系ガスを高濃度に含むガスが大量に排出される
が、通常、排ガスを空気と混合して燃焼させる様工夫さ
れた装置によって処理したり、水酸化アルカリ水溶液と
接触する方法（特開昭５６−８４６１９号公報、同５７
−９４３２３号公報）等の手段によってシラン系ガス濃
度をできる限り低減処理した後、大気放出している。
【０００５】一方、減圧法の場合は、量産性があり薄い
均一膜が得られる利点はあるが、反応室（膜形成室）と
排ガス処理装置の間に真空ポンプが介在するため、真空
ポンプに未反応シランガスが混入してポンプの故障、劣
化、発火等のトラブルを生起する可能性がある。このた
め、反応室と真空ポンプの間に高温加熱されたアルミニ
ウムなどの金属フィルターを取付けシランガスを処理す
るなどの方法が採られている（特開昭５３−９９０７１
号公報）。
均一膜が得られる利点はあるが、反応室（膜形成室）と
排ガス処理装置の間に真空ポンプが介在するため、真空
ポンプに未反応シランガスが混入してポンプの故障、劣
化、発火等のトラブルを生起する可能性がある。このた
め、反応室と真空ポンプの間に高温加熱されたアルミニ
ウムなどの金属フィルターを取付けシランガスを処理す
るなどの方法が採られている（特開昭５３−９９０７１
号公報）。
【０００６】しかしながら、これら従来技術である燃焼
による方法、水酸化アルカリ水溶液と接触処理する方法
あるいは金属フィルターによる処理方法などによって処
理される排ガス中には、尚、５ｐｐｍ以上の高濃度のシ
ラン系ガスが残存し、この数値は自然環境の保護、労働
安全衛生上の見地からは看過し得ないものである。
による方法、水酸化アルカリ水溶液と接触処理する方法
あるいは金属フィルターによる処理方法などによって処
理される排ガス中には、尚、５ｐｐｍ以上の高濃度のシ
ラン系ガスが残存し、この数値は自然環境の保護、労働
安全衛生上の見地からは看過し得ないものである。
【０００７】のみならず、金属フィルターを用いる方法
では、さらに６００℃以上に加熱しなければならないな
どの制約もある。したがって、常温法のみならず減圧法
においても使用し得る方法であって、かつ排ガス中のシ
ラン系ガスを少なくとも０．５ｐｐｍ、好ましくは０．
１ｐｐｍ程度まで完全に除去する技術の開発が期待され
ている所以である。
では、さらに６００℃以上に加熱しなければならないな
どの制約もある。したがって、常温法のみならず減圧法
においても使用し得る方法であって、かつ排ガス中のシ
ラン系ガスを少なくとも０．５ｐｐｍ、好ましくは０．
１ｐｐｍ程度まで完全に除去する技術の開発が期待され
ている所以である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明の目
的は、半導体製造装置の排ガス中のシラン系ガスをほぼ
完全に除去する手段を提供することにあり、半導体製造
方法装置からのシラン系ガスを含む排ガスを、実質的に
零とするための、シラン系ガスの処理剤及び処理方法を
提供するものである。
的は、半導体製造装置の排ガス中のシラン系ガスをほぼ
完全に除去する手段を提供することにあり、半導体製造
方法装置からのシラン系ガスを含む排ガスを、実質的に
零とするための、シラン系ガスの処理剤及び処理方法を
提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は固体
金属塩基性炭酸塩に着目し、半導体装置から排出される
シラン系ガスを含む排ガスを実質的に零にする処理剤及
び処理方法を完成させた。即ち、本発明は固体金属水酸
化物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の何れ
か一種又は二種以上を主体として含有することを特徴と
するシラン系ガスを含む排ガスの処理剤及び処理方法に
関する。
するため、固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は固体
金属塩基性炭酸塩に着目し、半導体装置から排出される
シラン系ガスを含む排ガスを実質的に零にする処理剤及
び処理方法を完成させた。即ち、本発明は固体金属水酸
化物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の何れ
か一種又は二種以上を主体として含有することを特徴と
するシラン系ガスを含む排ガスの処理剤及び処理方法に
関する。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
シラン系ガスとは、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン
（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、ホスフィ
ン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）、ジボラン（Ｂ２
Ｈ６）等の半導体製造工業から排出される排ガスをい
う。
シラン系ガスとは、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン
（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、ホスフィ
ン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）、ジボラン（Ｂ２
Ｈ６）等の半導体製造工業から排出される排ガスをい
う。
【００１１】本発明に用いる固体金属水酸化物として
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの金
属の水酸化物が挙げられる。また、固体金属炭酸塩又は
固体金属塩基性炭酸塩としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ及びＮｉ金属の炭酸塩又は塩基性炭酸塩が挙げ
られる。これら固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は
固体金属塩基性炭酸塩は、それらが単独で、あるいは混
合して用いられる。若しくは、一般的に担体として知ら
れている物質、例えばＡＩ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、
ゼオライトなどに担持したものでもよい。
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの金
属の水酸化物が挙げられる。また、固体金属炭酸塩又は
固体金属塩基性炭酸塩としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ及びＮｉ金属の炭酸塩又は塩基性炭酸塩が挙げ
られる。これら固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は
固体金属塩基性炭酸塩は、それらが単独で、あるいは混
合して用いられる。若しくは、一般的に担体として知ら
れている物質、例えばＡＩ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、
ゼオライトなどに担持したものでもよい。
【００１２】一方、本発明に用いている固体金属塩基性
炭酸塩は次のような物質である。金属の塩基性炭酸塩は
一般的にＭｘ（ＯＨ）ｙ（ＣＯ３）ｚで与えられる。Ｍ
を銅（Ｃｕ）として例をあげると、Ｃｕの固体金属塩基
性炭酸銅についてはクジャク石型と呼ばれるものとラン
銅鉱型と呼ばれるものが知られている。前者は組成式が
Ｃｕ２（ＯＨ）２ＣＯ３であり、後者はＣｕ３（ＯＨ）
２（ＣＯ３）２である。合成法の違いによりこのように
固体金属塩基性炭酸塩は複数の形態をとるが、用いるの
はどの形態のものでもかまわない。
炭酸塩は次のような物質である。金属の塩基性炭酸塩は
一般的にＭｘ（ＯＨ）ｙ（ＣＯ３）ｚで与えられる。Ｍ
を銅（Ｃｕ）として例をあげると、Ｃｕの固体金属塩基
性炭酸銅についてはクジャク石型と呼ばれるものとラン
銅鉱型と呼ばれるものが知られている。前者は組成式が
Ｃｕ２（ＯＨ）２ＣＯ３であり、後者はＣｕ３（ＯＨ）
２（ＣＯ３）２である。合成法の違いによりこのように
固体金属塩基性炭酸塩は複数の形態をとるが、用いるの
はどの形態のものでもかまわない。
【００１３】本発明の処理剤は、前記の固体金属水酸化
物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の粒子を
主体とするものであって、実際の処理操作を行う場合に
は、これを充填層に充填し、該充填層にシラン系ガスを
含有する排ガスを通気処理する。この場合、処理剤たる
固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性
炭酸塩を微細なものとし０．１ｍ２／ｇ以上の表面積を
もたせ、シラン系ガスとの気固接触能を向上させること
が望ましい。なお、固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩
又は固体金属塩基性炭酸塩の粒子としては、特に規定す
るものでなく、通常の試薬または工業薬品として入手で
きるものが好適に使用される。これらは、そのまま使用
することもできるが、より微細な粒子に粉砕したり、所
望の組成で混練したり、さらに適当な形状に成形しても
よい。また、常法により、目的とする固体金属水酸化
物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩に対応す
る可溶性の金属化合物の溶液から該金属化合物を沈殿せ
しめ、分離・乾燥して固体金属水酸化物、固体金属炭酸
塩又は固体金属塩基性炭酸塩としてもよい。
物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の粒子を
主体とするものであって、実際の処理操作を行う場合に
は、これを充填層に充填し、該充填層にシラン系ガスを
含有する排ガスを通気処理する。この場合、処理剤たる
固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性
炭酸塩を微細なものとし０．１ｍ２／ｇ以上の表面積を
もたせ、シラン系ガスとの気固接触能を向上させること
が望ましい。なお、固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩
又は固体金属塩基性炭酸塩の粒子としては、特に規定す
るものでなく、通常の試薬または工業薬品として入手で
きるものが好適に使用される。これらは、そのまま使用
することもできるが、より微細な粒子に粉砕したり、所
望の組成で混練したり、さらに適当な形状に成形しても
よい。また、常法により、目的とする固体金属水酸化
物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩に対応す
る可溶性の金属化合物の溶液から該金属化合物を沈殿せ
しめ、分離・乾燥して固体金属水酸化物、固体金属炭酸
塩又は固体金属塩基性炭酸塩としてもよい。
【００１４】また、処理剤たる固体金属水酸化物、固体
金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の排ガス処理能力
を高めるため、処理温度は高い方が通常より効果的であ
る。したがって、充填層で操作する場合は、充填層の加
熱を行ないながら排ガスを送入することが好ましい。し
かしながら、処理剤を構成する固体金属水酸化物、固体
金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の種類によって
は、かかる加熱を全く必要とせず、室温にても十分にそ
の排ガス除去機能を果し得るものもあり、また処理すべ
きシラン系排ガスの濃度や目的とする除去率によって
は、必ずしも必要不可欠なものではない。なお、実施例
に示す如く本発明における固体金属水酸化物、固体金属
炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩を主体とする処理剤に
よる処理方法においては、排ガス中のシラン系ガス濃度
を０．１ｐｐｍ以下、すなわち、検出限界以下に処理す
ることができる。
金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の排ガス処理能力
を高めるため、処理温度は高い方が通常より効果的であ
る。したがって、充填層で操作する場合は、充填層の加
熱を行ないながら排ガスを送入することが好ましい。し
かしながら、処理剤を構成する固体金属水酸化物、固体
金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩の種類によって
は、かかる加熱を全く必要とせず、室温にても十分にそ
の排ガス除去機能を果し得るものもあり、また処理すべ
きシラン系排ガスの濃度や目的とする除去率によって
は、必ずしも必要不可欠なものではない。なお、実施例
に示す如く本発明における固体金属水酸化物、固体金属
炭酸塩又は固体金属塩基性炭酸塩を主体とする処理剤に
よる処理方法においては、排ガス中のシラン系ガス濃度
を０．１ｐｐｍ以下、すなわち、検出限界以下に処理す
ることができる。
【００１５】本発明の処理剤を使用し、例えばこれを充
填層に充填し操作する場合の充填層としては、Ｉ系列の
充填層でも十分ではあるが、充填物の再生や交換等の操
作上の観点からこれを複数並列方式とし、それぞれを処
理層、再処理層とし相互に切り換えて使用するのが望ま
しい。
填層に充填し操作する場合の充填層としては、Ｉ系列の
充填層でも十分ではあるが、充填物の再生や交換等の操
作上の観点からこれを複数並列方式とし、それぞれを処
理層、再処理層とし相互に切り換えて使用するのが望ま
しい。
【００１６】なお、実際の半導体製造においては、シラ
ン系ガスによるシリコン膜に、砒素、ホウ素、リン等の
ドーピングをしばしば行うので、シラン系ガスとともに
ドーパントたるアルシン、ホスフィンまたはジボランを
含有している排ガスが排出されるが、本発明の処理剤を
使用すれば、かかるドープ用ガスとして利用されるホス
フィン、ジボランまたはアルシン等のガスについてもシ
ラン系ガスと共に除去することができるという利点を有
する。
ン系ガスによるシリコン膜に、砒素、ホウ素、リン等の
ドーピングをしばしば行うので、シラン系ガスとともに
ドーパントたるアルシン、ホスフィンまたはジボランを
含有している排ガスが排出されるが、本発明の処理剤を
使用すれば、かかるドープ用ガスとして利用されるホス
フィン、ジボランまたはアルシン等のガスについてもシ
ラン系ガスと共に除去することができるという利点を有
する。
【００１７】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を更に
詳細に説明する。 実施例１ ＭｎＣＯ３粉を小型タブレットマシンで４ｍｍ×３ｍｍ
φの円柱状タブレットを成型した。次に、長さ５００ｍ
ｍ、内径２５ｍｍφのＳＵＳ製のカラムを用い、両側に
ガス導入管、排ガス出口管を備えた装置を使用し、カラ
ムの中央部に、タブレットを１００ｃｃ充填し、ガス導
入管よりＮ２ガスで１１３ｐｐｍに希釈されたＳｉＨ４
ガスを常温で通気処理した。排ガス出口管より出るガス
中のモノシラン濃度をガスクロマトグラフィーで分析し
た結果、モノシランは検出されず除去効果が認められ
た。分析は光イオン化検出器を備えたガスクロマトグラ
フィーにより行った。分離カラムはＰｏｒａｐａｋ−Ｔ
であり、モノシランの検出限界は０．１ｐｐｍである。
詳細に説明する。 実施例１ ＭｎＣＯ３粉を小型タブレットマシンで４ｍｍ×３ｍｍ
φの円柱状タブレットを成型した。次に、長さ５００ｍ
ｍ、内径２５ｍｍφのＳＵＳ製のカラムを用い、両側に
ガス導入管、排ガス出口管を備えた装置を使用し、カラ
ムの中央部に、タブレットを１００ｃｃ充填し、ガス導
入管よりＮ２ガスで１１３ｐｐｍに希釈されたＳｉＨ４
ガスを常温で通気処理した。排ガス出口管より出るガス
中のモノシラン濃度をガスクロマトグラフィーで分析し
た結果、モノシランは検出されず除去効果が認められ
た。分析は光イオン化検出器を備えたガスクロマトグラ
フィーにより行った。分離カラムはＰｏｒａｐａｋ−Ｔ
であり、モノシランの検出限界は０．１ｐｐｍである。
【００１８】実施例２〜１３ 各固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又は固体金属塩基
性炭酸塩を実施例１と同様の装置を使用し、同様の方法
で処理を行った。結果を表１に示す。
性炭酸塩を実施例１と同様の装置を使用し、同様の方法
で処理を行った。結果を表１に示す。
【００１９】実施例１４〜２６ 純ジシランガスを窒素ガスで希釈し、１０８．５ｐｐｍ
のジシラン含有ガスを調製した。ついで、実施例１と同
様の装置を使用し、同様の方法で処理を行った。結果を
表２に示す。ジシランのガスクロマトグラフィーによる
分析の検出限界は０．１ｐｐｍである。
のジシラン含有ガスを調製した。ついで、実施例１と同
様の装置を使用し、同様の方法で処理を行った。結果を
表２に示す。ジシランのガスクロマトグラフィーによる
分析の検出限界は０．１ｐｐｍである。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】実施例２７〜２８ Ｃｕ２（ＯＨ）２ＣＯ３−Ａｌ（ＯＨ）３剤について、
実施例１と同様の装置を用し、同様の方法でモノシラン
及びジシランの処理を行った。その結果、モノシラン及
びジシランとも検出されなかった。
実施例１と同様の装置を用し、同様の方法でモノシラン
及びジシランの処理を行った。その結果、モノシラン及
びジシランとも検出されなかった。
【００２３】比較例１〜６ 実施例において用いたモノシラン又はジシラン含有ガス
をガラスビーズ、銀砂及び天然水晶の充填層に通気し、
実施例１と同様の方法で処理を行った。結果を表３（モ
ノシラン）、表４（ジシラン）に示す。
をガラスビーズ、銀砂及び天然水晶の充填層に通気し、
実施例１と同様の方法で処理を行った。結果を表３（モ
ノシラン）、表４（ジシラン）に示す。
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】実施例２９〜３１ 実施例１と同様の装置を使用し、充填剤としてＣｕ
２（ＯＨ）２ＣＯ３を用いて、被処理ガスとして表５に
示すガスを用いて処理を行った。分析はＳｉＨ４、Ａｓ
Ｈ３及びＰＨ３については実施例１と同様に行い、Ｂ２
Ｈ６はガスクロマトグラフィーによる分析ができなかっ
たので、西独ドレーゲル社製ドレーゲル検知管にてサン
プリングし、ガス分析した。結果を表５に示す。本発明
の処理剤を使用すれば、シランガス中にドーパントたる
ホスフィン、アルシン及びジボランを含有しても、シラ
ンガスとともに除去することができた。
２（ＯＨ）２ＣＯ３を用いて、被処理ガスとして表５に
示すガスを用いて処理を行った。分析はＳｉＨ４、Ａｓ
Ｈ３及びＰＨ３については実施例１と同様に行い、Ｂ２
Ｈ６はガスクロマトグラフィーによる分析ができなかっ
たので、西独ドレーゲル社製ドレーゲル検知管にてサン
プリングし、ガス分析した。結果を表５に示す。本発明
の処理剤を使用すれば、シランガス中にドーパントたる
ホスフィン、アルシン及びジボランを含有しても、シラ
ンガスとともに除去することができた。
【００２７】
【表５】
【００２８】実施例３２〜３４ 実施例１と同様の装置を使用し、充填剤としてＣｕ
２（ＯＨ）２ＣＯ３−Ａｌ（ＯＨ）３（Ｃｕ／Ａｌ原子
比＝９）を用いて、被処理ガスとして表６に示すガスを
用いて処理を行った。分析はＳｉＨ４、ＡｓＨ３及びＰ
Ｈ３については実施例１と同様に行い、Ｂ２Ｈ６はガス
クロ分析ができなかったので、西独ドレーゲル社製ドレ
ーゲル検知管にてサンプリングし、ガス分析した。結果
を表６に示す。本発明の処理剤を使用すれば、シランガ
ス中にドーパントたるホスフィン、アルシン及びジボラ
ンを含有しても、シランガスとともに除去することがで
きた。
２（ＯＨ）２ＣＯ３−Ａｌ（ＯＨ）３（Ｃｕ／Ａｌ原子
比＝９）を用いて、被処理ガスとして表６に示すガスを
用いて処理を行った。分析はＳｉＨ４、ＡｓＨ３及びＰ
Ｈ３については実施例１と同様に行い、Ｂ２Ｈ６はガス
クロ分析ができなかったので、西独ドレーゲル社製ドレ
ーゲル検知管にてサンプリングし、ガス分析した。結果
を表６に示す。本発明の処理剤を使用すれば、シランガ
ス中にドーパントたるホスフィン、アルシン及びジボラ
ンを含有しても、シランガスとともに除去することがで
きた。
【００２９】
【表６】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば従来技術では達成されな
かった、半導体工業から排出されるシラン系ガスの無害
化を簡単に可能にしたものである。しかも従来、困難で
あったドーパントたるアルシン、ホスフィン又はジボラ
ンを含有している排ガスも、本発明の処理剤を使用すれ
ば、シランガスと共に除去することができる。
かった、半導体工業から排出されるシラン系ガスの無害
化を簡単に可能にしたものである。しかも従来、困難で
あったドーパントたるアルシン、ホスフィン又はジボラ
ンを含有している排ガスも、本発明の処理剤を使用すれ
ば、シランガスと共に除去することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 20/08 Ａ Ｂ０１Ｄ 53/36 ＺＡＢ Ｚ (72)発明者 原田 功 山口県下関市彦島迫町七丁目１番１号 三 井東圧化学株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 固体金属水酸化物、固体金属炭酸塩又
は固体金属塩基性炭酸塩の何れか一種又は二種以上を主
体として含有することを特徴とするシラン系ガスを含む
排ガスの処理剤。 - 【請求項２】 固体金属水酸化物が、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉからなる群より選択され
る少なくとも一種又は二種以上の金属の水酸化物である
請求項１記載の処理剤。 - 【請求項３】 固体金属炭酸塩又は固体金属塩基性炭
酸塩が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉからな
る群より選択される少なくとも一種又は二種以上の金属
の炭酸塩又は塩基性炭酸塩である請求項１記載の処理
剤。 - 【請求項４】 請求項１〜３記載の処理剤を用いシラ
ン系ガスを含む排ガスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007022A JPH08192024A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 排ガスの処理剤及び処理方法 |
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| JP7007022A JPH08192024A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 排ガスの処理剤及び処理方法 |
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| JPH08192024A true JPH08192024A (ja) | 1996-07-30 |
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ID=11654421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP7007022A Pending JPH08192024A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 排ガスの処理剤及び処理方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH08192024A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-01-20 JP JP7007022A patent/JPH08192024A/ja active Pending
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