JPH0819523B2 - 高硬度窒化硼素の合成法 - Google Patents
高硬度窒化硼素の合成法Info
- Publication number
- JPH0819523B2 JPH0819523B2 JP61279360A JP27936086A JPH0819523B2 JP H0819523 B2 JPH0819523 B2 JP H0819523B2 JP 61279360 A JP61279360 A JP 61279360A JP 27936086 A JP27936086 A JP 27936086A JP H0819523 B2 JPH0819523 B2 JP H0819523B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron nitride
- boron
- substrate
- high frequency
- excimer laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 30
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 title description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 3
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- -1 iron group metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は高硬度な立方晶窒化硼素の合成法に係り、
詳しくは非常に高硬度を有するだけでなく、熱伝導率に
富み、化学的に安定で加えてダイヤモンドとは異なり、
鉄族金属に対する耐性にもすぐれていることから切削工
具、耐摩工具などの工具材料、さらにはヒートシンクな
どの電子材料として用いられる立方晶窒化硼素を気相よ
り基材表面に析出させる方法に関するものである。
詳しくは非常に高硬度を有するだけでなく、熱伝導率に
富み、化学的に安定で加えてダイヤモンドとは異なり、
鉄族金属に対する耐性にもすぐれていることから切削工
具、耐摩工具などの工具材料、さらにはヒートシンクな
どの電子材料として用いられる立方晶窒化硼素を気相よ
り基材表面に析出させる方法に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、窒化硼素の製造法としては、 （１） 硼素を含有する蒸発源から基体上に硼素分子を
蒸着させるとともに、少なくとも窒素を含むイオン種を
発生せしめるイオン発生源から基体上に該イオン種を照
射して、該基体上に窒化硼素を析出せしめる窒化硼素膜
の製造方法（特公昭60−181262号公報）。
蒸着させるとともに、少なくとも窒素を含むイオン種を
発生せしめるイオン発生源から基体上に該イオン種を照
射して、該基体上に窒化硼素を析出せしめる窒化硼素膜
の製造方法（特公昭60−181262号公報）。
（２） H2＋N2プラズマによる硼素の化学輸送を行なう
ことによって立方晶窒化硼素を生成させる方法（Journa
l of material science letters 4、（1985）、P51〜5
4）。
ことによって立方晶窒化硼素を生成させる方法（Journa
l of material science letters 4、（1985）、P51〜5
4）。
（３） HCD gunで硼素を蒸発させながら、Hollow Anod
eからN2をイオン化して基板に放射し、基板には高周波
を印加してself bias効果をもたせて立方晶窒化硼素を
生成する方法（Proceeding、9th、Symposium on Ion so
urce Ion Asisted Technology Anode 85、Tokyo（198
5））。
eからN2をイオン化して基板に放射し、基板には高周波
を印加してself bias効果をもたせて立方晶窒化硼素を
生成する方法（Proceeding、9th、Symposium on Ion so
urce Ion Asisted Technology Anode 85、Tokyo（198
5））。
（４） 硼素原子含有固体にEBを当てることにより、硼
素を蒸発させ、それに窒素原子含有ガスを流しこみ、硼
素および窒素を同時にイオン化することにより、基材表
面に立方晶窒化硼素を生成する方法（真空、第28巻、第
７号、1985）。
素を蒸発させ、それに窒素原子含有ガスを流しこみ、硼
素および窒素を同時にイオン化することにより、基材表
面に立方晶窒化硼素を生成する方法（真空、第28巻、第
７号、1985）。
などが知られている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記（１）の方法はイオンビームを発
生する装置および集束装置が高価であることが欠点とさ
れ、（２）の方法は高出力のRFプラズマを成膜に利用し
ていることにより、反応系からの不純物が混入しやす
い。（３）の方法は（１）の方法と同じくイオンビーム
を発生する装置およびその集束装置が高価であること
と、不活性ガスの原子が析出した窒化硼素に取り込まれ
る欠点がある。また（４）の方法においては、硼素は融
点と沸点が近いため、EBを当てることにより、突沸しや
すく制御が困難であるという欠点を有しているのであ
る。
生する装置および集束装置が高価であることが欠点とさ
れ、（２）の方法は高出力のRFプラズマを成膜に利用し
ていることにより、反応系からの不純物が混入しやす
い。（３）の方法は（１）の方法と同じくイオンビーム
を発生する装置およびその集束装置が高価であること
と、不活性ガスの原子が析出した窒化硼素に取り込まれ
る欠点がある。また（４）の方法においては、硼素は融
点と沸点が近いため、EBを当てることにより、突沸しや
すく制御が困難であるという欠点を有しているのであ
る。
〈問題点を解決するための手段〉 この発明は上記した従来法の欠点を解消した窒化硼素
の合成法を得るべく検討の結果見出されたものである。
の合成法を得るべく検討の結果見出されたものである。
即ち、この発明は硼素原子含有ガス、窒素原子含有ガ
スをエキシマレーザーCVD法にて分解、励起状態とした
のち、高周波プラズマ中を通過せしめることにより800
〜2000℃に加熱した基板表面に導入して立方晶窒化硼素
を析出させることを特徴とする高硬度窒化硼素の合成法
を提供することを目的とするものである。
スをエキシマレーザーCVD法にて分解、励起状態とした
のち、高周波プラズマ中を通過せしめることにより800
〜2000℃に加熱した基板表面に導入して立方晶窒化硼素
を析出させることを特徴とする高硬度窒化硼素の合成法
を提供することを目的とするものである。
〈作用〉 この発明においては、硼素原子含有ガスおよび窒素原
子含有ガスの混合ガスをエキシマレーザー中を通過せし
めることにより分解、励起し、励起状の硼素原子および
窒素原子を生成せしめる。かつその励起状の硼素原子お
よび窒素原子をさらに高周波プラズマ中を通過させるこ
とにより、より高次のエネルギーを有し、加熱した基板
上において立方晶窒化硼素を生成する。
子含有ガスの混合ガスをエキシマレーザー中を通過せし
めることにより分解、励起し、励起状の硼素原子および
窒素原子を生成せしめる。かつその励起状の硼素原子お
よび窒素原子をさらに高周波プラズマ中を通過させるこ
とにより、より高次のエネルギーを有し、加熱した基板
上において立方晶窒化硼素を生成する。
このように、この発明においては成膜プロセスとして
エキシマレーザーおよび高周波プラズマを使用する。
エキシマレーザーおよび高周波プラズマを使用する。
上記において、エキシマレーザーのみ、あるいは高周
波プラズマのみを成膜手段として用いた場合、原料源で
ある硼素原子と窒素原子を互いにsp3結合を行なわせる
には反応エネルギーが不足するため、非晶質窒化硼素や
六方晶窒化硼素を作成しやすい。
波プラズマのみを成膜手段として用いた場合、原料源で
ある硼素原子と窒素原子を互いにsp3結合を行なわせる
には反応エネルギーが不足するため、非晶質窒化硼素や
六方晶窒化硼素を作成しやすい。
これに対して、エキシマレーザーと高周波プラズマの
２つの成膜手段を組合せて利用した場合、硼素原子と窒
素原子が互いにsp3結合を起こすのに充分な反応エネル
ギーが得られるのである。
２つの成膜手段を組合せて利用した場合、硼素原子と窒
素原子が互いにsp3結合を起こすのに充分な反応エネル
ギーが得られるのである。
上記においてエキシマレーザー出力は１〜100wの範囲
が好適である。これは1wより小さいと、成膜速度が非常
に小さくなり、かつ原料源を励起するのに不足し、また
100wより大きいと、媒質ガスの寿命が短くなるため、出
力減衰が顕著となり、安定した出力を得ることはできな
い。
が好適である。これは1wより小さいと、成膜速度が非常
に小さくなり、かつ原料源を励起するのに不足し、また
100wより大きいと、媒質ガスの寿命が短くなるため、出
力減衰が顕著となり、安定した出力を得ることはできな
い。
次に高周波プラズマの出力は100w以上が好ましい。こ
れは100wより小さいと、励起硼素原子と励起窒素原子を
互いにsp3結合を行なわせるにはエネルギーが不足する
ためである。
れは100wより小さいと、励起硼素原子と励起窒素原子を
互いにsp3結合を行なわせるにはエネルギーが不足する
ためである。
基板温度は800℃より低いと、励起状態の硼素原子と
窒素原子が互いにsp3結合する熱エネルギーとして不足
し、また2000℃より高くなると、成膜する窒化硼素膜か
ら窒素が抜け出てしまうため、800〜2000℃が好まし
い。
窒素原子が互いにsp3結合する熱エネルギーとして不足
し、また2000℃より高くなると、成膜する窒化硼素膜か
ら窒素が抜け出てしまうため、800〜2000℃が好まし
い。
この発明において、使用するエキシマレーザーの媒質
ガスとしてはArF、KrF、F2ガスなどが用いられる。
ガスとしてはArF、KrF、F2ガスなどが用いられる。
硼素原子含有ガス中の硼素原子数および窒素原子含有
ガス中の窒素原子数の比はB/N＝0.1〜10の範囲が好まし
い。これはB/N＜0.1の時は非晶質状の窒化硼素の膜が析
出されやすく、B/N＞10の時は硼素が過剰となり、非晶
質状の硼素が形成されやすいためである。
ガス中の窒素原子数の比はB/N＝0.1〜10の範囲が好まし
い。これはB/N＜0.1の時は非晶質状の窒化硼素の膜が析
出されやすく、B/N＞10の時は硼素が過剰となり、非晶
質状の硼素が形成されやすいためである。
硼素原子含有ガスとしてB2H6、BCl3、BBr3、B3N3H6な
どが挙げられ、窒素原子含有ガスとしてはN2、NH3等が
用いられる。
どが挙げられ、窒素原子含有ガスとしてはN2、NH3等が
用いられる。
なおこの発明で高硬度窒化硼素合成に際しては、第１
図あるいは第２図に概略図として示す製造装置を使用す
る。そして第１図は基板をヒーターにて加熱するタイプ
であり、第２図は高周波プラズマ中に基板が位置してい
るのでプラズマ強度によって基板温度を調節できるタイ
プである。
図あるいは第２図に概略図として示す製造装置を使用す
る。そして第１図は基板をヒーターにて加熱するタイプ
であり、第２図は高周波プラズマ中に基板が位置してい
るのでプラズマ強度によって基板温度を調節できるタイ
プである。
両図において、１は硼素原子含有ガス供給装置、２は
窒素原子含有ガス供給装置、３はエキシマレーザー発生
装置、４は反応室、５はエキシマレーザーガイド、６は
エキシマレーザー、７は基板、８は基板支持台、９はヒ
ーター、10は高周波コイル、11は高周波電源、12はコッ
ク、13は排気装置、14は排気口である。
窒素原子含有ガス供給装置、３はエキシマレーザー発生
装置、４は反応室、５はエキシマレーザーガイド、６は
エキシマレーザー、７は基板、８は基板支持台、９はヒ
ーター、10は高周波コイル、11は高周波電源、12はコッ
ク、13は排気装置、14は排気口である。
〈実施例〉 以下実施例によりこの発明を詳細に説明する。
実施例１ 第１図に示す製造装置を用い、シリコンウエハーを基
板として使用し、原料ガスとしてジポランおよび窒素を
夫々20cc/min、10cc/min流した。反応管内圧力は0.1Tor
rに調整し、基板温度を900℃とした。エキシマレーザー
としてArFレーザーを使用し、レーザー出力は20wとし
た。高周波周波数は13.56MHz、高周波出力は500wとし、
成膜時間は４時間とした。
板として使用し、原料ガスとしてジポランおよび窒素を
夫々20cc/min、10cc/min流した。反応管内圧力は0.1Tor
rに調整し、基板温度を900℃とした。エキシマレーザー
としてArFレーザーを使用し、レーザー出力は20wとし
た。高周波周波数は13.56MHz、高周波出力は500wとし、
成膜時間は４時間とした。
成膜終了後、６μｍ程度の窒化硼素膜が析出され、Ｘ
線回折で評価したところ、２θ＝43.2度付近に鋭いピー
クを検出し、立方晶窒化硼素であると同定した。
線回折で評価したところ、２θ＝43.2度付近に鋭いピー
クを検出し、立方晶窒化硼素であると同定した。
実施例２ 第２図に示す製造装置を用い、シリコンウエハーを基
板として使用し、原料ガスとして塩化硼素、窒素を夫々
8cc/min、16cc/min流した。
板として使用し、原料ガスとして塩化硼素、窒素を夫々
8cc/min、16cc/min流した。
反応管内圧力は0.3Torrに調整し、基板温度を1100℃
した。エキシマレーザーとしてKrFレーザーを使用し、
レーザー出力は30wとした。高周波周波数は13.56MHz、
高周波出力は1kwとし、成膜時間は７時間とした。
した。エキシマレーザーとしてKrFレーザーを使用し、
レーザー出力は30wとした。高周波周波数は13.56MHz、
高周波出力は1kwとし、成膜時間は７時間とした。
成膜終了後、12μｍ程度の窒化硼素膜が析出され、ラ
マン分析で評価したところ1310cm-1と1055cm-1付近に鋭
いピークを検出し、立方晶窒化硼素と同定できた。
マン分析で評価したところ1310cm-1と1055cm-1付近に鋭
いピークを検出し、立方晶窒化硼素と同定できた。
実施例３ 第１図に示す製造装置を使用した。
モリブデンを基板として用い、原料ガスとしてフッ化
硼素、アンモニアを夫々10cc/min、30cc/min流した。反
応管内圧力は0.2Torrに調整し、基板温度を800℃とし
た。成膜手段としてエキシマレーザーは使用せず、高周
波プラズマのみとし、高周波周波数13.56MHz、高周波出
力を400wとし、成膜時間を５時間とした。
硼素、アンモニアを夫々10cc/min、30cc/min流した。反
応管内圧力は0.2Torrに調整し、基板温度を800℃とし
た。成膜手段としてエキシマレーザーは使用せず、高周
波プラズマのみとし、高周波周波数13.56MHz、高周波出
力を400wとし、成膜時間を５時間とした。
成膜修了後、５μｍ程度の窒化硼素膜が析出され、Ｘ
線回折で評価したところ、２θ＝26.7度および43.2度付
近に夫々広いピークを検出し、六方晶窒化硼素および立
方晶窒化硼素の混在した薄膜であることが認められた。
線回折で評価したところ、２θ＝26.7度および43.2度付
近に夫々広いピークを検出し、六方晶窒化硼素および立
方晶窒化硼素の混在した薄膜であることが認められた。
実施例４ 上記実施例１〜３の条件を用いてWC基超硬合金である
TNMG432をチップとして用いて該チップ状にコーティン
グを行ない、切削テストを行なった。
TNMG432をチップとして用いて該チップ状にコーティン
グを行ない、切削テストを行なった。
比較としてコーティングを行なわないチップおよびCV
D法にてTiNコーティングを行なったチップの切削テスト
をも行なった。
D法にてTiNコーティングを行なったチップの切削テスト
をも行なった。
コーティングは何れも被覆層厚３μｍとした。切削テ
スト条件は第１表に示した。また切削テストの結果は第
２表に示した。
スト条件は第１表に示した。また切削テストの結果は第
２表に示した。
上表から立方晶窒化硼素を被覆層としてチップに使用
した場合、この発明の実施例は全て耐摩耗性にすぐれて
いることが認められた。
した場合、この発明の実施例は全て耐摩耗性にすぐれて
いることが認められた。
また、この発明で得たCBNコートチップの鋼旋削にお
ける切削性能を切削速度と寿命時間との関係で調べたと
ころ第３図の結果を得、さらに鋳鉄切削における欠損ま
での切削時間と衝撃回数との関係を調べたところ第４図
の結果を得た。
ける切削性能を切削速度と寿命時間との関係で調べたと
ころ第３図の結果を得、さらに鋳鉄切削における欠損ま
での切削時間と衝撃回数との関係を調べたところ第４図
の結果を得た。
〈発明の効果〉 以上説明したように、この発明は耐熱衝撃性、熱伝導
性、硬度、耐摩耗性および高温における鉄族金属に対す
る耐性にもすぐれる立方晶窒化硼素膜を気相から析出す
る新規な合成法であり、切削部材、耐摩耗部材および耐
熱部品の被覆膜として用いた場合、第２図および第３図
に示すように多大な効果を示すことが認められた。
性、硬度、耐摩耗性および高温における鉄族金属に対す
る耐性にもすぐれる立方晶窒化硼素膜を気相から析出す
る新規な合成法であり、切削部材、耐摩耗部材および耐
熱部品の被覆膜として用いた場合、第２図および第３図
に示すように多大な効果を示すことが認められた。
第１図および第２図はこの発明の方法にて用いる製造装
置の概略説明図、第３図および第４図はこの発明の方法
で得られる立方晶窒化硼素を被覆膜としたチップの切削
性能を示す図表である。 １……硼素原子含有ガス供給装置 ２……窒素原子含有ガス供給装置 ３……エキシマレーザー発生装置 ４……反応室、６……エキシマレーザー ７……基板、９……ヒーター 10……高周波コイル、11……高周波電源
置の概略説明図、第３図および第４図はこの発明の方法
で得られる立方晶窒化硼素を被覆膜としたチップの切削
性能を示す図表である。 １……硼素原子含有ガス供給装置 ２……窒素原子含有ガス供給装置 ３……エキシマレーザー発生装置 ４……反応室、６……エキシマレーザー ７……基板、９……ヒーター 10……高周波コイル、11……高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｈ０１Ｌ 23/373
Claims (1)
- 【請求項１】硼素原子含有ガスおよび窒素原子含有ガス
をエキシマレーザーCVD法にて分解、励起状態としたの
ち、高周波プラズマ中を通過せしめることにより、800
〜2000℃に加熱した基板表面に導入し、立方晶窒化硼素
を析出させることを特徴とする高硬度窒化硼素の合成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279360A JPH0819523B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279360A JPH0819523B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134662A JPS63134662A (ja) | 1988-06-07 |
| JPH0819523B2 true JPH0819523B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=17610080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279360A Expired - Lifetime JPH0819523B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0819523B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263549A (ja) * | 1988-08-27 | 1990-03-02 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマ反応方法及び装置 |
| JPH0590871A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| TWI856809B (zh) * | 2023-07-07 | 2024-09-21 | 宇川精密材料科技股份有限公司 | 製備氮化硼薄膜的方法與氮化硼薄膜 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063372A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素薄膜の製造方法 |
| JPS6184379A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Kyocera Corp | 高硬度窒化ホウ素膜の製法 |
| JPS61224318A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Hitachi Ltd | 気相薄膜形成装置及び方法 |
-
1986
- 1986-11-22 JP JP61279360A patent/JPH0819523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63134662A (ja) | 1988-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0476825B1 (en) | A process for the synthesis of hard boron nitride | |
| US5096740A (en) | Production of cubic boron nitride films by laser deposition | |
| JP4115545B2 (ja) | 被加工体を反応的に処理する方法と真空処理装置、および同方法と同装置の使用 | |
| JPH0819523B2 (ja) | 高硬度窒化硼素の合成法 | |
| JP2008222488A (ja) | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 | |
| JPS62243770A (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成方法 | |
| JPH089519B2 (ja) | 高圧相窒化ホウ素の気相合成法 | |
| JPH0649637B2 (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
| JPH07233475A (ja) | ダイアモンド状薄膜の形成方法 | |
| JPS63134661A (ja) | 高硬度窒化硼素の合成法 | |
| JPS63199871A (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
| JPS63128179A (ja) | 硬質窒化硼素の合成方法および合成装置 | |
| JPS6369973A (ja) | 立方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JPH01104775A (ja) | 高硬度窒化硼素の合成法 | |
| JPH04124272A (ja) | 立方晶窒化ホウ素被覆部材及びその製造方法 | |
| JPH0814023B2 (ja) | 高圧相窒化ホウ素の気相合成法 | |
| JPH07133103A (ja) | プラズマアーク法によるｃ３ｎ４の合成方法 | |
| JPS62260062A (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
| JPS63199872A (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
| JPS62207869A (ja) | 酸素含有硬質窒化硼素被覆部品 | |
| JPH11278990A (ja) | ダイヤモンド状炭素膜の加工方法 | |
| JPS6369972A (ja) | 立方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JPH054807A (ja) | 窒化硼素膜の製造方法 | |
| JPS61146791A (ja) | ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 | |
| JPH03197679A (ja) | 窒化ホウ素薄膜の合成方法 |