JPH08195428A - 真空吸着装置 - Google Patents

真空吸着装置

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JPH08195428A
JPH08195428A JP4958195A JP4958195A JPH08195428A JP H08195428 A JPH08195428 A JP H08195428A JP 4958195 A JP4958195 A JP 4958195A JP 4958195 A JP4958195 A JP 4958195A JP H08195428 A JPH08195428 A JP H08195428A
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vacuum
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Haruo Tsuyusaki
晴夫 露嵜
Akinori Shibayama
昭則 柴山
Atsunobu Une
篤暢 宇根
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 試料の外周部においてもダスト等による影響
を受けず、試料を高い平面度に矯正することができるよ
うにする。 【構成】 真空吸着器1の上面に真空吸着部3と、これ
を取り囲むシール部4を設ける。真空吸着部3とシール
部4に上面が同一平面を形成するように突子2,11を
それぞれ設け、これらの突子によって試料6を支承す
る。シール部4と試料6との間に形成される微小隙間1
2は、真空排気時に大きな抵抗となり外部の空気を吸い
込まないようにする。また、加工時には加工液が侵入し
ないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSI製造装置におけ
る、パターン転写装置、描画装置、各種プロセス製造装
置、検査測長装置、および研削、研磨、切断などの加工
装置の試料保持装置と試料搬送装置に用いられる真空吸
着装置に関し、特にその真空吸着器に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、LSI製造において用いられるこ
の種の真空吸着装置は、図13(a)、(b)に示すよ
うな真空吸着器を備えている。これを概略説明すると、
1は真空吸着器で、その上面には多数の微小な突子2を
有する真空吸着部3と、環状の突部によって形成され真
空吸着部3を取り囲むランド部4が設けられている。突
子2とランド部4の上面は同一平面を形成し、試料6を
支承する。このため、突子2とランド部4の上面は仕上
げ加工されることにより高精度な平面を形成している。
また、真空吸着器1の内部には一端が真空吸着部3の内
底面3aに開口し、他端が真空吸着器1の下面に開口す
る例えば4つの真空排気孔5が形成されており、その他
端開口部は図示しない真空ポンプに接続されている。
【0003】このような真空吸着器1において、真空吸
着器1の上面にウエハ等の試料6を載置した後、真空ポ
ンプを作動させて試料6の下部の空気を真空排気孔5か
ら排気すると、真空吸着部3が負圧となるため、試料6
は突子2およびランド部4上に吸着される。ランド部4
の上面は突子2の上面と同一平面を形成しており、試料
6の裏面外周縁部が密接されることで、真空吸着部3を
真空封止する。試料6は、真空吸着されることで突子2
およびランド部4の上面に倣い、反りや曲がりが矯正さ
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の真空吸
着装置の真空吸着器にあっては、真空排気によって試料
6を真空吸着部3の突子2とランド部4の上面に吸着す
ることにより、試料6の反りや変形を矯正し平面にする
ことができる。また、突子2により真空吸着器1と試料
6との接触面積をきわめて小さくすることができるの
で、ダスト等による平面度の低下は殆ど生じない。この
場合、単に突子2のみで試料6を支承する構造にする
と、真空吸着部3が外部と連通して試料6を吸着するの
に十分な真空度が得られず、またダストや加工液を吸い
込んでしまい、試料6や真空吸着器を汚染する。そこ
で、従来は真空吸着部3を真空封止するためにランド部
4を設けている。真空封止を十分に行うためにはランド
部4の幅を広くすることが必要となるが、幅が広くなれ
ばなるほど、ランド部4上にダスト等が付着する確率が
高くなり、試料6の外周部を高精度な平面に矯正できな
いという問題があった。
【0005】本発明は上記した従来の問題点に鑑みてな
されたもので、その目的とするところは、突子のみによ
る支承であるにも拘らず試料を確実に吸着することがで
き、ダスト等の影響を受けず、試料を高い平面に矯正す
ることができるようにした真空吸着装置を提供すること
にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、上面が同一平面にある多数の突子のみに
よって試料を支承し、内部に真空ポンプに接続される真
空排気孔を設けた真空吸着器を備えた真空吸着装置であ
って、前記真空吸着器の上面に真空排気孔に連通する真
空吸着部を形成するとともに、この真空吸着部を取り囲
む環状のシール部を設け、前記シール部の突子の高さを
きわめて低く設定することによりシール部と試料との間
に微小隙間が形成されるようにしたことを特徴とする。
また、本発明は、シール部を環状突部によって形成した
ことを特徴とする。また、本発明は、真空吸着部とシー
ル部の突子が設けられる面を同一平面に形成したことを
特徴とする。また、本発明は、真空吸着器に陽圧供給孔
を設け、真空吸着部とシール部との間に前記陽圧供給孔
に連通する環状溝を形成し、この環状溝にリングを設
け、かつこのリングの少なくとも上面に真空吸引時およ
び陽圧空気の供給時に試料の裏面に密着する環状のシー
ル部材を固着したことを特徴とする。また、本発明は、
シール部を突子より加工し易い材料で形成したことを特
徴とする。また、本発明は、突子をピン状に形成したこ
とを特徴とする。また、本発明は、シール部を複数個設
けたことを特徴とする。また、本発明は、真空吸着部に
真空排気孔に連通する環状の真空排気溝を複数個形成し
たことを特徴とする。また、本発明は、上面が同一平面
上にある多数の突子のみによって試料を支承し、内部に
真空ポンプに接続される真空排気孔を設けた真空吸着器
を備えた真空吸着装置であって、前記真空吸着器の上面
に真空排気孔に連通する真空吸着部を形成するととも
に、突子が設けられる面を、真空吸着器の周囲から中心
に向かって低くなるように連続的に傾斜させたことを特
徴とする。
【0007】
【作用】本発明においては、試料を接触面がきわめて小
さい突子のみで支承するから、ダスト等による平面度に
及ぼす影響がほとんどない。シール部は試料との間に微
小隙間を形成しているので、この微小隙間が真空排気時
に大きな抵抗となる。したがって、真空吸着部に吸い込
まれる空気の量はきわめて僅かであるから、真空吸着部
の負圧はそれほど低下せず、試料を吸着する。また、環
状溝内に設けられたシール部材は、真空吸引時に試料に
密着し真空吸着部を真空封止する。また、陽圧空気の供
給時においてもシール部材は試料に押し付けられるの
で、真空吸着部を真空封止する。この時、シール部と試
料との間の微小隙間が陽圧状態となるから、外部からダ
ストや加工液が侵入することがない。また、この陽圧空
気は前記微小隙間を通って真空吸着器の外部に排出され
ることにより試料の裏面外周部に付着したダスト等を除
去する。突子より加工し易い材料からなるシール部は、
後加工により試料の大きさに応じて所定の大きさに加工
される。複数個のシール部と真空排気溝は、大きさの異
なる試料に対して選択使用される。また、真空排気溝は
真空排気孔に比べて広い面積を有し、真空吸着部内の真
空圧分布を均一化させる。突子が設けられている面は、
真空吸着部の周囲から中心に向かって連続的に低くなる
ように傾斜しているので、外周縁部において試料との間
の隙間が微小な隙間となりシール部が形成される。
【0008】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。図1(a)、(b)は本発明に係る真空吸着装置を
構成する真空吸着器の一実施例を示す平面図および要部
の拡大断面図である。なお、図中従来技術の欄で説明し
たものと同一構成部材等については同一符号を付し、そ
の説明を省略する。同図において、真空吸着器1は円板
状に形成されており、その上面中央部に凹部によって形
成され多数の微小な突子2を有する円形の真空吸着部3
が設けられ、さらにその外側にはシール部10が設けら
れている。このシール部10は、真空吸着部3を取り囲
む環状の突部からなり、上面には多数の微小な突子11
が突設されている。また、真空吸着器1の内部には4つ
の真空排気孔5が形成されており、その一端が前記真空
吸着部3の内底面3aに開口し、他端が真空吸着器1の
下面に開口し、かつ図示しない真空ポンプに接続されて
いる。なお、図1(b)においては突子2,11の図示
を一部省略したが、この突子2,11は真空吸着部3お
よびシール部10の全面にわたって設けられるものであ
る。また、後述する図2(a)、図5、図6、図7
(a)、図9(a)、図10(a)、図11および図1
2においても突子2,11,16の一部を図示し、ほと
んどを省略している。
【0009】前記真空吸着部3の深さD、言い換えれば
突子2の高さは100μmから1mm程度である。突子
2は細いピン状に形成され、その上面が高精度な平面を
形成している。シール部10の高さ(真空吸着部3の内
底面3aからの高さ)は、真空吸着部3の深さDより僅
かに(100分の1から10分の1程度)低く設定され
ている。シール部10の突子11は、前記ピン2と同一
の太さのピン状に形成されてはいるが突子2に比べてき
わめて短く、上面が突子2の上面と同一平面をなすよう
に形成している。突子11の高さdは数μm〜50μm
程度であり、このため試料6を吸着したときシール部1
0と試料6との間にはきわめて微小な隙間12が形成さ
れる。これらの突子2,11は、円形、正方形等の適宜
な断面形状でよいが、試料6との接触面積を減らすため
にできるだけ細く形成されるとともに、真空吸着時に試
料6の厚さに応じて試料6に撓みを生じさせない程度の
間隔をおいて設けられる。
【0010】このような構造において、試料6を真空吸
着器1の上に載置し、図示しない真空ポンプによって真
空排気孔5および真空吸着部3内の空気14を排気する
と、この空気14は矢印で示す方向に流れ、真空吸着部
3が負圧になる。したがって、試料6は大気圧によって
突子2,11の上面に押しつけられて反りや曲がりが矯
正される。この時、シール部10と試料6とは直接接触
していないので、外部の空気を真空吸着部3内に吸い込
む。しかし、シール部10は、その上面が突子11の上
面より僅かに低く設定されていることにより、試料6の
裏面との間の隙間12はきわめて微小に形成されている
ので、この微小隙間12が外部から真空吸着部3に流れ
込もうとする空気に対して大きな抵抗となる。このた
め、真空吸着部3に流れ込む空気の量はきわめて僅かで
あり、真空吸着部3の吸着作用に影響を及ぼすことはな
く試料6を吸着することができる。
【0011】一例として、500μmより厚い試料6を
吸着する場合、各突子2,11の間隔を1mm、突子
2,11の大きさを1辺が0.25mmの角形とする
と、試料6の撓みは殆ど観察されず、かつ試料6の裏面
と突子2,11の上面との接触率は4%ときわめて小さ
い。したがって、試料6の被吸着面全面にわたってダス
トによる影響は小さく高い平面度が得られる。また、突
子2,11をピン状に形成しているので、ダスト等の付
着を少なくすることができる。
【0012】図2(a)、(b)は他の発明の実施例を
示す真空吸着器の平面図および要部の拡大断面図であ
る。同図において、真空吸着器1の上面中央にはアーム
用孔15aが裏面側に貫通して形成されており、また上
面にはアーム用孔15aを取り囲む環状の突部によって
形成されたアーム収納部15が設けられる。そして、そ
の外側にこのアーム収納部15を取り囲むように環状の
凹部からなる真空吸着部3が設けられ、さらにその外側
には環状の突部によって形成され前記真空吸着部3を取
り囲むシール部10が設けられている。また、真空吸着
部3、シール部10およびアーム収納部15には試料6
を支承する多数の微小な突子2,11,16がそれぞれ
設けられており、その上面が同一平面をなすように形成
している。シール部10とアーム収納部15の上面は同
一平面をなすように形成してはいるが、前記突子2,1
1,16の上面より僅かに低く設定されている。シール
部10の一部周面には、ウエハに形成されているオリフ
ラと同様な平坦面部17が形成されている。アーム収納
部15の内空部15aには図示しないウエハオートロー
ダ用のリフトアームが組み込まれる。
【0013】シール部10とアーム収納部15は、真空
吸着器1および突子2,11,16とは異なった材料に
よって形成されており、その上面から突子11,16の
上端部をきわめて僅かに突出させることにより、試料6
との間に微小隙間12,18がそれぞれ形成される。
【0014】真空吸着器1および突子2,11,16の
材料としては、セラミックス、金属等が用いられ、シー
ル部10およびアーム収納部15の材料としては、真空
吸着器1および突子2,11,16の材料より加工し易
い高分子材料やウェットエッチングにより簡単に選択除
去できる材料(例:ガラス)が用いられる。
【0015】真空吸着器1の製作に際しては、真空吸着
器1と突子2,11,16を一体に製作し、次にガラス
もしくは高分子材料で真空吸着器1の上面中央部と外周
部を覆い、試料の大きさに応じて所定の大きさに形成し
てシール部10とアーム収納部15とし、突子2,1
1,16をこれらの上方に僅かに突出させればよい。
【0016】このような構造においては、シール部10
とアーム収納部15を突子2,11,16の後から製作
することができるので、加工すべき試料の大きさに応じ
た大きさの真空吸着器1を製作することができる。ま
た、シール部10の周面に平坦面部17を設けているの
で、ウエハからなる試料6を載置する際、その向きを真
空吸着器1の向きに合わせて載置することができる。さ
らに、アーム収納孔15aに組み込まれる図示しないウ
エハオートローダ用のリフトアームは、加工後の試料6
の取り外しを容易にする。なお、本発明はアーム収納部
15を設けた例を示したが、必ずしも必要ではない。
【0017】図3(a)、(b)は図1に示した発明の
他の実施例としてウエハ搬送用ロードアームに適用した
例を示す平面図および断面図である。ここでは、ウエハ
搬送用ロードアーム21の先端部にウエハ吸着部20が
一体に設けられている。ウエハ吸着部20は、外形が方
形に形成されている。このため、真空吸着部3とシール
部10はともに方形に形成されている。その他の構造は
図1に示した発明と全く同様である。
【0018】このようなウエハ搬送用ロードアーム21
にあっては方形の試料を吸着して搬送することができ、
搬送時の試料裏面へのダスト等の付着を最小限に抑える
ことができる。
【0019】図4は他の発明の実施例を示す真空吸着器
の要部の拡大断面図で、(a)は試料を真空吸着する前
の状態、(b)は試料を真空吸着した状態を示す図であ
る。この発明における真空吸着器1は、図1および図2
に示す発明と同様に、その上面中央部を円形の凹部によ
って形成される真空吸着部3とし、その外側に真空吸着
部3を取り囲む環状溝30と、環状溝30を取り囲む環
状の突部によって形成されるシール部10を同心円状に
設けている。また、真空吸着部3およびシール部10に
多数の微小な突子2,11をそれぞれ突設し、かつ真空
吸着器1の内部に真空排気孔5と陽圧供給孔33を設け
ている。突子2,11の上面は同一平面をなすように形
成している。シール部10は、突子2,11の上面より
僅かに低く設定されており、試料6の裏面との間に微小
隙間12が形成される。またシール部10は、図2に示
した発明と同様に、突子2,11より加工し易い材料に
よって製作される。真空排気孔5の一端は前記真空吸着
部3の内底面3aに開口し、他端が真空吸着器1の下面
に開口し、かつ図示しないポンプに接続されている。陽
圧供給孔33の一端は前記環状溝30の外周壁30bに
開口し、他端が真空吸着器1の下面に開口して図示しな
いコンプレッサ等の陽圧供給手段に接続されている。さ
らに、前記環状溝30には2枚のシール部材32を備え
たリング31が設けられている。
【0020】前記リング31は環状溝30の内周壁30
aに固着されており、環状溝30の外側壁30bとの間
には陽圧空気用の隙間が形成されている。また、リング
31の上下面の径方向外側半分は、全周にわたって内側
半分よりも一段低く形成されることにより環状の段差部
34,35をそれぞれ形成している。シール部材32
は、ポリイミドなどの高分子膜によって形成されたきわ
めて薄い(10μm〜30μm程度)リング状のシート
からなり、その径方向内側半分が全周にわたってリング
31の上下面にそれぞれ固着されている。一方、シール
部材32の外側半分はリング31に固着されておらず、
前記段差部34,35の上方および下方にそれぞれ延在
している。上側のシール部材32は、真空排気時および
陽圧空気41の供給時に試料6の裏面に密着することに
より、真空吸着部3を真空封止する。下側のシール部材
32は、陽圧空気41の供給時に環状溝30の内底面に
押し付けられることにより、環状溝30の内周壁30a
とリング31との隙間をシールする。段差部34,35
はシール部材32との間に隙間を形成することにより陽
圧空気41が作用し易くする。また、上側の段差部34
は不使用時に上側シート部材32が垂れ下がるのを防止
し、下側の段差部35は真空排気時に下側シート部材3
2が上方へ大きく変形するを防止するためのものであ
る。
【0021】このような構造において、ウエハなどの試
料6を真空吸着器1上に載置し、真空ポンプにより真空
排気孔5を真空排気すると、真空排気孔5および真空吸
着部3内の空気14が矢印方向に流れて真空吸着部3を
負圧にする。このため、試料6は突子2,11上に吸着
される。したがって、試料6は突子2,11の上面に倣
い、反りや曲がりが矯正される。この時、上側のシール
部材32は(b)図に示すように上方に吸い上げられて
試料6の裏面に密着し、真空吸着部3を真空封止する。
【0022】次に、陽圧供給孔33から陽圧空気41を
環状溝30に供給すると、シール部10と試料6との間
の微小隙間12が陽圧空気41に対して大きな抵抗とな
るため、環状溝30が陽圧状態となり、上側のシール部
材32を試料6の裏面に押し付け、下側のシール部材3
2を環状溝30の内底面に押し付ける。したがって、陽
圧空気41が真空吸着部3に流れ込むことはない。この
状態で加工液を流し、試料6の加工を行えば、真空吸着
器1内に加工液やダストが侵入するのを阻止することが
でき、試料6の裏面と真空吸着器1の真空吸着面、すな
わち突子2,11の上面の汚染を防止することができ
る。また、陽圧空気41は微小隙間12を通って外部に
排出されるため、試料6の裏面外周部に付着しているダ
スト等を除去する。ちなみに、微小隙間12を50〜1
00μm、陽圧空気41の圧力を100g/cm2 とし
て真空吸着器1を水中に浸漬しても、真空吸着器1への
水の侵入を完全に抑えることができた。また、微小隙間
12を10μm以下にすれば、さらに圧力の高い水中で
も使用することができる。
【0023】なお、本実施例においてはリング31の上
下面にシール部材32をそれぞれ固着した例を示した
が、上面にのみ固着した場合でも真空吸着部3を真空封
止することができる。
【0024】図5は他の発明の実施例を示す真空吸着器
の平面図である。真空吸着器1の上面には円形の凹部に
よって形成される真空吸着部3と、環状の突部によって
形成される第1、第2シール部10−1 ,10−2 が同
心円状に設けられている。内側の第1シール部10−1
は、真空吸着部3の外周寄りに設けられ、外側の第2シ
ール部10−2 は真空吸着部3の外周を取り囲むように
設けられている。このため、真空吸着部3は、第1シー
ル部10−1 より内側部分3Aと外側部分3Bに2分割
されている。真空吸着部3および第1、第2シール部1
0−1 ,10−2 には上面が同一平面をなすように形成
し試料を支承する突子2,11,16がそれぞれ突設さ
れている。真空吸着部3に連通する真空排気孔5は、第
1シール部10−1 の内側中央に1つ、外側に4つそれ
ぞれ形成されている。他の構造については、図1〜図4
に示すものと同じである。なお、5つの真空排気孔5の
中、第1シール部10−1 と第2シール部10−1 ,1
0−2 の間に形成されている外側4つの真空排気孔5
は、電磁弁等の弁を介して真空ポンプに接続されてい
る。
【0025】このような構造においては、大きさが異な
る試料に対して共通に使用することができる。すなわ
ち、第1シール部10−1 と略同じ大きさの小さな試料
を真空吸着する場合は、第1シール部10−1 と試料と
の間に形成される微小隙間が大きな抵抗となり空気の吸
い込み量を少なくするため、小さな試料を真空吸着する
ことができる。この時、5つの真空排気孔5の中、第1
シール部10−1 より外側の真空排気孔5は、弁の切換
操作によって閉塞され、加工液を吸い込まないようにす
る。一方、第2シール部10−2 と略同じ大きさの大き
な試料を真空吸着する場合は、第2シール部10−2 と
試料との間に形成される微小隙間が大きな抵抗となり空
気の吸い込み量を少なくするため、大きな試料を真空吸
着することができる。この時は全ての真空排気孔5によ
って真空吸着部3全体を真空排気する。なお、本発明に
おいては、真空吸着器1の外形を円形に形成したが、図
6に示すように矩形に形成したものであってもよい。
【0026】図7(a)、(b)は他の発明の実施例を
示す真空吸着器の平面図および断面図である。真空吸着
器1の突子2,11が突設される上面は同一平面をなす
ように形成されている。突子2,11は、高さが例えば
数μmから100μmで、上面が同一平面をなすように
形成している。このため、真空吸着器1の上面と試料6
との間には全面にわたって微小な隙間45が形成され
る。真空排気孔5は、真空吸着器1の上面外周寄りに周
方向に等間隔をおいて8個形成している。
【0027】このような構造において、試料6を真空吸
着器1上に載置し、真空排気孔5を真空排気すると、真
空排気孔5よりも内側部分が真空排気され、真空吸着部
3として機能する。一方、真空排気孔5よりも外側部分
は、真空吸着器1の外側と隙間45を介して連通してい
るが、この隙間45は微小であり大きな抵抗となるた
め、図1〜図6に示すシール部と同様に、外部に対して
シール部10として機能する。したがって、真空排気時
に真空吸着器1が吸い込む空気47の量はきわめて僅か
であり、試料6の真空吸着には影響を及ぼさない。ま
た、真空吸着部3とシール部10が同一平面を形成して
いるので、凹部からなる真空吸着部と環状の突部からな
るシール部を形成する場合に比べて真空吸着器1の製作
が容易である。
【0028】図8は他の発明の実施例を示す真空吸着器
の要部の拡大断面図である。この発明においては、真空
吸着部3とシール部10の突子2,11が設けられる面
を、真空吸着器1の周囲から中心に向かって低くなるよ
うに連続的に傾斜させ、突子の2,11の高さをシール
部10から真空吸着部3の周囲から中心に向かって連続
的に高くなるように変化させている。すなわち、突子
2,11の上面が水平な同一平面になるように形成して
いる。突子2,11の高さとしては、シール部10を形
成する周縁部付近で数μm〜数10μm程度、真空吸着
部3を形成する中央部分で数10μm〜数100μm程
度である。その他の構造は図7に示した発明と同様であ
る。
【0029】このような構造にあっては、シール部10
を形成する周縁部付近においては試料6との間に微小隙
間12が形成される。したがって、ダストや加工液が侵
入することがない。一方、真空吸着部3を形成する中央
部分においては試料6との間に大きな隙間が形成される
ので、空気の通り道となり、真空吸着部3の真空排気を
容易にすることができる。
【0030】図9(a)、(b)は他の発明の実施例を
示す真空吸着器の平面図および要部の拡大断面図であ
る。真空吸着器1は、その上面中央部を円形の真空吸着
部3とし、この真空吸着部3の外周寄りに真空排気孔5
に連通する真空排気溝50を形成し、さらにその外側に
環状のシール部10を形成している。真空吸着部3とシ
ール部10は、図7に示した発明と同様に同一平面をな
すように形成している。真空吸着部3とシール部11の
突子2,11は、高さが例えば数μmから100μm
で、上面が同一平面をなすように形成している。このた
め、真空吸着器1の上面と試料6との間にはきわめて微
小な隙間45がそれぞれ形成される。真空排気溝50
は、真空の立ち上がりを向上させるために真空排気孔5
を多数形成する代わりに設けられている。
【0031】このような構造にあっては図7に示した発
明に比べて真空の立ち上がりがよく、より均一な真空圧
分布が得られ、試料6を真空吸着することができる。す
なわち、単に真空吸着部3と試料6との間に微小な隙間
45を形成しただけでは、空気の粘性抵抗によって空気
の流れが悪くなり、吸着面の真空圧分布が不均一にな
る。これに対して真空排気溝50を設けると、その面積
が大きく、また真空吸着部3の外周付近全体をむらなく
真空排気されるため、微小な隙間45にも拘らず真空の
立ち上がりがよく、均一な真空圧分布を得ることができ
る。また、このような構造にすると、吸引効果が大きい
ため上方に大きく反った試料6であっても安定して真空
吸着することができる。
【0032】図10(a)、(b)は図9に示した発明
の他の実施例としてウエハ搬送用ロードアームに適用し
た例を示す平面図および断面図である。ウエハ搬送用ロ
ードアーム21の先端部に方形のウエハ吸着部20が一
体に設けられている。真空吸着部3の外側には真空排気
溝50が形成され、さらにその外側をシール部10が取
り囲んでいる。真空吸着部3、シール部10および真空
排気溝50はウエハ吸着部20の外形と相似形の方形に
形成されている。その他の構造は、図9に示した発明と
全く同様である。
【0033】このようなウエハ搬送用ロードアーム21
にあっては図3に示した実施例と同様に方形の試料を安
定して真空吸着することができる。
【0034】図11は他の発明の実施例を示す真空吸着
器の平面図である。真空吸着器1の真空吸着部3には環
状溝からなる2つの真空排気溝50,51が同心円状に
形成されている。これらの真空排気溝50,51は真空
排気孔5にそれぞれ接続されている。その他の構造は図
9に示した発明と同様である。すなわち、真空吸着部3
と、これを取り囲むシール部10は、同一平面をなすよ
うに形成されている。また、真空吸着部3とシール部1
0に設けられる突子2,11の高さは、例えば数μmか
ら100μmで、上面が同一平面をなすように形成され
ており、試料6と真空吸着部3およびシール部10との
間にきわめて微小な隙間を形成される。
【0035】このような構成においては、図5に示した
発明と同様に大きさが異なる試料に対して共通に使用す
ることができる。すなわち、真空吸着部3と試料との間
には図9(b)に示した微小な隙間(45)が形成され
ているので、内側の真空排気溝50より大きく外側の環
状溝51より小さい試料を吸着する場合は、真空吸着部
3のうち2つの真空排気溝50,51によって囲まれた
部分3Bがシール部として機能し空気の吸い込みを阻止
するため、真空吸着部3の環状溝50より内側部分3A
が真空排気され、小さな試料を真空吸着する。一方、ラ
ンド部10と略同じ大きさの大きな試料を吸着する場合
は、シール部10と試料との間に形成される微小な隙間
が大きな抵抗となり空気の吸い込みを阻止するため、真
空吸着部3全体が真空排気され、大きな試料を真空吸着
する。なお、2つの真空排気孔5の中、外側の真空排気
溝51に接続されている真空排気孔5は、図5に示した
発明と同様に真空ポンプに対して弁を介して接続されて
おり、小さい試料を真空吸着する際に閉塞される。ここ
で、本実施例においては、真空吸着器1を円形に形成し
た例を示したが、図12に他の実施例として示すように
矩形に形成したものであってもよい。
【0036】なお、上記した実施例においてはいずれも
突子2,11,16をピン状に形成した例を示したが、
本発明はこれに限らず、環状や渦巻状の細長い突子とす
ることができる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る真空吸
着装置は、真空吸着部とシール部に設けた突子のみによ
って試料を支承するから、試料と真空吸着器の接触面積
を小さくすることができる。したがって、ダストによる
影響が少なく、試料の反りや曲がりを矯正して高い平面
を得ることができる。また、シール部と試料との間に形
成される微小隙間は大きな抵抗となるので、真空吸引時
や加工時に外部からダストや加工液が侵入することはな
い。したがって、試料を確実に真空吸着することがで
き、試料や真空吸着器の汚染を防止することができる。
【0038】また、シール部を環状突部によって形成し
た発明では、真空吸着部内の真空圧分布が均一となり、
試料を良好に吸着することができる。
【0039】また、真空吸着部とシール部の突子が設け
られる面を同一平面をなすように形成した発明では、真
空吸着器の加工形成が容易である。
【0040】また、環状溝内に配置したシール部材を真
空吸引時および陽圧空気の供給時に試料の裏面に密着さ
せるようにした発明では、真空吸着時および陽圧空気の
供給時にシール部材によって真空吸着部を確実に真空封
止することができる。また、環状溝が陽圧状態になるの
で、ダストや加工液が侵入することもない。さらに陽圧
空気は、シール部と試料との間に形成される微小隙間を
通って外部に排出されることで、試料の裏面に付着して
いるダスト等を除去する。
【0041】また、シール部を突子より加工し易い材料
で形成した発明では、突子を形成した後にシール部を形
成することができる。これにより吸着すべき試料の大き
さ等に応じてシール部を加工形成することができる。
【0042】また、シール部を複数個設けた発明では、
大きさの異なる試料に対して共通に使用することがで
き、真空吸着器の種類を削減することができる。
【0043】また、真空排気孔に連通する環状溝を複数
個設けた発明では、大きさの異なる試料に対して共通に
使用することができ、真空吸着器の種類を削減すること
ができる。
【0044】また、突子が設けられる面を真空吸着器の
周囲から中心に向かって低くなるように連続的に傾斜さ
せた発明では、外周縁部において試料との間に微小な隙
間が形成され、真空吸引時や加工時に外部からダストや
加工液が侵入するのを防止する。一方、中央部において
は、試料との間の隙間を大きくするので、真空吸着部の
真空排気を容易にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)、(b)は本発明に係る真空吸着装置
を構成する真空吸着器の一実施例を示す平面図および要
部の拡大断面図である。
【図2】 (a)、(b)は他の発明の実施例を示す真
空吸着器の平面図および要部の拡大断面図である。
【図3】 (a)、(b)は図1に示した発明の他の実
施例を示すもので、ウエハ搬送用ロードアームの先端部
に設けられるウエハ吸着部に適用した例を示す平面図お
よび断面図である。
【図4】 他の発明の実施例を示す真空吸着器の要部の
拡大断面図で、(a)は試料を真空吸着する前の状態、
(b)は試料を真空吸着した状態を示す図である。
【図5】 他の発明の実施例を示す真空吸着器の平面図
である。
【図6】 図5に示した発明の他の実施例を示す真空吸
着器の平面図である。
【図7】 (a)、(b)は他の発明の実施例を示す真
空吸着器の平面図および要部の拡大断面図である。
【図8】 他の発明の実施例を示す真空吸着器の要部の
拡大断面図である。
【図9】 (a)、(b)は他の発明の実施例を示す真
空吸着器の平面図および要部の拡大断面図である。
【図10】 (a)、(b)は図9に示した発明の実施
例を示すもので、ウエハ搬送用ロードアームの先端部に
設けられるウエハ吸着部に適用した例を示す平面図およ
び断面図である。
【図11】 他の発明の実施例を示す真空吸着器の平面
である。
【図12】 図11に示した発明の他の実施例を示す真
空吸着器の平面である。
【図13】 (a)、(b)は従来の真空吸着器の正面
図および要部の拡大断面図である。
【符号の説明】
1…真空吸着器、2…突子、3…真空吸着部、4…ラン
ド部、10…シール部、10−1 …第1シール部、10
−2 …第2シール部、5…真空排気孔、6…試料、11
…突子、12…微小隙間、16…突子、17…平坦面
部、30…環状溝、31…リング、32…シール部材、
33…陽圧供給孔、41…陽圧空気、45…微小隙間、
50,51…真空排気溝。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面が同一平面上にある多数の突子のみ
    によって試料を支承し、内部に真空ポンプに接続される
    真空排気孔を設けた真空吸着器を備えた真空吸着装置で
    あって、前記真空吸着器の上面に真空排気孔に連通する
    真空吸着部を形成するとともに、この真空吸着部を取り
    囲む環状のシール部を設け、このシール部の突子の高さ
    をきわめて低く設定することによりシール部と試料との
    間に微小隙間が形成されるようにしたことを特徴とする
    真空吸着装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の真空吸着装置におい
    て、シール部を環状突部によって形成したことを特徴と
    する真空吸着装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の真空吸着装置におい
    て、真空吸着部とシール部の突子が設けられる面を同一
    平面に形成したことを特徴とする真空吸着装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の真空吸着装置におい
    て、真空吸着器に陽圧供給孔を設け、真空吸着部とシー
    ル部との間に前記陽圧供給孔に連通する環状溝を形成
    し、この環状溝にリングを設け、かつこのリングの少な
    くとも上面に真空吸引時および陽圧空気の供給時に試料
    の裏面に密着する環状のシール部材を固着したことを特
    徴とする真空吸着装置。
  5. 【請求項5】 請求項2に記載の真空吸着装置におい
    て、シール部を突子より加工し易い材料で形成したこと
    を特徴とする真空吸着装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のうちのいずれか1つに記
    載の真空吸着装置において、突子をピン状に形成したこ
    とを特徴とする真空吸着装置。
  7. 【請求項7】 請求項2に記載の真空吸着装置におい
    て、シール部を複数個設けたことを特徴とする真空吸着
    装置。
  8. 【請求項8】 請求項3に記載の真空吸着装置におい
    て、真空吸着部に真空排気孔に連通する環状の真空排気
    溝を複数個形成したことを特徴とする真空吸着装置。
  9. 【請求項9】 上面が同一平面上にある多数の突子のみ
    によって試料を支承し、内部に真空ポンプに接続される
    真空排気孔を設けた真空吸着器を備えた真空吸着装置で
    あって、前記真空吸着器の上面に真空排気孔に連通する
    真空吸着部を形成するとともに、突子が設けられる面
    を、真空吸着器の周囲から中心に向かって低くなるよう
    に連続的に傾斜させたことを特徴とする真空吸着装置。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001056074A1 (en) * 2000-01-28 2001-08-02 Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device
JP2003142566A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 New Creation Co Ltd 真空吸着器及びその製造方法
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2006310588A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008042023A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2008177303A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US7425238B2 (en) 2002-10-16 2008-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding device
JP2009212345A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
JP2009212344A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
JP2010240806A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Ihi Corp ロボットハンド及び移送ロボット
JP2011114238A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Canon Inc 基板保持装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2012064872A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
EP2562104A1 (de) * 2011-08-20 2013-02-27 Festo AG & Co. KG Unterdruck-Haltevorrichtung
KR101324722B1 (ko) * 2013-03-15 2013-11-05 쿠어스텍아시아 유한회사 독립된 복수의 진공 영역이 구비되는 웨이퍼 척 장치
WO2014084060A1 (ja) 2012-11-28 2014-06-05 京セラ株式会社 載置用部材およびその製造方法
JP2014241357A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 レーザーテック株式会社 基板保持装置、及び光学装置、及び基板保持方法
JP2017174898A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 日本特殊陶業株式会社 基板支持部材
TWI636500B (zh) * 2016-03-09 2018-09-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. 真空吸附方法
JP2018160570A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 株式会社東京精密 プローバおよびウェーハチャック
JP2019109982A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 トヨタ自動車株式会社 燃料電池用膜電極接合体の吸着台
KR20230120986A (ko) 2022-02-10 2023-08-17 우시오덴키 가부시키가이샤 워크 스테이지 및 노광 장치
JP2024155656A (ja) * 2023-04-21 2024-10-31 梭特科技股▲分▼有限公司 正圧を利用してウェーハまたはダイの位置を保持する移動載置装置および方法
WO2025142585A1 (ja) * 2023-12-26 2025-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び静電チャック

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009018434B4 (de) 2009-04-22 2023-11-30 Ev Group Gmbh Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme von Halbleitersubstraten
KR102948229B1 (ko) 2020-01-30 2026-04-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 척

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664549B2 (en) 2000-01-28 2003-12-16 Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device
KR100804006B1 (ko) * 2000-01-28 2008-02-18 히다치 도쿄 에렉트로닉스 가부시키가이샤 웨이퍼 척
WO2001056074A1 (en) * 2000-01-28 2001-08-02 Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device
JP2010166085A (ja) * 2000-01-28 2010-07-29 Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc ウェハチャックおよびそれを用いた露光装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2003142566A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 New Creation Co Ltd 真空吸着器及びその製造方法
US7425238B2 (en) 2002-10-16 2008-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding device
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2006310588A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008042023A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2008177303A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2009212345A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
JP2009212344A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
JP2010240806A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Ihi Corp ロボットハンド及び移送ロボット
JP2011114238A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Canon Inc 基板保持装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2012064872A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
EP2562104A1 (de) * 2011-08-20 2013-02-27 Festo AG & Co. KG Unterdruck-Haltevorrichtung
US10937684B2 (en) 2012-11-28 2021-03-02 Kyocera Corporation Placement member and method of manufacturing the same
WO2014084060A1 (ja) 2012-11-28 2014-06-05 京セラ株式会社 載置用部材およびその製造方法
KR101324722B1 (ko) * 2013-03-15 2013-11-05 쿠어스텍아시아 유한회사 독립된 복수의 진공 영역이 구비되는 웨이퍼 척 장치
JP2014241357A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 レーザーテック株式会社 基板保持装置、及び光学装置、及び基板保持方法
TWI636500B (zh) * 2016-03-09 2018-09-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. 真空吸附方法
JP2017174898A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 日本特殊陶業株式会社 基板支持部材
JP2018160570A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 株式会社東京精密 プローバおよびウェーハチャック
JP2019109982A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 トヨタ自動車株式会社 燃料電池用膜電極接合体の吸着台
KR20230120986A (ko) 2022-02-10 2023-08-17 우시오덴키 가부시키가이샤 워크 스테이지 및 노광 장치
US12261077B2 (en) 2022-02-10 2025-03-25 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Work stage and exposure apparatus
JP2024155656A (ja) * 2023-04-21 2024-10-31 梭特科技股▲分▼有限公司 正圧を利用してウェーハまたはダイの位置を保持する移動載置装置および方法
WO2025142585A1 (ja) * 2023-12-26 2025-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び静電チャック

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