JPH08199368A

JPH08199368A - 無電解メッキ方法

Info

Publication number: JPH08199368A
Application number: JP3269995A
Authority: JP
Inventors: Satoru Ogawa; 悟小川; Takahiro Inoue; 孝啓井上; Koji Sawada; 康志澤田
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1994-11-21
Filing date: 1995-02-21
Publication date: 1996-08-06
Anticipated expiration: 2017-10-21
Also published as: JP3336796B2

Abstract

(57)【要約】【目的】処理工程が簡単で生産性が高く、しかも、無
電解メッキ膜の密着性が高い無電解メッキ方法を提供す
る。【構成】被メッキ物４の表面に無電解メッキ用の触媒
核を付着させ、活性化した後、無電解メッキを行う無電
解メッキ方法において、触媒核としてプラズマ分解する
貴金属化合物を被メッキ物４の表面に湿式法により塗布
した後、常圧下で励起されたガスプラズマを用いて活性
化処理を行う。前記貴金属化合物が、パラジウムの化合
物及び／又は銀の化合物である。前記ガスプラズマが、
周波数５０Hz〜１３．５６MHz の交流電力を印加するこ
とにより励起されたプラズマである。前記ガスプラズマ
が還元性ガスプラズマである。ガスプラズマを用いた活
性化処理が、酸化性反応ガスから得られた酸化性ガスプ
ラズマで被メッキ物４をプラズマ処理し、次いで還元性
反応ガスから得られた還元性ガスプラズマでプラズマ処
理する活性化処理である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、無電解メッキ方法に関
し、詳しくは、無電解メッキ工程に不可欠な無電解メッ
キ用の触媒核の表面をプラズマで活性化処理する無電解
メッキ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、無電解メッキは、プラスチック、
ガラス、セラミック等の絶縁物表面を金属化する方法と
して採用されてきた。一般に、無電解メッキは、各種の
エッチング方法により表面を粗面化され、かつ親水化さ
れた被メッキ物に無電解メッキの触媒核を付与する工程
（核付け処理）、さらに触媒核を活性化する工程（活性
化処理）を行った後、無電解メッキ液に浸漬することに
より行われてきた。

【０００３】無電解メッキにおいては、核付け処理、さ
らに活性化処理が重要な工程であり、これらの処理の良
し悪しが無電解メッキ膜の析出性、密着性に影響を及ぼ
す。この方法としては、例えば、センシ−アクチ法やコ
ロイド法等がある。センシ−アクチ法は、まず、ＳｎＣ
ｌ₂溶液に被メッキ物を浸漬し、表面にＳｎ²⁺イオンを
吸着させる。次に、ＰｄＣｌ₂溶液に浸漬することによ
り、以下の反応により、Ｐｄ²⁺イオンを還元し活性な触
媒核を表面に付着させるものである。

【０００４】Ｓｎ²⁺ ＋Ｐｄ²⁺ → Ｓｎ⁴⁺ ＋Ｐｄ一方、コロイド法では、被メッキ物は、コンディショナ
ー溶液に浸漬し、表面を触媒核が付着し易いように調整
した後、プリディップ溶液を経て、コロイド状態の触媒
核を含有するキャタリスト溶液に浸漬することにより、
被メッキ物の表面に触媒核を付着させる。次に、アクセ
レーターと呼ばれる活性化液に浸漬することにより、触
媒核が活性化される。しかし、これらの方法は、処理工
程が多く、湿式で行うため、各種処理液の浴管理、洗浄
水等の廃液処理等が必要であり、しかも、触媒核の活性
化時に、触媒核が脱落しやすく、メッキの密着力のばら
つきの一因となるというような問題があった。

【０００５】また、触媒核を被メッキ物に付与した後、
乾式法で活性化する方法が、特開昭６４−５５３８７号
公報に開示されている。すなわち、薄層の無電解メッキ
膜を形成するために、熱分解性の銀またはパラジウムを
被メッキ物上に積層した後、熱または、プラズマを用い
て活性化処理を行うものである。しかし、活性化処理を
熱処理で行う場合には、４００〜５００℃の熱処理が必
要なため、プラスチックには、適用できず、被メッキ物
が限定される。さらに、触媒核が酸化し、無電解メッキ
膜と被メッキ物との密着力の低下が懸念される。プラズ
マを用いる場合には、低温での処理が可能となるが、減
圧プラズマであるため、真空ポンプ等の減圧用の大がか
りな設備が必要であり、量産性が劣り、大型のメッキ物
の処理が困難であった。さらに、得られる無電解メッキ
膜は均一な薄層の皮膜とはなるものの、メッキの密着性
が低いという問題があった。この原因としては、減圧下
での処理であるため、銀、パラジウム化合物が揮発し、
残存する触媒核の密度が低下するためと推定される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事実に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、処理
工程が簡単で生産性が高く、しかも、無電解メッキ膜の
密着性が高い無電解メッキ方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
無電解メッキ方法は、被メッキ物４の表面に無電解メッ
キ用の触媒核を付着させ、活性化した後、無電解メッキ
を行う無電解メッキ方法において、触媒核としてプラズ
マ分解する貴金属化合物を被メッキ物４の表面に湿式法
により塗布した後、常圧下で励起されたガスプラズマを
用いて活性化処理を行うことを特徴とする。

【０００８】本発明の請求項２に係る無電解メッキ方法
は、前記貴金属化合物が、パラジウムの化合物及び／又
は銀の化合物であることを特徴とする。

【０００９】本発明の請求項３に係る無電解メッキ方法
は、前記パラジウムの化合物が、パラジウムのハロゲン
化物及び／又はパラジウムの有機化合物であり、前記銀
の化合物が、銀のハロゲン化物及び／又は銀の有機化合
物であることを特徴とする。

【００１０】本発明の請求項４に係る無電解メッキ方法
は、前記ガスプラズマが、周波数５０Hz〜１３．５６MH
z の交流電力を印加することにより励起されたプラズマ
であることを特徴とする。

【００１１】本発明の請求項５に係る無電解メッキ方法
は、前記ガスプラズマが還元性反応ガスから得られた還
元性ガスプラズマであることを特徴とする。

【００１２】本発明の請求項６に係る無電解メッキ方法
は、ガスプラズマを用いた活性化処理が、酸化性反応ガ
スから得られた酸化性ガスプラズマで被メッキ物４をプ
ラズマ処理し、次いで還元性反応ガスから得られた還元
性ガスプラズマでプラズマ処理する活性化処理であるこ
とを特徴とする。

【００１３】本発明の請求項７に係る無電解メッキ方法
は、前記還元性反応ガスが水素及び／又はアンモニアで
あることを特徴とする。

【００１４】本発明の請求項８に係る無電解メッキ方法
は、前記酸化性反応ガスが空気、酸素及び二酸化炭素か
らなる群から選択される少なくとも１種であることを特
徴とする。

【００１５】以下、本発明を詳述する。本発明に係る無
電解メッキ方法に用いる被メッキ物としては、プラスチ
ック、ガラス又はセラミック等の絶縁体があるが、特に
限定されない。被メッキ物の表面は、種々の方法によ
り、粗面化されていることが好ましい。この被メッキ物
の表面に、湿式法により、プラズマ分解する貴金属化合
物を塗布する。すなわち、プラズマ分解する貴金属化合
物を所定の濃度に溶解させた溶液中に被メッキ物を浸漬
したり、あるいは溶液を被メッキ物にスプレーする等の
方法により塗布する。被メッキ物を前記溶液に浸漬する
場合、１〜５分程度の浸漬時間が好ましい。また、乾燥
条件は、室温（１５〜２５℃程度）〜８０℃程度で行う
が、表面の溶媒が除去できる温度であればよい。もちろ
ん、浸漬、乾燥処理を複数回繰り返してもかまわない。

【００１６】プラズマ分解する貴金属化合物としては、
銀、パラジウム、白金、金等の貴金属の化合物、例え
ば、ハロゲン化物、炭酸塩、無機酸塩、有機酸塩、有機
錯体、無機錯体等の無機あるいは有機化合物が使用でき
るが、好ましくは、プラズマ処理する際に貴金属化合物
が、分解し金属微粒子を生成するものを使用する。貴金
属化合物として、銀、パラジウムのハロゲン化物や有機
酸塩、有機錯体等の有機化合物を使用することが、さら
に好ましい。これらの貴金属化合物のうち、少なくとも
一つを、水又はアルコール若しくはクロロホルム等の有
機溶媒やこれらの混合物に溶解させる。もちろん、貴金
属化合物が溶けにくい場合には、少量の酸やアルカリ等
を添加してもかまわない。貴金属化合物を溶解させる
際、この貴金属化合物溶液の濃度としては、特に制限は
ないが、貴金属化合物の含有量が、貴金属化合物溶液全
量に対して０．１〜１重量％にすることが好ましい。す
なわち、貴金属化合物の含有量が、貴金属化合物溶液全
量に対して０．１重量％未満の場合には、付着する貴金
属化合物の量が不十分のため、無電解メッキ膜が均一に
析出せず、１重量％を越える場合には、貴金属化合物が
厚く付着し破断が触媒核層で起こるため、高いメッキの
密着性を確保することが困難である。また、従来のコロ
イド核付け法で使用されるパラジウム−スズのコロイド
を含有するキャタリスト溶液も使用できる。この場合
は、従来のアクセレーターによる活性化の代わりに、ガ
スプラズマで活性化を行うことになる。

【００１７】次に、被メッキ物の表面に塗布された貴金
属化合物溶液から溶媒を除去する。この処理により、貴
金属化合物は被メッキ処理物の表面の微少な凹部の奥ま
で付着する。そのため、これらが活性化されると、無電
解メッキ膜が微細な表面形状に沿って析出することにな
り、高度なアンカー効果が達成され、高いメッキの密着
性が得られる。乾燥条件としては、室温〜８０℃程度で
行うが、表面の溶媒が除去できる温度であればよい。も
ちろん、浸漬、乾燥処理を複数回繰り返してもかまわな
い。

【００１８】次いで、被メッキ物の表面に付与された貴
金属化合物を常圧下で励起されたガスプラズマで活性化
する。この処理により、貴金属化合物は、分解され、被
メッキ物の表面に触媒となる金属微粒子が残存すること
になる。常圧下で励起されたガスプラズマを用いてプラ
ズマ処理する方法を図面を参照して説明する。図１は本
発明に係る無電解メッキ方法に使用されるプラズマ処理
装置の概略図である。図１に示すようにこのプラズマ装
置は解放系となっている反応槽１を備え、この反応槽１
にはガス導入口７が設けられており、反応槽１内には上
部電極２と下部電極３との２つの平板状電極が所定距離
を隔てて対面するようにして平行に設置され、上部電極
２及び下部電極３と反応槽１とは絶縁されている。下部
電極３の表面には、固体誘電体６が載置されており、上
部電極２は交流電源５に接続され、下部電極３は接地さ
れている。また、反応槽１内には熱電対（図示せず）が
差し込まれており、反応槽１内の雰囲気温度がモニター
できるようになっている。固体誘電体６は上部電極２の
表面に設けられても良いし、上部電極２と下部電極３と
の両電極の表面に設けられても良い。この固体誘電体６
はアーク放電の発生を防止しグロー放電を継続して発生
させる働きをする。

【００１９】貴金属化合物が塗布された被メッキ物４
を、上部電極２と下部電極３の間に配置する。この被メ
ッキ物４を、図１に示すように、上部電極２と下部電極
３との間に浮かした状態に保つことが好ましい。

【００２０】プラズマ処理を行う際には、キャリアガス
ボンベ９内にあるキャリアガスをガス混合器８を介して
ガス導入口７から反応槽１内に導入するとともに、交流
電源５を稼働し交流電力を供給する。この交流電力の供
給により、上部電極２と下部電極３との間にグロー放電
が生じ、プラズマが励起される。次いで、反応ガスボン
ベ１０内の反応ガスをガス混合器８を介してガス導入口
７から、キャリアガスとともに反応槽１内に導入し被メ
ッキ物４をプラズマ処理することにより、貴金属化合物
を活性化する。この際、流量調整により反応ガス及びキ
ャリアガスはそれぞれ所定流量が反応槽１内に導入され
る。また、被メッキ物４を連続的に処理する場合には、
ベルトあるいはチェーン等の搬送装置を備えることによ
り、容易に連続処理を行うことが可能となる。

【００２１】貴金属化合物を、常圧下で励起されたプラ
ズマで活性化する場合のキャリアガスとしては、ヘリウ
ム、アルゴン等の希ガスのうち少なくとも一つが使用さ
れ、反応ガスとしては、水素、アンモニア等の還元性反
応ガスや酸素、ＣＯ₂ 等の酸化性反応ガスが使用され
る。交流電力としては、周波数５０Hz〜１３．５６MHz
の電力を印加する。処理時間としては、処理条件にもよ
るが、０．５分〜５分程度である。

【００２２】特に、反応ガスとしては、水素、アンモニ
ア等の還元性ガスの使用が好ましい。さらに好ましく
は、酸化性反応ガスから得られた酸化性ガスプラズマで
被メッキ物４をプラズマ処理し、次いで還元性反応ガス
から得られた還元性ガスプラズマでプラズマ処理するこ
とである。すなわち、最初に、酸化性反応ガスボンベ１
０ａ内の酸化性反応ガスをガス混合器８を介してガス導
入口７から、キャリアガスとともに反応槽１内に導入し
被メッキ物４を酸化性ガスプラズマ処理することによ
り、貴金属化合物を分解する。この際、流量調整により
酸化性反応ガス及びキャリアガスはそれぞれ所定流量が
反応槽１内に導入される。次に、還元性反応ガスボンベ
１０ｂ内の還元性反応ガスをガス混合器８を介してガス
導入口７から、キャリアガスとともに反応槽１内に導入
し被メッキ物４を還元性ガスプラズマ処理することによ
り、貴金属化合物を活性化する。これまで、一台の設備
を使ってプラズマ処理を行う方法に基づいて説明した
が、もちろん、酸化性ガスプラズマ用、還元性ガスプラ
ズマ用の２台の設備を使用してもかまわない。

【００２３】酸化性ガスプラズマで処理する際にプラズ
マゾーン１２内に導入される酸化性反応ガスとしては、
空気、酸素、二酸化炭素等が使用される。また、反応槽
１内に導入するガスとして、空気を単独で使用すること
も可能である。この場合は、空気中に含まれる酸素ガス
が酸化性反応ガスの役割を果たす。次に、還元性ガスプ
ラズマで処理する際にプラズマゾーン１２に導入される
還元性反応ガスとしては、水素、アンモニア等が好まし
い。

【００２４】反応ガスとキャリアガスとの混合割合とし
ては、キャリアガスの含有量をガス全量に対して１５容
積％以下にするのが好ましい。また、本発明の目的を損
なわない程度であれば、多少の減圧状態、あるいは、加
圧状態で処理を行ってもかまわない。この処理により、
貴金属化合物は分解され、金属微粒子が被メッキ物４の
表面に残存し、無電解メッキの触媒核となる。

【００２５】貴金属化合物が活性化された被メッキ物
は、そのまま、無電解メッキ液中に浸漬し、メッキ処理
を行う。無電解メッキ液としては、銅、ニッケル、銀等
の公知のメッキ液が使用でき、限定されない。また、無
電解メッキ後、必要であれば、電気メッキにより、所定
の厚みに厚付けしてもよい。

【００２６】

【作用】本発明の請求項１乃至請求項４に係る無電解メ
ッキ方法では、プラズマ分解する貴金属化合物の溶液を
被メッキ物４の表面に塗布、乾燥することによりプラズ
マ分解する貴金属化合物の塗布を行った後、乾式法であ
るプラズマ処理で貴金属化合物を活性化しているため、
従来の湿式による方法よりも工程を大幅に簡略化でき
る。また、常圧下で励起されたガスプラズマを利用して
いるため、減圧プラズマ処理に比べ、大がかりな排気設
備を必要とせず、生産性が高い。その上、常圧下で処理
を行うので、減圧法のように貴金属化合物の揮発がない
ため、減圧法より高いメッキの密着性が得られるものと
考えられる。さらに、ガスプラズマで貴金属化合物を活
性化処理する際に、貴金属化合物が分解され、微粒子の
触媒核となるため、無電解メッキ膜の強固な密着性が達
成される。さらに、乾式法であるため、湿式法のような
触媒核の脱落がなく、無電解メッキ膜の密着性に優れ
る。

【００２７】本発明の請求項５に係る無電解メッキ方法
では、前記ガスプラズマが還元性ガスプラズマであるた
め、分解された貴金属微粒子の表面が酸化されることが
なく、触媒核が活性度の高い状態を維持するものと推察
される。

【００２８】本発明の請求項６乃至請求項８に係る無電
解メッキ方法では、まず、酸化性ガスプラズマで処理す
ることにより、貴金属化合物がほとんど分解され、貴金
属の微粒子となる。次いで、還元性ガスプラズマ処理に
より、貴金属粒子表面は、還元されるため、分解された
貴金属微粒子の表面が酸化されることがなく、触媒核が
活性度の高い状態を維持するものと推察される。したが
って、微細な凹凸の奥深くに付着した貴金属微粒子が活
性化されるため、無電解メッキ膜も、被メッキ物４の表
面の微細な凹凸の奥深くまで析出することになり、高い
メッキの密着性が達成されると考えられる。

【００２９】

【実施例】以下、本発明に係る無電解メッキ方法の一実
施例を具体的に説明する。

【００３０】（実施例１〜実施例４）市販のＦＲ−４両
面銅張り積層板の銅箔をエッチングし表面の銅を除去し
たもの（エッチアウト基板）を用意し、実験に供した。
まず、エッチアウト基板をＫＯＨ溶液で脱脂処理して被
メッキ物とし、表１に示した条件でプラズマ分解する貴
金属化合物の塗布及びプラズマ処理等を行った。前記被
メッキ物である脱脂処理したエッチアウト基板を、表１
に示したそれぞれの貴金属化合物の溶液中に、約２〜５
分間浸漬した後、８０℃で乾燥し、貴金属化合物を被メ
ッキ物の表面に塗布した。次に、図１に示すようなプラ
ズマ装置を用いて常圧下でプラズマ処理することによ
り、被メッキ物４の表面に塗布された貴金属化合物を活
性化させた後、市販の無電解銅メッキ液（シプレ社製：
ＣＭ３８５−２）に基板を浸漬し、無電解銅メッキ膜を
約０．３μｍ程度析出させた。その後、メッキ膜の密着
性を評価するため、電気銅メッキにより、膜厚合計が約
３５μｍとなるように厚付けした。厚付け後、水洗乾燥
し、メッキ膜が形成された基板を約１０mm幅に切断して
ピール強度を測定し、メッキの密着性を評価した。これ
らの測定結果を表１に示した。

【００３１】（実施例５）実施例１と同様にして得られ
た被メッキ物である脱脂処理したエッチアウト基板をコ
ンディショナー溶液（シプレ社製：商品名クリーナコン
ディショナー２３１）に所定時間浸漬後、水洗した。次
に、プレディップ溶液（シプレ社製：商品名キャタプリ
ップ４０４）に浸漬後、キャタリスト溶液（シプレ社
製：商品名キャタプリップ４０４、キャタポジット４
４）に浸漬し、さらに、水洗し、コロイド状態の触媒核
を被メッキ物の表面に付着させた以外は、実施例１と同
様にして表１に示した条件でメッキ膜が形成された基板
を得、ピール強度を測定し、この結果を表１に示した。

【００３２】（実施例６〜実施例９）ＦＲ−４用プリプ
レグを複数枚加熱しながらプレス成形し、板厚約０．８
ｍｍの表面が平滑な樹脂積層板を作製した。次に、コン
ディショナー溶液（シプレ社製：商品名サーキュポジッ
トＭＬＢコンディショナー２１１）を用いて膨潤処理し
た後、過マンガン酸塩系のデスミア処理液（シプレ社
製：商品名サーキュポジットＭＬＢプロモーター２１
３）を用いてエッチングし、エポキシ樹脂層が粗面化さ
れたデスミア処理基板を得た。以下、実施例１と同様の
処理を行い、メッキの密着性を評価した。その処理条件
及び結果を表１に示した。

【００３３】

【表１】

【００３４】（実施例１０〜実施例１３）市販のＦＲ−
４両面銅張り積層板の銅箔をエッチングし表面の銅を除
去したもの（エッチアウト基板）を用意し、実験に供し
た。まず、エッチアウト基板をＫＯＨ溶液で脱脂処理し
て被メッキ物とし、表２に示した条件でプラズマ分解す
る貴金属化合物の塗布及びプラズマ処理等を行った。前
記被メッキ物である脱脂処理したエッチアウト基板を、
表２に示したそれぞれの貴金属化合物の溶液中に、約２
〜５分間浸漬した後、８０℃で乾燥し、貴金属化合物を
被メッキ物の表面に塗布した。次に、図１に示すような
プラズマ装置を用いて常圧下でプラズマゾーン１２に導
入される反応ガスとして、表２に示した酸化性反応ガス
を用いてプラズマ処理を行った。その後、反応ガスを表
２に示した還元性反応ガスに変更してプラズマ処理を行
った。この処理により貴金属化合物を分解、活性化させ
た後、市販の無電解銅メッキ液（シプレ社製：ＣＭ３８
５−２）に基板を浸漬し、無電解銅メッキ膜を約０．３
μｍ程度析出させた。その後、メッキ膜の密着性を評価
するため、電気銅メッキにより、膜厚合計が約３５μｍ
となるように厚付けした。厚付け後、水洗乾燥し、メッ
キ膜が形成された基板を約１０mm幅に切断してピール強
度を測定し、メッキの密着性を評価した。これらの測定
結果を表２に示した。

【００３５】（実施例１４）実施例１０と同様にして得
られた被メッキ物である脱脂処理したエッチアウト基板
をコンディショナー溶液（シプレ社製：商品名クリーナ
コンディショナー２３１）に所定時間浸漬後、水洗し
た。次に、プレディップ溶液（シプレ社製：商品名キャ
タプリップ４０４）に浸漬後、キャタリスト溶液（シプ
レ社製：商品名キャタプリップ４０４、キャタポジット
４４）に浸漬し、さらに、水洗し、コロイド状態の触媒
核を被メッキ物の表面に付着させた以外は、実施例１０
と同様にして表２に示した条件でメッキ膜が形成された
基板を得、ピール強度を測定し、この結果を表２に示し
た。

【００３６】（実施例１５〜実施例１８）ＦＲ−４用プ
リプレグを複数枚加熱しながらプレス成形し、板厚約
０．８ｍｍの表面が平滑な樹脂積層板を作製した。次
に、コンディショナー溶液（シプレ社製：商品名サーキ
ュポジットＭＬＢコンディショナー２１１）を用いて膨
潤処理した後、過マンガン酸塩系のデスミア処理液（シ
プレ社製：商品名サーキュポジットＭＬＢプロモーター
２１３）を用いてエッチングし、エポキシ樹脂層が粗面
化されたデスミア処理基板を得た。以下、実施例１０と
同様の処理を行い、メッキの密着性を評価した。その処
理条件及び結果を表２に示した。

【００３７】

【表２】

【００３８】（比較例１及び比較例２）市販のコロイド
核付け処理液を用い、実施例と同じ基板（エッチアウト
基板、デスミア処理基板）に触媒核の付与及び活性化を
行った後、実施例と同じメッキ処理を行った。すなわ
ち、具体的には、実施例と同様に脱脂処理を行った後、
コンディショナー溶液（シプレ社製：商品名クリーナコ
ンディショナー２３１）に基板を所定時間浸漬後、水洗
した。次に、プレディップ溶液（シプレ社製：商品名キ
ャタプリップ４０４）に浸漬後、キャタリスト溶液（シ
プレ社製：商品名キャタプリップ４０４、キャタポジッ
ト４４）に浸漬し、さらに、水洗し、コロイド状態の触
媒核を基板表面に付着させた。最後に、アクセレーター
溶液（シプレ社製：商品名アクセレーター１９）に基板
を浸漬した後、水洗し、実施例と同じ無電解銅メッキ液
に浸漬し、基板表面に０．３μｍの銅層を析出させた。
以下、実施例と同様に電気銅メッキで厚付けした後、ピ
ール強度を測定した。その結果を、表３に示した。

【００３９】（比較例３及び比較例４）プラズマによる
活性化処理を減圧プラズマを用いて行った以外は、実施
例２及び実施例６と同様にして、メッキ膜が形成された
基板を得た。具体的には、真空槽内に設けられた電極間
に浮かすように基板を設置した後、真空槽内の真空度が
約１０torrになるように排気しながらガスを流し、電極
間に交流電力を印加し活性化処理を行った。このときの
処理条件をメッキの密着力の測定結果とともに表３に示
した。

【００４０】

【表３】

【００４１】以上の結果から、本発明では、まずメッキ
の密着性に関しては、従来の湿式法による触媒核の活性
化よりも高いメッキの密着性が得られた。この理由は、
従来の湿式法では、湿式であるので、水洗等の処理時に
触媒核の脱落が起こり易いのに対して、本発明では、活
性化処理を乾式で行うため、触媒核の脱落が発生し難い
ので、高いメッキの密着性が得られるものと考えられ
る。また、減圧法に比べても、かなり高いメッキの密着
性が得られた。この理由は、減圧法では、減圧中に貴金
属化合物が揮発し、基板表面の触媒密度が低くなるため
ではないかと推察される。さらに、従来の湿式法に比
べ、工程数を大幅に簡略化でき、煩雑な浴管理や廃液処
理の工数も大幅に削減できることが確認できた。

【００４２】特に、酸化性反応ガスから得られた酸化性
ガスプラズマで被メッキ物４をプラズマ処理し、次いで
還元性反応ガスから得られた還元性ガスプラズマでプラ
ズマ処理する場合については、酸化性反応ガス単独処理
又は還元性ガスプラズマ単独処理よりも高いメッキの密
着性が得られた。

【００４３】

【発明の効果】本発明の請求項１乃至請求項４に係る無
電解メッキ方法によると、従来の湿式の活性化方法に比
べ、処理工程を大幅に簡略化でき、煩雑な浴管理や廃液
処理の工数も大幅に削減できる。また、従来の乾式法で
ある減圧プラズマによる活性化方法に比べ、簡単な設備
で非常に高い生産性が得られるだけでなく高いメッキの
密着性が達成される。さらに、メッキの密着力に関して
は、触媒核の脱落等が少ないため、従来の湿式法や減圧
プラズマ処理法より高いメッキの密着力が得られる。

【００４４】本発明の請求項５に係る無電解メッキ方法
によると、前記ガスプラズマが還元性ガスプラズマであ
るため、分解された貴金属微粒子の表面が酸化されるこ
とがなく、触媒核が活性度の高い状態を維持するので、
さらに高いメッキの密着力が得られる。

【００４５】本発明の請求項６乃至請求項８に係る無電
解メッキ方法によると、まず、酸化性ガスプラズマで処
理することにより、貴金属化合物がほとんど分解され、
貴金属の微粒子となり、次いで、還元性ガスプラズマ処
理により、貴金属粒子表面が還元されるので、分解され
た貴金属微粒子の表面が酸化されることがなく、触媒核
が活性度の高い状態を維持し、微細な凹凸の奥深くに付
着した貴金属微粒子が活性化されるため、無電解メッキ
膜も、被メッキ物４の表面の微細な凹凸の奥深くまで析
出することになり、酸化性ガスプラズマあるいは還元性
ガスプラズマ単独で処理した場合に比べて、さらに高い
メッキの密着力が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る無電解メッキ方法の概略
図である。

【符号の説明】

４被メッキ物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被メッキ物（４）の表面に無電解メッキ
用の触媒核を付着させ、活性化した後、無電解メッキを
行う無電解メッキ方法において、触媒核としてプラズマ
分解する貴金属化合物を被メッキ物（４）の表面に湿式
法により塗布した後、常圧下で励起されたガスプラズマ
を用いて活性化処理を行うことを特徴とする無電解メッ
キ方法。
【請求項２】前記貴金属化合物が、パラジウムの化合
物及び／又は銀の化合物であることを特徴とする請求項
１記載の無電解メッキ方法。
【請求項３】前記パラジウムの化合物が、パラジウム
のハロゲン化物及び／又はパラジウムの有機化合物であ
り、前記銀の化合物が、銀のハロゲン化物及び／又は銀
の有機化合物であることを特徴とする請求項２記載の無
電解メッキ方法。
【請求項４】前記ガスプラズマが、周波数５０Hz〜１
３．５６MHz の交流電力を印加することにより励起され
たプラズマであることを特徴とする請求項１乃至請求項
３いずれかに記載の無電解メッキ方法。
【請求項５】前記ガスプラズマが還元性反応ガスから
得られた還元性ガスプラズマであることを特徴とする請
求項１乃至請求項４いずれかに記載の無電解メッキ方
法。
【請求項６】ガスプラズマを用いた活性化処理が、酸
化性反応ガスから得られた酸化性ガスプラズマで被メッ
キ物（４）をプラズマ処理し、次いで還元性反応ガスか
ら得られた還元性ガスプラズマでプラズマ処理する活性
化処理であることを特徴とする請求項１乃至請求項４い
ずれかに記載の無電解メッキ方法。
【請求項７】前記還元性反応ガスが水素及び／又はア
ンモニアであることを特徴とする請求項５又は請求項６
記載の無電解メッキ方法。
【請求項８】前記酸化性反応ガスが空気、酸素及び二
酸化炭素からなる群から選択される少なくとも１種であ
ることを特徴とする請求項６記載の無電解メッキ方法。