JPH08201525A - 半導体式放射線検出器並びにその測定装置 - Google Patents
半導体式放射線検出器並びにその測定装置Info
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- JPH08201525A JPH08201525A JP7008696A JP869695A JPH08201525A JP H08201525 A JPH08201525 A JP H08201525A JP 7008696 A JP7008696 A JP 7008696A JP 869695 A JP869695 A JP 869695A JP H08201525 A JPH08201525 A JP H08201525A
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- Japan
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- radiation
- detection element
- detector
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Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体放射線検出素子１を実装する基板の余分
な表面あるいは裏面に銅板等の接地した導電性金属板８
を設け、検出素子１の周りの外来電波の侵入を遮断する
検出器と、それを用いた測定装置。 【効果】外来電波を遮断するシールドルーム設備を用い
ず低透過力の放射線を高感度で測定可能にする。
な表面あるいは裏面に銅板等の接地した導電性金属板８
を設け、検出素子１の周りの外来電波の侵入を遮断する
検出器と、それを用いた測定装置。 【効果】外来電波を遮断するシールドルーム設備を用い
ず低透過力の放射線を高感度で測定可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低エネルギＸ線やα，β
線等の透過力が小さい放射線の測定を対象にした放射線
検出器とその測定装置に関する。
線等の透過力が小さい放射線の測定を対象にした放射線
検出器とその測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】透過力の小さい放射線を高感度で測定す
るには、検出器と線源間の放射線吸収層をできるだけ少
なくすることが望まれる。このため、従来の検出器では
放射線入射窓を取り除くか、できるだけ薄膜にする構造
を取るのが一般的であった。
るには、検出器と線源間の放射線吸収層をできるだけ少
なくすることが望まれる。このため、従来の検出器では
放射線入射窓を取り除くか、できるだけ薄膜にする構造
を取るのが一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の検出器構造では
外来電波に対するシールド効果が小さく、ノイズを完全
に遮断することができない。これは放射線測定のＳ／Ｎ
を大きく低下させ、高感度測定を望めない欠点があっ
た。また、外来ノイズを完全に遮断する場合にはシール
ドルーム内で測定を行うなど多大な設備が必要となる。
外来電波に対するシールド効果が小さく、ノイズを完全
に遮断することができない。これは放射線測定のＳ／Ｎ
を大きく低下させ、高感度測定を望めない欠点があっ
た。また、外来ノイズを完全に遮断する場合にはシール
ドルーム内で測定を行うなど多大な設備が必要となる。
【０００４】本発明の目的は検出器と線源間の放射線吸
収層をできるだけ少なくする従来の検出器構造を維持し
つつ、シールドルーム外の測定でも外来ノイズを効率よ
く遮断できる半導体放射線検出器及びその測定装置を提
供することにある。
収層をできるだけ少なくする従来の検出器構造を維持し
つつ、シールドルーム外の測定でも外来ノイズを効率よ
く遮断できる半導体放射線検出器及びその測定装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、半導体
式放射線検出素子を実装する基板の余分な表面（検出素
子を実装しない部分）あるいは裏面に銅板等の接地した
導電性金属板(蒸着膜)を設け、検出素子周りの電界分布
を変えることによって達成できる。
式放射線検出素子を実装する基板の余分な表面（検出素
子を実装しない部分）あるいは裏面に銅板等の接地した
導電性金属板(蒸着膜)を設け、検出素子周りの電界分布
を変えることによって達成できる。
【０００６】
【作用】外来ノイズを遮断するには半導体検出素子全体
をシールド材で囲む構造が最もよい。しかし、本検出器
のように低透過力の放射線を検出するには放射線入射窓
を取り除くか、できるだけ薄膜にする構造が不可欠とな
る。検出素子の側面と裏面は検出器ケースで囲むことが
可能であるが、放射線の入射面は開放に近い状態とな
る。検出素子と同一平面上に接地した導電性の金属板を
設けると、検出素子に入射する外来電波は接地した金属
板に引き寄せられ、電界分布が変化する。これにより、
効果的なノイズ遮断が可能になる。
をシールド材で囲む構造が最もよい。しかし、本検出器
のように低透過力の放射線を検出するには放射線入射窓
を取り除くか、できるだけ薄膜にする構造が不可欠とな
る。検出素子の側面と裏面は検出器ケースで囲むことが
可能であるが、放射線の入射面は開放に近い状態とな
る。検出素子と同一平面上に接地した導電性の金属板を
設けると、検出素子に入射する外来電波は接地した金属
板に引き寄せられ、電界分布が変化する。これにより、
効果的なノイズ遮断が可能になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の詳細な説明を実施例を用いて
説明する。図１は、本発明の放射線検出器の一実施例を
示す。半導体式放射線検出素子１を実装基板２に設け、
基板２を検出器ケース３に治具４で固定する。検出素子
１からの放射線検出信号は検出素子の電極５を介して、
検出器ケース３と絶縁状態で外部の検出信号６として取
り出す。低透過力の放射線を検出するには入射窓７を１
μｍ程度の薄膜にするか削除しなければならない。放射
線検出素子１を実装する基板２の余分な表面（検出素子
を実装しない部分）あるいは裏面に接地した導電性の金
属板(蒸着膜)８を設け、治具４を介して検出器ケース３
へと接地する。入射窓７以外は検出器ケース３で囲まれ
ているため外来電波は完全に遮断できる。放射線の入射
窓７は１μｍ程度の薄膜であり、外来電波の遮断効果は
期待できない。即ち、入射窓が開放状態と同等となる。
従来の検出器構造では外来電波が直接半導体検出素子に
入射し、大きなノイズ源となる。本発明では検出素子と
同一平面上に接地した金属板を設けるため、外来電波が
検出素子外周の金属板に引き寄せられ、検出素子への外
来電波の入射を緩和する効果が生じる。
説明する。図１は、本発明の放射線検出器の一実施例を
示す。半導体式放射線検出素子１を実装基板２に設け、
基板２を検出器ケース３に治具４で固定する。検出素子
１からの放射線検出信号は検出素子の電極５を介して、
検出器ケース３と絶縁状態で外部の検出信号６として取
り出す。低透過力の放射線を検出するには入射窓７を１
μｍ程度の薄膜にするか削除しなければならない。放射
線検出素子１を実装する基板２の余分な表面（検出素子
を実装しない部分）あるいは裏面に接地した導電性の金
属板(蒸着膜)８を設け、治具４を介して検出器ケース３
へと接地する。入射窓７以外は検出器ケース３で囲まれ
ているため外来電波は完全に遮断できる。放射線の入射
窓７は１μｍ程度の薄膜であり、外来電波の遮断効果は
期待できない。即ち、入射窓が開放状態と同等となる。
従来の検出器構造では外来電波が直接半導体検出素子に
入射し、大きなノイズ源となる。本発明では検出素子と
同一平面上に接地した金属板を設けるため、外来電波が
検出素子外周の金属板に引き寄せられ、検出素子への外
来電波の入射を緩和する効果が生じる。
【０００８】図２には本検出器を用いた放射線測定装置
の構成を示す。半導体検出素子１の放射線検出信号はカ
ップリングコンデンサ１０を介して前置増幅器１１，線
形増幅器１２，放射能濃度の演算表示を行う表示器１３
に送られ測定結果を表示する。
の構成を示す。半導体検出素子１の放射線検出信号はカ
ップリングコンデンサ１０を介して前置増幅器１１，線
形増幅器１２，放射能濃度の演算表示を行う表示器１３
に送られ測定結果を表示する。
【０００９】図３には本発明の導電性の金属板（蒸着
膜）８を用いた検出器と従来検出器の出力信号の比較を
示す。（ａ）が従来検出器のノイズレベルであり、
（ｂ）が本発明の検出器のノイズレベルである。（ａ）
は十数ｍＶ、（ｂ）は数ｍＶであり、ノイズ低減効果が
１／４以下になっているのが顕著に分かる。
膜）８を用いた検出器と従来検出器の出力信号の比較を
示す。（ａ）が従来検出器のノイズレベルであり、
（ｂ）が本発明の検出器のノイズレベルである。（ａ）
は十数ｍＶ、（ｂ）は数ｍＶであり、ノイズ低減効果が
１／４以下になっているのが顕著に分かる。
【００１０】図４には微小な放射線検出信号を比較した
結果を示す。同様に（ａ）が従来検出器の出力信号、
（ｂ）が本発明の検出器の出力信号である。従来の検出
器では微小な検出信号の検出が難しく、本発明の検出器
によって低透過力放射線の高感度測定が可能になる。
結果を示す。同様に（ａ）が従来検出器の出力信号、
（ｂ）が本発明の検出器の出力信号である。従来の検出
器では微小な検出信号の検出が難しく、本発明の検出器
によって低透過力放射線の高感度測定が可能になる。
【００１１】この実施例は検出素子を実装する基板の表
裏に導電性の金属板を設ける例であるが、表裏の一方に
設ける構造でもノイズ低減は図れる。また、導電性の金
属板を設けるだけで接地しない場合にも、そのノイズ低
減は図れる。
裏に導電性の金属板を設ける例であるが、表裏の一方に
設ける構造でもノイズ低減は図れる。また、導電性の金
属板を設けるだけで接地しない場合にも、そのノイズ低
減は図れる。
【００１２】図５に本発明の変形例を示す。この変形例
は円形の検出素子を用いた例であり、検出器ケース３や
電極５の図示は省略。検出素子１の周りに接地した銅板
（蒸着膜）８を設け、外来電波の検出素子への入射を緩
和する。検出素子１の周辺に均等な面積を持つ導電性の
金属板（蒸着膜）８を設けるため、検出素子全面にわた
って均一なノイズ低減効果をもたらす。
は円形の検出素子を用いた例であり、検出器ケース３や
電極５の図示は省略。検出素子１の周りに接地した銅板
（蒸着膜）８を設け、外来電波の検出素子への入射を緩
和する。検出素子１の周辺に均等な面積を持つ導電性の
金属板（蒸着膜）８を設けるため、検出素子全面にわた
って均一なノイズ低減効果をもたらす。
【００１３】本実施例によれば低透過力の放射線を検出
するための放射線入射窓を取り除いた構造あるいは薄膜
の入射窓を設置する構造の検出器において外来ノイズを
効果的に遮断し、低透過力放射線の高感度測定を可能に
する測定装置を提供することができる。
するための放射線入射窓を取り除いた構造あるいは薄膜
の入射窓を設置する構造の検出器において外来ノイズを
効果的に遮断し、低透過力放射線の高感度測定を可能に
する測定装置を提供することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、多大の設備費が必要と
なるシールドルームを用いず低透過力放射線の高感度測
定を可能にする放射線測定装置を提供することができ
る。
なるシールドルームを用いず低透過力放射線の高感度測
定を可能にする放射線測定装置を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図。
【図２】本発明の放射線測定装置の構成を示すブロック
図。
図。
【図３】本発明の放射線検出器出力と従来検出器出力の
比較を示す波形図。
比較を示す波形図。
【図４】本発明の放射線検出器出力と従来検出器出力の
微小な放射線検出信号を比較した結果を示す波形図。
微小な放射線検出信号を比較した結果を示す波形図。
【図５】本発明の変形例を示す断面図。
１…半導体式放射線検出素子、２…実装基板、３…検出
器ケース、４…治具、５…電極、６…検出信号、７…入
射窓、８…導電性の金属板。
器ケース、４…治具、５…電極、６…検出信号、７…入
射窓、８…導電性の金属板。
フロントページの続き (72)発明者 海原 明久 茨城県日立市大みか町五丁目２番１号 株 式会社日立製作所大みか工場内
Claims (3)
- 【請求項１】放射線検出の入射窓を開放あるいは薄膜を
設ける半導体式放射線検出器において、検出素子の実装
基板に、前記検出素子と電気的に絶縁した状態で導電性
の金属板あるいは蒸着板を設けることを特徴とする半導
体式放射線検出器。 - 【請求項２】請求項１において、前記導電性の金属板あ
るいは蒸着板を接地する半導体式放射線検出器。 - 【請求項３】請求項１または２の半導体式放射線検出器
に、増幅器，放射能演算表示器を設けて成る放射能測定
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008696A JPH08201525A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 半導体式放射線検出器並びにその測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008696A JPH08201525A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 半導体式放射線検出器並びにその測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201525A true JPH08201525A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11700093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008696A Pending JPH08201525A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 半導体式放射線検出器並びにその測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002034968A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-05 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置 |
| US7164112B2 (en) | 1997-04-10 | 2007-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP7008696A patent/JPH08201525A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164112B2 (en) | 1997-04-10 | 2007-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
| US7663082B2 (en) | 1997-04-10 | 2010-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
| JP2002034968A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-05 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置 |
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