JPH08202246A - ホログラム記録装置 - Google Patents
ホログラム記録装置Info
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- JPH08202246A JPH08202246A JP828795A JP828795A JPH08202246A JP H08202246 A JPH08202246 A JP H08202246A JP 828795 A JP828795 A JP 828795A JP 828795 A JP828795 A JP 828795A JP H08202246 A JPH08202246 A JP H08202246A
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/0486—Improving or monitoring the quality of the record, e.g. by compensating distortions, aberrations
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
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- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/0486—Improving or monitoring the quality of the record, e.g. by compensating distortions, aberrations
- G03H2001/0489—Improving or monitoring the quality of the record, e.g. by compensating distortions, aberrations by using phase stabilized beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの温度と注入電流を安定化し、
ホログラム記録時に波長を安定させ、良好な干渉縞を得
ることのできるホログラム記録装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子２に密着した第１の温度測
定素子３と、第１の温度測定素子３の出力信号に基いて
半導体レーザ素子に熱的に接触せしめられた第１のペル
チエ素子４を介して半導体レーザ素子の温度を設定値に
保持させる第１の温度制御手段１７と、ファブリーペロ
ーエタロン１１に密着した第２の温度測定素子１２と、
第２の温度測定素子１８の出力信号に基いてファブリー
ペローエタロン１１の温度を設定値に保持させる第２の
温度制御手段１８と、ファブリーペローエタロンの透過
光量が常に最大になるように半導体レーザ素子への注入
電流を制御する電流制御手段１９とを備えている。
ホログラム記録時に波長を安定させ、良好な干渉縞を得
ることのできるホログラム記録装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子２に密着した第１の温度測
定素子３と、第１の温度測定素子３の出力信号に基いて
半導体レーザ素子に熱的に接触せしめられた第１のペル
チエ素子４を介して半導体レーザ素子の温度を設定値に
保持させる第１の温度制御手段１７と、ファブリーペロ
ーエタロン１１に密着した第２の温度測定素子１２と、
第２の温度測定素子１８の出力信号に基いてファブリー
ペローエタロン１１の温度を設定値に保持させる第２の
温度制御手段１８と、ファブリーペローエタロンの透過
光量が常に最大になるように半導体レーザ素子への注入
電流を制御する電流制御手段１９とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホログラムの記録装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ホログラム記録用の光源として、従来
は、主として、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の各種ガスレーザや
ルビーレーザ等の固体レーザが用いられてきた。一方、
半導体レーザを光源に用いたホログラム記録の取り組み
が従来よりなされてきた。これは、Applied Optics Vo
l.19,No.13(1980) 等に開示されている。光源に半導体
レーザを用いた場合には、ガスレーザや固体レーザを用
いた場合に比べて、ホログラフィの記録装置を非常に小
型化でき、装置の製作コストも大幅に削減できるという
利点がある。
は、主として、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の各種ガスレーザや
ルビーレーザ等の固体レーザが用いられてきた。一方、
半導体レーザを光源に用いたホログラム記録の取り組み
が従来よりなされてきた。これは、Applied Optics Vo
l.19,No.13(1980) 等に開示されている。光源に半導体
レーザを用いた場合には、ガスレーザや固体レーザを用
いた場合に比べて、ホログラフィの記録装置を非常に小
型化でき、装置の製作コストも大幅に削減できるという
利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ホログラム
記録時には、装置の振動を抑えることはもちろん、光源
の波長が安定していることが必要である。ガスレーザや
固体レーザを用いる場合には、波長の安定度は充分であ
り、主に振動の防止に留意していればよかったが、装置
自体が大きく、従って、ホログラフィ記録装置全体が大
きくなるという問題がある。
記録時には、装置の振動を抑えることはもちろん、光源
の波長が安定していることが必要である。ガスレーザや
固体レーザを用いる場合には、波長の安定度は充分であ
り、主に振動の防止に留意していればよかったが、装置
自体が大きく、従って、ホログラフィ記録装置全体が大
きくなるという問題がある。
【０００４】これに対し、半導体レーザを用いれば、ホ
ログラム記録装置を大幅に小型化することができるが、
一般に動作温度や注入電流により発振波長が変化し、
又、この発振波長が不連続的に変化するモードホップと
呼ばれる特性を有している。ホログラム記録時に発振波
長が大きく変化すると、露光中に干渉縞が変化し、良好
なホログラム再生像が得られない。従って、半導体レー
ザをホログラム記録用の光源として用いる場合、発振波
長を安定化する制御が必要になってくる。
ログラム記録装置を大幅に小型化することができるが、
一般に動作温度や注入電流により発振波長が変化し、
又、この発振波長が不連続的に変化するモードホップと
呼ばれる特性を有している。ホログラム記録時に発振波
長が大きく変化すると、露光中に干渉縞が変化し、良好
なホログラム再生像が得られない。従って、半導体レー
ザをホログラム記録用の光源として用いる場合、発振波
長を安定化する制御が必要になってくる。
【０００５】従来、半導体レーザを用いたホログラム記
録装置において、半導体レーザの発振波長を安定化する
方法は提案されていたが、何れも十分な波長安定度を達
成できてはいない。又、半導体レーザの多くは、発振ス
ペクトル線幅がガスレーザに比べて広いので、コヒーレ
ンス長が短く、参照光と物体光との光路長差に対する許
容度が非常に小さい。従って、ホログラム記録時に、参
照光と物体光との間の光路長差を非常に小さくするよう
に配置しなければならず、装置の構成上制約を受けてい
た。更に、光路長差の許容度は、波長安定度にも関係し
ており、露光中の波長変動は、λ2 ／Ｄを越えてはなら
ないことが知られている（M.Yonemura,Optics Lettics
Vol.1,No.1.1985) 。ここで、λは光源の波長、Ｄは参
照光と物体光の光路長差を表している。半導体レーザを
そのまま発振させる所謂フリーランニングの状態では、
波長安定度は、△λ／λ＝１０-4程度であり、許容され
る光路長差は数mmでしかない。
録装置において、半導体レーザの発振波長を安定化する
方法は提案されていたが、何れも十分な波長安定度を達
成できてはいない。又、半導体レーザの多くは、発振ス
ペクトル線幅がガスレーザに比べて広いので、コヒーレ
ンス長が短く、参照光と物体光との光路長差に対する許
容度が非常に小さい。従って、ホログラム記録時に、参
照光と物体光との間の光路長差を非常に小さくするよう
に配置しなければならず、装置の構成上制約を受けてい
た。更に、光路長差の許容度は、波長安定度にも関係し
ており、露光中の波長変動は、λ2 ／Ｄを越えてはなら
ないことが知られている（M.Yonemura,Optics Lettics
Vol.1,No.1.1985) 。ここで、λは光源の波長、Ｄは参
照光と物体光の光路長差を表している。半導体レーザを
そのまま発振させる所謂フリーランニングの状態では、
波長安定度は、△λ／λ＝１０-4程度であり、許容され
る光路長差は数mmでしかない。
【０００６】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、半導体レーザの温度と注入電流を安定化し、ホ
ログラム記録時に波長を安定させ、良好な干渉縞を得る
ことのできるホログラム記録装置を提供することにあ
る。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、半導体レーザの温度と注入電流を安定化し、ホ
ログラム記録時に波長を安定させ、良好な干渉縞を得る
ことのできるホログラム記録装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるホログラム記録装置は、半導体レーザ
素子と、該半導体レーザ素子の温度を測定するための第
１の温度測定素子と、該半導体レーザ素子を加熱するた
めの第１のペルチエ素子と、該ペルチエ素子の放熱面に
接触した放熱部材と、前記半導体レーザ素子から射出し
たビームの該半導体レーザ素子への戻りを防止するため
の光アイソレータと、該半導体レーザ素子から射出した
ビームを平行光束にするためのコリメータレンズと、前
記半導体レーザ素子と前記第１の温度測定素子と前記光
アイソレータと前記コリメータレンズとを一体的に保持
する第１の断熱部材と、前記平行光束を２分割するため
の偏光ビームスプリッタと、該偏光ビームスプリッタに
より分割されたビームの一方が入射するように配置され
たファブリーペローエタロンと、該ファブリーペローエ
タロンの温度を測定するための第２の温度測定素子と、
該第２の温度測定素子により測定された温度と予め設定
された温度との差によって前記ファブリーペローエタロ
ンを加熱冷却する第２のペルチエ素子と、該第２のペル
チエ素子の放熱面に接触した放熱部材と、前記ファブリ
ーペローエタロンと前記第２の温度測定素子とを一体的
に保持する第２の断熱部材と、前記ファブリーペローエ
タロンからの透過光を検出して電気信号に変換する光電
変換手段と、該光電変換手段によって得られた光量デー
タを前記半導体レーザ素子への注入電流にフィードバッ
クするフィードバック回路とを備えていて、前記偏光ビ
ームスプリッタにより分割されたビームの他方が、ホロ
グラフィ記録のために用いられるようになっている。
に、本発明によるホログラム記録装置は、半導体レーザ
素子と、該半導体レーザ素子の温度を測定するための第
１の温度測定素子と、該半導体レーザ素子を加熱するた
めの第１のペルチエ素子と、該ペルチエ素子の放熱面に
接触した放熱部材と、前記半導体レーザ素子から射出し
たビームの該半導体レーザ素子への戻りを防止するため
の光アイソレータと、該半導体レーザ素子から射出した
ビームを平行光束にするためのコリメータレンズと、前
記半導体レーザ素子と前記第１の温度測定素子と前記光
アイソレータと前記コリメータレンズとを一体的に保持
する第１の断熱部材と、前記平行光束を２分割するため
の偏光ビームスプリッタと、該偏光ビームスプリッタに
より分割されたビームの一方が入射するように配置され
たファブリーペローエタロンと、該ファブリーペローエ
タロンの温度を測定するための第２の温度測定素子と、
該第２の温度測定素子により測定された温度と予め設定
された温度との差によって前記ファブリーペローエタロ
ンを加熱冷却する第２のペルチエ素子と、該第２のペル
チエ素子の放熱面に接触した放熱部材と、前記ファブリ
ーペローエタロンと前記第２の温度測定素子とを一体的
に保持する第２の断熱部材と、前記ファブリーペローエ
タロンからの透過光を検出して電気信号に変換する光電
変換手段と、該光電変換手段によって得られた光量デー
タを前記半導体レーザ素子への注入電流にフィードバッ
クするフィードバック回路とを備えていて、前記偏光ビ
ームスプリッタにより分割されたビームの他方が、ホロ
グラフィ記録のために用いられるようになっている。
【０００８】
【作用】ホログラム記録装置は、その光源部において、
半導体レーザ素子の温度と注入電流を制御し、半導体レ
ーザ素子の発振波長を安定せしめる。半導体レーザ素子
は、第１の温度測定素子と第１のペルエチ素子により、
予め設定した温度に対し±０．１℃に保たれる。このよ
うにして温度安定化した半導体レーザ素子から射出され
たビームの一部を取り出し、ファブリーペローエタロン
へ導き、ファブリーペローエタロンの透過光の光量を光
電変換素子でモニタし、常に最も光量が大きくなるよう
に半導体レーザ素子への注入電流を制御して、発振波長
を安定化する。尚、ファブリーペローエタロン自身も±
０．１℃で温度安定化されている。これらの制御で波長
安定度は、△λ／λ＝１×１０-6になる。
半導体レーザ素子の温度と注入電流を制御し、半導体レ
ーザ素子の発振波長を安定せしめる。半導体レーザ素子
は、第１の温度測定素子と第１のペルエチ素子により、
予め設定した温度に対し±０．１℃に保たれる。このよ
うにして温度安定化した半導体レーザ素子から射出され
たビームの一部を取り出し、ファブリーペローエタロン
へ導き、ファブリーペローエタロンの透過光の光量を光
電変換素子でモニタし、常に最も光量が大きくなるよう
に半導体レーザ素子への注入電流を制御して、発振波長
を安定化する。尚、ファブリーペローエタロン自身も±
０．１℃で温度安定化されている。これらの制御で波長
安定度は、△λ／λ＝１×１０-6になる。
【０００９】
【実施例】第１実施例 図１及び２は本発明の第１実施例を示している。図１は
光源部の構成を示す図であり、図２はフレネルホログラ
ム記録装置の構成を示す図である。図中、１は光源部ケ
ース、２は半導体レーザ素子、３は半導体レーザ素子２
の温度を測定するため半導体レーザ素子２の外装に密着
せしめられた第１の温度測定素子、４は半導体レーザ素
子２に熱的に密着せしめられていて半導体レーザ素子２
を加熱又は冷却するための第１のペルチエ素子、５は第
１のペルチエ素子４の放熱面に接触せしめられた放熱部
材、６は半導体レーザ素子２から射出したビームの該半
導体レーザ素子２への戻り光を防止するための光アイソ
レータ、７は半導体レーザ素子２から射出したビームを
平行光束にするためのコリメータレンズ、８は半導体レ
ーザ素子２，第１の温度測定素子３，第１のペルチエ素
子４，放熱部材５，光アイソレータ６及びコリメータレ
ンズ７を１つのブロックとして一体的に保持する断熱部
材である。
光源部の構成を示す図であり、図２はフレネルホログラ
ム記録装置の構成を示す図である。図中、１は光源部ケ
ース、２は半導体レーザ素子、３は半導体レーザ素子２
の温度を測定するため半導体レーザ素子２の外装に密着
せしめられた第１の温度測定素子、４は半導体レーザ素
子２に熱的に密着せしめられていて半導体レーザ素子２
を加熱又は冷却するための第１のペルチエ素子、５は第
１のペルチエ素子４の放熱面に接触せしめられた放熱部
材、６は半導体レーザ素子２から射出したビームの該半
導体レーザ素子２への戻り光を防止するための光アイソ
レータ、７は半導体レーザ素子２から射出したビームを
平行光束にするためのコリメータレンズ、８は半導体レ
ーザ素子２，第１の温度測定素子３，第１のペルチエ素
子４，放熱部材５，光アイソレータ６及びコリメータレ
ンズ７を１つのブロックとして一体的に保持する断熱部
材である。
【００１０】９は上記平行光束を２分割するための偏光
ビームスプリッタ、１０はファブリーペローエタロンの
一方の端面からの反射光の偏光面を変化させ偏光ビーム
スプリッタ９を透過して半導体レーザ素子２へ光が戻ら
ないようにするためのλ／４板、１１は偏光ビームスプ
リッタ９により分割されたビームの一方即ち偏光ビーム
スプリッタ９を透過したビームが垂直に入射するように
配置されたファブリーペローエタロン（波長フィルター
の一種）、１２はファブリーペローエタロン１１の温度
を測定するためファブリーペローエタロン１１の外装に
密着せしめられた第２の温度測定素子、１３はファブリ
ーペローエタロン１１に熱的に密着せしめられていてフ
ァブリーペローエタロン１１を加熱又は冷却するための
第２のペルチエ素子、１４は第２のペルテエ素子１３の
放熱面に接触せしめられた放熱部材、１５はファブリー
ペローエタロン１１からの透過光を検出して電気信号に
変換する光電変換手段、１６はファブリーペローエタロ
ン１１，第２の温度測定素子１２，第２のペルチエ素子
１３及び放熱部材１４を１つのブロックとして一体的に
保持する断熱部材である。
ビームスプリッタ、１０はファブリーペローエタロンの
一方の端面からの反射光の偏光面を変化させ偏光ビーム
スプリッタ９を透過して半導体レーザ素子２へ光が戻ら
ないようにするためのλ／４板、１１は偏光ビームスプ
リッタ９により分割されたビームの一方即ち偏光ビーム
スプリッタ９を透過したビームが垂直に入射するように
配置されたファブリーペローエタロン（波長フィルター
の一種）、１２はファブリーペローエタロン１１の温度
を測定するためファブリーペローエタロン１１の外装に
密着せしめられた第２の温度測定素子、１３はファブリ
ーペローエタロン１１に熱的に密着せしめられていてフ
ァブリーペローエタロン１１を加熱又は冷却するための
第２のペルチエ素子、１４は第２のペルテエ素子１３の
放熱面に接触せしめられた放熱部材、１５はファブリー
ペローエタロン１１からの透過光を検出して電気信号に
変換する光電変換手段、１６はファブリーペローエタロ
ン１１，第２の温度測定素子１２，第２のペルチエ素子
１３及び放熱部材１４を１つのブロックとして一体的に
保持する断熱部材である。
【００１１】１７は第１の温度測定素子３により検出さ
れた出力信号に基づき半導体レーザ素子２の温度が予め
設定された温度よりも低い時は半導体レーザ素子２を加
熱し、高い時は半導体レーザ素子２を冷却するように第
１のペルチエ素子４を駆動する第１の温度制御手段、１
８は第２の温度測定素子１２により検出された出力信号
に基づきファブリーペローエタロン１１の温度が予め設
定された温度よりも低い時はファブリーペローエタロン
１１を加熱し、高い時はファブリーペローエタロン１１
を冷却するように第２のペルチエ素子１３をを駆動する
第２の温度制御手段、１９は光電変換手段１５により得
られた光量データを半導体レーザ素子２への注入電流に
フィードバックする電流制御手段である。
れた出力信号に基づき半導体レーザ素子２の温度が予め
設定された温度よりも低い時は半導体レーザ素子２を加
熱し、高い時は半導体レーザ素子２を冷却するように第
１のペルチエ素子４を駆動する第１の温度制御手段、１
８は第２の温度測定素子１２により検出された出力信号
に基づきファブリーペローエタロン１１の温度が予め設
定された温度よりも低い時はファブリーペローエタロン
１１を加熱し、高い時はファブリーペローエタロン１１
を冷却するように第２のペルチエ素子１３をを駆動する
第２の温度制御手段、１９は光電変換手段１５により得
られた光量データを半導体レーザ素子２への注入電流に
フィードバックする電流制御手段である。
【００１２】２０はフレネルホログラム記録装置を収納
するハウジング、２１は参照光と物体光の光量比を変化
させるためのλ／２板、２２は偏光ビームスプリッタ、
２３及び２４は偏光ビームスプリッタ２２により分割さ
れた参照光及び物体光、２５はビームを拡げるためのレ
ンズ、２６は乾板、２７，２８はミラー、２９はビーム
を拡げるためのレンズ、３０は物体である。尚、第１及
び第２の温度制御手段は、何れも、設定温度に対し±
０．１℃の精度で温度制御できるものを使用するものと
する。
するハウジング、２１は参照光と物体光の光量比を変化
させるためのλ／２板、２２は偏光ビームスプリッタ、
２３及び２４は偏光ビームスプリッタ２２により分割さ
れた参照光及び物体光、２５はビームを拡げるためのレ
ンズ、２６は乾板、２７，２８はミラー、２９はビーム
を拡げるためのレンズ、３０は物体である。尚、第１及
び第２の温度制御手段は、何れも、設定温度に対し±
０．１℃の精度で温度制御できるものを使用するものと
する。
【００１３】第１実施例は上記のように構成されている
から、半導体レーザ素子２を射出したビームは、光アイ
ソレータ６を透過した後、コリメータレンズ７により平
行光となり、偏光ビームスプリッタ９に入射する。そし
て、この偏光ビームスプリッタ９により、入射光の一方
は反射されて光源部ケース１より外部へ射出し、他方は
偏光ビームスプリッタ９を透過してλ／４板１０を通過
し、ファブリーペローエタロン１１へ入射する。ファブ
リーペローエタロン１１を透過した光は光電変換手段１
５によりモニタされ、この出力は電流制御手段１９へ入
力されて、ファブリーペローエタロン１１の透過光量が
常に最大になるように、半導体レーザ素子２への注入電
流が制御される。
から、半導体レーザ素子２を射出したビームは、光アイ
ソレータ６を透過した後、コリメータレンズ７により平
行光となり、偏光ビームスプリッタ９に入射する。そし
て、この偏光ビームスプリッタ９により、入射光の一方
は反射されて光源部ケース１より外部へ射出し、他方は
偏光ビームスプリッタ９を透過してλ／４板１０を通過
し、ファブリーペローエタロン１１へ入射する。ファブ
リーペローエタロン１１を透過した光は光電変換手段１
５によりモニタされ、この出力は電流制御手段１９へ入
力されて、ファブリーペローエタロン１１の透過光量が
常に最大になるように、半導体レーザ素子２への注入電
流が制御される。
【００１４】この場合、第１の温度測定素子３は、半導
体レーザ素子２の温度を検出して、その出力信号を第１
の温度制御手段１７へ入力し、それに基いて第１の温度
制御手段１７は、半導体レーザ素子２の温度が予め設定
された温度に維持されるように、第１のペルチエ素子４
を駆動する。その結果、実験によれば、半導体レーザ素
子２の発振波長の安定度△λ／λは±７．６×１０-6に
保持された。又、第２の温度測定素子１２は、ファブリ
ーペローエタロン１１の温度を検出して、その出力信号
を第２の温度制御手段１８へ入力し、それに基いて第２
の温度制御手段１８は、ファブリーペローエタロン１１
の温度が予め設定された温度に維持されるように、第２
のペルチエ素子１３を駆動する。その結果、実験によれ
ば、半導体レーザ素子２のための第１の温度制御手段１
７と、ファブリーペローエタロン１１のための第２の温
度制御手段１８と、半導体レーザ素子１３への注入電流
制御手段１９を合わせた系全体での波長安定度△λ／λ
は±１０-6に保持されることが確認された。この波長安
定度において、半導体レーザ素子２から発振される中心
波を６７０nmとすると、６７０nmの光路長差まで許容さ
れ得ることになる。
体レーザ素子２の温度を検出して、その出力信号を第１
の温度制御手段１７へ入力し、それに基いて第１の温度
制御手段１７は、半導体レーザ素子２の温度が予め設定
された温度に維持されるように、第１のペルチエ素子４
を駆動する。その結果、実験によれば、半導体レーザ素
子２の発振波長の安定度△λ／λは±７．６×１０-6に
保持された。又、第２の温度測定素子１２は、ファブリ
ーペローエタロン１１の温度を検出して、その出力信号
を第２の温度制御手段１８へ入力し、それに基いて第２
の温度制御手段１８は、ファブリーペローエタロン１１
の温度が予め設定された温度に維持されるように、第２
のペルチエ素子１３を駆動する。その結果、実験によれ
ば、半導体レーザ素子２のための第１の温度制御手段１
７と、ファブリーペローエタロン１１のための第２の温
度制御手段１８と、半導体レーザ素子１３への注入電流
制御手段１９を合わせた系全体での波長安定度△λ／λ
は±１０-6に保持されることが確認された。この波長安
定度において、半導体レーザ素子２から発振される中心
波を６７０nmとすると、６７０nmの光路長差まで許容さ
れ得ることになる。
【００１５】上述のようにして光源部ケース１より外部
へ射出したビームは、λ／２板２１により偏光面を回転
せしめられた後、偏光ビームスプリッタ２２により参照
光２３と物体光２４とに分割され、参照光２３はミラー
２７で反射せしめられた後レンズ２５によりビームが広
げられて、乾板２６へ入射せしめられる。同様に、物体
光２４はミラー２８により反射せしめられた後レンズ２
９によりビームが広げられて、物体３０を照射する。物
体Ｏから反射して乾板２６へ入射せしめられたこの光は
乾板２６上で参照光２３と互いに干渉し、干渉縞が記録
される。この場合、参照光２３と物体光２４の光量比
は、λ／２板２１を回転することにより調節され得る。
へ射出したビームは、λ／２板２１により偏光面を回転
せしめられた後、偏光ビームスプリッタ２２により参照
光２３と物体光２４とに分割され、参照光２３はミラー
２７で反射せしめられた後レンズ２５によりビームが広
げられて、乾板２６へ入射せしめられる。同様に、物体
光２４はミラー２８により反射せしめられた後レンズ２
９によりビームが広げられて、物体３０を照射する。物
体Ｏから反射して乾板２６へ入射せしめられたこの光は
乾板２６上で参照光２３と互いに干渉し、干渉縞が記録
される。この場合、参照光２３と物体光２４の光量比
は、λ／２板２１を回転することにより調節され得る。
【００１６】第２実施例 図３は本発明の第２実施例を示している。この実施例
は、１光束による所謂デニシューク型のホログラム記録
装置であり、光源部ケース１より外部へ出射したビーム
は、レンズ３０により拡散光３１となり、この拡散光の
中心軸線と約４５゜の角度をなすように配置された乾板
２６と、この乾板２６の裏側に配置された物体Ｏとによ
り構成される。尚、このデニシューク型ホログラム記録
装置の作用は、当業者にとって周知であるので、説明は
省略する。
は、１光束による所謂デニシューク型のホログラム記録
装置であり、光源部ケース１より外部へ出射したビーム
は、レンズ３０により拡散光３１となり、この拡散光の
中心軸線と約４５゜の角度をなすように配置された乾板
２６と、この乾板２６の裏側に配置された物体Ｏとによ
り構成される。尚、このデニシューク型ホログラム記録
装置の作用は、当業者にとって周知であるので、説明は
省略する。
【００１７】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、光源であ
る半導体レーザ素子の発振波長を、温度と注入電流とを
適正に制御することにより安定化させることができ、そ
の結果、良好な記録を行うことのできるホログラム記録
装置を提供することができる。又、本発明によれば、光
路長差を大きくとることができ、而も、この種従来装置
に比べて装置全体を極めて安価に製作することができる
という利点を有する。
る半導体レーザ素子の発振波長を、温度と注入電流とを
適正に制御することにより安定化させることができ、そ
の結果、良好な記録を行うことのできるホログラム記録
装置を提供することができる。又、本発明によれば、光
路長差を大きくとることができ、而も、この種従来装置
に比べて装置全体を極めて安価に製作することができる
という利点を有する。
【図１】本発明に係る光源部の構成を示す図である。
【図２】本発明によるホログラム記録装置の第１実施例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】本発明によるホログラム記録装置の第２実施例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
１ 光源部ケース ２ 半導体レーザ素子 ３ 第１の温度測定素子 ４ 第１のペルチエ素子 ５，１４ 放熱部材 ６ 光アイソレータ ７ コリメータレンズ ８，１６ 断熱部材 ９，２２ 偏光ビームスプリッタ １０ λ／４板 １１ ファブリーペローエタロン １２ 第２の温度測定素子 １３ 第２のペルチエ素子 １５ 光電変換素子 １７ 第１の温度制御手段 １８ 第２の温度制御手段 １９ 注入電流制御手段 ２０ ハウジング ２１ λ／２板 ２３ 参照光 ２４ 物体光 ２５，２９，３０ レンズ ２６ 乾板 ２７，２８ ミラー Ｏ 物体
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子の温度を測定するための第１の温度測定素子と、該半
導体レーザ素子を加熱冷却するための第１のペルチエ素
子と、該ペルチエ素子の放熱面に接触した放熱部材と、
前記半導体レーザ素子から射出したビームの該半導体レ
ーザ素子への戻りを防止するための光アイソレータと、
該半導体レーザ素子から射出したビームを平行光束にす
るためのコリメータレンズと、前記半導体レーザ素子と
前記第１の温度測定素子と前記光アイソレータと前記コ
リメータレンズとを一体的に保持する第１の断熱部材
と、前記平行光束を２分割するための偏光ビームスプリ
ッタと、該偏光ビームスプリッタにより分割されたビー
ムの一方が１つの端面に垂直に入射するように配置され
たファブリーペローエタロンと、該ファブリーペローエ
タロンの温度を測定するための第２の温度測定素子と、
該第２の温度測定素子により測定された温度と予め設定
された温度との差によって前記ファブリーペローエタロ
ンを加熱冷却する第２のペルチエ素子と、該第２のペル
チエ素子の放熱面に接触した放熱部材と、前記ファブリ
ーペローエタロンと前記第２の温度測定素子とを一体的
に保持する第２の断熱部材と、前記ファブリーペローエ
タロンからの透過光を検出して電気信号に変換する光電
変換手段と、該光電変換手段によって得られた光量デー
タを前記半導体レーザ素子への注入電流にフィードバッ
クするフィードバック回路とを備えていて、前記偏光ビ
ームスプリッタにより分割されたビームの他方をホログ
ラフィ記録のために用いるようにしたホログラム記録装
置。 - 【請求項２】 半導体レーザー素子と、該半導体レーザ
ー素子の温度を測定するための第１の温度測定素子と、
該半導体レーザー素子を加熱冷却するための第１のペル
チエ素子と、該ペルチエ素子の放熱面に接触した放熱部
材と、前記半導体レーザー素子から射出したビームの該
半導体レーザー素子への戻りを防止するための光アイソ
レータと、該半導体レーザー素子から射出したビームを
平行光束にするためのコリメータレンズと、前記半導体
レーザー素子と前記第１の温度測定素子と前記光アイソ
レータと前記コリメータレンズとを一体的に保持する第
１の断熱部材と、前記平行光束を２分割するための偏光
ビームスプリッタと、該偏光ビームスプリッタにより分
割されたビームの一方が１つの端面に垂直に入射するよ
うに配置されたファブリーペローエタロンと、該ファブ
リーペローエタロンの温度を測定するための第２の温度
測定素子と、該第２の温度測定素子により測定された温
度と予め設定された温度との差によって前記ファブリー
ペローエタロンを加熱冷却する第２のペルチエ素子と、
該第２のペルチエ素子の放熱面に接触した放熱部材と、
前記ファブリーペローエタロンと前記第２の温度測定素
子とを一体的に保持する第２の断熱部材と、前記ファブ
リーペローエタロンからの透過光を検出して電気信号に
変換する光電変換手段と、該光電変換手段によって得ら
れた光量データを前記半導体レーザー素子への注入電流
にフィードバックするフィードバック回路とを備えた波
長安定化半導体レーザー光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828795A JPH08202246A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | ホログラム記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828795A JPH08202246A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | ホログラム記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08202246A true JPH08202246A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11688967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP828795A Withdrawn JPH08202246A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | ホログラム記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08202246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446916B2 (en) | 2003-10-08 | 2008-11-04 | Tdk Corporation | Holographic recording and reproduction apparatus, and method with temperature adjustment device for semiconductor laser |
-
1995
- 1995-01-23 JP JP828795A patent/JPH08202246A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446916B2 (en) | 2003-10-08 | 2008-11-04 | Tdk Corporation | Holographic recording and reproduction apparatus, and method with temperature adjustment device for semiconductor laser |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |