JPH08203035A - 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置Info
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- JPH08203035A JPH08203035A JP2892495A JP2892495A JPH08203035A JP H08203035 A JPH08203035 A JP H08203035A JP 2892495 A JP2892495 A JP 2892495A JP 2892495 A JP2892495 A JP 2892495A JP H08203035 A JPH08203035 A JP H08203035A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低磁界で高い磁気抵抗変化率を示す磁気抵抗
効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再
生装置を提供すること。 【構成】 磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した三層
膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性層を
積層した五層膜、並びにこれら三層膜及び五層膜の磁性
層の上又は下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜にお
いて、上記磁性層の少なくとも一層にアモルファス磁性
合金を用いた磁気抵抗効果膜、この磁気抵抗効果膜を用
いた磁気抵抗効果素子、この素子を用いた磁気ヘッド及
びこの磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置。
効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再
生装置を提供すること。 【構成】 磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した三層
膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性層を
積層した五層膜、並びにこれら三層膜及び五層膜の磁性
層の上又は下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜にお
いて、上記磁性層の少なくとも一層にアモルファス磁性
合金を用いた磁気抵抗効果膜、この磁気抵抗効果膜を用
いた磁気抵抗効果素子、この素子を用いた磁気ヘッド及
びこの磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低磁界で高い磁気抵抗
効果を有する磁気抵抗効果膜、この磁気抵抗効果膜を用
いた磁気抵抗効果素子、この素子を用いた磁気ヘッド及
びこの磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置に関する。
効果を有する磁気抵抗効果膜、この磁気抵抗効果膜を用
いた磁気抵抗効果素子、この素子を用いた磁気ヘッド及
びこの磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、再生用磁気ヘッドの磁気抵抗効果
材としてパーマロイが使用されていた。しかし、パーマ
ロイの磁気抵抗変化率は約３％と低く、これよりさらに
高い磁気抵抗変化率の材料が求められていた。このパー
マロイより磁気抵抗変化率が高い材料として多層構造を
持つＦｅ／Ｃｒ磁性膜が提案され、また、Ｔａ／ＮｉＦ
ｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ膜も提案されてい
た。
材としてパーマロイが使用されていた。しかし、パーマ
ロイの磁気抵抗変化率は約３％と低く、これよりさらに
高い磁気抵抗変化率の材料が求められていた。このパー
マロイより磁気抵抗変化率が高い材料として多層構造を
持つＦｅ／Ｃｒ磁性膜が提案され、また、Ｔａ／ＮｉＦ
ｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ膜も提案されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記多層構造
を持つＦｅ／Ｃｒ磁性膜は、十分な磁気抵抗変化率を得
るために、８００ＫＡ／ｍもの高い磁界が必要であり、
低い磁界で動作することが必要な磁気抵抗効果素子、磁
気ヘッドに使用することができなかった。また、Ｔａ／
ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ膜は比較的
低磁界で２．２％の磁気抵抗変化率を示しているが、ま
だ十分でなく、低磁界でより高い磁気抵抗変化率を示す
材料が求められていた。本発明は、低磁界でより高い磁
気抵抗変化率を示す磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素
子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを
目的とする。
を持つＦｅ／Ｃｒ磁性膜は、十分な磁気抵抗変化率を得
るために、８００ＫＡ／ｍもの高い磁界が必要であり、
低い磁界で動作することが必要な磁気抵抗効果素子、磁
気ヘッドに使用することができなかった。また、Ｔａ／
ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ膜は比較的
低磁界で２．２％の磁気抵抗変化率を示しているが、ま
だ十分でなく、低磁界でより高い磁気抵抗変化率を示す
材料が求められていた。本発明は、低磁界でより高い磁
気抵抗変化率を示す磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素
子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、磁性層、非磁性層及び磁性層を
積層した三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層
及び磁性層を積層した五層膜、若しくは磁性層の上又は
下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜において、上記
磁性層の少なくとも一層にアモルファス磁性合金を用い
たことである。また、上記磁気抵抗効果膜は非磁性層を
挟む磁性層の磁化の向きのなす角度が変化するものであ
り、上記アモルファス磁性合金をＢ濃度が１０〜２５ａ
ｔ％であるＣｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性合金とし
たことである。また、上記磁気抵抗効果膜の磁性層の少
なくとも１層がＣｏ、Ｎｉ─ＦｅあるいはＮｉ─Ｆｅ─
Ｃｏを主成分とする合金であり、上記非磁性層の少なく
とも一層をＣｕ、Ａｇ又はＡｕとしたことである。
に、本発明においては、磁性層、非磁性層及び磁性層を
積層した三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層
及び磁性層を積層した五層膜、若しくは磁性層の上又は
下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜において、上記
磁性層の少なくとも一層にアモルファス磁性合金を用い
たことである。また、上記磁気抵抗効果膜は非磁性層を
挟む磁性層の磁化の向きのなす角度が変化するものであ
り、上記アモルファス磁性合金をＢ濃度が１０〜２５ａ
ｔ％であるＣｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性合金とし
たことである。また、上記磁気抵抗効果膜の磁性層の少
なくとも１層がＣｏ、Ｎｉ─ＦｅあるいはＮｉ─Ｆｅ─
Ｃｏを主成分とする合金であり、上記非磁性層の少なく
とも一層をＣｕ、Ａｇ又はＡｕとしたことである。
【０００５】また、上記磁気抵抗効果膜の非磁性層を挟
む磁性層の磁気異方性より生じる磁化容易方向のなす角
度が異なっており、磁気抵抗効果膜の磁性層の少なくと
も一層に交換バイアス磁界を印加する反強磁性層を付与
したことである。また、本発明の磁気抵抗効果素子は、
上記磁気抵抗効果膜を少なくとも１部に使用したことで
ある。また、本発明の磁気ヘッドは、上記磁気抵抗効果
素子を少なくとも１部に使用したことである。さらに、
本発明の磁気記録再生装置は、上記磁気ヘッドを少なく
とも１部に使用したことである。
む磁性層の磁気異方性より生じる磁化容易方向のなす角
度が異なっており、磁気抵抗効果膜の磁性層の少なくと
も一層に交換バイアス磁界を印加する反強磁性層を付与
したことである。また、本発明の磁気抵抗効果素子は、
上記磁気抵抗効果膜を少なくとも１部に使用したことで
ある。また、本発明の磁気ヘッドは、上記磁気抵抗効果
素子を少なくとも１部に使用したことである。さらに、
本発明の磁気記録再生装置は、上記磁気ヘッドを少なく
とも１部に使用したことである。
【０００６】本発明をさらに説明すると、本発明のアモ
ルファス磁性合金はＣｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性
合金でＣｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性合金は、Ｂ１
０〜２５ａｔ％、Ｃｏ８１〜６７ａｔ％、Ｆｅ９ 〜
７．５ａｔ％の合金である。また、磁性層は、Ｃｏ、Ｎ
ｉ─Ｆｅ、Ｎｉ─Ｆｅ─Ｃｏなどの金属又は合金で、Ｎ
ｉ─Ｆｅはパーマロイとして知られているＮｉ３５〜８
０％、残部Ｆｅからなるもので、Ｎｉ─Ｆｅ─ＣｏはＦ
ｅ１６〜２０％、Ｎｉ６６〜１１％、Ｃｏ１８〜７３％
のものである。さらに、本発明の反強磁性層は、Ｎｉ
Ｏ、ＮｉＭｎ、ＣｏＭｎ、ＦｅＭｎなどである。
ルファス磁性合金はＣｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性
合金でＣｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性合金は、Ｂ１
０〜２５ａｔ％、Ｃｏ８１〜６７ａｔ％、Ｆｅ９ 〜
７．５ａｔ％の合金である。また、磁性層は、Ｃｏ、Ｎ
ｉ─Ｆｅ、Ｎｉ─Ｆｅ─Ｃｏなどの金属又は合金で、Ｎ
ｉ─Ｆｅはパーマロイとして知られているＮｉ３５〜８
０％、残部Ｆｅからなるもので、Ｎｉ─Ｆｅ─ＣｏはＦ
ｅ１６〜２０％、Ｎｉ６６〜１１％、Ｃｏ１８〜７３％
のものである。さらに、本発明の反強磁性層は、Ｎｉ
Ｏ、ＮｉＭｎ、ＣｏＭｎ、ＦｅＭｎなどである。
【０００７】
【作用】本発明は、磁性層、非磁性層及び磁性層を積層
した三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び
磁性層を積層した五層膜、若しくは磁性層の上又は下に
反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜において、上記磁性
層の少なくとも一層にアモルファス磁性合金を用いるこ
とにより、比較的低磁界で高い磁気抵抗変化率が得られ
る。これは、アモルファス磁性合金を用いることによ
り、軟磁気特性が向上したためであると考えられる。ま
た、本発明の磁気抵抗効果素子は上記特性が優れた磁気
抵抗効果膜を使用したことにより、本発明の磁気ヘッド
は上記特性が優れた磁気抵抗効果素子を少なくとも１部
に使用したことにより、また本発明の磁気記録再生装置
は上記特性が優れた磁気ヘッドを少なくとも１部に使用
したことにより優れた特性のものが得られる。
した三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び
磁性層を積層した五層膜、若しくは磁性層の上又は下に
反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜において、上記磁性
層の少なくとも一層にアモルファス磁性合金を用いるこ
とにより、比較的低磁界で高い磁気抵抗変化率が得られ
る。これは、アモルファス磁性合金を用いることによ
り、軟磁気特性が向上したためであると考えられる。ま
た、本発明の磁気抵抗効果素子は上記特性が優れた磁気
抵抗効果膜を使用したことにより、本発明の磁気ヘッド
は上記特性が優れた磁気抵抗効果素子を少なくとも１部
に使用したことにより、また本発明の磁気記録再生装置
は上記特性が優れた磁気ヘッドを少なくとも１部に使用
したことにより優れた特性のものが得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ 下記三層膜とスピンバルブ膜は高周波マグネトロンスパ
ッタ装置を用いて作製した。スパツタ時のＡｒ圧は０．
６８〜１．３２Ｐａで、製膜速度は０．１〜０．２ｎｍ
／ｓである。基板にスライドガラスを用い、その上にア
モルファスＣｏＦｅＢ層、Ｃｕ層、Ｃｏ層を順次作製
し、ＣｏＦｅＢ（６ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ
（１．５ｎｍ）の膜を作製した。なお、アモルファス磁
性合金のＣｏＦｅＢの組成は、Ｃｏ：７２ａｔ％、Ｆ
ｅ；８ａｔ％、Ｂ：２０ａｔ％であった。この膜の特性
は、図１に示したように磁気抵抗変化率（ＭＲ ratio）
が５％のものが８００Ａ／ｍの磁界（Ｈ）を中心として
２８０Ａ／ｍの磁界変化で得られ、磁界感度は１７．８
％／ｋＡｍ-1であった。
ッタ装置を用いて作製した。スパツタ時のＡｒ圧は０．
６８〜１．３２Ｐａで、製膜速度は０．１〜０．２ｎｍ
／ｓである。基板にスライドガラスを用い、その上にア
モルファスＣｏＦｅＢ層、Ｃｕ層、Ｃｏ層を順次作製
し、ＣｏＦｅＢ（６ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ
（１．５ｎｍ）の膜を作製した。なお、アモルファス磁
性合金のＣｏＦｅＢの組成は、Ｃｏ：７２ａｔ％、Ｆ
ｅ；８ａｔ％、Ｂ：２０ａｔ％であった。この膜の特性
は、図１に示したように磁気抵抗変化率（ＭＲ ratio）
が５％のものが８００Ａ／ｍの磁界（Ｈ）を中心として
２８０Ａ／ｍの磁界変化で得られ、磁界感度は１７．８
％／ｋＡｍ-1であった。
【０００９】なお、図１は、上記膜のＨ（磁化困難軸の
磁界）とＭＲ ratio（磁気抵抗変化率）の関係を示した
グラフである。図２は、上記膜の磁化容易軸の磁界と磁
気抵抗変化率を示したグラフで、上のグラフは下のグラ
フのＨが０付近を拡大したものである。図２の磁気抵抗
変化率の傾きが大きくて高いほど感度がよい膜である。
上記膜の磁界感度は従来のＮｉＦｅ系合金を主体とした
材料で得られるものの約３倍であった。これはアモルフ
ァス材料を使用したことにより軟磁気特性が向上したた
めであると考えられる。
磁界）とＭＲ ratio（磁気抵抗変化率）の関係を示した
グラフである。図２は、上記膜の磁化容易軸の磁界と磁
気抵抗変化率を示したグラフで、上のグラフは下のグラ
フのＨが０付近を拡大したものである。図２の磁気抵抗
変化率の傾きが大きくて高いほど感度がよい膜である。
上記膜の磁界感度は従来のＮｉＦｅ系合金を主体とした
材料で得られるものの約３倍であった。これはアモルフ
ァス材料を使用したことにより軟磁気特性が向上したた
めであると考えられる。
【００１０】実施例２ 実施例１と同様な方法によりＣｏＦｅＢ（９ｎｍ）／Ｃ
ｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ（１．５ｎｍ）の膜を作製し
た。なお、アモルファス磁性合金のＣｏＦｅＢの組成
は、Ｃｏ：７２ａｔ％、Ｆｅ；８ａｔ％、Ｂ：２０ａｔ
％であった。この膜の磁気抵抗変化率は３％であった。
この膜を１２．８ｋＡ／ｍの磁界中で２５０℃で１時間
熱処理を行ったところ、磁気抵抗変化率は４％と高くな
った。この結果から膜がガラス融着などにおいて加熱さ
れる温度である２５０℃でも劣化しないことが分かっ
た。これはアモルファス材料の層の結晶化による特性の
劣化がないからであると考えられる。
ｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ（１．５ｎｍ）の膜を作製し
た。なお、アモルファス磁性合金のＣｏＦｅＢの組成
は、Ｃｏ：７２ａｔ％、Ｆｅ；８ａｔ％、Ｂ：２０ａｔ
％であった。この膜の磁気抵抗変化率は３％であった。
この膜を１２．８ｋＡ／ｍの磁界中で２５０℃で１時間
熱処理を行ったところ、磁気抵抗変化率は４％と高くな
った。この結果から膜がガラス融着などにおいて加熱さ
れる温度である２５０℃でも劣化しないことが分かっ
た。これはアモルファス材料の層の結晶化による特性の
劣化がないからであると考えられる。
【００１１】実施例３ 実施例１と同様な方法で、反強磁性層からの交換バイア
ス磁界が印加されるようにしたＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃ
ｏ（１．５ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／ＣｏＦｅＢ
（９ｎｍ）／Ｃｕ（３ｎｍ）の膜を作製した。なお、ア
モルファス磁性合金のＣｏＦｅＢの組成は、Ｃｏ：７２
ａｔ％、Ｆｅ；８ａｔ％、Ｂ：２０ａｔ％であった。こ
の膜の特性は、図３に示したように磁気抵抗変化率（Δ
Ｒ／Ｒ）が２．７％のものが得られた。この値は従来の
ＮｉＦｅ系合金を主体とする材料で得られるものと同等
であり、また２５０℃の熱処理後も特性の劣化はなかっ
た。さらに、この膜は、交換バイアス磁界が印加されて
おり、磁気ヘッドの用途に使用することができることが
分かった。なお、この膜の磁化曲線は図４に示したとう
りである。
ス磁界が印加されるようにしたＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃ
ｏ（１．５ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／ＣｏＦｅＢ
（９ｎｍ）／Ｃｕ（３ｎｍ）の膜を作製した。なお、ア
モルファス磁性合金のＣｏＦｅＢの組成は、Ｃｏ：７２
ａｔ％、Ｆｅ；８ａｔ％、Ｂ：２０ａｔ％であった。こ
の膜の特性は、図３に示したように磁気抵抗変化率（Δ
Ｒ／Ｒ）が２．７％のものが得られた。この値は従来の
ＮｉＦｅ系合金を主体とする材料で得られるものと同等
であり、また２５０℃の熱処理後も特性の劣化はなかっ
た。さらに、この膜は、交換バイアス磁界が印加されて
おり、磁気ヘッドの用途に使用することができることが
分かった。なお、この膜の磁化曲線は図４に示したとう
りである。
【００１２】実施例４ 本発明の磁気抵抗効果膜を使用した本発明の磁気抵抗効
果素子の一例を図５に示す。本発明の磁気抵抗効果素子
は、本発明の磁気抵抗効果膜（１）を、２個の電極（２
1 、２2 ）で挟み、これらを上下からシールド層
（３1 、３2 ）で挟んだ構造のものである。 実施例５ 本発明の磁気抵抗効果素子を使用した本発明の録再型磁
気ヘッドの一例を図６に示す。本発明の録再型磁気ヘッ
ドは、本発明の磁気抵抗効果膜（１）、２個の電極（２
1 、２2 ）、２枚のシールド層（３1 、３2 ）からなる
磁気抵抗効果素子の上に２個の磁極（４1 、４2 ）の間
に複数のコイル（５1 、５2 、５3 ）を挟んだものを置
いた構造のものである。
果素子の一例を図５に示す。本発明の磁気抵抗効果素子
は、本発明の磁気抵抗効果膜（１）を、２個の電極（２
1 、２2 ）で挟み、これらを上下からシールド層
（３1 、３2 ）で挟んだ構造のものである。 実施例５ 本発明の磁気抵抗効果素子を使用した本発明の録再型磁
気ヘッドの一例を図６に示す。本発明の録再型磁気ヘッ
ドは、本発明の磁気抵抗効果膜（１）、２個の電極（２
1 、２2 ）、２枚のシールド層（３1 、３2 ）からなる
磁気抵抗効果素子の上に２個の磁極（４1 、４2 ）の間
に複数のコイル（５1 、５2 、５3 ）を挟んだものを置
いた構造のものである。
【００１３】本発明は、上記以外の点においても実施例
に限定されることなく、要旨を変更しない範囲において
種々の変更をすることが出来ることはもちろんである。
に限定されることなく、要旨を変更しない範囲において
種々の変更をすることが出来ることはもちろんである。
【００１４】
【本発明の効果】本発明は、上記構成にしたことによ
り、低磁界で高い磁気抵抗変化率を示し、また２５０℃
程度に加熱されても特性が劣化しないという優れた特性
を有する。
り、低磁界で高い磁気抵抗変化率を示し、また２５０℃
程度に加熱されても特性が劣化しないという優れた特性
を有する。
【図１】 本発明のＣｏＦｅＢ（６ｎｍ）／Ｃｕ（２．
１ｎｍ）／Ｃｏ（１．５ｎｍ）の膜の磁化困難軸のＨ
（磁界）とＭＲ ratio（磁気抵抗変化率）の関係を示し
たグラフである。
１ｎｍ）／Ｃｏ（１．５ｎｍ）の膜の磁化困難軸のＨ
（磁界）とＭＲ ratio（磁気抵抗変化率）の関係を示し
たグラフである。
【図２】 図１の膜の磁化容易軸のＨ（磁界）とＭＲ r
atio（磁気抵抗変化率）の関係を示したグラフである。
atio（磁気抵抗変化率）の関係を示したグラフである。
【図３】 反強磁性層からの交換バイアス磁界が印加さ
れるようにしたＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃｏ（１．５ｎ
ｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／ＣｏＦｅＢ（９ｎｍ）／Ｃ
ｕ（３ｎｍ）のＨ（磁界）とΔＲ／Ｒ（磁気抵抗変化
率）の関係を示したグラフである。
れるようにしたＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃｏ（１．５ｎ
ｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／ＣｏＦｅＢ（９ｎｍ）／Ｃ
ｕ（３ｎｍ）のＨ（磁界）とΔＲ／Ｒ（磁気抵抗変化
率）の関係を示したグラフである。
【図４】 図３の磁化曲線である。
【図５】 本発明の磁気抵抗効果素子の一部を示した斜
視図である。
視図である。
【図６】 録再型磁気ヘッドの一部を示した斜視図であ
る。
る。
１ 磁気抵抗効果膜 ２1 、２2 電極 ３1 、３2 シールド層 ４1 、４2 磁極 ５1 、５2 、５3 コイル
Claims (12)
- 【請求項１】 磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した
三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性
層を積層した五層膜、並びにこれら三層膜及び五層膜の
磁性層の上又は下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜
において、上記磁性層の少なくとも一層にアモルファス
磁性合金を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果膜におい
て、非磁性層を挟む磁性層の磁化の向きのなす角度が互
いに異なったものであることを特徴とする磁気抵抗効果
膜。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の磁気抵抗効
果膜において、上記磁性層の少なくとも一層がＣｏ─Ｆ
ｅ─Ｂ系アモルファス磁性合金であることを特徴とする
磁気抵抗効果膜。 - 【請求項４】 請求項３記載の磁気抵抗効果膜におい
て、上記Ｃｏ─Ｆｅ─Ｂ系アモルファス磁性合金のＢ濃
度が１０〜２５ａｔ％であることを特徴とする磁気抵抗
効果膜。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１項記載の磁
気抵抗効果膜において、磁性層の少なくとも１層がＣ
ｏ、Ｎｉ─ＦｅあるいはＮｉ─Ｆｅ─Ｃｏを主成分とす
る合金であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項記載の磁
気抵抗効果膜において、上記非磁性層の少なくとも一層
がＣｕ、Ａｇ又はＡｕであることを特徴とする磁気抵抗
効果膜。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれか１項記載の磁
気抵抗効果膜において、非磁性層を挟む磁性層の磁気異
方性より生じる磁化容易方向のなす角度が異なっている
ことを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項記載の磁
気抵抗効果膜の磁性層の少なくとも一層に交換バイアス
磁界を印加する反磁性層を設けたことを特徴とする磁気
抵抗効果膜。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項記載の磁
気抵抗効果膜を少なくとも一部に用いたことを特徴とす
る磁気抵抗効果素子。 - 【請求項10】 請求項９記載の磁気抵抗効果素子を少な
くとも一部に用いた磁気ヘッド。 - 【請求項11】 請求項10記載の磁気ヘッドと誘導型磁気
ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッド。 - 【請求項12】 請求項10又は請求項11記載の磁気ヘッド
を用いた磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2892495A JPH08203035A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2892495A JPH08203035A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203035A true JPH08203035A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=12261959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2892495A Pending JPH08203035A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203035A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133732A (en) * | 1996-11-21 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect element and shield magnetoresistive effect sensor |
| US6154349A (en) * | 1996-04-26 | 2000-11-28 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive transducer including CoFeZ soft magnetic layer |
| JP2003158312A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-05-30 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 |
| WO2004013919A1 (ja) * | 2002-08-02 | 2004-02-12 | Sony Corporation | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
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