JPH08203119A - 記録媒体ディスク用基板 - Google Patents
記録媒体ディスク用基板Info
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- JPH08203119A JPH08203119A JP7014812A JP1481295A JPH08203119A JP H08203119 A JPH08203119 A JP H08203119A JP 7014812 A JP7014812 A JP 7014812A JP 1481295 A JP1481295 A JP 1481295A JP H08203119 A JPH08203119 A JP H08203119A
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- Japan
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- sintered body
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｘ線回折の強度において、ＹＡＧの面指数（４
２０）の強度に対する、ＹＡＰの面指数（１２１）＋Ｙ
ＡＭの面指数（−１２２）の強度比が１０％以下であ
り、平均ボイド径１．５μｍ以下で、理論密度の９８％
以上の密度を持つイットリウム−アルミニウム−ガーネ
ット焼結体で記録媒体ディスク用基板を構成する。 【効果】ＨＩＰ処理を施すことなく極めてボイドの少な
い記録媒体ディスク用基板を得ることができる。
２０）の強度に対する、ＹＡＰの面指数（１２１）＋Ｙ
ＡＭの面指数（−１２２）の強度比が１０％以下であ
り、平均ボイド径１．５μｍ以下で、理論密度の９８％
以上の密度を持つイットリウム−アルミニウム−ガーネ
ット焼結体で記録媒体ディスク用基板を構成する。 【効果】ＨＩＰ処理を施すことなく極めてボイドの少な
い記録媒体ディスク用基板を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置や磁気
ディスク装置において、情報を記録する記録媒体ディス
クである光ディスクまたは磁気ディスクを構成する基板
に関し、特にイットリウム−アルミニウム−ガーネット
（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12、以下ＹＡＧと称す）焼結体や透光性
アルミナ焼結体を支持体とした記録媒体ディスク用基板
に関するものである。
ディスク装置において、情報を記録する記録媒体ディス
クである光ディスクまたは磁気ディスクを構成する基板
に関し、特にイットリウム−アルミニウム−ガーネット
（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12、以下ＹＡＧと称す）焼結体や透光性
アルミナ焼結体を支持体とした記録媒体ディスク用基板
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置はコンピュータの情報
処理システムの中で情報記憶の中心的な役割を果たして
いるが、近時、この磁気記録は高密度化及び大容量化の
傾向にあるため、スパッタリングなどの薄膜技術を利用
して磁気記録媒体の薄層化及び高面精度化を行い、その
要求に答えようとしている。
処理システムの中で情報記憶の中心的な役割を果たして
いるが、近時、この磁気記録は高密度化及び大容量化の
傾向にあるため、スパッタリングなどの薄膜技術を利用
して磁気記録媒体の薄層化及び高面精度化を行い、その
要求に答えようとしている。
【０００３】かかる磁気記録媒体が形成される基板には
アルミニウム合金が使用され、その表面を酸化して得ら
れたアルマイト層が２μｍ位の厚みで被覆されており、
このアルマイト層によって基板表面の硬度を大きくして
ある。しかし、この硬質アルマイト層の厚みが小さく、
且つアルミニウム合金とアルマイト層の熱膨張係数が異
なっているため、基板温度が上昇するに伴い、基板に歪
が発生し易かった。
アルミニウム合金が使用され、その表面を酸化して得ら
れたアルマイト層が２μｍ位の厚みで被覆されており、
このアルマイト層によって基板表面の硬度を大きくして
ある。しかし、この硬質アルマイト層の厚みが小さく、
且つアルミニウム合金とアルマイト層の熱膨張係数が異
なっているため、基板温度が上昇するに伴い、基板に歪
が発生し易かった。
【０００４】例えば、スパッタリングによって基板上に
磁気記録媒体を形成する際には、スパッタ粒子や電子が
基板上に衝突するため、その衝突エネルギーによって基
板温度が上昇し、更にγ−Ｆe2Ｏ3 から成る磁気記録媒
体の場合では、通常３００℃以上に加熱処理することが
行われている。これらの温度上昇に伴ってアルミニウム
基板に歪みが発生し易くなり、そのためアルミニウム基
板に磁気記録媒体を形成して高密度磁気記録に用いた場
合、正確な書き込みや読み取りが出来にくいという問題
があった。
磁気記録媒体を形成する際には、スパッタ粒子や電子が
基板上に衝突するため、その衝突エネルギーによって基
板温度が上昇し、更にγ−Ｆe2Ｏ3 から成る磁気記録媒
体の場合では、通常３００℃以上に加熱処理することが
行われている。これらの温度上昇に伴ってアルミニウム
基板に歪みが発生し易くなり、そのためアルミニウム基
板に磁気記録媒体を形成して高密度磁気記録に用いた場
合、正確な書き込みや読み取りが出来にくいという問題
があった。
【０００５】更に、磁気ディスク装置は、同一の回転軸
に複数の磁気ディスクを配置して１０００〜３０００ｒ
ｐｍ程度の高速回転をさせて、読み取り及び書き込みの
データ処理を行っているが、この磁気ディスク用基板が
アルミニウム合金から形成されていると、基板自体が遠
心力によって伸び易くなり、これによっても、高密度磁
気記録に適した正確な書き込み及び読み取りが出来なか
った。
に複数の磁気ディスクを配置して１０００〜３０００ｒ
ｐｍ程度の高速回転をさせて、読み取り及び書き込みの
データ処理を行っているが、この磁気ディスク用基板が
アルミニウム合金から形成されていると、基板自体が遠
心力によって伸び易くなり、これによっても、高密度磁
気記録に適した正確な書き込み及び読み取りが出来なか
った。
【０００６】しかも、アルミニウム合金製磁気ディスク
用基板には、表面がアルマイト処理されていても、通常
その基板表面の片面全面に亘って２〜３μｍのボイドが
１００個以上もあるため、高密度記録用磁気ディスク装
置にとっては、このボイド欠陥に起因して正確な書き込
み及び読み取りが出来ないという問題もあり、ボイド欠
陥の少ない磁気ディスク用基板材料が望まれていた。
用基板には、表面がアルマイト処理されていても、通常
その基板表面の片面全面に亘って２〜３μｍのボイドが
１００個以上もあるため、高密度記録用磁気ディスク装
置にとっては、このボイド欠陥に起因して正確な書き込
み及び読み取りが出来ないという問題もあり、ボイド欠
陥の少ない磁気ディスク用基板材料が望まれていた。
【０００７】そこで、他の磁気ディスク用基板材料とし
てプラスチックやガラスが検討されているが、プラスチ
ックは透湿性が高いこと、ガラスは割れ易いことと割れ
た場合の危険性が高いという問題点がある。しかも、こ
れらの材料はヤング率が小さいため、基板を高速回転さ
せると遠心力によって基板が伸び易くなるという問題点
もあった。
てプラスチックやガラスが検討されているが、プラスチ
ックは透湿性が高いこと、ガラスは割れ易いことと割れ
た場合の危険性が高いという問題点がある。しかも、こ
れらの材料はヤング率が小さいため、基板を高速回転さ
せると遠心力によって基板が伸び易くなるという問題点
もあった。
【０００８】また、近年、セラミック基板の提案も成さ
れているが、通常の構造材料として使われているセラミ
ックスではボイドが多く、前述のアルミニウム合金製と
同様の問題がある。そこで、特公平６−２２０５５号公
報に示すようにセラミックスをＨＩＰ（熱間静水圧加
圧）処理することによってボイドを小さくすることが提
案されている。
れているが、通常の構造材料として使われているセラミ
ックスではボイドが多く、前述のアルミニウム合金製と
同様の問題がある。そこで、特公平６−２２０５５号公
報に示すようにセラミックスをＨＩＰ（熱間静水圧加
圧）処理することによってボイドを小さくすることが提
案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、セラミックス
にＨＩＰ処理を施すことは工程が煩雑になり、製造コス
トが高くなるものであった。また、ＨＩＰ処理を施すこ
とによって硬度が高くなるため、焼成後の研磨等の後加
工が困難になるという問題点もあった。
にＨＩＰ処理を施すことは工程が煩雑になり、製造コス
トが高くなるものであった。また、ＨＩＰ処理を施すこ
とによって硬度が高くなるため、焼成後の研磨等の後加
工が困難になるという問題点もあった。
【００１０】一方、ＨＩＰ処理を施さないセラミックス
では、ボイドが多いため磁気ディスク用基板として使用
した場合に、高密度記録への対応が困難であった。
では、ボイドが多いため磁気ディスク用基板として使用
した場合に、高密度記録への対応が困難であった。
【００１１】一方、ＣＤや光磁気ディスク等の光ディス
ク装置においては、ディスク用基板としてポリカーボネ
ート等の樹脂が用いられているが、この場合も回転数が
大きくなると反りや撓み等が生じるという問題があっ
た。
ク装置においては、ディスク用基板としてポリカーボネ
ート等の樹脂が用いられているが、この場合も回転数が
大きくなると反りや撓み等が生じるという問題があっ
た。
【００１２】本発明は上述の問題点を解消するために成
されたもので、ＨＩＰ処理をすることなく基板表面にボ
イド欠陥を少なくし、またスパッタリングや熱処理に対
して基板に何等歪が発生せず、且つ基板に加えられる遠
心力に対して基板自体の伸びが生じることもなく、高密
度記録に適した書き込みや読み取りが出来る記録媒体デ
ィスク用基板を提供することを目的とする。
されたもので、ＨＩＰ処理をすることなく基板表面にボ
イド欠陥を少なくし、またスパッタリングや熱処理に対
して基板に何等歪が発生せず、且つ基板に加えられる遠
心力に対して基板自体の伸びが生じることもなく、高密
度記録に適した書き込みや読み取りが出来る記録媒体デ
ィスク用基板を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の記録媒体ディス
ク用基板は、Ｘ線回折の強度において、Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12
（ＹＡＧ）の面指数（４２０）の強度に対する、ＹＡｌ
Ｏ3 （以下ＹＡＰと称す）の面指数（１２１）＋Ｙ4 Ａ
ｌ2 Ｏ9 （以下ＹＡＭと称す）の面指数（−１２２）の
強度比が１０％以下であるイットリウム−アルミニウム
−ガーネット焼結体を用いたことを特徴とする。
ク用基板は、Ｘ線回折の強度において、Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12
（ＹＡＧ）の面指数（４２０）の強度に対する、ＹＡｌ
Ｏ3 （以下ＹＡＰと称す）の面指数（１２１）＋Ｙ4 Ａ
ｌ2 Ｏ9 （以下ＹＡＭと称す）の面指数（−１２２）の
強度比が１０％以下であるイットリウム−アルミニウム
−ガーネット焼結体を用いたことを特徴とする。
【００１４】また、本発明の記録媒体ディスク用基板
は、平均ボイド径１．５μｍ以下、かつ理論密度の９８
％以上の密度を持つイットリウム−アルミニウム−ガー
ネット焼結体を用いたことを特徴とする。
は、平均ボイド径１．５μｍ以下、かつ理論密度の９８
％以上の密度を持つイットリウム−アルミニウム−ガー
ネット焼結体を用いたことを特徴とする。
【００１５】さらに、本発明の記録媒体ディスク用基板
は、平均ボイド径１．５μｍ以下、かつ理論密度の９８
％以上の密度を持つ透光性アルミナ焼結体を用いたこと
を特徴とする。
は、平均ボイド径１．５μｍ以下、かつ理論密度の９８
％以上の密度を持つ透光性アルミナ焼結体を用いたこと
を特徴とする。
【００１６】即ち、上述のＹＡＧ焼結体または透光性ア
ルミナ焼結体で作製された記録媒体ディスク用基板は、
アルミニウム等の金属やプラスチック等に比べて弾性率
が小さく、かかる基板を高速に回転しても基板自体が被
る遠心力によって基板に伸びが生じにくいものである。
ルミナ焼結体で作製された記録媒体ディスク用基板は、
アルミニウム等の金属やプラスチック等に比べて弾性率
が小さく、かかる基板を高速に回転しても基板自体が被
る遠心力によって基板に伸びが生じにくいものである。
【００１７】更に、ＹＡＧ焼結体または透光性アルミナ
焼結体の密度を理論密度の９８％以上と高くしてボイド
を少なくすれば、ＨＩＰ処理を施すことなく平均ボイド
径を１．５μｍ以下とすることができ、表面を研磨する
ことによって平滑な鏡面を得られ、その結果スパッタリ
ングなどによって形成された磁気記録媒体が著しく薄く
なっても記録媒体の表面が粗れることなく高密度磁気記
録に向くディスク基板を得ることができる。
焼結体の密度を理論密度の９８％以上と高くしてボイド
を少なくすれば、ＨＩＰ処理を施すことなく平均ボイド
径を１．５μｍ以下とすることができ、表面を研磨する
ことによって平滑な鏡面を得られ、その結果スパッタリ
ングなどによって形成された磁気記録媒体が著しく薄く
なっても記録媒体の表面が粗れることなく高密度磁気記
録に向くディスク基板を得ることができる。
【００１８】また、ＹＡＧ焼結体の機械的物性はビッカ
ース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 、曲げ強度３０ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度、透光性アルミナ焼結体の機械的物性はビッカ
ース硬度１８００ｋｇ／ｍｍ2 、曲げ強度３８ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度であり、いずれもＨＩＰ処理したアルミナ（ビ
ッカース硬度２１００ｋｇ／ｍｍ2 ）等の高硬度セラミ
ックに比べれば、硬度が低いために焼成後の加工が容易
であり、加工コストを低く抑えられる。一方、ガラス
（曲げ強度１０ｋｇ／ｍｍ2 、ビッカース硬度１０００
ｋｇ／ｍｍ2 以下）に比べて硬度及び強度が高いため、
表面に傷がつきにくく割れにくい記録媒体用ディスク基
板を得ることができる。
ース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 、曲げ強度３０ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度、透光性アルミナ焼結体の機械的物性はビッカ
ース硬度１８００ｋｇ／ｍｍ2 、曲げ強度３８ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度であり、いずれもＨＩＰ処理したアルミナ（ビ
ッカース硬度２１００ｋｇ／ｍｍ2 ）等の高硬度セラミ
ックに比べれば、硬度が低いために焼成後の加工が容易
であり、加工コストを低く抑えられる。一方、ガラス
（曲げ強度１０ｋｇ／ｍｍ2 、ビッカース硬度１０００
ｋｇ／ｍｍ2 以下）に比べて硬度及び強度が高いため、
表面に傷がつきにくく割れにくい記録媒体用ディスク基
板を得ることができる。
【００１９】また、本発明のＹＡＧ焼結体においてＸ線
回折の強度比を限定したのは以下の理由による。
回折の強度比を限定したのは以下の理由による。
【００２０】即ち、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｙ2 Ｏ3 系の結晶構造
は、３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 組成のざくろ石構造、Ｙ
2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 組成のペロブスカイト構造、及び２
Ｙ2Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 組成の単斜型構造の３種の化合物
の存在が知られており、これらの結晶構造はそれぞれ立
方晶、斜方晶及び単斜晶系に属したものである。そし
て、立方晶及び単斜型は安定相であるが、斜方晶のペロ
ブスカイト型化合物は準安定相である。
は、３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 組成のざくろ石構造、Ｙ
2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 組成のペロブスカイト構造、及び２
Ｙ2Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 組成の単斜型構造の３種の化合物
の存在が知られており、これらの結晶構造はそれぞれ立
方晶、斜方晶及び単斜晶系に属したものである。そし
て、立方晶及び単斜型は安定相であるが、斜方晶のペロ
ブスカイト型化合物は準安定相である。
【００２１】ここで、ＹＡＧは安定な立方晶であり、そ
れ故にボイドを小さく、少なくして透光性を有すること
ができるのである。このＹＡＧ焼結体中に、結晶系の違
う斜方晶や単斜晶の結晶が存在すればボイドが大きく、
かつ多くなって透光性も低下してしまうことになる。従
って、ＹＡＧ焼結体中に存在するＹＡＰやＹＡＭ等の結
晶系の違う化合物を極力減少させることが重要となる。
れ故にボイドを小さく、少なくして透光性を有すること
ができるのである。このＹＡＧ焼結体中に、結晶系の違
う斜方晶や単斜晶の結晶が存在すればボイドが大きく、
かつ多くなって透光性も低下してしまうことになる。従
って、ＹＡＧ焼結体中に存在するＹＡＰやＹＡＭ等の結
晶系の違う化合物を極力減少させることが重要となる。
【００２２】そこで、Ｘ線回折による分析において、Ｙ
ＡＧの面指数（４２０）の強度に対して、ＹＡＰの面指
数（１２１）＋ＹＡＭの面指数（−１２２）の強度の比
を１０％以下と少なくすれば、ボイドを小さく、少なく
できるのである。
ＡＧの面指数（４２０）の強度に対して、ＹＡＰの面指
数（１２１）＋ＹＡＭの面指数（−１２２）の強度の比
を１０％以下と少なくすれば、ボイドを小さく、少なく
できるのである。
【００２３】
【実施例】次に本発明実施例として記録媒体ディスク用
基板の一例である磁気ディスク用基板をＹＡＧ焼結体で
形成した例を説明する。
基板の一例である磁気ディスク用基板をＹＡＧ焼結体で
形成した例を説明する。
【００２４】純度が９９％以上、ＢＥＴ比表面積５ｍ2
／ｇ以上のＡｌ2 Ｏ3 粉末とＹ2 Ｏ 3 粉末を水で混合
し、バインダーとしてＰＶＡを加えスラリーを作製し
た。これをスプレードライヤーで造粒し、電気炉で１３
５０℃で仮焼した。これに溶媒として水と高純度アルミ
ナボールを加え回転ミルにて粉砕を行い、平均粒径（Ｄ
50）を２μｍ以下にした後、バインダーとしてＰＥＧ、
アクリル樹脂、ＰＶＡを添加し混合攪拌した。
／ｇ以上のＡｌ2 Ｏ3 粉末とＹ2 Ｏ 3 粉末を水で混合
し、バインダーとしてＰＶＡを加えスラリーを作製し
た。これをスプレードライヤーで造粒し、電気炉で１３
５０℃で仮焼した。これに溶媒として水と高純度アルミ
ナボールを加え回転ミルにて粉砕を行い、平均粒径（Ｄ
50）を２μｍ以下にした後、バインダーとしてＰＥＧ、
アクリル樹脂、ＰＶＡを添加し混合攪拌した。
【００２５】このスラリーを再度スプレードライヤーで
噴霧し造粒を行った。更に、この造粒体を金型プレス及
び冷間静水圧プレスを用い、２．５ｇ／ｃｍ3 以上の生
密度の成形体を作製した。この成形体を真空中１７００
〜１８８０℃で、好ましくは１８００〜１８６０℃で焼
成しＹＡＧ焼結体を得た。
噴霧し造粒を行った。更に、この造粒体を金型プレス及
び冷間静水圧プレスを用い、２．５ｇ／ｃｍ3 以上の生
密度の成形体を作製した。この成形体を真空中１７００
〜１８８０℃で、好ましくは１８００〜１８６０℃で焼
成しＹＡＧ焼結体を得た。
【００２６】このＹＡＧ焼結体をＸ線回折で分析したと
ころ、表１に示すように、前述のＹＡＧの面指数（４２
０）の強度に対する、ＹＡＰの面指数（１２１）＋ＹＡ
Ｍの面指数（−１２２）の強度比が０〜１５％であるＹ
ＡＧ焼結体を得ることができた。なお、Ｘ線回折による
ＹＡＧの面指数（４２０）のピークは２θ＝３３．３°
に、ＹＡＭの面指数（−１２１）のピークは２θ＝２
９．６°に、ＹＡＰの面指数（１２１）のピークは２θ
＝３４．３°にそれぞれ現れる。したがって、２θ＝３
０°近傍を拡大して分析し、上記各ピークの強度を測定
すれば容易に前述した強度比を求めることができる。
ころ、表１に示すように、前述のＹＡＧの面指数（４２
０）の強度に対する、ＹＡＰの面指数（１２１）＋ＹＡ
Ｍの面指数（−１２２）の強度比が０〜１５％であるＹ
ＡＧ焼結体を得ることができた。なお、Ｘ線回折による
ＹＡＧの面指数（４２０）のピークは２θ＝３３．３°
に、ＹＡＭの面指数（−１２１）のピークは２θ＝２
９．６°に、ＹＡＰの面指数（１２１）のピークは２θ
＝３４．３°にそれぞれ現れる。したがって、２θ＝３
０°近傍を拡大して分析し、上記各ピークの強度を測定
すれば容易に前述した強度比を求めることができる。
【００２７】このＹＡＧ焼結体をラップし、ポリッシュ
して磁気ディスク用基板を得た後、まず平均ボイド径と
対理論密度比を測定した。なお、平均ボイド径は、基板
の表面を画像回折装置（ルーゼックス製、ルーゼックス
５００型）で測定して求めた。
して磁気ディスク用基板を得た後、まず平均ボイド径と
対理論密度比を測定した。なお、平均ボイド径は、基板
の表面を画像回折装置（ルーゼックス製、ルーゼックス
５００型）で測定して求めた。
【００２８】次に、各磁気ディスク用基板上に、それぞ
れＣｏを含んだＦｅをターゲットとした反応スパッタリ
ングによってα−Ｆｅ2 Ｏ3 膜（厚さ０．２μｍ）を被
着し、次いで、Ｆｅ3 Ｏ4 膜に変換し、空気中にて３２
０℃で酸化してγ−Ｆｅ2 Ｏ3 膜に変換し、高密度磁気
ディスクを作成した。このようにして得られた磁気ディ
スクについて、浮上量０．２μｍで磁気ヘッドを浮上さ
せて使用テストを行い、信号エラー発生のあったものを
×、無かったものを○として評価した。
れＣｏを含んだＦｅをターゲットとした反応スパッタリ
ングによってα−Ｆｅ2 Ｏ3 膜（厚さ０．２μｍ）を被
着し、次いで、Ｆｅ3 Ｏ4 膜に変換し、空気中にて３２
０℃で酸化してγ−Ｆｅ2 Ｏ3 膜に変換し、高密度磁気
ディスクを作成した。このようにして得られた磁気ディ
スクについて、浮上量０．２μｍで磁気ヘッドを浮上さ
せて使用テストを行い、信号エラー発生のあったものを
×、無かったものを○として評価した。
【００２９】結果は表１に示す通りである。この結果よ
り、比較例であるＮｏ．６ではＸ線回折の強度比が１５
％と大きいため、平均ボイド径が３μｍを超え、対理論
密度比が９８％未満と低いことから、磁気ディスクとし
ての使用試験で信号エラーが発生しやすかった。
り、比較例であるＮｏ．６ではＸ線回折の強度比が１５
％と大きいため、平均ボイド径が３μｍを超え、対理論
密度比が９８％未満と低いことから、磁気ディスクとし
ての使用試験で信号エラーが発生しやすかった。
【００３０】これに対し、本発明実施例であるＮｏ．１
〜５では、Ｘ線回折の強度比を１０％以下としたことに
より、平均ボイド径１．５μｍ以下で対理論密度比９８
％以上とできることから、磁気ディスクとしての使用試
験で信号エラーが発生しなかった。また、Ｘ線回折の強
度比が小さいほど、平均ボイド径を小さく、対理論密度
比を大きくでき、より好ましい磁気ディスク用基板が得
られることがわかった。
〜５では、Ｘ線回折の強度比を１０％以下としたことに
より、平均ボイド径１．５μｍ以下で対理論密度比９８
％以上とできることから、磁気ディスクとしての使用試
験で信号エラーが発生しなかった。また、Ｘ線回折の強
度比が小さいほど、平均ボイド径を小さく、対理論密度
比を大きくでき、より好ましい磁気ディスク用基板が得
られることがわかった。
【００３１】
【表１】
【００３２】次に、透光性アルミナ焼結体を用いた磁気
ディスク用基板の実施例を説明する。
ディスク用基板の実施例を説明する。
【００３３】純度９９．９％以上で比表面積が３〜１５
ｍ／ｇのアルミナ粉末に０．１重量％以下のＭｇＯを添
加して水で混合し、回転ミルにて粉砕した後、有機バイ
ンダーを４〜７重量％加え、よく混合してスプレードラ
イヤーにて造粒した。
ｍ／ｇのアルミナ粉末に０．１重量％以下のＭｇＯを添
加して水で混合し、回転ミルにて粉砕した後、有機バイ
ンダーを４〜７重量％加え、よく混合してスプレードラ
イヤーにて造粒した。
【００３４】この粉末をプレス成形して生密度２．３ｇ
／ｃｍ3 以上の成形体を得た。次に大気中１０００〜１
２５０℃で仮焼し、その後真空炉で１６５０〜１７５０
℃の温度で焼結することによって透光性アルミナ焼結体
を得た。
／ｃｍ3 以上の成形体を得た。次に大気中１０００〜１
２５０℃で仮焼し、その後真空炉で１６５０〜１７５０
℃の温度で焼結することによって透光性アルミナ焼結体
を得た。
【００３５】この透光性アルミナ焼結体を前述のＹＡＧ
焼結体と同様に加工して磁気ディスク用基板を得た。こ
れを画像解析装置で測定して平均ボイド径を求め、対理
論密度比も求めた。次に、この基板を上記実施例と同じ
方法で磁気ディスクとしての評価を行い、信号エラーの
あったものを×なかったものを○とした。
焼結体と同様に加工して磁気ディスク用基板を得た。こ
れを画像解析装置で測定して平均ボイド径を求め、対理
論密度比も求めた。次に、この基板を上記実施例と同じ
方法で磁気ディスクとしての評価を行い、信号エラーの
あったものを×なかったものを○とした。
【００３６】結果を表２に示すように、Ｎｏ．２〜４の
焼成温度を１６５０〜１７５０℃の範囲内としたもの
は、対理論密度比が９８％以上で、平均ボイド径を０．
２〜１．５μｍとすることができ、磁気ディスク試験に
おいて信号エラーは全くなかった。
焼成温度を１６５０〜１７５０℃の範囲内としたもの
は、対理論密度比が９８％以上で、平均ボイド径を０．
２〜１．５μｍとすることができ、磁気ディスク試験に
おいて信号エラーは全くなかった。
【００３７】
【表２】
【００３８】次に、本発明のＹＡＧ焼結体または透光性
アルミナ焼結体からなる磁気ディスク用基板と、比較例
として他材料からなる磁気ディスク用基板について、平
均ボイド径とビッカース硬度を比較した結果を表３に示
す。
アルミナ焼結体からなる磁気ディスク用基板と、比較例
として他材料からなる磁気ディスク用基板について、平
均ボイド径とビッカース硬度を比較した結果を表３に示
す。
【００３９】この結果より、平均ボイド径について見て
みると、本発明のＹＡＧ焼結体または透光性アルミナ焼
結体からなる基板は、アルミナセラミックスやアルミニ
ウム等に比べて格段にボイド径を小さくでき、ＨＩＰ処
理を施したアルミナセラミックスと同程度のボイドレベ
ルであることがわかる。つまり、本発明のＹＡＧ焼結体
または透光性アルミナ焼結体からなる磁気ディスク用基
板は、従来のＨＩＰ処理を施したアルミナセラミックス
製基板と同程度のボイドレベルをＨＩＰ処理なしで達成
できるのである。
みると、本発明のＹＡＧ焼結体または透光性アルミナ焼
結体からなる基板は、アルミナセラミックスやアルミニ
ウム等に比べて格段にボイド径を小さくでき、ＨＩＰ処
理を施したアルミナセラミックスと同程度のボイドレベ
ルであることがわかる。つまり、本発明のＹＡＧ焼結体
または透光性アルミナ焼結体からなる磁気ディスク用基
板は、従来のＨＩＰ処理を施したアルミナセラミックス
製基板と同程度のボイドレベルをＨＩＰ処理なしで達成
できるのである。
【００４０】そのため、本発明の磁気ディスク用基板に
対してさらにＨＩＰ処理を行えば、よりボイドを小さく
してさらに高密度記録に対応することも可能である。
対してさらにＨＩＰ処理を行えば、よりボイドを小さく
してさらに高密度記録に対応することも可能である。
【００４１】また、ビッカース硬度について見てみる
と、本発明のＹＡＧ焼結体や透光性アルミナ焼結体はガ
ラスやアルミニウムよりも硬度が高いことから傷がつき
にくく、一方ＨＩＰしたアルミナセラミックスよりも硬
度が低いため、焼成後の加工が容易であり、磁気ディス
ク用基板として最適な硬度を有している。なお、このよ
うな効果を奏するためにはＹＡＧ焼結体のビッカース硬
度を１２００〜１４００ｋｇ／ｍｍ2 の範囲とすること
が好ましい。
と、本発明のＹＡＧ焼結体や透光性アルミナ焼結体はガ
ラスやアルミニウムよりも硬度が高いことから傷がつき
にくく、一方ＨＩＰしたアルミナセラミックスよりも硬
度が低いため、焼成後の加工が容易であり、磁気ディス
ク用基板として最適な硬度を有している。なお、このよ
うな効果を奏するためにはＹＡＧ焼結体のビッカース硬
度を１２００〜１４００ｋｇ／ｍｍ2 の範囲とすること
が好ましい。
【００４２】さらに、本発明のＹＡＧ焼結体または透光
性アルミナ焼結体からなる磁気ディスク用基板は透光性
を有するため、表面の傷等を容易に視認しやすい等の効
果もある。
性アルミナ焼結体からなる磁気ディスク用基板は透光性
を有するため、表面の傷等を容易に視認しやすい等の効
果もある。
【００４３】
【表３】
【００４４】なお、以上の実施例では磁気ディスク用基
板についてのみ述べたが、光ディスク用基板にも同様に
本発明を適用することができる。
板についてのみ述べたが、光ディスク用基板にも同様に
本発明を適用することができる。
【００４５】
【発明の効果】このように本発明によれば、Ｘ線回折の
強度において、ＹＡＧの面指数（４２０）の強度に対す
る、ＹＡＰの面指数（１２１）＋ＹＡＭの面指数（−１
２２）の強度比が１０％以下であり、平均ボイド径１．
５μｍ以下で、理論密度の９８％以上の密度を持つＹＡ
Ｇ焼結体で記録媒体ディスク用基板を構成したことによ
って、極めてボイドの少ない基板をＨＩＰ処理を施すこ
となく容易に得ることができる。
強度において、ＹＡＧの面指数（４２０）の強度に対す
る、ＹＡＰの面指数（１２１）＋ＹＡＭの面指数（−１
２２）の強度比が１０％以下であり、平均ボイド径１．
５μｍ以下で、理論密度の９８％以上の密度を持つＹＡ
Ｇ焼結体で記録媒体ディスク用基板を構成したことによ
って、極めてボイドの少ない基板をＨＩＰ処理を施すこ
となく容易に得ることができる。
【００４６】また本発明によれば、平均ボイド径１．５
μｍ以下で、理論密度の９８％以上の密度を持つＹＡＧ
焼結体で記録媒体ディスク用基板を構成したことによっ
て、極めてボイドの少ない基板をＨＩＰ処理を施すこと
なく容易に得ることができる。
μｍ以下で、理論密度の９８％以上の密度を持つＹＡＧ
焼結体で記録媒体ディスク用基板を構成したことによっ
て、極めてボイドの少ない基板をＨＩＰ処理を施すこと
なく容易に得ることができる。
【００４７】さらに、本発明の記録媒体ディスク用基板
は、適度な硬度を有することから加工が容易であり、磁
気記録媒体の形成時に基板自体に歪が発生せず、かつ基
板に加わる遠心力に対して基板自体が伸びることもな
い。
は、適度な硬度を有することから加工が容易であり、磁
気記録媒体の形成時に基板自体に歪が発生せず、かつ基
板に加わる遠心力に対して基板自体が伸びることもな
い。
【００４８】したがって、本発明によれば、正確に高密
度記録の書き込みや読み取りができる高信頼性の記録媒
体ディスク用基板を提供することができる。
度記録の書き込みや読み取りができる高信頼性の記録媒
体ディスク用基板を提供することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ線回折の強度において、Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12
の面指数（４２０）の強度に対する、ＹＡｌＯ3 の面指
数（１２１）とＹ4 Ａｌ2 Ｏ9 の面指数（−１２２）の
合計の強度比が１０％以下であるイットリウム−アルミ
ニウム−ガーネット焼結体から成ることを特徴とする記
録媒体ディスク用基板。 - 【請求項２】平均ボイド径１．５μｍ以下で、理論密度
の９８％以上の密度を持つイットリウム−アルミニウム
−ガーネット焼結体からなることを特徴とする記録媒体
ディスク用基板。 - 【請求項３】平均ボイド径１．５μｍ以下で、理論密度
の９８％以上の密度を持つ透光性アルミナ焼結体からな
ることを特徴とする記録媒体ディスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01481295A JP3502683B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 記録媒体ディスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01481295A JP3502683B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 記録媒体ディスク用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203119A true JPH08203119A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3502683B2 JP3502683B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=11871458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01481295A Expired - Fee Related JP3502683B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 記録媒体ディスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3502683B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| CN115443253A (zh) * | 2020-05-12 | 2022-12-06 | 日本钇股份有限公司 | 成膜用或烧结用粉末 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP01481295A patent/JP3502683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| CN115443253A (zh) * | 2020-05-12 | 2022-12-06 | 日本钇股份有限公司 | 成膜用或烧结用粉末 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3502683B2 (ja) | 2004-03-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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