JPH08204064A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08204064A JPH08204064A JP7009588A JP958895A JPH08204064A JP H08204064 A JPH08204064 A JP H08204064A JP 7009588 A JP7009588 A JP 7009588A JP 958895 A JP958895 A JP 958895A JP H08204064 A JPH08204064 A JP H08204064A
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- semiconductor chip
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの放熱性を大幅に向上させる。
【構成】 パッケージ６の中央部に位置するダイパッド
３の部分にはモールド樹脂による封止が行われておら
ず、穴７が設けられ、ダイパッド３の裏面が大気中に露
出した形状となっている。それにより、半導体チップ２
からの発熱を熱伝導性が低いパッケージ６を介さずに直
接大気中に放熱でき、半導体チップ６の放熱性を大幅に
向上することができる。
３の部分にはモールド樹脂による封止が行われておら
ず、穴７が設けられ、ダイパッド３の裏面が大気中に露
出した形状となっている。それにより、半導体チップ２
からの発熱を熱伝導性が低いパッケージ６を介さずに直
接大気中に放熱でき、半導体チップ６の放熱性を大幅に
向上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、樹脂モールド形パッケージの半導体装置における半
導体チップの放熱に適用して有効な技術に関するもので
ある。
に、樹脂モールド形パッケージの半導体装置における半
導体チップの放熱に適用して有効な技術に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス分野において
は、電子機器やシステムの軽量小型化、高性能化および
低コスト化する傾向にあり、これに対応するために半導
体装置の高速化、高集積化が図られている。
は、電子機器やシステムの軽量小型化、高性能化および
低コスト化する傾向にあり、これに対応するために半導
体装置の高速化、高集積化が図られている。
【０００３】また、これに伴って半導体装置の微細ピッ
チ化、多ピン化およびパッケージ形状の多様化などが急
進展している。
チ化、多ピン化およびパッケージ形状の多様化などが急
進展している。
【０００４】本発明者が検討したところによれば、前述
した要求に対応するパッケージ技術としては、半導体チ
ップが搭載されたリードフレームを樹脂によりモールド
成形したＱＦＰ形半導体装置が知られている。
した要求に対応するパッケージ技術としては、半導体チ
ップが搭載されたリードフレームを樹脂によりモールド
成形したＱＦＰ形半導体装置が知られている。
【０００５】なお、樹脂封止形パッケージの半導体装置
について詳しく記載されている例としては、日経ＢＰ
社、１９９３年５月３１日発行「実践講座 ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦監修があ
り、この文献には、樹脂封止形パッケージの半導体装置
における半導体チップから最終製品までの組立プロセス
が記載されている。
について詳しく記載されている例としては、日経ＢＰ
社、１９９３年５月３１日発行「実践講座 ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦監修があ
り、この文献には、樹脂封止形パッケージの半導体装置
における半導体チップから最終製品までの組立プロセス
が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な樹脂封止形パッケージの半導体装置では、次のような
問題点があることが本発明者により見い出された。
な樹脂封止形パッケージの半導体装置では、次のような
問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００７】すなわち、この種の半導体装置、たとえ
ば、ＱＦＰ形半導体装置に用いられる樹脂は熱伝導率が
低いために、半導体装置が高速化、高集積化および高消
費電力化となった場合に半導体装置それ自体の放熱性が
問題となってしまう。
ば、ＱＦＰ形半導体装置に用いられる樹脂は熱伝導率が
低いために、半導体装置が高速化、高集積化および高消
費電力化となった場合に半導体装置それ自体の放熱性が
問題となってしまう。
【０００８】本発明の目的は、半導体チップにおける放
熱性の良好な半導体装置を提供することにある。
熱性の良好な半導体装置を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明の半導体装置は、半導体
チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に放熱
する放熱手段を設けたものである。
チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に放熱
する放熱手段を設けたものである。
【００１２】また、本発明の半導体装置は、前記放熱手
段が半導体チップを搭載するダイパッドよりなるもので
ある。
段が半導体チップを搭載するダイパッドよりなるもので
ある。
【００１３】さらに、本発明の半導体装置は、前記放熱
手段の少なくとも一部が露出する放熱穴を半導体装置の
パッケージに設けたものである。
手段の少なくとも一部が露出する放熱穴を半導体装置の
パッケージに設けたものである。
【００１４】また、本発明の半導体装置は、パッケージ
から露出した前記放熱手段がパッケージの外側に設けら
れた熱拡散板と接合しているものである。
から露出した前記放熱手段がパッケージの外側に設けら
れた熱拡散板と接合しているものである。
【００１５】さらに、本発明の半導体装置は、モールド
樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半導体
装置よりなるものである。
樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半導体
装置よりなるものである。
【００１６】
【作用】上記した本発明の半導体装置によれば、半導体
チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に放熱
する放熱手段を設けたことにより、半導体チップの放熱
性を大幅に向上することができる。
チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に放熱
する放熱手段を設けたことにより、半導体チップの放熱
性を大幅に向上することができる。
【００１７】また、上記した本発明の半導体装置によれ
ば、該放熱手段を半導体チップを搭載するダイパッドと
し、そのダイパッドの少なくとも一部が露出する放熱穴
を半導体装置のパッケージに設けることにより、半導体
チップの放熱性を大幅に向上する放熱手段を容易に低コ
ストで設けることができる。
ば、該放熱手段を半導体チップを搭載するダイパッドと
し、そのダイパッドの少なくとも一部が露出する放熱穴
を半導体装置のパッケージに設けることにより、半導体
チップの放熱性を大幅に向上する放熱手段を容易に低コ
ストで設けることができる。
【００１８】さらに、上記した本発明の半導体装置によ
れば、パッケージから露出した放熱手段とパッケージの
外側に設けられた熱拡散板とを接合することにより、放
熱面積を増やすことができ、より大幅に半導体チップの
放熱性を向上させることができる。
れば、パッケージから露出した放熱手段とパッケージの
外側に設けられた熱拡散板とを接合することにより、放
熱面積を増やすことができ、より大幅に半導体チップの
放熱性を向上させることができる。
【００１９】また、上記した本発明の半導体装置によれ
ば、モールド樹脂により封止された樹脂モールド形パッ
ケージ半導体装置に前記放熱手段を用いることによって
より一層大幅に半導体チップの放熱性を向上させること
ができる。
ば、モールド樹脂により封止された樹脂モールド形パッ
ケージ半導体装置に前記放熱手段を用いることによって
より一層大幅に半導体チップの放熱性を向上させること
ができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２１】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よるＱＦＰ形半導体装置の断面図、図２は、本発明の実
施例１によるＱＦＰ形半導体装置の平面図、図３は、本
発明の実施例１によるＱＦＰ形半導体装置が成形される
モールド用金型の断面図、図４（ａ）は本発明の実施例
１によるＱＦＰ形半導体装置に設けられる熱拡散板の断
面図、（ｂ）はその平面図、図５は、本発明の実施例１
による熱拡散板が設けられたＱＦＰ形半導体装置の断面
図である。
よるＱＦＰ形半導体装置の断面図、図２は、本発明の実
施例１によるＱＦＰ形半導体装置の平面図、図３は、本
発明の実施例１によるＱＦＰ形半導体装置が成形される
モールド用金型の断面図、図４（ａ）は本発明の実施例
１によるＱＦＰ形半導体装置に設けられる熱拡散板の断
面図、（ｂ）はその平面図、図５は、本発明の実施例１
による熱拡散板が設けられたＱＦＰ形半導体装置の断面
図である。
【００２２】本実施例１において、ＱＦＰ形の半導体装
置１は、半導体チップ２が中央部に位置しており、その
半導体チップ２はダイパッド（放熱手段）３に搭載さ
れ、たとえば、シリコーンゴムなどの接着材（図示せ
ず）により接着固定されている。
置１は、半導体チップ２が中央部に位置しており、その
半導体チップ２はダイパッド（放熱手段）３に搭載さ
れ、たとえば、シリコーンゴムなどの接着材（図示せ
ず）により接着固定されている。
【００２３】また、半導体チップ２の外周部近傍には、
引き出し電極である複数のリード４が設けられており、
これらリード４および半導体チップ２の電極部がボンデ
ィングワイヤ５により電気的に接続されている。
引き出し電極である複数のリード４が設けられており、
これらリード４および半導体チップ２の電極部がボンデ
ィングワイヤ５により電気的に接続されている。
【００２４】さらに、半導体装置１のパッケージ６は、
樹脂封止された矩形状のパッケージ構造であり、パッケ
ージ２から突出した複数のリード４は、略クランク形状
に屈曲成形されている。
樹脂封止された矩形状のパッケージ構造であり、パッケ
ージ２から突出した複数のリード４は、略クランク形状
に屈曲成形されている。
【００２５】また、パッケージ６においては、図２に示
すように、パッケージ６の中央部に位置するダイパッド
３の部分にはモールド樹脂による封止が行われておら
ず、パッケージ６に穴（放熱穴）７が設けられ、ダイパ
ッド３の裏面が大気中に露出した形状となっている。
すように、パッケージ６の中央部に位置するダイパッド
３の部分にはモールド樹脂による封止が行われておら
ず、パッケージ６に穴（放熱穴）７が設けられ、ダイパ
ッド３の裏面が大気中に露出した形状となっている。
【００２６】それにより、大気中に露出したダイパッド
３の裏面は、半導体チップ２からの発熱を熱伝導性が低
いパッケージ６を介さずに直接大気中に放熱できるよう
になる。
３の裏面は、半導体チップ２からの発熱を熱伝導性が低
いパッケージ６を介さずに直接大気中に放熱できるよう
になる。
【００２７】次に、本実施例１のダイパッド３の裏面が
モールド樹脂によりモールドされていない形状のパッケ
ージ６を成形するモールド金型について説明する。
モールド樹脂によりモールドされていない形状のパッケ
ージ６を成形するモールド金型について説明する。
【００２８】まず、図３に示すように、パッケージ６を
成形するモールド金型は、上金型８と下金型９とからな
っている。
成形するモールド金型は、上金型８と下金型９とからな
っている。
【００２９】また、上金型８と下金型９には、半導体チ
ップ２を収容し、その中にモールド樹脂が注入されるキ
ャビティ１０が設けられている。
ップ２を収容し、その中にモールド樹脂が注入されるキ
ャビティ１０が設けられている。
【００３０】さらに、下金型９には、半導体装置１の中
央部におけるダイパッド３の位置する部分に突起部９ａ
が設けられ、この突起部９ａの表面がダイパッド３の裏
面と密着するようになっており、注入されたモールド樹
脂が入り込まないようになっている。
央部におけるダイパッド３の位置する部分に突起部９ａ
が設けられ、この突起部９ａの表面がダイパッド３の裏
面と密着するようになっており、注入されたモールド樹
脂が入り込まないようになっている。
【００３１】そして、ダイパッド３に搭載された半導体
チップ２は上金型８および下金型９によりリード４が挟
持されて、図示しないゲートを介してキャビティ１０に
モールド樹脂を注入して樹脂封止を行う。
チップ２は上金型８および下金型９によりリード４が挟
持されて、図示しないゲートを介してキャビティ１０に
モールド樹脂を注入して樹脂封止を行う。
【００３２】よって、ダイパッド３の裏面には、下金型
９の突起部９ａと密着していることによってモールド樹
脂による封止が行われずに穴７が成形され、ダイパッド
３の裏面が大気中に露出することになる。
９の突起部９ａと密着していることによってモールド樹
脂による封止が行われずに穴７が成形され、ダイパッド
３の裏面が大気中に露出することになる。
【００３３】そして、大気中に露出したダイパッド３に
より、半導体チップ２からの発熱を直接大気中に放熱で
き、半導体チップ２の放熱性を大幅に向上できる。
より、半導体チップ２からの発熱を直接大気中に放熱で
き、半導体チップ２の放熱性を大幅に向上できる。
【００３４】また、この半導体装置１は、図４（ａ),
（ｂ）に示す、たとえば、アルミニウムや銅などからな
る板状の熱拡散板１１を、図５に示すように、ダイパッ
ド３の露出した面に取り付けることにより、より放熱効
果を高めることができる。
（ｂ）に示す、たとえば、アルミニウムや銅などからな
る板状の熱拡散板１１を、図５に示すように、ダイパッ
ド３の露出した面に取り付けることにより、より放熱効
果を高めることができる。
【００３５】さらに、この熱拡散板１１は、パッケージ
６における穴７に嵌合する突出部１１ａが熱拡散板１１
の中央部に設けられており、この突出部１１ａと穴７と
を嵌合させ、熱拡散板の突出部１１ａにおける先端部の
表面とダイパッド３の裏面とを放熱性の高いシリコーン
ゴムなどの接着材１２により確実に密着させることによ
り固定する。
６における穴７に嵌合する突出部１１ａが熱拡散板１１
の中央部に設けられており、この突出部１１ａと穴７と
を嵌合させ、熱拡散板の突出部１１ａにおける先端部の
表面とダイパッド３の裏面とを放熱性の高いシリコーン
ゴムなどの接着材１２により確実に密着させることによ
り固定する。
【００３６】それによって、本実施例１によれば、大気
中に露出したダイパッド３により半導体チップ２の放熱
性を大幅に向上できる。
中に露出したダイパッド３により半導体チップ２の放熱
性を大幅に向上できる。
【００３７】また、ダイパッド３の裏面に熱拡散板１１
を密着させることにより放熱面積を増やすことができ、
より大幅に半導体チップ２の放熱性を向上できる。
を密着させることにより放熱面積を増やすことができ、
より大幅に半導体チップ２の放熱性を向上できる。
【００３８】さらに、本実施例１では、半導体装置１に
放熱効果を高めるために表面が板状の熱拡散板１１を設
けたが、たとえば、図６に示すように、表面が櫛歯状に
成形された熱拡散板１３を半導体装置１に設けるように
してもよい。
放熱効果を高めるために表面が板状の熱拡散板１１を設
けたが、たとえば、図６に示すように、表面が櫛歯状に
成形された熱拡散板１３を半導体装置１に設けるように
してもよい。
【００３９】また、この熱拡散板１３は、本実施例１と
同様に、パッケージ６の穴７に嵌合する突出部１３ａを
熱拡散板１３の中央部に設け、この突出部１３ａと穴７
とを嵌合させ、熱拡散板１３の突出部１３ａにおける先
端部の表面とダイパッド３の裏面とを放熱性の高いシリ
コーンゴムなどの接着材１２により確実に密着させるこ
とにより固定する。
同様に、パッケージ６の穴７に嵌合する突出部１３ａを
熱拡散板１３の中央部に設け、この突出部１３ａと穴７
とを嵌合させ、熱拡散板１３の突出部１３ａにおける先
端部の表面とダイパッド３の裏面とを放熱性の高いシリ
コーンゴムなどの接着材１２により確実に密着させるこ
とにより固定する。
【００４０】それによって、放熱面積を一層大幅に増や
すことができるので、半導体チップ２の放熱性をより一
層大幅に向上できる。
すことができるので、半導体チップ２の放熱性をより一
層大幅に向上できる。
【００４１】また、表面が櫛歯状となった熱拡散板１３
の場合、冷却風の向きによって櫛歯の向きを、より冷却
効率が高くなる方向に変えてパッケージ６に取り付ける
ことも可能である。
の場合、冷却風の向きによって櫛歯の向きを、より冷却
効率が高くなる方向に変えてパッケージ６に取り付ける
ことも可能である。
【００４２】（実施例２）図７は、本発明の実施例２に
よる十字溝が設けられた半導体装置の断面図、図８は、
本発明の実施例２による十字溝が設けられた半導体装置
の平面図、図９は、本発明の実施例２によるＱＦＰ形半
導体装置が成形されるモールド用金型の断面図、図１０
（ａ）は本発明の実施例２によるＱＦＰ形半導体装置に
設けられる熱拡散板の断面図、（ｂ）はその平面図であ
る。
よる十字溝が設けられた半導体装置の断面図、図８は、
本発明の実施例２による十字溝が設けられた半導体装置
の平面図、図９は、本発明の実施例２によるＱＦＰ形半
導体装置が成形されるモールド用金型の断面図、図１０
（ａ）は本発明の実施例２によるＱＦＰ形半導体装置に
設けられる熱拡散板の断面図、（ｂ）はその平面図であ
る。
【００４３】本実施例２においては、半導体装置１のパ
ッケージ６に、図７，８に示すように、パッケージ６の
平面方向に１個の十字形を構成する溝（放熱穴）７ａが
設けられている。
ッケージ６に、図７，８に示すように、パッケージ６の
平面方向に１個の十字形を構成する溝（放熱穴）７ａが
設けられている。
【００４４】また、この半導体装置１の中央部における
ダイパッド３の位置には、溝７ａによりダイパッド３の
裏面が露出する形状となっている。
ダイパッド３の位置には、溝７ａによりダイパッド３の
裏面が露出する形状となっている。
【００４５】さらに、溝７ａが設けられたパッケージ６
を形成するモールド金型について説明する。
を形成するモールド金型について説明する。
【００４６】このモールド金型は、図９に示すように、
下金型９の突出部９ｂがパッケージの平面方向に十字形
を構成するように設けられ、この突出部９ｂの中心部が
ダイパッド（放熱手段）３の裏面と密着しており、注入
されたモールド樹脂が入り込まないようになっている。
下金型９の突出部９ｂがパッケージの平面方向に十字形
を構成するように設けられ、この突出部９ｂの中心部が
ダイパッド（放熱手段）３の裏面と密着しており、注入
されたモールド樹脂が入り込まないようになっている。
【００４７】そして、ダイパッド３に搭載された半導体
チップ２は上金型８および下金型９によりリード４が挟
持され、図示しないゲートを介してキャビティ１０にモ
ールド樹脂を注入して樹脂封止を行う。
チップ２は上金型８および下金型９によりリード４が挟
持され、図示しないゲートを介してキャビティ１０にモ
ールド樹脂を注入して樹脂封止を行う。
【００４８】それにより、下金型９に設けられた突起部
９ｂの部分はモールド樹脂による封止が行われないの
で、ダイパッド３の裏面が露出し、パッケージ６の平面
方向に十字形が形成される溝７ａが設けられることにな
る。
９ｂの部分はモールド樹脂による封止が行われないの
で、ダイパッド３の裏面が露出し、パッケージ６の平面
方向に十字形が形成される溝７ａが設けられることにな
る。
【００４９】よって、このパッケージに設けられた溝７
ａにより、大気中に露出したダイパッド３に冷却風が効
率よく当たるようになる。また、この溝７ａは、パッケ
ージ６の平面方向に形成された十字形のうち、いずれか
一方方向の溝（図示せず）だけを形成するようにしても
よい。
ａにより、大気中に露出したダイパッド３に冷却風が効
率よく当たるようになる。また、この溝７ａは、パッケ
ージ６の平面方向に形成された十字形のうち、いずれか
一方方向の溝（図示せず）だけを形成するようにしても
よい。
【００５０】さらに、十字形の溝７ａにより冷却風の送
風方向がどの向きであっても、溝７ａに沿ってダイパッ
ド３の裏面に冷却風を当てることができるので効率よく
半導体チップ２を放熱できる。
風方向がどの向きであっても、溝７ａに沿ってダイパッ
ド３の裏面に冷却風を当てることができるので効率よく
半導体チップ２を放熱できる。
【００５１】それにより、本実施例２では、大気中に露
出したダイパッド３により半導体チップ２の放熱性を大
幅に向上でき、パッケージに設けた十字形の溝７ａによ
り、冷却風の風向きに関係なく半導体チップ２の放熱性
を向上できる。
出したダイパッド３により半導体チップ２の放熱性を大
幅に向上でき、パッケージに設けた十字形の溝７ａによ
り、冷却風の風向きに関係なく半導体チップ２の放熱性
を向上できる。
【００５２】また、溝７ａが設けられた半導体装置１に
も、たとえば、図１０（ａ),（ｂ）に示すような熱拡散
板１４を設けることにより、半導体チップ２の放熱性を
より一層大幅に向上できる。
も、たとえば、図１０（ａ),（ｂ）に示すような熱拡散
板１４を設けることにより、半導体チップ２の放熱性を
より一層大幅に向上できる。
【００５３】この熱拡散板１４には、パッケージ６に設
けられた十字形の溝７ａのどちらか一方の方向の溝に嵌
合する突出部１４ａを設け、この突出部１４ａと溝７ａ
のどちらか一方の溝と嵌合させ、突出部１４ａの表面と
嵌合させる溝７ａのどちらか一方の溝とに、シリコーン
ゴムなどの接着材（図示せず）を塗布して固定する。
けられた十字形の溝７ａのどちらか一方の方向の溝に嵌
合する突出部１４ａを設け、この突出部１４ａと溝７ａ
のどちらか一方の溝と嵌合させ、突出部１４ａの表面と
嵌合させる溝７ａのどちらか一方の溝とに、シリコーン
ゴムなどの接着材（図示せず）を塗布して固定する。
【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５５】たとえば、前記実施例１，２における熱拡
散板１１，１３は、半導体チップ２の発熱量や半導体装
置１の外部雰囲気温度などに応じて熱拡散板１１，１３
の大きさや形状を変えるようにしても良好な放熱を行う
ことができる。
散板１１，１３は、半導体チップ２の発熱量や半導体装
置１の外部雰囲気温度などに応じて熱拡散板１１，１３
の大きさや形状を変えるようにしても良好な放熱を行う
ことができる。
【００５６】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５７】（１）本発明によれば、放熱手段が半導体
装置のパッケージから露出して、直接大気中に放熱する
ことができるので、半導体チップの放熱性を大幅に向上
できる。
装置のパッケージから露出して、直接大気中に放熱する
ことができるので、半導体チップの放熱性を大幅に向上
できる。
【００５８】（２）また、本発明では、パッケージから
露出した放熱手段を熱拡散板などに接合させることによ
り、一層大幅に半導体チップの放熱性を向上できる。
露出した放熱手段を熱拡散板などに接合させることによ
り、一層大幅に半導体チップの放熱性を向上できる。
【００５９】（３）さらに、本発明においては、上記
（１),（２）により、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができ、パーソナルコンピュータやワークステーショ
ンなどの高放熱タイプの半導体装置を必要とする製品の
信頼性も向上することができる。
（１),（２）により、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができ、パーソナルコンピュータやワークステーショ
ンなどの高放熱タイプの半導体装置を必要とする製品の
信頼性も向上することができる。
【００６０】（４）また、本発明によれば、放熱手段が
ダイパッドそれ自体であるので、放熱手段を容易に低コ
ストで半導体装置に設けることができる。
ダイパッドそれ自体であるので、放熱手段を容易に低コ
ストで半導体装置に設けることができる。
【図１】本発明の実施例１によるＱＦＰ形半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施例１によるＱＦＰ形半導体装置の
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の実施例１によるＱＦＰ形半導体装置が
成形されるモールド用金型の断面図である。
成形されるモールド用金型の断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の実施例１によるＱＦＰ形半導
体装置に設けられる熱拡散板の断面図、（ｂ）はその平
面図である。
体装置に設けられる熱拡散板の断面図、（ｂ）はその平
面図である。
【図５】本発明の実施例１による熱拡散板が設けられた
ＱＦＰ形半導体装置の断面図である。
ＱＦＰ形半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の他の実施例による熱拡散板が設けられ
たＱＦＰ形半導体装置の断面図である。
たＱＦＰ形半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の実施例２による十字溝が設けられた半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図８】本発明の実施例２による十字溝が設けられた半
導体装置の平面図である。
導体装置の平面図である。
【図９】本発明の実施例２によるＱＦＰ形半導体装置が
成形されるモールド用金型の断面図である。
成形されるモールド用金型の断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明の実施例２によるＱＦＰ形半
導体装置に設けられる熱拡散板の断面図、（ｂ）はその
平面図である。
導体装置に設けられる熱拡散板の断面図、（ｂ）はその
平面図である。
１ 半導体装置 ２ 半導体チップ ３ ダイパッド（放熱手段） ４ リード ５ ボンディングワイヤ ６ パッケージ ７ 穴（放熱穴） ７ａ 溝（放熱穴） ８ 上金型 ９ 下金型 ９ａ 突起部 ９ｂ 突出部 １０ キャビティ １１ 熱拡散板 １１ａ 突出部 １２ 接着材 １３ 熱拡散板 １３ａ 突出部 １４ 熱拡散板 １４ａ 突出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齊藤 孝樹 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 本多 厚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップの発熱をパッケージを介さ
ずに直接大気中に放熱する放熱手段を設けたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記放熱手段が、前記半導体チップを搭載するダイパッド
であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、前
記放熱手段の少なくとも一部が露出する放熱穴を前記半
導体装置のパッケージに設けたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体装置
において、前記パッケージから露出した前記放熱手段
が、前記パッケージの外側に設けられた熱拡散板と接合
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、モールド樹脂により封止された樹脂
モールド形パッケージ半導体装置であることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009588A JPH08204064A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009588A JPH08204064A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204064A true JPH08204064A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11724492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7009588A Pending JPH08204064A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204064A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7808085B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-10-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and mold for resin-molding semiconductor device |
| DE102010038826A1 (de) | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| JP2013170997A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Denso Corp | 流量センサ |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP7009588A patent/JPH08204064A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7808085B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-10-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and mold for resin-molding semiconductor device |
| DE102010038826A1 (de) | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| US8304882B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-11-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
| US8313986B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-11-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing power semiconductor device |
| DE102010038826B4 (de) | 2009-08-27 | 2021-09-16 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| JP2013170997A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Denso Corp | 流量センサ |
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