JPH08204231A - 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイ及びその製造方法Info
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- JPH08204231A JPH08204231A JP942095A JP942095A JPH08204231A JP H08204231 A JPH08204231 A JP H08204231A JP 942095 A JP942095 A JP 942095A JP 942095 A JP942095 A JP 942095A JP H08204231 A JPH08204231 A JP H08204231A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光ダイオードアレイの発光効率と寿命の向
上を図り得る発光ダイオードアレイ及びその製造方法を
提供する。 【構成】 ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に拡散
してなる発光ダイオードアレイにおいて、拡散領域内の
一部に形成される接合深さの浅い拡散層１３ｂと、この
接合深さの浅い拡散層１３ｂの周囲に形成される接合深
さの深い拡散層１３ａと、前記接合深さの浅い拡散層１
３ｂにコンタクトをとるｐ側電極としてのＡｌ電極１４
とを設ける。
上を図り得る発光ダイオードアレイ及びその製造方法を
提供する。 【構成】 ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に拡散
してなる発光ダイオードアレイにおいて、拡散領域内の
一部に形成される接合深さの浅い拡散層１３ｂと、この
接合深さの浅い拡散層１３ｂの周囲に形成される接合深
さの深い拡散層１３ａと、前記接合深さの浅い拡散層１
３ｂにコンタクトをとるｐ側電極としてのＡｌ電極１４
とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードアレイ
及びその製造方法に関するものである。
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような発光ダイオードアレイ
としては、以下に示すようなものがあった。図５はかか
る従来の発光ダイオードアレイの平面図、図６はその発
光ダイオードアレイの断面図であり、図６（ａ）は図５
のａ−ａ線断面図、図６（ｂ）は図５のｂ−ｂ線断面図
である。
としては、以下に示すようなものがあった。図５はかか
る従来の発光ダイオードアレイの平面図、図６はその発
光ダイオードアレイの断面図であり、図６（ａ）は図５
のａ−ａ線断面図、図６（ｂ）は図５のｂ−ｂ線断面図
である。
【０００３】これらの図に示すように、発光ダイオード
アレイは、選択拡散により基板５４上にアレイ状に形成
したｐ−ｎ接合とｐ側電極５２などから構成される。選
択拡散により形成するＰ型拡散層５３の深さ（接合深
さ）は通常均一な深さである。一般的に発光強度は接合
深さに依存するので光量が最大となるような深さに設定
している。なお、図において、５１は拡散防止膜、５５
はｎ側電極である。
アレイは、選択拡散により基板５４上にアレイ状に形成
したｐ−ｎ接合とｐ側電極５２などから構成される。選
択拡散により形成するＰ型拡散層５３の深さ（接合深
さ）は通常均一な深さである。一般的に発光強度は接合
深さに依存するので光量が最大となるような深さに設定
している。なお、図において、５１は拡散防止膜、５５
はｎ側電極である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＬＥＤアレイでは、順方向に電圧を印加した場
合、電極直下に電流の多くが供給され電極直下の接合か
らの発光強度が他の領域に比べて強くなる。しかし、電
極直下の接合からの発光は電極により遮光されるので、
外部に取り出す光量には寄与しない。
た従来のＬＥＤアレイでは、順方向に電圧を印加した場
合、電極直下に電流の多くが供給され電極直下の接合か
らの発光強度が他の領域に比べて強くなる。しかし、電
極直下の接合からの発光は電極により遮光されるので、
外部に取り出す光量には寄与しない。
【０００５】また、電極直下に電流が集中する場合に
は、欠陥成長の要因となり寿命が短くなる。本発明は、
上記問題点を除去し、発光ダイオードアレイの発光効率
と寿命の向上を図り得る発光ダイオードアレイ及びその
製造方法を提供することを目的とする。
は、欠陥成長の要因となり寿命が短くなる。本発明は、
上記問題点を除去し、発光ダイオードアレイの発光効率
と寿命の向上を図り得る発光ダイオードアレイ及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に拡散して
なる発光ダイオードアレイにおいて、拡散領域内の一部
に形成される接合深さの浅い拡散層と、この接合深さの
浅い拡散層の周囲に形成される接合深さの深い拡散層
と、前記接合深さの浅い拡散層にコンタクトをとるｐ側
電極とを設けるようにしたものである。
成するために、 （１）ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に拡散して
なる発光ダイオードアレイにおいて、拡散領域内の一部
に形成される接合深さの浅い拡散層と、この接合深さの
浅い拡散層の周囲に形成される接合深さの深い拡散層
と、前記接合深さの浅い拡散層にコンタクトをとるｐ側
電極とを設けるようにしたものである。
【０００７】（２）ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択
的に拡散してなる発光ダイオードアレイの製造方法にお
いて、拡散開口部内に深さの異なる接合領域を形成する
工程と、接合深さの浅い領域へｐ側電極のコンタクトを
とる工程とを施すようにしたものである。 （３）ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に拡散して
なる発光ダイオードアレイの製造方法において、拡散開
口部内の中央部に張り出す拡散防止膜を形成し、横方向
拡散による拡散層を形成する工程と、前記拡散防止膜を
除去し、この拡散防止膜が除去された領域にｐ側電極の
コンタクトをとる工程とを施すようにしたものである。
的に拡散してなる発光ダイオードアレイの製造方法にお
いて、拡散開口部内に深さの異なる接合領域を形成する
工程と、接合深さの浅い領域へｐ側電極のコンタクトを
とる工程とを施すようにしたものである。 （３）ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に拡散して
なる発光ダイオードアレイの製造方法において、拡散開
口部内の中央部に張り出す拡散防止膜を形成し、横方向
拡散による拡散層を形成する工程と、前記拡散防止膜を
除去し、この拡散防止膜が除去された領域にｐ側電極の
コンタクトをとる工程とを施すようにしたものである。
【０００８】
（Ａ）上記（１）記載の発光ダイオードアレイによれ
ば、拡散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散
層と、この接合深さの浅い拡散層の周囲に形成される接
合深さの深い拡散層と、前記接合深さの浅い拡散層にコ
ンタクトをとるｐ側電極とを設けるようにしたので、発
光ダイオードアレイの発光効率と寿命の向上を図ること
ができる。
ば、拡散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散
層と、この接合深さの浅い拡散層の周囲に形成される接
合深さの深い拡散層と、前記接合深さの浅い拡散層にコ
ンタクトをとるｐ側電極とを設けるようにしたので、発
光ダイオードアレイの発光効率と寿命の向上を図ること
ができる。
【０００９】（Ｂ）上記（２）記載の発光ダイオードア
レイの製造方法によれば、相対的にシート抵抗の高い、
浅い拡散領域にｐ側電極のコンタクトを形成するように
したので、光が遮光される電極直下の接合よりも周囲の
接合領域へ電流が流れ、効率よく光を取り出すことがで
きる。また、電極直下への電流集中も緩和され、寿命の
向上を図ることができる。
レイの製造方法によれば、相対的にシート抵抗の高い、
浅い拡散領域にｐ側電極のコンタクトを形成するように
したので、光が遮光される電極直下の接合よりも周囲の
接合領域へ電流が流れ、効率よく光を取り出すことがで
きる。また、電極直下への電流集中も緩和され、寿命の
向上を図ることができる。
【００１０】（Ｃ）上記（３）記載の発光ダイオードア
レイの製造方法によれば、横方向拡散により拡散開口部
内に形成した相対的にＺｎ濃度の低い部分をｐ側電極コ
ンタクト領域とするので、発光効率の向上と寿命の向上
を図ることができる。
レイの製造方法によれば、横方向拡散により拡散開口部
内に形成した相対的にＺｎ濃度の低い部分をｐ側電極コ
ンタクト領域とするので、発光効率の向上と寿命の向上
を図ることができる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例について図を参照しながら説
明する。図１は本発明の第１実施例を示す発光ダイオー
ドアレイの平面図、図２はその発光ダイオードアレイの
断面図である。これらの図に示すように、ｐ側電極１４
直下の接合深さ（ｘｊ）1 の浅い拡散層１３ｂと、その
周囲の接合深さ（ｘｊ）2 の深い拡散層１３ａとからな
るＺｎ拡散層１３を有している。
明する。図１は本発明の第１実施例を示す発光ダイオー
ドアレイの平面図、図２はその発光ダイオードアレイの
断面図である。これらの図に示すように、ｐ側電極１４
直下の接合深さ（ｘｊ）1 の浅い拡散層１３ｂと、その
周囲の接合深さ（ｘｊ）2 の深い拡散層１３ａとからな
るＺｎ拡散層１３を有している。
【００１２】例えば、（Ｘｊ)1は略１μｍ、（Ｘｊ)2は
略５μｍとする。後で述べるように気相拡散によりＺｎ
低濃度拡散した場合、（Ｘｊ)2が略５μｍ程度の均一な
拡散深さのＬＥＤを作製した場合、発光量は最大とな
り、（Ｘｊ)1略１μｍ程度の拡散深さでは約１／１０の
発光量となることを実験的に確認している。このような
構造にすることにより、ｐ側電極１４直下に比べ、周辺
部位の抵抗が低くなるので、順方向に電圧を印加した場
合、ｐ側電極１４より供給する電流はｐ側電極１４直下
の領域よりむしろｐ側電極１４周辺の領域を流れ易くな
る。すなわち、ｐ側電極１４により遮光されない領域の
接合へ効率よくキャリアが注入されて効率よく光を取り
出すことができる。逆に、ｐ側電極１４直下の接合へは
供給される電流が減少し、外に取り出せない光量は減少
する。一方、ｐ側電極１４直下に電流が集中することも
ないので、寿命の観点からも性能の向上を図ることがで
きる。なお、１１はｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャ
ル基板、１２は拡散防止膜（Ａｌ2 Ｏ3 膜）、１５はｎ
側電極としてのＡｕ合金電極である。
略５μｍとする。後で述べるように気相拡散によりＺｎ
低濃度拡散した場合、（Ｘｊ)2が略５μｍ程度の均一な
拡散深さのＬＥＤを作製した場合、発光量は最大とな
り、（Ｘｊ)1略１μｍ程度の拡散深さでは約１／１０の
発光量となることを実験的に確認している。このような
構造にすることにより、ｐ側電極１４直下に比べ、周辺
部位の抵抗が低くなるので、順方向に電圧を印加した場
合、ｐ側電極１４より供給する電流はｐ側電極１４直下
の領域よりむしろｐ側電極１４周辺の領域を流れ易くな
る。すなわち、ｐ側電極１４により遮光されない領域の
接合へ効率よくキャリアが注入されて効率よく光を取り
出すことができる。逆に、ｐ側電極１４直下の接合へは
供給される電流が減少し、外に取り出せない光量は減少
する。一方、ｐ側電極１４直下に電流が集中することも
ないので、寿命の観点からも性能の向上を図ることがで
きる。なお、１１はｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャ
ル基板、１２は拡散防止膜（Ａｌ2 Ｏ3 膜）、１５はｎ
側電極としてのＡｕ合金電極である。
【００１３】以下、本発明の第１実施例を示す発光ダイ
オードアレイの製造方法について説明する。図３はその
発光ダイオード（発光ダイオードアレイの発光部）の概
略平面図、図４はその発光ダイオードの製造工程断面図
である。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、ｎ型化合物半導
体基板、例えばｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基
板２１にＺｎ選択拡散のための拡散防止膜２２、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 膜を２０００Å膜付けし、アレイ状に拡散開
口部２２ａを形成する。その次に電極パターンにあわせ
て、拡散制御膜２３、例えばＡｌ2 Ｏ3膜を１００Å膜
付けし、ホトリソグラフィーによりパターニングする。
この時、横方向拡散距離を考慮して拡散制御膜のパター
ン形成を設定する。
オードアレイの製造方法について説明する。図３はその
発光ダイオード（発光ダイオードアレイの発光部）の概
略平面図、図４はその発光ダイオードの製造工程断面図
である。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、ｎ型化合物半導
体基板、例えばｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基
板２１にＺｎ選択拡散のための拡散防止膜２２、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 膜を２０００Å膜付けし、アレイ状に拡散開
口部２２ａを形成する。その次に電極パターンにあわせ
て、拡散制御膜２３、例えばＡｌ2 Ｏ3膜を１００Å膜
付けし、ホトリソグラフィーによりパターニングする。
この時、横方向拡散距離を考慮して拡散制御膜のパター
ン形成を設定する。
【００１４】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、気
相拡散において基板表面保護のための拡散保護膜２４、
例えばＰＳＧ膜１５０Åを膜付けし、Ｚｎを含む化合物
あるいは混合物をガス源とし、封管法によりＺｎを拡散
する。例えば、７５０℃、６時間のアニールにより、拡
散開口部２２ａの拡散深さとして約５μｍ、拡散制御膜
２３下の領域で約１μｍの拡散深さの接合が形成され
る。この拡散工程ではＺｎ表面濃度に概ね次のような制
限を加えることが望ましい。
相拡散において基板表面保護のための拡散保護膜２４、
例えばＰＳＧ膜１５０Åを膜付けし、Ｚｎを含む化合物
あるいは混合物をガス源とし、封管法によりＺｎを拡散
する。例えば、７５０℃、６時間のアニールにより、拡
散開口部２２ａの拡散深さとして約５μｍ、拡散制御膜
２３下の領域で約１μｍの拡散深さの接合が形成され
る。この拡散工程ではＺｎ表面濃度に概ね次のような制
限を加えることが望ましい。
【００１５】接合深さの浅い拡散層２５ｂで５×１０18
ｃｍ-3＜ＮS ＜１×１０19ｃｍ-3が望ましい。これは、
電極のオーミックコンタクトが良好にとれ、かつ電極直
下の領域の抵抗が拡散開口部２２ａ内のその他の領域の
抵抗より大きくなるようにするためである。例えば、こ
のような値になるように接合深さの浅い拡散層２５ｂを
形成すれば周囲の接合深さの深い拡散層２５ａの抵抗に
比べ１０倍以上のシート抵抗となり、電極より供給され
る大部分の電流は電極直下以外の接合領域へ流れるよう
にすることができる。
ｃｍ-3＜ＮS ＜１×１０19ｃｍ-3が望ましい。これは、
電極のオーミックコンタクトが良好にとれ、かつ電極直
下の領域の抵抗が拡散開口部２２ａ内のその他の領域の
抵抗より大きくなるようにするためである。例えば、こ
のような値になるように接合深さの浅い拡散層２５ｂを
形成すれば周囲の接合深さの深い拡散層２５ａの抵抗に
比べ１０倍以上のシート抵抗となり、電極より供給され
る大部分の電流は電極直下以外の接合領域へ流れるよう
にすることができる。
【００１６】（３）次に、図４（ｃ）に示すように、拡
散制御膜２３と拡散保護膜２４を除去した後、接合深さ
の浅い拡散層２５ｂにｐ側電極であるＡｌ電極２６を形
成する。また、基板裏面は研磨後、ｎ側電極であるＡｕ
合金電極２７を形成して完成する。上記実施例では拡散
制御膜２３により形成した接合深さの浅い拡散層２５ｂ
にＡｌ電極２６のコンタクトをとる例を述べたが、電極
形状によっては横方向の拡散を利用することも可能であ
る。
散制御膜２３と拡散保護膜２４を除去した後、接合深さ
の浅い拡散層２５ｂにｐ側電極であるＡｌ電極２６を形
成する。また、基板裏面は研磨後、ｎ側電極であるＡｕ
合金電極２７を形成して完成する。上記実施例では拡散
制御膜２３により形成した接合深さの浅い拡散層２５ｂ
にＡｌ電極２６のコンタクトをとる例を述べたが、電極
形状によっては横方向の拡散を利用することも可能であ
る。
【００１７】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図７は本発明の第２実施例を示す発光ダイオード
（発光ダイオードアレイの発光部）の第１工程の概略平
面図、図８はその発光ダイオードの第１製造工程の断面
図であり、図８（ａ）は図７のａ−ａ線断面図、図８
（ｂ）は図７のｂ−ｂ線断面図、図９はその発光ダイオ
ードの第２製造工程の説明図であり、図９（ａ）は図７
のａ−ａ線に沿った断面図、図９（ａ）は図７のｂ−ｂ
線に沿った断面図、図１０はその発光ダイオードの第３
製造工程の説明図であり、図１０（ａ）は図７のｂ−ｂ
線に沿った断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の平面
図である。
る。図７は本発明の第２実施例を示す発光ダイオード
（発光ダイオードアレイの発光部）の第１工程の概略平
面図、図８はその発光ダイオードの第１製造工程の断面
図であり、図８（ａ）は図７のａ−ａ線断面図、図８
（ｂ）は図７のｂ−ｂ線断面図、図９はその発光ダイオ
ードの第２製造工程の説明図であり、図９（ａ）は図７
のａ−ａ線に沿った断面図、図９（ａ）は図７のｂ−ｂ
線に沿った断面図、図１０はその発光ダイオードの第３
製造工程の説明図であり、図１０（ａ）は図７のｂ−ｂ
線に沿った断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の平面
図である。
【００１８】以下、その発光ダイオードの製造方法を説
明する。 （１）図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基板３１へ拡散防止膜
（Ａｌ2 Ｏ3 膜）３２を２０００Å膜付けし、拡散開口
部３２ａ及び電極パターン形状にあわせて拡散防止膜で
あるＡｌ2 Ｏ3 膜パターン（張り出し部）３３をホトリ
ソグラフィーにより形成する。この場合は、電極幅が拡
散深さの２倍よりも幅の狭い電極が望ましい。
明する。 （１）図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基板３１へ拡散防止膜
（Ａｌ2 Ｏ3 膜）３２を２０００Å膜付けし、拡散開口
部３２ａ及び電極パターン形状にあわせて拡散防止膜で
あるＡｌ2 Ｏ3 膜パターン（張り出し部）３３をホトリ
ソグラフィーにより形成する。この場合は、電極幅が拡
散深さの２倍よりも幅の狭い電極が望ましい。
【００１９】（２）次に、図９（ａ）及び図９（ｂ）に
示すように、拡散保護膜３４を膜付けした後、封管法に
よる気相拡散によりＺｎ拡散領域３５を形成する。 （３）次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すよう
に、拡散保護膜３４除去後、前工程で拡散開口部３２ａ
内の一部領域に、横方向拡散により形成した部分にあわ
せてｐ側電極であるＡｌ電極３６のコンタクトを形成す
る。後の工程は第１実施例と同様なので省略する。この
場合、Ａｌ電極３６のコンタクト幅は前記横方向拡散に
より形成したＡｌ2 Ｏ3 膜パターン（張り出し部）３３
の幅より狭いことが望ましい。
示すように、拡散保護膜３４を膜付けした後、封管法に
よる気相拡散によりＺｎ拡散領域３５を形成する。 （３）次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すよう
に、拡散保護膜３４除去後、前工程で拡散開口部３２ａ
内の一部領域に、横方向拡散により形成した部分にあわ
せてｐ側電極であるＡｌ電極３６のコンタクトを形成す
る。後の工程は第１実施例と同様なので省略する。この
場合、Ａｌ電極３６のコンタクト幅は前記横方向拡散に
より形成したＡｌ2 Ｏ3 膜パターン（張り出し部）３３
の幅より狭いことが望ましい。
【００２０】以上、第１及び第２実施例では気相拡散に
よるＺｎ拡散の例を述べたが、固相拡散によるＺｎ拡散
でもよい。図１１及び図１２はその固相拡散によるＺｎ
拡散の説明図である。例えば、図１１に示すように、拡
散源膜（ＺｎドープＳｉＯ2 膜）４２の下にＳｉＯ2 膜
４１を設け、ｎ型化合物半導体基板４０にＺｎ拡散す
る。なお、４３はアニールキャップである。あるいは、
図１２に示すように、Ｚｎドープ量の低い拡散源膜（Ｓ
ｉＯ2 ）４６を部分的に用いるような例が可能である。
なお、４７はＺｎドープ量の高い拡散源膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）、４８はアニールキャップである。ただし、この
場合でも電極下のｎ型化合物半導体基板４５表面のＺｎ
濃度が周囲のＺｎ濃度より低くなるように条件を選択す
る必要がある。
よるＺｎ拡散の例を述べたが、固相拡散によるＺｎ拡散
でもよい。図１１及び図１２はその固相拡散によるＺｎ
拡散の説明図である。例えば、図１１に示すように、拡
散源膜（ＺｎドープＳｉＯ2 膜）４２の下にＳｉＯ2 膜
４１を設け、ｎ型化合物半導体基板４０にＺｎ拡散す
る。なお、４３はアニールキャップである。あるいは、
図１２に示すように、Ｚｎドープ量の低い拡散源膜（Ｓ
ｉＯ2 ）４６を部分的に用いるような例が可能である。
なお、４７はＺｎドープ量の高い拡散源膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）、４８はアニールキャップである。ただし、この
場合でも電極下のｎ型化合物半導体基板４５表面のＺｎ
濃度が周囲のＺｎ濃度より低くなるように条件を選択す
る必要がある。
【００２１】また、上記実施例では電極と基板間に一層
のＡｌ2 Ｏ3 膜が存在する例について述べたが異種材料
の膜を積層して層間絶縁膜としても効果は変わらないこ
とは明らかである。また、ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX 基板以
外のＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体
基板へＺｎを拡散して製造するＬＥＤアレイに対して
も、本発明が適用できることも明らかである。
のＡｌ2 Ｏ3 膜が存在する例について述べたが異種材料
の膜を積層して層間絶縁膜としても効果は変わらないこ
とは明らかである。また、ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX 基板以
外のＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体
基板へＺｎを拡散して製造するＬＥＤアレイに対して
も、本発明が適用できることも明らかである。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、拡散領域内の一部
に形成される接合深さの浅い拡散層と、この接合深さの
浅い拡散層の周囲に形成される接合深さの深い拡散層
と、前記接合深さの浅い拡散層にコンタクトをとるｐ側
電極とを設けるようにしたので、発光ダイオードアレイ
の発光効率と寿命の向上を図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、拡散領域内の一部
に形成される接合深さの浅い拡散層と、この接合深さの
浅い拡散層の周囲に形成される接合深さの深い拡散層
と、前記接合深さの浅い拡散層にコンタクトをとるｐ側
電極とを設けるようにしたので、発光ダイオードアレイ
の発光効率と寿命の向上を図ることができる。
【００２４】（２）請求項２記載の発明によれば、相対
的にシート抵抗の高い、浅い拡散領域に電極のコンタク
トを形成するようにしたので、光が遮光される電極直下
の接合よりも周囲の接合領域へ電流が流れ、効率よく光
を取り出すことができる。また、電極直下への電流集中
も緩和され、寿命の向上を図ることができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、横方向拡散により
拡散開口部内に形成した相対的にＺｎ濃度の低い部分を
電極コンタクト領域とするので、発光効率の向上と寿命
の向上を図ることができる。
的にシート抵抗の高い、浅い拡散領域に電極のコンタク
トを形成するようにしたので、光が遮光される電極直下
の接合よりも周囲の接合領域へ電流が流れ、効率よく光
を取り出すことができる。また、電極直下への電流集中
も緩和され、寿命の向上を図ることができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、横方向拡散により
拡散開口部内に形成した相対的にＺｎ濃度の低い部分を
電極コンタクト領域とするので、発光効率の向上と寿命
の向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す発光ダイオードアレ
イの平面図である。
イの平面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す発光ダイオードアレ
イの断面図である。
イの断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す発光ダイオード（発
光ダイオードアレイの発光部）の概略平面図である。
光ダイオードアレイの発光部）の概略平面図である。
【図４】本発明の第１実施例を示す発光ダイオードの製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図５】従来の発光ダイオードアレイの平面図である。
【図６】従来の発光ダイオードアレイの断面図である。
【図７】本発明の第２実施例を示す発光ダイオード（発
光ダイオードアレイの発光部）の第１工程の概略平面図
である。
光ダイオードアレイの発光部）の第１工程の概略平面図
である。
【図８】本発明の第２実施例を示す発光ダイオードの第
１製造工程の断面図である。
１製造工程の断面図である。
【図９】本発明の第２実施例を示す発光ダイオードの第
２製造工程の説明図である。
２製造工程の説明図である。
【図１０】本発明の第２実施例を示す発光ダイオードの
第３製造工程の説明図である。
第３製造工程の説明図である。
【図１１】本発明の第３実施例を示す発光ダイオードの
拡散層の形成の説明図である。
拡散層の形成の説明図である。
【図１２】本発明の第４実施例を示す発光ダイオードの
拡散層の形成の説明図である。
拡散層の形成の説明図である。
１１，２１，３１ ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシ
ャル基板 １２，２２，３２ 拡散防止膜（Ａｌ2 Ｏ3 膜） １３，３５ Ｚｎ拡散領域 １３ａ，２５ａ 接合深さの深い拡散層 １３ｂ，２５ｂ 接合深さの浅い拡散層 １４ ｐ側電極（Ａｌ電極） １５，２７ ｎ側電極（Ａｕ合金電極） ２２ａ，３２ａ 拡散開口部 ２３ 拡散制御膜（Ａｌ2 Ｏ3 膜） ２４，３４ 拡散保護膜（ＰＳＧ膜） ２６，３６ Ａｌ電極 ３３ Ａｌ2 Ｏ3 膜パターン（張り出し部） ４０，４５ ｎ型化合物半導体基板 ４１ ＳｉＯ2 膜 ４２ 拡散源膜（ＺｎドープＳｉＯ2 膜） ４３，４８ アニールキャップ ４６ Ｚｎドープ量の低い拡散源膜（ＳｉＯ2 ） ４７ Ｚｎドープ量の高い拡散源膜（ＳｉＯ2 ）
ャル基板 １２，２２，３２ 拡散防止膜（Ａｌ2 Ｏ3 膜） １３，３５ Ｚｎ拡散領域 １３ａ，２５ａ 接合深さの深い拡散層 １３ｂ，２５ｂ 接合深さの浅い拡散層 １４ ｐ側電極（Ａｌ電極） １５，２７ ｎ側電極（Ａｕ合金電極） ２２ａ，３２ａ 拡散開口部 ２３ 拡散制御膜（Ａｌ2 Ｏ3 膜） ２４，３４ 拡散保護膜（ＰＳＧ膜） ２６，３６ Ａｌ電極 ３３ Ａｌ2 Ｏ3 膜パターン（張り出し部） ４０，４５ ｎ型化合物半導体基板 ４１ ＳｉＯ2 膜 ４２ 拡散源膜（ＺｎドープＳｉＯ2 膜） ４３，４８ アニールキャップ ４６ Ｚｎドープ量の低い拡散源膜（ＳｉＯ2 ） ４７ Ｚｎドープ量の高い拡散源膜（ＳｉＯ2 ）
Claims (3)
- 【請求項１】 ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に
拡散してなる発光ダイオードアレイにおいて、（ａ）拡
散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散層と、
（ｂ）該接合深さの浅い拡散層の周囲に形成される接合
深さの深い拡散層と、（ｃ）前記接合深さの浅い拡散層
にコンタクトをとるｐ側電極とを具備する発光ダイオー
ドアレイ。 - 【請求項２】 ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に
拡散してなる発光ダイオードアレイの製造方法におい
て、（ａ）拡散開口部内に深さの異なる接合領域を形成
する工程と、（ｂ）接合深さの浅い領域へｐ側電極のコ
ンタクトをとる工程とを施すことを特徴とする発光ダイ
オードアレイの製造方法。 - 【請求項３】 ｎ型化合物半導体基板にＺｎを選択的に
拡散してなる発光ダイオードアレイの製造方法におい
て、（ａ）拡散開口部内の中央部に張り出す拡散防止膜
を形成し、横方向拡散による拡散層を形成する工程と、
（ｂ）前記拡散防止膜を除去し、該拡散防止膜が除去さ
れた領域にｐ側電極のコンタクトをとる工程とを施すこ
とを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP942095A JP3236463B2 (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP942095A JP3236463B2 (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204231A true JPH08204231A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3236463B2 JP3236463B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=11719880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP942095A Expired - Lifetime JP3236463B2 (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3236463B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4908837B2 (ja) | 2005-12-13 | 2012-04-04 | キヤノン株式会社 | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP942095A patent/JP3236463B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3236463B2 (ja) | 2001-12-10 |
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