JPH0820574B2 - 分散シフトフアイバ及びその製造方法 - Google Patents
分散シフトフアイバ及びその製造方法Info
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- JPH0820574B2 JPH0820574B2 JP62050276A JP5027687A JPH0820574B2 JP H0820574 B2 JPH0820574 B2 JP H0820574B2 JP 62050276 A JP62050276 A JP 62050276A JP 5027687 A JP5027687 A JP 5027687A JP H0820574 B2 JPH0820574 B2 JP H0820574B2
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、通信用石英系光フアイバの構造及びその製
造方法に関するものであり、特に波長1.5μｍ帯に零分
散波長をシフトさせたシングルモードフアイバ（以下
「分散シフトフアイバ」と呼称する）の構造とそのプリ
フオームの製造方法に関する。
造方法に関するものであり、特に波長1.5μｍ帯に零分
散波長をシフトさせたシングルモードフアイバ（以下
「分散シフトフアイバ」と呼称する）の構造とそのプリ
フオームの製造方法に関する。
石英系光フアイバにおいてその最低損失波長領域であ
る1.5μｍ帯に零分散波長をシフトさせた分散シフト・
フアイバは、長距離かつ大伝送容量の光通信伝送路とし
て実用化が進んでいる。分散シフト・フアイバの中で
も、第１図（ａ）に示すような階段型屈折率分布を有す
るものは単純なステツプ型屈折率分布を有する分散シフ
トフアイバに比べ曲げ損失が小さくなり、実用上の利点
が大きく開発検討が進められている。（参考文献1:「デ
イスパージヨン−シフテツド コンヴエツクス−インデ
ツクス シングル−モード フアイバース」N.クワキ
他、エレクトロニクス レターズ 1985年12月５日、2
1、No.25/26、p.1186−1187）。第１図（ａ）に示した
階段型屈折率分布では、中央部の屈折率の最も高い部分
1.1（内側コアと称する）と該内側コア1.1を囲む内側コ
アより低い屈折率を有する部分1.2（外側コアと称す
る）、さらに該外側コア1.2を取り囲む最も屈折率の低
いクラツド部1.3から屈折率分布構造が形成されてい
る。
る1.5μｍ帯に零分散波長をシフトさせた分散シフト・
フアイバは、長距離かつ大伝送容量の光通信伝送路とし
て実用化が進んでいる。分散シフト・フアイバの中で
も、第１図（ａ）に示すような階段型屈折率分布を有す
るものは単純なステツプ型屈折率分布を有する分散シフ
トフアイバに比べ曲げ損失が小さくなり、実用上の利点
が大きく開発検討が進められている。（参考文献1:「デ
イスパージヨン−シフテツド コンヴエツクス−インデ
ツクス シングル−モード フアイバース」N.クワキ
他、エレクトロニクス レターズ 1985年12月５日、2
1、No.25/26、p.1186−1187）。第１図（ａ）に示した
階段型屈折率分布では、中央部の屈折率の最も高い部分
1.1（内側コアと称する）と該内側コア1.1を囲む内側コ
アより低い屈折率を有する部分1.2（外側コアと称す
る）、さらに該外側コア1.2を取り囲む最も屈折率の低
いクラツド部1.3から屈折率分布構造が形成されてい
る。
このような階段型屈折率分布を有する分散シフト・フ
アイバについて、その屈折率分布を形成するガラス組成
として、内側コアがGeO2−SiO2、外側コアがSiO2、クラ
ツド部がＦ−SiO2からなるものが提案されている（参考
文献2:「デイスパージヨン−シフテツド フアイバーズ
ウイズ フルオリン アツデツド クラツデイング
バイ ザ ベイパー フエイズ アクシアル、デポジツ
シヨン メソツド」、H.ヨコタ他、テクニカル ダイジ
エスト オントピカル ミーテイング オン オプテイ
カルフアイバー コミユニケイシヨン（アトランタ、19
86）ペーパーWF2）。光フアイバの屈折率分布は、SiO2
ガラスにGeO2を屈折率増加成分として添加することによ
つて得られるのが最も一般的である。しかしながらGeO2
添加量を多くすると、ガラスのレイリー散乱が増加して
伝送損失が高くなる、或いはGeO2→GeOの還元に基づく
と考えられる紫外域での電子遷移吸収が増加し、その影
響が使用波長域である1.5μｍ帯にまで及びやはり伝送
損失が高くなる。そこで上記組成では、クラツド部にＦ
を添加しクラツド部の屈折率を下げ、内側コアのみにGe
O2を添加し、GeO2添加量を下げ、伝送損失の低減を図ろ
うとしている。これまで本発明者等は、この考えに基づ
き、第２図に示すような内側コア2.1がGeO2−SiO2、外
側コア2.2がSiO2、クラツド部2.3がＦ−SiO2であつて、
図示の屈折率分布と組成を有する分散シフトフアイバを
試作し、波長1.55μｍにおける伝送損失を0.23dB/kmま
で低減することができている。なお第２図中ａ、ｂ、ｃ
は各部分の直径を表し、ａは３μｍ、ｂは９μｍ、ｃは
125μｍである。（参考文献3:「1.5μｍ帯分散シフトシ
ングルモードフアイバの伝送特性」重松、金森、田中、
田中、渡辺、鈴木、電子通信学会技術研究報告 OQE86
−99）。
アイバについて、その屈折率分布を形成するガラス組成
として、内側コアがGeO2−SiO2、外側コアがSiO2、クラ
ツド部がＦ−SiO2からなるものが提案されている（参考
文献2:「デイスパージヨン−シフテツド フアイバーズ
ウイズ フルオリン アツデツド クラツデイング
バイ ザ ベイパー フエイズ アクシアル、デポジツ
シヨン メソツド」、H.ヨコタ他、テクニカル ダイジ
エスト オントピカル ミーテイング オン オプテイ
カルフアイバー コミユニケイシヨン（アトランタ、19
86）ペーパーWF2）。光フアイバの屈折率分布は、SiO2
ガラスにGeO2を屈折率増加成分として添加することによ
つて得られるのが最も一般的である。しかしながらGeO2
添加量を多くすると、ガラスのレイリー散乱が増加して
伝送損失が高くなる、或いはGeO2→GeOの還元に基づく
と考えられる紫外域での電子遷移吸収が増加し、その影
響が使用波長域である1.5μｍ帯にまで及びやはり伝送
損失が高くなる。そこで上記組成では、クラツド部にＦ
を添加しクラツド部の屈折率を下げ、内側コアのみにGe
O2を添加し、GeO2添加量を下げ、伝送損失の低減を図ろ
うとしている。これまで本発明者等は、この考えに基づ
き、第２図に示すような内側コア2.1がGeO2−SiO2、外
側コア2.2がSiO2、クラツド部2.3がＦ−SiO2であつて、
図示の屈折率分布と組成を有する分散シフトフアイバを
試作し、波長1.55μｍにおける伝送損失を0.23dB/kmま
で低減することができている。なお第２図中ａ、ｂ、ｃ
は各部分の直径を表し、ａは３μｍ、ｂは９μｍ、ｃは
125μｍである。（参考文献3:「1.5μｍ帯分散シフトシ
ングルモードフアイバの伝送特性」重松、金森、田中、
田中、渡辺、鈴木、電子通信学会技術研究報告 OQE86
−99）。
上記のように、内側コアがGeO2−SiO2、外側コアがSi
O2、クラツド部がＦ−SiO2からなる階段型屈折率分布を
有する分散シフトフアイバにおいては、波長1.55μｍに
おいて0.23dB/kmの伝送損失は得られているがさらに低
損失化を図ることが困難であつた。
O2、クラツド部がＦ−SiO2からなる階段型屈折率分布を
有する分散シフトフアイバにおいては、波長1.55μｍに
おいて0.23dB/kmの伝送損失は得られているがさらに低
損失化を図ることが困難であつた。
本発明は、さらなる伝送損失の低減を可能とする新規
な構造の分散シフトフアイバ及びその製造方法を提供し
ようとするものである。
な構造の分散シフトフアイバ及びその製造方法を提供し
ようとするものである。
本発明は、内側コアと、内側コアの外周に位置し内側
コアより屈折率の低い外側コアと、外側コアの外周に位
置し外側コアより屈折率の低いクラツドとからなる階段
状屈折率分布を有する分散シフトフアイバにおいて、内
側コアがGeO2−SiO2、外側コアがＦ−SiO2、クラツド部
がＦ−SiO2からなることを特徴とする分散シフトフアイ
バを提供する。
コアより屈折率の低い外側コアと、外側コアの外周に位
置し外側コアより屈折率の低いクラツドとからなる階段
状屈折率分布を有する分散シフトフアイバにおいて、内
側コアがGeO2−SiO2、外側コアがＦ−SiO2、クラツド部
がＦ−SiO2からなることを特徴とする分散シフトフアイ
バを提供する。
さらに、本発明は、内側コアと、内側コアの外周に位
置し内側コアより屈折率の低い外側コアと、外側コアの
外周に位置し外側コアより屈折率の低いクラツドとから
なる階段状屈折率分布を有する分散シフトフアイバの製
造方法において、GeO2−SiO2からなる内側コア用ガラス
体を、Ｆ−SiO2からなるパイプ状の外側コア用ガラス体
中に挿入して加熱一体化することにより、内側コアと外
側コアからなる複合体（Ｉ）を形成する工程と、該複合
体（Ｉ）をＦ−SiO2からなるパイプ状のクラツド部用ガ
ラス体の中空部内に挿入して加熱一体化することによ
り、内側コア、外側コア及びクラツド部からなる複合体
（II）を形成する工程とを有することを特徴とする分散
シフトフアイバの製造方法を提供する。
置し内側コアより屈折率の低い外側コアと、外側コアの
外周に位置し外側コアより屈折率の低いクラツドとから
なる階段状屈折率分布を有する分散シフトフアイバの製
造方法において、GeO2−SiO2からなる内側コア用ガラス
体を、Ｆ−SiO2からなるパイプ状の外側コア用ガラス体
中に挿入して加熱一体化することにより、内側コアと外
側コアからなる複合体（Ｉ）を形成する工程と、該複合
体（Ｉ）をＦ−SiO2からなるパイプ状のクラツド部用ガ
ラス体の中空部内に挿入して加熱一体化することによ
り、内側コア、外側コア及びクラツド部からなる複合体
（II）を形成する工程とを有することを特徴とする分散
シフトフアイバの製造方法を提供する。
まず、本発明の基となつた考え方から説明する。第２
図に示した従来のフアイバ構造において、さらなる低損
失化が困難であつた理由、すなわち、伝送損失劣化要因
としては、次のことが考えられる。内側コアに含有さ
れるGeO2のためにレイリー散乱損失が高くなつたり、或
いは線引等の高温加熱過程において、通常４価のGeが還
元されて２価の状態に変化して、これが紫外域に吸収を
有する電子遷移の吸収中心となり、波長1.5μｍ帯にま
でその影響が及ぶこと、GeO2を含有する内側コアとＦ
を含有するクラツド部に挟まれたSiO2からなる外側コア
の部分は、他の部分に比して線引等の高温加熱過程にお
ける粘性が高くなり、線引時にかかる張力が外側コアの
部分に集中して外側コアの部分に欠陥を生じ、やはり紫
外域での吸収の原因となることなどである。
図に示した従来のフアイバ構造において、さらなる低損
失化が困難であつた理由、すなわち、伝送損失劣化要因
としては、次のことが考えられる。内側コアに含有さ
れるGeO2のためにレイリー散乱損失が高くなつたり、或
いは線引等の高温加熱過程において、通常４価のGeが還
元されて２価の状態に変化して、これが紫外域に吸収を
有する電子遷移の吸収中心となり、波長1.5μｍ帯にま
でその影響が及ぶこと、GeO2を含有する内側コアとＦ
を含有するクラツド部に挟まれたSiO2からなる外側コア
の部分は、他の部分に比して線引等の高温加熱過程にお
ける粘性が高くなり、線引時にかかる張力が外側コアの
部分に集中して外側コアの部分に欠陥を生じ、やはり紫
外域での吸収の原因となることなどである。
上記のような考察に基づき、本発明のごとくＦを外側
コアに添加することがより一層の低損失化にとつて有効
であることが考えられる。即ち上記伝送損失劣化要因
に対しては、外側コアにＦを添加し、その屈折率を下げ
ることにより内側コアの屈折率を上げるための内側コア
へのGeO2添加量をさらに低減できるので、その結果、Ge
O2に起因するレイリー散乱損失及び紫外域での吸収損失
の影響を低減できると考えられる。
コアに添加することがより一層の低損失化にとつて有効
であることが考えられる。即ち上記伝送損失劣化要因
に対しては、外側コアにＦを添加し、その屈折率を下げ
ることにより内側コアの屈折率を上げるための内側コア
へのGeO2添加量をさらに低減できるので、その結果、Ge
O2に起因するレイリー散乱損失及び紫外域での吸収損失
の影響を低減できると考えられる。
また伝送損失劣化要因に対しては、外側コアにＦを
添加してその粘性を下げ、内側コア及びクラツド部に近
づけることにより、低減可能と考えられる。
添加してその粘性を下げ、内側コア及びクラツド部に近
づけることにより、低減可能と考えられる。
但し、外側コア部とクラツド部の屈折率差を所要分だ
け保つためには、外側コアにＦを添加した場合、クラツ
ド部へのＦ添加量を増してクラツド部の屈折率をより下
げておく必要がある。
け保つためには、外側コアにＦを添加した場合、クラツ
ド部へのＦ添加量を増してクラツド部の屈折率をより下
げておく必要がある。
尚本発明の構造を有する分散シフトフアイバの製造方
法については実施例にて詳述する。
法については実施例にて詳述する。
実施例 １）内側コア用ガラス体の作製 第３図に示す構成にてGeO2−SiO2からなる内側コア用
多孔質ガラス体をVAD法にて合成した。第３図において
3.1はガラス微粒子合成用バーナーであり、該バーナー
3.1にSiCl4 530cc/分、GeCl4 33cc/分、Ar 1.5／
分、H2 5.5／分、O2 7.5／分を供給して火炎中で
ガラス微粒子を合成して出発石英棒3.2の先端にガラス
微粒子を堆積せしめるとともに出発石英棒3.2を上方に
回転させつつ引上げていくことにより軸方向に多孔質ガ
ラス体3.3を形成した。なお3.4は排気管である。これに
より得られた内側コア用多孔質ガラス体は外径90mmφ、
長さ500mm、重量600gであつた。
多孔質ガラス体をVAD法にて合成した。第３図において
3.1はガラス微粒子合成用バーナーであり、該バーナー
3.1にSiCl4 530cc/分、GeCl4 33cc/分、Ar 1.5／
分、H2 5.5／分、O2 7.5／分を供給して火炎中で
ガラス微粒子を合成して出発石英棒3.2の先端にガラス
微粒子を堆積せしめるとともに出発石英棒3.2を上方に
回転させつつ引上げていくことにより軸方向に多孔質ガ
ラス体3.3を形成した。なお3.4は排気管である。これに
より得られた内側コア用多孔質ガラス体は外径90mmφ、
長さ500mm、重量600gであつた。
該多孔質ガラス体をHe :Cl2＝100:6の雰囲気中で105
0℃に加熱して脱水処理を施したのち、He100％の雰囲気
中で1600℃に加熱し透明ガラス化した。透明ガラス化後
の外径は35mmφ、長さは200mmであつた。
0℃に加熱して脱水処理を施したのち、He100％の雰囲気
中で1600℃に加熱し透明ガラス化した。透明ガラス化後
の外径は35mmφ、長さは200mmであつた。
この内側コア用透明ガラス母材を電気抵抗炉で約1800
℃〜1900℃に加熱して10mmφの径まで延伸したのち、40
0mmの長さに分割した。この際の加熱源として酸・水素
火炎などのOH分を発生するものを用いるとガラス母材中
にOH基が拡散浸透し、伝送損失劣化の原因となるので、
電気抵抗炉などのOH成分を発生しない熱源を用いる必要
がある。
℃〜1900℃に加熱して10mmφの径まで延伸したのち、40
0mmの長さに分割した。この際の加熱源として酸・水素
火炎などのOH分を発生するものを用いるとガラス母材中
にOH基が拡散浸透し、伝送損失劣化の原因となるので、
電気抵抗炉などのOH成分を発生しない熱源を用いる必要
がある。
２）外側コア用ガラス体の作製 第３図に示す構成にてSiO2のみからなる外側コア用多
孔質ガラス体をVAD法にて合成した。ガラス微粒子合成
用バーナー3.1にはSiCl41500cc/分、Ar 12／分、H2
30／分、O2 35／分を供給して外径110mmφ、長
さ600mm、重量1100gの外側コア用多孔質ガラス体を形成
した。
孔質ガラス体をVAD法にて合成した。ガラス微粒子合成
用バーナー3.1にはSiCl41500cc/分、Ar 12／分、H2
30／分、O2 35／分を供給して外径110mmφ、長
さ600mm、重量1100gの外側コア用多孔質ガラス体を形成
した。
該外側コア用多孔質ガラス体をHe:Cl2＝100:5の雰囲
気中で1050℃に加熱して脱水処理を施したのち、He:SiF
4＝100:3の雰囲気中で1250℃に加熱してＦ添加処理した
のち、He:SiF4＝1000:3の雰囲気中で1600℃に加熱し透
明ガラス化を行つた。透明ガラス化後の外径は45mmφ、
長さは280mmであり、Ｆが均一に約0.6重量％含有されて
いた。
気中で1050℃に加熱して脱水処理を施したのち、He:SiF
4＝100:3の雰囲気中で1250℃に加熱してＦ添加処理した
のち、He:SiF4＝1000:3の雰囲気中で1600℃に加熱し透
明ガラス化を行つた。透明ガラス化後の外径は45mmφ、
長さは280mmであり、Ｆが均一に約0.6重量％含有されて
いた。
この外側コア用透明ガラス母材の中心に超音波穿孔機
を用いて15mmφの穴をあけパイプ状としたのち酸水素火
炎による加熱により、外径30mmφ、内径10mmφになるよ
うに延伸したのち長さ300mmに分割した。さらに内部にS
F6を流しつつ外部より加熱し、内径が13mmになるまで内
壁面のエツチング平滑化処理を行つた。
を用いて15mmφの穴をあけパイプ状としたのち酸水素火
炎による加熱により、外径30mmφ、内径10mmφになるよ
うに延伸したのち長さ300mmに分割した。さらに内部にS
F6を流しつつ外部より加熱し、内径が13mmになるまで内
壁面のエツチング平滑化処理を行つた。
３）内側コア用ガラス体と外側コア用ガラス体の一体化 １）で作製した内側コア用透明ガラス体（直径10mm
φ、長さ400mm）を、２）で作製したパイプ状の外側コ
ア用透明ガラス体（外径30mmφ、内径10mmφ、長さ300m
m）の中に挿入した後、第４図に示すような構成でガラ
ス旋盤を用いて加熱一体化を行つた。第４図において、
4.1は、内側コア用透明ガラス体、4.2は外側コア用透明
ガラス体であり、4.3は加熱用の酸・水素バーナーであ
る。4.4は支持用ダミー石英管であり、外側コア用透明
ガラス体4.2の両端に接続されて図示されていない旋盤
のチヤツクに固定される。チヤツクを回転させつつ、酸
・水素バーナー4.3を外側コア用透明ガラス体4.2の片端
より移動させて外側コア用透明ガラス体4.2を加熱収縮
させていくことによつて、内側コア用透明ガラス体4.1
と外側コア用透明ガラス体4.2の一体化を行う。この際
内側コア用ガラス体4.1と外側コア用ガラス体4.2の隔間
をCl2等の脱水作用のあるガスを含む雰囲気にしておく
ことが、内側コアと外側コアの界面へのOH基混入防止の
ために好ましい。このようにして得られた内側コアと外
側コアからなるコア用複合ガラス体の屈折率分布を第５
図に示す。5.1は内側コア、5.2は外側コアである。得ら
れたコア用複合ガラス体は第５図のｄが10mm、すなわ
ち外径が26mm、長さが250mmであつた。次に本コア用複
合ガラス体の外周部は酸水素火炎によつて加熱されてお
り、OH基によつて汚染されている。そこで外周部を機械
的に外径23mmφになるまで研削し、OH基汚染層を除去し
たのち、このコア用複合ガラス体を電気抵抗炉加熱によ
り3.8mmφにまで延伸したのち450mmの長さに分割した。
これをコア用複合ガラス体（Ｉ）とする。
φ、長さ400mm）を、２）で作製したパイプ状の外側コ
ア用透明ガラス体（外径30mmφ、内径10mmφ、長さ300m
m）の中に挿入した後、第４図に示すような構成でガラ
ス旋盤を用いて加熱一体化を行つた。第４図において、
4.1は、内側コア用透明ガラス体、4.2は外側コア用透明
ガラス体であり、4.3は加熱用の酸・水素バーナーであ
る。4.4は支持用ダミー石英管であり、外側コア用透明
ガラス体4.2の両端に接続されて図示されていない旋盤
のチヤツクに固定される。チヤツクを回転させつつ、酸
・水素バーナー4.3を外側コア用透明ガラス体4.2の片端
より移動させて外側コア用透明ガラス体4.2を加熱収縮
させていくことによつて、内側コア用透明ガラス体4.1
と外側コア用透明ガラス体4.2の一体化を行う。この際
内側コア用ガラス体4.1と外側コア用ガラス体4.2の隔間
をCl2等の脱水作用のあるガスを含む雰囲気にしておく
ことが、内側コアと外側コアの界面へのOH基混入防止の
ために好ましい。このようにして得られた内側コアと外
側コアからなるコア用複合ガラス体の屈折率分布を第５
図に示す。5.1は内側コア、5.2は外側コアである。得ら
れたコア用複合ガラス体は第５図のｄが10mm、すなわ
ち外径が26mm、長さが250mmであつた。次に本コア用複
合ガラス体の外周部は酸水素火炎によつて加熱されてお
り、OH基によつて汚染されている。そこで外周部を機械
的に外径23mmφになるまで研削し、OH基汚染層を除去し
たのち、このコア用複合ガラス体を電気抵抗炉加熱によ
り3.8mmφにまで延伸したのち450mmの長さに分割した。
これをコア用複合ガラス体（Ｉ）とする。
４）クラツド用ガラス体の作製 ２）にて得た外側コア用多孔質ガラス体と同様の多孔
質ガラス体をHe:Cl2＝100:5の雰囲気中で1050℃に加熱
して脱水処理を施したのち、He:SiF4＝100:4の雰囲気中
で1250℃に加熱しＦ添加処理し、しかるのちにHe:SiF4
＝100:4の雰囲気中で1600℃に加熱して透明ガラス化を
行つた。この透明ガラス化体にはＦが1.2重量％均一に
含有されていた。
質ガラス体をHe:Cl2＝100:5の雰囲気中で1050℃に加熱
して脱水処理を施したのち、He:SiF4＝100:4の雰囲気中
で1250℃に加熱しＦ添加処理し、しかるのちにHe:SiF4
＝100:4の雰囲気中で1600℃に加熱して透明ガラス化を
行つた。この透明ガラス化体にはＦが1.2重量％均一に
含有されていた。
この透明ガラス体の中心に超音波穿孔機を用いて8mm
φの穴をあけパイプ状としたのち、酸・水素火炎による
加熱により、外径22.5mmφ、内径4mmφになるまで延伸
したのち、長さ300mmに分割した。さらに内部にSF6を流
しつつ外部より加熱して内径が7mmφになるまで内壁面
のエツチング平滑化処理を行つた。
φの穴をあけパイプ状としたのち、酸・水素火炎による
加熱により、外径22.5mmφ、内径4mmφになるまで延伸
したのち、長さ300mmに分割した。さらに内部にSF6を流
しつつ外部より加熱して内径が7mmφになるまで内壁面
のエツチング平滑化処理を行つた。
５）コア用複合ガラス体（Ｉ）とクラツド用ガラス体の
一体化 ３）で作製したコア用ガラス体（Ｉ）を４）で作製し
たパイプ状クラツド用ガラス体の中空部内に挿入したの
ち、３）で行つたものと同様の方法で加熱一体化処理を
行つた。得られた内側コアと外側コアさらにクラツド部
からなる複合体（II）の屈折率分布構造を第１図（ｂ）
に示す。第１図（ｂ）においてｆは1.65mm、ｇは3.8m
m、ｈは18.5mmである。
一体化 ３）で作製したコア用ガラス体（Ｉ）を４）で作製し
たパイプ状クラツド用ガラス体の中空部内に挿入したの
ち、３）で行つたものと同様の方法で加熱一体化処理を
行つた。得られた内側コアと外側コアさらにクラツド部
からなる複合体（II）の屈折率分布構造を第１図（ｂ）
に示す。第１図（ｂ）においてｆは1.65mm、ｇは3.8m
m、ｈは18.5mmである。
６）フアイバ化 ５）で得られた複合体（II）を酸・水素火炎を用いて
15mmφに延伸したのち第６図に示す構成で複合体（II）
外周部上にSiO2のみからなる多孔質ガラス体を形成し
た。第６図において6.1はガラス微粒子合成用バーナ
ー、6.2は複合体（II）であり、6.3はダミー石英棒であ
る。ガラス微粒子合成用バーナー6.1にSiCl4 1800cc/
分、Ar 12／分、H2 35／分、O2 35／分を供給
して火炎中でガラス微粒子を発生させて、複合体（II）
6.2の上端部分にガラス微粒子を堆積せしめるととも
に、ダミー石英棒6.3を介して複合体（II）6.2を回転さ
せつつ上方に引上げていくことにより軸方向に多孔質ガ
ラス体部6.4を形成した。この多孔質ガラス体部6.4に
４）での脱水、弗素添加、透明化と同様の加熱処理を施
し透明ガラス化した。なおこの透明ガラス体の外径は55
mmであり、透明ガラス化時、多孔質ガラス部の収縮力に
より複合体（II）は約21mmφにまでに太くなつた。この
透明ガラス体を外径25mmにまで延伸したのち、外径125
μｍに線引した。
15mmφに延伸したのち第６図に示す構成で複合体（II）
外周部上にSiO2のみからなる多孔質ガラス体を形成し
た。第６図において6.1はガラス微粒子合成用バーナ
ー、6.2は複合体（II）であり、6.3はダミー石英棒であ
る。ガラス微粒子合成用バーナー6.1にSiCl4 1800cc/
分、Ar 12／分、H2 35／分、O2 35／分を供給
して火炎中でガラス微粒子を発生させて、複合体（II）
6.2の上端部分にガラス微粒子を堆積せしめるととも
に、ダミー石英棒6.3を介して複合体（II）6.2を回転さ
せつつ上方に引上げていくことにより軸方向に多孔質ガ
ラス体部6.4を形成した。この多孔質ガラス体部6.4に
４）での脱水、弗素添加、透明化と同様の加熱処理を施
し透明ガラス化した。なおこの透明ガラス体の外径は55
mmであり、透明ガラス化時、多孔質ガラス部の収縮力に
より複合体（II）は約21mmφにまでに太くなつた。この
透明ガラス体を外径25mmにまで延伸したのち、外径125
μｍに線引した。
７）特性 第７図に６）で得られた本発明の階段状屈折率分布を
有する分散シフトフアイバの伝送損失スペクトルを実線
で示す。波長1.55μｍで0.202dB/kmまで低損失化が図ら
れている。
有する分散シフトフアイバの伝送損失スペクトルを実線
で示す。波長1.55μｍで0.202dB/kmまで低損失化が図ら
れている。
また比較例として第２図に示した構造を有するフアイ
バの伝送損失スペクトルを第６図に破線で示す。1.55μ
ｍで0.25dB/kmと比較的低損失ではあるが、短波長領域
にいくにつれ、両者の伝送損失の差が広がっている。こ
のことは本発明により前述したような紫外域での損失劣
化要因が低減できており、その結果、1.55μｍにおいて
0.25dB/kmから0.202dB/kmへという伝送損失低下が実現
できていることを示している。
バの伝送損失スペクトルを第６図に破線で示す。1.55μ
ｍで0.25dB/kmと比較的低損失ではあるが、短波長領域
にいくにつれ、両者の伝送損失の差が広がっている。こ
のことは本発明により前述したような紫外域での損失劣
化要因が低減できており、その結果、1.55μｍにおいて
0.25dB/kmから0.202dB/kmへという伝送損失低下が実現
できていることを示している。
尚本実施例では、フアイバ外径とコア径の比率を所定
値に合わせるため内側コア、外側コア、クラツド部の複
合体（II）の外周部にさらにクラツド部と同組成のＦ−
SiO2ガラスを合成する方法を示しているが、本発明はこ
のような方法に限定されるものではない。例えば厚肉の
パイプ状クラツド用透明ガラス体を用いることにより、
複合体（II）のみでそのまま線引フアイバ化する方法等
も本発明の一応用例として考えられる。
値に合わせるため内側コア、外側コア、クラツド部の複
合体（II）の外周部にさらにクラツド部と同組成のＦ−
SiO2ガラスを合成する方法を示しているが、本発明はこ
のような方法に限定されるものではない。例えば厚肉の
パイプ状クラツド用透明ガラス体を用いることにより、
複合体（II）のみでそのまま線引フアイバ化する方法等
も本発明の一応用例として考えられる。
また、外側のクラツド部を合成する方法としては、第
６図で示したような構成に限定されるものではなく、例
えば第８図に示すように複合体（II）8.2を水平方向或
いは垂直方向にセツトして、複合体（II）8.2とバーナ
8.1とを相対的に左右上下に移動させる方法を用いても
よい。第９図の8.3はダミー石英棒である。
６図で示したような構成に限定されるものではなく、例
えば第８図に示すように複合体（II）8.2を水平方向或
いは垂直方向にセツトして、複合体（II）8.2とバーナ
8.1とを相対的に左右上下に移動させる方法を用いても
よい。第９図の8.3はダミー石英棒である。
本発明は、以上説明したように外側コアにＦを添加す
ることによりGeO2に起因するレイリー散乱、GeO2及び内
側コア、外側コア、クラツド部間の粘度差に起因する紫
外域に吸収を有する伝送損失劣化要因を低減できるの
で、階段型分散シフトフアイバの低損失化に効果があ
る。
ることによりGeO2に起因するレイリー散乱、GeO2及び内
側コア、外側コア、クラツド部間の粘度差に起因する紫
外域に吸収を有する伝送損失劣化要因を低減できるの
で、階段型分散シフトフアイバの低損失化に効果があ
る。
第１図（ａ）は本発明に係わる階段型屈折率分布の説明
図、第１図（ｂ）は本発明の内側コア、外側コアとクラ
ツド部からなる複合体（II）の屈折率分布構造を示す
図、第２図は従来の屈折率分布の構造例を示す図であ
る。 第３図ないし第６図は本発明のフアイバを製造する実施
態様の説明図であつて、第３図は内側コア用多孔質ガラ
ス体の作成方法の説明図、第４図は内側コア用透明ガラ
ス体とパイプ状外側コア用透明ガラス体の加熱一体化方
法の説明図、第５図は内側コアと外側コアの複合体
（Ｉ）の屈折率分布構造例を示す図、第６図は複合体
（II）の外周部に多孔質ガラス体を堆積させる方法の説
明図である。 第７図は本発明フアイバと従来フアイバの伝送損失スペ
クトルの比較を示す図、第８図は本発明において複合体
（II）の外周部に多孔質ガラス体を堆積させる別の方法
の説明図である。
図、第１図（ｂ）は本発明の内側コア、外側コアとクラ
ツド部からなる複合体（II）の屈折率分布構造を示す
図、第２図は従来の屈折率分布の構造例を示す図であ
る。 第３図ないし第６図は本発明のフアイバを製造する実施
態様の説明図であつて、第３図は内側コア用多孔質ガラ
ス体の作成方法の説明図、第４図は内側コア用透明ガラ
ス体とパイプ状外側コア用透明ガラス体の加熱一体化方
法の説明図、第５図は内側コアと外側コアの複合体
（Ｉ）の屈折率分布構造例を示す図、第６図は複合体
（II）の外周部に多孔質ガラス体を堆積させる方法の説
明図である。 第７図は本発明フアイバと従来フアイバの伝送損失スペ
クトルの比較を示す図、第８図は本発明において複合体
（II）の外周部に多孔質ガラス体を堆積させる別の方法
の説明図である。
Claims (2)
- 【請求項１】内側コアと、内側コアの外周に位置し内側
コアより屈折率の低い外側コアと、外側コアの外周に位
置し外側コアより屈折率の低いクラツドとからなる階段
状屈折率分布を有する分散シフトフアイバにおいて、内
側コアがGeO2−SiO2、外側コアがＦ−SiO2、クラツド部
がＦ−SiO2からなることを特徴とする分散シフトフアイ
バ。 - 【請求項２】内側コアと、内側コアの外周に位置し内側
コアより屈折率の低い外側コアと、外側コアの外周に位
置し外側コアより屈折率の低いクラツドとからなる階段
状屈折率分布を有する分散シフトフアイバの製造方法に
おいて、GeO2−SiO2からなる内側コア用ガラス体を、Ｆ
−SiO2からなるパイプ状の外側コア用ガラス体中に挿入
して加熱一体化することにより、内側コアと外側コアか
らなる複合体（Ｉ）を形成する工程と、該複合体（Ｉ）
をＦ−SiO2からなるパイプ状のクラツド部用ガラス体の
中空部内に挿入して加熱一体化することにより、内側コ
ア、外側コア及びクラツド部からなる複合体（II）を形
成する工程とを有することを特徴とする分散シフトフア
イバの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050276A JPH0820574B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 分散シフトフアイバ及びその製造方法 |
| KR1019870005307A KR900003449B1 (ko) | 1986-06-11 | 1987-05-28 | 분산 시프트싱글모우드 광파이버 및 그 제조방법 |
| US07/060,176 US4822399A (en) | 1986-06-11 | 1987-06-10 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| CA000539353A CA1294438C (en) | 1986-06-11 | 1987-06-10 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| AU74131/87A AU592875B2 (en) | 1986-06-11 | 1987-06-11 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| EP87108453A EP0249230B1 (en) | 1986-06-11 | 1987-06-11 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| DE8787108453T DE3762609D1 (de) | 1986-06-11 | 1987-06-11 | Glas-vorform fuer eine dispersionsverschobene optische einzelmodenfaser und verfahren zu deren herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050276A JPH0820574B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 分散シフトフアイバ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63217311A JPS63217311A (ja) | 1988-09-09 |
| JPH0820574B2 true JPH0820574B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=12854414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050276A Expired - Fee Related JPH0820574B2 (ja) | 1986-06-11 | 1987-03-06 | 分散シフトフアイバ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820574B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09211249A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シングルモード光ファイバ |
| JP3369389B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2003-01-20 | 住友電気工業株式会社 | 分散シフト光ファイバ |
| JPH10260330A (ja) | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分散シフト光ファイバ |
| US6490396B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-12-03 | Corning Incorporated | Optical waveguide fiber |
| US7561611B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-07-14 | Corning Incorporated | Extended-lifetime elements for excimer lasers |
| US9658395B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-05-23 | Ofs Fitel, Llc | Low loss optical fiber and method of making the same |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62050276A patent/JPH0820574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63217311A (ja) | 1988-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |