JPH0456128A - ２―６族間化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
２―６族間化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPH0456128A JPH0456128A JP16374690A JP16374690A JPH0456128A JP H0456128 A JPH0456128 A JP H0456128A JP 16374690 A JP16374690 A JP 16374690A JP 16374690 A JP16374690 A JP 16374690A JP H0456128 A JPH0456128 A JP H0456128A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、Ｉｆ−ＶＩｌ面間化合物半導体装置製造方法
に間し、特に低抵抗の■−■族間化合物半導体装置を効
率よく製造することのできる■−■族間化合物半導体装
！の製造方法に関する。
に間し、特に低抵抗の■−■族間化合物半導体装置を効
率よく製造することのできる■−■族間化合物半導体装
！の製造方法に関する。
Ｃ従来技術〕
第７図（Ａ）〜（Ｃ）は、Ｉ−ＶＩ族間化合物であるセ
レン化亜鉛（ＺｎＳｅ）を用いた従来の半導体装置の断
面構造を示す、このような半導体装置は発光ダイオード
の構成要素としてよく用いられる。ｎ型領域のみを示す
が、この上にｐ型頭域を成長するか、最上層のｎ型領域
中にｐ型頭域を形成すればダイオード構造が形成される
。
レン化亜鉛（ＺｎＳｅ）を用いた従来の半導体装置の断
面構造を示す、このような半導体装置は発光ダイオード
の構成要素としてよく用いられる。ｎ型領域のみを示す
が、この上にｐ型頭域を成長するか、最上層のｎ型領域
中にｐ型頭域を形成すればダイオード構造が形成される
。
第７図（Ａ）に示す半導体装置は、例えば以下のような
製造方法で製造される。ＺｎＳ、ｅ基板の代用としてＺ
ｎ５ｅと格子定数が比較的近いガリウムヒ素（ＧａＡｓ
）を基板結晶１０１として用いる。このｎ形ＧａＡｓの
基板結晶１０１の上に、Ｚｎ溶媒を用いた温度差法を用
いて、ｎ形Ｚｎ５ｅ結晶１０２をエピタキシャル成長さ
せる。
製造方法で製造される。ＺｎＳ、ｅ基板の代用としてＺ
ｎ５ｅと格子定数が比較的近いガリウムヒ素（ＧａＡｓ
）を基板結晶１０１として用いる。このｎ形ＧａＡｓの
基板結晶１０１の上に、Ｚｎ溶媒を用いた温度差法を用
いて、ｎ形Ｚｎ５ｅ結晶１０２をエピタキシャル成長さ
せる。
第７図（Ｂ）に示す半導体装置は、例えば以下のような
製造方法で製造される。まず、Ｚｎ溶媒を用いた温度差
法により溶媒下部（低温［１１１）のヒートシンク上に
ｎ形Ｚｎ５ｅ １１１を結晶成長させる。このｎ形Ｚｎ
５ｅ結晶１１１の上に同じくＺｎ溶媒を用いた温度差法
によりｎ形Ｚｎ５ｅ結晶１１２をエピタキシャル成長さ
せる。
製造方法で製造される。まず、Ｚｎ溶媒を用いた温度差
法により溶媒下部（低温［１１１）のヒートシンク上に
ｎ形Ｚｎ５ｅ １１１を結晶成長させる。このｎ形Ｚｎ
５ｅ結晶１１１の上に同じくＺｎ溶媒を用いた温度差法
によりｎ形Ｚｎ５ｅ結晶１１２をエピタキシャル成長さ
せる。
Ｚｎ５ｅのＺｎ溶媒中の溶解度は十分高いとは言えず、
高い成長速度を得ることは容易でない。
高い成長速度を得ることは容易でない。
溶媒をＳｅにすると、溶解度はかなり向上する。
溶媒をＴｅにすると、溶解度は著しく向上する。
５ｅ−Ｔｅの混合溶媒では中間の溶解度か得られる。一
方、これらの溶媒の蒸気圧はＴｅが最も低く、Ｚｎは幾
分高く、Ｓ ｅ Ｃｈｉ極て高い。
方、これらの溶媒の蒸気圧はＴｅが最も低く、Ｚｎは幾
分高く、Ｓ ｅ Ｃｈｉ極て高い。
第７図（Ｃンの半導体装１は、例えば以下のような製造
方法で製造される。ＴｅおよびＳｅを任意の割合で混合
した溶液を溶媒とし、該溶媒中に適当量のソース結晶お
よび■族ないし■族元素を添加し、溶媒下部（低温ＩＩ
ＩＩ）のヒートシンク上に温度差法によりｎ形Ｚ ｎ、
Ｓ ｅ １２１を結晶成長させる。
方法で製造される。ＴｅおよびＳｅを任意の割合で混合
した溶液を溶媒とし、該溶媒中に適当量のソース結晶お
よび■族ないし■族元素を添加し、溶媒下部（低温ＩＩ
ＩＩ）のヒートシンク上に温度差法によりｎ形Ｚ ｎ、
Ｓ ｅ １２１を結晶成長させる。
［発明か解決しようとする課題］
上述の第７図（Ａ）の半導体装置の製造方法では、構成
元素の異なる結晶を基板に用いているため、格子不整合
による格子欠陥および基板から成長層への拡散による結
晶層の変質がある。
元素の異なる結晶を基板に用いているため、格子不整合
による格子欠陥および基板から成長層への拡散による結
晶層の変質がある。
上述の第７図（Ｂ）の半導体装１の製造方法では、基板
結晶となるＺｎ５ｅをＺｎ溶媒により成長させる場合の
成長速度か遅い（０，５μｍ／時間以下）ので、適当な
厚さの基板結晶を得るのに時間がかかる。
結晶となるＺｎ５ｅをＺｎ溶媒により成長させる場合の
成長速度か遅い（０，５μｍ／時間以下）ので、適当な
厚さの基板結晶を得るのに時間がかかる。
上述の第７図（Ｃ）の半導体装置の製造方法では、Ｓｅ
を相当量含む溶媒で成長させているので、成長結晶の組
成が化学量論的組成比（ストイキオメトリ−）からずれ
る、そのため、成長した結晶が低抵抗化しない。
を相当量含む溶媒で成長させているので、成長結晶の組
成が化学量論的組成比（ストイキオメトリ−）からずれ
る、そのため、成長した結晶が低抵抗化しない。
本発明の目的は、格子欠陥や結晶層の変質がなくかつ低
抵抗のＩＩ−ＶＩｌ層間化合物半導体装置効率よく製造
する方法を！供することである。
抵抗のＩＩ−ＶＩｌ層間化合物半導体装置効率よく製造
する方法を！供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、ＴｅおよびＳｅを任意の割合で混合し
た溶媒にＩＩＩ族またはＶＩＩ族元素を添加し、かつ高
温部にソース結晶を配置して、温度差法により低温部に
Ｚｎを構成元素として含む■−■族化合物半導体を析出
させる第１の工程と、該第１の工程で作成したｎ−ＶＩ
族化合物半導体結晶を平板状に成形する第２の工程と、
Ｚｎ溶媒に適当なソース結晶およびＩＩＩ族またはＶＩ
Ｉ族元素を添加し、温度差法により上記第２の工程で成
形した平板状結晶の上にＺｎを構成元素として含む■−
■族化合物半導体をエピタキシャル成長する第３の工程
とを備えることを特徴とするＩＩ−ＶＩｌ層間化合物半
導体装置製造方法が提供される。
た溶媒にＩＩＩ族またはＶＩＩ族元素を添加し、かつ高
温部にソース結晶を配置して、温度差法により低温部に
Ｚｎを構成元素として含む■−■族化合物半導体を析出
させる第１の工程と、該第１の工程で作成したｎ−ＶＩ
族化合物半導体結晶を平板状に成形する第２の工程と、
Ｚｎ溶媒に適当なソース結晶およびＩＩＩ族またはＶＩ
Ｉ族元素を添加し、温度差法により上記第２の工程で成
形した平板状結晶の上にＺｎを構成元素として含む■−
■族化合物半導体をエピタキシャル成長する第３の工程
とを備えることを特徴とするＩＩ−ＶＩｌ層間化合物半
導体装置製造方法が提供される。
なお、ＺｎＳ、ＺｎＳＳｅ等のＳを含む結晶成長等にお
いては、溶媒に５ｅ−Ｔｅと共にＳを混合してもよい。
いては、溶媒に５ｅ−Ｔｅと共にＳを混合してもよい。
［作 用コ
Ｓ ｅ −Ｔ ｅ 溶媒は、Ｚｎ溶媒に較べてＺｎ５ｅ
等の溶解度か高く、高い成長速度を得ることができる。
等の溶解度か高く、高い成長速度を得ることができる。
さらに、Ｔｅの混合比が高い程、溶解度は増し、蒸気圧
は減少するが、結晶中へのＴｅの混入量も多くなる。
は減少するが、結晶中へのＴｅの混入量も多くなる。
上記第１の工程によればＩＩＩ族またはＶＩＩ族元素を
添加したＺｎを構成元素としてもつ■−■族化合物半導
体結晶が比較的高い成長速度で得られる。
添加したＺｎを構成元素としてもつ■−■族化合物半導
体結晶が比較的高い成長速度で得られる。
この■−■族化合物半導体結晶を第２の工程で平板状に
成形すれば、複数枚の基板結晶か得られる。
成形すれば、複数枚の基板結晶か得られる。
第３の工程ではＺｎ溶媒に適当なソース結晶およびＩＩ
Ｉ族またはＶＩＩ族元素を添加し、第２の工程で成形し
た平板状結晶の上にＺｎを構成元素としてもつ■−■族
合物半導体をエピタキシャル成長している。したがって
、第２の工程後は未だ高抵抗であった基板結晶は、Ｚｎ
中で熱処理を受は該結晶のストイキオメトリ−が改善さ
れ低抵抗化する。
Ｉ族またはＶＩＩ族元素を添加し、第２の工程で成形し
た平板状結晶の上にＺｎを構成元素としてもつ■−■族
合物半導体をエピタキシャル成長している。したがって
、第２の工程後は未だ高抵抗であった基板結晶は、Ｚｎ
中で熱処理を受は該結晶のストイキオメトリ−が改善さ
れ低抵抗化する。
［実線例〕
本発明における具体的な実施例として、■−■族化合物
半導体であるＺｎ５ｅを例にとり、以下説明する１本発
明は３つの工程からなるＩＩ−ＶＩ族間化合物半導体装
１の製造方法である。
半導体であるＺｎ５ｅを例にとり、以下説明する１本発
明は３つの工程からなるＩＩ−ＶＩ族間化合物半導体装
１の製造方法である。
まず第１の工程は、基板となるｎ形結晶を作成する工程
である。第１図を参照して、石英製の結晶成長用アンプ
ル１の底部に、カーボン等の熱伝導率のよい材料で作製
したヒートシンク６を収納し固定している。ヒートシン
ク６の上には、溶媒２としてＳ ｅ −Ｔ ｅを任意の
割合で混合した溶液が収容される。溶媒２中にはＩＩＩ
族またはＶＩＩ族元素が適当量添加される。さらに成長
原料（ソース結晶）となるＺｎ５ｅ結晶３が収容されて
いる。成長アンプル１内に溶媒２およびソース結晶３を
収容した後、アンプル内は真空に排気され、封止される
。このような構成からなるアンプルを図中布１１”、’
１．１ 側に示すような温度勾配（例えば、ΔＴ＝５〜１５℃／
３）を有する電気炉中に配置する。そして、上部の高温
部分にあるソース結晶３を溶媒２中に飽和溶解度に至る
まで溶解させ拡散させる。溶解したソース用結晶３は温
度勾配中を輸送され、ヒ−ｌ−シンクロの上面７１寸返
上至る。下部のヒートシンク６の上面７付近は上部より
温度か低いので、溶液は過飽和溶液となり、ヒートシン
ク６の上面７上にバルク状の結晶を成長させる。結晶を
成長させるカーボンヒートシンク６の上面７は平坦かつ
鏡面に形成されている。
である。第１図を参照して、石英製の結晶成長用アンプ
ル１の底部に、カーボン等の熱伝導率のよい材料で作製
したヒートシンク６を収納し固定している。ヒートシン
ク６の上には、溶媒２としてＳ ｅ −Ｔ ｅを任意の
割合で混合した溶液が収容される。溶媒２中にはＩＩＩ
族またはＶＩＩ族元素が適当量添加される。さらに成長
原料（ソース結晶）となるＺｎ５ｅ結晶３が収容されて
いる。成長アンプル１内に溶媒２およびソース結晶３を
収容した後、アンプル内は真空に排気され、封止される
。このような構成からなるアンプルを図中布１１”、’
１．１ 側に示すような温度勾配（例えば、ΔＴ＝５〜１５℃／
３）を有する電気炉中に配置する。そして、上部の高温
部分にあるソース結晶３を溶媒２中に飽和溶解度に至る
まで溶解させ拡散させる。溶解したソース用結晶３は温
度勾配中を輸送され、ヒ−ｌ−シンクロの上面７１寸返
上至る。下部のヒートシンク６の上面７付近は上部より
温度か低いので、溶液は過飽和溶液となり、ヒートシン
ク６の上面７上にバルク状の結晶を成長させる。結晶を
成長させるカーボンヒートシンク６の上面７は平坦かつ
鏡面に形成されている。
この温度差法による成長速度は、Ｓｅ ：Ｔｅの混合比
、成長温度Ｔｇ（結晶が成長するヒートシンク６の上面
７付近の温度）、および温度勾配などにより異なる。−
例として、Ｓｅ ：Ｔｅ＝３０ ニア０、成長温度Ｔｇ
＝９５０℃としたときの温度勾配へＴに対する成長速度
依存性を第２図に示す。
、成長温度Ｔｇ（結晶が成長するヒートシンク６の上面
７付近の温度）、および温度勾配などにより異なる。−
例として、Ｓｅ ：Ｔｅ＝３０ ニア０、成長温度Ｔｇ
＝９５０℃としたときの温度勾配へＴに対する成長速度
依存性を第２図に示す。
なお、ヒートシンクは８ｍ直径、長さ１００ｍのカーボ
ン棒を用いた０図において、Ｏで示されているグラフは
バルク状に成長する結晶の中央部付近の位置の成長速度
、ムで示されているグラフはバルク状に成長する結晶の
周縁部付近の位置の成長速度を示す、Ｚｎ溶媒を用いた
時の成長速度が約０．５μｍ／’時間以下であるのと較
べ、はぼ１０倍以上の成長速度も容易に得られることが
判る。
ン棒を用いた０図において、Ｏで示されているグラフは
バルク状に成長する結晶の中央部付近の位置の成長速度
、ムで示されているグラフはバルク状に成長する結晶の
周縁部付近の位置の成長速度を示す、Ｚｎ溶媒を用いた
時の成長速度が約０．５μｍ／’時間以下であるのと較
べ、はぼ１０倍以上の成長速度も容易に得られることが
判る。
なお、Ｓ ｅ −Ｔ ｅの混合比を変えると、成長速度
はＴｅ量と共にたとえば、以下のように変化する。
はＴｅ量と共にたとえば、以下のように変化する。
Ｓｅ：Ｔｅ 成長速度（ｍ／ｈｒ）１０：９０
６．０ ３０ニア０ 、 ５． ０４５、；５５
３．８Ｔｅ量が多い程、アンプル内
圧力は減少し、成長速度は増加するが、Ｔｅが結晶中に
混入する。
６．０ ３０ニア０ 、 ５． ０４５、；５５
３．８Ｔｅ量が多い程、アンプル内
圧力は減少し、成長速度は増加するが、Ｔｅが結晶中に
混入する。
Ｔｅ混大量を下げるにはＳｅ量を多くすればよいが、ア
ンプル内圧力は増加し、成長速度は減少する。Ｚｎ、Ｓ
ｅ、 ｚｎｓ等Ｚ、ｎを構成元素とす渇■−■族問化合
物半導体の成長にはＳ ｅ −７６を適当に混合した溶
媒が好ましい、Ｓを含む結晶の場合は、さらにＳを混合
してもよい。
ンプル内圧力は増加し、成長速度は減少する。Ｚｎ、Ｓ
ｅ、 ｚｎｓ等Ｚ、ｎを構成元素とす渇■−■族問化合
物半導体の成長にはＳ ｅ −７６を適当に混合した溶
媒が好ましい、Ｓを含む結晶の場合は、さらにＳを混合
してもよい。
第２の工程は、上記の成長法により作成したバルク状の
結晶をスライシングマシンなどによりつ工−ハ状、にス
ライシングする工程である。第３図において、１１は第
１図の方法により作成したバルク状の結晶、１２はそれ
をスライシングしたつ工−ハ状の結晶基板である。スラ
イシングする厚さは、基板としてその上にエピタキシャ
ル成長させる工程およびデバイス作成工程において取扱
い易いように、 Ｏ１６〜１，５圓とした。また、この
ようにスライシングしてウェーハ状にした結晶にｎ形オ
ーミックｔｌ［＋を付は電気的特性を調べてみたが、高
抵抗でｔ流は流れなかった。
結晶をスライシングマシンなどによりつ工−ハ状、にス
ライシングする工程である。第３図において、１１は第
１図の方法により作成したバルク状の結晶、１２はそれ
をスライシングしたつ工−ハ状の結晶基板である。スラ
イシングする厚さは、基板としてその上にエピタキシャ
ル成長させる工程およびデバイス作成工程において取扱
い易いように、 Ｏ１６〜１，５圓とした。また、この
ようにスライシングしてウェーハ状にした結晶にｎ形オ
ーミックｔｌ［＋を付は電気的特性を調べてみたが、高
抵抗でｔ流は流れなかった。
最終第３工程は、上記ｎ形つェーハを基板としてｎ形結
晶をエピタキシャル成長する工程である。
晶をエピタキシャル成長する工程である。
第４図を参照して、石英製の結晶成長用アンプル２１の
底部に第１図と同様のヒートシンク２６を収納し固定し
ている。ヒートシンク２６の上には基板結晶１２を配！
し、基板結晶１２を基板止め２５−によって固定してい
る。基板結晶１２は上記第２工程によってスライシング
されたウェーハ状のｎ形、Ｚ ｎ Ｓ ｅ結晶である。
底部に第１図と同様のヒートシンク２６を収納し固定し
ている。ヒートシンク２６の上には基板結晶１２を配！
し、基板結晶１２を基板止め２５−によって固定してい
る。基板結晶１２は上記第２工程によってスライシング
されたウェーハ状のｎ形、Ｚ ｎ Ｓ ｅ結晶である。
基板止め２５は成長用アンプル２１と同様の石英等によ
って作製されたリングである。基板結晶１２の上には、
溶媒としてＺｎを用いた溶液２２か収容される。溶液２
２中にはｎ型不純物としてＩＩＩ族またはＶＩＩ族元素
か適当量添加されている。さらに、成長原料となるＺｎ
５ｅ結晶２３か収容されている。ソース結晶２３の口径
は基板止め２５の内径より大きくしであるので、ソース
結晶２３は基板止め２５により保持される。成長アンプ
ル２１内に、基板結晶１２、基板止め２５、溶媒２２お
よびソース用結晶２３を収容した後、アンプル２１内は
真空に排気され、封止される。このような構成からなる
アンプルを第１図の右側に示すような温度勾配（例えば
、ΔＴ＝５〜１５℃／■）を有する電気炉中に配！する
。そして、上部の高温部分にあるソース用結晶２３を溶
媒２２中に飽和溶解度に至るまで溶解させ拡散させる。
って作製されたリングである。基板結晶１２の上には、
溶媒としてＺｎを用いた溶液２２か収容される。溶液２
２中にはｎ型不純物としてＩＩＩ族またはＶＩＩ族元素
か適当量添加されている。さらに、成長原料となるＺｎ
５ｅ結晶２３か収容されている。ソース結晶２３の口径
は基板止め２５の内径より大きくしであるので、ソース
結晶２３は基板止め２５により保持される。成長アンプ
ル２１内に、基板結晶１２、基板止め２５、溶媒２２お
よびソース用結晶２３を収容した後、アンプル２１内は
真空に排気され、封止される。このような構成からなる
アンプルを第１図の右側に示すような温度勾配（例えば
、ΔＴ＝５〜１５℃／■）を有する電気炉中に配！する
。そして、上部の高温部分にあるソース用結晶２３を溶
媒２２中に飽和溶解度に至るまで溶解させ拡散させる。
溶解したソース用結晶２３は温度勾配中を輸送され、基
板結晶１２の上面でエピタキシャル成長する。
板結晶１２の上面でエピタキシャル成長する。
第５図は、以上の工程を経て製造された２層構造の■族
あるいはＶｎ族元素を添加したｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体の断面図である９図において、３１はＳ６− Ｔ
ｅ溶媒を用いた成長法（第１図）による■−■族化合
物結晶の基板層、３２はＺｎ溶媒を用いた成長法（第４
図）による■−■族化合物結晶の層を示す。
あるいはＶｎ族元素を添加したｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体の断面図である９図において、３１はＳ６− Ｔ
ｅ溶媒を用いた成長法（第１図）による■−■族化合
物結晶の基板層、３２はＺｎ溶媒を用いた成長法（第４
図）による■−■族化合物結晶の層を示す。
第６図は、このように製造した２層構造のｎ型■−■族
化合物半導体の各層の電気的特性（不純物密度）を示す
グラフである。電気的特性は各層の成長条件（不純物の
添加量、成長温度Ｔｇ、成長速度など）によって異なる
が１代表例を図に示す、５ｅ−Ｔｅ溶媒を用いた成長法
（第１図）による結晶層３１の成長条件は、成長温度Ｔ
ｇ＝９５０℃、温度勾配ΔＴ＝１０℃／■、添加不純物
は■族元素のヨウ素■を用い、その溶液に対する濃度は
０．３ ｎｏｌＸとした。Ｚｎ溶媒を用いた成長法（第
４図）による結晶層３２の成長条件は、成長温度Ｔ ｇ
＝ １０２５℃、温度勾配ΔＴ＝７．５℃／′■、添
加不純物は■族元素のヨウ素Ｉを用い、その溶液に対す
る濃度は１ ｘ １０−４１ｏｌＸとした。
化合物半導体の各層の電気的特性（不純物密度）を示す
グラフである。電気的特性は各層の成長条件（不純物の
添加量、成長温度Ｔｇ、成長速度など）によって異なる
が１代表例を図に示す、５ｅ−Ｔｅ溶媒を用いた成長法
（第１図）による結晶層３１の成長条件は、成長温度Ｔ
ｇ＝９５０℃、温度勾配ΔＴ＝１０℃／■、添加不純物
は■族元素のヨウ素■を用い、その溶液に対する濃度は
０．３ ｎｏｌＸとした。Ｚｎ溶媒を用いた成長法（第
４図）による結晶層３２の成長条件は、成長温度Ｔ ｇ
＝ １０２５℃、温度勾配ΔＴ＝７．５℃／′■、添
加不純物は■族元素のヨウ素Ｉを用い、その溶液に対す
る濃度は１ ｘ １０−４１ｏｌＸとした。
第６図から分かるように、Ｚｎ溶媒で結晶層３２をエピ
タキシャル成長する以前と比較し、成長後はＳ ｅ −
Ｔ ｅ溶媒で成長させた結晶層３１か低抵抗化しており
、２層低抵抗ｎ形構造を成していることか分かる。
タキシャル成長する以前と比較し、成長後はＳ ｅ −
Ｔ ｅ溶媒で成長させた結晶層３１か低抵抗化しており
、２層低抵抗ｎ形構造を成していることか分かる。
以上実施例に沿って本発明を説明したか、本発明はこれ
らに制限されるものではない６例えば、種々の変更〜改
良、組合わせなどが可能なことは当業者に自明であろう
。
らに制限されるものではない６例えば、種々の変更〜改
良、組合わせなどが可能なことは当業者に自明であろう
。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、第１の工程で５
ｅ−Ｔｅ溶媒を用いた温度差法により２ｎを構成元素と
する■−■族間化合物半導体のバルク状の結晶を得て第
２の工程でこれをスライシングして基板とし、第３の工
程でＺｎ溶媒を用いた温度差法によりこの基板上にエピ
タキシャル成長させているので、第２の工程の段階では
高抵抗であった基板結晶がＺｎ溶媒中で熱処理を受は該
結晶のストイキオメトリ−からのずれが改善され、基板
自体か低抵抗化する。また、基板は５ｅ−Ｔｅ／ｇ媒を
用いた温度差法を用いて成長しているので、効率よくバ
ルク結晶が得られる。これら２層はともに同一の■−■
族間化合物半導体であるので、格子不整合による格子欠
陥や基板から成長層への拡散による変質がない。
ｅ−Ｔｅ溶媒を用いた温度差法により２ｎを構成元素と
する■−■族間化合物半導体のバルク状の結晶を得て第
２の工程でこれをスライシングして基板とし、第３の工
程でＺｎ溶媒を用いた温度差法によりこの基板上にエピ
タキシャル成長させているので、第２の工程の段階では
高抵抗であった基板結晶がＺｎ溶媒中で熱処理を受は該
結晶のストイキオメトリ−からのずれが改善され、基板
自体か低抵抗化する。また、基板は５ｅ−Ｔｅ／ｇ媒を
用いた温度差法を用いて成長しているので、効率よくバ
ルク結晶が得られる。これら２層はともに同一の■−■
族間化合物半導体であるので、格子不整合による格子欠
陥や基板から成長層への拡散による変質がない。
第１図は、本発明の実施例における第１の工程で用いた
結晶成長装置の断面図および温度勾配を示すグラフ、 第２図は、Ｓ ｅ −’Ｔ ｅ溶媒を用いた成長法にお
ける成長速度の温度勾配依存性を示すグラフ、第３図は
、上記実施例における第２の工程を説明するための結晶
の断面図、 第４図は、上記実施例における第３の工程で用いた結晶
成長装！の断面図、 第５図は、上記実施例の製造方法で製造した２層の半導
体装！の断面図、 第６図は、上記実施例の製造方法で製造した２層構造の
半＃＃装置の電気的特性を示すグラフ、第７図は、従来
の製造方法により製造した半導体装置の断面図である。 図において、 １．２１ ２．２２ ３．２３ 成長用アンプル Ｚｎ溶媒 ソース用結晶 ヒートシンク バルク状結晶 基板結晶 基板止め 特許出願人 スタンレー電気株式会社代 理 人 弁
理士 高橋敬四部 第２図 第１図 温度Ｔ
結晶成長装置の断面図および温度勾配を示すグラフ、 第２図は、Ｓ ｅ −’Ｔ ｅ溶媒を用いた成長法にお
ける成長速度の温度勾配依存性を示すグラフ、第３図は
、上記実施例における第２の工程を説明するための結晶
の断面図、 第４図は、上記実施例における第３の工程で用いた結晶
成長装！の断面図、 第５図は、上記実施例の製造方法で製造した２層の半導
体装！の断面図、 第６図は、上記実施例の製造方法で製造した２層構造の
半＃＃装置の電気的特性を示すグラフ、第７図は、従来
の製造方法により製造した半導体装置の断面図である。 図において、 １．２１ ２．２２ ３．２３ 成長用アンプル Ｚｎ溶媒 ソース用結晶 ヒートシンク バルク状結晶 基板結晶 基板止め 特許出願人 スタンレー電気株式会社代 理 人 弁
理士 高橋敬四部 第２図 第１図 温度Ｔ
Claims (1)
- （１）、ＴｅおよびＳｅを任意の割合で混合した溶媒に
III族またはVII族元素を添加し、かつ高温部にソース結
晶を配置して、温度差法により低温部にＺｎを構成元素
としてもつII−VI族化合物半導体を析出させる第１の工
程と、 該第１の工程で作成したII−VI族化合物半導体結晶を平
板状に成形する第２の工程と、 Ｚｎ溶媒に適当なソース結晶およびIII族またはVII族元
素を添加し、温度差法により上記第２の工程で成形した
平板状結晶の上にＺｎを構成元素としてもつII−VI族化
合物半導体をエピタキシャル成長する第３の工程と を備えることを特徴とするII−VI族間化合物半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163746A JP2537296B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族間化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163746A JP2537296B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族間化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456128A true JPH0456128A (ja) | 1992-02-24 |
| JP2537296B2 JP2537296B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=15779900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163746A Expired - Lifetime JP2537296B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族間化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537296B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07187875A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-25 | Kanagawa Kagaku Gijutsu Akad | 化合物半導体の結晶成長方法および結晶成長装置 |
| JPH08208365A (ja) * | 1993-04-14 | 1996-08-13 | Kanagawa Kagaku Gijutsu Akad | 溶液結晶成長装置および方法 |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2163746A patent/JP2537296B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08208365A (ja) * | 1993-04-14 | 1996-08-13 | Kanagawa Kagaku Gijutsu Akad | 溶液結晶成長装置および方法 |
| JPH07187875A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-25 | Kanagawa Kagaku Gijutsu Akad | 化合物半導体の結晶成長方法および結晶成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2537296B2 (ja) | 1996-09-25 |
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