JPH08208670A - チタニルフルオロフタロシアニンの調製方法及び新規チタニルフルオロフタロシアニン組成物 - Google Patents

チタニルフルオロフタロシアニンの調製方法及び新規チタニルフルオロフタロシアニン組成物

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JPH08208670A
JPH08208670A JP7278920A JP27892095A JPH08208670A JP H08208670 A JPH08208670 A JP H08208670A JP 7278920 A JP7278920 A JP 7278920A JP 27892095 A JP27892095 A JP 27892095A JP H08208670 A JPH08208670 A JP H08208670A
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fluorophthalocyanine
titanyl
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Michel F Molaire
エフ．モレアー マイケル
Jeanne E Kaeding
エレン ケイディング ジェンヌ
William T Gruenbaum
トッド グルーエンボーム ウィリアム
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Eastman Kodak Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 改良された電子写真特性を示すチタニルフル
オロフタロシアニン多形体を提供すること。 【解決手段】 チタニルフルオロフタロシアニンを酸に
溶解して溶液とする工程、前記溶液に水を混合して非晶
質チタニルフルオロフタロシアニンを析出させる工程、
前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを洗浄して
前記酸を実質的にすべて除去する工程、並びに前記非晶
質チタニルフルオロフタロシアニンを、乾燥及び約５０
℃よりも高い温度の両方を組み合わせた条件を除く湿潤
／乾燥及び温度の周囲条件下で保持する工程を含むチタ
ニルフルオロフタロシアニンの調製方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子写真要素とその
関連材料に関する。より詳細には、本発明は、制御され
た条件下での酸ペースト化後に特定範囲のγc 水素結合
パラメーターを有する有機溶剤で処理することによる高
結晶化度チタニルフルオロフタロシアニンの調製方法
と、このようなチタニルフルオロフタロシアニンを含む
電子写真要素と、チタニルフルオロフタロシアニン組成
物とに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真では、静電電位のパターンを含
む像（静電潜像とも呼ばれる）を、少なくとも二つの層
〔電荷発生層及び導電性支持体〕を含む電子写真要素の
表面に形成する。静電潜像は様々な手段によって、例え
ば、表面に予め形成させておいた均一な電位を像様輻射
線で誘発放電させることによって、形成することができ
る。典型的には、その後静電潜像を電子写真用現像剤と
接触させて現像しトナー像にする。所望であれば、潜像
を別の表面へ転写してから現像してもよい。
【０００３】電子写真要素に用いられている多種多様な
電荷発生物質の中に、チタニルフタロシアニンやチタニ
ルテトラフルオロフタロシアニンのようなフタロシアニ
ン系顔料がある。このような顔料を電荷発生物質として
含有する電子写真記録要素は、電磁スペクトルの近赤外
領域、すなわち７００〜９００ｎｍにおいて良好な光感
度を提供できるので、電子写真レーザービームプリンタ
ーに有用である。チタニルフタロシアニン顔料を含有す
る電荷発生層は、電荷発生物質と高分子量バインダーの
溶剤溶液とを含む液状塗布組成物から製造される。必須
条件は、そのフタロシアニンが、光導電性が高くしかも
組成物中で十分且つ安定に分散されており、近赤外範囲
において高い電子写真スピードを示す極薄層を形成する
に十分に低い濃度で塗布できる形態にあるということで
ある。
【０００４】チタニルフルオロフタロシアニンをはじめ
とするチタニルフタロシアニンは、Ｘ線回折スペクトル
の差異によって区別される「多形相」と呼ばれる様々な
結晶形をとることができる。本明細書中で記述する結晶
学的特性は、波長１．５４１ÅのＣｕＫαＸ線を用いて
得られるＸ線スペクトルのブラッグ角２θに基づくもの
であり、特に断らない限り±０．２°の誤差を含む。好
適なＸ線回折技法については、例えば、Engineering So
lids, T.S. Hutchinson and D.C. Baird, JohnWiley an
d Sons, Inc., 1963 及びX-ray Diffraction Procedure
s for Polycrystalline and Amorphous Materials, 2nd
Ed., John Wiley and Sons, Inc., 1974に記載されて
いる。チタニルフタロシアニンの多形は、「非晶質」多
形相とも呼ばれる低結晶化度多形相と高結晶化度多形相
とに広く分けることができる。様々な方法によって各種
形態のチタニルフタロシアニンが製造されている。通
常、方法が違うと、結晶学的特性の異なる、すなわち多
形相の異なるチタニルフタロシアニンが製造される。Du
ffらの米国特許第５，１６６，３３９号明細書に、未置
換チタニルフタロシアニン（「ＴｉＯＰｃ」とも称す
る）の多形相の一覧表が記載されており、その中で、多
数の名称を有する材料が四つのグループに分けられてい
る。多種のＴｉＯＰｃ及びその他のフタロシアニンが、
Organic Photoreceptors for Imaging Systems, P.M. B
orsenberger and D.S. Weiss, MarcelDekkar, Inc., Ne
w York, pp. 338-391に記載されている。
【０００５】チタニルフタロシアニンの調製方法には、
粒径の小さい顔料の製造に共通する特徴がある。調製方
法の一つは、チタニルフタロシアニン粗生成物を、一般
にある特定の微粉砕媒体によって微粉砕する方法であ
る。別の調製方法は、「酸ペースト化(acid pasting)」
法とも称されるが、チタニルフタロシアニン粗生成物を
酸溶液に溶解した後に大量の非溶剤と混合してチタニル
フタロシアニン生成物を析出させる方法である。調製方
法には、いくつかの技法を組み合わせたものや、前に調
製したチタニルフタロシアニンを変性するものもある。
【０００６】以下、このような調製方法の例を挙げる。
Kazmaierの米国特許第５，１５３，０９４号明細書は、
チタニルフタロシアニン粗生成物をトリハロ酢酸とトル
エンに溶解してトルエン、アルコール、水又は水／アル
コール混合物中で析出させる酸ペースト化法について記
載している。Duffらの米国特許第５，１６６，３３９号
明細書は、Kazmaierと同様の方法であって非溶剤として
水、アルコール、ジエチルエーテル、エチレングリコー
ル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド及び
Ｎ−メチルピロリドンを使用する方法について記載して
いる。Mayoらの米国特許第５，１８２，３８２号明細書
は、チタニルフタロシアニンをトリフルオロ酢酸及び塩
化メチレンに溶解し、その溶液をアルコールと水の溶剤
混合物に加え、そしてその生成物を分離、洗浄すること
によってタイプＸのチタニルフタロシアニンを調製する
方法について記載している。Iuchi らの米国特許第５，
１３２，１９７号明細書は、チタニルフタロシアニンを
酸ペースト化し、メタノールで処理し、そしてエーテ
ル、モノテルペン炭化水素又は液状パラフィンで微粉砕
することで、ＣｕＫαのＸ線に対するブラッグ角２θの
主ピークが９．０、１４．２、２３．９及び２７．１°
（いずれも±０．２°の誤差を含む）に現れるチタニル
フタロシアニンが得られることについて記載している。
Mayoらの米国特許第５，２０６，３５９号明細書は、酸
ペースト化によって得られたチタニルフタロシアニンを
ハロベンゼンによる処理によってタイプＸからタイプＩ
Ｖのチタニルフタロシアニンに転化する方法について記
載している。Ono らの米国特許第５，０５９，３５５号
明細書は、α−又はβ−ＴｉＯＰｃをガラスビーズと共
に振盪してＸ線回折によるピークが実質的に無い非晶質
材料を製造することについて記載している。その非晶質
材料は水とオルト−ジクロロベンゼンの中で加熱しなが
ら攪拌された。冷却後、メタノールが添加された。２
７．３°に明確なピークを有する結晶性物質が得られて
いる。Enokida らの米国特許第４，８８２，４２７号明
細書は、非結晶性チタニルフタロシアニン及び擬似非結
晶性チタニルフタロシアニンを有する材料について記載
している。この擬似非結晶性材料は酸ペースト化又は酸
スラリー化によって調製することができた。非結晶性チ
タニルフタロシアニンは、酸ペースト化又は酸スラリー
化に続き、乾式もしくは湿式微粉砕又は機械式微粉砕を
長時間実施することにより、化学的処理を施さずに調製
することができた。Takai らの米国特許第５，１９４，
３５４号明細書は、微粉砕又は酸ペースト化によって調
製された非晶質チタニルフタロシアニンを、メタノール
中で攪拌することによって、ＣｕＫαのＸ線に対するブ
ラッグ角２θの強いピークが７．２、１４．２、２４．
０及び２７．２°（いずれも±０．２°の誤差を含む）
に現れる低結晶性チタニルフタロシアニンに転化できる
ことについて記載している。この低結晶性物質を各種有
機溶剤で処理することにより結晶性物質が得られたこと
が示されている。すなわち、メチルセロソルブ又はエチ
レンで処理すると７．４、１０．９及び１７．９°に強
いピークを示す物質が、プロピレングリコール、１，３
−ブタンジオール又はグリセリンで処理すると７．６、
９．７、１２．７、１６．２及び２６．４°に強いピー
クを示す物質が、またマンニトール水溶液で処理すると
８．５及び１０．２°に強いピークを示す物質が得られ
た（数値にはいずれも±０．２°の誤差が含まれる）。
Mimuraらの米国特許第４，９９４，５６６号及び同第
５，００８，１７３号明細書は、酸ペースト化又はスラ
リー化に続いて機械的粉砕、長時間の機械的粉砕又は昇
華によって得られた非結晶性粒子をテトラヒドロフラン
で処理することによって、赤外吸収ピークが１，３３
２、１，０７４、９６２及び７８３ｃｍ-1に現れるチタ
ニルフタロシアニンが得られることについて記載してい
る。Itami らの米国特許第５，０３９，５８６号明細書
は、酸ペースト化後、２０〜１００℃において、さらに
水又は他のアルコール若しくはエーテルのような溶剤を
含むか又は含まない芳香族又はハロゲン化物において微
粉砕する方法について記載している。一例として、チタ
ニルフタロシアニン粗生成物を粉砕媒体のα−クロロナ
フタレン又はオルト−ジクロロベンゼンによって微粉砕
した後、アセトン及びメタノールで洗浄している。得ら
れたチタニルフタロシアニンが波長１．５４１ÅのＣｕ
ＫαのＸ線に対して第一の極大強度ピークを示すブラッ
グ角２θは２７．３°±０．２°であり、また第二の極
大強度ピークを示すブラッグ角２θは６．８°±０．２
°であった。これは、同様に微粉砕しても酸ペースト化
されていない別のチタニルフタロシアニンとは対照的で
あった。この物質の極大ピークは２７．３°±０．２°
にあり、また第二の極大強度ピークは６°〜８°の範囲
で７．５°±０．２°にあった。Nguyenらの米国特許第
５，０５５，３６８号明細書は「塩微粉砕」法について
記載している。
【０００７】Molaire の米国特許第５，２３８，７６４
号及び同第５，２３８，７６６号明細書は、非晶質チタ
ニルフルオロフタロシアニンに、ガンマc 水素結合パラ
メーターが９．０よりも高い有機溶剤又は水素結合パラ
メーターが８．０よりも低い有機溶剤のいずれかを接触
させることによって、様々なチタニルフルオロフタロシ
アニン多形体を調製することについて記載している。酸
ペースト化法及び塩微粉砕法で得られた非晶質チタニル
フルオロフタロシアニンは、未置換チタニルフタロシア
ニンとは違い、ガンマc 水素結合パラメーター値が９．
０よりも高いメタノールやテトラヒドロフランのような
溶剤に分散させた場合に近赤外感度が顕著に低下する
が、最初にガンマc 水素結合パラメーターが８．０より
も低い物質と接触させた場合にはこの感度低下が問題と
なることはない。
【０００８】チタニルフルオロフタロシアニンの酸ペー
スト化については米国特許第４，７０１，３９６号明細
書に記載されている。粗顔料を低温濃鉱酸、例えば濃硫
酸に溶解させた後、これを氷水に注ぎ込んで顔料を析出
させる。水の温度が低いので酸と水を混合する際に起こ
る飛散などが少なくなり、溶解した顔料のより完全な析
出が促進される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】酸ペースト化法は、使
用した酸の一部が汚染物としてフタロシアニン顔料析出
物中に残存するという欠点がある。これが原因となって
電子写真特性が劣化する。残留する酸の量は洗浄によっ
て減らすことができる。米国特許第４，７０１，３９６
号明細書は、酸ペースト化されたチタニルフルオロフタ
ロシアニンを沸騰水中で洗浄した後、高温濾過及び風乾
する方法について記載している。本発明者らは、米国特
許第４，７０１，３９６号明細書に記載の方法には意外
な欠点があることを発見した。
【００１０】従って、改良された電子写真特性を示すチ
タニルフルオロフタロシアニン多形体並びにこれらの多
形体を含む組成物及び電子写真要素、並びにその調製方
法を提供することが望まれる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、その広い態様
において、チタニルフルオロフタロシアニンと、電子写
真要素と、そしてチタニルフルオロフタロシアニンを酸
に溶解して溶液とする工程、前記溶液に水を混合して非
晶質チタニルフルオロフタロシアニンを析出させる工
程、前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを洗浄
して前記酸を実質的にすべて除去する工程、並びに前記
非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを、乾燥及び約
５０℃よりも高い温度の両方を組み合わせた条件を除く
湿潤／乾燥及び温度の周囲条件下で保持する工程を含む
チタニルフルオロフタロシアニンの調製方法とを提供す
る。
【００１２】高結晶化度チタニルフルオロフタロシアニ
ンを調製するための本発明の方法では、チタニルフルオ
ロフタロシアニン顔料粗生成物を、 １）酸に溶解し、 ２）水を混合して顔料を非晶質チタニルフタロシアニン
として析出させ、 ３）洗浄して残留酸分を除去し、そして非晶質チタニル
フルオロフタロシアニンとして使用するために収集する
か、或いは ４）有機溶剤で処理して非晶質顔料を高結晶化度顔料へ
転化する（顔料の結晶化度は有機溶剤のガンマc 水素結
合パラメーターに依存する）。
【００１３】この非晶質チタニルフルオロフタロシアニ
ンは、それが析出された時点から非晶質顔料が高結晶化
度形態に転化されるまで、常時湿潤状態を保たれる。ま
た、本発明の方法の好ましい態様では、非晶質顔料を常
時８０℃未満、より好ましくは５０℃未満の温度にも保
持する。本発明の方法の別の態様では、非晶質顔料を８
０℃、より好ましくは５０℃を越える温度にならないよ
うに保護し、そして非晶質顔料として使用するか、又は
乾燥した後に有機溶剤で処理する。後者の態様は好まし
いものではない。
【００１４】本発明者らは、本発明の方法において新規
な非晶質チタニルフルオロフタロシアニン多形体が得ら
れることを意外にも発見した。これはまったく予想でき
ないことである。非晶質顔料が保護される条件は不当な
ほど過酷ではないようである。米国特許第４，７０１，
３９６号明細書は、例えば、非晶質顔料を沸騰水中で洗
浄することを教示している。
【００１５】さらに本発明者らは、本発明の非晶質顔料
から調製される高結晶化度チタニルフルオロフタロシア
ニンが新規な多形体であることも発見した。この結果は
さらに予想できないものであった。低結晶化度顔料が高
結晶化度顔料へ転化すると、非晶質顔料が暴露されてい
た「周囲」条件の「記憶」のすべてが当然に消されるで
あろうと予測することは合理的であるように見えた。さ
らに予測できなかった特徴として、本発明の高結晶化度
チタニルフルオロフタロシアニンが良好な電子写真特性
を示すことがある。チタニルフルオロフタロシアニンの
一般構造式を以下に示す。
【００１６】
【化４】
【００１７】上式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは各々独立に０
〜４の整数を表すが、但しｋ、ｌ、ｍ及びｎの少なくと
も一つは１〜４の整数である。本発明の実施態様の中に
は、チタニルフルオロフタロシアニンがチタニルテトラ
フルオロフタロシアニンである態様もある。本発明の特
別な実施態様では、チタニルフルオロフタロシアニンが
チタニル２，９，１６，２３−テトラフルオロフタロシ
アニンである。本発明のチタニルフルオロフタロシアニ
ンは、新規な低結晶化度（非晶質）及び高結晶化度の多
形体である。
【００１８】本発明の非晶質チタニルフルオロフタロシ
アニン（本明細書では「低温非晶質顔料」と称する）
は、非晶質顔料が５０℃を越える温度に暴露されないよ
うに保護する変更を加えた類似の方法によって調製され
る。この低温非晶質顔料は、波長１．５４１ÅのＣｕＫ
αのＸ線に対するブラッグ角２θのピークが６．６°、
１３．４°、１５．８°及び２６．１°（いずれも±
０．２°の誤差を含む）に現れるＸ線回折スペクトルを
示す。具体的な低温非晶質顔料の調製法については実施
例１に記載する。
【００１９】（特許請求された本発明の範囲には包含さ
れない）別の非晶質チタニルフルオロフタロシアニン
を、本明細書では「高温非晶質顔料」と称する。この物
質は、実質的に米国特許第４，７０１，３９６号明細書
に記載の酸ペースト化法によって調製されるが、顔料を
最初に乾燥することなく水中で煮沸処理する。具体的な
高温非晶質顔料の調製法については比較例１に記載す
る。
【００２０】本発明の第一の高結晶化度チタニルフルオ
ロフタロシアニン（本明細書中「高温／湿潤／低速／高
結晶化度顔料」と称する）は、高温／湿潤非晶質顔料を
ガンマc 水素結合パラメーター約５．０未満の有機溶剤
で処理することによって調製される。この高温／湿潤／
低速／高結晶化度顔料はＸ線回折スペクトルにおいて波
長１．５４１ÅのＣｕＫαのＸ線に対するブラッグ角２
θのピークが６．７、９．５、１２．１、１３．２、１
５．１、１５．９、２１．５、２３．７、２５．６、２
７．１、２８．１、３０．６、３４．３、３５．０及び
３７．１°（いずれも±０．２°の誤差を含む）に現れ
る。具体的な高温／湿潤／低速／高結晶化度顔料の調製
法については実施例２に記載する。
【００２１】本発明の一対の高結晶化度フルオロフタロ
シアニンは、まず粗顔料を酸ペースト化して冷水に入
れ、その非晶質顔料を冷水でその洗浄水が中性になるま
で洗浄し、次いで、非晶質顔料を乾燥したり温度を５０
℃以上にすることなく、その非晶質顔料をガンマc 水素
結合パラメーター約５．０未満の有機溶剤で処理する
（本明細書中「低温／湿潤／高速／高結晶化度顔料」と
称する顔料）又はその非晶質顔料をガンマc 水素結合パ
ラメーター約９．０超の有機溶剤で処理する（本明細書
中「低温／湿潤／低速／高結晶化度顔料」と称する顔
料）ことによって調製される。
【００２２】この低温／湿潤／高速／高結晶化度顔料は
Ｘ線回折スペクトルにおいて波長１．５４１ÅのＣｕＫ
αのＸ線に対するブラッグ角２θのピークが７．３、１
０．０、１１．９、１３．１、１５．１、１５．９、２
２．３、２３．４、２４．５、２７．２、２９．５、３
０．５、３１．２、３２．６及び３７．２°（いずれも
±０．２°の誤差を含む）に現れる。この低温／湿潤／
低速／高結晶化度顔料はＸ線回折スペクトルにおいて波
長１．５４１ÅのＣｕＫαのＸ線に対するブラッグ角２
θのピークが６．７、９．４、１３．４、１５．１、２
１．４、２３．７、２５．７、２７．０、２８．１、３
０．５、３４．２及び３６．９°（いずれも±０．２°
の誤差を含む）に現れる。具体的な低温／湿潤／高速／
高結晶化度顔料及び低温／湿潤／低速／高結晶化度顔料
の調製法については、それぞれ実施例３及び実施例４に
記載する。
【００２３】本発明の方法は出発物質としてチタニルフ
ルオロフタロシアニン粗生成物を使用する。この粗原料
はいくつかの周知の方法、例えば米国特許第４，７０
１，３９６号明細書に記載されている方法で合成するこ
とができる。粗顔料の粒径範囲は典型的には約１０〜５
０μｍである。この粗顔料を強酸性溶剤に溶解する。現
在好ましい溶剤は無機溶剤、特に濃硫酸である。物質や
条件によって粗顔料の溶解には５分程度の短時間から数
日間という長時間がかかる場合がある。顔料を溶解させ
るのにかかる時間を変更させるために、便宜上、酸性溶
剤の温度を変えることができる。
【００２４】粗顔料を溶解した後、顔料溶液を水に注ぎ
込んで非晶質顔料を析出させる。この水は、好ましくは
温度８０℃未満に、より好ましくは温度５０℃未満に維
持する。一般に最も便利な方法は氷水を使用する方法で
ある。大きな容器を使用する場合には、局部的な過熱を
防止するために攪拌などが必要な場合がある。
【００２５】析出した非晶質顔料は、温度８０℃未満
に、より好ましくは５０℃未満に維持された水中に存在
する。この温度を、高結晶化度顔料へ転化するまで又は
低結晶化度（非晶質）顔料として使用するまで、常時絶
やさずに維持することが非常に好ましい。高結晶化度顔
料を得るためには、非晶質顔料を、高結晶化度顔料へ転
化するまで常に湿潤状態に保つ。
【００２６】析出した非晶質顔料を集めて洗浄し、残留
する酸を除去する。用いる洗浄液は水であっても、水と
有機溶剤の溶液若しくは混合物であっても、また有機溶
剤であってもよい。洗浄液中に有機溶剤が存在する場合
には、この洗浄手順が、非晶質顔料を高結晶化度顔料へ
転化するための非晶質物質の処理としても作用する。本
発明の好ましくない実施態様では、非晶質顔料を沸騰水
中で洗浄した後、高結晶化度顔料へ転化するまで湿潤状
態を維持する。
【００２７】本発明の高結晶化度顔料を調製する際に
は、非晶質顔料を有機溶剤（本明細書では「処理溶剤」
とも称する）で処理する。この処理は、上記のように洗
浄手順の一部として施されるか、又は別工程として施さ
れる。本発明の実施態様の中には、処理溶剤が９．０よ
りも高いガンマc 水素結合パラメーターを示す有機溶剤
（本明細書では「高ガンマc 溶剤」と称する）である態
様がある。本発明の別の実施態様として、処理溶剤が
５．０よりも低いガンマc 水素結合パラメーターを示す
有機溶剤（本明細書では「低ガンマc 溶剤」と称する）
である態様がある。「中間ガンマc 有機溶剤」（ガンマ
c ＝５．０〜９．０）を使用してもよいが、現在のとこ
ろは望ましくないと考えられている。というのは、得ら
れる高結晶化度顔料が、低ガンマc 溶剤と高ガンマc 溶
剤を使用して得られる顔料の混合物（少なくともこれら
の特性を複合したもの）を表すようであるからである。
特別な用途に対して中間特性が望まれる場合には、電子
写真要素に関して以下に記載するように本発明の選ばれ
た顔料の物理的混合物を調製することが好ましい。
【００２８】有機溶剤のガンマc 水素結合パラメーター
値は、「A Three-Dimensional Approach to Solubilit
y」、J.D. Crowley, G.S. Teague, and J.W. Lowe, Jou
rnalof Paint Technology, Vol. 38, No. 496, May 196
6, pp. 269-280に報告され、さらにはCRC Handbook of
Solubility Parameters and Other Cohesion Parameter
s, A. Barton, CRC Press, Boca Raton, m Fla., 1983,
pp. 174, 179-180 及びASTM D3132標準試験法に記載さ
れている方法で測定することができる。この方法は、重
水素置換されたメタノールのＯ−Ｄ結合によって吸収さ
れる赤外線周波数に対する溶剤の影響を測定し、その影
響をベンゼンの同じ結合に対する影響と比較するもので
ある。次いで、試験した溶剤のガンマc 水素結合パラメ
ーター値を以下の方程式により求める。 ガンマc ＝｛〔ｎｕ（ベンゼン）〕−〔ｎｕ（溶
剤）〕｝／１０ 上式中、「ｎｕ（ベンゼン）」はベンゼンと接触してい
る重水素置換されたメタノールのＯ−Ｄ結合によって吸
収される赤外線の波数（ｃｍ-1）であり、そして「ｎｕ
（溶剤）」は試験を受けた溶剤と接触している重水素置
換されたメタノールのＯ−Ｄ結合によって吸収される赤
外線の波数（ｃｍ-1）である。数々の有機溶剤のガンマ
c 水素結合パラメーター値が測定されている。普通溶剤
の一部を表１に記載する。
【００２９】
【表１】
【００３０】溶剤処理の効果に対する理由又は機構につ
いては理解されていない。溶剤処理は非晶質チタニルフ
ルオロフタロシアニンにのみ影響を与えることが知られ
ている。高結晶性チタニルフルオロフタロシアニン顔料
は、有機溶剤によるさらなる処理によって影響を受ける
ことはない。また、高結晶性チタニルフルオロフタロシ
アニンは乾燥若しくは５０℃を上回る温度又はこれらの
両方によって影響を受けることもない。このため、得ら
れた高結晶性チタニルフルオロフタロシアニンは適宜単
離して乾燥することができる。例えば、高結晶化度顔料
を集め、アセトンのような有機溶剤で洗浄し、そして高
温で乾燥することができる。
【００３１】本発明の方法の別の態様では、酸ペースト
化工程の出発物質を、粗顔料ではなく、高結晶性チタニ
ルフルオロフタロシアニン顔料とする。粗顔料の場合と
同じ手順に従う。（５０℃未満で乾燥して）得られた非
晶質顔料は、粗原料から得られた低温乾燥非晶質顔料と
同様、Ｘ線回折スペクトルにおいて波長１．５４１Åの
ＣｕＫαのＸ線に対するブラッグ角２θのピークが６．
６、１３．４、１５．８及び２６．１°（いずれも±
０．２°の誤差を含む）に現れる。この実施態様におい
て出発物質として用いられる高結晶性チタニルフルオロ
フタロシアニンは、本発明の顔料であっても、また酸ペ
ースト化して高温乾燥したような別の方法で得られた顔
料であってもよい。
【００３２】本発明の電子写真要素は、要素において電
荷発生物質として作用する本発明のチタニルフルオロフ
タロシアニン顔料を含む。本発明の電子写真要素は、単
層又は単一活性層要素と通常呼ばれているものや、マル
チアクティブ又は多重活性層要素と通常呼ばれているも
のをはじめとする様々なタイプのものであることができ
る。本発明の電子写真要素はどれも多重層を有する。と
いうのは、各要素が、少なくとも導電層と一つの光発生
（電荷発生）層、すなわち、電荷発生物質として本発明
のチタニルフルオロフタロシアニン顔料を含む層、とを
有するからである。
【００３３】単一活性層要素がそのように呼ばれる理由
は、化学線の露光に応答して電荷を発生し且つ輸送する
という両方に活性である光導電層と呼ばれる層を一つだ
け含有するからである。このような要素は、該光導電層
と電気的に接触された別の導電層を有する。本発明の単
一活性層要素では、光導電層は、化学線に応答して電子
／正孔対を発生させるための電荷発生物質として本発明
のチタニルフルオロフタロシアニン顔料と、電荷発生物
質によって発生した電子を受容しそれらを層を通して輸
送し最初の均一な静電電位を放電させることができる電
荷輸送物質とを含有する。電子輸送剤と本発明のチタニ
ルフルオロフタロシアニン顔料とは光導電層中できるだ
け均一に分散させる。この光導電層はまた、電気絶縁性
のポリマー皮膜形成用バインダーをも含有する。光導電
層は、化学線で露光されている場合を除き、電気絶縁性
である。
【００３４】多重活性層要素がそのように呼ばれる理由
は、それらが少なくとも二つの活性層を含有するからで
ある。その少なくとも一つは化学線の露光に応答して電
荷、すなわち電子／正孔対を発生することができ、よっ
て電荷発生層（ＣＧＬ）と呼ばれ、またその少なくとも
一つは電荷発生層によって発生した電荷を受容し且つ輸
送することができ、よって電荷輸送層（ＣＴＬ）と呼ば
れる。このような要素は少なくとも導電層、ＣＧＬ及び
ＣＴＬを含むことが典型的である。ＣＧＬ又はＣＴＬの
いずれか一方が導電層とＣＧＬ又はＣＴＬの残る一方と
の両方に電気的に接触されている。ＣＧＬは電荷発生物
質としての本発明のチタニルフルオロフタロシアニンと
高分子量バインダーとを含有する。ＣＴＬは電荷輸送剤
と高分子量バインダーとを含有する。
【００３５】単一活性層及び多重活性層の電子写真要素
並びにその調製法及び使用法は、一般に周知であり、例
えば米国特許第４，７０１，３９６号、同第４，６６
６，８０２号、同第４，５７８，３３４号、同第４，７
１９，１６３号、同第４，１７５，９６０号、同第４，
５１４，４８１号及び同第３，６１５，４１４号明細書
にさらに詳細に記載されている。本明細書ではこれらの
開示事項を参照することにより取り入れることとする。
【００３６】本発明の電子写真要素を調製する際には、
バインダー及び所望の添加剤を含む（単一活性層要素で
は）光導電層又は（多重活性層要素では）ＣＧＬの成分
を液体中に溶解又は分散させて電子写真コーティング組
成物を形成させ、次いでこれを適当な下部層、例えば支
持体又は導電層の上に塗布する。次いで、その液体を混
合物から蒸発させて永久的な光導電層又はＣＧＬを形成
させる。本発明のチタニルフルオロフタロシアニンは、
高分子量バインダーの溶剤溶液と直ぐに混合してもよい
し、またコーティング組成物を調製する前にある期間保
存してもよい。
【００３７】コーティング組成物には本発明のチタニル
フルオロフタロシアニン顔料を２種以上添加することも
できる。所望であれば、本発明の顔料をまず乾燥物理的
混合物として組み合わせてからコーティング組成物へ添
加してもよい。
【００３８】コーティング組成物の調製に用いられる高
分子量バインダーは、電子写真層の製作に有用であれば
いずれのバインダーであってもよい。高分子量バインダ
ーは、絶縁耐力が相当に高い皮膜形成性ポリマーであ
る。本発明の好ましい実施態様では、高分子量バインダ
ーは良好な電気絶縁性をも示す。このバインダーは、層
内での電荷の発生や輸送をほとんど又は全く妨害するこ
とがない。また、さらに別の機能を発揮するようにバイ
ンダーを選定することもできる。例えば、ある層を隣接
層へ付着すること、又は最上部層として滑らかで、清浄
しやすく、耐磨耗性の表面を提供することができる。代
表的なバインダーは、絶縁耐力が相当に高く且つ電気絶
縁性が良好な皮膜形成性ポリマーである。このようなバ
インダーの例として、スチレン−ブタジエンコポリマ
ー；ビニルトルエン−スチレンコポリマー；スチレンア
ルキド樹脂；シリコーン−アルキド樹脂；大豆−アルキ
ド樹脂；塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー；ポリ
（塩化ビニリデン）；塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ルコポリマー；酢酸ビニル−塩化ビニルコポリマー；ポ
リ（ビニルブチラール）のようなポリ（ビニルアセター
ル）；ニトロ化ポリスチレン；ポリ（メチルスチレ
ン）；イソブチレンポリマー；ポリ〔エチレン−コ−ア
ルキレンビス（アルキレンオキシアリール）フェニレン
ジカルボキシレート〕のようなポリエステル；フェノー
ル−ホルムアルデヒド樹脂；ケトン樹脂；ポリアミド；
ポリカーボネート；ポリチオカーボネート；ポリ〔エチ
レン−コ−イソプロピリデン−２，２−ビス（エチレン
オキシフェニレン）−テレフタレート〕；ポリ（ビニル
−ｍ−ブロモベンゾエート−コ−酢酸ビニル）のような
ビニルハロアクリレートと酢酸ビニルとのコポリマー；
塩素化ポリ（エチレン）のような塩素化ポリ（オレフィ
ン）；酢酸セルロース、酢酪酸セルロース及びエチルセ
ルロースのようなセルロース誘導体；並びにポリ〔１，
１，３−トリメチル−３−（４’−フェニル）−５−イ
ンダンピロメリットイミド〕のようなポリイミドが挙げ
られる。電荷の発生又は輸送の妨害を最小限に抑えると
いう観点から特に望ましいバインダーポリマーの例とし
て、ポリ〔（４，４’−ノルボルニリデン）ジフェニレ
ンテレフタレート−コ−アゼレート〕のようなポリエス
テル及びビスフェノールＡポリカーボネートが挙げられ
る。
【００３９】高分子量バインダー溶液を形成するのに好
適な有機溶剤は、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン及びメシチレンのような芳香族炭化水素；アセトン、
ブタノン及び４−メチル−２−ペンタノンのようなケト
ン；ジクロロメタン、トリクロロエタン、塩化メチレ
ン、クロロホルム及び塩化エチレンのようなハロゲン化
炭化水素；エチルエーテル及びジオキサンやテトラヒド
ロフランのような環状エーテルをはじめとするエーテ
ル；アセトニトリル及びジメチルスルホキシドのような
他の溶剤；並びにこれら溶剤の混合物、をはじめとする
各種有機溶剤の中から選ぶことができる。バインダー溶
液を形成する際の溶剤使用量は、バインダー１重量部当
たり、典型的には約２〜約１００重量部、好ましくは約
１０〜５０重量部の範囲にある。
【００４０】コーティング組成物において、バインダー
に対するチタニルフルオロフタロシアニンの、又はバイ
ンダーに対するチタニルフルオロフタロシアニンと電荷
輸送物質の最適比率は、用いる特定の材料に依存して幅
広く変動しうる。一般に、チタニルフルオロフタロシア
ニンと電荷輸送物質の層内総濃度が、該層の乾重量に対
して約０．０１〜約９０重量％の範囲内にある場合に、
有用な結果が得られる。本発明の単一活性層型電子写真
要素の好ましい実施態様では、そのコーティング組成物
が約１０〜約７０重量％の電荷輸送剤と０．０１〜約５
０重量％の本発明のチタニルフルオロフタロシアニン顔
料とを含有する。本発明の多重活性層型電子写真要素の
好ましい実施態様では、そのコーティング組成物が約０
〜約４０重量％の電荷輸送剤と０．０１〜約８０重量％
の本発明のチタニルフルオロフタロシアニン顔料とを含
有する。
【００４１】ＣＴＬの製作には、ＣＧＬ又は光導電層に
有用な高分子量バインダーを使用することもできる。本
発明の要素には任意の電荷輸送物質を利用することがで
きる。このような物質として、無機及び有機（モノマー
性有機、金属−有機又はポリマー性有機）物質、とりわ
け、例えば酸化亜鉛、酸化鉛、セレン、フタロシアニ
ン、ペリレン、アリールアミン、ポリアリールアルカン
及びポリカルバゾール、が含まれる。ＣＴＬは、溶剤塗
布してもよいし、また真空蒸着のような他の何らかの方
法で製作してもよい。本発明の要素に含まれるＣＧＬ及
びＣＴＬは、必要に応じて、レベリング剤、界面活性
剤、可塑剤、増感剤、コントラスト調節剤及び剥離剤の
ような当該技術分野でよく知られている別の添加剤を含
有することができる。
【００４２】本発明の電子写真要素には各種の導電層又
は支持体を使用することができる。例えば、（２０％よ
りも高い相対湿度において）紙、アルミニウム−紙積層
体；アルミニウム箔、亜鉛箔、などのような金属箔；ア
ルミニウム、銅、亜鉛、黄銅及び亜鉛めっき板のような
金属板；銀、クロム、バナジウム、金、ニッケル、アル
ミニウム、等のような蒸着金属層；並びにヨウ化第一銅
及びインジウム／錫酸化物のような半導体層、を使用す
ることができる。これら金属層又は半導体層は、紙又は
常用の写真フィルムベース、例えばポリ（エチレンテレ
フタレート）、酢酸セルロース、等の上に塗布すること
ができる。製作後の電子写真要素をいずれの側からも露
光できるよう十分に薄い層として透明フィルム支持体の
上にクロム、ニッケル、等の導電性物質を真空蒸着する
ことができる。
【００４３】本発明の電子写真要素は、一般に電子写真
要素において有用であることが知られているさらに別の
各種層、例えば下塗層、オーバーコート層、バリヤ層及
びスクリーニング層、を含むことができる。以下の実施
例及び比較例により本発明の好ましい実施態様の一部を
さらに説明する。特に断らない限り、出発物質はいずれ
も市販品を使用した。
【００４４】
【実施例】電子写真要素の赤及び近赤外光感度は、該要
素を静電コロナ帯電処理によって初期電位−７００ボル
トにし、そして該要素に、その初期電位を−３５０ボル
トにまで光導電的に放電（光放電率５０％）させるに十
分な量の、７７５ｎｍの狭い帯域透過フィルター（帯域
幅約１０ｎｍ、ピーク強度出力波長７７５ｎｍ）を搭載
したキセノンランプのフラッシュを１５０マイクロ秒間
照射することによって評価した。光感度は、初期電圧を
所望のレベルにまで放電低下させるのに必要な入射化学
線エネルギーの量（エルグ／ｃｍ2 ）に関して測定し
た。所望の放電度合いを達成するのに必要な輻射線量が
少ないほど、要素の光感度は高いことになる。暗減衰
は、帯電させた要素の未露光領域を暗所内で７秒間自発
放電させて測定した。暗減衰量は、（７秒後の）暗放電
量を７で割って算出した。
【００４５】４−フルオロフタロニトリル（３８．７グ
ラム、０．２６７モル）と三塩化チタン（２０．７グラ
ム、０．１３４モル）を２００ｍｌの１−クロロナフタ
レンに懸濁して２１０〜２１５℃に加熱してこの温度で
２．５時間維持した。この反応混合物を若干冷却し、そ
して暗色の固形分を集めてアセトンとメタノールで洗浄
した。乾燥後、暗青色の固体（３４グラム）を還流下の
ジメチルホルムアミド中に２回スラリー化させ、その都
度冷却せずに濾過し、そしてアセトンで洗浄すると、チ
タニル２，９，１６，２３−テトラフルオロフタロシア
ニン粗生成物が得られた。
【００４６】チタニルテトラフルオロフタロシアニン粗
顔料（１キログラム）を２時間かけて濃硫酸（１０リッ
トル）に溶解させた。その溶液の温度を９〜２１℃に維
持した。その溶液を焼結ガラス漏斗で濾過した後、１０
５分かけてゆっくりと水の中に注入した。水温は２４〜
４６℃に維持した。析出した非晶質チタニルフルオロフ
タロシアニンを沈降させた。水をデカントして顔料を分
離した。その顔料を水で洗浄し、その水をデカントする
操作を４回繰り返した。次いで、顔料を、布製ライニン
グを施した漏斗に注ぎ込み、リンス水の試験結果が中性
になるまで水でリンスした。その後、顔料を、湿ったケ
ーク状のまま封止容器中に室温保存した。湿ったケーク
の一部を取り出して室温で乾燥させた。粉末Ｘ線回折ス
ペクトルを測定し、図１に示す。結果を表２及び表３に
記載する。
【００４７】実施例１の湿った顔料ケークの一部を水に
入れて煮沸した。その顔料をフィルターに集めた後、水
に再分散させる洗浄操作を全部で３回繰り返した。最後
の洗浄水のｐＨは７であった。顔料をフィルターに集め
て乾燥した。粉末Ｘ線回折スペクトルを測定し、図２に
示す。結果を表２及び表３に記載する。
【００４８】実施例１の湿った顔料ケークの一部をスチ
ームキャビネット内で乾燥し、乳鉢内で粉砕した後、水
に入れて煮沸した。その顔料をフィルターに集めた後、
水に再分散させる洗浄操作を全部で４回繰り返した。最
後の洗浄水のｐＨは２であった。顔料をフィルターに集
めて乾燥した。粉末Ｘ線回折スペクトルを測定し、図３
に示す。結果を表２及び表３に記載する。
【００４９】
【表２】
【００５０】
【表３】
【００５１】＊正規化値約５未満のピークについては記
載なし 比較例２で調製した顔料の一部（約２６０グラム）にジ
クロロメタンと水の（１：１）配合物約１４００ｍＬを
混合した。〔ジクロロメタンのガンマc 水素結合パラメ
ーターは７．０未満である。〕ジクロロメタンを還流し
た後、蒸発して除去し、そして顔料をフィルターに集め
た。この操作を全部で６回繰り返した。最終回に濾過さ
れた水のｐＨは中性であった。次いで、顔料を乾燥し
た。粉末Ｘ線回折スペクトルを測定し、図４に示す。
【００５２】次いで、ニューヨーク州ロチェスターにあ
るイーストマン・コダック社から市販されている厚さ１
７５μｍのＥｓｔａｒ（商標）ポリ（エチレンテレフタ
レート）フィルムの上に光学濃度が０．４になるように
ニッケル層を真空蒸着させた導電性支持体を用いて電子
写真要素を製作した。コーティングは、押出ホッパー塗
工機を用いて適用した。最初に、東レ化学株式会社から
Ａｍｉｌａｎ ＣＭ８０００として市販されているポリ
アミド樹脂のエタノール溶液（２重量％）を用いてホッ
パー塗工機により０．０５グラム（乾重量）／ｆｔ2 の
塗布速度で裸の導電性支持体にバリヤ層を下塗をした。
【００５３】チタニルフルオロフタロシアニン顔料
（０．５重量部）と、トリ−４−トリルアミン（０．０
６重量部）と、１，１−ビス〔４−（ジ−４−トリルア
ミノ）フェニル〕シクロヘキサン（０．０６重量部）
と、ポリ〔４，４’−（２−ノルボルニリデン）ビスフ
ェニレンテレフタレート−コ−アゼレート（６０／４
０）〕バインダー（０．５８重量部）とをテトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）中で混合して４重量％溶液（チタニル
フルオロフタロシアニン重量／溶液重量）を提供するこ
とによって、電荷発生コーティング組成物を調製した。
得られたコーティング組成物を前記バリヤ層の上に塗布
した。得られた電荷発生層の厚さは０．５μｍであっ
た。
【００５４】トリ−４−トリルアミン（０．２重量部）
と、１，１−ビス〔４−（ジ−４−トリルアミノ）フェ
ニル〕シクロヘキサン（０．２重量部）と、ポリ〔４，
４’−（２−ノルボルニリデン）ビスフェニレンテレフ
タレート−コ−アゼレート（６０／４０）〕バインダー
（０．６重量部）とをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中
で混合して１２重量％溶液（全固形分／溶液）を提供す
ることによって、電荷輸送コーティング組成物を調製し
た。得られたコーティング組成物を前記電荷発生層の上
に塗布した。得られた電荷輸送層の厚さは２４μｍであ
った。
【００５５】得られた電子写真要素に負の７００ボルト
を帯電させ、上記のように、７７５ｎｍの狭い帯域透過
フィルターを搭載したキセノンランプのフラッシュを１
５０マイクロ秒間照射することによって、光感度と暗減
衰を評価した。各試料の５０％光減衰エネルギーを暗減
衰速度と共に表４に記載する。これらの結果を表４及び
表５に示す。
【００５６】比較例３で調製した顔料の一部を、比較例
３に記載したものと実質的に同じ手順でジクロロメタン
により処理した。粉末Ｘ線回折スペクトルを測定し、図
５に示す。比較例３の記載と実質的に同様に電子写真要
素を製作して評価した。これらの結果を表４及び表５に
示す。
【００５７】実施例１で調製した湿潤顔料ケークの一部
を、乾燥させずに、比較例３に記載したものと実質的に
同じ手順でジクロロメタンにより処理した。粉末Ｘ線回
折スペクトルを測定し、図６に示す。比較例３の記載と
実質的に同様に電子写真要素を製作して評価した。これ
らの結果を表４及び表５に示す。
【００５８】実施例１の湿った顔料の一部（約１３５グ
ラム）に、ガンマc 水素結合パラメーターが１０．０よ
りも高い有機溶剤であるメタノール（約５００ｍＬ）を
混合した。その混合物を攪拌して焼結ガラス漏斗で濾過
した。試料をメタノール中に再分散させ、１時間還流
し、濾過し、室温で乾燥し、そして乳鉢で粉砕した。次
いで、顔料を水に入れ、煮沸し、そしてフィルターに集
める操作を、その濾液のｐＨが中性になるまで繰り返し
た。次いで、顔料を５０〜６０℃の真空炉内で乾燥し
た。得られた粉末のＸ線回折スペクトルを図７に示す。
比較例３の記載と実質的に同様に電子写真要素を製作し
て評価した。これらの結果を表４及び表５に示す。
【００５９】
【表４】
【００６０】「条件」は、顔料が非晶質形にあるときに
晒された最高温度と、非晶質顔料が有機溶剤処理時に湿
潤状態であったか乾燥状態であったかと、そして処理有
機溶剤のガンマc が「高い」（９よりも大きい）か「低
い」（７よりも小さい）かとを示すものである。
【００６１】
【表５】
【００６２】＊正規化値約５未満のピークについては記
載なし 実施例３の低温／湿潤／高速／高結晶性チタニルフルオ
ロフタロシアニンの感度が最も高く（数値が最低）、実
施例４の低温／湿潤／低速／高結晶性チタニルフルオロ
フタロシアニンの感度が最も低かった。比較例２で調製
した顔料の一部に、２８．３グラム（１２オンス）のジ
ャーの中で、ジクロロメタン（３００グラム、ガンマc
水素結合パラメーター＝１．５）と直径２ｍｍのステン
レススチール製ショット（３００グラム）を混合した。
ケンタッキー州フローレンスにあるＳｗｅｃｏ社製のＳ
ｗｅｃｏ ＶｉｂｒｏＥｎｅｒｇｙ微粉砕ミルの中で顔
料を３日間微粉砕し、そしてショットを除去した。顔料
を濾過し、ジクロロメタンで洗浄し、乾燥し、そして集
めた。得られた高結晶化度チタニルフルオロフタロシア
ニン生成物のＸ線回折スペクトルを測定し、図８に示
す。顔料試料の一部を残留硫酸について滴定した。硫酸
濃度測定値は０．５８重量％であった。
【００６３】比較例３の記載と実質的に同様に電子写真
要素を製作して評価したが、但し、ポリエステルバイン
ダーの代わりに、Ｌｅｘａｎ １４５（商標）ポリカー
ボネート（ニューヨーク州シェネクタディーにあるＧｅ
ｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社の市販品）のバインダ
ーを使用し、また電荷輸送物質として１，１−ビス（ジ
−４−トリルアミノフェニル）−３−フェニルプロパン
を使用した。電荷輸送層は、Ｍｏｂａｙ Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ社より商標Ｍａｋｒｏｌｏｎで市販されているポリ
カーボネートと電荷輸送物質として１，１−ビス（ジ−
４−トリルアミノフェニル）−３−フェニルプロパンと
を含む（重量比１：１）ものとした。どちらの層もジク
ロロメタン／１，１，２−トリクロロメタンの６０：４
０溶剤混合物を使用した。結果を表６及び表７に記載す
る。
【００６４】チタニルフルオロフタロシアニン粗生成物
を濃硫酸（１０リットル）に２時間かけて溶解させた。
その溶液の温度を約２０℃に維持した。その溶液を粗い
焼結ガラス漏斗で濾過し、６〜３２℃に維持した水の中
ですばやく（５０分）析出させた。顔料を沈降させ、水
をデカントした後、再度顔料を水に分散させた。この操
作を全部で１５回繰り返した。最後の洗浄水のｐＨは２
であった。その顔料を水に分散させ、ジクロロメタン
（ＤＣＭ）を添加し、そのジクロロメタンを蒸留して除
去し、そして水をデカントした。この操作を、濾液のｐ
Ｈが中性になるまで繰り返した。次いで、顔料をＤＣＭ
に再分散させ、微細焼結ガラス漏斗で濾過し、ＤＣＭ、
次いでアセトンで洗浄し、そして乾燥した。得られた高
結晶化度チタニルフルオロフタロシアニン粉末のＸ線回
折パターンを図９に示す。顔料の試料を残留酸について
滴定したところ、酸は実質的に含まれない（０．０５重
量％未満である）ことがわかった。結果を表６及び表７
に記載する。
【００６５】
【表６】
【００６６】「条件」は、顔料が非晶質形にあるときに
晒された最高温度と、非晶質顔料が有機溶剤処理時に湿
潤状態であったか乾燥状態であったかと、そして処理有
機溶剤のガンマc が「高い」（９よりも大きい）か「低
い」（７よりも小さい）かとを示すものである。
【００６７】
【表７】
【００６８】＊正規化値約５未満のピークについては記
載なし 実施例１の記載と実質的に同様にして非晶質チタニルフ
ルオロフタロシアニンを調製したが、但し、溶解顔料の
析出に用いた水温と非晶質顔料の洗浄に用いた水温を表
８に示したように変化させた。得られた顔料を室温で乾
燥し、そして粉末Ｘ線回折スペクトルを測定した。結果
を表８及び表９に記載する。実施例６〜９と同様にして
非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを調製し評価し
たが、但し、溶解顔料の析出に用いた水温と非晶質顔料
の洗浄に用いた水温を表８に示したように変化させた。
得られた顔料を室温で乾燥し、そして粉末Ｘ線回折スペ
クトルを測定した。結果を表８及び表９に記載する。
【００６９】
【表８】
【００７０】
【表９】
【００７１】＊正規化値２未満のピークについては記載
なし ＊1 ２６．８°のピーク ＊2 ±０．３°の誤差を含む ＊3 １５．３°のピーク
【００７２】
【発明の効果】本発明の少なくとも一部の実施態様によ
る有利な効果は、改良されたチタニルフルオロフタロシ
アニン多形体を調製する方法が提供されることである。
この方法で調製された新規チタニルフルオロフタロシア
ニン組成物を用いると、改良された電子写真要素が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図２】比較例１で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図３】比較例２で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図４】比較例３で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図５】実施例２で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図６】実施例３で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図７】実施例４で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図８】比較例４で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図９】実施例５で得られたチタニルフルオロフタロシ
アニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１０】実施例６で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１１】実施例７で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１２】実施例８で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１３】実施例９で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１４】比較例５で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１５】比較例６で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１６】比較例７で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１７】比較例８で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。
【図１８】比較例９で得られたチタニルフルオロフタロ
シアニンのＸ線回折スペクトル図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チタニルフルオロフタロシアニンを酸に
    溶解して溶液とする工程と、 前記溶液に水を混合して非晶質チタニルフルオロフタロ
    シアニンを析出させる工程と、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを洗浄して
    前記酸を実質的にすべて除去する工程と、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンに有機溶剤
    を接触させて前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニ
    ンを高結晶化度チタニルフルオロフタロシアニンに転化
    させる工程とを含み、 前記析出工程から前記転化工程にかけて絶えず前記非晶
    質チタニルフルオロフタロシアニンと水との接触状態を
    保持する、高結晶化度チタニルフルオロフタロシアニン
    の調製方法。
  2. 【請求項２】 チタニルフルオロフタロシアニンを酸に
    溶解して溶液とする工程と、 前記溶液に水を混合して非晶質チタニルフルオロフタロ
    シアニンを析出させる工程と、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを洗浄して
    前記酸を実質的にすべて除去する工程とを含み、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを前記混合
    工程中から以降８０℃未満の温度に保持する、チタニル
    フルオロフタロシアニン組成物の調製方法。
  3. 【請求項３】 チタニルフルオロフタロシアニンを酸性
    溶剤に溶解して溶液とする工程と、 前記溶液に水を混合して前記溶解したチタニルフルオロ
    フタロシアニンを非晶質チタニルフルオロフタロシアニ
    ンとして析出させる工程と、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを洗浄して
    ｐＨが実質的に中性になるまで残留酸を除去する工程
    と、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンに有機溶剤
    を接触させて前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニ
    ンを高結晶性チタニルフルオロフタロシアニンに転化さ
    せる工程とを含み、 前記非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを前記混合
    工程中から以降５０℃未満の温度に且つ湿潤状態で保持
    する、チタニルフルオロフタロシアニン組成物の調製方
    法。
  4. 【請求項４】 下記一般構造式： 【化１】 （上式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは各々独立に０〜４の整数
    を表すが、但しｋ、ｌ、ｍ及びｎの少なくとも一つは１
    〜４の整数である）で示される非晶質チタニルフルオロ
    フタロシアニンであって、Ｘ線回折スペクトルにおいて
    ＣｕＫαの波長１．５４１ÅのＸ線に対するブラッグ角
    ２θのピークが６．６°、１３．４°、１５．８°及び
    ２６．１°（いずれも±０．２°の誤差を含む）に現れ
    る非晶質チタニルフルオロフタロシアニンを含む組成
    物。
  5. 【請求項５】 下記一般構造式： 【化２】 （上式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは各々独立に０〜４の整数
    を表すが、但しｋ、ｌ、ｍ及びｎの少なくとも一つは１
    〜４の整数である）で示される高結晶化度チタニルフル
    オロフタロシアニンであって、Ｘ線回折スペクトルにお
    いてＣｕＫαの波長１．５４１ÅのＸ線に対するブラッ
    グ角２θのピークが７．２°、１１．９°、１３．４
    °、１５．８°、２３．４°、２４．５°及び２７．１
    °（いずれも±０．２°の誤差を含む）に現れる高結晶
    化度チタニルフルオロフタロシアニンを含む組成物。
  6. 【請求項６】 下記一般構造式： 【化３】 （上式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは各々独立に０〜４の整数
    を表すが、但しｋ、ｌ、ｍ及びｎの少なくとも一つは１
    〜４の整数である）で示される高結晶化度チタニルフル
    オロフタロシアニンであって、Ｘ線回折スペクトルにお
    いてＣｕＫαの波長１．５４１ÅのＸ線に対するブラッ
    グ角２θのピークが６．６°、９．３°、１５．１°、
    ２３．７°、２５．６°及び２７．１°（いずれも±
    ０．２°の誤差を含む）に現れる高結晶化度チタニルフ
    ルオロフタロシアニンを含む組成物。
JP7278920A 1994-10-27 1995-10-26 チタニルフルオロフタロシアニンの調製方法及び新規チタニルフルオロフタロシアニン組成物 Pending JPH08208670A (ja)

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