JPH08208860A - 中空部材の表面の処理のための装置 - Google Patents
中空部材の表面の処理のための装置Info
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- JPH08208860A JPH08208860A JP7268720A JP26872095A JPH08208860A JP H08208860 A JPH08208860 A JP H08208860A JP 7268720 A JP7268720 A JP 7268720A JP 26872095 A JP26872095 A JP 26872095A JP H08208860 A JPH08208860 A JP H08208860A
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-
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05D7/227—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to internal surfaces, e.g. of tubes of containers, cans or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K15/00—Arrangement in connection with fuel supply of combustion engines or other fuel consuming energy converters, e.g. fuel cells; Mounting or construction of fuel tanks
- B60K15/03—Fuel tanks
- B60K15/03177—Fuel tanks made of non-metallic material, e.g. plastics, or of a combination of non-metallic and metallic material
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、プラズマのための励起エネ
ルギのできるだけ均質な分配を可能にする装置を提供し
て、これによって一様な特性、例えば厚さの層の析出の
ための著しい基本条件が実現されるようにすることであ
る。 【解決手段】 開口６，６′を有する中空部材４の形状
に適合されて中空部材を包む金属製のシェル２，２′が
設けられており、該シェル内に溝状の凹所５，５′を形
成してあり、該凹所が該凹所を覆う中空部材壁と一緒に
中空導体を形成しており、該中空導体がマイクロ波導体
２０，２０′を介して発生器１９，１９′に接続される
ようになっており、プロセスガスのための導管９，９′
が中空部材の内部に導入されるようになっており、閉鎖
部材７，７′若しくは栓が設けられており、該閉鎖部材
若しくは栓によって中空部材の開口が密接に閉鎖される
ようになっている。
ルギのできるだけ均質な分配を可能にする装置を提供し
て、これによって一様な特性、例えば厚さの層の析出の
ための著しい基本条件が実現されるようにすることであ
る。 【解決手段】 開口６，６′を有する中空部材４の形状
に適合されて中空部材を包む金属製のシェル２，２′が
設けられており、該シェル内に溝状の凹所５，５′を形
成してあり、該凹所が該凹所を覆う中空部材壁と一緒に
中空導体を形成しており、該中空導体がマイクロ波導体
２０，２０′を介して発生器１９，１９′に接続される
ようになっており、プロセスガスのための導管９，９′
が中空部材の内部に導入されるようになっており、閉鎖
部材７，７′若しくは栓が設けられており、該閉鎖部材
若しくは栓によって中空部材の開口が密接に閉鎖される
ようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、中空部材の表面、
特に燃料タンクの内面の処理のための装置であって、真
空ポンプを介して真空可能な処理室、中空部材を処理室
内で支える保持部材、及び処理室内にプロセスガスを流
入させるための導管、及び中空部材の領域内でのプラズ
マの点弧のための、発生器に接続されたマイクロ波導体
を備えている形式のものに関する。
特に燃料タンクの内面の処理のための装置であって、真
空ポンプを介して真空可能な処理室、中空部材を処理室
内で支える保持部材、及び処理室内にプロセスガスを流
入させるための導管、及び中空部材の領域内でのプラズ
マの点弧のための、発生器に接続されたマイクロ波導体
を備えている形式のものに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック容器においては一般に、該
プラスチック容器内に入れられた内容物、特に小さな分
子から成る内容物が容器壁を通って移動するという問題
がある。このことは、内容物が有害若しくは高価であ
り、若しくは容器内に溜められた内容物が個別の成分を
失うことによって特性を変化させられるような場合には
特に不都合である。特性の変化は例えば香料の場合であ
る。
プラスチック容器内に入れられた内容物、特に小さな分
子から成る内容物が容器壁を通って移動するという問題
がある。このことは、内容物が有害若しくは高価であ
り、若しくは容器内に溜められた内容物が個別の成分を
失うことによって特性を変化させられるような場合には
特に不都合である。特性の変化は例えば香料の場合であ
る。
【０００３】適当な遮蔽層を形成するための特に有望な
方法がプラズマ重合であり、それというのはこれによっ
て気密になり、この場合、著しく薄いプラスチック層が
容器の内部にも析出される。従って、必要な遮蔽作用の
ほかに容器材料の良好なリサイクル性が得られる。従来
用いられた弗化法に対する著しい利点が、危険な作業物
質（例えばフッ素）を使用する必要のないことにある。
方法がプラズマ重合であり、それというのはこれによっ
て気密になり、この場合、著しく薄いプラスチック層が
容器の内部にも析出される。従って、必要な遮蔽作用の
ほかに容器材料の良好なリサイクル性が得られる。従来
用いられた弗化法に対する著しい利点が、危険な作業物
質（例えばフッ素）を使用する必要のないことにある。
【０００４】中空部材のプラズマ内面被覆の方法がドイ
ツ連邦共和国特許出願第３６３２７４８号明細書により
公知であり、この場合、プラズマの形成のためにマイク
ロ波が外側からタンク内に供給され、従って均質なマイ
クロ波場がプラズマ反応器の内部に形成される。しかし
ながら当該技術分野において、技術的な意味の容積、例
えば燃料タンクの容積内に均質なマイクロ波場を形成す
ることには問題があることがわかった。
ツ連邦共和国特許出願第３６３２７４８号明細書により
公知であり、この場合、プラズマの形成のためにマイク
ロ波が外側からタンク内に供給され、従って均質なマイ
クロ波場がプラズマ反応器の内部に形成される。しかし
ながら当該技術分野において、技術的な意味の容積、例
えば燃料タンクの容積内に均質なマイクロ波場を形成す
ることには問題があることがわかった。
【０００５】さらに、プラスチック容器の内面被覆のた
めの装置がドイツ連邦共和国特許出願第３９０８４１８
号明細書により公知であり、該装置によってプラズマが
ＭＨｚ−領域、若しくは２．４５ＧＨｚの高周波電圧
で、即ちマイクロ波で励起される。高周波はここでは中
空ゾンデ（Hohlsonde)を介してプラスチック容器内に供
給される。中空ゾンデによっても、特に複合的に形成さ
れた燃料容器内での同じ高周波場若しくはマイクロ波場
が期待できない。
めの装置がドイツ連邦共和国特許出願第３９０８４１８
号明細書により公知であり、該装置によってプラズマが
ＭＨｚ−領域、若しくは２．４５ＧＨｚの高周波電圧
で、即ちマイクロ波で励起される。高周波はここでは中
空ゾンデ（Hohlsonde)を介してプラスチック容器内に供
給される。中空ゾンデによっても、特に複合的に形成さ
れた燃料容器内での同じ高周波場若しくはマイクロ波場
が期待できない。
【０００６】さらに、プラスチック容器の内面被覆のた
めの方法がＪＰ３１０７４５８号明細書により公知であ
り、この場合、タンク内に差し込まれた電極に生ぜしめ
られた高周波電圧を用いてプラズマがタンク内に形成さ
れて、前処理及び引き続く重合に活用される。
めの方法がＪＰ３１０７４５８号明細書により公知であ
り、この場合、タンク内に差し込まれた電極に生ぜしめ
られた高周波電圧を用いてプラズマがタンク内に形成さ
れて、前処理及び引き続く重合に活用される。
【０００７】前記装置には共通に欠点として、均質な被
覆作用を生ぜしめるプラズマを得ることができず、かつ
層品質、特に透過遮断作用の迅速な制御が不可能であ
る。このような欠点は、プラスチック容器としての容器
からの内容物の許容透過率が低くされ、許容透過率の測
定のために形成されたテスト室内での許容透過率の測定
の時間が複数月にわたる場合に著しく問題になる。
覆作用を生ぜしめるプラズマを得ることができず、かつ
層品質、特に透過遮断作用の迅速な制御が不可能であ
る。このような欠点は、プラスチック容器としての容器
からの内容物の許容透過率が低くされ、許容透過率の測
定のために形成されたテスト室内での許容透過率の測定
の時間が複数月にわたる場合に著しく問題になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、プラ
ズマのための励起エネルギのできるだけ均質な分配を可
能にする装置を提供して、これによって一様な特性、例
えば厚さの層の析出のための著しい基本条件が実現され
るようにすることである。さらに、被覆された容器の密
度を短い時間及び少ない費用で検査できるようにした
い。付加的に装置が、ジャストインタイム・製造（“ju
st in time"-Produktion)の目的で異なる容器形状の被
覆のためのできるだけ短い準備時間で投入できるように
したい。
ズマのための励起エネルギのできるだけ均質な分配を可
能にする装置を提供して、これによって一様な特性、例
えば厚さの層の析出のための著しい基本条件が実現され
るようにすることである。さらに、被覆された容器の密
度を短い時間及び少ない費用で検査できるようにした
い。付加的に装置が、ジャストインタイム・製造（“ju
st in time"-Produktion)の目的で異なる容器形状の被
覆のためのできるだけ短い準備時間で投入できるように
したい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の構成では、開口を有する中空部材の形状に適
合されて中空部材を包む金属製のシェルが設けられてお
り、該シェル内に溝状の凹所を形成してあり、該凹所が
該凹所を覆う中空部材壁と一緒に中空導体を形成してお
り、該中空導体がマイクロ波導体を介して発生器に接続
されるようになっており、プロセスガスのための導管が
中空部材の内部に導入されるようになっており、閉鎖部
材若しくは栓が設けられており、該閉鎖部材若しくは栓
によって中空部材の開口が密接に閉鎖されるようになっ
ている。
に本発明の構成では、開口を有する中空部材の形状に適
合されて中空部材を包む金属製のシェルが設けられてお
り、該シェル内に溝状の凹所を形成してあり、該凹所が
該凹所を覆う中空部材壁と一緒に中空導体を形成してお
り、該中空導体がマイクロ波導体を介して発生器に接続
されるようになっており、プロセスガスのための導管が
中空部材の内部に導入されるようになっており、閉鎖部
材若しくは栓が設けられており、該閉鎖部材若しくは栓
によって中空部材の開口が密接に閉鎖されるようになっ
ている。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１に示すように、旋回開き可能
な真空室１はシェル状の少なくとも２つの薄板（シェ
ル）２，２′によって内張りされており、該２つの薄板
によって閉じられた中空室３が被覆すべき容器（例え
ば、中空部材若しくは燃料タンク）４とほぼ同じ形状を
有している。薄板２，２′の容器側の表面内に、蛇行し
て延びる方形の凹所（例えば、溝）５，５′，５″，
５′″ が設けられており、これによってマイクロ波が
プラズマ生成のために供給されて、中空室の内面にわた
って分配される。薄板２，２′は、該薄板によって閉じ
られた中空室３が真空室１の開放に際して同じように開
けられて、容器４の装填のために接近可能になる。真空
室１内に、若しくは薄板２，２′に、容器４の異なる開
口６，６′の迅速な閉鎖のための栓７，７′を配置して
あり、栓は有利には開口６，６′が真空室１の閉じられ
る際に自動的に、例えば圧力によって閉鎖されて、容器
４の内室を真空室１の内室から分離するように形成され
ている。開口６，６′の数及び配置に応じて蓋若しくは
栓７，７′の少なくとも１つが、反応ガスの供給及び吸
引を同時に許すように構成されており、この場合、相応
の真空導管８及びガス供給導管９，９′は真空室１の内
室に対して接続されていない。真空室１は別個の真空導
管１０を介して真空ポンプ１３若しくは通気弁１４に接
続されている。反応ガス若しくは反応ガス混合気が単数
若しくは複数のガス若しくは流体容器１１，１１′から
取り出され、導管１２，１２′を介して中空室３内に供
給される。反応ガス流の調量のために導管内に少なくと
も１つの調整弁１５，１５′が設けられている。ガス供
給導管９，９′が弁１６を介してヘリウム２４のための
供給導管に接続されており、かつ真空導管８が弁１７を
介してヘリウム検出器１８に接続されている。マイクロ
波形成が、例えばマグネトロン（発生器）１９，１９′
・・・によって２．４５ＧＨｚの作業周波数で行われ、
マグネトロンがそれぞれ中空導体(Hohlleiter)２０，２
０′・・・を介してコイル状若しくは蛇行状の切欠き若
しくは溝状の凹所５，５′・・・に接続されている。こ
の場合、中空導体２０，２０′・・・の内部が凹所５，
５′・・・内にはめ込まれた石英プレート２１，２１′
によって真空室の内室からガス密に仕切られており、従
って真空室１内に真空の生ぜしめられた場合にも中空導
体２０，２０′・・・内に大気圧が作用している。
な真空室１はシェル状の少なくとも２つの薄板（シェ
ル）２，２′によって内張りされており、該２つの薄板
によって閉じられた中空室３が被覆すべき容器（例え
ば、中空部材若しくは燃料タンク）４とほぼ同じ形状を
有している。薄板２，２′の容器側の表面内に、蛇行し
て延びる方形の凹所（例えば、溝）５，５′，５″，
５′″ が設けられており、これによってマイクロ波が
プラズマ生成のために供給されて、中空室の内面にわた
って分配される。薄板２，２′は、該薄板によって閉じ
られた中空室３が真空室１の開放に際して同じように開
けられて、容器４の装填のために接近可能になる。真空
室１内に、若しくは薄板２，２′に、容器４の異なる開
口６，６′の迅速な閉鎖のための栓７，７′を配置して
あり、栓は有利には開口６，６′が真空室１の閉じられ
る際に自動的に、例えば圧力によって閉鎖されて、容器
４の内室を真空室１の内室から分離するように形成され
ている。開口６，６′の数及び配置に応じて蓋若しくは
栓７，７′の少なくとも１つが、反応ガスの供給及び吸
引を同時に許すように構成されており、この場合、相応
の真空導管８及びガス供給導管９，９′は真空室１の内
室に対して接続されていない。真空室１は別個の真空導
管１０を介して真空ポンプ１３若しくは通気弁１４に接
続されている。反応ガス若しくは反応ガス混合気が単数
若しくは複数のガス若しくは流体容器１１，１１′から
取り出され、導管１２，１２′を介して中空室３内に供
給される。反応ガス流の調量のために導管内に少なくと
も１つの調整弁１５，１５′が設けられている。ガス供
給導管９，９′が弁１６を介してヘリウム２４のための
供給導管に接続されており、かつ真空導管８が弁１７を
介してヘリウム検出器１８に接続されている。マイクロ
波形成が、例えばマグネトロン（発生器）１９，１９′
・・・によって２．４５ＧＨｚの作業周波数で行われ、
マグネトロンがそれぞれ中空導体(Hohlleiter)２０，２
０′・・・を介してコイル状若しくは蛇行状の切欠き若
しくは溝状の凹所５，５′・・・に接続されている。こ
の場合、中空導体２０，２０′・・・の内部が凹所５，
５′・・・内にはめ込まれた石英プレート２１，２１′
によって真空室の内室からガス密に仕切られており、従
って真空室１内に真空の生ぜしめられた場合にも中空導
体２０，２０′・・・内に大気圧が作用している。
【００１１】本発明に基づく装置は次のように運転され
る：まず、被覆すべき容器４に適合された一組のシェル
状の薄板（薄板シェル）２が開かれた真空室（真空容
器）１内に装着され、マグネトロン１９，１９′が中空
導体２０，２０′・・・を介して凹所５，５′に接続さ
れる。次いで被覆すべき第１の容器４が装填され、開口
６，６′が真空室１の閉鎖と同時に栓７，７′によって
閉じられて、真空室１の内室からガス密に分離される。
次いで、容器４の内室及び真空室１の内室が同時に真空
導管８，１０を介して真空にされる。中空室３内に所定
の外部圧力の達成の後に、容器４の外側で真空導管（ポ
ンプ導管）１０が弁によって閉じられ、従ってこの圧力
がまず維持される。外部圧力の高さは、容器が容器内圧
と外部圧力との圧力差によって著しく変形されないよう
に選ばれている。他方、外部圧力は、容器４内でのプラ
ズマの後の点弧に際して真空室１内、特にコイル状に延
びる凹所５，５′内にもプラズマが同様に生成されてし
まうことを避けるために十分に高くあらねばならない。
容器４の外側の不都合なプラズマが低すぎる差圧力に基
づき確実に抑制されない場合のために、中空室３は容器
の外側でマイクロ波を吸収しない材料で少なくとも部分
的に満たされていなければならない。このために有利に
は表面の大きな誘電体材料、例えばグラスファイバーが
用いられる。容器の内部は、例えば０．００１ｍｂａｒ
の残留圧まで真空にされる。さらに、被覆のために投入
された反応ガスが容器１１，１１′からガス供給導管１
２及び弁１５，１５′を介して容器４内に導入される。
ほぼ０．００５ｍｂａｒと０．８ｍｂａｒとの間の所定
のプロセス圧力の安定の後に、マグネトロン１９，１
９′・・・の接続によってプラズマが点弧されて、所定
のプロセス時間にわたって維持される。この場合、マグ
ネトロンによって放射されたマイクロ波が蛇行状の凹所
５，５′・・・を介して被覆すべき容器４内に射入さ
れ、その結果、容器４内に内壁に沿って著しく均質なエ
ネルギ密度のプラズマが生成される。 被覆の均質性のさらなる改善のために、マイクロ波射入
を例えばマグネトロン１９，１９′の電流供給によって
２０Ｈｚと２００Ｈｚとの間の周波数で振動(pulsen)さ
せることが望ましい。選択的に、若しくは付加的に、タ
ンク内への反応ガス（混合気）の流入若しくは容器から
のガス放出が、ガス供給導管２３若しくは真空導管８内
に取り付けられた適した（図示してない）装置、例えば
制御可能な絞りフラップ（Drosselklappe)若しくは回転
する絞り(Blende)によって振動されてよい。このこと
は、マグネトロン１９，１９′・・・の振動運転（Puls
betrieb)にとって、プラズマが連続的に維持されてい
て、かつ振動間で層の透過率及び被覆率の低下が避けら
れる限りにおいて有利である。この場合、発生する圧力
変動が所定の圧力範囲内に位置し、かつ該圧力範囲内で
プラズマ生成が安定していて経済的に行われねばならな
い。振動によってプラズマ内の被覆のために必要な反応
性の粒子の濃度差が減少される。
る：まず、被覆すべき容器４に適合された一組のシェル
状の薄板（薄板シェル）２が開かれた真空室（真空容
器）１内に装着され、マグネトロン１９，１９′が中空
導体２０，２０′・・・を介して凹所５，５′に接続さ
れる。次いで被覆すべき第１の容器４が装填され、開口
６，６′が真空室１の閉鎖と同時に栓７，７′によって
閉じられて、真空室１の内室からガス密に分離される。
次いで、容器４の内室及び真空室１の内室が同時に真空
導管８，１０を介して真空にされる。中空室３内に所定
の外部圧力の達成の後に、容器４の外側で真空導管（ポ
ンプ導管）１０が弁によって閉じられ、従ってこの圧力
がまず維持される。外部圧力の高さは、容器が容器内圧
と外部圧力との圧力差によって著しく変形されないよう
に選ばれている。他方、外部圧力は、容器４内でのプラ
ズマの後の点弧に際して真空室１内、特にコイル状に延
びる凹所５，５′内にもプラズマが同様に生成されてし
まうことを避けるために十分に高くあらねばならない。
容器４の外側の不都合なプラズマが低すぎる差圧力に基
づき確実に抑制されない場合のために、中空室３は容器
の外側でマイクロ波を吸収しない材料で少なくとも部分
的に満たされていなければならない。このために有利に
は表面の大きな誘電体材料、例えばグラスファイバーが
用いられる。容器の内部は、例えば０．００１ｍｂａｒ
の残留圧まで真空にされる。さらに、被覆のために投入
された反応ガスが容器１１，１１′からガス供給導管１
２及び弁１５，１５′を介して容器４内に導入される。
ほぼ０．００５ｍｂａｒと０．８ｍｂａｒとの間の所定
のプロセス圧力の安定の後に、マグネトロン１９，１
９′・・・の接続によってプラズマが点弧されて、所定
のプロセス時間にわたって維持される。この場合、マグ
ネトロンによって放射されたマイクロ波が蛇行状の凹所
５，５′・・・を介して被覆すべき容器４内に射入さ
れ、その結果、容器４内に内壁に沿って著しく均質なエ
ネルギ密度のプラズマが生成される。 被覆の均質性のさらなる改善のために、マイクロ波射入
を例えばマグネトロン１９，１９′の電流供給によって
２０Ｈｚと２００Ｈｚとの間の周波数で振動(pulsen)さ
せることが望ましい。選択的に、若しくは付加的に、タ
ンク内への反応ガス（混合気）の流入若しくは容器から
のガス放出が、ガス供給導管２３若しくは真空導管８内
に取り付けられた適した（図示してない）装置、例えば
制御可能な絞りフラップ（Drosselklappe)若しくは回転
する絞り(Blende)によって振動されてよい。このこと
は、マグネトロン１９，１９′・・・の振動運転（Puls
betrieb)にとって、プラズマが連続的に維持されてい
て、かつ振動間で層の透過率及び被覆率の低下が避けら
れる限りにおいて有利である。この場合、発生する圧力
変動が所定の圧力範囲内に位置し、かつ該圧力範囲内で
プラズマ生成が安定していて経済的に行われねばならな
い。振動によってプラズマ内の被覆のために必要な反応
性の粒子の濃度差が減少される。
【００１２】プロセス時間の経過の後に、マグネトロン
１９，１９′・・・が遮断され、かつ反応ガスの流入が
中断されて、新たにほぼ０．００１ｍｂａｒの残留圧に
真空が形成される。次いで直ちに、真空導管８が弁２２
を用いて閉鎖されて、タンク２４からガス供給導管２３
を介してヘリウムが容器４内に導入され、例えば１００
ｍｂａｒの所定の圧力が達成される。同時に、真空室１
が、今や再び開かれた真空導管８を介して真空にされ
る。所定の時間、例えば１０分の後に、容器壁を通して
漏れるヘリウムの部分圧力がヘリウム検出器１８によっ
て測定されて、ヘリウム漏れ量が規定され、ひいては被
覆の透過遮蔽作用が品質管理のために明らかにされる。
次いで、ガス供給導管２３並びに真空導管８，１０が弁
を用いて閉鎖されて、真空室１及び容器４が通気弁１
４，２５を介して通気される。真空室１を開きかつ薄板
２の容器上側部分を図１に示す位置に旋回させた後に、
被覆された容器４が取り出される。
１９，１９′・・・が遮断され、かつ反応ガスの流入が
中断されて、新たにほぼ０．００１ｍｂａｒの残留圧に
真空が形成される。次いで直ちに、真空導管８が弁２２
を用いて閉鎖されて、タンク２４からガス供給導管２３
を介してヘリウムが容器４内に導入され、例えば１００
ｍｂａｒの所定の圧力が達成される。同時に、真空室１
が、今や再び開かれた真空導管８を介して真空にされ
る。所定の時間、例えば１０分の後に、容器壁を通して
漏れるヘリウムの部分圧力がヘリウム検出器１８によっ
て測定されて、ヘリウム漏れ量が規定され、ひいては被
覆の透過遮蔽作用が品質管理のために明らかにされる。
次いで、ガス供給導管２３並びに真空導管８，１０が弁
を用いて閉鎖されて、真空室１及び容器４が通気弁１
４，２５を介して通気される。真空室１を開きかつ薄板
２の容器上側部分を図１に示す位置に旋回させた後に、
被覆された容器４が取り出される。
【００１３】有利な実施例では、真空室１の壁が弁を介
して付加的なガス導管に接続されており、該ガス導管に
よって反応ガスと同時にプラズマ抑制作用のガス（plas
ma-hemmendes Gas)が導入可能であり、このような条件
下ではプラズマが点弧されにくくなっている。プラズマ
抑制作用のガスとして、電気的陰性の有利には大きな分
子を有するガス、例えば６弗化硫黄若しくは真空内での
自由な大きな飛行距離を有するガス、例えば水素が考え
られる。プラズマ抑制作用のガスの圧力は、プラズマが
容器外側とシェル状の薄板２，２′との間ではもはや点
火されないように調節されており、この圧力はプラズマ
抑制作用のガスの種類及び容器外壁と薄板２，２′との
間の間隔に関連していて、通常は５乃至１０ｍｂａｒの
範囲にある。
して付加的なガス導管に接続されており、該ガス導管に
よって反応ガスと同時にプラズマ抑制作用のガス（plas
ma-hemmendes Gas)が導入可能であり、このような条件
下ではプラズマが点弧されにくくなっている。プラズマ
抑制作用のガスとして、電気的陰性の有利には大きな分
子を有するガス、例えば６弗化硫黄若しくは真空内での
自由な大きな飛行距離を有するガス、例えば水素が考え
られる。プラズマ抑制作用のガスの圧力は、プラズマが
容器外側とシェル状の薄板２，２′との間ではもはや点
火されないように調節されており、この圧力はプラズマ
抑制作用のガスの種類及び容器外壁と薄板２，２′との
間の間隔に関連していて、通常は５乃至１０ｍｂａｒの
範囲にある。
【図１】本発明に基づく装置の開かれた状態の縦断面図
【図２】本発明に基づく装置の閉じられた状態の縦断面
図
図
１ 真空室、 ２ 薄板、 ３ 中空室、 ４
容器、 ５ 凹所、６ 開口、 ７ 栓、 ８
真空導管、 ９ ガス供給導管、 １０ 真空導
管、 １１ ガス若しくは流体容器、 １２ ガス
供給導管、１３ 真空ポンプ、 １４ 通気弁、
１５ 調整弁、 １６，１７弁、 １８ ヘリウム
検出器、 １９ マグネトロン、 ２１ 石英プレ
ート、 ２２ 弁、 ２３ ガス供給導管、 ２
４ ヘリウム、 ２５通気弁
容器、 ５ 凹所、６ 開口、 ７ 栓、 ８
真空導管、 ９ ガス供給導管、 １０ 真空導
管、 １１ ガス若しくは流体容器、 １２ ガス
供給導管、１３ 真空ポンプ、 １４ 通気弁、
１５ 調整弁、 １６，１７弁、 １８ ヘリウム
検出器、 １９ マグネトロン、 ２１ 石英プレ
ート、 ２２ 弁、 ２３ ガス供給導管、 ２
４ ヘリウム、 ２５通気弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローラント ラッヒャー ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン ドナ ウシュトラーセ 11 (72)発明者 ジアンク−ホンク ベル ドイツ連邦共和国 アルツェナウ ケーニ ヒスベルガー シュトラーセ 11ベー
Claims (9)
- 【請求項１】 中空部材（４）の表面の処理のための装
置であって、真空ポンプ（１３，１３′）を介して真空
可能な処理室（１）、中空部材（４）を処理室（１）内
で支える保持部材（２６，２６′）、処理室（１）内に
プロセスガスを流入させるための導管（９，９′）、及
び中空部材（４）の領域内でのプラズマの点弧のため
の、発生器（１９，１９′・・・）に接続されたマイク
ロ波導体（２０，２０′・・・）を備えている形式のも
のにおいて、開口（６，６′）を有する中空部材（４）
の形状に適合されて中空部材（４）を包む金属製のシェ
ル（２，２′）が設けられており、該シェル（２，
２′）内に溝状の凹所（５，５′・・・）を形成してあ
り、該凹所が該凹所を覆う中空部材壁と一緒に中空導体
を形成しており、該中空導体がマイクロ波導体（２０，
２０′・・・）を介して発生器（１９，１９′・・・）
に接続されるようになっており、プロセスガスのための
導管（９，９′）が中空部材（４）の内部に導入される
ようになっており、閉鎖部材（７，７′）若しくは栓が
設けられており、該閉鎖部材若しくは栓によって中空部
材（４）の開口が密接に閉鎖されるようになっているこ
とを特徴とする、中空部材の表面の処理のための装置。 - 【請求項２】 金属製のシェル（２，２′）に圧刻成形
若しくは切り込み成形された凹所（５，５′・・・）が
模様を形成して例えば蛇行状に中空部材（４）の大部分
にわたって延びている請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 中空部材（４）の外面にわたって分配さ
れて模様を形成する溝状の複数の凹所（５，５′・・
・）が設けられており、各凹所がそれぞれ各マイクロ波
導体（２０，２０′・・・）と合致されており、マイク
ロ波導体が発生器（１９，１９′・・・）に接続されて
いる請求項１又は２記載の装置。 - 【請求項４】 各凹所（５，５′・・・）が中空導体と
合致されており、中空導体が外側に対して圧密に真空室
（１）の壁を通して案内されており、中空導体と凹所
（５，５′・・・）との接続の領域に石英ガラス窓（２
１，２１′・・・）を設けてあり、該石英ガラス窓が中
空導体（２０，２０′・・・）から凹所（５，５′・・
・）内へのマイクロ波の伝達を許し、同時に凹所（５，
５′・・・）内に生じる圧力を装置の周囲に生じる圧力
に対して遮断している請求項１から３のいずれか１項記
載の装置。 - 【請求項５】 半割シェル状の２つの金属薄板（２，
２′）を設けてあり、両方の金属薄板が一緒に中空部材
（４）を完全に包んでおり、少なくとも一方の金属薄板
（２）が開口を有しており、該開口が金属薄板を中空部
材（４）に取り付けた場合に中空部材（４）の供給接続
片（６，６′）若しくは流出接続片と合致するように配
置されており、金属薄板（２）の開口が蓋若しくは栓
（７，７′）によって閉鎖されるようになっており、蓋
若しくは栓を通してガス流入のための導管（９，９′）
及び又は吸引導管（８）が案内されている請求項１から
４のいずれか１項記載の装置。 - 【請求項６】 真空室（１）が二部構造であり、第１の
半割シェル（２′）が一方の室部分内に保持されかつ第
２の半割シェル（２）が他方の室部分内に保持されてお
り、真空室（１）を閉じた際に両方の半割シェル（２，
２′）が閉じた１つの套壁を形成するように重ね合わさ
れている請求項１から５のいずれか１項記載の装置。 - 【請求項７】 中空部材（４）の内部が第１の真空ポン
プ導管（８）に接続されかつ真空室（１）の、半割シェ
ル（２，２′）を取り囲む内部空間が第２の真空ポンプ
導管（１０）に接続されるようになっており、両方の空
間が異なる圧力に調節できるようになっている請求項１
から６のいずれか１項記載の装置。 - 【請求項８】 １つの半割シェル（２′）内に形成され
た溝状の凹所（５，５′・・・）が１つの模様を形成し
ており、該模様が別の半割シェル（２）の別の模様を形
成する凹所と、両方の半割シェルを閉じた１つの套壁に
まとめあわせた場合に、合致させられている請求項１か
ら７のいずれか１項記載の装置。 - 【請求項９】 ガス流入のための導管（９，９′）が検
査ガス容器（２４）に接続され、かつヘリウム検出器
（１８）が吸引導管（８）に接続されるようになってい
る請求項１から８のいずれか１項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4437050A DE4437050A1 (de) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen von Hohlkörpern, insbesondere von Innenflächen von Kraftstofftanks |
| DE4437050.4 | 1994-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208860A true JPH08208860A (ja) | 1996-08-13 |
Family
ID=6530971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7268720A Pending JPH08208860A (ja) | 1994-10-17 | 1995-10-17 | 中空部材の表面の処理のための装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5690745A (ja) |
| EP (1) | EP0708185B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08208860A (ja) |
| DE (2) | DE4437050A1 (ja) |
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