JPH08212528A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH08212528A JPH08212528A JP1536795A JP1536795A JPH08212528A JP H08212528 A JPH08212528 A JP H08212528A JP 1536795 A JP1536795 A JP 1536795A JP 1536795 A JP1536795 A JP 1536795A JP H08212528 A JPH08212528 A JP H08212528A
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力を維持しつつ、ノイズが低減し、耐
環境性に優れ且つビットシフトが向上した磁気記録媒体
の提供。 【構成】 非磁性基板と、磁性層と、該非磁性基板及び
該磁性層との間に設けられた下地層とを具備する本発明
の磁気記録媒体は、上記下地層が、少なくとも、六方最
密構造のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地
層を有することを特徴とする。
環境性に優れ且つビットシフトが向上した磁気記録媒体
の提供。 【構成】 非磁性基板と、磁性層と、該非磁性基板及び
該磁性層との間に設けられた下地層とを具備する本発明
の磁気記録媒体は、上記下地層が、少なくとも、六方最
密構造のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地
層を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に関し、
更に詳しくは、高記録密度を有し、耐環境性に優れ、ビ
ットシフトが向上した磁気記録媒体に関する。
更に詳しくは、高記録密度を有し、耐環境性に優れ、ビ
ットシフトが向上した磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の基板としては、現在、一
般にＮｉＰ／Ａｌ基板やガラス基板等が用いられてお
り、そのような基板上に設けられる磁性層は一般にＣｏ
ＣｒＴａ系合金やＣｏＮｉＣｒ系合金から成る。最近で
は、高記録密度に対応するため、上記の合金から成る磁
性層に代えて、高保磁力を有するＣｏＣｒＰｔ系合金か
ら成る磁性層が用いられるようになってきた。
般にＮｉＰ／Ａｌ基板やガラス基板等が用いられてお
り、そのような基板上に設けられる磁性層は一般にＣｏ
ＣｒＴａ系合金やＣｏＮｉＣｒ系合金から成る。最近で
は、高記録密度に対応するため、上記の合金から成る磁
性層に代えて、高保磁力を有するＣｏＣｒＰｔ系合金か
ら成る磁性層が用いられるようになってきた。
【０００３】また、携帯用のハードディスクが注目され
てきているため、ディスクの耐衝撃性の向上が要請され
てきている。かかる要請にこたえるべく、磁気記録媒体
の基板としてガラス状炭素基板（特開昭６０−３５３３
３号公報）やガラス基板が提案されている。かかる基板
を用いた磁気記録媒体においては、高記録密度に対応す
るために、上記ＣｏＣｒＰｔ系合金から成る磁性層を用
いている。
てきているため、ディスクの耐衝撃性の向上が要請され
てきている。かかる要請にこたえるべく、磁気記録媒体
の基板としてガラス状炭素基板（特開昭６０−３５３３
３号公報）やガラス基板が提案されている。かかる基板
を用いた磁気記録媒体においては、高記録密度に対応す
るために、上記ＣｏＣｒＰｔ系合金から成る磁性層を用
いている。
【０００４】このように、ガラス状炭素基板又はガラス
基板とＣｏＣｒＰｔ系合金から成る磁性層とを具備する
磁気記録媒体は、種々の特性に優れたものであるが、磁
気記録特性が更に向上した磁気記録媒体が望まれてい
る。かかる要請にこたえるべく、特開平６−３４９１１
１号公報においては、基板と磁性層との間に設けられる
下地層を、Ｔｉ又はその合金から成る層とＣｒから成る
層とから形成することが提案されている。
基板とＣｏＣｒＰｔ系合金から成る磁性層とを具備する
磁気記録媒体は、種々の特性に優れたものであるが、磁
気記録特性が更に向上した磁気記録媒体が望まれてい
る。かかる要請にこたえるべく、特開平６−３４９１１
１号公報においては、基板と磁性層との間に設けられる
下地層を、Ｔｉ又はその合金から成る層とＣｒから成る
層とから形成することが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載されているような磁気記録媒体において、高記
録密度を達成するために磁性層としてＣｏＣｒＰｔ系合
金のような高保磁力を有する材料からなる磁性層を用い
ると、ノイズが大きいため、Ｓ／Ｎが小さくなる。従っ
て、記録周波数を上げて行くと１ビットのミッシングエ
ラーが増加してしまう。このため、保磁力が高い状態
で、ノイズの低減化を図る必要がある。また、環境試験
によりノイズの影響が大きく出て、１ビットのミッシン
グエラーがかなり増加してしまう問題がある。一方、従
来のＮｉＰ／Ａｌ基板では、ヘッドが磁気記録媒体に衝
撃を与えた場合、該磁気記録媒体に該ヘッドが追突した
痕が残り、記録再生に問題が生ずる。
報に記載されているような磁気記録媒体において、高記
録密度を達成するために磁性層としてＣｏＣｒＰｔ系合
金のような高保磁力を有する材料からなる磁性層を用い
ると、ノイズが大きいため、Ｓ／Ｎが小さくなる。従っ
て、記録周波数を上げて行くと１ビットのミッシングエ
ラーが増加してしまう。このため、保磁力が高い状態
で、ノイズの低減化を図る必要がある。また、環境試験
によりノイズの影響が大きく出て、１ビットのミッシン
グエラーがかなり増加してしまう問題がある。一方、従
来のＮｉＰ／Ａｌ基板では、ヘッドが磁気記録媒体に衝
撃を与えた場合、該磁気記録媒体に該ヘッドが追突した
痕が残り、記録再生に問題が生ずる。
【０００６】従って、本発明の目的は、高保磁力を維持
しつつ、ノイズが低減し、耐環境性に優れ且つビットシ
フトが向上した磁気記録媒体を提供することにある。
しつつ、ノイズが低減し、耐環境性に優れ且つビットシ
フトが向上した磁気記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
した結果、ノイズの発生は、基板と磁性層との間に設け
られた下地層の材質及びその結晶構造と密接に関係する
ことを知見した。
した結果、ノイズの発生は、基板と磁性層との間に設け
られた下地層の材質及びその結晶構造と密接に関係する
ことを知見した。
【０００８】本発明は上記知見に基づきなされたもので
あり、非磁性基板と、磁性層と、該非磁性基板及び該磁
性層との間に設けられた下地層とを具備する磁気記録媒
体において、上記下地層が、少なくとも、六方最密構造
のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地層を有
することを特徴とする磁気記録媒体を提供することによ
り上記目的を達成したものである。
あり、非磁性基板と、磁性層と、該非磁性基板及び該磁
性層との間に設けられた下地層とを具備する磁気記録媒
体において、上記下地層が、少なくとも、六方最密構造
のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地層を有
することを特徴とする磁気記録媒体を提供することによ
り上記目的を達成したものである。
【０００９】以下、本発明の磁気記録媒体について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と、
磁性層と、該非磁性基板及び該磁性層との間に設けられ
た下地層とを具備し、上記下地層が、少なくとも、六方
最密構造のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下
地層を有することを特徴とするものである。本発明の磁
気記録媒体は、例えば、磁気ディスクとして特に有用で
ある。
磁性層と、該非磁性基板及び該磁性層との間に設けられ
た下地層とを具備し、上記下地層が、少なくとも、六方
最密構造のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下
地層を有することを特徴とするものである。本発明の磁
気記録媒体は、例えば、磁気ディスクとして特に有用で
ある。
【００１１】まず、上記非磁性基板について説明する。
上記非磁性基板としては、例えば、ガラス状炭素等の炭
素、強化ガラス、結晶化ガラス、アルミニウム及びアル
ミニウム合金、チタン及びチタン合金、セラミックス、
樹脂、並びにこれらの複合材料から成る基板が用いられ
る。これらの中でも、ガラス状炭素から成る非磁性基板
は、耐熱性、軽量性等の点において特に優れたものであ
り、本発明において特に好ましく用いることができる。
上記非磁性基板としては、例えば、ガラス状炭素等の炭
素、強化ガラス、結晶化ガラス、アルミニウム及びアル
ミニウム合金、チタン及びチタン合金、セラミックス、
樹脂、並びにこれらの複合材料から成る基板が用いられ
る。これらの中でも、ガラス状炭素から成る非磁性基板
は、耐熱性、軽量性等の点において特に優れたものであ
り、本発明において特に好ましく用いることができる。
【００１２】上記ガラス状炭素から成る非磁性基板は、
例えば、硬化前の初期縮合物の状態で約２０重量％以上
の水を含有することができる熱硬化性樹脂を硬化させ、
この硬化によって得られた樹脂材料を、不活性雰囲気下
にて約１０００〜１４００℃に加熱して炭化・焼成させ
ることによって得られる。なお、上記ガラス状炭素から
成る非磁性基板の製造方法の詳細は、特開平６−３４９
１１１号公報の第３欄第３５行〜第６欄第１０行に記載
されている。
例えば、硬化前の初期縮合物の状態で約２０重量％以上
の水を含有することができる熱硬化性樹脂を硬化させ、
この硬化によって得られた樹脂材料を、不活性雰囲気下
にて約１０００〜１４００℃に加熱して炭化・焼成させ
ることによって得られる。なお、上記ガラス状炭素から
成る非磁性基板の製造方法の詳細は、特開平６−３４９
１１１号公報の第３欄第３５行〜第６欄第１０行に記載
されている。
【００１３】上記非磁性基板の厚さは特に制限されない
が、一般に０．３〜１．０ｍｍであることが好ましい。
が、一般に０．３〜１．０ｍｍであることが好ましい。
【００１４】上記非磁性基板には、必要に応じて、各種
のテクスチャ処理を施してもよい。かかるテクスチャ処
理としては、例えば、研磨テープや研磨砥粒を用いての
処理、酸によるエッチング処理、熱酸化や陽極酸化処
理、シリケート化合物をスピンコートにより表面析出さ
せる処理、プラズマアッシングあるいは金属をスパッタ
リングして表面に凹凸を形成するスパッタテクスチャ等
による粗面化処理等を挙げることができる。
のテクスチャ処理を施してもよい。かかるテクスチャ処
理としては、例えば、研磨テープや研磨砥粒を用いての
処理、酸によるエッチング処理、熱酸化や陽極酸化処
理、シリケート化合物をスピンコートにより表面析出さ
せる処理、プラズマアッシングあるいは金属をスパッタ
リングして表面に凹凸を形成するスパッタテクスチャ等
による粗面化処理等を挙げることができる。
【００１５】次に、上記磁性層について説明する。上記
磁性層としては、例えば、フィジカルベーパーデポジシ
ョン法（以下、「ＰＶＤ」という）により形成された金
属薄膜型の磁性層を挙げることができる。上記金属薄膜
型の磁性層を形成する材料としては、例えばＣｏＣｒ、
ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒＸ、ＣｏＮｉＸ及びＣｏＷＸ（ここ
で、Ｘは、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌ
ｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ及びＨｆ等からなる群より選ばれ
る１種又は２種以上の金属を示す）等で表されるＣｏを
主成分とするＣｏ系の磁性合金等を好ましく挙げること
ができる。使用に際しては、これらを単独で又は２種以
上の混合物として用いることができる。上記磁性層の厚
さは２０〜５０ｎｍであることが好ましいが、かかる範
囲には限定されない。
磁性層としては、例えば、フィジカルベーパーデポジシ
ョン法（以下、「ＰＶＤ」という）により形成された金
属薄膜型の磁性層を挙げることができる。上記金属薄膜
型の磁性層を形成する材料としては、例えばＣｏＣｒ、
ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒＸ、ＣｏＮｉＸ及びＣｏＷＸ（ここ
で、Ｘは、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌ
ｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ及びＨｆ等からなる群より選ばれ
る１種又は２種以上の金属を示す）等で表されるＣｏを
主成分とするＣｏ系の磁性合金等を好ましく挙げること
ができる。使用に際しては、これらを単独で又は２種以
上の混合物として用いることができる。上記磁性層の厚
さは２０〜５０ｎｍであることが好ましいが、かかる範
囲には限定されない。
【００１６】次に、本発明の特徴部分である上記下地層
について説明する。上述の通り、上記下地層は、上記非
磁性基板と上記磁性層との間に設けられる。上記下地層
はその数には特に制限はないが、少なくとも、六方最密
構造のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地層
を有する。Ｔｉ合金の量が９５ｖｏｌ％に満たないと、
静磁気特性及び電磁変換特性の向上効果が低下する。上
記Ｔｉ合金下地層は上記Ｔｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含
み、更にその他の成分（例えば、体心立方構造のＴｉ合
金等）を含んでいてもよいが、特に、上記Ｔｉ合金下地
層は上記Ｔｉ合金１００％から成ることが好ましい。
について説明する。上述の通り、上記下地層は、上記非
磁性基板と上記磁性層との間に設けられる。上記下地層
はその数には特に制限はないが、少なくとも、六方最密
構造のＴｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地層
を有する。Ｔｉ合金の量が９５ｖｏｌ％に満たないと、
静磁気特性及び電磁変換特性の向上効果が低下する。上
記Ｔｉ合金下地層は上記Ｔｉ合金を９５ｖｏｌ％以上含
み、更にその他の成分（例えば、体心立方構造のＴｉ合
金等）を含んでいてもよいが、特に、上記Ｔｉ合金下地
層は上記Ｔｉ合金１００％から成ることが好ましい。
【００１７】上記Ｔｉ合金下地層を構成する六方最密構
造のＴｉ合金は、Ｔｉを含む合金であって、その結晶構
造が六方最密構造であればその種類は問わない。上記Ｔ
ｉ合金は、好ましくは、３元系のＴｉ合金又は４元系の
Ｔｉ合金である。
造のＴｉ合金は、Ｔｉを含む合金であって、その結晶構
造が六方最密構造であればその種類は問わない。上記Ｔ
ｉ合金は、好ましくは、３元系のＴｉ合金又は４元系の
Ｔｉ合金である。
【００１８】上記３元系のＴｉ合金としては、例えば、
Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ系合金やＴｉ−Ａｌ−Ｚｒ系合金が好
ましく用いられる。上記Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ系合金として
は、Ｔｉ８９．５〜９５．５ｗｔ％、Ａｌ３〜７ｗｔ％
及びＳｎ１．５〜３．５ｗｔ％からなるものが好まし
く、特に、Ｔｉ９１〜９４ｗｔ％、Ａｌ４〜６ｗｔ％及
びＳｎ２〜３ｗｔ％からなるものが好ましい。一方、上
記Ｔｉ−Ａｌ−Ｚｒ系合金としては、Ｔｉ９０〜９６ｗ
ｔ％、Ａｌ３〜７ｗｔ％及びＺｒ１〜３ｗｔ％からなる
ものが好ましく、特に、Ｔｉ９１．５〜９４．５ｗｔ
％、Ａｌ４〜６ｗｔ％及びＺｒ１．５〜２．５ｗｔ％か
らなるものが好ましい。
Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ系合金やＴｉ−Ａｌ−Ｚｒ系合金が好
ましく用いられる。上記Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ系合金として
は、Ｔｉ８９．５〜９５．５ｗｔ％、Ａｌ３〜７ｗｔ％
及びＳｎ１．５〜３．５ｗｔ％からなるものが好まし
く、特に、Ｔｉ９１〜９４ｗｔ％、Ａｌ４〜６ｗｔ％及
びＳｎ２〜３ｗｔ％からなるものが好ましい。一方、上
記Ｔｉ−Ａｌ−Ｚｒ系合金としては、Ｔｉ９０〜９６ｗ
ｔ％、Ａｌ３〜７ｗｔ％及びＺｒ１〜３ｗｔ％からなる
ものが好ましく、特に、Ｔｉ９１．５〜９４．５ｗｔ
％、Ａｌ４〜６ｗｔ％及びＺｒ１．５〜２．５ｗｔ％か
らなるものが好ましい。
【００１９】また、上記４元系のＴｉ合金としては、例
えば、Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｒ系合金が好ましく用いら
れる。上記Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｒ系合金としては、Ｔ
ｉ８４．５〜９４．５ｗｔ％、Ａｌ３〜８ｗｔ％、Ｓｎ
１．５〜３．５ｗｔ％及びＺｒ１〜４ｗｔ％からなるも
のが好ましく、特に、Ｔｉ８７〜９１．５ｗｔ％、Ａｌ
５〜７ｗｔ％、Ｓｎ２〜３ｗｔ％及びＺｒ１．５〜３ｗ
ｔ％からなるものが好ましい。
えば、Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｒ系合金が好ましく用いら
れる。上記Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｒ系合金としては、Ｔ
ｉ８４．５〜９４．５ｗｔ％、Ａｌ３〜８ｗｔ％、Ｓｎ
１．５〜３．５ｗｔ％及びＺｒ１〜４ｗｔ％からなるも
のが好ましく、特に、Ｔｉ８７〜９１．５ｗｔ％、Ａｌ
５〜７ｗｔ％、Ｓｎ２〜３ｗｔ％及びＺｒ１．５〜３ｗ
ｔ％からなるものが好ましい。
【００２０】上記Ｔｉ合金には、種々の特性を高めるた
めに、少量の非金属元素、例えば、炭素、酸素又は窒素
等を添加してもよい。
めに、少量の非金属元素、例えば、炭素、酸素又は窒素
等を添加してもよい。
【００２１】上記Ｔｉ合金下地層の厚さに特に制限はな
いが、３０〜１４０ｎｍであることが好ましい。
いが、３０〜１４０ｎｍであることが好ましい。
【００２２】上記Ｔｉ合金下地層の形成方法に特に制限
はなく、従来公知の薄膜形成手段を用いることができ
る。好ましい薄膜形成手段としては、ＰＶＤが挙げら
れ、特に好ましい薄膜形成手段はスパッタリングであ
る。
はなく、従来公知の薄膜形成手段を用いることができ
る。好ましい薄膜形成手段としては、ＰＶＤが挙げら
れ、特に好ましい薄膜形成手段はスパッタリングであ
る。
【００２３】上記下地層は、上記Ｔｉ合金下地層と、他
の層とから成ることが好ましい。つまり、上記下地層は
二以上の層から成り、そのうちの少なくとも一層は上記
Ｔｉ合金下地層であることが好ましい。上記下地層が二
以上の層から成ることによって、保磁力が向上し、Ｓ／
Ｎが向上し、しかもビットシフトが減少するので好まし
い。
の層とから成ることが好ましい。つまり、上記下地層は
二以上の層から成り、そのうちの少なくとも一層は上記
Ｔｉ合金下地層であることが好ましい。上記下地層が二
以上の層から成ることによって、保磁力が向上し、Ｓ／
Ｎが向上し、しかもビットシフトが減少するので好まし
い。
【００２４】上記他の層として好ましいものには、Ｃｒ
又はＣｒ合金を含む層がある。特にＣｒ又はＣｒ合金が
体心立方構造であることが好ましい。上記Ｃｒ又はＣｒ
合金を含む層を用いることによって、上記非磁性基板と
上記磁性層との密着性が一層向上する。上記Ｃｒ合金と
しては、例えば、Ｃｒ−Ｖ（Ｃｒ６０〜９５ｗｔ％、Ｖ
５〜４０ｗｔ％）やＣｒ−Ｍｎ（Ｃｒ６５〜９５ｗｔ
％、Ｍｎ５〜３５ｗｔ％）等が挙げられる。
又はＣｒ合金を含む層がある。特にＣｒ又はＣｒ合金が
体心立方構造であることが好ましい。上記Ｃｒ又はＣｒ
合金を含む層を用いることによって、上記非磁性基板と
上記磁性層との密着性が一層向上する。上記Ｃｒ合金と
しては、例えば、Ｃｒ−Ｖ（Ｃｒ６０〜９５ｗｔ％、Ｖ
５〜４０ｗｔ％）やＣｒ−Ｍｎ（Ｃｒ６５〜９５ｗｔ
％、Ｍｎ５〜３５ｗｔ％）等が挙げられる。
【００２５】上記Ｃｒ又はＣｒ合金を含む層の厚さに特
に制限はないが、３０〜７０ｎｍであることが好まし
い。
に制限はないが、３０〜７０ｎｍであることが好まし
い。
【００２６】上記Ｃｒ又はＣｒ合金を含む層は、上記Ｔ
ｉ合金下地層の形成方法と同様の方法により形成するこ
とができる。
ｉ合金下地層の形成方法と同様の方法により形成するこ
とができる。
【００２７】本発明の磁気記録媒体において、上記Ｔｉ
合金下地層は、上記非磁性基板に接して設けられる。ま
た、上記下地層は、好ましくは、上記Ｔｉ合金下地層か
らなる第一の下地層と、該第一の下地層上に設けられた
Ｃｒ又はＣｒ合金を含む第二の下地層とを有する。Ｃｒ
又はＣｒ合金を含む層は上記磁性層との密着性が良好な
ので、下地層として好適であるが、上記Ｃｒ又はＣｒ合
金を含む層を単独で下地層として用いると、Ｃｒ（１１
０）が上記非磁性基板面と平行に存在する割合がかなり
少なくなるため、上記磁性層のＣｏ（１００）面が上記
非磁性基板面と平行に配向しにくく、磁気特性の向上が
見られない。上記Ｃｒ又はＣｒ合金を含む層の厚さをか
なり厚くすると、磁気特性の向上は見られるが、結晶粒
の大きさが大きくなり、媒体ノイズの上昇が見られ、Ｓ
／Ｎ、ビットシフトの劣化の原因となる。従って、上記
Ｔｉ合金下地層を上記Ｃｒ又はＣｒ合金を含む層と上記
非磁性基板との間に介在せしめると、Ｃｒ（１１０）及
びＣｏ（１００）が上記非磁性基板面に平行に配向しや
すくなり、特に好ましい。
合金下地層は、上記非磁性基板に接して設けられる。ま
た、上記下地層は、好ましくは、上記Ｔｉ合金下地層か
らなる第一の下地層と、該第一の下地層上に設けられた
Ｃｒ又はＣｒ合金を含む第二の下地層とを有する。Ｃｒ
又はＣｒ合金を含む層は上記磁性層との密着性が良好な
ので、下地層として好適であるが、上記Ｃｒ又はＣｒ合
金を含む層を単独で下地層として用いると、Ｃｒ（１１
０）が上記非磁性基板面と平行に存在する割合がかなり
少なくなるため、上記磁性層のＣｏ（１００）面が上記
非磁性基板面と平行に配向しにくく、磁気特性の向上が
見られない。上記Ｃｒ又はＣｒ合金を含む層の厚さをか
なり厚くすると、磁気特性の向上は見られるが、結晶粒
の大きさが大きくなり、媒体ノイズの上昇が見られ、Ｓ
／Ｎ、ビットシフトの劣化の原因となる。従って、上記
Ｔｉ合金下地層を上記Ｃｒ又はＣｒ合金を含む層と上記
非磁性基板との間に介在せしめると、Ｃｒ（１１０）及
びＣｏ（１００）が上記非磁性基板面に平行に配向しや
すくなり、特に好ましい。
【００２８】本発明においては、上記磁性層上に、該磁
性層を保護するための保護層を設けたり、更には、該保
護層上に表面の摩擦係数を低減するための潤滑剤層を設
けることが好ましい。以下、これら保護層及び潤滑剤層
について説明する。
性層を保護するための保護層を設けたり、更には、該保
護層上に表面の摩擦係数を低減するための潤滑剤層を設
けることが好ましい。以下、これら保護層及び潤滑剤層
について説明する。
【００２９】上記保護層としては、耐磨耗性の高い材料
から形成することが好ましい。例えば、特開昭５３−７
６０１３号公報や特公昭５５−２９５００号公報に記載
されているようなポリ珪酸やＳｉＯ2 から成る保護層を
用いることができる。また、特開昭６２−９７１２３号
公報に記載されているようなＳｉＣから成る保護層を用
いることもできる。
から形成することが好ましい。例えば、特開昭５３−７
６０１３号公報や特公昭５５−２９５００号公報に記載
されているようなポリ珪酸やＳｉＯ2 から成る保護層を
用いることができる。また、特開昭６２−９７１２３号
公報に記載されているようなＳｉＣから成る保護層を用
いることもできる。
【００３０】特に好ましい保護層は、特開平６−２５８
４０号公報に記載されているようなガラス状炭素又は水
素化されたガラス状炭素から成る保護層；特開平５−２
１７１５６号公報に記載されているようなガラス状炭素
及びケイ素の複合材料から成る保護層；特開平６−１１
９６３９号公報に記載されているようなガラス状炭素、
ケイ素及び酸素の複合材料から成る保護層；特開平５−
２２５５５５号公報及び特開平５−２２５５５７号公報
に記載されているようなガラス状炭素を含む複数の層か
ら成る保護層；特開平５−２８２６６１号公報、特開平
６−２０３３６７号公報、特開平６−２５１３５８号公
報及び特開平６−２５１３５９号公報に記載されている
ようなガラス状炭素と炭化物形成能を有する元素とから
成る保護層；並びに特開平２−４０１２９号公報に記載
されているような窒化ホウ素から成る保護層等が挙げら
れる。
４０号公報に記載されているようなガラス状炭素又は水
素化されたガラス状炭素から成る保護層；特開平５−２
１７１５６号公報に記載されているようなガラス状炭素
及びケイ素の複合材料から成る保護層；特開平６−１１
９６３９号公報に記載されているようなガラス状炭素、
ケイ素及び酸素の複合材料から成る保護層；特開平５−
２２５５５５号公報及び特開平５−２２５５５７号公報
に記載されているようなガラス状炭素を含む複数の層か
ら成る保護層；特開平５−２８２６６１号公報、特開平
６−２０３３６７号公報、特開平６−２５１３５８号公
報及び特開平６−２５１３５９号公報に記載されている
ようなガラス状炭素と炭化物形成能を有する元素とから
成る保護層；並びに特開平２−４０１２９号公報に記載
されているような窒化ホウ素から成る保護層等が挙げら
れる。
【００３１】上記保護層の形成方法に特に制限はなく、
例えば、上記下地層の形成方法と同様の方法により形成
することができる。
例えば、上記下地層の形成方法と同様の方法により形成
することができる。
【００３２】上記保護層の厚さは、５〜２５ｎｍである
ことが好ましいが、かかる範囲には限定されない。
ことが好ましいが、かかる範囲には限定されない。
【００３３】次に上記潤滑剤層について説明する。上記
潤滑剤層としては、フッ素系重合体から成る潤滑剤層が
好ましい。かかるフッ素系重合体から成る潤滑剤層は、
特開平４−１８６５２４号公報に記載されているように
フッ化炭素系化合物（例えば、ヘキサフルオロプロペ
ン）をレーザー光を用いた表面重合法により形成した
り、フッ化炭素系化合物（例えば、パーフルオロポリエ
ーテル）をディップコーティングして形成することがで
きる。また、特開平６−３２２０１１号公報に記載され
ているようにフッ素置換オレフィンガスにレーザー光を
照射して、フッ素系重合体から成る潤滑剤層を形成する
こともできる。
潤滑剤層としては、フッ素系重合体から成る潤滑剤層が
好ましい。かかるフッ素系重合体から成る潤滑剤層は、
特開平４−１８６５２４号公報に記載されているように
フッ化炭素系化合物（例えば、ヘキサフルオロプロペ
ン）をレーザー光を用いた表面重合法により形成した
り、フッ化炭素系化合物（例えば、パーフルオロポリエ
ーテル）をディップコーティングして形成することがで
きる。また、特開平６−３２２０１１号公報に記載され
ているようにフッ素置換オレフィンガスにレーザー光を
照射して、フッ素系重合体から成る潤滑剤層を形成する
こともできる。
【００３４】上記潤滑剤層は、０．２〜５ｎｍであるこ
とが好ましいが、かかる範囲に限定されない。
とが好ましいが、かかる範囲に限定されない。
【００３５】本発明において特に好ましくは、上記潤滑
剤層は、気相重合により得られた重合体により形成され
ており、且つ上記保護層上に固着された固定層と該固定
層上に形成されたフリー層とからなる。この場合、上記
潤滑剤層は、フッ化炭素系化合物と酸素との気相重合に
より形成されることが好ましい。上記フッ化炭素系化合
物は、下記一般式（Ｉ）〜（III)で表される化合物から
成る群から選択されることが好ましい。
剤層は、気相重合により得られた重合体により形成され
ており、且つ上記保護層上に固着された固定層と該固定
層上に形成されたフリー層とからなる。この場合、上記
潤滑剤層は、フッ化炭素系化合物と酸素との気相重合に
より形成されることが好ましい。上記フッ化炭素系化合
物は、下記一般式（Ｉ）〜（III)で表される化合物から
成る群から選択されることが好ましい。
【００３６】ＣＦ2 ＝ＣＦＲf 1 ・・・・（Ｉ） （式中、Ｒf 1 は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基又は部分フッ素化アリール基を示す） ＣＦ2 ＝Ｃ（Ｒf 2)（Ｒf 3)・・・・（II） （式中、Ｒf 2 及びＲf 3 は、同一の又は異なる水素原
子、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、パーフルオ
ロアルケニル基、部分フッ素化アルキル基、部分フッ素
化アルケニル基、パーフルオロアリール基又は部分フッ
素化アリール基を示す） ＣＦ2 ＝ＣＦＯ（Ｒf 4)・・・・（III) （式中、Ｒf 4 は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基、部分フッ素化アリール基又はパーフルオロアルコキ
シアルキル基を示す）
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基又は部分フッ素化アリール基を示す） ＣＦ2 ＝Ｃ（Ｒf 2)（Ｒf 3)・・・・（II） （式中、Ｒf 2 及びＲf 3 は、同一の又は異なる水素原
子、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、パーフルオ
ロアルケニル基、部分フッ素化アルキル基、部分フッ素
化アルケニル基、パーフルオロアリール基又は部分フッ
素化アリール基を示す） ＣＦ2 ＝ＣＦＯ（Ｒf 4)・・・・（III) （式中、Ｒf 4 は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基、部分フッ素化アリール基又はパーフルオロアルコキ
シアルキル基を示す）
【００３７】上記フッ化炭素系化合物と酸素との気相重
合により得られた重合体は、主として−（ＣＦ2 Ｏ）−
の構造単位を有する重合体であり、その分子量は、好ま
しくは１５００〜３００００である。
合により得られた重合体は、主として−（ＣＦ2 Ｏ）−
の構造単位を有する重合体であり、その分子量は、好ま
しくは１５００〜３００００である。
【００３８】上記重合体の構造は必ずしも明確ではない
が、例えば、下記構造式で示される重合体等が推定され
る。 Ｘ-(ＣＦ2 Ｏ) l -(ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ) m -(ＣＦ(
ＣＦ3)ＣＦＯ) n Ｘ' 〔ここで、ｌ、ｍ及びｎは、正の整数を示し（但し、
ｌ》ｍ、ｌ》ｎ）、Ｘ及びＸ’は、同一の又は異なるア
ルコール、エーテル結合、エステル結合又はウレタン結
合等を含む末端部を示す。〕 上記重合体における上記−（ＣＦ2 Ｏ）−の構造単位の
含有率は、全構造単位中７０％以上であることが好まし
く、例えば、上記構造式で表される重合体においては
〔ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）〕×１００が７０％以上であるこ
とが好ましい。
が、例えば、下記構造式で示される重合体等が推定され
る。 Ｘ-(ＣＦ2 Ｏ) l -(ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ) m -(ＣＦ(
ＣＦ3)ＣＦＯ) n Ｘ' 〔ここで、ｌ、ｍ及びｎは、正の整数を示し（但し、
ｌ》ｍ、ｌ》ｎ）、Ｘ及びＸ’は、同一の又は異なるア
ルコール、エーテル結合、エステル結合又はウレタン結
合等を含む末端部を示す。〕 上記重合体における上記−（ＣＦ2 Ｏ）−の構造単位の
含有率は、全構造単位中７０％以上であることが好まし
く、例えば、上記構造式で表される重合体においては
〔ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）〕×１００が７０％以上であるこ
とが好ましい。
【００３９】なお、上記固定層とは、上記保護層に化学
的又は物理的に強固に固着されている層を意味し、例え
ば商品名「フロン１１３」等のフッ素系溶媒を用いて洗
浄しても洗い流されない層のことをいう。一方、上記フ
リー層とは、上記フッ素系溶媒を用いて洗浄した場合に
洗い流されてしまう層のことをいう。
的又は物理的に強固に固着されている層を意味し、例え
ば商品名「フロン１１３」等のフッ素系溶媒を用いて洗
浄しても洗い流されない層のことをいう。一方、上記フ
リー層とは、上記フッ素系溶媒を用いて洗浄した場合に
洗い流されてしまう層のことをいう。
【００４０】上記潤滑剤層が、上記固定層と上記フリー
層とから成る場合、上記固定層の厚さは、０．５〜３ｎ
ｍであることが好ましく、上記フリー層の厚さは０．２
〜８ｎｍであることが好ましいが、かかる範囲に限定さ
れない。
層とから成る場合、上記固定層の厚さは、０．５〜３ｎ
ｍであることが好ましく、上記フリー層の厚さは０．２
〜８ｎｍであることが好ましいが、かかる範囲に限定さ
れない。
【００４１】上記気相重合は真空条件下で行い、上記フ
ッ化炭素系化合物と酸素とを重合させて潤滑剤層を形成
する第１の重合工程と、水蒸気を導入した後、真空条件
下で気相重合を行い、上記フッ化炭素系化合物と酸素と
を重合させて潤滑剤層を形成する第２の重合工程とを、
順次行うことが好ましい。この際、上記の水蒸気の導入
を、上記の第１の重合工程の終了後、該第１の重合工程
における真空条件を大気圧条件下に戻すことにより行う
ことが特に好ましい。
ッ化炭素系化合物と酸素とを重合させて潤滑剤層を形成
する第１の重合工程と、水蒸気を導入した後、真空条件
下で気相重合を行い、上記フッ化炭素系化合物と酸素と
を重合させて潤滑剤層を形成する第２の重合工程とを、
順次行うことが好ましい。この際、上記の水蒸気の導入
を、上記の第１の重合工程の終了後、該第１の重合工程
における真空条件を大気圧条件下に戻すことにより行う
ことが特に好ましい。
【００４２】上記気相重合とは、上記フッ化炭素系化合
物と上記酸素とを気相にガス状態で保持した系で重合を
行い、重合反応を気相のみで生ぜしめる重合方法を意味
する。重合に際して採用することができる手法として
は、例えば、プラズマ重合や光化学的気相成長法（以
下、「ＣＶＤ」という）等のＣＶＤを採用することがで
きるが、本発明においては、装置・設備が簡単なもので
済む点から光ＣＶＤが好ましく採用される。
物と上記酸素とを気相にガス状態で保持した系で重合を
行い、重合反応を気相のみで生ぜしめる重合方法を意味
する。重合に際して採用することができる手法として
は、例えば、プラズマ重合や光化学的気相成長法（以
下、「ＣＶＤ」という）等のＣＶＤを採用することがで
きるが、本発明においては、装置・設備が簡単なもので
済む点から光ＣＶＤが好ましく採用される。
【００４３】上記の第１及び第２の重合工程について、
図２を参照して説明する。ここで図２は、上記潤滑剤層
を形成する際に用いることのできる光反応用のチャンバ
ーを示す模式図である。図２に示す光反応用のチャンバ
ー１１は、その上方の左右両側面に設けられたレーザ光
を透過するレーザ透過窓１２と、下部に設けられた磁気
記録媒体としての磁気ディスク１３（支持体上に上記下
地層、上記磁性層及び上記保護層が設けられたもの）を
一定間隔をおいて立設させることができる媒体設置部材
１４と、上記チャンバー１１の上部に設けられたチャン
バー内部の減圧及び大気解放を行うためのバルブ１５と
を有する。
図２を参照して説明する。ここで図２は、上記潤滑剤層
を形成する際に用いることのできる光反応用のチャンバ
ーを示す模式図である。図２に示す光反応用のチャンバ
ー１１は、その上方の左右両側面に設けられたレーザ光
を透過するレーザ透過窓１２と、下部に設けられた磁気
記録媒体としての磁気ディスク１３（支持体上に上記下
地層、上記磁性層及び上記保護層が設けられたもの）を
一定間隔をおいて立設させることができる媒体設置部材
１４と、上記チャンバー１１の上部に設けられたチャン
バー内部の減圧及び大気解放を行うためのバルブ１５と
を有する。
【００４４】そして、上記の第１の重合工程に際して
は、先ず、上記バルブ１５を真空ポンプ（図示せず）に
接続して、一旦、チャンバー１１内を減圧して真空（例
えば、１×１０- 5 〜１Ｔｏｒｒ）にした後、上記フッ
化炭素系化合物及び酸素を導入して後述する真空条件と
する。次に、エキシマレーザ光等を磁気ディスク１３上
部とチャンバー天井との間の中央を透過し且つ該磁気デ
ィスク１３には当たらないように、図２に示す矢印方向
に照射する。上記真空条件とは、真空状態のチャンバー
１１内に上記フッ化炭素系化合物と酸素とを導入した状
態を意味し、この状態におけるチャンバー１１内の圧力
は、５〜２００Ｔｏｒｒとすることが好ましい。また、
上記潤滑剤層が、磁気ディスク１３の全面にわたって均
一に形成されるようにするために、上記媒体設置部材１
４は、各磁気ディスク１３をその円周方向に向けて回転
させることができるようになされている。なお、上記の
第１の重合工程は、数回繰り返されてもよい。
は、先ず、上記バルブ１５を真空ポンプ（図示せず）に
接続して、一旦、チャンバー１１内を減圧して真空（例
えば、１×１０- 5 〜１Ｔｏｒｒ）にした後、上記フッ
化炭素系化合物及び酸素を導入して後述する真空条件と
する。次に、エキシマレーザ光等を磁気ディスク１３上
部とチャンバー天井との間の中央を透過し且つ該磁気デ
ィスク１３には当たらないように、図２に示す矢印方向
に照射する。上記真空条件とは、真空状態のチャンバー
１１内に上記フッ化炭素系化合物と酸素とを導入した状
態を意味し、この状態におけるチャンバー１１内の圧力
は、５〜２００Ｔｏｒｒとすることが好ましい。また、
上記潤滑剤層が、磁気ディスク１３の全面にわたって均
一に形成されるようにするために、上記媒体設置部材１
４は、各磁気ディスク１３をその円周方向に向けて回転
させることができるようになされている。なお、上記の
第１の重合工程は、数回繰り返されてもよい。
【００４５】次いで、上記の第２の重合工程に際して
は、上記の第１の重合工程の終了後、上記バルブ１５を
大気開放して、該第１の重合工程における上記真空条件
を大気圧条件に戻して、チャンバー１１内に水蒸気を導
入した後、上記の第１の重合工程と同様に、減圧して真
空にした後、上記フッ化炭素系化合物及び酸素を導入し
て上記真空条件とし、エキシマレーザー光等を照射す
る。ここで、第２の重合工程における「真空条件」も、
上記の第１の重合工程における「真空条件」と同じであ
る。
は、上記の第１の重合工程の終了後、上記バルブ１５を
大気開放して、該第１の重合工程における上記真空条件
を大気圧条件に戻して、チャンバー１１内に水蒸気を導
入した後、上記の第１の重合工程と同様に、減圧して真
空にした後、上記フッ化炭素系化合物及び酸素を導入し
て上記真空条件とし、エキシマレーザー光等を照射す
る。ここで、第２の重合工程における「真空条件」も、
上記の第１の重合工程における「真空条件」と同じであ
る。
【００４６】また、本発明において、上記の水蒸気の導
入は、上述の如く、上記チャンバー１１を大気圧条件と
することにより大気を導入して行うことが好ましい。こ
の際導入される該大気の相対湿度は、３０〜９０％であ
ることが好ましく、４０〜８０％であることが更に好ま
しい。なお、上記の第２の重合工程も、数回繰り返され
てもよい。更に、上記の第２の重合工程の後に、再度上
記の第１の重合工程を行うこともできる。
入は、上述の如く、上記チャンバー１１を大気圧条件と
することにより大気を導入して行うことが好ましい。こ
の際導入される該大気の相対湿度は、３０〜９０％であ
ることが好ましく、４０〜８０％であることが更に好ま
しい。なお、上記の第２の重合工程も、数回繰り返され
てもよい。更に、上記の第２の重合工程の後に、再度上
記の第１の重合工程を行うこともできる。
【００４７】なお、上記の説明において、特に詳述しな
かった点については、従来公知の磁気記録媒体の製造方
法と同様の方法と特に制限なく用いることができる。
かった点については、従来公知の磁気記録媒体の製造方
法と同様の方法と特に制限なく用いることができる。
【００４８】
【実施例】以下、実施例により、本発明を更に詳細に説
明する。なお、かかる実施例は、本発明の範囲を限定す
るものではない。
明する。なお、かかる実施例は、本発明の範囲を限定す
るものではない。
【００４９】〔実施例１〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。ここで、図１は、本発明の磁気記録媒体
の一例としての磁気ディスクを示す概略断面図である。
クを製造した。ここで、図１は、本発明の磁気記録媒体
の一例としての磁気ディスクを示す概略断面図である。
【００５０】まず、ガラス状炭素からなる基板１の表面
をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティン
グ社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５ｋ
ｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転数
５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理を
行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最大
高さＲｐを９ｎｍにした。
をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティン
グ社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５ｋ
ｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転数
５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理を
行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最大
高さＲｐを９ｎｍにした。
【００５１】次に、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ製のター
ゲット（Ｔｉ：９２．５ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された上記基板１のテク
スチャ表面上にＴｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎから成る厚さ
７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴ
ｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタ
リングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）
から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引
き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
ゲット（Ｔｉ：９２．５ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された上記基板１のテク
スチャ表面上にＴｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎから成る厚さ
７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴ
ｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタ
リングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）
から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引
き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
【００５２】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、炭
素保護層５上に固定層及びフリー層から成る潤滑剤層６
を以下の操作により形成した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、炭
素保護層５上に固定層及びフリー層から成る潤滑剤層６
を以下の操作により形成した。
【００５３】即ち、上記炭素保護層５が形成された基板
１を、ＣＶＤ装置である図２に示す光反応用のチャンバ
ー１１内に所定の間隔を設けて図２に示すように並列配
置し、チャンバー１１内を５×１０-2Ｔｏｒｒに排気し
た後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペン
（ＣＦ3 ＣＦ＝ＣＦ2)と分圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを
導入し、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）から
のレーザ光（パワー１５０ｍＪ、繰り返し速度２Ｈｚ）
を１２．５分間かけて１５００パルス照射し、第１の重
合工程を１度行った。
１を、ＣＶＤ装置である図２に示す光反応用のチャンバ
ー１１内に所定の間隔を設けて図２に示すように並列配
置し、チャンバー１１内を５×１０-2Ｔｏｒｒに排気し
た後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペン
（ＣＦ3 ＣＦ＝ＣＦ2)と分圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを
導入し、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）から
のレーザ光（パワー１５０ｍＪ、繰り返し速度２Ｈｚ）
を１２．５分間かけて１５００パルス照射し、第１の重
合工程を１度行った。
【００５４】次いで、チャンバー１１をリークして湿度
６０％の大気を導入し、大気圧条件にした。この後、再
び、チャンバー１１内を５×１０-2Ｔｏｒｒに排気した
後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペンと分
圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを導入し、上記レーザを１
２．５分間かけて１５００パルス照射し、第２の重合工
程を１度行った。その結果、上記炭素保護層上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層を設けた。なお、上記レーザは上
記基板１に直接照射されないよう、図２に示す矢印方向
に向けて照射した。また、上記光ＣＶＤに際して、上記
基板１の温度は室温（２２℃）とした。このようにし
て、上記炭素保護層５の表面に化学結合により重合体分
子が固着されてなる固定層（１．７ｎｍ）と、該固定層
上に形成されたフリー層（０．８ｎｍ）とから成る潤滑
剤層６を形成した。
６０％の大気を導入し、大気圧条件にした。この後、再
び、チャンバー１１内を５×１０-2Ｔｏｒｒに排気した
後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペンと分
圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを導入し、上記レーザを１
２．５分間かけて１５００パルス照射し、第２の重合工
程を１度行った。その結果、上記炭素保護層上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層を設けた。なお、上記レーザは上
記基板１に直接照射されないよう、図２に示す矢印方向
に向けて照射した。また、上記光ＣＶＤに際して、上記
基板１の温度は室温（２２℃）とした。このようにし
て、上記炭素保護層５の表面に化学結合により重合体分
子が固着されてなる固定層（１．７ｎｍ）と、該固定層
上に形成されたフリー層（０．８ｎｍ）とから成る潤滑
剤層６を形成した。
【００５５】〔実施例２〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
【００５６】次に、Ｔｉ−３Ａｌ−１．５Ｓｎ製のター
ゲット（Ｔｉ：９５．５ｗｔ％、Ａｌ：３ｗｔ％、Ｓ
ｎ：１．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された上記基板１のテク
スチャ表面上にＴｉ−３Ａｌ−１．５Ｓｎから成る厚さ
７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴ
ｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタ
リングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）
から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引
き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
ゲット（Ｔｉ：９５．５ｗｔ％、Ａｌ：３ｗｔ％、Ｓ
ｎ：１．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された上記基板１のテク
スチャ表面上にＴｉ−３Ａｌ−１．５Ｓｎから成る厚さ
７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴ
ｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタ
リングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）
から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引
き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
【００５７】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００５８】〔実施例３〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
【００５９】次に、Ｔｉ−５Ａｌ−３Ｓｎ製のターゲッ
ト（Ｔｉ：９２ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓｎ：３ｗｔ
％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒ
ガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタリングを行い、
２４０℃に加熱された上記基板１のテクスチャ表面上に
Ｔｉ−５Ａｌ−３Ｓｎから成る厚さ７０ｎｍの第一の下
地層２を形成した。次いで、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰
囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタリングにより第一の
下地層２上にＣｒ（体心立方構造）から成る厚さ５０ｎ
ｍの第二の下地層３を形成した。引き続き、第二の下地
層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃ
ｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）から成る厚
さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
ト（Ｔｉ：９２ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓｎ：３ｗｔ
％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒ
ガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタリングを行い、
２４０℃に加熱された上記基板１のテクスチャ表面上に
Ｔｉ−５Ａｌ−３Ｓｎから成る厚さ７０ｎｍの第一の下
地層２を形成した。次いで、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰
囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタリングにより第一の
下地層２上にＣｒ（体心立方構造）から成る厚さ５０ｎ
ｍの第二の下地層３を形成した。引き続き、第二の下地
層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃ
ｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）から成る厚
さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
【００６０】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００６１】〔実施例４〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
【００６２】次に、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−２Ｚｒ製の
ターゲット（Ｔｉ：９２ｗｔ％、Ａｌ：６ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２ｗｔ％、Ｚｒ：２ｗｔ％；六方最密構造）を用
い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電
によるスパッタリングを行い、２４０℃に加熱された上
記基板１のテクスチャ表面上にＴｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−
２Ｚｒから成る厚さ７０ｎｍの第一の下地層２を形成し
た。次いで、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ
放電によるスパッタリングにより第一の下地層２上にＣ
ｒ（体心立方構造）から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地
層３を形成した。引き続き、第二の下地層３上に、Ｃｏ
ＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ
％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁
性層４を形成した。
ターゲット（Ｔｉ：９２ｗｔ％、Ａｌ：６ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２ｗｔ％、Ｚｒ：２ｗｔ％；六方最密構造）を用
い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電
によるスパッタリングを行い、２４０℃に加熱された上
記基板１のテクスチャ表面上にＴｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−
２Ｚｒから成る厚さ７０ｎｍの第一の下地層２を形成し
た。次いで、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ
放電によるスパッタリングにより第一の下地層２上にＣ
ｒ（体心立方構造）から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地
層３を形成した。引き続き、第二の下地層３上に、Ｃｏ
ＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ
％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁
性層４を形成した。
【００６３】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００６４】〔実施例５〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
【００６５】次に、Ｔｉ−５Ａｌ−２Ｚｒ製のターゲッ
ト（Ｔｉ：９３ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｚｒ：２ｗｔ
％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒ
ガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタリングを行い、
２４０℃に加熱された上記基板１のテクスチャ表面上に
Ｔｉ−５Ａｌ−２Ｚｒから成る厚さ７０ｎｍの第一の下
地層２を形成した。次いで、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰
囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタリングにより第一の
下地層２上にＣｒ（体心立方構造）から成る厚さ５０ｎ
ｍの第二の下地層３を形成した。引き続き、第二の下地
層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃ
ｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）から成る厚
さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
ト（Ｔｉ：９３ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｚｒ：２ｗｔ
％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒ
ガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタリングを行い、
２４０℃に加熱された上記基板１のテクスチャ表面上に
Ｔｉ−５Ａｌ−２Ｚｒから成る厚さ７０ｎｍの第一の下
地層２を形成した。次いで、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰
囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタリングにより第一の
下地層２上にＣｒ（体心立方構造）から成る厚さ５０ｎ
ｍの第二の下地層３を形成した。引き続き、第二の下地
層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃ
ｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）から成る厚
さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
【００６６】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００６７】〔実施例６〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ製のタ
ーゲット（Ｔｉ：９２．５ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された強化ガラスからな
る基板１上にＴｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎから成る厚さ７
０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴｏ
ｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタリ
ングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）か
ら成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引き
続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
クを製造した。まず、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ製のタ
ーゲット（Ｔｉ：９２．５ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された強化ガラスからな
る基板１上にＴｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎから成る厚さ７
０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴｏ
ｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタリ
ングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）か
ら成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引き
続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
【００６８】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００６９】〔実施例７〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
クを製造した。まず、ガラス状炭素からなる基板１の表
面をテススチャー処理した。即ち、日本ミクロコーティ
ング社製＃６０００の研磨テープを用い、加工圧１．５
ｋｇ／ｃｍ2 、テープ振動３００往復／分、ワーク回転
数５０ｒｐｍ、加工時間２０秒でテープテクスチャ処理
を行い中心線平均粗さＲａを２．５ｎｍにし、中心線最
大高さＲｐを９ｎｍにした。
【００７０】次に、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ製のター
ゲット（Ｔｉ：９２．５ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された上記基板１のテク
スチャ表面上にＴｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎから成る厚さ
７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴ
ｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタ
リングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）
から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引
き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
ゲット（Ｔｉ：９２．５ｗｔ％、Ａｌ：５ｗｔ％、Ｓ
ｎ：２．５ｗｔ％；六方最密構造）を用い、かつ、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタ
リングを行い、２４０℃に加熱された上記基板１のテク
スチャ表面上にＴｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎから成る厚さ
７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍＴ
ｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッタ
リングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構造）
から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成した。引
き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６
２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗ
ｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成した。
【００７１】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、上
記炭素保護層上にディップコータによりモンテジソン社
のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤フォンブリンＺ０
３（商品名）を塗布し厚さ２．５ｎｍの潤滑剤層を形成
し、目的の磁気ディスクを製造した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、上
記炭素保護層上にディップコータによりモンテジソン社
のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤フォンブリンＺ０
３（商品名）を塗布し厚さ２．５ｎｍの潤滑剤層を形成
し、目的の磁気ディスクを製造した。
【００７２】〔比較例１〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、Ｔｉ製のターゲット（六方最密構
造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で
ＤＣ放電によるスパッタリングを行い、２４０℃に加熱
されたガラス状炭素からなる基板１上にＴｉから成る厚
さ７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッ
タリングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構
造）から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成し
た。引き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃ
ｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３
１．４ｗｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成
した。
クを製造した。まず、Ｔｉ製のターゲット（六方最密構
造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で
ＤＣ放電によるスパッタリングを行い、２４０℃に加熱
されたガラス状炭素からなる基板１上にＴｉから成る厚
さ７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッ
タリングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構
造）から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成し
た。引き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃ
ｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３
１．４ｗｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成
した。
【００７３】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００７４】〔比較例２〕図１に示す構造の磁気ディス
クを製造した。まず、Ｃｕ製のターゲット（面心立方構
造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で
ＤＣ放電によるスパッタリングを行い、２４０℃に加熱
されたガラス状炭素からなる基板１上にＣｕから成る厚
さ７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッ
タリングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構
造）から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成し
た。引き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃ
ｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３
１．４ｗｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成
した。
クを製造した。まず、Ｃｕ製のターゲット（面心立方構
造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で
ＤＣ放電によるスパッタリングを行い、２４０℃に加熱
されたガラス状炭素からなる基板１上にＣｕから成る厚
さ７０ｎｍの第一の下地層２を形成した。次いで、３ｍ
ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で、ＤＣ放電によるスパッ
タリングにより第一の下地層２上にＣｒ（体心立方構
造）から成る厚さ５０ｎｍの第二の下地層３を形成し
た。引き続き、第二の下地層３上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃ
ｏ：６２．０ｗｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３
１．４ｗｔ％）から成る厚さ４３ｎｍの磁性層４を形成
した。
【００７５】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、磁性層４上
に厚さ１５ｎｍの炭素保護層５を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００７６】〔比較例３〕まず、Ｃｒ製のターゲット
（体心立方構造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガ
ス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタリングを行い、２
４０℃に加熱されたガラス状炭素からなる基板１上にＣ
ｒから成る厚さ７０ｎｍの下地層を形成した。引き続
き、上記下地層上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗ
ｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）か
ら成る厚さ４３ｎｍの磁性層を形成した。
（体心立方構造）を用い、かつ、３ｍＴｏｒｒのＡｒガ
ス雰囲気下でＤＣ放電によるスパッタリングを行い、２
４０℃に加熱されたガラス状炭素からなる基板１上にＣ
ｒから成る厚さ７０ｎｍの下地層を形成した。引き続
き、上記下地層上に、ＣｏＣｒＰｔ（Ｃｏ：６２．０ｗ
ｔ％、Ｃｒ：６．６ｗｔ％、Ｐｔ：３１．４ｗｔ％）か
ら成る厚さ４３ｎｍの磁性層を形成した。
【００７７】次いで、Ａｒ／ＣＨ4 （９．５ｍＴｏｒｒ
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、上記磁性層
上に厚さ１５ｎｍの炭素保護層を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
／０．５ｍＴｏｒｒ）ガス雰囲気下で、東ソー製の炭素
ターゲットを用いてスパッタリングを行い、上記磁性層
上に厚さ１５ｎｍの炭素保護層を形成した。最後に、実
施例１と同様の操作により、上記炭素保護層５上に厚さ
２．５ｎｍの潤滑剤層６（固定層：１．７ｎｍ、フリー
層：０．８ｎｍ）を形成し、目的の磁気ディスクを製造
した。
【００７８】実施例１〜７及び比較例１〜３で得られた
磁気ディスクについて、層の密着性、耐環境特性、静磁
気特性、電磁変換特性及びＣＳＳ（コンタクト・スター
ト・ストップ）耐久性を以下の方法にて測定した。その
結果を表１に示す。
磁気ディスクについて、層の密着性、耐環境特性、静磁
気特性、電磁変換特性及びＣＳＳ（コンタクト・スター
ト・ストップ）耐久性を以下の方法にて測定した。その
結果を表１に示す。
【００７９】〔密着性〕磁気ディスクの表面に３ｍｍ四
方の傷をつけ、スコッチテープにより引き剥がし試験を
行った。
方の傷をつけ、スコッチテープにより引き剥がし試験を
行った。
【００８０】〔耐環境特性〕磁気ディスクを６０℃８０
％ＲＨの環境に９週間放置した後の、１ビットエラーを
測定した。
％ＲＨの環境に９週間放置した後の、１ビットエラーを
測定した。
【００８１】〔静磁気特性〕磁気ディスクの保磁力を測
定した。
定した。
【００８２】〔電磁変換特性〕グライドハイト（ＧＨ
Ｔ）評価で１．５マイクロインチの浮上高さを通過した
磁気ディスクのＳ／Ｎ（ｄＢ）とビットシフト（ｎｓｅ
ｃ）とを測定した。上記Ｓ／Ｎ及びビットシフトの測定
は、ＰＲＯＱＵＩＰ社製のＭＧ１５０Ｔを用い、ヘッド
は薄膜ヘッドで、測定半径を１７ｍｍ、ヘッドの浮上量
は２．８マイクロインチで行った。記録電流は３５ｍ
Ａ、周波数はＨＦで７ＭＨｚ、ＬＦで１．５ＭＨｚであ
り、記録パターンはＦＦＦＦ（ＨＦ）で行った。なお、
ビットシフトとは、図３に示すように、エラーレートが
１０-6個とするためには、どれだけの検出範囲（ウイン
ドウ幅）が必要かという評価方法であり、ビットシフト
＝ｂである。すなわち、実際のウインドウａに対してビ
ットシフトｂが小さい程、ウインドウ幅の余裕度ｃが広
くなり、エラーレートを小さくすることができる。
Ｔ）評価で１．５マイクロインチの浮上高さを通過した
磁気ディスクのＳ／Ｎ（ｄＢ）とビットシフト（ｎｓｅ
ｃ）とを測定した。上記Ｓ／Ｎ及びビットシフトの測定
は、ＰＲＯＱＵＩＰ社製のＭＧ１５０Ｔを用い、ヘッド
は薄膜ヘッドで、測定半径を１７ｍｍ、ヘッドの浮上量
は２．８マイクロインチで行った。記録電流は３５ｍ
Ａ、周波数はＨＦで７ＭＨｚ、ＬＦで１．５ＭＨｚであ
り、記録パターンはＦＦＦＦ（ＨＦ）で行った。なお、
ビットシフトとは、図３に示すように、エラーレートが
１０-6個とするためには、どれだけの検出範囲（ウイン
ドウ幅）が必要かという評価方法であり、ビットシフト
＝ｂである。すなわち、実際のウインドウａに対してビ
ットシフトｂが小さい程、ウインドウ幅の余裕度ｃが広
くなり、エラーレートを小さくすることができる。
【００８３】〔ＣＳＳ耐久性〕Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣスラ
イダヘッド（重量３．５ｇ）を用い、浮上量２．８マイ
クロインチ、磁気ディスクの回転数４５００ｒｐｍで５
秒間駆動、５秒間停止のサイクルを繰り返して行い、静
摩擦係数が０．６を超えた回数を計測した。
イダヘッド（重量３．５ｇ）を用い、浮上量２．８マイ
クロインチ、磁気ディスクの回転数４５００ｒｐｍで５
秒間駆動、５秒間停止のサイクルを繰り返して行い、静
摩擦係数が０．６を超えた回数を計測した。
【００８４】
【表１】
【００８５】表１の結果を検討すると、まず、密着性に
関しては、下地層にＣｕを用いた磁気ディスク（比較例
２）において、層の剥離が観察されたので、密着性が悪
いといえる。このことはガラス状炭素から成る基板とそ
の上に設けられた下地層との界面で炭化物が形成され易
いか否かの違いであると考えられる。密着性の悪かった
Ｃｕの場合は炭化物が形成されず、これに対して、Ｔｉ
合金の場合は炭化物が形成されたため、下地層にＴｉ合
金を用いた磁気ディスク（実施例１〜７）では基板との
密着性が良かったものと考えられる。
関しては、下地層にＣｕを用いた磁気ディスク（比較例
２）において、層の剥離が観察されたので、密着性が悪
いといえる。このことはガラス状炭素から成る基板とそ
の上に設けられた下地層との界面で炭化物が形成され易
いか否かの違いであると考えられる。密着性の悪かった
Ｃｕの場合は炭化物が形成されず、これに対して、Ｔｉ
合金の場合は炭化物が形成されたため、下地層にＴｉ合
金を用いた磁気ディスク（実施例１〜７）では基板との
密着性が良かったものと考えられる。
【００８６】次に、耐環境特性に関しては、ガラス状炭
素基板上にＴｉ合金から成る第一の下地層を設け、その
上にＣｒから成る第二の下地層を設けた磁気ディスク
（実施例１〜７）では、１ビットエラーの増加は観察さ
れず、しかも、基板と下地層との密着性も良かった。こ
れに対して、ガラス状炭素基板上にＣｒから成る下地層
を形成した磁気ディスク（比較例３）では、１ビットエ
ラーが増加した。ガラス状炭素基板上にＣｕから成る第
一の下地層を設け、その上にＣｒから成る第二の下地層
を設けた磁気ディスク（比較例２）では、基板とＣｕか
ら成る第一の下地層との界面で該第一の下地層が浮いて
くる現象が観察され、磁気ディスクとしては使用できな
かった。ガラス状炭素基板上にＴｉから成る第一の下地
層を設け、その上にＣｒから成る第二の下地層を設けた
磁気ディスク（比較例１）は、１ビットエラーの増加は
それ程みられなかった。
素基板上にＴｉ合金から成る第一の下地層を設け、その
上にＣｒから成る第二の下地層を設けた磁気ディスク
（実施例１〜７）では、１ビットエラーの増加は観察さ
れず、しかも、基板と下地層との密着性も良かった。こ
れに対して、ガラス状炭素基板上にＣｒから成る下地層
を形成した磁気ディスク（比較例３）では、１ビットエ
ラーが増加した。ガラス状炭素基板上にＣｕから成る第
一の下地層を設け、その上にＣｒから成る第二の下地層
を設けた磁気ディスク（比較例２）では、基板とＣｕか
ら成る第一の下地層との界面で該第一の下地層が浮いて
くる現象が観察され、磁気ディスクとしては使用できな
かった。ガラス状炭素基板上にＴｉから成る第一の下地
層を設け、その上にＣｒから成る第二の下地層を設けた
磁気ディスク（比較例１）は、１ビットエラーの増加は
それ程みられなかった。
【００８７】次に、静磁気特性に関しては、ガラス状炭
素基板上にＴｉ合金から成る第一の下地層を設け、その
上にＣｒから成る第二の下地層を設けた磁気ディスク
（実施例１〜７）では、Ｈｃは１８００Ｏｅを超え、Ｂ
ｒδ＝３１０±２０Ｇμｍであり、高い保磁力が観察さ
れた。これに対して、ガラス状炭素基板上にＣｕから成
る第一の下地層を設け、その上にＣｒから成る第二の下
地層を設けた磁気ディスク（比較例２）、及びガラス状
炭素基板上にＣｒから成る下地層を形成した磁気ディス
ク（比較例３）では、保磁力が１２５０Ｏｅ以下と低
く、高密度記録としての使用には無理がある。また、ガ
ラス状炭素基板上にＴｉから成る第一の下地層を設け、
その上にＣｒから成る第二の下地層を設けた磁気ディス
ク（比較例１）では、比較的高い保磁力が観察されるも
のの、実施例１〜７の磁気ディスクの保磁力には及ばな
い。
素基板上にＴｉ合金から成る第一の下地層を設け、その
上にＣｒから成る第二の下地層を設けた磁気ディスク
（実施例１〜７）では、Ｈｃは１８００Ｏｅを超え、Ｂ
ｒδ＝３１０±２０Ｇμｍであり、高い保磁力が観察さ
れた。これに対して、ガラス状炭素基板上にＣｕから成
る第一の下地層を設け、その上にＣｒから成る第二の下
地層を設けた磁気ディスク（比較例２）、及びガラス状
炭素基板上にＣｒから成る下地層を形成した磁気ディス
ク（比較例３）では、保磁力が１２５０Ｏｅ以下と低
く、高密度記録としての使用には無理がある。また、ガ
ラス状炭素基板上にＴｉから成る第一の下地層を設け、
その上にＣｒから成る第二の下地層を設けた磁気ディス
ク（比較例１）では、比較的高い保磁力が観察されるも
のの、実施例１〜７の磁気ディスクの保磁力には及ばな
い。
【００８８】また、Ｓ／Ｎ及びビットシフトに関して
は、Ｔｉから成る下地層を有する磁気ディスク（比較例
１）やＣｕから成る下地層を有する磁気ディスク（比較
例２）よりも、Ｔｉ合金から成る下地層を有する磁気デ
ィスク（実施例１〜７）の方が、Ｓ／Ｎ及びビットシフ
トの双方共に優れているという結果が得られた。これよ
り、Ｔｉ合金から成る下地層を有する磁気ディスクは、
高い記録周波数でもミッシングエラーを増加させないた
め、高記録密度に適するといえる。
は、Ｔｉから成る下地層を有する磁気ディスク（比較例
１）やＣｕから成る下地層を有する磁気ディスク（比較
例２）よりも、Ｔｉ合金から成る下地層を有する磁気デ
ィスク（実施例１〜７）の方が、Ｓ／Ｎ及びビットシフ
トの双方共に優れているという結果が得られた。これよ
り、Ｔｉ合金から成る下地層を有する磁気ディスクは、
高い記録周波数でもミッシングエラーを増加させないた
め、高記録密度に適するといえる。
【００８９】更に、ＣＳＳ耐久性に関しては、Ｔｉから
成る下地層を有する磁気ディスク（比較例１）やＣｕか
ら成る下地層を有する磁気ディスク（比較例２）より
も、Ｔｉ合金から成る下地層を有する磁気ディスク（実
施例１〜７）の方が、ＣＳＳ耐久性が優れているという
結果が得られた。特に、光ＣＶＤにより潤滑剤層を形成
した磁気ディスク（実施例１〜６）では、ＣＳＳ耐久性
が極めて優れていた。従って、上記Ｔｉ合金から成る下
地層と光ＣＶＤにより形成された潤滑剤層との組合せに
より、ＣＳＳ耐久性が一層向上することが分かる。
成る下地層を有する磁気ディスク（比較例１）やＣｕか
ら成る下地層を有する磁気ディスク（比較例２）より
も、Ｔｉ合金から成る下地層を有する磁気ディスク（実
施例１〜７）の方が、ＣＳＳ耐久性が優れているという
結果が得られた。特に、光ＣＶＤにより潤滑剤層を形成
した磁気ディスク（実施例１〜６）では、ＣＳＳ耐久性
が極めて優れていた。従って、上記Ｔｉ合金から成る下
地層と光ＣＶＤにより形成された潤滑剤層との組合せに
より、ＣＳＳ耐久性が一層向上することが分かる。
【００９０】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の磁気記録
媒体によれば、高保磁力を維持しつつ、ノイズを低減化
し、Ｓ／Ｎの向上が図られ、しかも、基板と磁性層との
密着性が増し、耐環境性も向上する。
媒体によれば、高保磁力を維持しつつ、ノイズを低減化
し、Ｓ／Ｎの向上が図られ、しかも、基板と磁性層との
密着性が増し、耐環境性も向上する。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す概略断面図
である。
である。
【図２】潤滑剤層を形成する際に用いることのできる光
反応用のチャンバーを示す模式図である。
反応用のチャンバーを示す模式図である。
【図３】ビットシフトとエラーレートとの関係を示す図
である。
である。
１ 非磁性基板 ２ 第一の下地層 ３ 第二の下地層 ４ 磁性層 ５ 保護層 ６ 潤滑剤層
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板と、磁性層と、該非磁性基板
及び該磁性層との間に設けられた下地層とを具備する磁
気記録媒体において、 上記下地層が、少なくとも、六方最密構造のＴｉ合金を
９５ｖｏｌ％以上含むＴｉ合金下地層を有することを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記Ｔｉ合金が、Ｔｉ−Ａｌ−Ｓｎ系合
金である請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記下地層が、上記Ｔｉ合金下地層から
なる第一の下地層と、該第一の下地層上に設けられたＣ
ｒ又はＣｒ合金を含む第二の下地層とを有し、上記第一
の下地層は上記非磁性基板に接して設けられている請求
項１又は２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記非磁性基板が、ガラス状炭素から成
る、請求項１〜３の何れかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1536795A JPH08212528A (ja) | 1995-02-01 | 1995-02-01 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1536795A JPH08212528A (ja) | 1995-02-01 | 1995-02-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212528A true JPH08212528A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11886831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1536795A Pending JPH08212528A (ja) | 1995-02-01 | 1995-02-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08212528A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020076996A (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-21 | 学校法人東京理科大学 | モスアイ転写型及びモスアイ転写型の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-01 JP JP1536795A patent/JPH08212528A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020076996A (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-21 | 学校法人東京理科大学 | モスアイ転写型及びモスアイ転写型の製造方法 |
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