JPH08213295A - 半導体製造装置のウェハ処理制御装置及びウェハのレシピ選択方法 - Google Patents

半導体製造装置のウェハ処理制御装置及びウェハのレシピ選択方法

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JPH08213295A
JPH08213295A JP1732995A JP1732995A JPH08213295A JP H08213295 A JPH08213295 A JP H08213295A JP 1732995 A JP1732995 A JP 1732995A JP 1732995 A JP1732995 A JP 1732995A JP H08213295 A JPH08213295 A JP H08213295A
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真一郎 山本
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正吾 山田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 正しいレシピを確実に選択して不良ウェハの
発生を回避し、レシピ選択のためのデータ設定に要する
時間を大幅に短縮して生産性を向上させる。 【構成】 各レシピのデータをテーブル形式の1つのフ
ァイルとしてレシピID別に第1テーブル111 に格納し、
またカセット内の各ウェハを特定するデータと、各ウェ
ハに適用すべきレシピのレシピIDとを対応付けてテーブ
ル形式の1つのファイルとしてカセットID別に第2テー
ブル112 に格納する記憶装置11と、カセットIDを設定す
る操作パネル13と、操作パネル13より設定されるカセッ
トIDを基に記憶装置11内の第2テーブル112 から適用す
べきレシピのレシピIDを検索し、検索したレシピIDを基
に第1テーブル111 からレシピを検索して読み出し、読
み出したレシピに従って半導体製造装置2におけるウェ
ハの処理を制御する制御装置12とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置で複数
枚のウェハを格納したカセットが交換される都度、新し
いカセット内の各ウェハに応じたレシピを選択して半導
体製造装置のウェハ処理を制御する装置及びレシピ選択
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置では、複数枚のウェハを
収納して工程間を搬送するカセット単位でウェハの処理
を実行する。例えば、CVD 装置, エピタキシャル成長装
置等の半導体製造装置では、ウェハ保持用の複数の溝が
設けられている石英ガラス等からなるボートに、カセッ
ト内の並び順でウェハを移し、ボートによって1カセッ
ト分のウェハを反応室に搬入して処理を行う。
【0003】このような半導体製造装置におけるウェハ
の処理を制御する装置では、生産計画を立てた段階で分
かっている各ウェハのプロセスシーケンス,制御パラメ
ータ(温度,圧力,ガス流量等の制御目標値)等の処理
条件をレシピとして格納したテーブルを複数個設け、各
テーブルを、例えば1つのファイルとして管理し、各フ
ァイルにレシピIDを割り付けておく。
【0004】カセット単位でのウェハの処理には、カセ
ット内の全ウェハを同一のレシピで処理する通常処理
と、異なるレシピで処理するパイロット処理とがあり、
通常処理でレシピを選択する場合はカセット単位で1つ
のレシピIDを設定すればよいが、パイロット処理ではウ
ェハ毎にレシピIDを設定しなければならない。
【0005】図5は上述のようなレシピ選択を、特開平
5-135064号公報等に開示されたような従来の制御装置に
より実行した場合の手順を示すフローチャートである。
なお、この従来例では99通りのレシピがテーブルに格納
されており、各ウェハを特定するデータとして、ボート
に設けられたウェハ保持用の複数の溝にそれぞれ付され
たスロットNo. を用いるものとする。操作パネルより、
反応室毎にスロットNo. 1にレシピIDを設定する(S1
1)。設定されたレシピIDが1〜99に含まれるかを判断し
(S12)、レシピIDが1〜99以外の場合は表示装置に警告
のメッセージ(アラーム)を表示する(S13)。レシピID
が1〜99に含まれる場合は操作パネルから通常処理/パ
イロット処理の処理方法を設定する(S14)。設定された
処理方法が通常処理であるかパイロット処理であるかを
判断し(S15)、通常処理の場合はNo. 2以降の全スロッ
トに、No. 1のスロットに設定されたレシピIDと同じ値
を設定してステップS21 へ移行する。
【0006】一方、設定された処理方法がパイロット処
理の場合は操作パネルより次のNo.2 のスロットにレシ
ピIDを設定する(S17)。設定されたレシピIDが1〜99で
あるかを判断し(S18)、1〜99以外の場合は表示装置に
アラームを表示する(S19)。レシピIDが1〜99に含まれ
る場合は操作パネルよりNo. 3のスロットにレシピIDを
設定する(S17)。全スロットの設定が終了したかを判断
しながら(S20)、以上のステップS17, S18を繰り返し、
全スロットにレシピIDを設定する。全スロットに対する
設定が終了すると、ステップS21 へ移行し、記憶装置内
に格納さているテーブルから、上記の処理で設定された
レシピIDのテーブル中のレシピデータを読み出し(S2
1)、読み出されたレシピデータに従って半導体製造装置
によるウェハの処理を制御する(S22)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のレシピ選択は以
上のような手順で実行されるので、パイロット処理のよ
うにウェハ毎にレシピを選択しなければならない場合、
レシピIDの設定間違いにより誤ったレシピが選択され、
誤ったレシピに従って処理が実行されると不良ウェハを
製造してしまう。また、レシピIDの設定に長時間を要
し、生産性が低下する。
【0008】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであって、カセット内の各ウェハに応じ
たレシピを最小限のデータ入力で自動的に選択すること
により、正しいレシピを確実に選択し、レシピ選択のた
めのデータ設定に要する時間を大幅に短縮する半導体製
造装置のウァハ処理制御装置及びレシピ選択方法の提供
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】第1発明の半導体製造装
置のウェハ処理制御装置は、カセットに格納された複数
枚のウェハそれぞれの処理条件が記述されているレシピ
を選択し、選択したレシピに従って半導体製造装置によ
る各ウェハの処理を制御する装置において、複数のレシ
ピと該複数のレシピをそれぞれ特定するデータとを対応
付けて記憶した第1のテーブル、及び各カセットを特定
するデータと該各カセットに格納されるべき各ウェハを
特定するデータと各ウェハに対応する各レシピを特定す
るデータとを対応付けて記憶した第2のテーブルとを有
する記憶手段と、処理の開始時にカセットを特定するデ
ータを指定する手段と、指定されたカセットに格納され
るべき複数のウェハそれぞれに適用すべきレシピを特定
するデータを第2のテーブルから読み出し、該レシピを
特定するデータに対応するレシピを第1のテーブルから
選択して読み出す手段とを備えたことを特徴とする。
【0010】第2発明の半導体製造装置のウェハ処理制
御装置は、第1発明の、各ウェハを特定する前記データ
が、その複数の溝にカセット内での並び順に従ってそれ
ぞれ収納された1カセット分の複数枚のウェハを反応室
へ搬入するボートの前記複数の溝にそれぞれ付されたス
ロット番号であることを特徴とする。
【0011】
【作用】第1発明のウェハ処理制御装置及び第3発明の
レシピ選択方法は、複数のレシピを第1のテーブルに記
憶して該複数のレシピにそれぞれを特定するデータを割
り付けるとともに、各カセットを特定するデータと該各
カセットに格納されるべき各ウェハを特定するデータと
各ウェハに適用すべき各レシピを特定するデータとを対
応付けて第2のテーブルに記憶し、処理の開始時にカセ
ットを特定するデータを指定し、指定されたカセットに
格納されるべき複数のウェハそれぞれに応じたレシピを
特定するデータを第2のテーブルから読み出し、該レシ
ピを特定するデータに対応するレシピを第1のテーブル
から選択して読み出す。これによって、正しいレシピを
確実に選択し、また、レシピ選択のためのデータ設定に
要する時間を大幅に短縮する。
【0012】第2発明のウェハ処理制御装置及び第4発
明のレシピ選択方法は、各ウェハを特定するデータとし
て、その複数の溝にカセット内での並び順に従ってそれ
ぞれ収納された1カセット分の複数枚のウェハを反応室
へ搬入するボートの前記複数の溝にそれぞれ付されたス
ロット番号を用いる。
【0013】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。図1は、本発明の半導体製造装置のウェハ
処理制御装置(以下、本発明装置という)の構成を示す
ブロック図であって、図中、1は本発明装置、2は本発
明装置1が選択したレシピに従ってウェハ処理が制御さ
れる半導体製造装置である。記憶装置11は、各レシピの
データ(処理時間,μ波電力,ガス流量等)をテーブル
形式の1つのファイルとしてレシピID別に第1テーブル
111 に格納するとともに、カセット内の各ウェハを特定
するデータとしてのスロットNo. と、各ウェハに適用す
べきレシピのレシピIDとを対応付けたテーブル形式の1
つのファイルとしてカセットID別に第2テーブル112 に
格納する。
【0014】制御装置12は作業用のメモリ121 を有し、
操作パネル13より設定されるカセットIDを基に記憶装置
11内の第2テーブル112 のカセットIDに対応するファイ
ルから、そのカセット内の各ウェハに適用すべきレシピ
のレシピIDを検索し、検索したレシピIDを基に第1テー
ブル111 のレシピIDに対応するファイルからレシピを検
索して作業用のメモリ121 に読み出し、読み出したレシ
ピに従って半導体製造装置2におけるウェハの処理を制
御する。操作パネル13は第1テーブル111 ,第2テーブ
ル112 のデータ設定,変更等を行う手段を有し、またカ
セットIDの入力手段を有する。表示装置14は操作パネル
13より設定されたカセットIDが不当なデータである場合
に警告メッセージ(アラーム)を表示し、また、操作パ
ネル13より第1テーブル,第2テーブル112 にデータを
設定する際の設定画面等を表示する。
【0015】図2は複数のレシピを格納する第1テーブ
ル111 の格納状態の概念図である。各レシピのテーブル
は1つのファイルとして格納され、各ファイルにはレシ
ピID(1〜99)が割り付けられている。1つのレシピに
は処理ステップ(No. 1〜30)のそれぞれにおける処理
時間,μ波電力,ガス流量等のデータが格納されてお
り、これらのデータの数値の組合せで本実施例では99通
りのレシピが設定できる。これらはウェハの生産計画を
立てた段階で分かっており、表示装置14に表示された設
定画面を用いて操作パネル13からデータを入力して作
成、更新する。
【0016】図3は、カセット内の各ウェハを特定する
データとして、各ウェハをカセット内の並び順に保持す
るボートの複数の溝にそれぞれ付されたスロットNo.
(1〜25)と、第1テーブル111 のレシピに付されてい
るレシピIDとを対応付けてカセットID別に格納する第2
テーブル112 の格納状態の概念図である。各テーブルは
1つのファイルとして格納され、各ファイルにはカセッ
トID(1〜99)が割り付けられている。1つのファイル
には、反応室1〜3で各ウェハにそれぞれ適用すべきレ
シピのレシピIDがスロットNo. 別に記憶されている。
【0017】図4は本発明装置によるレシピ選択の手順
を示すフローチャートである。操作パネル13よりカセッ
トIDを設定する(S1)。設定されたカセットIDが1〜99
に含まれるかを判断する(S2)。カセットIDが1〜99以
外の場合は表示装置14に警告のメッセージ(アラーム)
を表示する(S3)。レシピIDが1〜99に含まれる場合は
記憶装置12内に格納されている第2テーブル112 から、
設定されたカセットIDのテーブルデータを読み出す(S
4)。次に、記憶装置12内に格納されている第1テーブ
ル111 から、第2テーブル112 に記憶されているレシピ
IDのテーブルデータを読み出す(S5)。第1テーブル11
1 中のレシピデータに従って半導体製造装置2による各
ウェハの処理を制御する(S6)。
【0018】この場合、カセットの交換時にオペレータ
が入力しなければならないのは、英字、記号、数字等を
組み合わせた入力容易なカセットIDのみであって、入力
ミスが発生しにくい。実際の操業時には、カセットNo.
とカセットIDとが対応付けて記述されたテーブルをオペ
レータに配付し、オペレータは半導体製造装置にセット
されるカセットのカセットNo. を見て、対応するカセッ
トIDを設定する。また、上位コンピュータからのデータ
を基にレシピを選択する場合も、上位コンピュータから
下位の制御装置へ送信するデータはカセットIDだけで良
く、ソフトウェアの作成が容易である。
【0019】
【発明の効果】以上のように、本発明装置及び方法は、
カセット内の各ウェハに応じたレシピをカセットIDのよ
うな最小限のデータ入力で自動的に選択するので、正し
いレシピを確実に選択して不良ウェハの発生を回避し、
また、レシピ選択のためのデータ設定に要する時間を大
幅に短縮して生産性を向上させるという優れた効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明装置の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明装置の第1テーブルの格納状態の概念図
である。
【図3】本発明装置の第2テーブルの格納状態の概念図
である。
【図4】本発明装置によるレシピ選択の手順を示すフロ
ーチャートである。
【図5】従来の制御装置によるレシピ選択の手順を示す
フローチャートである。
【符号の説明】
1 ウェハ処理制御装置 2 半導体製造装置 11 記憶装置 12 制御装置 13 操作パネル 14 表示装置 111 第1テーブル 112 第2テーブル 121 メモリ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カセットに格納された複数枚のウェハそ
    れぞれの処理条件が記述されているレシピを選択し、選
    択したレシピに従って半導体製造装置による各ウェハの
    処理を制御する装置において、複数のレシピと該複数の
    レシピをそれぞれ特定するデータとを対応付けて記憶し
    た第1のテーブル、及び各カセットを特定するデータと
    該各カセットに格納されるべき各ウェハを特定するデー
    タと各ウェハに対応する各レシピを特定するデータとを
    対応付けて記憶した第2のテーブルとを有する記憶手段
    と、処理の開始時にカセットを特定するデータを指定す
    る手段と、指定されたカセットに格納されるべき複数の
    ウェハそれぞれに適用すべきレシピを特定するデータを
    第2のテーブルから読み出し、該レシピを特定するデー
    タに対応するレシピを第1のテーブルから選択して読み
    出す手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置の
    ウェハ処理制御装置。
  2. 【請求項2】 各ウェハを特定する前記データが、その
    複数の溝にカセット内での並び順に従ってそれぞれ収納
    された1カセット分の複数枚のウェハを反応室へ搬入す
    るボートの前記複数の溝にそれぞれ付されたスロット番
    号である請求項1記載の半導体製造装置のウェハ処理制
    御装置。
  3. 【請求項3】 カセットに格納された複数枚のウェハそ
    れぞれの処理条件が記述されているレシピに従って半導
    体製造装置による各ウェハの処理を制御する装置のウェ
    ハのレシピ選択方法において、複数のレシピと該複数の
    レシピをそれぞれ特定するデータとを対応付けて第1の
    テーブルに記憶するとともに、各カセットを特定するデ
    ータと該各カセットに格納されるべき各ウェハを特定す
    るデータと各ウェハに適用すべき各レシピを特定するデ
    ータとを対応付けて第2のテーブルに記憶し、処理の開
    始時にカセットを特定するデータを指定し、指定された
    カセットに格納されるべき複数のウェハそれぞれに応じ
    たレシピを特定するデータを第2のテーブルから読み出
    し、該レシピを特定するデータに対応するレシピを第1
    のテーブルから選択して読み出すことを特徴とするウェ
    ハのレシピ選択方法。
  4. 【請求項4】 各ウェハを特定する前記データが、その
    複数の溝にカセット内での並び順に従ってそれぞれ収納
    された1カセット分の複数枚のウェハを反応室へ搬入す
    るボートの前記複数の溝にそれぞれ付されたスロット番
    号である請求項3記載のウェハのレシピ選択方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008193115A (ja) * 2008-04-18 2008-08-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 固体デバイス製造装置および固体デバイスの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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