JPH08213310A - 半導体露光装置および異物検出方法 - Google Patents
半導体露光装置および異物検出方法Info
- Publication number
- JPH08213310A JPH08213310A JP7213016A JP21301695A JPH08213310A JP H08213310 A JPH08213310 A JP H08213310A JP 7213016 A JP7213016 A JP 7213016A JP 21301695 A JP21301695 A JP 21301695A JP H08213310 A JPH08213310 A JP H08213310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- exposure
- points
- deviation
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステップ・アンド・リピート方式による半導
体露光装置において、ウエハ下面の異物の検出精度を向
上させる。 【解決手段】 レチクル８のパターンの像を投影光学系
１を介し、テーブル７上に吸着させたウエハ９の露光面
にピントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピー
ト方式により露光する半導体露光装置において、ショッ
ト位置に配置されたウエハ露光面の、露光領域内におけ
る複数点でのピント位置からのずれを検出するピントず
れ検出手段３と、この複数点での検出値に基づいて露光
領域内のウエハ露光面についての近似平面を求めるとと
もにこの近似平面と複数点での各検出値との偏差を求
め、この偏差に基づいてテーブルとウエハの裏面との間
における異物の存否を判定する手段とを具備する。
体露光装置において、ウエハ下面の異物の検出精度を向
上させる。 【解決手段】 レチクル８のパターンの像を投影光学系
１を介し、テーブル７上に吸着させたウエハ９の露光面
にピントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピー
ト方式により露光する半導体露光装置において、ショッ
ト位置に配置されたウエハ露光面の、露光領域内におけ
る複数点でのピント位置からのずれを検出するピントず
れ検出手段３と、この複数点での検出値に基づいて露光
領域内のウエハ露光面についての近似平面を求めるとと
もにこの近似平面と複数点での各検出値との偏差を求
め、この偏差に基づいてテーブルとウエハの裏面との間
における異物の存否を判定する手段とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルのパターンの
像をウエハ上にステップ・アンド・リピート方式により
露光する半導体露光装置、およびこの装置においてウエ
ハの裏面の異物によるピントずれを防ぐためにそのよう
な異物を検出する方法に関する。
像をウエハ上にステップ・アンド・リピート方式により
露光する半導体露光装置、およびこの装置においてウエ
ハの裏面の異物によるピントずれを防ぐためにそのよう
な異物を検出する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造用のステップ・アン
ド・リピートタイプの露光装置、いわゆるステッパにお
いては、一般に、各露光毎にピント合せを行ない露光を
行なっているが、工程が進んで行くとウエハの裏面にレ
ジストの残りかす等による異物が付着することがある。
そうすると、ウエハが局部的に反ってしまい、露光領域
全面に対し均一なピント合せができなくなる。そのた
め、露光領域内で解像不良が発生し歩留まりが低下する
という問題が発生する。
ド・リピートタイプの露光装置、いわゆるステッパにお
いては、一般に、各露光毎にピント合せを行ない露光を
行なっているが、工程が進んで行くとウエハの裏面にレ
ジストの残りかす等による異物が付着することがある。
そうすると、ウエハが局部的に反ってしまい、露光領域
全面に対し均一なピント合せができなくなる。そのた
め、露光領域内で解像不良が発生し歩留まりが低下する
という問題が発生する。
【０００３】そこで、ウエハ裏面の異物を検出する必要
があるが、その方法としては、従来例えば、実際の各露
光の際のピント位置とそれぞれの前露光領域でのピント
位置との差を求め、その量の大きさにより異物の有無を
検出する方法がある。そして一般的にピント面は露光領
域の中心部分であるため、そのような異物検出方法にお
いても、ピント位置の情報としては、露光領域の中心付
近のものを使用している。
があるが、その方法としては、従来例えば、実際の各露
光の際のピント位置とそれぞれの前露光領域でのピント
位置との差を求め、その量の大きさにより異物の有無を
検出する方法がある。そして一般的にピント面は露光領
域の中心部分であるため、そのような異物検出方法にお
いても、ピント位置の情報としては、露光領域の中心付
近のものを使用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような異
物検査方法においては、近年の露光領域の拡大に伴い、
露光領域の中心付近のみのピント位置情報だけでは、正
確な検出ができないという問題がある。さらに、ピント
位置が比較される隣接露光領域間ではステージの駆動に
伴い、ステージの傾き成分およびウエハのくさび成分に
よるピント方向の位置ずれ誤差が含まれてしまうため、
異物の検出精度が落ちるという問題もある。
物検査方法においては、近年の露光領域の拡大に伴い、
露光領域の中心付近のみのピント位置情報だけでは、正
確な検出ができないという問題がある。さらに、ピント
位置が比較される隣接露光領域間ではステージの駆動に
伴い、ステージの傾き成分およびウエハのくさび成分に
よるピント方向の位置ずれ誤差が含まれてしまうため、
異物の検出精度が落ちるという問題もある。
【０００５】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、ステップ・アンド・リピート方式による半
導体露光装置において、ウエハ下面の異物の検出精度を
向上させることにある。
題点に鑑み、ステップ・アンド・リピート方式による半
導体露光装置において、ウエハ下面の異物の検出精度を
向上させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の装置は、レチクルのパターンの像を投影光学系
を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピン
トを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式
により露光する半導体露光装置において、ショット位置
に配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数
点でのピント位置からのずれを検出するピントずれ検出
手段と、この複数点での検出値に基づいて露光領域内の
ウエハ露光面についての近似平面を求めるとともにこの
近似平面と複数点での各検出値との偏差を求め、この偏
差に基づいてテーブルとウエハの裏面との間における異
物の存否を判定する手段とを具備することを特徴とす
る。また、レチクルのパターンの像を投影光学系を介
し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピントを
合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式によ
り露光する半導体露光装置において、ショット位置に配
置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点で
のピント位置からのずれを検出するピント検出手段と、
この複数点での検出値に基づいて露光領域内のウエハの
近似平面を求めるとともに、求めた近似平面と前ショッ
トとの近似平面の偏差を求めることにより、この偏差に
基づいてテーブルとウエハの裏面との間における異物の
存否を判定する手段とを具備することを特徴とする。
本発明の装置は、レチクルのパターンの像を投影光学系
を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピン
トを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式
により露光する半導体露光装置において、ショット位置
に配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数
点でのピント位置からのずれを検出するピントずれ検出
手段と、この複数点での検出値に基づいて露光領域内の
ウエハ露光面についての近似平面を求めるとともにこの
近似平面と複数点での各検出値との偏差を求め、この偏
差に基づいてテーブルとウエハの裏面との間における異
物の存否を判定する手段とを具備することを特徴とす
る。また、レチクルのパターンの像を投影光学系を介
し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピントを
合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式によ
り露光する半導体露光装置において、ショット位置に配
置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点で
のピント位置からのずれを検出するピント検出手段と、
この複数点での検出値に基づいて露光領域内のウエハの
近似平面を求めるとともに、求めた近似平面と前ショッ
トとの近似平面の偏差を求めることにより、この偏差に
基づいてテーブルとウエハの裏面との間における異物の
存否を判定する手段とを具備することを特徴とする。
【０００７】また、レチクルのパターンの像を投影光学
系を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピ
ントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方
式により露光する半導体露光装置において、ウエハ露光
面上の少なくとも３点以上におけるピント位置からのず
れを検出するとともにショット位置に配置されたウエハ
露光面の、露光領域内における複数点でのピント位置か
らのずれを検出するピントずれ検出手段と、ウエハ露光
面上の３点以上の検出値に基づいてウエハ露光面全面の
近似平面を求める手段と、露光領域内における複数点で
の検出値に基づいてウエハ露光面の露光領域での近似平
面を求める手段と、全面の近似平面と露光領域での近似
平面との偏差を求め、この偏差に基づいてテーブルとウ
エハの裏面との間における異物の存否を判定する手段と
を具備することを特徴とする。
系を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピ
ントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方
式により露光する半導体露光装置において、ウエハ露光
面上の少なくとも３点以上におけるピント位置からのず
れを検出するとともにショット位置に配置されたウエハ
露光面の、露光領域内における複数点でのピント位置か
らのずれを検出するピントずれ検出手段と、ウエハ露光
面上の３点以上の検出値に基づいてウエハ露光面全面の
近似平面を求める手段と、露光領域内における複数点で
の検出値に基づいてウエハ露光面の露光領域での近似平
面を求める手段と、全面の近似平面と露光領域での近似
平面との偏差を求め、この偏差に基づいてテーブルとウ
エハの裏面との間における異物の存否を判定する手段と
を具備することを特徴とする。
【０００８】また、判定手段は、あるショット位置にお
ける複数の検出点での検出値として十分な数の検出点数
のものが得られない場合は、得られた検出点における検
出値と、その前のショット位置における近似平面との偏
差を求め、この偏差に基づいて異物存否の判定を行うも
のであることを特徴とする。
ける複数の検出点での検出値として十分な数の検出点数
のものが得られない場合は、得られた検出点における検
出値と、その前のショット位置における近似平面との偏
差を求め、この偏差に基づいて異物存否の判定を行うも
のであることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の方法は、レチクルのパター
ンの像を投影光学系を介し、テーブル上に吸着させたウ
エハの露光面にピントを合わせて投影し、ステップ・ア
ンド・リピート方式により露光する半導体露光装置にお
いて、テーブルとウエハの裏面との間における異物の存
否を検出する異物検出方法であって、ショット位置に配
置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点で
のピント位置からのずれを検出する工程と、この複数点
での検出値に基づいて露光領域内のウエハ露光面につい
ての近似平面を求める工程と、この近似平面と複数点で
の各検出値との偏差を求める工程と、この偏差に基づい
てテーブルとウエハの裏面との間における異物の存否を
判定する工程とを具備することを特徴とする。
ンの像を投影光学系を介し、テーブル上に吸着させたウ
エハの露光面にピントを合わせて投影し、ステップ・ア
ンド・リピート方式により露光する半導体露光装置にお
いて、テーブルとウエハの裏面との間における異物の存
否を検出する異物検出方法であって、ショット位置に配
置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点で
のピント位置からのずれを検出する工程と、この複数点
での検出値に基づいて露光領域内のウエハ露光面につい
ての近似平面を求める工程と、この近似平面と複数点で
の各検出値との偏差を求める工程と、この偏差に基づい
てテーブルとウエハの裏面との間における異物の存否を
判定する工程とを具備することを特徴とする。
【００１０】また、レチクルのパターンの像を投影光学
系を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピ
ントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方
式により露光する半導体露光装置において、ショット位
置に配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複
数点でのピント位置からのずれを検出する工程と、この
複数点での検出値に基づいて露光領域内のウエハの近似
平面を求める工程と、求めた近似平面と前ショットとの
近似平面の近似平面の偏差を求める工程と、この偏差に
基づいてテーブルとウエハの裏面との間における異物の
存否を判定する工程とを具備することを特徴とする。
系を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピ
ントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方
式により露光する半導体露光装置において、ショット位
置に配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複
数点でのピント位置からのずれを検出する工程と、この
複数点での検出値に基づいて露光領域内のウエハの近似
平面を求める工程と、求めた近似平面と前ショットとの
近似平面の近似平面の偏差を求める工程と、この偏差に
基づいてテーブルとウエハの裏面との間における異物の
存否を判定する工程とを具備することを特徴とする。
【００１１】また、レチクルのパターンの像を投影光学
系を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピ
ントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方
式により露光する半導体露光装置において、ウエハ露光
面上の少なくとも３点以上におけるピント位置からのず
れを検出する工程と、ショット位置に配置されたウエハ
露光面の、露光領域内における複数点でのピント位置か
らのずれを検出する工程と、ウエハ露光面上の３点以上
の検出値に基づいてウエハ露光面全面の近似平面を求め
る工程と、露光領域内における複数点での検出値に基づ
いてウエハ露光面の露光領域での近似平面を求める工程
と、全面の近似平面と露光領域での近似平面との偏差を
求める工程と、この偏差に基づいてテーブルとウエハの
裏面との間における異物の存否を判定する工程とを具備
することを特徴とする。
系を介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピ
ントを合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方
式により露光する半導体露光装置において、ウエハ露光
面上の少なくとも３点以上におけるピント位置からのず
れを検出する工程と、ショット位置に配置されたウエハ
露光面の、露光領域内における複数点でのピント位置か
らのずれを検出する工程と、ウエハ露光面上の３点以上
の検出値に基づいてウエハ露光面全面の近似平面を求め
る工程と、露光領域内における複数点での検出値に基づ
いてウエハ露光面の露光領域での近似平面を求める工程
と、全面の近似平面と露光領域での近似平面との偏差を
求める工程と、この偏差に基づいてテーブルとウエハの
裏面との間における異物の存否を判定する工程とを具備
することを特徴とする。
【００１２】さらに、あるショット位置における複数の
検出点での検出値として十分な数の検出点数のものが得
られない場合は、得られた検出点における検出値と、そ
の前のショット位置における近似平面との偏差を求め、
この偏差に基づいて異物存否の判定を行うものであるこ
とを特徴とする。
検出点での検出値として十分な数の検出点数のものが得
られない場合は、得られた検出点における検出値と、そ
の前のショット位置における近似平面との偏差を求め、
この偏差に基づいて異物存否の判定を行うものであるこ
とを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、ショット位置に配置されたウ
エハ露光面の、露光領域内における複数点でのピント位
置からのずれを検出し、この複数点での検出値に基づい
て露光領域内のウエハ露光面についての近似平面を求め
るとともにこの近似平面と、前記複数点での各検出値も
しくはウエハ露光面全面の近似平面との偏差を求め、こ
の偏差に基づいてテーブルとウエハの裏面との間におけ
る異物の存否を判定するようにしたため、従来のように
隣接ショット間におけるステージ駆動によるピント方向
の位置ずれ誤差を含まず、精度の高い検出が行われる。
また、各検出点の配置に応じた露光領域全面での異物有
無の判断がなされる。
エハ露光面の、露光領域内における複数点でのピント位
置からのずれを検出し、この複数点での検出値に基づい
て露光領域内のウエハ露光面についての近似平面を求め
るとともにこの近似平面と、前記複数点での各検出値も
しくはウエハ露光面全面の近似平面との偏差を求め、こ
の偏差に基づいてテーブルとウエハの裏面との間におけ
る異物の存否を判定するようにしたため、従来のように
隣接ショット間におけるステージ駆動によるピント方向
の位置ずれ誤差を含まず、精度の高い検出が行われる。
また、各検出点の配置に応じた露光領域全面での異物有
無の判断がなされる。
【００１４】以下、実施例を通じて本発明をより具体的
に説明する。
に説明する。
【００１５】
［実施例１］図１は、本発明の一実施例に係る露光装置
の要部概略を示す図である。
の要部概略を示す図である。
【００１６】同図において、１はレチクル８のパターン
をウエハ９の露光面上に縮小投影する投影光学系、２は
投影光学系１のピント面からのウエハ９露光面のずれに
関する情報の信号を出力する５つのピント位置検出系、
３はピント位置検出系２からの信号に基づきピント面か
らのウエハ９露光面のずれ量を検出するピント位置検出
装置、６はウエハ９をＸＹ方向へ移動させるＸＹステー
ジ、７はＸＹステージ６上に設けられ、ウエハ９の露光
面を投影光学系１のピント面に位置合せするピント位置
合せステージ、５はステージ６および７を駆動するステ
ージ駆動装置、４はピント位置検出装置３の出力などに
基づきステージ駆動装置５などを制御するＣＰＵであ
る。ピント位置検出系２は図２に示されるように投影光
学系１による露光領域１０において５つの検出点１１に
おける検出を行なうように配置されている。ピント位置
検出系２は、例えば、検出点１１へ向けてレーザ光を照
射するレーザ照射手段と、その検出点１１からの反射光
を検出する光電変換手段とを備え、光電変換手段におけ
る反射光の入射位置がピント位置からのずれ量と検出点
１１における正確な反射位置とに対応するものである。
をウエハ９の露光面上に縮小投影する投影光学系、２は
投影光学系１のピント面からのウエハ９露光面のずれに
関する情報の信号を出力する５つのピント位置検出系、
３はピント位置検出系２からの信号に基づきピント面か
らのウエハ９露光面のずれ量を検出するピント位置検出
装置、６はウエハ９をＸＹ方向へ移動させるＸＹステー
ジ、７はＸＹステージ６上に設けられ、ウエハ９の露光
面を投影光学系１のピント面に位置合せするピント位置
合せステージ、５はステージ６および７を駆動するステ
ージ駆動装置、４はピント位置検出装置３の出力などに
基づきステージ駆動装置５などを制御するＣＰＵであ
る。ピント位置検出系２は図２に示されるように投影光
学系１による露光領域１０において５つの検出点１１に
おける検出を行なうように配置されている。ピント位置
検出系２は、例えば、検出点１１へ向けてレーザ光を照
射するレーザ照射手段と、その検出点１１からの反射光
を検出する光電変換手段とを備え、光電変換手段におけ
る反射光の入射位置がピント位置からのずれ量と検出点
１１における正確な反射位置とに対応するものである。
【００１７】次に、装置の動作を図３に示したフローチ
ャートに基づいて説明する。
ャートに基づいて説明する。
【００１８】ＣＰＵ４に不図示の指令手段から開始命令
が入力されると、ＣＰＵ４はステップＳ１において、不
図示のウエハ搬送装置により、ウエハ９をピント位置合
せステージ７上に搬入し載置する。次に、ステップＳ２
において、最初の露光ショット位置へＸＹステージ６を
駆動する。次に、ステップＳ３において、ピント検出系
２により露光領域内における各検出点１１でのピントず
れ量を検出する。次に、ステップＳ４において、５つの
検出点１１のうち少なくとも４点以上についてずれ量が
検出されたか否かを判定し、４点以上検出された場合は
ステップＳ５へ移行し、検出されなかった場合はステッ
プＳ１２へ移行する。ここで、検出されなかった場合と
は、露光領域１０がウエハ９の周辺部に位置していて検
出点１１のあるものがウエハ９面から外れている場合を
いう。この場合は、後述するように前ショットにおける
計測値との比較がなされる。
が入力されると、ＣＰＵ４はステップＳ１において、不
図示のウエハ搬送装置により、ウエハ９をピント位置合
せステージ７上に搬入し載置する。次に、ステップＳ２
において、最初の露光ショット位置へＸＹステージ６を
駆動する。次に、ステップＳ３において、ピント検出系
２により露光領域内における各検出点１１でのピントず
れ量を検出する。次に、ステップＳ４において、５つの
検出点１１のうち少なくとも４点以上についてずれ量が
検出されたか否かを判定し、４点以上検出された場合は
ステップＳ５へ移行し、検出されなかった場合はステッ
プＳ１２へ移行する。ここで、検出されなかった場合と
は、露光領域１０がウエハ９の周辺部に位置していて検
出点１１のあるものがウエハ９面から外れている場合を
いう。この場合は、後述するように前ショットにおける
計測値との比較がなされる。
【００１９】ステップＳ５へ移行した場合、ステップＳ
５においては、各検出点１１での検出結果（Ｚ方向位
置）と、検出点１１の位置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報か
ら、露光領域１０におけるウエハ９の露光面の近似平面
を求める。次に、ステップＳ６において、ステップＳ５
で求めた近似平面に対し、各検出点１１での検出結果を
対比させ、各検出点１１での偏差（近似平面からのずれ
量）を求める。次に、ステップＳ７において、各検出点
１１での偏差と指定された値（トレランス）とを比較
し、トレランスを越えているものがあれば、異物存在の
可能性ありと判断し、ステップＳ１４へ移行してシーケ
ンスを中断する。シーケンスを中断した場合、オペレー
タの指示に従い、シーケンスを続行するか、そのウエハ
の処理自体を中止（強制回収）するかの選択が可能であ
り、シーケンスを続行する旨の指示を受けた場合は、ス
テップＳ８へ移行する。ステップＳ７において、トレラ
ンスを越えていないと判定された場合は直ちに、ステッ
プＳ８へ進み、ピント合せステージ７によりピントを合
わせ、露光を行なう。そして、次のステップＳ９におい
て、全ショットが終了したか否かを判定し、終了してい
ない場合はステップＳ２へ戻って次のショット位置への
ステップ移動を行ない、終了したと判定された場合はス
テップＳ１０へ進む。
５においては、各検出点１１での検出結果（Ｚ方向位
置）と、検出点１１の位置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報か
ら、露光領域１０におけるウエハ９の露光面の近似平面
を求める。次に、ステップＳ６において、ステップＳ５
で求めた近似平面に対し、各検出点１１での検出結果を
対比させ、各検出点１１での偏差（近似平面からのずれ
量）を求める。次に、ステップＳ７において、各検出点
１１での偏差と指定された値（トレランス）とを比較
し、トレランスを越えているものがあれば、異物存在の
可能性ありと判断し、ステップＳ１４へ移行してシーケ
ンスを中断する。シーケンスを中断した場合、オペレー
タの指示に従い、シーケンスを続行するか、そのウエハ
の処理自体を中止（強制回収）するかの選択が可能であ
り、シーケンスを続行する旨の指示を受けた場合は、ス
テップＳ８へ移行する。ステップＳ７において、トレラ
ンスを越えていないと判定された場合は直ちに、ステッ
プＳ８へ進み、ピント合せステージ７によりピントを合
わせ、露光を行なう。そして、次のステップＳ９におい
て、全ショットが終了したか否かを判定し、終了してい
ない場合はステップＳ２へ戻って次のショット位置への
ステップ移動を行ない、終了したと判定された場合はス
テップＳ１０へ進む。
【００２０】一方、ステップＳ４において、検出点１１
のすべてについては、ずれ量の検出が行なわれなかった
と判定されてステップＳ１２へ移行した場合は、ステッ
プＳ１２において、ずれ量の検出が行なわれた検出点１
１について、前ショットにおける前記近似平面との偏差
を求め、そしてステップＳ１３においてこれら偏差が所
定のトレランス内に収まるか否かを判定し、トレランス
内であればステップＳ８へ移行し、トレランスを越えて
いればステップＳ１４へ移行する。
のすべてについては、ずれ量の検出が行なわれなかった
と判定されてステップＳ１２へ移行した場合は、ステッ
プＳ１２において、ずれ量の検出が行なわれた検出点１
１について、前ショットにおける前記近似平面との偏差
を求め、そしてステップＳ１３においてこれら偏差が所
定のトレランス内に収まるか否かを判定し、トレランス
内であればステップＳ８へ移行し、トレランスを越えて
いればステップＳ１４へ移行する。
【００２１】ステップＳ１０では、全ショットが終了し
たウエハまたはステップＳ１４においてオペレータの指
示に基づいて処理を中止したウエハを前記ウエハ搬送装
置により搬出して装置外のウエハカセットに回収し、そ
してステップＳ１１において、１ロットの全ウエハの処
理が終了したか否かを判定する。
たウエハまたはステップＳ１４においてオペレータの指
示に基づいて処理を中止したウエハを前記ウエハ搬送装
置により搬出して装置外のウエハカセットに回収し、そ
してステップＳ１１において、１ロットの全ウエハの処
理が終了したか否かを判定する。
【００２２】全ウエハの処理が終了していなければステ
ップＳ１へ戻って次のウエハを搬入し、全ウエハの処理
が終了していれば装置の動作を終了する。
ップＳ１へ戻って次のウエハを搬入し、全ウエハの処理
が終了していれば装置の動作を終了する。
【００２３】［実施例２］図５は、本発明の第２の実施
例に係る露光装置の動作を示すフローチャートである。
装置構成は、図１のものと同様である。図４は、この動
作において、ウエハ全面での傾き平面（ウエハ９露光面
の全面に関する近似平面）を求めるためのサンプルショ
ットの配置図である。同図において、サンプルショット
として４ショットを配置しているが、少なくとも３ショ
ット以上のショットがあればウエハの傾き平面を求める
ことができる。
例に係る露光装置の動作を示すフローチャートである。
装置構成は、図１のものと同様である。図４は、この動
作において、ウエハ全面での傾き平面（ウエハ９露光面
の全面に関する近似平面）を求めるためのサンプルショ
ットの配置図である。同図において、サンプルショット
として４ショットを配置しているが、少なくとも３ショ
ット以上のショットがあればウエハの傾き平面を求める
ことができる。
【００２４】次に、装置の動作を図５に示したフローチ
ャートに基づいて説明する。
ャートに基づいて説明する。
【００２５】ＣＰＵ４に不図示の指令手段から開始指令
が入力されると、ＣＰＵ４はステップＳ２１において、
不図示のウエハ搬送装置により、ウエハ９をピント位置
合せステージ７上に搬入し載置する。次に、ステップＳ
２２において、ウエハ全面の平面を計測するためのサン
プルショットの位置へＸＹステージ６を駆動する。次
に、ステップＳ２３において、ピント検出系２により、
サンプルショット中心でのピントずれ量を検出する。次
に、ステップＳ２４において、ウエハ平面計測用のすべ
てのショットの計測が終了したか否かを判定し、計測が
終了していなければステップＳ２５へ移行し、さらに計
測を続ける。計測が終了していればステップＳ２６へ移
行する。
が入力されると、ＣＰＵ４はステップＳ２１において、
不図示のウエハ搬送装置により、ウエハ９をピント位置
合せステージ７上に搬入し載置する。次に、ステップＳ
２２において、ウエハ全面の平面を計測するためのサン
プルショットの位置へＸＹステージ６を駆動する。次
に、ステップＳ２３において、ピント検出系２により、
サンプルショット中心でのピントずれ量を検出する。次
に、ステップＳ２４において、ウエハ平面計測用のすべ
てのショットの計測が終了したか否かを判定し、計測が
終了していなければステップＳ２５へ移行し、さらに計
測を続ける。計測が終了していればステップＳ２６へ移
行する。
【００２６】ステップＳ２６では、各サンプルショット
（計測点）での検出結果（Ｚ方向位置）と、計測点の位
置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報から、ウエハ９露光面の近
似平面を求め、ＣＰＵ４に記憶する。次に、ステップＳ
２７において、最初の露光ショット位置へＸＹステージ
６を移動する。次に、ステップＳ２８において、ピント
検出系２より露光領域内における各検出点１１でのピン
トずれ量を検出する。次に、ステップＳ２９において、
５つの検出点１１のうち３点以上について、ずれ量が検
出されたか否かを判定し、３点以上検出されていた場合
には、ステップＳ３０へ移行し、検出されなかった場合
にはステップＳ３７へ移行する。ここで、検出されなか
った場合とは、露光領域１０がウエハ９の周辺部に位置
していて検出点１１のあるものが３つ以上ウエハ９面か
ら外れて、露光領域内の平面が求められない場合をい
う。この場合は、後述するように前ショットにおける計
測値との比較がなされる。
（計測点）での検出結果（Ｚ方向位置）と、計測点の位
置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報から、ウエハ９露光面の近
似平面を求め、ＣＰＵ４に記憶する。次に、ステップＳ
２７において、最初の露光ショット位置へＸＹステージ
６を移動する。次に、ステップＳ２８において、ピント
検出系２より露光領域内における各検出点１１でのピン
トずれ量を検出する。次に、ステップＳ２９において、
５つの検出点１１のうち３点以上について、ずれ量が検
出されたか否かを判定し、３点以上検出されていた場合
には、ステップＳ３０へ移行し、検出されなかった場合
にはステップＳ３７へ移行する。ここで、検出されなか
った場合とは、露光領域１０がウエハ９の周辺部に位置
していて検出点１１のあるものが３つ以上ウエハ９面か
ら外れて、露光領域内の平面が求められない場合をい
う。この場合は、後述するように前ショットにおける計
測値との比較がなされる。
【００２７】ステップＳ３０では、ステップＳ２８にお
ける、各検出点１１での検出結果（Ｚ方向位置）と、検
出点１１の位置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報から、露光領
域１０におけるウエハ９の露光面の近似平面を求める。
次に、ステップＳ３１において、ステップＳ２６で求め
たウエハ９全面での近似平面に対し、今回求めた露光面
での近似平面を対比させ、両平面の偏差（傾きの差）を
求める。次に、ステップＳ３２において、この偏差と指
定された値（トレランス）とを比較し、トレランスを越
えていれば、異物存在の可能性ありと判断し、ステップ
Ｓ３９へ移行してシーケンスを中断する。シーケンスを
中断した場合、オペレータの指示に従い、シーケンスを
続行するか、そのウエハの処理自体を中止（強制回収）
するかの選択が可能であり、シーケンスを続行する旨の
指示を受けた場合は、ステップＳ３３へ移行する。ステ
ップＳ３２において、トレランスを越えていないと判定
された場合は直ちにステップＳ３３へ進む。ステップＳ
３３では、ピント合せステージ７によりピントを合わ
せ、露光を行なう。そして、次のステップＳ３４におい
て、全ショットが終了したか否かを判定し、終了してい
ない場合はステップＳ２７へ戻り、次のショット位置へ
のステップ移動を行ない、終了したと判定された場合に
はステップＳ３５へ進む。
ける、各検出点１１での検出結果（Ｚ方向位置）と、検
出点１１の位置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報から、露光領
域１０におけるウエハ９の露光面の近似平面を求める。
次に、ステップＳ３１において、ステップＳ２６で求め
たウエハ９全面での近似平面に対し、今回求めた露光面
での近似平面を対比させ、両平面の偏差（傾きの差）を
求める。次に、ステップＳ３２において、この偏差と指
定された値（トレランス）とを比較し、トレランスを越
えていれば、異物存在の可能性ありと判断し、ステップ
Ｓ３９へ移行してシーケンスを中断する。シーケンスを
中断した場合、オペレータの指示に従い、シーケンスを
続行するか、そのウエハの処理自体を中止（強制回収）
するかの選択が可能であり、シーケンスを続行する旨の
指示を受けた場合は、ステップＳ３３へ移行する。ステ
ップＳ３２において、トレランスを越えていないと判定
された場合は直ちにステップＳ３３へ進む。ステップＳ
３３では、ピント合せステージ７によりピントを合わ
せ、露光を行なう。そして、次のステップＳ３４におい
て、全ショットが終了したか否かを判定し、終了してい
ない場合はステップＳ２７へ戻り、次のショット位置へ
のステップ移動を行ない、終了したと判定された場合に
はステップＳ３５へ進む。
【００２８】一方、ステップＳ２９において、検出点１
１のうち３点以上ずれ量の検出が行なわれなかったと判
定されてステップＳ３７へ移行した場合は、ステップＳ
３７において、ずれ量の検出が行なわれた検出点につい
て、前ショットにおける同一検出点でのずれ量との偏差
を求め、そしてステップＳ３８において、これらの偏差
が所定のトレランス内に収まっているか否かを判定し、
トレランス内であればステップＳ３３へ移行し、トレラ
ンスを越えていればステップＳ３９へ移行する。
１のうち３点以上ずれ量の検出が行なわれなかったと判
定されてステップＳ３７へ移行した場合は、ステップＳ
３７において、ずれ量の検出が行なわれた検出点につい
て、前ショットにおける同一検出点でのずれ量との偏差
を求め、そしてステップＳ３８において、これらの偏差
が所定のトレランス内に収まっているか否かを判定し、
トレランス内であればステップＳ３３へ移行し、トレラ
ンスを越えていればステップＳ３９へ移行する。
【００２９】ステップＳ３５では、全ショットが終了し
たウエハ９またはステップＳ３９においてオペレータの
指示に基づいて処理を中止したウエハ９を前記ウエハ搬
送装置により搬出して装置外のウエハカセットに回収
し、そしてステップＳ３６において、１ロットの全ウエ
ハの処理が終了したか否かを判定する。
たウエハ９またはステップＳ３９においてオペレータの
指示に基づいて処理を中止したウエハ９を前記ウエハ搬
送装置により搬出して装置外のウエハカセットに回収
し、そしてステップＳ３６において、１ロットの全ウエ
ハの処理が終了したか否かを判定する。
【００３０】全ウエハの処理が完了していなければステ
ップＳ２１へ戻り、次のウエハを搬入し、全ウエハの処
理が終了していれば装置の動作を終了する。
ップＳ２１へ戻り、次のウエハを搬入し、全ウエハの処
理が終了していれば装置の動作を終了する。
【００３１】［実施例３］図６は、本発明の第３の実施
例に係る露光装置の動作を示すフローチャートである。
装置構成は、図１のものと同様である。
例に係る露光装置の動作を示すフローチャートである。
装置構成は、図１のものと同様である。
【００３２】次に、装置の動作を図６に示したフローチ
ャートに基づいて説明する。
ャートに基づいて説明する。
【００３３】ＣＰＵ４に不図示の指令手段から開始命令
が入力されると、ＣＰＵ４はステップＳ４１において、
不図示のウエハ搬送装置により、ウエハ９をピント位置
合せステージ７上に搬入し載置する。次に、ステップＳ
４２において、最初の露光ショット位置へＸＹステージ
６を駆動する。次に、ステップＳ４３において、ピント
検出系２により露光領域内における各検出点１１でのピ
ントずれ量を検出する。次に、ステップＳ４４におい
て、５つの検出点１１のうち少なくとも３点以上につい
てずれ量が検出されたか否かを判定し、３点以上検出さ
れた場合はＳ４５へ移行し、検出されなかった場合はス
テップＳ５２へ移行する。ここで、検出されなかった場
合とは、露光領域１０がウエハ９の周辺部に位置してい
て検出点１１のあるものがウエハ９面上から外れている
場合を言う。この場合は、後述するように前ショットに
おける計測値との比較がなされる。
が入力されると、ＣＰＵ４はステップＳ４１において、
不図示のウエハ搬送装置により、ウエハ９をピント位置
合せステージ７上に搬入し載置する。次に、ステップＳ
４２において、最初の露光ショット位置へＸＹステージ
６を駆動する。次に、ステップＳ４３において、ピント
検出系２により露光領域内における各検出点１１でのピ
ントずれ量を検出する。次に、ステップＳ４４におい
て、５つの検出点１１のうち少なくとも３点以上につい
てずれ量が検出されたか否かを判定し、３点以上検出さ
れた場合はＳ４５へ移行し、検出されなかった場合はス
テップＳ５２へ移行する。ここで、検出されなかった場
合とは、露光領域１０がウエハ９の周辺部に位置してい
て検出点１１のあるものがウエハ９面上から外れている
場合を言う。この場合は、後述するように前ショットに
おける計測値との比較がなされる。
【００３４】ステップＳ４５では、ステップＳ４３にお
ける、各検出点１１での検出結果（Ｚ方向位置）と、検
出点１１の位置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報から、露光領
域１０におけるウエハ９の露光面での近似平面を求め
る。次に、ステップＳ４６において、前の露光位置での
近似平面との変差量を求める。次に、ステップＳ４７に
おいて、ステップＳ４６で求めた偏差と指定された値
（トレランス）とを比較し、トレランスを越えているも
のがあれば、異物存在の可能性ありと判断し、ステップ
Ｓ５４へ移行してシーケンスを中断する。シーケンスを
中断した場合、オペレータの指示に従い、シーケンスを
続行するかそのウエハの処理自体を中止（強制回収）す
るかの選択が可能であり、シーケンスを続行する旨の指
示を受けた場合は、ステップＳ４８へ移行する。ステッ
プＳ４７において、トレランスを越えていないと判断さ
れた場合は直ちに、ステップＳ４８へ進み、ピント合せ
ステージ７によりピントを合わせ、露光を行なう。そし
て、次のステップＳ４９において、全ショットが終了し
たか否かを判定し、終了していない場合はステップＳ４
２に戻って次のショット位置へのステップ移動を行な
い、終了と判定された場合はステップＳ５０へ進む。
ける、各検出点１１での検出結果（Ｚ方向位置）と、検
出点１１の位置（Ｘ，Ｙ方向位置）の情報から、露光領
域１０におけるウエハ９の露光面での近似平面を求め
る。次に、ステップＳ４６において、前の露光位置での
近似平面との変差量を求める。次に、ステップＳ４７に
おいて、ステップＳ４６で求めた偏差と指定された値
（トレランス）とを比較し、トレランスを越えているも
のがあれば、異物存在の可能性ありと判断し、ステップ
Ｓ５４へ移行してシーケンスを中断する。シーケンスを
中断した場合、オペレータの指示に従い、シーケンスを
続行するかそのウエハの処理自体を中止（強制回収）す
るかの選択が可能であり、シーケンスを続行する旨の指
示を受けた場合は、ステップＳ４８へ移行する。ステッ
プＳ４７において、トレランスを越えていないと判断さ
れた場合は直ちに、ステップＳ４８へ進み、ピント合せ
ステージ７によりピントを合わせ、露光を行なう。そし
て、次のステップＳ４９において、全ショットが終了し
たか否かを判定し、終了していない場合はステップＳ４
２に戻って次のショット位置へのステップ移動を行な
い、終了と判定された場合はステップＳ５０へ進む。
【００３５】一方、ステップＳ４４において、検出点１
１の全てにおいて、ずれ量の検出が行なわれなかったと
判定されてステップＳ５２へ移行した場合は、ステップ
Ｓ５２において、ずれ量の検出が行なわれた検出点１１
の各計測値について、前ショットにおける同一検出点で
の計測値との偏差を求め、ステップＳ５３においてこれ
らの偏差が所定のトレランス内に収まるか否かを判定
し、トレランス内であればステップＳ４８へ移行し、ト
レランスを越えていればステップＳ５４へ移行する。
１の全てにおいて、ずれ量の検出が行なわれなかったと
判定されてステップＳ５２へ移行した場合は、ステップ
Ｓ５２において、ずれ量の検出が行なわれた検出点１１
の各計測値について、前ショットにおける同一検出点で
の計測値との偏差を求め、ステップＳ５３においてこれ
らの偏差が所定のトレランス内に収まるか否かを判定
し、トレランス内であればステップＳ４８へ移行し、ト
レランスを越えていればステップＳ５４へ移行する。
【００３６】ステップＳ５０では、全ショットが終了し
たウエハ９またはステップＳ５４においてオペレータの
指示に基づいて処理を中止したウエハ９を前記ウエハ搬
送装置により搬出して装置外のウエハカセットに回収
し、そしてステップＳ５１において、１ロットの全ウエ
ハが終了したか否かを判定する。
たウエハ９またはステップＳ５４においてオペレータの
指示に基づいて処理を中止したウエハ９を前記ウエハ搬
送装置により搬出して装置外のウエハカセットに回収
し、そしてステップＳ５１において、１ロットの全ウエ
ハが終了したか否かを判定する。
【００３７】全ウエハの処理が終了していなければステ
ップＳ４１へ戻り、次のウエハを搬入し、全ウエハの処
理が終了していれば装置の動作を終了する。
ップＳ４１へ戻り、次のウエハを搬入し、全ウエハの処
理が終了していれば装置の動作を終了する。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、ショット位置に配置さ
れたウエハ露光面の、露光領域内における複数点でのピ
ント位置からのずれを検出し、この複数点での検出値に
基づいて露光領域内のウエハ露光面についての近似平面
を求めるとともにこの近似平面と前記複数点での各検出
値、または前露光領域もしくはウエハ露光面全面の近似
平面との偏差を求め、この偏差に基づいてテーブルとウ
エハの裏面との間における異物の存否を判定するように
したため、従来のように隣接ショット間におけるステー
ジ駆動によるピント方向の位置ずれ誤差を含まない高精
度な異物検出を行なうことができる。
れたウエハ露光面の、露光領域内における複数点でのピ
ント位置からのずれを検出し、この複数点での検出値に
基づいて露光領域内のウエハ露光面についての近似平面
を求めるとともにこの近似平面と前記複数点での各検出
値、または前露光領域もしくはウエハ露光面全面の近似
平面との偏差を求め、この偏差に基づいてテーブルとウ
エハの裏面との間における異物の存否を判定するように
したため、従来のように隣接ショット間におけるステー
ジ駆動によるピント方向の位置ずれ誤差を含まない高精
度な異物検出を行なうことができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る露光装置の要部概略
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 図１の装置における露光領域内のピント位置
検出点の配置を示す図である。
検出点の配置を示す図である。
【図３】 図１の装置における第１の実施例の動作を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図４】 図１の装置でウエハ平面を求めるために使用
する計測ショットの配置例を示す図である。
する計測ショットの配置例を示す図である。
【図５】 図１の装置における第２の実施例の動作を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図６】 図１の装置における第３の実施例の動作を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
１：投影光学系、２：ピント位置検出系、３：ピント位
置検出装置、４：ＣＰＵ、５：ステージ駆動装置、６：
ＸＹステージ、７：ピント位置合せステージ、１０：露
光領域、１１：検出点。
置検出装置、４：ＣＰＵ、５：ステージ駆動装置、６：
ＸＹステージ、７：ピント位置合せステージ、１０：露
光領域、１１：検出点。
Claims (8)
- 【請求項１】 レチクルのパターンの像を投影光学系を
介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピント
を合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式に
より露光する半導体露光装置において、ショット位置に
配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点
でのピント位置からのずれを検出するピントずれ検出手
段と、この複数点での検出値に基づいて前記露光領域内
のウエハ露光面についての近似平面を求めるとともにこ
の近似平面と前記複数点での各検出値との偏差を求め、
この偏差に基づいて前記テーブルとウエハの裏面との間
における異物の存否を判定する手段とを具備することを
特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項２】 レチクルのパターンの像を投影光学系を
介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピント
を合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式に
より露光する半導体露光装置において、ショット位置に
配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点
でのピント位置からのずれを検出するピント検出手段
と、この複数点での検出値に基づいて前記露光領域内の
ウエハの近似平面を求めるとともに、求めた近似平面と
前ショットとの近似平面の偏差を求めることにより、こ
の偏差に基づいて前記テーブルとウエハの裏面との間に
おける異物の存否を判定する手段とを具備することを特
徴とする半導体露光装置。 - 【請求項３】 レチクルのパターンの像を投影光学系を
介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピント
を合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式に
より露光する半導体露光装置において、前記ウエハ露光
面上の少なくとも３点以上におけるピント位置からのず
れを検出するとともにショット位置に配置された前記ウ
エハ露光面の、露光領域内における複数点でのピント位
置からのずれを検出するピントずれ検出手段と、前記ウ
エハ露光面上の３点以上の検出値に基づいて前記ウエハ
露光面全面の近似平面を求める手段と、前記露光領域内
における複数点での検出値に基づいて前記ウエハ露光面
の前記露光領域での近似平面を求める手段と、前記全面
の近似平面と前記露光領域での近似平面との偏差を求
め、この偏差に基づいて前記テーブルとウエハの裏面と
の間における異物の存否を判定する手段とを具備するこ
とを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項４】 前記判定手段は、あるショット位置にお
ける前記複数の検出点での検出値として十分な数の検出
点数のものが得られない場合は、得られた検出点におけ
る検出値と、その前のショット位置における前記近似平
面との偏差を求め、この偏差に基づいて前記異物存否の
判定を行うものであることを特徴とする請求項１〜３記
載の半導体露光装置。 - 【請求項５】 レチクルのパターンの像を投影光学系を
介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピント
を合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式に
より露光する半導体露光装置において、前記テーブルと
ウエハの裏面との間における異物の存否を検出する異物
検出方法であって、ショット位置に配置されたウエハ露
光面の、露光領域内における複数点でのピント位置から
のずれを検出する工程と、この複数点での検出値に基づ
いて前記露光領域内のウエハ露光面についての近似平面
を求める工程と、この近似平面と前記複数点での各検出
値との偏差を求める工程と、この偏差に基づいて前記テ
ーブルとウエハの裏面との間における異物の存否を判定
する工程とを具備することを特徴とする異物検出方法。 - 【請求項６】 レチクルのパターンの像を投影光学系を
介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピント
を合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式に
より露光する半導体露光装置において、ショット位置に
配置されたウエハ露光面の、露光領域内における複数点
でのピント位置からのずれを検出する工程と、この複数
点での検出値に基づいて前記露光領域内のウエハの近似
平面を求める工程と、求めた近似平面と前ショットとの
近似平面の近似平面の偏差を求める工程と、この偏差に
基づいて前記テーブルとウエハの裏面との間における異
物の存否を判定する工程とを具備することを特徴とする
異物検出方法。 - 【請求項７】 レチクルのパターンの像を投影光学系を
介し、テーブル上に吸着させたウエハの露光面にピント
を合わせて投影し、ステップ・アンド・リピート方式に
より露光する半導体露光装置において、前記ウエハ露光
面上の少なくとも３点以上におけるピント位置からのず
れを検出する工程と、ショット位置に配置された前記ウ
エハ露光面の、露光領域内における複数点でのピント位
置からのずれを検出する工程と、前記ウエハ露光面上の
３点以上の検出値に基づいて前記ウエハ露光面全面の近
似平面を求める工程と、前記露光領域内における複数点
での検出値に基づいて前記ウエハ露光面の前記露光領域
での近似平面を求める工程と、前記全面の近似平面と前
記露光領域での近似平面との偏差を求める工程と、この
偏差に基づいて前記テーブルとウエハの裏面との間にお
ける異物の存否を判定する工程とを具備することを特徴
とする異物検出方法。 - 【請求項８】 あるショット位置における前記複数の検
出点での検出値として十分な数の検出点数のものが得ら
れない場合は、得られた検出点における検出値と、その
前のショット位置における前記近似平面との偏差を求
め、この偏差に基づいて前記異物存否の判定を行うもの
であることを特徴とする請求項５〜７記載の異物検出方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21301695A JP3195200B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-07-31 | 半導体露光装置および異物検出方法 |
| US08/564,564 US5710624A (en) | 1994-12-09 | 1995-11-29 | Aligner and contamination detecting method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-330953 | 1994-12-09 | ||
| JP33095394 | 1994-12-09 | ||
| JP21301695A JP3195200B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-07-31 | 半導体露光装置および異物検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213310A true JPH08213310A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3195200B2 JP3195200B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=26519575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21301695A Expired - Fee Related JP3195200B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-07-31 | 半導体露光装置および異物検出方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5710624A (ja) |
| JP (1) | JP3195200B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0898300A3 (en) * | 1997-08-18 | 2001-08-22 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
| JP2008140814A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
| JP2009088563A (ja) * | 2004-07-07 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3409272B2 (ja) * | 1997-02-04 | 2003-05-26 | 宮崎沖電気株式会社 | 露光マスクの異物検査方法 |
| US6373954B1 (en) | 1997-10-14 | 2002-04-16 | Cirrus Logic, Inc. | Single-chip audio circuitry, method, and systems using the same |
| US6023328A (en) * | 1998-02-23 | 2000-02-08 | Micron Technology, Inc. | Photomask inspection method and apparatus |
| US7436485B2 (en) * | 2005-04-06 | 2008-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, patterning assembly and contamination estimation method |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766345A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Hitachi Ltd | Inspection device for defect |
| EP0148477B1 (en) * | 1983-12-26 | 1991-09-04 | Hitachi, Ltd. | Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece |
| JPS63118A (ja) * | 1986-01-31 | 1988-01-05 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
| JPH0789534B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| US4780616A (en) * | 1986-09-25 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K. K. | Projection optical apparatus for mask to substrate alignment |
| NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
| JP3265504B2 (ja) * | 1993-10-12 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びに半導体素子の製造方法 |
| US5469263A (en) * | 1994-07-01 | 1995-11-21 | Motorola, Inc. | Method for alignment in photolithographic processes |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP21301695A patent/JP3195200B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-29 US US08/564,564 patent/US5710624A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0898300A3 (en) * | 1997-08-18 | 2001-08-22 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
| JP2009088563A (ja) * | 2004-07-07 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US9104117B2 (en) | 2004-07-07 | 2015-08-11 | Bob Streefkerk | Lithographic apparatus having a liquid detection system |
| US10338478B2 (en) | 2004-07-07 | 2019-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10739684B2 (en) | 2004-07-07 | 2020-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008140814A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5710624A (en) | 1998-01-20 |
| JP3195200B2 (ja) | 2001-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5365051A (en) | Projection exposure apparatus | |
| JP2661015B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US4849901A (en) | Substrate exposure apparatus with flatness detection and alarm | |
| JP3572430B2 (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| JP4323608B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3211491B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置 | |
| JPH09115817A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| KR0171453B1 (ko) | 노광장치 및 노광방법 | |
| JP3195200B2 (ja) | 半導体露光装置および異物検出方法 | |
| JP4125177B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2001168024A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH051610B2 (ja) | ||
| JP4598902B2 (ja) | 走査露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2003100599A (ja) | 露光装置の調整方法及び露光システム | |
| JP3647120B2 (ja) | 走査露光装置および方法、ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH07201713A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2001118769A (ja) | 露光装置、サンプルショットの選択方法およびデバイス製造方法 | |
| JPH09293660A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3647121B2 (ja) | 走査露光装置および方法、ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH01194322A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JP2000114141A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置 | |
| JP4746081B2 (ja) | 走査露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2663939B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH1019512A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH03297126A (ja) | 縮小投影露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |