JPH08213400A - はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体 - Google Patents
はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体Info
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- JPH08213400A JPH08213400A JP7020652A JP2065295A JPH08213400A JP H08213400 A JPH08213400 A JP H08213400A JP 7020652 A JP7020652 A JP 7020652A JP 2065295 A JP2065295 A JP 2065295A JP H08213400 A JPH08213400 A JP H08213400A
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- solder bump
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- electronic component
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子部品を回路基板に実装する際に、はんだバ
ンプや電子部品に過大な応力がかかることを防止するこ
とができるはんだバンプを提供すること。 【構成】電極１２が設けられた基板１１の電極１２上に
配置され、その内部に弾性を有するボール８１を備えて
いる。
ンプや電子部品に過大な応力がかかることを防止するこ
とができるはんだバンプを提供すること。 【構成】電極１２が設けられた基板１１の電極１２上に
配置され、その内部に弾性を有するボール８１を備えて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品または回路基
板上に形成し、電子部品を回路基板に実装するためのは
んだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体に関
し、特にはんだバンプ内に核体を有するものに関する。
板上に形成し、電子部品を回路基板に実装するためのは
んだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体に関
し、特にはんだバンプ内に核体を有するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から電子部品や回路基板の電極上に
はんだバンプを形成し、このはんだバンプを対応する電
極に位置合わせして実装する方法が用いられている。こ
のようなはんだバンプのうち内部に核体としてのボール
を有するはんだバンプは図４の（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うにして形成されている。なお、図４の（ａ）〜（ｃ）
中１０は電子部品、１１は半導体素子（不図示）が設け
られた半導体基板、１２は半導体基板１１上に設けられ
半導体素子に接続されたアルミ電極パッド、１３は半導
体基板１１を保護するガラス層を示している。また、ア
ルミ電極パッド１２上には電極２０が形成されており、
この電極２０は、アルミ電極パッド１２上に蒸着された
クロム層２１、銅層２２、金層２３を備えている。
はんだバンプを形成し、このはんだバンプを対応する電
極に位置合わせして実装する方法が用いられている。こ
のようなはんだバンプのうち内部に核体としてのボール
を有するはんだバンプは図４の（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うにして形成されている。なお、図４の（ａ）〜（ｃ）
中１０は電子部品、１１は半導体素子（不図示）が設け
られた半導体基板、１２は半導体基板１１上に設けられ
半導体素子に接続されたアルミ電極パッド、１３は半導
体基板１１を保護するガラス層を示している。また、ア
ルミ電極パッド１２上には電極２０が形成されており、
この電極２０は、アルミ電極パッド１２上に蒸着された
クロム層２１、銅層２２、金層２３を備えている。
【０００３】最初に図４の（ａ）に示すように電極２０
の上に鉛３０、錫３１をそれぞれ所定の厚さで蒸着ある
いはメッキする。次に図４の（ｂ）に示すように、核体
となる銅ボール３２を治具（不図示）を使用して載置す
る。銅ボール３２は表面に金メッキ３３が施され、さら
にはんだ３４が付着している。最後に、半導体基板１１
を窒素炉（不図示）で加熱して鉛３０及び錫３１及び金
層２３を溶融してはんだＳとし、図４の（ｃ）に示すは
んだバンプ４０を形成するようにしていた。
の上に鉛３０、錫３１をそれぞれ所定の厚さで蒸着ある
いはメッキする。次に図４の（ｂ）に示すように、核体
となる銅ボール３２を治具（不図示）を使用して載置す
る。銅ボール３２は表面に金メッキ３３が施され、さら
にはんだ３４が付着している。最後に、半導体基板１１
を窒素炉（不図示）で加熱して鉛３０及び錫３１及び金
層２３を溶融してはんだＳとし、図４の（ｃ）に示すは
んだバンプ４０を形成するようにしていた。
【０００４】一方、このようにしてはんだバンプ４０が
形成された電子部品１０は図５に示すようにして回路基
板５０に実装される。すなわち、ボンディングツール６
０により、電子部品１０をフェースダウンの状態で背面
を吸着する。なお、ボンディングツール６０には吸引力
を伝達する吸引路６１及びヒータ（不図示）が内蔵され
ている。次に予備はんだが施された回路基板５０の電極
５１に電子部品１０のはんだバンプ４０を位置合わせ
し、ボンディングツール６０によって電子部品１０を図
５中矢印Ｐ方向に加圧するとともに、ヒータで加熱して
はんだバンプ４０のはんあＳ及び予備はんだを溶融し
て、接合するようにしていた。
形成された電子部品１０は図５に示すようにして回路基
板５０に実装される。すなわち、ボンディングツール６
０により、電子部品１０をフェースダウンの状態で背面
を吸着する。なお、ボンディングツール６０には吸引力
を伝達する吸引路６１及びヒータ（不図示）が内蔵され
ている。次に予備はんだが施された回路基板５０の電極
５１に電子部品１０のはんだバンプ４０を位置合わせ
し、ボンディングツール６０によって電子部品１０を図
５中矢印Ｐ方向に加圧するとともに、ヒータで加熱して
はんだバンプ４０のはんあＳ及び予備はんだを溶融し
て、接合するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のは
んだバンプを備えた電子部品１０を回路基板５０に実装
する場合には、次のような問題があった。すなわち、ボ
ンディングツール６０に吸着された電子部品１０と回路
基板５０との平行度が一致していないと、ボンディング
ツール６０によって電子部品１０を加圧する際にはんだ
バンプ４０にかかる力が不均一になる。このため、はん
だバンプ４０や電子部品１０に大きな応力が加わり、図
６に示すようにガラス層１３にクラックＣが発生する虞
があった。
んだバンプを備えた電子部品１０を回路基板５０に実装
する場合には、次のような問題があった。すなわち、ボ
ンディングツール６０に吸着された電子部品１０と回路
基板５０との平行度が一致していないと、ボンディング
ツール６０によって電子部品１０を加圧する際にはんだ
バンプ４０にかかる力が不均一になる。このため、はん
だバンプ４０や電子部品１０に大きな応力が加わり、図
６に示すようにガラス層１３にクラックＣが発生する虞
があった。
【０００６】一方、はんだバンプ４０や予備はんだを加
熱溶融する際に、電子部品１０と回路基板５０の熱膨張
率の差によって応力が発生し、電子部品１０や回路基板
５０にクラックが発生する虞もあった。
熱溶融する際に、電子部品１０と回路基板５０の熱膨張
率の差によって応力が発生し、電子部品１０や回路基板
５０にクラックが発生する虞もあった。
【０００７】そこで本発明は、電子部品を回路基板に実
装する際に、はんだバンプや電子部品に過大な応力がか
かることを防止することができるはんだバンプ、その形
成方法及びはんだバンプ形成体を提供することを目的と
している。
装する際に、はんだバンプや電子部品に過大な応力がか
かることを防止することができるはんだバンプ、その形
成方法及びはんだバンプ形成体を提供することを目的と
している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載された発明は、電極が
設けられた基板の上記電極上に配置され、その内部に弾
性を有する核体を備えるようにした。
達成するために、請求項１に記載された発明は、電極が
設けられた基板の上記電極上に配置され、その内部に弾
性を有する核体を備えるようにした。
【０００９】請求項２に記載された発明は、電極が設け
られた基板の上記電極にはんだバンプを形成するはんだ
バンプ形成方法において、上記電極に弾性を有する核体
を供給する核体供給工程と、上記電極にはんだを供給す
るはんだ供給工程と、上記はんだを加熱溶融すること
で、上記核体を上記電極上にはんだ付けしてはんだバン
プを形成する形成工程とを具備するようにした。
られた基板の上記電極にはんだバンプを形成するはんだ
バンプ形成方法において、上記電極に弾性を有する核体
を供給する核体供給工程と、上記電極にはんだを供給す
るはんだ供給工程と、上記はんだを加熱溶融すること
で、上記核体を上記電極上にはんだ付けしてはんだバン
プを形成する形成工程とを具備するようにした。
【００１０】請求項３に記載された発明によれば、請求
項２に記載された発明において、上記はんだを供給する
はんだ供給工程は、上記核体を供給する核体供給工程前
に上記核体にはんだを付着するものであることが好まし
い。
項２に記載された発明において、上記はんだを供給する
はんだ供給工程は、上記核体を供給する核体供給工程前
に上記核体にはんだを付着するものであることが好まし
い。
【００１１】請求項４に記載された発明は、電極が設け
られた基板の上記電極に供給することで上記電極上には
んだバンプを形成するためのはんだバンプ形成体におい
て、弾性を有する核体と、この核体に付着したはんだと
を備えるようにした。請求項５に記載された発明によれ
ば、請求項４に記載された発明において、上記核体表面
はニッケルによって被覆されていることが好ましい。
られた基板の上記電極に供給することで上記電極上には
んだバンプを形成するためのはんだバンプ形成体におい
て、弾性を有する核体と、この核体に付着したはんだと
を備えるようにした。請求項５に記載された発明によれ
ば、請求項４に記載された発明において、上記核体表面
はニッケルによって被覆されていることが好ましい。
【００１２】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。請求項１に記載された発明によれば、基板の電極上
に配置されたはんだバンプの内部には弾性を有する核体
が設けられているので、電子部品を回路基板に加圧する
際や加熱時に生じる過大な応力を核体で吸収することが
できる。このため、電子部品や回路基板、はんだバンプ
におけるクラックの発生を未然に防止できる。
る。請求項１に記載された発明によれば、基板の電極上
に配置されたはんだバンプの内部には弾性を有する核体
が設けられているので、電子部品を回路基板に加圧する
際や加熱時に生じる過大な応力を核体で吸収することが
できる。このため、電子部品や回路基板、はんだバンプ
におけるクラックの発生を未然に防止できる。
【００１３】請求項２に記載された発明によれば、基板
の電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法
において、電極に弾性を有する核体を供給し、この核体
を電極に供給されたはんだを加熱溶融して電極にはんだ
付けしてはんだバンプを形成するようにしているので、
電子部品を回路基板に加圧する際や加熱時に生じる過大
な応力を核体で吸収することができる。このため、電子
部品や回路基板、はんだバンプにおけるクラックの発生
を未然に防止できる。
の電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法
において、電極に弾性を有する核体を供給し、この核体
を電極に供給されたはんだを加熱溶融して電極にはんだ
付けしてはんだバンプを形成するようにしているので、
電子部品を回路基板に加圧する際や加熱時に生じる過大
な応力を核体で吸収することができる。このため、電子
部品や回路基板、はんだバンプにおけるクラックの発生
を未然に防止できる。
【００１４】請求項３に記載された発明によれば、請求
項２に記載された発明において、はんだを予め核体に付
着させることで、加熱溶融してはんだバンプを形成した
際に核体をはんだで十分に覆うことができる。このた
め、十分に接合面積を確保することができる。
項２に記載された発明において、はんだを予め核体に付
着させることで、加熱溶融してはんだバンプを形成した
際に核体をはんだで十分に覆うことができる。このた
め、十分に接合面積を確保することができる。
【００１５】請求項４に記載された発明によれば、電極
が設けられた基板の上記電極に供給することで上記電極
上にはんだバンプを形成するためのはんだバンプ形成体
において、弾性を有する核体にはんだを付着するように
したので、形成されたはんだバンプは電子部品を加圧す
る際に生じる応力を核体で吸収することができるととも
に、はんだを供給する工程を減らすことができる。
が設けられた基板の上記電極に供給することで上記電極
上にはんだバンプを形成するためのはんだバンプ形成体
において、弾性を有する核体にはんだを付着するように
したので、形成されたはんだバンプは電子部品を加圧す
る際に生じる応力を核体で吸収することができるととも
に、はんだを供給する工程を減らすことができる。
【００１６】請求項５に記載された発明によれば、核体
表面をニッケルによって被覆することにより、溶融した
はんだの核体への濡れ性が向上する。このため、十分に
接合面積を確保することができる。
表面をニッケルによって被覆することにより、溶融した
はんだの核体への濡れ性が向上する。このため、十分に
接合面積を確保することができる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係るはんだバンプ
の構造を示す断面図、図２はこのはんだバンプを形成す
る工程を示す断面図、図３ははんだバンプが形成された
電子部品としての電子部品１０を回路基板５０に実装し
た状態を示す側面図である。なお、これらの図におい
て、図４〜図６と同一機能部分には同一符号が付されて
いる。
の構造を示す断面図、図２はこのはんだバンプを形成す
る工程を示す断面図、図３ははんだバンプが形成された
電子部品としての電子部品１０を回路基板５０に実装し
た状態を示す側面図である。なお、これらの図におい
て、図４〜図６と同一機能部分には同一符号が付されて
いる。
【００１８】図１中１０は電子部品、１１は半導体素子
（不図示）が設けられた半導体基板、１２は半導体基板
１１上に設けられたアルミ電極パッド、１４は半導体基
板１１を被覆するシリコン窒化膜からなる絶縁層、７０
は電極部、８０は電極部７０上に形成されたはんだバン
プを示している。電極部７０は、アルミ電極パッド１２
上に設けられチタン，クロム等からなるバリアメタル７
１と、このバリアメタル７１上に設けられた銅層７２か
ら構成されている。はんだバンプ８０は、核体としての
ポリイミド樹脂製のボール８１と、このボール８１を被
覆するニッケル８２と、ボール８１全体を覆うはんだＳ
とから形成されている。なお、ボール８１はポリイミド
樹脂により形成されているため、弾性を有するととも
に、２００〜３００℃の熱に耐えられる。
（不図示）が設けられた半導体基板、１２は半導体基板
１１上に設けられたアルミ電極パッド、１４は半導体基
板１１を被覆するシリコン窒化膜からなる絶縁層、７０
は電極部、８０は電極部７０上に形成されたはんだバン
プを示している。電極部７０は、アルミ電極パッド１２
上に設けられチタン，クロム等からなるバリアメタル７
１と、このバリアメタル７１上に設けられた銅層７２か
ら構成されている。はんだバンプ８０は、核体としての
ポリイミド樹脂製のボール８１と、このボール８１を被
覆するニッケル８２と、ボール８１全体を覆うはんだＳ
とから形成されている。なお、ボール８１はポリイミド
樹脂により形成されているため、弾性を有するととも
に、２００〜３００℃の熱に耐えられる。
【００１９】一方、図２の（ａ）〜（ｇ）に示すように
して電極部７０及びはんだバンプ８０が形成される。す
なわち、図２の（ａ）に示すように、電子部品１０上の
アルミ電極パッド１２の周辺をシリコン窒化膜の絶縁層
１４で被覆する。図２の（ｂ）に示すようにアルミ電極
パッド１２の図２の（ｂ）中上側の開口部を含む電子部
品１０全面にバリアメタル７１をスパッタリングあるい
はメッキによって形成する。図２の（ｃ）に示すよう
に、バリアメタル７１表面にフォトレジスト９０を塗布
し、アルミ電極パッド１２に対応する部分に開口部９０
ａが形成されるようにパターニングする。図２の（ｄ）
に示すように、フォトレジスト９０の開口部９０ａに銅
層７２、金層７３をスパッタリングによって形成する。
図２の（ｅ）に示すようにフォトレジスト９０を剥離す
るとともに、不要なバリアメタル７１をエッチングによ
り除去する。
して電極部７０及びはんだバンプ８０が形成される。す
なわち、図２の（ａ）に示すように、電子部品１０上の
アルミ電極パッド１２の周辺をシリコン窒化膜の絶縁層
１４で被覆する。図２の（ｂ）に示すようにアルミ電極
パッド１２の図２の（ｂ）中上側の開口部を含む電子部
品１０全面にバリアメタル７１をスパッタリングあるい
はメッキによって形成する。図２の（ｃ）に示すよう
に、バリアメタル７１表面にフォトレジスト９０を塗布
し、アルミ電極パッド１２に対応する部分に開口部９０
ａが形成されるようにパターニングする。図２の（ｄ）
に示すように、フォトレジスト９０の開口部９０ａに銅
層７２、金層７３をスパッタリングによって形成する。
図２の（ｅ）に示すようにフォトレジスト９０を剥離す
るとともに、不要なバリアメタル７１をエッチングによ
り除去する。
【００２０】次に、図２の（ｆ）に示すようなはんだバ
ンプ形成体としてのはんだボール８０ａを載置する。な
お、はんだボール８０ａは、ポリイミド樹脂により形成
された核体としてのボール８１と、このボール８１を被
覆するニッケル８２と、さらにその周囲に付着したはん
だ８３により形成されている。ボール８１を載置した
後、窒素雰囲気中で加熱することによりはんだ８３を溶
融し、図２の（ｇ）に示すようにはんだＳとし、はんだ
バンプ８０を形成する。なお、ボール８１はニッケル８
２によって被覆されているので、はんだＳは十分にボー
ル８１全体に濡れ拡がり、接合面積が十分に確保でき
る。
ンプ形成体としてのはんだボール８０ａを載置する。な
お、はんだボール８０ａは、ポリイミド樹脂により形成
された核体としてのボール８１と、このボール８１を被
覆するニッケル８２と、さらにその周囲に付着したはん
だ８３により形成されている。ボール８１を載置した
後、窒素雰囲気中で加熱することによりはんだ８３を溶
融し、図２の（ｇ）に示すようにはんだＳとし、はんだ
バンプ８０を形成する。なお、ボール８１はニッケル８
２によって被覆されているので、はんだＳは十分にボー
ル８１全体に濡れ拡がり、接合面積が十分に確保でき
る。
【００２１】このようにはんだバンプ８０が形成された
電子部品１０を図３に示すように、はんだバンプ８０を
回路基板５０の電極５１に位置合わせしてフリップチッ
プボンディングを行って実装する。このとき、ボンディ
ングツール（不図示）に吸着された電子部品１０と回路
基板５０との平行度が一致していないと、ボンディング
ツールによって電子部品１０を加圧する際にはんだバン
プ８０にかかる力が不均一になるが、この力の差がはん
だバンプ８０のボール８１によって吸収される。したが
って、特定のはんだバンプ８０に過大な力が加わること
なく全てのはんだバンプ８０に十分な加圧力をかけるこ
とができ、はんだバンプ８０や電子部品１０、回路基板
５０におけるクラックの発生を未然に防止できる。さら
に、はんだＳを加熱溶融する際に、電子部品１０と回路
基板５０の熱膨張率の差によって発生する応力をはんだ
バンプ８０のボール８１によって吸収し、電子部品１０
や回路基板５０に発生するクラックを未然に防止でき
る。
電子部品１０を図３に示すように、はんだバンプ８０を
回路基板５０の電極５１に位置合わせしてフリップチッ
プボンディングを行って実装する。このとき、ボンディ
ングツール（不図示）に吸着された電子部品１０と回路
基板５０との平行度が一致していないと、ボンディング
ツールによって電子部品１０を加圧する際にはんだバン
プ８０にかかる力が不均一になるが、この力の差がはん
だバンプ８０のボール８１によって吸収される。したが
って、特定のはんだバンプ８０に過大な力が加わること
なく全てのはんだバンプ８０に十分な加圧力をかけるこ
とができ、はんだバンプ８０や電子部品１０、回路基板
５０におけるクラックの発生を未然に防止できる。さら
に、はんだＳを加熱溶融する際に、電子部品１０と回路
基板５０の熱膨張率の差によって発生する応力をはんだ
バンプ８０のボール８１によって吸収し、電子部品１０
や回路基板５０に発生するクラックを未然に防止でき
る。
【００２２】上述したように本実施例によれば、電子部
品１０を回路基板５０に押圧する際の平行度の違いによ
り発生する過大な応力や、加熱する際の熱膨脹率の違い
により発生する過大な応力を弾性を有するボール８１に
より吸収することができるので、はんだバンプ８０や電
子部品１０、回路基板５０におけるクラックの発生を未
然に防止でき、製品歩留まりを向上させることができ
る。なお、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
品１０を回路基板５０に押圧する際の平行度の違いによ
り発生する過大な応力や、加熱する際の熱膨脹率の違い
により発生する過大な応力を弾性を有するボール８１に
より吸収することができるので、はんだバンプ８０や電
子部品１０、回路基板５０におけるクラックの発生を未
然に防止でき、製品歩留まりを向上させることができ
る。なお、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】請求項１に記載された発明によれば、電
子部品を回路基板に加圧する際や加熱時に生じる過大な
応力を核体で吸収することができる。このため、電子部
品や回路基板、はんだバンプにおけるクラックの発生を
未然に防止できる。したがって、製品歩留まりを向上さ
せることができる。
子部品を回路基板に加圧する際や加熱時に生じる過大な
応力を核体で吸収することができる。このため、電子部
品や回路基板、はんだバンプにおけるクラックの発生を
未然に防止できる。したがって、製品歩留まりを向上さ
せることができる。
【００２４】請求項２に記載された発明によれば、基板
の電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法
において、電極に弾性を有する核体を供給し、この核体
を電極に供給されたはんだを加熱溶融して電極にはんだ
付けしてはんだバンプを形成するようにしているので、
電子部品を回路基板に加圧する際や加熱時に生じる過大
な応力を核体で吸収することができる。このため、電子
部品や回路基板、はんだバンプにおけるクラックの発生
を未然に防止できる。したがって、製品歩留まりを向上
させることができる。
の電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法
において、電極に弾性を有する核体を供給し、この核体
を電極に供給されたはんだを加熱溶融して電極にはんだ
付けしてはんだバンプを形成するようにしているので、
電子部品を回路基板に加圧する際や加熱時に生じる過大
な応力を核体で吸収することができる。このため、電子
部品や回路基板、はんだバンプにおけるクラックの発生
を未然に防止できる。したがって、製品歩留まりを向上
させることができる。
【００２５】請求項３に記載された発明によれば、加熱
溶融してはんだバンプを形成した際に核体をはんだで十
分に覆うことができる。したがって、十分な接合面積を
確保することができる。
溶融してはんだバンプを形成した際に核体をはんだで十
分に覆うことができる。したがって、十分な接合面積を
確保することができる。
【００２６】請求項４に記載された発明によれば、はん
だを供給する工程を減らすことができる。請求項５に記
載された発明によれば、溶融したはんだの核体への濡れ
性が向上する。したがって、十分な接合面積を確保する
ことができる。
だを供給する工程を減らすことができる。請求項５に記
載された発明によれば、溶融したはんだの核体への濡れ
性が向上する。したがって、十分な接合面積を確保する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例に係るはんだバンプの断面
図。
図。
【図２】同はんだバンプを形成する工程を示す断面図。
【図３】同はんだバンプが形成された電子部品を回路基
板に実装した状態を示す側面図。
板に実装した状態を示す側面図。
【図４】従来のはんだバンプを形成する工程を示す断面
図。
図。
【図５】はんだバンプが形成された電子部品を回路基板
に実装する工程を示す側面図。
に実装する工程を示す側面図。
【図６】従来のはんだバンプにおける問題点を示す断面
図。
図。
１０…電子部品 １１…半導体基板 １２…アルミ電極パッド １４…絶縁層 ５０…回路基板 ５１…電極 ７０…電極部 ７１…バリアメタ
ル ７２…銅層 ７３…金層 ８０…はんだバンプ ８０ａ…はんだボ
ール ８１…ボール ８２…ニッケル ８３…はんだ ９０…フォトレジ
スト
ル ７２…銅層 ７３…金層 ８０…はんだバンプ ８０ａ…はんだボ
ール ８１…ボール ８２…ニッケル ８３…はんだ ９０…フォトレジ
スト
Claims (5)
- 【請求項１】電極が設けられた基板の上記電極上に配置
され、その内部に弾性を有する核体を備えていることを
特徴とするはんだバンプ。 - 【請求項２】電極が設けられた基板の上記電極にはんだ
バンプを形成するはんだバンプ形成方法において、 上記電極に弾性を有する核体を供給する核体供給工程
と、 上記電極にはんだを供給するはんだ供給工程と、 上記はんだを加熱溶融することで、上記核体を上記電極
上にはんだ付けしてはんだバンプを形成する形成工程と
を具備することを特徴とするはんだバンプ形成方法。 - 【請求項３】上記はんだを供給するはんだ供給工程は、
上記核体を供給する核体供給工程前に上記核体にはんだ
を付着するものであることを特徴とする請求項２に記載
のはんだバンプ形成方法。 - 【請求項４】電極が設けられた基板の上記電極に供給す
ることで上記電極上にはんだバンプを形成するためのは
んだバンプ形成体において、 弾性を有する核体と、 この核体に付着したはんだとを備えていることを特徴と
するはんだバンプ形成体。 - 【請求項５】上記核体表面はニッケルによって被覆され
ていることを特徴とする請求項４に記載されたはんだバ
ンプ形成体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7020652A JPH08213400A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7020652A JPH08213400A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213400A true JPH08213400A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12033161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7020652A Pending JPH08213400A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213400A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038676A1 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Method and arrangement for attaching a component |
| JP2002110852A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Ibiden Co Ltd | 半導体パッケージ、及び半導体チップの接続構造 |
| US7038144B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic component and method and structure for mounting semiconductor device |
| KR100659527B1 (ko) * | 2003-10-22 | 2006-12-20 | 삼성전자주식회사 | 3차원 범프 하부 금속층을 갖는 플립 칩 본딩용 반도체칩과 그 실장 구조 |
| US7462940B2 (en) | 2006-01-11 | 2008-12-09 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component comprising flip chip contacts with polymer cores and method of producing the same |
| US7667336B2 (en) | 2006-08-11 | 2010-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-02-08 JP JP7020652A patent/JPH08213400A/ja active Pending
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| US7338891B2 (en) | 2003-10-22 | 2008-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip, mounting structure thereof, and methods for forming a semiconductor chip and printed circuit board for the mounting structure thereof |
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