JPH0821359B2 - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置Info
- Publication number
- JPH0821359B2 JPH0821359B2 JP1170744A JP17074489A JPH0821359B2 JP H0821359 B2 JPH0821359 B2 JP H0821359B2 JP 1170744 A JP1170744 A JP 1170744A JP 17074489 A JP17074489 A JP 17074489A JP H0821359 B2 JPH0821359 B2 JP H0821359B2
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- Japan
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- ion beam
- focused
- casing
- focused ion
- chamber
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は集束イオンビームを材料上に照射する集束イ
オンビーム装置に関し、特に、イオンビームの光軸を前
記材料表面に直交する軸に対し任意の角度傾斜させる事
の出来る集束イオンビーム装置に関する。
オンビーム装置に関し、特に、イオンビームの光軸を前
記材料表面に直交する軸に対し任意の角度傾斜させる事
の出来る集束イオンビーム装置に関する。
［従来の技術］ 半導体分野等において、所定のイオンを材料に衝突さ
せて該材料中に浸入させ、これにより材料の物性を制御
したり、新しい材料を作成したりするイオン注入技術が
使用されている。
せて該材料中に浸入させ、これにより材料の物性を制御
したり、新しい材料を作成したりするイオン注入技術が
使用されている。
この様なイオン注入を行なう場合、通常、一度に材料
全体若しくは広い領域にイオンを注入する場合と、所定
の微小箇所にイオンを注入する場合があり、前者は非集
束イオンビームを用い、後者は集束イオンビームが用い
られる。
全体若しくは広い領域にイオンを注入する場合と、所定
の微小箇所にイオンを注入する場合があり、前者は非集
束イオンビームを用い、後者は集束イオンビームが用い
られる。
さて、後者の集束イオンビームを使用する装置は、集
束イオンビーム装置と称し、イオン源からのイオンビー
ムを集束して、例えば、シリコンウエハの如き材料上の
任意の位置に該イオンビームを照射する装置であるが、
この様な集束イオンビーム装置は、前記イオン注入丈で
はなく、極めて微小な箇所にイオンを照射出来る事か
ら、微小パターン描画を目的としたレジスト露光等にも
使用されている。
束イオンビーム装置と称し、イオン源からのイオンビー
ムを集束して、例えば、シリコンウエハの如き材料上の
任意の位置に該イオンビームを照射する装置であるが、
この様な集束イオンビーム装置は、前記イオン注入丈で
はなく、極めて微小な箇所にイオンを照射出来る事か
ら、微小パターン描画を目的としたレジスト露光等にも
使用されている。
所で、前記の様に材料にイオン注入を行なう場合、材
料面に垂直にイオンを照射すると、該イオンが材料の原
子と衝突せずに奥深く打ち込まれてしまう。この様な現
象をチャンネル効果と呼んでいるが、特に、意識的に深
いイオン打ち込みを行う場合を除き、この様なチャンネ
ル効果は出来るだけ小さくする必要がある。その為に、
イオンビームを材料面に対し斜めに照射する事により、
インンを材料原子と衝突させ、材料表面の近くに止まる
様にしている。
料面に垂直にイオンを照射すると、該イオンが材料の原
子と衝突せずに奥深く打ち込まれてしまう。この様な現
象をチャンネル効果と呼んでいるが、特に、意識的に深
いイオン打ち込みを行う場合を除き、この様なチャンネ
ル効果は出来るだけ小さくする必要がある。その為に、
イオンビームを材料面に対し斜めに照射する事により、
インンを材料原子と衝突させ、材料表面の近くに止まる
様にしている。
そこで、本発明者は、前記イオン注入や微小パターン
描画を目的としたレジスト露光等を行なう集束イオンビ
ーム装置において、イオン注入モードに切換えた時に、
該イオンを斜め照射する為の対策を考えた。
描画を目的としたレジスト露光等を行なう集束イオンビ
ーム装置において、イオン注入モードに切換えた時に、
該イオンを斜め照射する為の対策を考えた。
その１つ目の対策として、第４図（ａ）に示す様に、
材料Ｍは水平にし、上下２段の偏向器Da,Dbから成る斜
め照射用偏向器によって、集束レンズＬにより集束され
たイオンビームを光軸Ｏに対し角度θ（７°）傾けて材
料に照射する。しかし、集束イオンビーム装置において
は、通常、150KV程度の高加速電圧が使用されており、
加速電圧150KV程度で加速されたイオンビームを７°傾
ける為には、大略±20KV程度の大偏向電圧が必要とな
り、この対策は非現実的である。
材料Ｍは水平にし、上下２段の偏向器Da,Dbから成る斜
め照射用偏向器によって、集束レンズＬにより集束され
たイオンビームを光軸Ｏに対し角度θ（７°）傾けて材
料に照射する。しかし、集束イオンビーム装置において
は、通常、150KV程度の高加速電圧が使用されており、
加速電圧150KV程度で加速されたイオンビームを７°傾
ける為には、大略±20KV程度の大偏向電圧が必要とな
り、この対策は非現実的である。
又、その２つ目の対策は、第４図（ｂ）に示す様に、
光軸Ｏに対し、材料Ｍを角度θ（７°）傾け、集束レン
ズＬにより集束されたイオンビームを材料に照射する。
しかし、イオンビームの偏向幅には偏向歪の関係から限
界があり、集束イオンビーム装置においては、通常、所
定の範囲イオンビームを偏向したら材料を載置したステ
ージを所定量水平方向に移動させ、又イオンビームの偏
向を行う工程を繰返し（ステップアンドリピート方式と
称す）ており、その為に、該ステージの移動の度に材料
へのビーム照射点の高さが大きく変化してしまう。その
為に、ダイナミック焦点調整機構を設けて光軸方向の焦
点の補正が必要となる。又、この様なビーム照射点の高
さ変化により、イオンビームの偏向幅もステージの移動
の度に調整為直さねばならない。従って、この様な対策
の場合、ビーム制御系が複雑化し、操作も厄介となる。
光軸Ｏに対し、材料Ｍを角度θ（７°）傾け、集束レン
ズＬにより集束されたイオンビームを材料に照射する。
しかし、イオンビームの偏向幅には偏向歪の関係から限
界があり、集束イオンビーム装置においては、通常、所
定の範囲イオンビームを偏向したら材料を載置したステ
ージを所定量水平方向に移動させ、又イオンビームの偏
向を行う工程を繰返し（ステップアンドリピート方式と
称す）ており、その為に、該ステージの移動の度に材料
へのビーム照射点の高さが大きく変化してしまう。その
為に、ダイナミック焦点調整機構を設けて光軸方向の焦
点の補正が必要となる。又、この様なビーム照射点の高
さ変化により、イオンビームの偏向幅もステージの移動
の度に調整為直さねばならない。従って、この様な対策
の場合、ビーム制御系が複雑化し、操作も厄介となる。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明はこの様な各対策の問題点を解決した新規な傾
斜機構を備えた集束イオンビーム装置を提供する事を目
的としたものである。
斜機構を備えた集束イオンビーム装置を提供する事を目
的としたものである。
本発明者は微小パターン描画を目的としたレジスト露
光やイオン注入等を行なえる集束イオンビーム装置にお
いて、前記各対策が持つ問題点を解決出来る対策を更に
練った結果、イオン注入モードに切換えた時に、非現実
的な偏向電圧が不必要で、且つイオンビーム照射点の高
さ変化によるステージ移動毎の光軸方向の焦点補正やイ
オンビーム偏向幅補正の不必要な新規な対策を考えたの
である。
光やイオン注入等を行なえる集束イオンビーム装置にお
いて、前記各対策が持つ問題点を解決出来る対策を更に
練った結果、イオン注入モードに切換えた時に、非現実
的な偏向電圧が不必要で、且つイオンビーム照射点の高
さ変化によるステージ移動毎の光軸方向の焦点補正やイ
オンビーム偏向幅補正の不必要な新規な対策を考えたの
である。
［課題を解決するための手段］ 本発明の集束イオンビーム装置は、イオンビーム発生
手段、該イオンビーム発生手段からのイオンビームを集
束させる集束レンズ、及び該イオンビームを材料上の所
定位置にショットさせる為の偏向器を具備した筐筒と、
前記材料が配置されたチャンバーとを備えた集束イオン
ビーム装置において、イオンビームの光軸が前記材料表
面に垂直な軸に対し任意の角度傾斜する様に前記筐筒を
耐真空的に傾斜させる為の機構を設けた。
手段、該イオンビーム発生手段からのイオンビームを集
束させる集束レンズ、及び該イオンビームを材料上の所
定位置にショットさせる為の偏向器を具備した筐筒と、
前記材料が配置されたチャンバーとを備えた集束イオン
ビーム装置において、イオンビームの光軸が前記材料表
面に垂直な軸に対し任意の角度傾斜する様に前記筐筒を
耐真空的に傾斜させる為の機構を設けた。
［実施例］ 第２図は、本発明の一実施例として示した集束イオン
ビーム装置の概略図である。
ビーム装置の概略図である。
図中、１はイオン源、２は集束レンズ、3X,3Yは各々
Ｘ方向、Ｙ方向偏向器、４はステージ、５は材料、６は
制御装置、7X,7YはDA変換器、８はステージ移動駆動機
構である。尚、９は筐筒、10はチャンバーである。
Ｘ方向、Ｙ方向偏向器、４はステージ、５は材料、６は
制御装置、7X,7YはDA変換器、８はステージ移動駆動機
構である。尚、９は筐筒、10はチャンバーである。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の要部を示したもの
で、筐筒９とチャンバー10の接続と筐筒傾斜機構を示し
ている。尚、第１図（ｂ）は第１図（ａ）を、紙面に垂
直な方向を含む水平面上で該垂直な方向に対し90度隔て
た方向から見た図である。図に示す様に、チャンバー10
の上蓋に互いに180度隔てて軸受け11A,11Bが取り付けら
れており、筐筒９に該各軸受け11A,11Bを夫々貫通させ
たシャフト12A,12Bが取り付けられている。又、筐筒の
前記シャフト12A,12Bの夫々に対し90度隔てた所にブラ
ケット13A,13Bが取り付けられており、該ブラケット13
A,13Bに捩じ込まれた押し捩子14A,14Bが前記チャンバー
10の上蓋に当たっている。前記筐筒９の下部と前記チャ
ンバー10の上蓋の鍔部とはベローズ15によって、例え
ば、ロー付け等により耐真空的に接続されている。
で、筐筒９とチャンバー10の接続と筐筒傾斜機構を示し
ている。尚、第１図（ｂ）は第１図（ａ）を、紙面に垂
直な方向を含む水平面上で該垂直な方向に対し90度隔て
た方向から見た図である。図に示す様に、チャンバー10
の上蓋に互いに180度隔てて軸受け11A,11Bが取り付けら
れており、筐筒９に該各軸受け11A,11Bを夫々貫通させ
たシャフト12A,12Bが取り付けられている。又、筐筒の
前記シャフト12A,12Bの夫々に対し90度隔てた所にブラ
ケット13A,13Bが取り付けられており、該ブラケット13
A,13Bに捩じ込まれた押し捩子14A,14Bが前記チャンバー
10の上蓋に当たっている。前記筐筒９の下部と前記チャ
ンバー10の上蓋の鍔部とはベローズ15によって、例え
ば、ロー付け等により耐真空的に接続されている。
さて、この様な集束イオンビーム装置により微小パタ
ーン描画を目的としたレジスト露光を行なう場合には、
両押し捩子14A,14Bを同程度に締め付けておき、イオン
ビームの光軸が材料表面（水平面）に垂直な軸に対し平
行に成る様にしておく。即ち、筐筒９を全く傾斜させな
い状態にしておく。この状態において、制御装置６は照
射すべき位置データをDA変換器7X,7Yに送る。而して、
イオン源１からのイオンビームは集束レンズ２により材
料面上で集束され、該集束イオンビームは材料上に塗布
されたレジスト上の所定位置に照射され、所定のレジス
ト露光が行なわれる。
ーン描画を目的としたレジスト露光を行なう場合には、
両押し捩子14A,14Bを同程度に締め付けておき、イオン
ビームの光軸が材料表面（水平面）に垂直な軸に対し平
行に成る様にしておく。即ち、筐筒９を全く傾斜させな
い状態にしておく。この状態において、制御装置６は照
射すべき位置データをDA変換器7X,7Yに送る。而して、
イオン源１からのイオンビームは集束レンズ２により材
料面上で集束され、該集束イオンビームは材料上に塗布
されたレジスト上の所定位置に照射され、所定のレジス
ト露光が行なわれる。
又、この様な集束イオンビーム装置によりイオン注入
を行なう場合には、イオンビームの光軸が材料表面に垂
直な軸に対し７度傾斜する様に、先ず、押し捩子14Aを
チャンバー10の上蓋表面から離れる方向に所定量回転移
動させ、次に、押し捩子14Bを該チャンバー10の上蓋表
面に向けて所定量回転移動させ、該移動に基づいて筐筒
９を傾斜させる。尚、イオンビーム光軸の材料表面を直
交する軸に対する傾斜角度に応じて、これら押し捩子を
基準（筐筒の傾斜角度が０度の場合の押し捩子の位置）
からどの程度回転移動させれば良いかを予め求めてお
く。又、この様にして、イオンビームの光軸が材料表面
に直交する軸に対し７度傾斜する様に筐筒９を傾斜させ
る場合、材料表面に直交する光軸と材料表面の交点を中
心に傾けておらずに、シャフト12Aの中心軸と12Bの中心
軸を結んだ軸を中心として傾けているので、材料上での
イオンビームの照射位置が、該傾斜中心の隔たり分に対
応した分（一定量）ずれるが、このずれ分は予め分かっ
ているので、イオン注入モードへの切換えに連動して、
制御装置６はこのずれ分に対応した分丈ステージを水平
方向に自動的に移動をさせる。又、上記傾斜に伴なって
イオンビームが材料上にフォーカスしなくなるが、この
フォーカスのずれも予め分かっているので、同じ様に、
該制御装置６は前記モードへの切換えに連動して自動的
に集束レンズ２を制御し、材料５上にフォーカスが合わ
されるようにする。尚、これらの何れの自動的調整はイ
オン注入モードへ切換えた時に１回丈行なえば良い。而
して、イオン源１からのイオンビームは集束レンズ２に
より材料面上で集束され、該集束イオンビームは材料上
の所定位置に照射され、所定のイオン注入が行なわれ
る。
を行なう場合には、イオンビームの光軸が材料表面に垂
直な軸に対し７度傾斜する様に、先ず、押し捩子14Aを
チャンバー10の上蓋表面から離れる方向に所定量回転移
動させ、次に、押し捩子14Bを該チャンバー10の上蓋表
面に向けて所定量回転移動させ、該移動に基づいて筐筒
９を傾斜させる。尚、イオンビーム光軸の材料表面を直
交する軸に対する傾斜角度に応じて、これら押し捩子を
基準（筐筒の傾斜角度が０度の場合の押し捩子の位置）
からどの程度回転移動させれば良いかを予め求めてお
く。又、この様にして、イオンビームの光軸が材料表面
に直交する軸に対し７度傾斜する様に筐筒９を傾斜させ
る場合、材料表面に直交する光軸と材料表面の交点を中
心に傾けておらずに、シャフト12Aの中心軸と12Bの中心
軸を結んだ軸を中心として傾けているので、材料上での
イオンビームの照射位置が、該傾斜中心の隔たり分に対
応した分（一定量）ずれるが、このずれ分は予め分かっ
ているので、イオン注入モードへの切換えに連動して、
制御装置６はこのずれ分に対応した分丈ステージを水平
方向に自動的に移動をさせる。又、上記傾斜に伴なって
イオンビームが材料上にフォーカスしなくなるが、この
フォーカスのずれも予め分かっているので、同じ様に、
該制御装置６は前記モードへの切換えに連動して自動的
に集束レンズ２を制御し、材料５上にフォーカスが合わ
されるようにする。尚、これらの何れの自動的調整はイ
オン注入モードへ切換えた時に１回丈行なえば良い。而
して、イオン源１からのイオンビームは集束レンズ２に
より材料面上で集束され、該集束イオンビームは材料上
の所定位置に照射され、所定のイオン注入が行なわれ
る。
第３図は筐筒を傾斜させる事の出来る機構の他の例を
示したもので、チャンバー10の上蓋の中央部分16を半球
状に形成し、筐筒９の下部が該半球状部分に沿って摺動
する様に該筐筒下部を傘状に形成し、チャンバー10の上
蓋に互いに180度隔てて支持体17A,17Bを取り付け、該支
持体17Aと筐筒の間にダンパー18を入れ、先端部が筐筒
９に当る様に支持体17Bに押し捩子19を捩じ込んだ構造
を成している。尚、チャンバー10の上蓋の中央部分16と
接触している筐筒下部の間にはオーリング20が挿入され
ており、これらの間のシール性が保たれている。この様
な機構において、押し捩子19の回転移動量に基づいた角
度、筐筒を傾ける事が出来る。尚、この第２の実施例に
おいて、半球上部分をその球の中心が材料表面上に位置
する様に形成すれば、イオン注入モードに切換えた時
に、前記した様なステージ位置やフォーカスの調整を省
く事が出来る。
示したもので、チャンバー10の上蓋の中央部分16を半球
状に形成し、筐筒９の下部が該半球状部分に沿って摺動
する様に該筐筒下部を傘状に形成し、チャンバー10の上
蓋に互いに180度隔てて支持体17A,17Bを取り付け、該支
持体17Aと筐筒の間にダンパー18を入れ、先端部が筐筒
９に当る様に支持体17Bに押し捩子19を捩じ込んだ構造
を成している。尚、チャンバー10の上蓋の中央部分16と
接触している筐筒下部の間にはオーリング20が挿入され
ており、これらの間のシール性が保たれている。この様
な機構において、押し捩子19の回転移動量に基づいた角
度、筐筒を傾ける事が出来る。尚、この第２の実施例に
おいて、半球上部分をその球の中心が材料表面上に位置
する様に形成すれば、イオン注入モードに切換えた時
に、前記した様なステージ位置やフォーカスの調整を省
く事が出来る。
所で、本発明者は、前記第４図（ａ），（ｂ）に示す
如き対策の問題点を解決出来る対策として、第５図に示
す様に、光軸Ｏに対し、ステージＳに載置された材料Ｍ
が角度θ（７°）傾いた状態となる様に、筐筒Ｋに対
し、該材料Ｍが配置されたチャンバーＣを傾ける対策も
同時に考えて見た。この対策であれば、非現実的な偏向
電圧も必要なく、且つ、ステージが移動しても、材料へ
のビーム照射点の高さが変化しないので、ステージ移動
毎の光軸方向の焦点補正やイオンビーム偏向幅補正も必
要なくなる。しかし、この対策では重力方向に対し垂直
な方向に全体がフラットにない場合、重力がチャンバー
全体に均等に掛からないので、該チャンバーが不安定と
なる。その為に、該チャンバーを安定化する為の機構が
必要となる。又、該チャンバー内のステージが傾きによ
り移動しないようにする為の機構も必要となる。又、そ
れらの機構の操作も厄介である。従って、この対策は微
小パターン描画を目的としたレジスト露光をモード切換
えで行なう集束イオンビーム装置には実現性が乏しい。
如き対策の問題点を解決出来る対策として、第５図に示
す様に、光軸Ｏに対し、ステージＳに載置された材料Ｍ
が角度θ（７°）傾いた状態となる様に、筐筒Ｋに対
し、該材料Ｍが配置されたチャンバーＣを傾ける対策も
同時に考えて見た。この対策であれば、非現実的な偏向
電圧も必要なく、且つ、ステージが移動しても、材料へ
のビーム照射点の高さが変化しないので、ステージ移動
毎の光軸方向の焦点補正やイオンビーム偏向幅補正も必
要なくなる。しかし、この対策では重力方向に対し垂直
な方向に全体がフラットにない場合、重力がチャンバー
全体に均等に掛からないので、該チャンバーが不安定と
なる。その為に、該チャンバーを安定化する為の機構が
必要となる。又、該チャンバー内のステージが傾きによ
り移動しないようにする為の機構も必要となる。又、そ
れらの機構の操作も厄介である。従って、この対策は微
小パターン描画を目的としたレジスト露光をモード切換
えで行なう集束イオンビーム装置には実現性が乏しい。
［発明の効果］ 本発明はイオンビームの光軸が材料表面に垂直な軸に
対し任意の角度傾斜する様に筐筒を耐真空的に傾斜させ
る為の機構を設けたので、例えば、イオンビーム注入を
行なう場合に筐筒を傾斜させても、従来の対策の様に、
非現実的な大偏向電圧が必要となることはない。又、ス
テージを移動させる度に光軸方向の焦点補正を行なう必
要や、イオンビームの偏向幅の再調整も必要ないので、
ビーム制御系が複雑化して、操作が厄介となることはな
い。
対し任意の角度傾斜する様に筐筒を耐真空的に傾斜させ
る為の機構を設けたので、例えば、イオンビーム注入を
行なう場合に筐筒を傾斜させても、従来の対策の様に、
非現実的な大偏向電圧が必要となることはない。又、ス
テージを移動させる度に光軸方向の焦点補正を行なう必
要や、イオンビームの偏向幅の再調整も必要ないので、
ビーム制御系が複雑化して、操作が厄介となることはな
い。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の要部の一実施例を示す
図、第２図は本発明の一実施例として示した集束イオン
ビーム装置の概略図、第３図は本発明の要部の他の実施
例を示したもの、第４図（ａ），（ｂ）は従来の対策を
説明する為に用いたもの、第５図は従来の対策を解決す
る為に考えられた他の対策を示したものである。 １……イオン源、２……集束レンズ 3X,3Y……Ｘ方向,Y方向偏向器 ４……ステージ、５……材料 ６……制御装置 7X,7Y……DA変換器 ８……ステージ移動駆動機構 ９……筐筒、10……チャンバー 11A,11B……軸受け 12A,12B……シャフト 13A,13B……ブラケット 14A,14B……押し捩子 15……ベローズ 16……チャンバー上蓋中央部 17A,17B……支持体 18……ダンパー、19……押し捩子
図、第２図は本発明の一実施例として示した集束イオン
ビーム装置の概略図、第３図は本発明の要部の他の実施
例を示したもの、第４図（ａ），（ｂ）は従来の対策を
説明する為に用いたもの、第５図は従来の対策を解決す
る為に考えられた他の対策を示したものである。 １……イオン源、２……集束レンズ 3X,3Y……Ｘ方向,Y方向偏向器 ４……ステージ、５……材料 ６……制御装置 7X,7Y……DA変換器 ８……ステージ移動駆動機構 ９……筐筒、10……チャンバー 11A,11B……軸受け 12A,12B……シャフト 13A,13B……ブラケット 14A,14B……押し捩子 15……ベローズ 16……チャンバー上蓋中央部 17A,17B……支持体 18……ダンパー、19……押し捩子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 真二 茨城県つくば市御幸が丘34 日本電気株式 会社基礎研究所内 (72)発明者 落合 幸徳 茨城県つくば市御幸が丘34 日本電気株式 会社基礎研究所内 (72)発明者 野崎 忠敏 神奈川県川崎市宮前区宮崎４―１―１ 日 本電気株式会社光エレクトロニクス研究所 内 (72)発明者 澤良木 宏 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 日本 電子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−43520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−184443（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】イオンビーム発生手段、該イオンビーム発
生手段からのイオンビームを集束させる集束レンズ、及
び該イオンビームを材料上の所定位置にショットさせる
為の偏向器を具備した筐筒と、前記材料が配置されたチ
ャンバーとを備えた集束イオンビーム装置において、イ
オンビームの光軸が前記材料表面に垂直な軸に対し任意
の角度傾斜する様に前記筐筒を耐真空的に傾斜させる為
の機構を設けた事を特徴とする集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170744A JPH0821359B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 集束イオンビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170744A JPH0821359B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 集束イオンビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337948A JPH0337948A (ja) | 1991-02-19 |
| JPH0821359B2 true JPH0821359B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15910584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1170744A Expired - Fee Related JPH0821359B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821359B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943520A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Agency Of Ind Science & Technol | マスクレスイオン注入装置 |
| JPS59184443A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-19 | Hitachi Ltd | イオン打込装置 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1170744A patent/JPH0821359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337948A (ja) | 1991-02-19 |
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