JPH08213659A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JPH08213659A JPH08213659A JP2029295A JP2029295A JPH08213659A JP H08213659 A JPH08213659 A JP H08213659A JP 2029295 A JP2029295 A JP 2029295A JP 2029295 A JP2029295 A JP 2029295A JP H08213659 A JPH08213659 A JP H08213659A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】装置の取り扱い時におけるホログラム素子の破
損を防止できる構造を備えた半導体レーザ装置およびそ
の製造方法を提供する。 【構成】ステム1の上面のブロック部に半導体レーザチ
ップ5等を取り付け、下端部が開口し上端部にレーザ光
通過窓3を有したキャップ2の内部に該通過窓3を閉塞
するようにしてホログラム素子10を固定し、このキャ
ップ2をブロック部4を収納するようにしてそれの下端
部側を前記ステム1上に固定した構造。また、キャップ
2の内部に当該通過窓3を閉塞するようにホログラム素
子10を取り付けることによって、その通過窓3に窓ガ
ラスを取り付け、かつ、ステム1の上面にホログラム素
子10を取り付ける工程を削減する。
損を防止できる構造を備えた半導体レーザ装置およびそ
の製造方法を提供する。 【構成】ステム1の上面のブロック部に半導体レーザチ
ップ5等を取り付け、下端部が開口し上端部にレーザ光
通過窓3を有したキャップ2の内部に該通過窓3を閉塞
するようにしてホログラム素子10を固定し、このキャ
ップ2をブロック部4を収納するようにしてそれの下端
部側を前記ステム1上に固定した構造。また、キャップ
2の内部に当該通過窓3を閉塞するようにホログラム素
子10を取り付けることによって、その通過窓3に窓ガ
ラスを取り付け、かつ、ステム1の上面にホログラム素
子10を取り付ける工程を削減する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクの記録再生
装置における記録再生のために用いられるのに適した半
導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
装置における記録再生のために用いられるのに適した半
導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図6はこれまでの半導体レーザ装置の正
面からの断面図である。
面からの断面図である。
【0003】構成において、この装置はそれぞれが金属
製のステム1とキャップ2とを備える。キャップ2は下
端が開口され上端側にレーザ光通過窓3を有した円筒状
になっている。ステム1の上面には金属製のブロック部
4が形成されている。キャップ2はその下端側がステム
1の上面に抵抗溶接されている。ブロック部4は半導体
レーザチップ5、信号検出用フォトダイオード6、およ
びPINフォトダイオード7を搭載している。半導体レ
ーザチップ5は図示していない光ディスクに記録再生の
ためのレーザ光aを出射し、信号検出用フォトダイオー
ド6は半導体レーザチップ5から出射されて光ディスク
で反射されて戻ってくるレーザ光bを検出し、PINフ
ォトダイオード7は半導体レーザチップ5の出力cをモ
ニタする。キャップ2の上端側のレーザ光通過窓3の内
面には窓ガラス8が配置されている。この窓ガラス8は
その周部に接着された接着材としての低融点ガラス9で
キャップ2の上端部内面に固定されている。キャップ2
の上端側の外面にはホログラム素子10が硬化樹脂11
で固定されている。ホログラム素子10は、下面側に半
導体レーザチップ5からのレーザ光aを3つのビームd
に分割する回折格子12が、また上面側にレーザ光dを
偏光するホログラム13がそれぞれ設けられている。ス
テム1の下面には半導体レーザチップ5、各フォトダイ
オード6,7それぞれに対する電気信号の入出力のため
の端子14が取り付けられている。
製のステム1とキャップ2とを備える。キャップ2は下
端が開口され上端側にレーザ光通過窓3を有した円筒状
になっている。ステム1の上面には金属製のブロック部
4が形成されている。キャップ2はその下端側がステム
1の上面に抵抗溶接されている。ブロック部4は半導体
レーザチップ5、信号検出用フォトダイオード6、およ
びPINフォトダイオード7を搭載している。半導体レ
ーザチップ5は図示していない光ディスクに記録再生の
ためのレーザ光aを出射し、信号検出用フォトダイオー
ド6は半導体レーザチップ5から出射されて光ディスク
で反射されて戻ってくるレーザ光bを検出し、PINフ
ォトダイオード7は半導体レーザチップ5の出力cをモ
ニタする。キャップ2の上端側のレーザ光通過窓3の内
面には窓ガラス8が配置されている。この窓ガラス8は
その周部に接着された接着材としての低融点ガラス9で
キャップ2の上端部内面に固定されている。キャップ2
の上端側の外面にはホログラム素子10が硬化樹脂11
で固定されている。ホログラム素子10は、下面側に半
導体レーザチップ5からのレーザ光aを3つのビームd
に分割する回折格子12が、また上面側にレーザ光dを
偏光するホログラム13がそれぞれ設けられている。ス
テム1の下面には半導体レーザチップ5、各フォトダイ
オード6,7それぞれに対する電気信号の入出力のため
の端子14が取り付けられている。
【0004】動作において、半導体レーザチップ5は、
端子14に与えられた電気信号に応答してレーザ光a,
cをホログラム素子10側とPINフォトダイオード7
側とにそれぞれ出射する。ホログラム素子10側へのレ
ーザ光aは、回折格子12で3つのビームdに分割さ
れ、ホログラム13で偏光されたうえで図示していない
レンズ等の光学系によって集光されて光ディスク上に照
射される。光ディスクから反射されたレーザ光は上記光
学系を通過してホログラム素子10のホログラム13で
偏光されたビームbとされたうえで、信号検出用フォト
ダイオード6に集光される。信号検出用フォトダイオー
ド6は受光レーザ光bに応じた電気信号を端子14を介
して出力する。この電気信号は光ディスク記録再生装置
の図示していない回路装置によって光ディスクの記録再
生のために用いられる。PINフォトダイオード7への
レーザ光cは半導体レーザチップ出力のモニタのために
ここで電気信号に変換されたうえで端子14から出力さ
れる。
端子14に与えられた電気信号に応答してレーザ光a,
cをホログラム素子10側とPINフォトダイオード7
側とにそれぞれ出射する。ホログラム素子10側へのレ
ーザ光aは、回折格子12で3つのビームdに分割さ
れ、ホログラム13で偏光されたうえで図示していない
レンズ等の光学系によって集光されて光ディスク上に照
射される。光ディスクから反射されたレーザ光は上記光
学系を通過してホログラム素子10のホログラム13で
偏光されたビームbとされたうえで、信号検出用フォト
ダイオード6に集光される。信号検出用フォトダイオー
ド6は受光レーザ光bに応じた電気信号を端子14を介
して出力する。この電気信号は光ディスク記録再生装置
の図示していない回路装置によって光ディスクの記録再
生のために用いられる。PINフォトダイオード7への
レーザ光cは半導体レーザチップ出力のモニタのために
ここで電気信号に変換されたうえで端子14から出力さ
れる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体レーザ装置
にあっては、ホログラム素子10がキャップ2の上面に
取り付けられて外部にそのまま露出された状態になって
いるから、装置の製造時、輸送時、光ピックアップ組み
込み時といった装置の取り扱い時の際にホログラム素子
10の角部10aに欠損とか割れなどが発生しやすい構
造となっている。特に、光ピックアップ組み込み時にお
いてホログラム素子10に欠損が発生した場合には、ピ
ックアップ内部にそのホログラム素子10の破片が残存
してレーザ光の透過を妨げてしまうことになる。
にあっては、ホログラム素子10がキャップ2の上面に
取り付けられて外部にそのまま露出された状態になって
いるから、装置の製造時、輸送時、光ピックアップ組み
込み時といった装置の取り扱い時の際にホログラム素子
10の角部10aに欠損とか割れなどが発生しやすい構
造となっている。特に、光ピックアップ組み込み時にお
いてホログラム素子10に欠損が発生した場合には、ピ
ックアップ内部にそのホログラム素子10の破片が残存
してレーザ光の透過を妨げてしまうことになる。
【0006】したがって、本発明においては、装置の取
り扱い時におけるホログラム素子の破損を効果的に防止
できる構造を備えた半導体レーザ装置およびその製造方
法を提供することを目的としている。
り扱い時におけるホログラム素子の破損を効果的に防止
できる構造を備えた半導体レーザ装置およびその製造方
法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の半導体レーザ装置においては、ステ
ムと前記ステムの上面に形成された少なくとも半導体レ
ーザチップを搭載したブロック部と、下端部が開口し上
端部にレーザ光の通過窓を有したものでかつ前記ブロッ
ク部を収納するように前記下端部側が前記ステム上に固
定されたキャップと、前記通過窓を閉塞するように前記
キャップの内部に収納されて固定されたホログラム素子
とを具備したことを特徴としている。なお、このホログ
ラム素子は好ましくはキャップの内面に低融点ガラスで
固定されている。
るために、本発明の半導体レーザ装置においては、ステ
ムと前記ステムの上面に形成された少なくとも半導体レ
ーザチップを搭載したブロック部と、下端部が開口し上
端部にレーザ光の通過窓を有したものでかつ前記ブロッ
ク部を収納するように前記下端部側が前記ステム上に固
定されたキャップと、前記通過窓を閉塞するように前記
キャップの内部に収納されて固定されたホログラム素子
とを具備したことを特徴としている。なお、このホログ
ラム素子は好ましくはキャップの内面に低融点ガラスで
固定されている。
【0008】また、本発明の上記装置の製造方法におい
ては、下端部が開口し上端部にレーザ光の通過窓を有し
たキャップの内部に当該通過窓を閉塞するようにホログ
ラム素子を取り付ける工程と、ステム上面のブロック部
に少なくとも半導体レーザチップを取り付ける工程と、
前記キャップの開口下端部を前記ステムの上面に取り付
ける工程とを具備したことを特徴としている。
ては、下端部が開口し上端部にレーザ光の通過窓を有し
たキャップの内部に当該通過窓を閉塞するようにホログ
ラム素子を取り付ける工程と、ステム上面のブロック部
に少なくとも半導体レーザチップを取り付ける工程と、
前記キャップの開口下端部を前記ステムの上面に取り付
ける工程とを具備したことを特徴としている。
【0009】
【作用】本発明の半導体レーザ装置によれば、ホログラ
ム素子がキャップの内部に固定されているから、装置の
製造時、輸送時などの取り扱いでの破損から有効に保護
される。また、ホログラム素子をキャップの内面に低融
点ガラスで固定した場合では、低融点ガラスが水分を通
さない性質を有しているからキャップ内部の気密性が向
上する。
ム素子がキャップの内部に固定されているから、装置の
製造時、輸送時などの取り扱いでの破損から有効に保護
される。また、ホログラム素子をキャップの内面に低融
点ガラスで固定した場合では、低融点ガラスが水分を通
さない性質を有しているからキャップ内部の気密性が向
上する。
【0010】本発明の上記装置の製造方法によれば、キ
ャップのレーザ光通過窓がホログラム素子で閉塞される
から、このレーザ光通過窓に窓ガラスを取り付ける必要
がなくなるうえ、ステムにキャップを固定したのち、そ
のキャップの上面にホログラム素子を取り付ける必要が
なくなり、結果として工程数が削減される。
ャップのレーザ光通過窓がホログラム素子で閉塞される
から、このレーザ光通過窓に窓ガラスを取り付ける必要
がなくなるうえ、ステムにキャップを固定したのち、そ
のキャップの上面にホログラム素子を取り付ける必要が
なくなり、結果として工程数が削減される。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【0012】図1は、本発明の実施例にかかわる半導体
レーザ装置の正面からみた断面図であり、図2は、図1
のAーA線に沿って切断し矢符方向に見た断面図であ
る。これらの図において、従来にかかわる図6と同一の
部分には同一の符号を付している。
レーザ装置の正面からみた断面図であり、図2は、図1
のAーA線に沿って切断し矢符方向に見た断面図であ
る。これらの図において、従来にかかわる図6と同一の
部分には同一の符号を付している。
【0013】これらの図を参照して、この装置はステム
1とキャップ2とを備える。ステム1は金属製の略短円
柱状のものである。キャップ2は下端が開口され上端側
に所要口径の円形レーザ光通過窓3を有し、かつ、ステ
ム1の外径より少し小さな外径の円筒状になっている。
ステム1の上面の中央寄り少し右側にずれた位置に所要
高さの金属製ブロック部4が形成されている。キャップ
2はブロック部4を内部に収納するようにその下端側が
抵抗溶接などの適宜の固定手段でステム1の上面に固定
されている。ブロック部4は半導体レーザチップ5、信
号検出用フォトダイオード6、およびPINフォトダイ
オード7を搭載している。ブロック部4に対し、半導体
レーザチップ5は図で左側上部に、信号検出用フォトダ
イオード6は図でやや右側寄り上部に、PINフォトダ
イオード7は半導体レーザチップ5に上下方向に対向し
て図で左側下部に、それぞれ搭載されている。半導体レ
ーザチップ5は図示していない光ディスクに記録再生の
ためのレーザ光aを出射するため、信号検出用フォトダ
イオード6は半導体レーザチップ5から出射されて光デ
ィスクで反射されて戻ってくるレーザ光bを検出するた
め、PINフォトダイオード7は半導体レーザチップ5
の出力光cをモニタするため、それぞれ、設けられてい
る。
1とキャップ2とを備える。ステム1は金属製の略短円
柱状のものである。キャップ2は下端が開口され上端側
に所要口径の円形レーザ光通過窓3を有し、かつ、ステ
ム1の外径より少し小さな外径の円筒状になっている。
ステム1の上面の中央寄り少し右側にずれた位置に所要
高さの金属製ブロック部4が形成されている。キャップ
2はブロック部4を内部に収納するようにその下端側が
抵抗溶接などの適宜の固定手段でステム1の上面に固定
されている。ブロック部4は半導体レーザチップ5、信
号検出用フォトダイオード6、およびPINフォトダイ
オード7を搭載している。ブロック部4に対し、半導体
レーザチップ5は図で左側上部に、信号検出用フォトダ
イオード6は図でやや右側寄り上部に、PINフォトダ
イオード7は半導体レーザチップ5に上下方向に対向し
て図で左側下部に、それぞれ搭載されている。半導体レ
ーザチップ5は図示していない光ディスクに記録再生の
ためのレーザ光aを出射するため、信号検出用フォトダ
イオード6は半導体レーザチップ5から出射されて光デ
ィスクで反射されて戻ってくるレーザ光bを検出するた
め、PINフォトダイオード7は半導体レーザチップ5
の出力光cをモニタするため、それぞれ、設けられてい
る。
【0014】キャップ2の上端側の内面にはレーザ光通
過窓3を閉塞するようにしてホログラム素子10が低融
点ガラス9で接続固定されている。この低融点ガラス9
は、水分を通さない性質を有している。この性質のた
め、ホログラム素子10でレーザ光通過窓3を閉塞した
本実施例による場合では、従来のように水分を通しやす
い硬化樹脂でもってキャップ2の外面にホログラム素子
10を接続固定したため水分がキャップ2とホログラム
素子10の間に入り込み、その結果、レーザ光の透過が
妨げられるといった不具合がなくなる。また、低融点ガ
ラスは硬化樹脂よりも強度が大きく、摂氏400度に加
熱しても十分な強度がある。
過窓3を閉塞するようにしてホログラム素子10が低融
点ガラス9で接続固定されている。この低融点ガラス9
は、水分を通さない性質を有している。この性質のた
め、ホログラム素子10でレーザ光通過窓3を閉塞した
本実施例による場合では、従来のように水分を通しやす
い硬化樹脂でもってキャップ2の外面にホログラム素子
10を接続固定したため水分がキャップ2とホログラム
素子10の間に入り込み、その結果、レーザ光の透過が
妨げられるといった不具合がなくなる。また、低融点ガ
ラスは硬化樹脂よりも強度が大きく、摂氏400度に加
熱しても十分な強度がある。
【0015】ホログラム素子10は、レーザ光通過窓3
よりも外形が大きな長方形状のものであってその下面側
には半導体レーザチップ5からのレーザ光aを3つのビ
ームdに分割生成するための回折格子12が、上面側に
はレーザ光dを偏光するためのホログラム13がそれぞ
れ設けられている。ステム1の下面には半導体レーザチ
ップ5、各フォトダイオード6,7それぞれに対する電
気信号の入出力のための端子14が取り付けられてい
る。
よりも外形が大きな長方形状のものであってその下面側
には半導体レーザチップ5からのレーザ光aを3つのビ
ームdに分割生成するための回折格子12が、上面側に
はレーザ光dを偏光するためのホログラム13がそれぞ
れ設けられている。ステム1の下面には半導体レーザチ
ップ5、各フォトダイオード6,7それぞれに対する電
気信号の入出力のための端子14が取り付けられてい
る。
【0016】上記のようにホログラム素子10はキャッ
プ2の内部のレーザ光通過窓3周縁に該通過窓3を閉塞
するようにして取り付けられるため、ホログラム素子1
0が従来の気密性を保つための窓ガラスの機能を具備す
ることになり、従来必要としていた窓ガラスが不要化す
るうえ、ホログラム素子10がキャップ3内部に収納さ
れることになるから、装置の取り扱い時の破損から防止
されるとともに、ピックアップ組み込み時に発生したホ
ログラム素子10の破損がピックアップ内部に残りレー
ザ光の透過を妨げるといったことがなくなる。さらに、
ホログラム素子10は低融点ガラス9でキャップ2内部
に固定され、ホログラム素子10の固定に水分を通しや
すい硬化樹脂を用いていないから、レーザ光の光路上に
水分が入り込むことがなくなり性能が向上する。
プ2の内部のレーザ光通過窓3周縁に該通過窓3を閉塞
するようにして取り付けられるため、ホログラム素子1
0が従来の気密性を保つための窓ガラスの機能を具備す
ることになり、従来必要としていた窓ガラスが不要化す
るうえ、ホログラム素子10がキャップ3内部に収納さ
れることになるから、装置の取り扱い時の破損から防止
されるとともに、ピックアップ組み込み時に発生したホ
ログラム素子10の破損がピックアップ内部に残りレー
ザ光の透過を妨げるといったことがなくなる。さらに、
ホログラム素子10は低融点ガラス9でキャップ2内部
に固定され、ホログラム素子10の固定に水分を通しや
すい硬化樹脂を用いていないから、レーザ光の光路上に
水分が入り込むことがなくなり性能が向上する。
【0017】なお、キャップ2の内部にホログラム素子
10を固定する手法について図3を参照して説明する
と、まず、(a)のようにキャップ2のレーザ光通過窓
3の周縁にリング状になった固化状態の低融点ガラス
9’を落とし込む。ついで、(b)のようにホログラム
素子10を低融点ガラス9’上に載置する。そして、加
熱によって低融点ガラス9’を溶かしてのち冷却するこ
とでホログラム素子10をキャップ2のレーザ光通過窓
3周縁に固定する。
10を固定する手法について図3を参照して説明する
と、まず、(a)のようにキャップ2のレーザ光通過窓
3の周縁にリング状になった固化状態の低融点ガラス
9’を落とし込む。ついで、(b)のようにホログラム
素子10を低融点ガラス9’上に載置する。そして、加
熱によって低融点ガラス9’を溶かしてのち冷却するこ
とでホログラム素子10をキャップ2のレーザ光通過窓
3周縁に固定する。
【0018】次に、従来の半導体レーザ装置の製造方法
と、本発明の実施例にかかわる半導体レーザ装置の製造
方法とを説明し、両方法を比較説明する。
と、本発明の実施例にかかわる半導体レーザ装置の製造
方法とを説明し、両方法を比較説明する。
【0019】まず、図6を参照して従来の製造方法にお
いては、第1の工程でキャップ2のレーザ光通過窓3の
内面に低融点ガラス9で窓ガラス8を固定し、第2の工
程でステム1の上面のブロック部4に半導体レーザチッ
プ5、信号検出用フォトダイオード6を、ステム1の上
面にPINフォトダイオード7を取り付けるとともに、
半導体レーザチップ5、各フォトダイオード6,7を端
子14に金属ワイヤーで結線し、第3の工程でステム1
の上面にキャップ2の下端部を抵抗溶接し、第4の工程
でキャップ2の上面にホログラム素子10を硬化樹脂1
1で固定する。したがって、少なくとも4つの工程が必
要となっている。
いては、第1の工程でキャップ2のレーザ光通過窓3の
内面に低融点ガラス9で窓ガラス8を固定し、第2の工
程でステム1の上面のブロック部4に半導体レーザチッ
プ5、信号検出用フォトダイオード6を、ステム1の上
面にPINフォトダイオード7を取り付けるとともに、
半導体レーザチップ5、各フォトダイオード6,7を端
子14に金属ワイヤーで結線し、第3の工程でステム1
の上面にキャップ2の下端部を抵抗溶接し、第4の工程
でキャップ2の上面にホログラム素子10を硬化樹脂1
1で固定する。したがって、少なくとも4つの工程が必
要となっている。
【0020】これに対し、図1を参照して本実施例の半
導体レーザ装置の製造方法においては、第1の工程でキ
ャップ2の内部にレーザ光通過窓3を閉塞するようにホ
ログラム素子10を取り付け、第2の工程でステム1の
上面のブロック部4に半導体レーザチップ5、信号検出
用フォトダイオード6を、ステム1の上面にPINフォ
トダイオード7を取り付けるとともに、半導体レーザチ
ップ5、各フォトダイオード6,7を端子14に金属ワ
イヤーで結線し、第3の工程でステム1の上面にキャッ
プ2の下端部を抵抗溶接する。したがって、3つの工程
となり、従来と比較して工程数が1つ少なくて済むこと
になる。これは、キャップ2内部にホログラム素子10
を取り付けることで、レーザ光通過窓3がホログラム素
子10で閉塞されるから、このレーザ光通過窓3に窓ガ
ラスを取り付ける必要がなくなるうえ、ステム1にキャ
ップ2を固定したのち、そのキャップ2の上面にホログ
ラム素子10を取り付ける必要がなくなり、結果とし
て、3つの工程で済むからである。このようにして本実
施例による製造方法によれば、従来のそれよりも工程数
の削減で製造コストを低減できる。
導体レーザ装置の製造方法においては、第1の工程でキ
ャップ2の内部にレーザ光通過窓3を閉塞するようにホ
ログラム素子10を取り付け、第2の工程でステム1の
上面のブロック部4に半導体レーザチップ5、信号検出
用フォトダイオード6を、ステム1の上面にPINフォ
トダイオード7を取り付けるとともに、半導体レーザチ
ップ5、各フォトダイオード6,7を端子14に金属ワ
イヤーで結線し、第3の工程でステム1の上面にキャッ
プ2の下端部を抵抗溶接する。したがって、3つの工程
となり、従来と比較して工程数が1つ少なくて済むこと
になる。これは、キャップ2内部にホログラム素子10
を取り付けることで、レーザ光通過窓3がホログラム素
子10で閉塞されるから、このレーザ光通過窓3に窓ガ
ラスを取り付ける必要がなくなるうえ、ステム1にキャ
ップ2を固定したのち、そのキャップ2の上面にホログ
ラム素子10を取り付ける必要がなくなり、結果とし
て、3つの工程で済むからである。このようにして本実
施例による製造方法によれば、従来のそれよりも工程数
の削減で製造コストを低減できる。
【0021】次に、ホログラム素子10とブロック部4
に搭載した半導体レーザチップ5、フォトダイオード
6,7の各素子との間の距離の調整について、図4を参
照して説明する従来の場合と、図5を参照して説明する
本実施例の場合とを比較する。図4(a)と図5(a)
はそれぞれキャップ2とホログラム素子10とを上面か
ら見た図であり、図4(b)と図5(b)はそれぞれ側
面から見た図である。従来では図4のようにホログラム
素子10のみをそれの信号を監視しながら、X、Yの各
方向の調整、ならびにθ方向の回転調整を行う。これに
対して、本実施例では図5のようにホログラム素子10
を内部に有したキャップ2そのものを、前記と同様に
X,Yの各方向の調整,ならびにθ方向の回転調整を行
う。したがって、従来の場合も本実施例の場合もその調
整の手間については同様である。
に搭載した半導体レーザチップ5、フォトダイオード
6,7の各素子との間の距離の調整について、図4を参
照して説明する従来の場合と、図5を参照して説明する
本実施例の場合とを比較する。図4(a)と図5(a)
はそれぞれキャップ2とホログラム素子10とを上面か
ら見た図であり、図4(b)と図5(b)はそれぞれ側
面から見た図である。従来では図4のようにホログラム
素子10のみをそれの信号を監視しながら、X、Yの各
方向の調整、ならびにθ方向の回転調整を行う。これに
対して、本実施例では図5のようにホログラム素子10
を内部に有したキャップ2そのものを、前記と同様に
X,Yの各方向の調整,ならびにθ方向の回転調整を行
う。したがって、従来の場合も本実施例の場合もその調
整の手間については同様である。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザ装置
によれば、ステムとこのステムの上面に形成された少な
くとも半導体レーザチップを搭載したブロック部と、下
端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したものでか
つ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前記
ステム上に固定されたキャップと、前記通過窓を閉塞す
るように前記キャップの内部に収納されて固定されたホ
ログラム素子とで構成されているから、装置の取り扱い
の際にホログラム素子の角部が破損されてしまうことが
なくなり、装置としての構造上の信頼性が大きく向上す
る。
によれば、ステムとこのステムの上面に形成された少な
くとも半導体レーザチップを搭載したブロック部と、下
端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したものでか
つ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前記
ステム上に固定されたキャップと、前記通過窓を閉塞す
るように前記キャップの内部に収納されて固定されたホ
ログラム素子とで構成されているから、装置の取り扱い
の際にホログラム素子の角部が破損されてしまうことが
なくなり、装置としての構造上の信頼性が大きく向上す
る。
【0023】また、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法によれば、下端部が開口し上端部にレーザ光の通過窓
を有したキャップの内部に当該通過窓を閉塞するように
ホログラム素子を取り付ける工程と、ステム上面のブロ
ック部に少なくとも半導体レーザチップを取り付ける工
程と、前記キャップの開口下端部を前記ステムの上面に
取り付ける工程とを具備した製造方法であるから、キャ
ップの通過窓に窓ガラスを固定したり、ステムにキャッ
プを固定してからキャップの上面にホログラム素子を固
定する必要がなくなり、従来のそれよりも工程数が削減
されることになって、その製造コストを低減できる。
法によれば、下端部が開口し上端部にレーザ光の通過窓
を有したキャップの内部に当該通過窓を閉塞するように
ホログラム素子を取り付ける工程と、ステム上面のブロ
ック部に少なくとも半導体レーザチップを取り付ける工
程と、前記キャップの開口下端部を前記ステムの上面に
取り付ける工程とを具備した製造方法であるから、キャ
ップの通過窓に窓ガラスを固定したり、ステムにキャッ
プを固定してからキャップの上面にホログラム素子を固
定する必要がなくなり、従来のそれよりも工程数が削減
されることになって、その製造コストを低減できる。
【図1】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の正
面から見た断面図である。
面から見た断面図である。
【図2】図1のAーA線に沿う断面図である。
【図3】キャップにホログラム素子を取り付ける場合の
説明に供する図である。
説明に供する図である。
【図4】従来の半導体レーザ装置の製造方法の説明に供
する図である。
する図である。
【図5】本発明の実施例に係る半導体レーザ装置の製造
方法の説明に供する図である。
方法の説明に供する図である。
【図6】従来の半導体レーザ装置を正面から見だ断面図
である。
である。
1 ステム 2 キャップ 3 レーザ光通過窓 4 ブロック部 5 半導体レーザチップ 6 信号検出用フォトダイオード 7 PINフォトダイオード 9 低融点ガラス 10 ホログラム素子 12 回折格子 13 ホログラム 14 端子
Claims (3)
- 【請求項1】 ステムと前記ステムの上面に形成された
少なくとも半導体レーザチップを搭載したブロック部
と、 下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したもので
かつ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前
記ステムの上面に固定されたキャップと、 前記通過窓を閉塞するように前記キャップの内部に収納
されて固定されたホログラム素子と、 を具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 前記ホログラム素子が、前記キャップの
内面に低融点ガラスで固定されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓
を有したキャップの内部に当該通過窓を閉塞するように
ホログラム素子を取り付ける工程と、 ステム上面のブロック部に少なくとも半導体レーザチッ
プを取り付ける工程と、 前記キャップの開口下端部を
前記ステムの上面に取り付ける工程とを具備したことを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029295A JPH08213659A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029295A JPH08213659A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213659A true JPH08213659A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12023098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2029295A Pending JPH08213659A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7099261B2 (en) | 2000-07-14 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device and optical integrated device |
-
1995
- 1995-02-08 JP JP2029295A patent/JPH08213659A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7099261B2 (en) | 2000-07-14 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device and optical integrated device |
| US7480229B2 (en) | 2000-07-14 | 2009-01-20 | Panasonic Corporation | Light-emitting device and optical integrated device |
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