JPH08213873A - 弾性表面波素子デバイス - Google Patents
弾性表面波素子デバイスInfo
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- JPH08213873A JPH08213873A JP7018034A JP1803495A JPH08213873A JP H08213873 A JPH08213873 A JP H08213873A JP 7018034 A JP7018034 A JP 7018034A JP 1803495 A JP1803495 A JP 1803495A JP H08213873 A JPH08213873 A JP H08213873A
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- surface acoustic
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- electrode pads
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/058—Holders or supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders or supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波素子デバイスに関し、小型化が可
能で、比較的に低コストで製造可能にすることを目的と
する。 【構成】 弾性表面波素子チップ１２をフェースダウン
式に基板１４に搭載した弾性表面波素子デバイス１０で
あって、該チップの第１の表面１２ａには表面波が伝播
する電極１６、１８及び電極パッド２０〜３０が形成さ
れ、該基板の第１の表面１４ａには該チップの電極パッ
ドと対応する電極パッド２０ａ〜３０ａが形成され、該
チップの第１の表面と該基板の第１の表面とが対向して
配置され、該チップの電極パッドと該基板の電極パッド
とはバンプ３２により接続されており、該チップの電極
及び電極パッドの周辺部と該基板の電極パッドの周辺部
とは連続環状の封止材３４、３６により気密に接合され
ている構成とする。
能で、比較的に低コストで製造可能にすることを目的と
する。 【構成】 弾性表面波素子チップ１２をフェースダウン
式に基板１４に搭載した弾性表面波素子デバイス１０で
あって、該チップの第１の表面１２ａには表面波が伝播
する電極１６、１８及び電極パッド２０〜３０が形成さ
れ、該基板の第１の表面１４ａには該チップの電極パッ
ドと対応する電極パッド２０ａ〜３０ａが形成され、該
チップの第１の表面と該基板の第１の表面とが対向して
配置され、該チップの電極パッドと該基板の電極パッド
とはバンプ３２により接続されており、該チップの電極
及び電極パッドの周辺部と該基板の電極パッドの周辺部
とは連続環状の封止材３４、３６により気密に接合され
ている構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波素子デバイス
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話やコードレス電話は小型
化及び軽量化が進み、急速に普及してきている。これら
の電話装置の高周波回路にはフィルタが使用されてい
る。最近、小型化及び軽量化の実現のために、弾性表面
波素子を使用したフィルタが使用されてきている。
化及び軽量化が進み、急速に普及してきている。これら
の電話装置の高周波回路にはフィルタが使用されてい
る。最近、小型化及び軽量化の実現のために、弾性表面
波素子を使用したフィルタが使用されてきている。
【０００３】弾性表面波素子は、ＳＡＷ（surface acou
stic wave)素子と呼ばれ、例えば水晶やニオブ酸リチウ
ム等の圧電性の板の表面にＩＤＴ（インターデジタルト
ランスデューサ）と呼ばれる櫛歯状の電極と電極パッド
を設けたチップとして形成され、高周波を印加すること
により、該チップの表面に沿って表面波が伝播するもの
である。櫛歯状の電極のピッチやパターンを変えること
により、通過する表面波の周波数を選択することがで
き、よって高周波回路のフィルタとして使用できる。
stic wave)素子と呼ばれ、例えば水晶やニオブ酸リチウ
ム等の圧電性の板の表面にＩＤＴ（インターデジタルト
ランスデューサ）と呼ばれる櫛歯状の電極と電極パッド
を設けたチップとして形成され、高周波を印加すること
により、該チップの表面に沿って表面波が伝播するもの
である。櫛歯状の電極のピッチやパターンを変えること
により、通過する表面波の周波数を選択することがで
き、よって高周波回路のフィルタとして使用できる。
【０００４】弾性表面波素子チップは、セラミック基板
等に気密に実装されて弾性表面波素子デバイスとして使
用される。従来の弾性表面波素子の実装方法を図７から
図９に示す。図７に示す実装方法は、ＣＡＮケース３０
を使用したもので、弾性表面波素子チップ３２をベース
３４上に樹脂にて接着し、アルミワイヤ３６によりして
電気コンタクトをとっている。ＣＡＮケース３０とベー
ス３４は溶接され、中の気密が保たれる。
等に気密に実装されて弾性表面波素子デバイスとして使
用される。従来の弾性表面波素子の実装方法を図７から
図９に示す。図７に示す実装方法は、ＣＡＮケース３０
を使用したもので、弾性表面波素子チップ３２をベース
３４上に樹脂にて接着し、アルミワイヤ３６によりして
電気コンタクトをとっている。ＣＡＮケース３０とベー
ス３４は溶接され、中の気密が保たれる。
【０００５】図８に示す実装方法は、セラミックパッケ
ージ３８とメタルキャップ４０を使用したもので、弾性
表面波素子チップ３２はセラミックパッケージ３８内に
樹脂にて接着し、アルミワイヤ３６を使用して電気コン
タクトをとっている。セラミックパッケージ３８又はメ
タルキャップ４０の周囲にＡｕ−Ｓｎやコバール等の封
止材４２が形成されている。
ージ３８とメタルキャップ４０を使用したもので、弾性
表面波素子チップ３２はセラミックパッケージ３８内に
樹脂にて接着し、アルミワイヤ３６を使用して電気コン
タクトをとっている。セラミックパッケージ３８又はメ
タルキャップ４０の周囲にＡｕ−Ｓｎやコバール等の封
止材４２が形成されている。
【０００６】図９に示す実装方法は図８と同様にセラミ
ックパッケージ３８とメタルキャップ４０とを使用した
ものであるが、弾性表面波素子チップ３２上にバンプ３
２が形成されており、フェースダウンボンディングされ
ている（電子情報通信学会９４年度春季大会 Ａ−４３
３）。
ックパッケージ３８とメタルキャップ４０とを使用した
ものであるが、弾性表面波素子チップ３２上にバンプ３
２が形成されており、フェースダウンボンディングされ
ている（電子情報通信学会９４年度春季大会 Ａ−４３
３）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図７に示した実装方法
では、ＣＡＮケース３０を使用した場合、小型化が困難
であるという問題点があった。図８及び図９に示した実
装方法では、セラミックパッケージ３８とメタルキャッ
プ４０を使用したものでは、小型化は可能であるが、コ
スト高になってしまうという問題点があった。
では、ＣＡＮケース３０を使用した場合、小型化が困難
であるという問題点があった。図８及び図９に示した実
装方法では、セラミックパッケージ３８とメタルキャッ
プ４０を使用したものでは、小型化は可能であるが、コ
スト高になってしまうという問題点があった。
【０００８】さらに、弾性表面波素子では、表面波がチ
ップの櫛歯状の電極及び電極パッドを設けた表面に沿っ
て伝播するので、この表面にひずみが生じるのは好まし
くない。従って、弾性表面波素子の実装に際しては、チ
ップの櫛歯状の電極及び電極パッドを設けた表面にひず
みが生じないように工夫するのが好ましい。ところが、
弾性表面波素子チップとセラミック基板等の周辺部を封
止材によって気密に接合する場合、封止材の厚さによ
り、弾性表面波素子チップの中央部分がひずみやすいと
いう問題点があった。さらに、弾性表面波素子では、高
周波を使用する場合、耐ノイズ性の向上を得る上で、櫛
歯状の電極と平行に広いグランド層を設けるのが好まし
い。又、入出力電極間のアイソレーションの効果があ
る。
ップの櫛歯状の電極及び電極パッドを設けた表面に沿っ
て伝播するので、この表面にひずみが生じるのは好まし
くない。従って、弾性表面波素子の実装に際しては、チ
ップの櫛歯状の電極及び電極パッドを設けた表面にひず
みが生じないように工夫するのが好ましい。ところが、
弾性表面波素子チップとセラミック基板等の周辺部を封
止材によって気密に接合する場合、封止材の厚さによ
り、弾性表面波素子チップの中央部分がひずみやすいと
いう問題点があった。さらに、弾性表面波素子では、高
周波を使用する場合、耐ノイズ性の向上を得る上で、櫛
歯状の電極と平行に広いグランド層を設けるのが好まし
い。又、入出力電極間のアイソレーションの効果があ
る。
【０００９】本発明の目的は、小型化が可能で、比較的
に低コストで製造可能な弾性表面波素子デバイスを提供
することである。本発明の他の目的は、弾性表面波素子
チップにひずみが生じないような弾性表面波素子デバイ
スを提供することである。
に低コストで製造可能な弾性表面波素子デバイスを提供
することである。本発明の他の目的は、弾性表面波素子
チップにひずみが生じないような弾性表面波素子デバイ
スを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
素子デバイスは、弾性表面波素子チップ１２をフェース
ダウン式に基板１４に搭載した弾性表面波素子デバイス
１０であって、該チップの第１の表面１２ａには表面波
が伝播する電極１６、１８及び電極パッド２０〜３０が
形成され、該基板の第１の表面１４ａには該チップの電
極パッドと対応する電極パッド２０ａ〜３０ａが形成さ
れ、該チップの第１の表面と該基板の第１の表面とが対
向して配置され、該チップの電極パッドと該基板の電極
パッドとはバンプ３２により接続されており、該チップ
の電極及び電極パッドの周辺部と該基板の電極パッドの
周辺部とは連続環状の封止材３４、３６により気密に接
合されていることを特徴とするものである。
素子デバイスは、弾性表面波素子チップ１２をフェース
ダウン式に基板１４に搭載した弾性表面波素子デバイス
１０であって、該チップの第１の表面１２ａには表面波
が伝播する電極１６、１８及び電極パッド２０〜３０が
形成され、該基板の第１の表面１４ａには該チップの電
極パッドと対応する電極パッド２０ａ〜３０ａが形成さ
れ、該チップの第１の表面と該基板の第１の表面とが対
向して配置され、該チップの電極パッドと該基板の電極
パッドとはバンプ３２により接続されており、該チップ
の電極及び電極パッドの周辺部と該基板の電極パッドの
周辺部とは連続環状の封止材３４、３６により気密に接
合されていることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】上記した構成においては、弾性表面波素子チッ
プをフェースダウン式に基板に搭載したものである。弾
性表面波素子チップの電極パッドと基板の電極パッドと
はバンプにより接続されており、該チップの電極及び電
極パッドの周辺部と該基板の電極パッドの周辺部とは連
続環状の封止材により気密に接合されている。従って、
例えば図８及び図９のメタルキャップ４０をなくすこと
ができ、小型化及び低コストを実現できる。
プをフェースダウン式に基板に搭載したものである。弾
性表面波素子チップの電極パッドと基板の電極パッドと
はバンプにより接続されており、該チップの電極及び電
極パッドの周辺部と該基板の電極パッドの周辺部とは連
続環状の封止材により気密に接合されている。従って、
例えば図８及び図９のメタルキャップ４０をなくすこと
ができ、小型化及び低コストを実現できる。
【００１２】さらに、上記構成に加えて、該チップの第
１の表面が実質的に平坦であり、該基板の第１の表面が
電極パッドを含む平坦な中央部分と該中央部分の周囲に
位置し且つ該中央部分から段差のついた高さで形成され
た平坦な周辺部分とを有し、該封止材は該周辺部分に配
置され、該中央部分と該周辺部分の段差がバンプの厚さ
と該封止材の厚さの差を吸収するように定められている
構成とすることができる。この構成によると、基板の中
央部分と周辺部分の段差がバンプの厚さと該封止材の厚
さの差を吸収するように定められているので、弾性表面
波素子チップにひずみが生じないような実装構造が得ら
れる。
１の表面が実質的に平坦であり、該基板の第１の表面が
電極パッドを含む平坦な中央部分と該中央部分の周囲に
位置し且つ該中央部分から段差のついた高さで形成され
た平坦な周辺部分とを有し、該封止材は該周辺部分に配
置され、該中央部分と該周辺部分の段差がバンプの厚さ
と該封止材の厚さの差を吸収するように定められている
構成とすることができる。この構成によると、基板の中
央部分と周辺部分の段差がバンプの厚さと該封止材の厚
さの差を吸収するように定められているので、弾性表面
波素子チップにひずみが生じないような実装構造が得ら
れる。
【００１３】
【実施例】図１及び図２は本発明の第１実施例を示す図
である。弾性表面波素子デバイス１０は、弾性表面波素
子チップ１２がフェースダウン式にセラミック基板１４
に搭載されたものである。弾性表面波素子チップ１２
は、例えば水晶やニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウ
ムの圧電性の板の表面１２ａにＩＤＴ（インターデジタ
ルトランスデューサ）と呼ばれる櫛歯状の電極１６、１
８と電極パッド２０〜３０を設けたチップとして形成さ
れる。この実施例においては、金のバンプ３２が電極パ
ッド２０〜３０の上に設けられている。なお、金のバン
プ３２は、弾性表面波素子チップ１２に設ける代わり
に、セラミック基板１４の方に設けることもできる。
である。弾性表面波素子デバイス１０は、弾性表面波素
子チップ１２がフェースダウン式にセラミック基板１４
に搭載されたものである。弾性表面波素子チップ１２
は、例えば水晶やニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウ
ムの圧電性の板の表面１２ａにＩＤＴ（インターデジタ
ルトランスデューサ）と呼ばれる櫛歯状の電極１６、１
８と電極パッド２０〜３０を設けたチップとして形成さ
れる。この実施例においては、金のバンプ３２が電極パ
ッド２０〜３０の上に設けられている。なお、金のバン
プ３２は、弾性表面波素子チップ１２に設ける代わり
に、セラミック基板１４の方に設けることもできる。
【００１４】電極パッド２０、３０はグランド端子であ
り、電極パッド２４、２６は信号端子である。電極パッ
ド２２、２８はダミーである。例えば、一方の櫛歯状の
電極１６のグランド端子と信号端子との間に高周波電流
を流すことにより、該チップの表面１２ａに沿って表面
波が伝播し、この表面波は他方の櫛歯状の電極１８のグ
ランド端子と信号端子との間の電流として流れる。櫛歯
状の電極１６、１８のピッチやパターンを変えることに
より、通過する表面波の周波数を選択することができ、
よって高周波回路のフィルタとして使用できる。
り、電極パッド２４、２６は信号端子である。電極パッ
ド２２、２８はダミーである。例えば、一方の櫛歯状の
電極１６のグランド端子と信号端子との間に高周波電流
を流すことにより、該チップの表面１２ａに沿って表面
波が伝播し、この表面波は他方の櫛歯状の電極１８のグ
ランド端子と信号端子との間の電流として流れる。櫛歯
状の電極１６、１８のピッチやパターンを変えることに
より、通過する表面波の周波数を選択することができ、
よって高周波回路のフィルタとして使用できる。
【００１５】弾性表面波素子チップ１２は、表面１２ａ
上に、櫛歯状の電極１６、１８及び電極パッド２０〜３
０の周辺部に連続環状の封止材３４を設けられている。
この実施例では、封止材３４は金メッキ層からなる。金
のバンプ３２の直径は例えば１００μｍ位であり、使用
時には若干つぶれて例えば８０μｍ位の厚さになる。封
止材３４となる金メッキ層の厚さは金のバンプ３２の直
径よりもかなり小さい。また、櫛歯状の電極１６、１８
及び電極パッド２０〜３０はアルミニウムで形成され
る。
上に、櫛歯状の電極１６、１８及び電極パッド２０〜３
０の周辺部に連続環状の封止材３４を設けられている。
この実施例では、封止材３４は金メッキ層からなる。金
のバンプ３２の直径は例えば１００μｍ位であり、使用
時には若干つぶれて例えば８０μｍ位の厚さになる。封
止材３４となる金メッキ層の厚さは金のバンプ３２の直
径よりもかなり小さい。また、櫛歯状の電極１６、１８
及び電極パッド２０〜３０はアルミニウムで形成され
る。
【００１６】セラミック基板１４の表面１４ａには、弾
性表面波素子チップ１２の電極パッド２０〜３０と対応
する電極パッド２０ａ〜３０ａが設けられている。ま
た、封止材３４と対応する封止材３６が設けられてい
る。この封止材３６は厚さ約４０μｍ、幅約２５０μｍ
のＡｕ−Ｓｎの層からなる。よって、表面１２ａと表面
１４ａとが対向するように配置して、弾性表面波素子チ
ップ１２をフェースダウン式にセラミック基板１４に搭
載することができる。そうすると、電極パッド２０〜３
０と電極パッド２０ａ〜３０ａとが金のバンプ３２を介
して接触し、封止材３４と封止材３６とが接触する。そ
こで、加圧及び加熱すると、弾性表面波素子チップ１２
がセラミック基板１４に強固に且つ気密に接合する。弾
性表面波素子チップ１２の大きさは例えば２．５×１．
５×０．４ｍｍであり、セラミック基板１４の大きさは
例えば３．０×２．０×１ｍｍ程度である。出来上がっ
た弾性表面波素子デバイス１０の大きさは弾性表面波素
子チップ１２の大きさよりもわずかに大きいだけであ
り、しかも、他の部材を使用していないので、低コスト
で製造できる。
性表面波素子チップ１２の電極パッド２０〜３０と対応
する電極パッド２０ａ〜３０ａが設けられている。ま
た、封止材３４と対応する封止材３６が設けられてい
る。この封止材３６は厚さ約４０μｍ、幅約２５０μｍ
のＡｕ−Ｓｎの層からなる。よって、表面１２ａと表面
１４ａとが対向するように配置して、弾性表面波素子チ
ップ１２をフェースダウン式にセラミック基板１４に搭
載することができる。そうすると、電極パッド２０〜３
０と電極パッド２０ａ〜３０ａとが金のバンプ３２を介
して接触し、封止材３４と封止材３６とが接触する。そ
こで、加圧及び加熱すると、弾性表面波素子チップ１２
がセラミック基板１４に強固に且つ気密に接合する。弾
性表面波素子チップ１２の大きさは例えば２．５×１．
５×０．４ｍｍであり、セラミック基板１４の大きさは
例えば３．０×２．０×１ｍｍ程度である。出来上がっ
た弾性表面波素子デバイス１０の大きさは弾性表面波素
子チップ１２の大きさよりもわずかに大きいだけであ
り、しかも、他の部材を使用していないので、低コスト
で製造できる。
【００１７】セラミック基板１４の表面１４ｂには、電
極パッド２０ｂ〜３０ｂが設けられており、これは表面
１４ａの電極パッド２０ａ〜３０ａと内部のメタライズ
層やバイヤホールにより電気的に接続される。セラミッ
ク基板１４は例えば電極パッド２０ｂ〜３０ｂによりプ
リント回路基板等に搭載することができる。
極パッド２０ｂ〜３０ｂが設けられており、これは表面
１４ａの電極パッド２０ａ〜３０ａと内部のメタライズ
層やバイヤホールにより電気的に接続される。セラミッ
ク基板１４は例えば電極パッド２０ｂ〜３０ｂによりプ
リント回路基板等に搭載することができる。
【００１８】図３及び図４は本発明の第２実施例を示す
図である。弾性表面波素子デバイス１０は、弾性表面波
素子チップ１２がフェースダウン式にセラミック基板１
４に搭載されたものである。図３は簡略化して示されて
いるが、弾性表面波素子チップ１２は図１と同様の櫛歯
状の電極１６、１８と電極パッド２０〜３０を有し、金
のバンプ３２が電極パッド２０〜３０の上に設けられて
いる。セラミック基板１４は図１と同様の電極パッド２
０ａ〜３０ａを有する。封止材３４、３６が図１と同様
に設けられている。
図である。弾性表面波素子デバイス１０は、弾性表面波
素子チップ１２がフェースダウン式にセラミック基板１
４に搭載されたものである。図３は簡略化して示されて
いるが、弾性表面波素子チップ１２は図１と同様の櫛歯
状の電極１６、１８と電極パッド２０〜３０を有し、金
のバンプ３２が電極パッド２０〜３０の上に設けられて
いる。セラミック基板１４は図１と同様の電極パッド２
０ａ〜３０ａを有する。封止材３４、３６が図１と同様
に設けられている。
【００１９】弾性表面波素子チップ１２の表面１２ａは
実質的に平坦である。一方、セラミック基板１４の表面
１４ａは電極パッド２０ａ〜３０ａを含む平坦な中央部
分１４ｃとこの中央部分１４ｃの周囲に位置し且つ中央
部分１４ｃから段差のついた高さで形成された平坦な周
辺部分１４ｐとを有し、中央部分１４ｃが周辺部分１４
ｐより低い凹型断面形状に形成されている。封止材３６
はこの周辺部分１４ｐに配置されている。
実質的に平坦である。一方、セラミック基板１４の表面
１４ａは電極パッド２０ａ〜３０ａを含む平坦な中央部
分１４ｃとこの中央部分１４ｃの周囲に位置し且つ中央
部分１４ｃから段差のついた高さで形成された平坦な周
辺部分１４ｐとを有し、中央部分１４ｃが周辺部分１４
ｐより低い凹型断面形状に形成されている。封止材３６
はこの周辺部分１４ｐに配置されている。
【００２０】上記したように、封止材３４、３６の厚さ
は金のバンプ３２の厚さよりも小さい。従って、セラミ
ック基板１４の表面１４ａが全体的に平坦であると、金
のバンプ３２の厚さと封止材３４、３６の厚さとが異な
るので、弾性表面波素子チップ１２の表面１２ａはひず
むようになって表面波の伝播に好ましくないことが生じ
る可能性がある。この実施例では、セラミック基板１４
の表面１４ａに段差を設けることによって、金のバンプ
３２の厚さと封止材３４、３６の厚さの差を吸収するよ
うに定めることにより、弾性表面波素子チップ１２の表
面１２ａを平坦な状態にすることができる。
は金のバンプ３２の厚さよりも小さい。従って、セラミ
ック基板１４の表面１４ａが全体的に平坦であると、金
のバンプ３２の厚さと封止材３４、３６の厚さとが異な
るので、弾性表面波素子チップ１２の表面１２ａはひず
むようになって表面波の伝播に好ましくないことが生じ
る可能性がある。この実施例では、セラミック基板１４
の表面１４ａに段差を設けることによって、金のバンプ
３２の厚さと封止材３４、３６の厚さの差を吸収するよ
うに定めることにより、弾性表面波素子チップ１２の表
面１２ａを平坦な状態にすることができる。
【００２１】図４は、セラミック基板１４の表面１４ａ
に段差を設ける手段として、及び後で説明する広いグラ
ンド層を形成する手段として、セラミック基板１４が少
なくとも２つの層（図４では３層）で形成されている。
すなわち、セラミック基板１４は、矩形状の上枠板４０
と、中間板４２と、底板４４とからなる。上枠板４０は
中間板４２に重ねられ、周辺部分１４ｐを提供する。中
間板４２の上枠板４０の開口部から露出した部分が中央
部分１４ｃを提供する。
に段差を設ける手段として、及び後で説明する広いグラ
ンド層を形成する手段として、セラミック基板１４が少
なくとも２つの層（図４では３層）で形成されている。
すなわち、セラミック基板１４は、矩形状の上枠板４０
と、中間板４２と、底板４４とからなる。上枠板４０は
中間板４２に重ねられ、周辺部分１４ｐを提供する。中
間板４２の上枠板４０の開口部から露出した部分が中央
部分１４ｃを提供する。
【００２２】従って、上枠板４０の表面には、連続環状
の封止材３６が設けられている。中間板４２の表面に
は、電極パッド２０ａ〜３０ａが設けられている。中間
板４２の電極パッド２４ａ、２６ａは、中間板４２及び
底板４４に設けたバイアホール４８により底板４４の裏
面に設けた電極パッド２４ｂ、２６ｂ（図２参照）に接
続される。
の封止材３６が設けられている。中間板４２の表面に
は、電極パッド２０ａ〜３０ａが設けられている。中間
板４２の電極パッド２４ａ、２６ａは、中間板４２及び
底板４４に設けたバイアホール４８により底板４４の裏
面に設けた電極パッド２４ｂ、２６ｂ（図２参照）に接
続される。
【００２３】上枠板４０には、その表面から側面を通っ
て底面に至るメタライズパターン４６が形成されてお
り、上枠板４０の封止材３６を中間板４２のグランド及
びダミーの電極パッド２０ａ、２２ａ、２８ａ、３０ａ
に接続している。さらに、中間板４２には、その表面か
ら側面を通って底面に至るメタライズパターン５０が形
成されている。
て底面に至るメタライズパターン４６が形成されてお
り、上枠板４０の封止材３６を中間板４２のグランド及
びダミーの電極パッド２０ａ、２２ａ、２８ａ、３０ａ
に接続している。さらに、中間板４２には、その表面か
ら側面を通って底面に至るメタライズパターン５０が形
成されている。
【００２４】底板４４の表面には、バイアホール４８の
領域を除いて、実質的に前面的にベタのグランド層５２
が設けられている。底板４４の裏面には、図２に示した
電極パッド２０ｂ、２２ｂ、２８ｂ、３０ｂが設けられ
る。メタライズパターン５０は電極パッド２０ａ、２２
ａ、２８ａ、３０ａをグランド層５２に接続している。
このグランド層５２は弾性表面波素子チップ１２の櫛歯
状の電極１６、１８よりも実質的に広い面積を有し、耐
ノイズ性の向上や入出力電極間のアイソレーションの向
上といった作用が得られる。そして、底板４４には、そ
の表面から側面を通って底面に至るメタライズパターン
５４が形成されており、グランド層５２を底板４４の裏
面の電極パッド２０ｂ、２２ｂ、２８ｂ、３０ｂ（図２
参照）に接続する。
領域を除いて、実質的に前面的にベタのグランド層５２
が設けられている。底板４４の裏面には、図２に示した
電極パッド２０ｂ、２２ｂ、２８ｂ、３０ｂが設けられ
る。メタライズパターン５０は電極パッド２０ａ、２２
ａ、２８ａ、３０ａをグランド層５２に接続している。
このグランド層５２は弾性表面波素子チップ１２の櫛歯
状の電極１６、１８よりも実質的に広い面積を有し、耐
ノイズ性の向上や入出力電極間のアイソレーションの向
上といった作用が得られる。そして、底板４４には、そ
の表面から側面を通って底面に至るメタライズパターン
５４が形成されており、グランド層５２を底板４４の裏
面の電極パッド２０ｂ、２２ｂ、２８ｂ、３０ｂ（図２
参照）に接続する。
【００２５】図４に示す構造においては、上枠板４０を
中間板４２及び底板４４と同じ材料で作る必要はない。
例えば、上枠板４０をコバールで作ることができ、この
場合には、封止材３６をニッケルメッキとするのがよ
い。
中間板４２及び底板４４と同じ材料で作る必要はない。
例えば、上枠板４０をコバールで作ることができ、この
場合には、封止材３６をニッケルメッキとするのがよ
い。
【００２６】図５及び図６は本発明の第３実施例を示す
図である。弾性表面波素子デバイス１０は、弾性表面波
素子チップ１２がフェースダウン式にセラミック基板１
４に搭載されたものである。図５は簡略化して示されて
いるが、弾性表面波素子チップ１２は図１と同様の櫛歯
状の電極１６、１８と電極パッド２０〜３０を有し、金
のバンプ３２が電極パッド２０〜３０の上に設けられて
いる。セラミック基板１４は図１と同様の電極パッド２
０ａ〜３０ａを有する。
図である。弾性表面波素子デバイス１０は、弾性表面波
素子チップ１２がフェースダウン式にセラミック基板１
４に搭載されたものである。図５は簡略化して示されて
いるが、弾性表面波素子チップ１２は図１と同様の櫛歯
状の電極１６、１８と電極パッド２０〜３０を有し、金
のバンプ３２が電極パッド２０〜３０の上に設けられて
いる。セラミック基板１４は図１と同様の電極パッド２
０ａ〜３０ａを有する。
【００２７】この実施例では、弾性表面波素子チップ１
２の表面１２ａには封止材３４は設けられず、セラミッ
ク基板１４の封止材３６は厚さ３００μｍの低融点ガラ
スで作られている。従って、この場合には、封止材３６
は厚さの方が金のバンプ３２の厚さよりも大きくなる。
なお、封止材３６を樹脂又はその他の材料で作ることも
できる。
２の表面１２ａには封止材３４は設けられず、セラミッ
ク基板１４の封止材３６は厚さ３００μｍの低融点ガラ
スで作られている。従って、この場合には、封止材３６
は厚さの方が金のバンプ３２の厚さよりも大きくなる。
なお、封止材３６を樹脂又はその他の材料で作ることも
できる。
【００２８】この実施例でも、セラミック基板１４の表
面１４ａは電極パッド２０ａ〜３０ａを含む平坦な中央
部分１４ｃとこの中央部分１４ｃの周囲に位置し且つ中
央部分１４ｃから段差のついた高さで形成された平坦な
周辺部分１４ｐとを有するように構成されているが、た
だし、中央部分１４ｃが周辺部分１４ｐより高い凸型断
面形状に形成されている。
面１４ａは電極パッド２０ａ〜３０ａを含む平坦な中央
部分１４ｃとこの中央部分１４ｃの周囲に位置し且つ中
央部分１４ｃから段差のついた高さで形成された平坦な
周辺部分１４ｐとを有するように構成されているが、た
だし、中央部分１４ｃが周辺部分１４ｐより高い凸型断
面形状に形成されている。
【００２９】図６は、セラミック基板１４の表面１４ａ
に段差を設ける手段として、及び広いグランド層を形成
する手段として、セラミック基板１４が２層で形成され
ている。すなわち、セラミック基板１４は、矩形状の上
板６０と、上板６０よりも面積の大きな底板６２とから
なる。よって、上板４０が中央部分１４ｃを提供し、底
板６２が周辺部分１４ｐを提供する。
に段差を設ける手段として、及び広いグランド層を形成
する手段として、セラミック基板１４が２層で形成され
ている。すなわち、セラミック基板１４は、矩形状の上
板６０と、上板６０よりも面積の大きな底板６２とから
なる。よって、上板４０が中央部分１４ｃを提供し、底
板６２が周辺部分１４ｐを提供する。
【００３０】従って、上板６０の表面には、連続環状の
封止材３６が設けられている。中間板４２の表面には、
電極パッド２０ａ〜３０ａが設けられている。底板６２
の周辺部分１４ｐには、封止材３６が設けられる。底板
６２の封止材３６の内部の領域には、弾性表面波素子チ
ップ１２の櫛歯状の電極１６、１８よりも実質的に広い
面積を有するグランド層６４が設けられる。底板４４の
裏面には、図２に示した電極パッド２０ｂ〜３０ｂが設
けられる。
封止材３６が設けられている。中間板４２の表面には、
電極パッド２０ａ〜３０ａが設けられている。底板６２
の周辺部分１４ｐには、封止材３６が設けられる。底板
６２の封止材３６の内部の領域には、弾性表面波素子チ
ップ１２の櫛歯状の電極１６、１８よりも実質的に広い
面積を有するグランド層６４が設けられる。底板４４の
裏面には、図２に示した電極パッド２０ｂ〜３０ｂが設
けられる。
【００３１】上板６０及び底板６２にはそれぞれバイア
ホール６６、６８が設けられ、電極パッド２０ａ〜３０
ａを、それぞれ、グランド層６４及び極パッド２０ｂ〜
３０ｂに接続する。
ホール６６、６８が設けられ、電極パッド２０ａ〜３０
ａを、それぞれ、グランド層６４及び極パッド２０ｂ〜
３０ｂに接続する。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型の弾性表面波素子デバイスを比較的に低コストで得
ることができる。
小型の弾性表面波素子デバイスを比較的に低コストで得
ることができる。
【図１】本発明の第１実施例の弾性表面波素子デバイス
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図２】図１の基板の裏面を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例の弾性表面波素子デバイス
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】図３の基板の構成を示す分解斜視図である。
【図５】本発明の第３実施例の弾性表面波素子デバイス
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】図５の基板の構成を示す分解斜視図である。
【図７】従来技術を示す図である。
【図８】従来技術を示す図である。
【図９】従来技術を示す図である。
１０…弾性表面波素子デバイス １２…弾性表面波素子チップ １４…基板 １６、１８…電極 ２０〜３０…電極パッド ３２…バンプ ３４、３６…封止材 ４０…上枠板 ４２…中間板 ４４…底板 ５２…グランド層 ６０…上板 ６２…底板 ６４…グランド層
Claims (7)
- 【請求項１】 弾性表面波素子チップ（１２）をフェー
スダウン式に基板（１４）に搭載した弾性表面波素子デ
バイス（１０）であって、該チップの第１の表面（１２
ａ）には表面波が伝播する電極（１６、１８）及び電極
パッド（２０〜３０）が形成され、該基板の第１の表面
（１４ａ）には該チップの電極パッドと対応する電極パ
ッド（２０ａ〜３０ａ）が形成され、該チップの第１の
表面と該基板の第１の表面とが対向して配置され、該チ
ップの電極パッドと該基板の電極パッドとはバンプ（３
２）により接続されており、該チップの電極及び電極パ
ッドの周辺部と該基板の電極パッドの周辺部とは連続環
状の封止材（３４、３６）により気密に接合されている
ことを特徴とする弾性表面波素子デバイス。 - 【請求項２】 該チップの第１の表面（１２ａ）が実質
的に平坦であり、該基板の第１の表面（１４ａ）が電極
パッドを含む平坦な中央部分（１４ｃ）と該中央部分の
周囲に位置し且つ該中央部分から段差のついた高さで形
成された平坦な周辺部分（１４ｐ）とを有し、該封止材
（３６）は該周辺部分に配置され、該中央部分と該周辺
部分の段差がバンプ（３２）の厚さと該封止材（３４、
３６）の厚さの差を吸収するように定められていること
をことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子デ
バイス。 - 【請求項３】 該基板（１４）は該中央部分（１４ｃ）
が該周辺部分（１４ｐ）より低い凹型断面形状に形成さ
れることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波素子
デバイス。 - 【請求項４】 該基板（１４）は該中央部分（１４ｃ）
が該周辺部分（１４ｐ）より高い凸型断面形状に形成さ
れることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波素子
デバイス。 - 【請求項５】 該基板（１４）が実質的に該中央部分
（１４ｃ）と該周辺部分（１４ｐ）とを提供する少なく
とも２つの層（４０、４２、４４、６０、６２）で形成
されていることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面
波素子デバイス。 - 【請求項６】 該基板（１４）は、該第１の表面（１４
ａ）と該第１の表面の反対側の第２の表面（１４ｂ）と
の間に表面波が伝播する電極（１６、１８）よりも実質
的に広い面積のグランド層（５２、６４）を有すること
を特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子デバイ
ス。 - 【請求項７】 該基板（１４）の第２の表面（１４ｂ）
には、該第１の表面の電極パッドと接続された電極パッ
ド（２０ｂ〜３０ｂ）が形成されていることを特徴とす
る請求項６に記載の弾性表面波素子デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7018034A JPH08213873A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | 弾性表面波素子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7018034A JPH08213873A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | 弾性表面波素子デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213873A true JPH08213873A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11960395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7018034A Withdrawn JPH08213873A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | 弾性表面波素子デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0991185A2 (en) * | 1998-09-29 | 2000-04-05 | Nec Corporation | Surface elastic wave device having bumps in a definite area on the device and method for manufacturing the same |
| KR100679958B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2007-02-08 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성표면파 장치 |
| US20140368299A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
-
1995
- 1995-02-06 JP JP7018034A patent/JPH08213873A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0991185A2 (en) * | 1998-09-29 | 2000-04-05 | Nec Corporation | Surface elastic wave device having bumps in a definite area on the device and method for manufacturing the same |
| KR100679958B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2007-02-08 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성표면파 장치 |
| US20140368299A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
| US9407235B2 (en) * | 2013-06-13 | 2016-08-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020507 |