JPH11214955A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH11214955A JPH11214955A JP10017096A JP1709698A JPH11214955A JP H11214955 A JPH11214955 A JP H11214955A JP 10017096 A JP10017096 A JP 10017096A JP 1709698 A JP1709698 A JP 1709698A JP H11214955 A JPH11214955 A JP H11214955A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外来の電磁波を極力遮蔽することができ、従
来のように金属製カバーを不要とし、低背位化及び低コ
スト化が可能でしかも従来よりさらに耐湿性を向上させ
信頼性の非常に優れた弾性表面波装置を提供すること。 【解決手段】 圧電基板１ａの下面に弾性表面波を発生
させる励振電極を設けて成る弾性表面波素子１をパッケ
ージ５内に収容した弾性表面波装置Ｓ１であって、圧電
基板１ａの上面側に所定周波数以下の電磁波を遮断する
導電性樹脂層１１を形成するとともに、該導電性樹脂層
１１をパッケージ５に形成した接地用導体パターン８に
接続させたことを特徴とする。
来のように金属製カバーを不要とし、低背位化及び低コ
スト化が可能でしかも従来よりさらに耐湿性を向上させ
信頼性の非常に優れた弾性表面波装置を提供すること。 【解決手段】 圧電基板１ａの下面に弾性表面波を発生
させる励振電極を設けて成る弾性表面波素子１をパッケ
ージ５内に収容した弾性表面波装置Ｓ１であって、圧電
基板１ａの上面側に所定周波数以下の電磁波を遮断する
導電性樹脂層１１を形成するとともに、該導電性樹脂層
１１をパッケージ５に形成した接地用導体パターン８に
接続させたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電気通信分
野における携帯電話やセルラ電話等の移動体用通信機器
に高周波素子として好適に使用されるフリップチップ実
装型の弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置に関す
る。
野における携帯電話やセルラ電話等の移動体用通信機器
に高周波素子として好適に使用されるフリップチップ実
装型の弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のフリップチップ実装法を用いた弾
性表面波フィルタの構造例を図７〜９に断面図にて示
す。
性表面波フィルタの構造例を図７〜９に断面図にて示
す。
【０００３】図７に示す弾性表面波フィルタＪ１は、圧
電基板１ａ上に櫛歯状電極や反射器電極等から成る駆動
電極１ｂを形成した弾性表面波素子（チップ）１をフリ
ップチップ実装によりパッケージ５内に設けたものであ
る。
電基板１ａ上に櫛歯状電極や反射器電極等から成る駆動
電極１ｂを形成した弾性表面波素子（チップ）１をフリ
ップチップ実装によりパッケージ５内に設けたものであ
る。
【０００４】ここで、パッケージ５は基体５ａ、チップ
１の周縁外周部を載置する環状の積層部材５ｂ、これよ
り広い空間を形成する環状の積層部材５ｃ、及びこの上
部に接合部材１０を介して設けられる蓋体４等から構成
され、パッケージ５の外側に電極が形成されている。
１の周縁外周部を載置する環状の積層部材５ｂ、これよ
り広い空間を形成する環状の積層部材５ｃ、及びこの上
部に接合部材１０を介して設けられる蓋体４等から構成
され、パッケージ５の外側に電極が形成されている。
【０００５】また、チップ１の下面に形成された信号用
電極２は、このようなパッケージ５内に形成された信号
用電極７及びフリップチップ接合用電極９にバンプ３を
介して接続されている。なお、図中６はバンプ接合用導
電性接着材である。
電極２は、このようなパッケージ５内に形成された信号
用電極７及びフリップチップ接合用電極９にバンプ３を
介して接続されている。なお、図中６はバンプ接合用導
電性接着材である。
【０００６】図８に示す弾性表面波フィルタＪ２は、図
７の弾性表面波フィルタＪ１における積層部材５ｃ，接
合部材１０の代わりに、溶接用金属環状体５ｅでもって
金属製の蓋体４を接合したものであり、さらに、積層部
材５ｂのパッケージ５内における占有面積を小さくして
チップ１の周縁部外周を載置させないようにしたもので
ある。
７の弾性表面波フィルタＪ１における積層部材５ｃ，接
合部材１０の代わりに、溶接用金属環状体５ｅでもって
金属製の蓋体４を接合したものであり、さらに、積層部
材５ｂのパッケージ５内における占有面積を小さくして
チップ１の周縁部外周を載置させないようにしたもので
ある。
【０００７】図９に示す弾性表面波フィルタＪ３は、図
７の弾性表面波フィルタＪ１における積層部材５ｃ，接
合部材１０の代わりに、溶接用金属環状体５ｅでもって
蓋体４を接合したものである。
７の弾性表面波フィルタＪ１における積層部材５ｃ，接
合部材１０の代わりに、溶接用金属環状体５ｅでもって
蓋体４を接合したものである。
【０００８】このように、従来のフリップチップ実装型
の弾性表面波フィルタは、チップに形成された入出力パ
ッド部に、ワイヤーボンドを施してパッケージとの電気
的接続を取る代りに、入出力パッド部にＡｕまたはＣｕ
等の金属製のバンプを形成し、バンプを導電性接着剤も
しくははんだ等とすることによりチップをパッケージ内
に接続する構造を有している。
の弾性表面波フィルタは、チップに形成された入出力パ
ッド部に、ワイヤーボンドを施してパッケージとの電気
的接続を取る代りに、入出力パッド部にＡｕまたはＣｕ
等の金属製のバンプを形成し、バンプを導電性接着剤も
しくははんだ等とすることによりチップをパッケージ内
に接続する構造を有している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
でのフリップチップ実装の主な課題は、チップの下面側
に構成した弾性表面波素子の金属膜電極を半田もしくは
導電性接着剤等で汚染・短絡させないことであり、パッ
ケージ内の気密構造や外来雑音の防止構造についてはほ
とんど考慮されることがなく、また適正になされてこな
かった。しかも、従来のフリップチップ実装は、専ら低
面積化手段としてが用いられてきたにすぎず、パッケー
ジの低背位化や装置全体の低コスト化を向上させるもの
でもなかった。
でのフリップチップ実装の主な課題は、チップの下面側
に構成した弾性表面波素子の金属膜電極を半田もしくは
導電性接着剤等で汚染・短絡させないことであり、パッ
ケージ内の気密構造や外来雑音の防止構造についてはほ
とんど考慮されることがなく、また適正になされてこな
かった。しかも、従来のフリップチップ実装は、専ら低
面積化手段としてが用いられてきたにすぎず、パッケー
ジの低背位化や装置全体の低コスト化を向上させるもの
でもなかった。
【００１０】なお、外来雑音（特に外来の電磁波）の遮
蔽を必要としない弾性表面波装置において、低背位構造
を目的として樹脂による埋め込み構造を持たせた装置が
提案されているものの、樹脂を気密構造材とした場合に
耐湿性に問題があった。なおまた、疎水性樹脂を使用し
た充填構造も提案されているが、このような樹脂構造だ
けでは耐湿性は不十分であった。
蔽を必要としない弾性表面波装置において、低背位構造
を目的として樹脂による埋め込み構造を持たせた装置が
提案されているものの、樹脂を気密構造材とした場合に
耐湿性に問題があった。なおまた、疎水性樹脂を使用し
た充填構造も提案されているが、このような樹脂構造だ
けでは耐湿性は不十分であった。
【００１１】そこで、本発明では外来の電磁波を極力遮
蔽することができ、従来のように金属製カバーを不要と
し、低背位化及び低コスト化が可能でしかも従来よりさ
らに耐湿性を向上させ信頼性の非常に優れた弾性表面波
装置を提供することを目的とする。
蔽することができ、従来のように金属製カバーを不要と
し、低背位化及び低コスト化が可能でしかも従来よりさ
らに耐湿性を向上させ信頼性の非常に優れた弾性表面波
装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板の下面に弾性
表面波を発生させる励振電極を設けて成る弾性表面波素
子をパッケージ内に収容した弾性表面波装置であって、
前記圧電基板の上面側に所定周波数以下の電磁波を遮断
する導電性樹脂層を形成するとともに、該導電性樹脂層
を前記パッケージに形成した接地用導体パターンに接続
させたことを特徴とする。
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板の下面に弾性
表面波を発生させる励振電極を設けて成る弾性表面波素
子をパッケージ内に収容した弾性表面波装置であって、
前記圧電基板の上面側に所定周波数以下の電磁波を遮断
する導電性樹脂層を形成するとともに、該導電性樹脂層
を前記パッケージに形成した接地用導体パターンに接続
させたことを特徴とする。
【００１３】また、圧電基板と導電性樹脂層との間、及
び／又は導電性樹脂層の上面側に、金属薄膜及び／又は
疎水性樹脂層を配したことを特徴とする。これにより耐
湿性を向上させるとともに低背位化を向上させることが
できる。
び／又は導電性樹脂層の上面側に、金属薄膜及び／又は
疎水性樹脂層を配したことを特徴とする。これにより耐
湿性を向上させるとともに低背位化を向上させることが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る弾性表面波
装置の一実施形態について図面に基づいて詳細に説明す
る。まず、図１及び図２に本発明に係る弾性表面波フィ
ルタの基本構造を断面図にて示す。
装置の一実施形態について図面に基づいて詳細に説明す
る。まず、図１及び図２に本発明に係る弾性表面波フィ
ルタの基本構造を断面図にて示す。
【００１５】図１に示す弾性表面波フィルタＳ１は、ニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム
（ＬｉＴａＯ3 ）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2 Ｂ
4 Ｏ7 ）、または、Ｌａ3 Ｇａ5.5 Ｎｂ0.5 Ｏ14等のラ
ンガサイト型単結晶などから成る圧電基板１ａの下面
に、櫛歯状の励振電極やその両側に設けた反射器電極等
から成る駆動電極の複数を格子型やラダー型回路に接続
した電極パターン１ｂを設けた弾性表面波素子（チッ
プ）１を、フリップチップ実装によりパッケージ５内に
収容したものである。
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム
（ＬｉＴａＯ3 ）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2 Ｂ
4 Ｏ7 ）、または、Ｌａ3 Ｇａ5.5 Ｎｂ0.5 Ｏ14等のラ
ンガサイト型単結晶などから成る圧電基板１ａの下面
に、櫛歯状の励振電極やその両側に設けた反射器電極等
から成る駆動電極の複数を格子型やラダー型回路に接続
した電極パターン１ｂを設けた弾性表面波素子（チッ
プ）１を、フリップチップ実装によりパッケージ５内に
収容したものである。
【００１６】ここで、パッケージ５はガラスセラッミク
スまたはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックスから
成る基体５ａ、これと同様な部材で構成されチップ１の
周縁外周部を載置する環状の積層部材５ｂ、同様な部材
で積層部材５ｂより広い空間を形成する環状の積層部材
５ｃから構成され、このパッケージ５の内側及び外側に
接地用の導体パターン８が平面状またはキャスタレーシ
ョン状に形成されている。また、パッケージ５の内側、
すなわち、基体５ａの上面の所定領域にも信号用電極７
及びフリップチップ接合用電極９が形成されている。
スまたはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックスから
成る基体５ａ、これと同様な部材で構成されチップ１の
周縁外周部を載置する環状の積層部材５ｂ、同様な部材
で積層部材５ｂより広い空間を形成する環状の積層部材
５ｃから構成され、このパッケージ５の内側及び外側に
接地用の導体パターン８が平面状またはキャスタレーシ
ョン状に形成されている。また、パッケージ５の内側、
すなわち、基体５ａの上面の所定領域にも信号用電極７
及びフリップチップ接合用電極９が形成されている。
【００１７】また、チップ１の下面には電極パターン１
ｂに接続された信号用電極２が形成され、この信号用電
極はパッケージ５側の信号用電極及びフリップチップ接
合用電極９にバンプ３を介して接続されている。
ｂに接続された信号用電極２が形成され、この信号用電
極はパッケージ５側の信号用電極及びフリップチップ接
合用電極９にバンプ３を介して接続されている。
【００１８】さらに、チップ１の裏面側（圧電基板１ａ
の上面側）には、圧電基板１ａの上面及び側面を完全に
覆う導電性樹脂層１１が滴下または射出による形成法に
より形成されている。この導電性樹脂層１１は、厚さが
１mm以下程度で１０Ω・cm以下の抵抗値を有するもので
あり、例えばエポキシ系、ウレタン系、シリコン系、又
はポリイミド系等の樹脂中に所定のアスペクト比及び分
布を成す導電性フィラーが分散されており、導電性樹脂
層１１の厚みや導電性フィラーのアスペクト比等により
決定される所定周波数以下（所定波長以上：λ／３以
上、なお、λは弾性表面波の波長）の電磁波を遮断する
役割を果たす。ここで、導電性フィラーとしては、Ａ
ｕ、またはＡｇ、またはＡｇ−Ｐｄ合金、またはＮｉ等
の例えばフレーク状フィラーを使用するとよい。このフ
レーク状フィラーの粒径を適宜設定することにより所定
周波数以下の電磁波を遮断させることが可能となる。
の上面側）には、圧電基板１ａの上面及び側面を完全に
覆う導電性樹脂層１１が滴下または射出による形成法に
より形成されている。この導電性樹脂層１１は、厚さが
１mm以下程度で１０Ω・cm以下の抵抗値を有するもので
あり、例えばエポキシ系、ウレタン系、シリコン系、又
はポリイミド系等の樹脂中に所定のアスペクト比及び分
布を成す導電性フィラーが分散されており、導電性樹脂
層１１の厚みや導電性フィラーのアスペクト比等により
決定される所定周波数以下（所定波長以上：λ／３以
上、なお、λは弾性表面波の波長）の電磁波を遮断する
役割を果たす。ここで、導電性フィラーとしては、Ａ
ｕ、またはＡｇ、またはＡｇ−Ｐｄ合金、またはＮｉ等
の例えばフレーク状フィラーを使用するとよい。このフ
レーク状フィラーの粒径を適宜設定することにより所定
周波数以下の電磁波を遮断させることが可能となる。
【００１９】この弾性表面波フィルタＳ１によれば、導
電性樹脂層をパッケージの内外に形成した接地用導体パ
ターンに接続するようにしたので、チップ１の裏面より
飛び込んで来る所定周波数以下の電磁波を遮断すること
ができ、外来雑音の影響のない良好なフィルタ特性を有
する弾性表面波フィルタを提供することができる。
電性樹脂層をパッケージの内外に形成した接地用導体パ
ターンに接続するようにしたので、チップ１の裏面より
飛び込んで来る所定周波数以下の電磁波を遮断すること
ができ、外来雑音の影響のない良好なフィルタ特性を有
する弾性表面波フィルタを提供することができる。
【００２０】図２に示す弾性表面波フィルタＳ２は、図
１に示す弾性表面波フィルタＳ１とチップ１の保持構造
を変えたものであり、積層部材５ｂの空間形成領域を広
くとり、その空間内にチップ１を納めることにより、バ
ンプ形成精度が十分に取れない場合に有効な構成とする
ことができる。
１に示す弾性表面波フィルタＳ１とチップ１の保持構造
を変えたものであり、積層部材５ｂの空間形成領域を広
くとり、その空間内にチップ１を納めることにより、バ
ンプ形成精度が十分に取れない場合に有効な構成とする
ことができる。
【００２１】図３に示す弾性表面波フィルタＳ３は、図
２に示す弾性表面波フィルタＳ２のチップ１の裏面側の
構成をさらに発展させたものであり、導電性樹脂層１１
の上面を金属薄膜やウレタン系樹脂やシリコーン樹脂等
の疎水性樹脂層１２を介在させることにより、耐湿性を
向上させたものである。この構成によれば、特に硬化後
にポーラスとなりやすい導電性樹脂層１１の上面を疎水
性の層でオーバーコートすることにより、導電性樹脂層
１１を通じて入ってくる水分を極力遮断することがで
き、信頼性の優れた弾性表面波フィルタを提供すること
ができる。
２に示す弾性表面波フィルタＳ２のチップ１の裏面側の
構成をさらに発展させたものであり、導電性樹脂層１１
の上面を金属薄膜やウレタン系樹脂やシリコーン樹脂等
の疎水性樹脂層１２を介在させることにより、耐湿性を
向上させたものである。この構成によれば、特に硬化後
にポーラスとなりやすい導電性樹脂層１１の上面を疎水
性の層でオーバーコートすることにより、導電性樹脂層
１１を通じて入ってくる水分を極力遮断することがで
き、信頼性の優れた弾性表面波フィルタを提供すること
ができる。
【００２２】図４に示す弾性表面波フィルタＳ４は、図
１に示す弾性表面波フィルタＳ１の構成に図３に示す弾
性表面波フィルタＳ３のチップ１の裏面側の積層構造を
適用させたものであり、耐湿性については弾性表面波フ
ィルタＳ３と同様な作用効果を奏する。
１に示す弾性表面波フィルタＳ１の構成に図３に示す弾
性表面波フィルタＳ３のチップ１の裏面側の積層構造を
適用させたものであり、耐湿性については弾性表面波フ
ィルタＳ３と同様な作用効果を奏する。
【００２３】図５に示す弾性表面波フィルタＳ５は、図
１に示す弾性表面波フィルタＳ１のチップ１の裏面側の
構成を発展させたものであり、圧電基板１ａの上面及び
側面を完全に覆う疎水性樹脂層１２を厚さ５０〜１００
μm 程度に設け、さらにこの疎水性樹脂層１２上に外来
雑音を遮断する導電性樹脂層１１を設け、この導電性樹
脂層１１上に疎水性樹脂層１２を厚さ１５０〜５００μ
m 度に設けることにより、チップ１の裏面側に直接、導
電性樹脂層１１を設けることを防止し、これによりチッ
プ１の主面への導電性樹脂の汚染をより効果的に防止で
きる。なお、チップ１の裏面側における応力緩和のため
には、疎水性樹脂層１２にウレタン系の樹脂を使用する
とよい。
１に示す弾性表面波フィルタＳ１のチップ１の裏面側の
構成を発展させたものであり、圧電基板１ａの上面及び
側面を完全に覆う疎水性樹脂層１２を厚さ５０〜１００
μm 程度に設け、さらにこの疎水性樹脂層１２上に外来
雑音を遮断する導電性樹脂層１１を設け、この導電性樹
脂層１１上に疎水性樹脂層１２を厚さ１５０〜５００μ
m 度に設けることにより、チップ１の裏面側に直接、導
電性樹脂層１１を設けることを防止し、これによりチッ
プ１の主面への導電性樹脂の汚染をより効果的に防止で
きる。なお、チップ１の裏面側における応力緩和のため
には、疎水性樹脂層１２にウレタン系の樹脂を使用する
とよい。
【００２４】図６に示す弾性表面波フィルタＳ６は、図
５に示す弾性表面波フィルタＳ５のチップ１の裏面側を
改良したものであり、導電性樹脂層１１と疎水性樹脂層
１２との間にアルミニウム等の金属薄膜を成膜すること
により、樹脂の透湿性による水分の浸入をさらに良好に
防止させることができる。
５に示す弾性表面波フィルタＳ５のチップ１の裏面側を
改良したものであり、導電性樹脂層１１と疎水性樹脂層
１２との間にアルミニウム等の金属薄膜を成膜すること
により、樹脂の透湿性による水分の浸入をさらに良好に
防止させることができる。
【００２５】なお、本発明の弾性表面波装置は、上記構
成の弾性表面波フィルタに限定されるものではなく、弾
性表面波共振器等にも適用でき、また、圧電基板と導電
性樹脂層との間、及び／又は導電性樹脂層の上面側に、
金属薄膜及び／又は疎水性樹脂層を配していればよく、
特に構成部材の種類及びチップの裏面（上面）側の層構
成について、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更
実施が可能である。
成の弾性表面波フィルタに限定されるものではなく、弾
性表面波共振器等にも適用でき、また、圧電基板と導電
性樹脂層との間、及び／又は導電性樹脂層の上面側に、
金属薄膜及び／又は疎水性樹脂層を配していればよく、
特に構成部材の種類及びチップの裏面（上面）側の層構
成について、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更
実施が可能である。
【００２６】
【実施例】図３に示す弾性表面波フィルタＳ３におい
て、基板として４２°回転ＹカットＸ方向伝搬のリチウ
ムタンタレート（ＬｉＴａＯ3 ）単結晶からなる圧電基
板上に、櫛歯状電極から成る励振電極及びその両側に設
けた反射器電極で構成された弾性表面波共振子の複数を
格子型回路に接続し、これら共振子の接続用共通電極及
びバンプ形成用共通電極を配してなるチップをガラスセ
ラミックスまたはＡｌ2 Ｏ3 のセラッミク製パッケージ
内にフリップチップボンディングで接続した。
て、基板として４２°回転ＹカットＸ方向伝搬のリチウ
ムタンタレート（ＬｉＴａＯ3 ）単結晶からなる圧電基
板上に、櫛歯状電極から成る励振電極及びその両側に設
けた反射器電極で構成された弾性表面波共振子の複数を
格子型回路に接続し、これら共振子の接続用共通電極及
びバンプ形成用共通電極を配してなるチップをガラスセ
ラミックスまたはＡｌ2 Ｏ3 のセラッミク製パッケージ
内にフリップチップボンディングで接続した。
【００２７】ここで、チップは中心周波数が約９００Ｍ
Ｈｚ帯であり、励振電極の電極指は６０対、交差幅１５
λ（λ：弾性表面波の波長）、電極の材質は蒸着によっ
て成膜したアルミニウムを用い、その厚みは４１０ｎｍ
とした。また、電極指幅及び電極指間距離はそれぞれ１
μm であった。また、バンプとしてＡｕを用いた。
Ｈｚ帯であり、励振電極の電極指は６０対、交差幅１５
λ（λ：弾性表面波の波長）、電極の材質は蒸着によっ
て成膜したアルミニウムを用い、その厚みは４１０ｎｍ
とした。また、電極指幅及び電極指間距離はそれぞれ１
μm であった。また、バンプとしてＡｕを用いた。
【００２８】なお、移動体通信端末機等に使用する目的
で、機械的強度に高い信頼性を求められる場合、前述の
アルミニウムの電極膜厚みをバンプ形成用の共通電極部
のみ約１μm 程度に厚く設計する場合もある。
で、機械的強度に高い信頼性を求められる場合、前述の
アルミニウムの電極膜厚みをバンプ形成用の共通電極部
のみ約１μm 程度に厚く設計する場合もある。
【００２９】なおまた、チップとパッケージとの間隔
は、使用する導電性樹脂の粘度によって許容範囲は異な
るが、フリップチップ実装時に使用するダイボンディン
グ装置の機械的位置精度が約３００μm 程度である事を
考慮すると、使用する導電性樹脂の粘度は１００ｃｐ以
上であれば問題が無いため、この実施例では厚さ０．２
mmのシリコーン樹脂を用いた。
は、使用する導電性樹脂の粘度によって許容範囲は異な
るが、フリップチップ実装時に使用するダイボンディン
グ装置の機械的位置精度が約３００μm 程度である事を
考慮すると、使用する導電性樹脂の粘度は１００ｃｐ以
上であれば問題が無いため、この実施例では厚さ０．２
mmのシリコーン樹脂を用いた。
【００３０】また、導電性樹脂に分散させる導電性フィ
ラーはＡｕを用い、その平均粒径を約１００μm 程度と
した。また、フィラー間の隙間は最大で１００μm 程度
であると考えられ、樹脂の導電性が損なわれない限り、
フィラー間の距離から外来雑音の遮断周波数は、ｆ＝３
×１０8 ／（１×１０-4×３）＝１０００（ＧＨｚ）
（電磁波の速度を３×１０8 ｍ／秒、遮断周波数を１／
３波長とした）となり、１０００ＧＨｚ以下の周波数の
雑音を遮断することができ、十分に高周波まで遮断特性
を確保できた。
ラーはＡｕを用い、その平均粒径を約１００μm 程度と
した。また、フィラー間の隙間は最大で１００μm 程度
であると考えられ、樹脂の導電性が損なわれない限り、
フィラー間の距離から外来雑音の遮断周波数は、ｆ＝３
×１０8 ／（１×１０-4×３）＝１０００（ＧＨｚ）
（電磁波の速度を３×１０8 ｍ／秒、遮断周波数を１／
３波長とした）となり、１０００ＧＨｚ以下の周波数の
雑音を遮断することができ、十分に高周波まで遮断特性
を確保できた。
【００３１】また、この導電性樹脂層上にアルミニウム
の金属薄膜を蒸着法により０．５μm 程度の厚みにオー
バーコートし、耐湿性を著しく向上させることができ
た。なお、この金属薄膜の厚みは最低０．１μm 程度あ
れば耐湿性を十分に向上させることができる。好適には
０．１〜０．８μm とする。
の金属薄膜を蒸着法により０．５μm 程度の厚みにオー
バーコートし、耐湿性を著しく向上させることができ
た。なお、この金属薄膜の厚みは最低０．１μm 程度あ
れば耐湿性を十分に向上させることができる。好適には
０．１〜０．８μm とする。
【００３２】
【発明の効果】本発明の弾性表面波装置によれば、導電
性樹脂層をパッケージの内外に形成した接地用導体パタ
ーンに接続するようにしたので、チップの裏面より飛び
込んで来る所定波長以上の電磁波を遮断することがで
き、外来雑音の影響のない特性の良好な弾性表面波装置
を提供することができる。
性樹脂層をパッケージの内外に形成した接地用導体パタ
ーンに接続するようにしたので、チップの裏面より飛び
込んで来る所定波長以上の電磁波を遮断することがで
き、外来雑音の影響のない特性の良好な弾性表面波装置
を提供することができる。
【００３３】また、圧電基板と導電性樹脂層の間、及び
／又は導電性樹脂層の上面側に、金属薄膜及び／又は疎
水性樹脂層を設けたので、特に硬化後にポーラスとなり
やすい導電性樹脂層を通じて入ってくる水分を極力遮断
することができ、耐湿性に優れ信頼性の高い弾性表面波
装置を提供することができる。
／又は導電性樹脂層の上面側に、金属薄膜及び／又は疎
水性樹脂層を設けたので、特に硬化後にポーラスとなり
やすい導電性樹脂層を通じて入ってくる水分を極力遮断
することができ、耐湿性に優れ信頼性の高い弾性表面波
装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図４】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図５】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図６】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図７】従来のフリップチップ実装が施された弾性表面
波装置の一例を説明する断面図である。
波装置の一例を説明する断面図である。
【図８】従来のフリップチップ実装が施された弾性表面
波装置の一例を説明する断面図である。
波装置の一例を説明する断面図である。
【図９】従来のフリップチップ実装が施された弾性表面
波装置の一例を説明する断面図である。
波装置の一例を説明する断面図である。
１：チップ（弾性表面波素子） １ａ：圧電基板 １ｂ：駆動電極 ２：ボンディング用電極 ３：バンプ ５：パッケージ ５ａ：基体 ５ｂ，５ｃ：積層部材 ６：バンプ接合用導電性接着剤 ７：信号用電極 ８：接地用電極（接地用導体パターン） ９：フリップチップ接合用電極、 １１：導電性樹脂層 １２：疎水性樹脂層 １３：金属薄膜 Ｓ１〜Ｓ６：弾性表面波装置
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板の下面に弾性表面波を発生させ
る励振電極を設けて成る弾性表面波素子をパッケージ内
に収容した弾性表面波装置であって、前記圧電基板の上
面側に所定周波数以下の電磁波を遮断する導電性樹脂層
を形成するとともに、該導電性樹脂層を前記パッケージ
に形成した接地用導体パターンに接続させたことを特徴
とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記圧電基板と前記導電性樹脂層との
間、及び／又は前記導電性樹脂層の上面側に、金属薄膜
及び／又は疎水性樹脂層を配したことを特徴とする請求
項１に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01709698A JP3439975B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01709698A JP3439975B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214955A true JPH11214955A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3439975B2 JP3439975B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=11934483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01709698A Expired - Fee Related JP3439975B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439975B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174344A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 |
| WO2003084061A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Fujitsu Media Devices Limited | Procede de montage d'un element a onde acoustique de surface, dispositif a onde acoustique de surface et element a onde acoustique de surface sous enveloppe de resine |
| KR20040015688A (ko) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성파 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2005252335A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路装置およびその製造方法 |
| WO2007038022A3 (en) * | 2005-09-28 | 2007-10-25 | Honeywell Int Inc | Reduced stress on saw die with surrounding support structures |
| JP2009088908A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| US7528522B2 (en) | 2003-07-07 | 2009-05-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device, package for the device, and method of fabricating the device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19548062A1 (de) | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Siemens Matsushita Components | Elektrisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement - sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP01709698A patent/JP3439975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174344A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 |
| WO2003084061A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Fujitsu Media Devices Limited | Procede de montage d'un element a onde acoustique de surface, dispositif a onde acoustique de surface et element a onde acoustique de surface sous enveloppe de resine |
| US7239068B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-07-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Method for mounting surface acoustic wave element and surface acoustic wave device having resin-sealed surface acoustic wave element |
| KR20040015688A (ko) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성파 장치 및 그 제조 방법 |
| US7528522B2 (en) | 2003-07-07 | 2009-05-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device, package for the device, and method of fabricating the device |
| JP2005252335A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路装置およびその製造方法 |
| WO2007038022A3 (en) * | 2005-09-28 | 2007-10-25 | Honeywell Int Inc | Reduced stress on saw die with surrounding support structures |
| JP2009088908A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3439975B2 (ja) | 2003-08-25 |
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