JPH0821561B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0821561B2 JPH0821561B2 JP63208962A JP20896288A JPH0821561B2 JP H0821561 B2 JPH0821561 B2 JP H0821561B2 JP 63208962 A JP63208962 A JP 63208962A JP 20896288 A JP20896288 A JP 20896288A JP H0821561 B2 JPH0821561 B2 JP H0821561B2
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- glass plate
- wax
- work
- peeling
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造装置に係り、GaAs等の
化合物半導体、特に薄板状に加工された後の半導体基板
を取り扱う治工具に関するものである。
化合物半導体、特に薄板状に加工された後の半導体基板
を取り扱う治工具に関するものである。
GaAs化合物半導体、例えばFET（電界効果型トランジ
スタ）を主能動素子とする高周波増幅器，およびこれら
の高周波増幅器にコンデンサ，インダクタ等を付加した
モノリシック・マイクロウェーブIC（MMIC）、光レーダ
素子、発光素子等の半導体デバイスは、一般に半導体基
板の片面（表面）に、デバイス機能を持たせる各プロセ
スを施した後、例えばFETを主能動素子とするデバイス
にあっては、GaAs基板の熱抵抗を減少して、大電力動作
時の温度上昇を低減するために、所望の薄膜状、例えば
30〜150μｍ厚に加工処理が施される。これらの加工さ
れた薄膜状の化合物半導体基板は、化合物半導体自体が
劈開性が強いことにも関連して非常に割れやすく、薄膜
基板そのものの取り扱いとともに、プロセス加工処理方
法の最適化が重要な課題になっている。
スタ）を主能動素子とする高周波増幅器，およびこれら
の高周波増幅器にコンデンサ，インダクタ等を付加した
モノリシック・マイクロウェーブIC（MMIC）、光レーダ
素子、発光素子等の半導体デバイスは、一般に半導体基
板の片面（表面）に、デバイス機能を持たせる各プロセ
スを施した後、例えばFETを主能動素子とするデバイス
にあっては、GaAs基板の熱抵抗を減少して、大電力動作
時の温度上昇を低減するために、所望の薄膜状、例えば
30〜150μｍ厚に加工処理が施される。これらの加工さ
れた薄膜状の化合物半導体基板は、化合物半導体自体が
劈開性が強いことにも関連して非常に割れやすく、薄膜
基板そのものの取り扱いとともに、プロセス加工処理方
法の最適化が重要な課題になっている。
この種の従来技術の一例を第３図について説明する。
この図は、所定のGaAsMMIC表面側半導体プロセス加工、
例えばソース・ドレイン電極形成、表面保護膜形成、配
線形成等が終了した半導体基板１を、薄膜基板保持台と
してのガラス板２と、表面加工処理側が、ガラス板２に
接するように、低融点ワックス（融点80〜150℃）（以
下、端にワックスという）10で貼り付けた後、薄膜加工
処理、例えば研削加工とかラッピング処理を行った後の
状態を示す。GaAsMMICあるいはFETの場合、半導体基板
１には表面側電極の接地用としてバイアホール電極ある
いはパッケージのダイボンド用裏面電極等の形成を必要
とするため、写真製版プロセス、電極形成用メッキプロ
セス等の加工をその後に行う。上記したガラス板２を用
いることは、表面側加工プロセスの加工精度と、裏面側
加工プロセスの加工精度を合わせるために、両面マスク
アライナの使用を可能にする等の利点を持つ。上記の裏
面側プロセス加工を施した後、ガラス板２から半導体基
板１を剥がした後、ワックス等の洗浄除去を行えば、一
般的なウエハプロセスは完了する。
この図は、所定のGaAsMMIC表面側半導体プロセス加工、
例えばソース・ドレイン電極形成、表面保護膜形成、配
線形成等が終了した半導体基板１を、薄膜基板保持台と
してのガラス板２と、表面加工処理側が、ガラス板２に
接するように、低融点ワックス（融点80〜150℃）（以
下、端にワックスという）10で貼り付けた後、薄膜加工
処理、例えば研削加工とかラッピング処理を行った後の
状態を示す。GaAsMMICあるいはFETの場合、半導体基板
１には表面側電極の接地用としてバイアホール電極ある
いはパッケージのダイボンド用裏面電極等の形成を必要
とするため、写真製版プロセス、電極形成用メッキプロ
セス等の加工をその後に行う。上記したガラス板２を用
いることは、表面側加工プロセスの加工精度と、裏面側
加工プロセスの加工精度を合わせるために、両面マスク
アライナの使用を可能にする等の利点を持つ。上記の裏
面側プロセス加工を施した後、ガラス板２から半導体基
板１を剥がした後、ワックス等の洗浄除去を行えば、一
般的なウエハプロセスは完了する。
上記のガラス板２からGaAs基板を取りはずす方法とし
て、従来用いられていた一般的方法を第４図（ａ）〜
（ｄ）に示す。最も簡便な方法は、ガラス板２と半導体
基板１の接着に用いたワックス10の軟化点以上に加熱さ
れたホットプレート４上に、ガラス板２を乗せ、ワック
ス10を軟化させた後、ピンセット5a等で半導体基板１を
徐々にガラス板２からずらして取りはずすとともに、こ
の半導体基板１を他のピンセット5bを用いて、洗浄用カ
セットに移し変える方法がある。これらの方法は、簡便
ではあるが、後述の剥がし時および洗浄時に半導体基板
１の割れが発生しやすく、最終製品の良品率の低下につ
ながる。
て、従来用いられていた一般的方法を第４図（ａ）〜
（ｄ）に示す。最も簡便な方法は、ガラス板２と半導体
基板１の接着に用いたワックス10の軟化点以上に加熱さ
れたホットプレート４上に、ガラス板２を乗せ、ワック
ス10を軟化させた後、ピンセット5a等で半導体基板１を
徐々にガラス板２からずらして取りはずすとともに、こ
の半導体基板１を他のピンセット5bを用いて、洗浄用カ
セットに移し変える方法がある。これらの方法は、簡便
ではあるが、後述の剥がし時および洗浄時に半導体基板
１の割れが発生しやすく、最終製品の良品率の低下につ
ながる。
上記のような従来の方法でガラス板２から半導体基板
１の剥離を行うと、半導体基板１の割れが起きやすい要
因は以下のようなものである。
１の剥離を行うと、半導体基板１の割れが起きやすい要
因は以下のようなものである。
（１） 剥離時の力加減を作業員の勘に頼っており、特
にガラス板２が固定されていないこともその影響を強調
している。
にガラス板２が固定されていないこともその影響を強調
している。
（２） 剥離中と剥離後の半導体基板１の温度差が大き
い。
い。
（３） 剥離した後、ピンセット5bで直接半導体基板１
をつかんでいるが、剥離後は、ガラス板２と半導体基板
１の固定に用いたワックス10が軟化状態であるため、ピ
ンセット5bと半導体基板１がくっつきやすい。
をつかんでいるが、剥離後は、ガラス板２と半導体基板
１の固定に用いたワックス10が軟化状態であるため、ピ
ンセット5bと半導体基板１がくっつきやすい。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、ガラス板から半導体基板を剥がす時、剥
がし時の加重点の機械的固定、ガラス板の固定、剥がし
前後での温度差の均熱化等ができるとともに、剥がし後
のウエハを直接ピンセットで触れることを回避できる装
置を得ることを目的とする。
されたもので、ガラス板から半導体基板を剥がす時、剥
がし時の加重点の機械的固定、ガラス板の固定、剥がし
前後での温度差の均熱化等ができるとともに、剥がし後
のウエハを直接ピンセットで触れることを回避できる装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造装置は、加熱ヒータ
を備え、上面に半導体基板，保持用板，ワックスからな
るワークが収容される凹部，および半導体基板が保持用
板の面上より移動した時接触しないように半導体基板を
収容するメッシュホルダを収容する凹部が形成された均
熱加熱部と、加熱ヒータにより均熱加熱されたワークの
保持用板の面上に加重を区和える押し付け治具と、この
押し付け治具をスライドさせ半導体基板を移動してメッ
シュホルダに収容させるガイド支柱と、均熱加熱部の温
度を制御する温度制御部とを備えたものである。
を備え、上面に半導体基板，保持用板，ワックスからな
るワークが収容される凹部，および半導体基板が保持用
板の面上より移動した時接触しないように半導体基板を
収容するメッシュホルダを収容する凹部が形成された均
熱加熱部と、加熱ヒータにより均熱加熱されたワークの
保持用板の面上に加重を区和える押し付け治具と、この
押し付け治具をスライドさせ半導体基板を移動してメッ
シュホルダに収容させるガイド支柱と、均熱加熱部の温
度を制御する温度制御部とを備えたものである。
この発明においては、半導体基板を貼り付けたガラス
板の温度と、剥離後の半導体基板を受けるメッシュホル
ダの温度差をなくすとともに、剥離時の半導体基板にか
かる加重を一定に制御するようにしたことから、特に割
れやすい化合物半導体基板の取り扱いに伴うウエハ割れ
が低減する。
板の温度と、剥離後の半導体基板を受けるメッシュホル
ダの温度差をなくすとともに、剥離時の半導体基板にか
かる加重を一定に制御するようにしたことから、特に割
れやすい化合物半導体基板の取り扱いに伴うウエハ割れ
が低減する。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明す
る。
る。
第１図はこの発明の半導体装置の製造装置の一実施例
を示す構成図で、ガラス板に貼り付けられた薄膜半導体
基板の剥し装置の模式的な断面構造を示す図である。
を示す構成図で、ガラス板に貼り付けられた薄膜半導体
基板の剥し装置の模式的な断面構造を示す図である。
第１図において、30はこの発明の薄膜半導体基板の剥
し装置の全体構成を示し、以下の各部からなっている。
すなわち、1,2,10は第３図と同じものであり、11は前記
半導体基板1,ガラス板2,ワックス10からなるワークを示
し、12は均熱加熱部で、この均熱加熱部12には第２図に
示すように、ワーク11を収容するための凹部12aと後述
するメッシュホルダ13を収容するための凹部12bが形成
されている。ワーク11を収容するための凹部12aは、ワ
ーク11のガラス板２の板厚よりも浅く形成され、メッシ
ュホルダ13を収容するための凹部12bは、ワーク11の半
導体基板１がガラス板２の面上より移動した時、メッシ
ュホルダ13の上面が半導体基板１と接しないような深さ
に形成されている。また、メッシュホルダ13は、ワーク
11から剥離された半導体基板１を受けるためのもので、
ちょうつがい等で開閉自在になっており、半導体基板１
を受けるまでは開いている。ワーク11のガラス板２との
温度差がなくなるように制御される。14は前記ワーク1
1,メッシュホルダ13を加熱する加熱ヒータ、15は温度セ
ンサ、16はこの温度センサ15の信号により加熱ヒータ14
の温度を制御する温度制御部、17は前記ワーク11のワッ
クス10の軟化点以上に均熱加熱されたガラス板２上部の
半導体基板１をガラス板２上をスライド移動させるため
の押し付け治具、18はその押し付け治具17の押し付け方
向以外の機械的ブレを防ぎ、半導体基板１をメッシュホ
ルダ13の上部までガイドするためのガイド支柱、19は前
記押し付け治具17のスライド時に押し付け治具17のガラ
ス板２の面上に加える加重を調節するためのばね、20は
このばね19のばね強度調節部、21は前記押し付け治具17
をガイド支柱18に沿ってガラス板２の面上からメッシュ
ホルダ13まで定速移動させるためのハンドルである。
し装置の全体構成を示し、以下の各部からなっている。
すなわち、1,2,10は第３図と同じものであり、11は前記
半導体基板1,ガラス板2,ワックス10からなるワークを示
し、12は均熱加熱部で、この均熱加熱部12には第２図に
示すように、ワーク11を収容するための凹部12aと後述
するメッシュホルダ13を収容するための凹部12bが形成
されている。ワーク11を収容するための凹部12aは、ワ
ーク11のガラス板２の板厚よりも浅く形成され、メッシ
ュホルダ13を収容するための凹部12bは、ワーク11の半
導体基板１がガラス板２の面上より移動した時、メッシ
ュホルダ13の上面が半導体基板１と接しないような深さ
に形成されている。また、メッシュホルダ13は、ワーク
11から剥離された半導体基板１を受けるためのもので、
ちょうつがい等で開閉自在になっており、半導体基板１
を受けるまでは開いている。ワーク11のガラス板２との
温度差がなくなるように制御される。14は前記ワーク1
1,メッシュホルダ13を加熱する加熱ヒータ、15は温度セ
ンサ、16はこの温度センサ15の信号により加熱ヒータ14
の温度を制御する温度制御部、17は前記ワーク11のワッ
クス10の軟化点以上に均熱加熱されたガラス板２上部の
半導体基板１をガラス板２上をスライド移動させるため
の押し付け治具、18はその押し付け治具17の押し付け方
向以外の機械的ブレを防ぎ、半導体基板１をメッシュホ
ルダ13の上部までガイドするためのガイド支柱、19は前
記押し付け治具17のスライド時に押し付け治具17のガラ
ス板２の面上に加える加重を調節するためのばね、20は
このばね19のばね強度調節部、21は前記押し付け治具17
をガイド支柱18に沿ってガラス板２の面上からメッシュ
ホルダ13まで定速移動させるためのハンドルである。
なお、上記した加重を調整するばね19に押し付け治具
17のガラス板２との角度０〜90゜の範囲で加重を調整で
きるようにばね強度の範囲を持たせることによって、半
導体基板１の基板厚の変化に対応した最適加重圧を調整
できる。
17のガラス板２との角度０〜90゜の範囲で加重を調整で
きるようにばね強度の範囲を持たせることによって、半
導体基板１の基板厚の変化に対応した最適加重圧を調整
できる。
次に動作について説明する。
加熱ヒータ14,温度センサ15,温度制御器16の機能とし
ては、半導体基板１がワックス10で貼り付けられたガラ
ス板２からなるワーク11とともに、ガラス板２から剥離
された半導体基板１を収容する洗浄用のメッシュホルダ
13のサイズ以上の均熱加熱作業領域を持ち、ワックス10
の軟化点（70〜200℃）以上の温度領域において定温制
御する温度制御系として動作する。
ては、半導体基板１がワックス10で貼り付けられたガラ
ス板２からなるワーク11とともに、ガラス板２から剥離
された半導体基板１を収容する洗浄用のメッシュホルダ
13のサイズ以上の均熱加熱作業領域を持ち、ワックス10
の軟化点（70〜200℃）以上の温度領域において定温制
御する温度制御系として動作する。
さて、加熱ヒータ14により所定温度に均熱されたワー
ク11の半導体基板１がハンドル21を操作して、ガイド支
柱18に沿って最適加重圧で押し付け治具17をガラス板２
上をスライドさせて移動していき、メッシュホルダ13内
に移動させる。
ク11の半導体基板１がハンドル21を操作して、ガイド支
柱18に沿って最適加重圧で押し付け治具17をガラス板２
上をスライドさせて移動していき、メッシュホルダ13内
に移動させる。
メッシュホルダ13内に移動された半導体基板１は、そ
の後、メッシュホルダ13をちょうつがい等で閉じて、固
定後、ピンセットにてメッシュホルダ13を所定の半導体
洗浄処理用カセット等に移動させれば、直接溶融ワック
スが残存する半導体基板１に触れることなく処理が可能
である。
の後、メッシュホルダ13をちょうつがい等で閉じて、固
定後、ピンセットにてメッシュホルダ13を所定の半導体
洗浄処理用カセット等に移動させれば、直接溶融ワック
スが残存する半導体基板１に触れることなく処理が可能
である。
以上説明したようにこの発明は、加熱ヒータを備え、
上面に半導体基板，保持用板，ワックスからなるワーク
が収容される凹部，および半導体基板が保持用板の面上
より移動した時接触しないように半導体基板を収容する
メッシュホルダを収容する凹部が形成された均熱加熱部
と、加熱ヒータにより均熱加熱されたワークの保持用板
の面上にを加える押し付け治具と、この押し付け治具を
スライドさせ半導体基板を移動してメッシュホルダに収
容させるガイド支柱と、均熱加熱部の温度を制御する温
度制御部とを備えたので、薄膜状の半導体基板の取り扱
いの上で、保持用のガラス基板等からの剥がし時のウエ
ハ割れの発生を抑制でき、従来困難を極めていた作業が
大幅に改善され、かつ不良製品の発生を大幅に低減でき
る効果がある。
上面に半導体基板，保持用板，ワックスからなるワーク
が収容される凹部，および半導体基板が保持用板の面上
より移動した時接触しないように半導体基板を収容する
メッシュホルダを収容する凹部が形成された均熱加熱部
と、加熱ヒータにより均熱加熱されたワークの保持用板
の面上にを加える押し付け治具と、この押し付け治具を
スライドさせ半導体基板を移動してメッシュホルダに収
容させるガイド支柱と、均熱加熱部の温度を制御する温
度制御部とを備えたので、薄膜状の半導体基板の取り扱
いの上で、保持用のガラス基板等からの剥がし時のウエ
ハ割れの発生を抑制でき、従来困難を極めていた作業が
大幅に改善され、かつ不良製品の発生を大幅に低減でき
る効果がある。
第１図はこの発明の半導体装置の製造装置の一実施例を
示す構成図、第２図は、第１図の均熱加熱部の構成を示
す図、第３図は保持用ガラス板に貼り付けられた半導体
基板の模式断面図、第４図は半導体基板を保持用ガラス
板から剥離する従来の工程を説明するための概念図であ
る。 図において、１は半導体基板、２はガラス板、10はワッ
クス、11はワーク、12は均熱加熱部、13はメッシュホル
ダ、14は加熱ヒータ、15は温度センサ、16は温度制御
部、17は押し付け治具、18はガイド支柱、19はばね、20
はばね強度調節部、21はハンドル、30は薄膜半導体基板
の剥し装置の全体構成を示すものである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
示す構成図、第２図は、第１図の均熱加熱部の構成を示
す図、第３図は保持用ガラス板に貼り付けられた半導体
基板の模式断面図、第４図は半導体基板を保持用ガラス
板から剥離する従来の工程を説明するための概念図であ
る。 図において、１は半導体基板、２はガラス板、10はワッ
クス、11はワーク、12は均熱加熱部、13はメッシュホル
ダ、14は加熱ヒータ、15は温度センサ、16は温度制御
部、17は押し付け治具、18はガイド支柱、19はばね、20
はばね強度調節部、21はハンドル、30は薄膜半導体基板
の剥し装置の全体構成を示すものである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−127142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−12735（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−78744（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】保持用板にワックスにより接着された半導
体基板を前記保持用板から剥離する半導体装置の製造装
置において、加熱ヒータを備え、上面に半導体基板，保
持用板，ワックスからなるワークが収容される凹部，お
よび前記半導体基板が前記保持用板の面上より移動した
時接触しないように前記半導体基板を収容するメッシュ
ホルダを収容する凹部が形成された均熱加熱部と、前記
加熱ヒータにより均熱加熱された前記ワークの保持用板
の面上に加重を加える押し付け治具と、この押し付け治
具をスライドさせ前記半導体基板を移動して前記メッシ
ュホルダに収容させるガイド支柱と、前記均熱加熱部の
温度を制御する温度制御部とを備えたことを特徴とする
半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208962A JPH0821561B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208962A JPH0821561B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258223A JPH0258223A (ja) | 1990-02-27 |
| JPH0821561B2 true JPH0821561B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16565036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208962A Expired - Lifetime JPH0821561B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821561B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166771A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Enya Syst:Kk | ウエ−ハ剥離装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612735A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-07 | Nec Corp | Peeling of monocrystalline wafer |
| JPS61127142A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | ウエハ−の剥離装置 |
| JPS6278744U (ja) * | 1985-11-02 | 1987-05-20 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63208962A patent/JPH0821561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0258223A (ja) | 1990-02-27 |
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