JPH0821663B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

Info

Publication number
JPH0821663B2
JPH0821663B2 JP1267502A JP26750289A JPH0821663B2 JP H0821663 B2 JPH0821663 B2 JP H0821663B2 JP 1267502 A JP1267502 A JP 1267502A JP 26750289 A JP26750289 A JP 26750289A JP H0821663 B2 JPH0821663 B2 JP H0821663B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
lead frame
lead
display portion
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1267502A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03127856A (ja
Inventor
正幸 樋口
英樹 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
Priority to JP1267502A priority Critical patent/JPH0821663B2/ja
Publication of JPH03127856A publication Critical patent/JPH03127856A/ja
Publication of JPH0821663B2 publication Critical patent/JPH0821663B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はリードフレームの製造方法に係り、特にリー
ドフレームの部分めっきにおける位置決め方法に関す
る。
(従来の技術) 例えば通常のICは、第3図に示すように、リードフレ
ーム1のダイパッド2に、半導体素子3を固着し、この
半導体素子3のボンディングパッドとリードフレームの
インナーリード4とを金線あるいはアルミ線のボンディ
ングワイヤ5によって結線し、更にこれらを樹脂6で封
止することにより製造されている。
ここで用いられるリードフレームは、第4図に1例を
示す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド2
と、先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめら
れた多数のインナーリード4と、該インナーリードとほ
ぼ直交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に
支持するタイバー7と、該タイバーの外側に前記各イン
ナーリードに接続するように配設せしめられたアウター
リード8とダイパッド2を支持するサポートバー9とか
ら構成されている。
ところで、インナーリードの先端にはボンディング性
の向上のために貴金属めっきが施されている。
通常、このようなリードフレームは、金属板または金
属条件をフォトエッチングまたはプレス打抜きによりリ
ードおよび素子搭載部を形成した後、所定の領域に貴金
属めっきを施したものが一般的である。
このような部分めっきを施す際、各リード間の若干の
間隙にめっき液が侵入しリードの両側面にめっきもれが
生じることがある。これが樹脂と外界との境界付近に達
すると、外界の湿気の影響を受けてリード間にエレクト
ロマイグレーションが起きて短絡するという問題があ
る。
特に、最近半導体素子の集積度の向上に従って素子搭
載部の大きさも大きくなり、樹脂封止領域の端部とリー
ド先端部のめっきエリアとの間隔およびインナーリード
間の間隔も狭くなりめっき洩れにより短絡が避けられな
い問題となってきている。
このような問題を解決するため、リードおよび素子搭
載部の形状加工を行う前に、金属条材上の所要部分に貴
金属の部分めっきを施し、しかる後、プレス加工等によ
りリードフレームの形状加工を行うという方法が提案さ
れている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、この方法では、最終的にリードフレー
ムの形状加工を行わないことには、めっき位置が適切か
どうかを容易に判断できないという欠点がある。
このため、リードフレームの形状加工を行った後、位
置ずれがあるか否かを判定して、その判定に基づきフィ
ードバックを行い、めっきヘッドの位置の再調整を行う
というプロセスをとらねばならないため、めっき不良が
多発するという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、めっき
位置が適切であるか否かを直ちに判定することができ、
位置調整を迅速に行うことのできるリードフレームの部
分めっきを用いたリードフレームの製造方法を提供する
ことを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) そこで本発明では、形状加工に先立ち部分めっきを行
うリードフレームの製造方法において、金属条材に、基
準位置決め用の基準ピン孔とめっき許容領域の周囲全体
を囲むように形成された凹溝からなる表示部を形成し、
前記表示部および基準ピン孔に基づいてめっき位置を決
定し、選択的にめっきをおこなうようにしている。
(作用) 本発明の方法によれば、めっき位置に対応して凹溝か
らなる表示部が形成されているため、位置の確認が容易
であり、また、めっきを行った直後にめっき位置ずれが
あるか否かを例えばこの表示部に接触しているか否かで
判定することができる。このため、ずれがある場合は即
時にずれの発生を検知し、めっきヘッドの位置調整をす
ることができる。
また、凹溝がめっき溜めの役割を果たし、めっき領域
の超過不良の低減をはかることができる。
さらにまた、モールド樹脂が凹溝内で硬化し、リード
に抜けが生じるのを防ぐことができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳
細に説明する。
第1図(a)乃至第1図(d)は、本発明実施例のリ
ードフレームの製造工程を説明するための参考説明図で
ある。
まず、第1図(a)に示すように、スタンピング法に
より、銅−鉄合金からなる帯状材料の長手方向に沿って
所定の間隔で位置決め用の基準ピン孔11を窄設する。
ついで、第1図(b)に示すように、めっき許容領域
13を示す凹部からなるめっき位置表示部14を形成する。
この後、第1図(c)に示すように、めっき位置表示
部および基準ピン孔に基づいて、めっきを行う。ここで
は、短冊状リードフレーム用のバッチ方式あるいは連続
体リードフレームの連続方式の部分めっき法を用い、め
っき液としては、銀めっき液(ジャナンロール製のシル
バージェット220)を用いてスポットめっきを行い、ダ
イパッドおよびインナーリード先端部に膜厚約3μmの
銀めっき層12を形成する。このとき、めっき後、目視に
よりめっき位置がめっき許容領域内にあるか否かを判定
する。そしてめっき位置がめっき位置表示部に接触して
いる場合は、ただちにめっきヘッドを調整する。
そして、第1図(d)に示すように、スタンピング法
により、半導体素子を搭載するためのダイパッド2と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
多数のインナーリード4と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー7と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド8とダイパッド2を支持するサポートバー9とを含む
リードフレームを成型する。
このように、本発明の方法によれば、めっき許容領域
を示すめっき位置表示部が設けられており、めっき後直
ちに、目視によりめっき位置が内にあるか否かを判定す
ることができる。そして、めっき位置がめっき位置表示
部に接触している場合は、ただちにめっきヘッドを調整
することにより、めっき位置の位置ずれによる不良を最
小限度に維持することができる。
このようにして、インナーリード側面にめっき層が形
成されることなく、膜質が良好でボンデイング性の良好
な銀めっき層を有するリードフレームが形成される。
このようにして形成されたリードフレームによれば、
高精度に位置決めがなされ、製造歩留まりが高く、信頼
性の高い半導体装置を得ることが可能となる。
次に、第1図で説明した参考例に基づいて、本発明実
施例について説明する。
第2図は、本発明実施例のリードフレームの製造工程
を示す図である。
この工程では前記参考例で、めっき許容領域13を示す
めっき位置表示部14として凹部を点在させたのに対し、
本発明実施例の方法では、めっき許容領域13全体を囲む
ように連続して形成した凹溝を配設したことを特徴とす
る。
まず、アロイ42と指称されている42%ニッケル鋼から
なる帯状材料を加工し、前記実施例1において第1図
(a)および第1図(b)に示したのと同様に、スタン
ピング法により、形状加工を行う。ここでは第2図
(a)および第2図(b)に示すように(第2図(b)
は第2図(a)のA−A断面図)、めっき許容領域23の
周り全体を溝状の表示部24で囲み、この表示部24の位置
に基づいてめっき層22を形成するようにしたもので、他
部については前記参考例と全く同様に形成する。
そして前記参考例とまったく同様にしてスタンピング
工程を経てリードフレームが完成する。
本発明の方法によれば、めっき許容領域を示すめっき
位置表示部が設けられており、めっき後直ちに、目視に
よりめっき位置が内にあるか否かを判定することができ
る。そして、めっき位置がめっき位置表示部に接触して
いる場合は、ただちにめっきヘッドを調整することによ
り、めっき位置の位置ずれによる不良を最小限度に維持
することができる。
このようにして、インナーリード側面にめっき層が形
成されることなく、膜質が良好でボンディング性の良好
な銀めっき層を有するリードフレームが形成される。
このようにして形成されたリードフレームによれば、
高精度に位置決めがなされ、製造歩留まりが高く、信頼
性の高い半導体装置を得ることが可能となる。
また、上記効果に加え、凹溝がめっき許容領域のまわ
り全体を囲むように連続して形成されているため、凹溝
がめっき溜めの役割を果たし、めっき領域の超過不良の
低減をはかることができる。
さらにまた、インナーリード先端部に形成された凹溝
が封止樹脂を係止し、封止樹脂との結合を強固にするた
め、アウターリードの曲げ等による引っ張りによるイン
ナーリード先端部の位置ずれを防止すると言う効果があ
る。従って、素子搭載部が大きくなり、封止樹脂の端部
とリード先端部のめっきエリアとの間隔が狭くなって
も、アウターリードの曲げ等による引っ張りがボンディ
ングエリアに影響を与えることはない。
なお、上記実施例では貴金属めっきとして銀めっきを
用いた場合について説明したが、金めっきを用いる場合
にも適用可能であることはいうまでもない。
また、リードフレームの形状についても、ダイパッド
を有するリードフレームに限定されることなく、適宜変
形可能である。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、形
状加工に先立ち部分めっきを行う部分めっき法を用いた
リードフレームの製造に際し、めっき許容位置に対応し
て凹溝からなる表示領域が形成されているため、位置の
確認が容易であり、また、めっきを行った直後に位置ず
れを迅速に修正し、位置ずれ不良の発生を大幅に低減す
ることができ、歩留まりの大幅な向上をはかることがで
きる。
さらにまた、凹溝がめっき許容領域のまわり全体を囲
むように連続して形成されているため、凹溝がめっき溜
めの役割を果たし、めっき領域の超過不良の低減をはか
ることができる上、インナーリード先端部に形成された
凹溝が封止樹脂を係止し、封止樹脂との結合を強固にす
るため、アウターリードの曲げ等による引っ張りによる
インナーリード先端部の位置ずれを防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)乃至第1図(d)は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を説明するための参考図、第2図
(a)および第2図(b)は、本発明実施例のリードフ
レームの製造工程を示す図、第3図は通常の半導体装置
を示す図、第4図の同半導体装置のリードフレームを示
す図である。 1……リードフレーム、2……ダイパッド、3……半導
体素子、4……インナーリード、5……ボンディングワ
イヤ、6……樹脂、7……タイバー、8……アウターリ
ード、9……サポートバー、12……銀めっき層、13……
めっき位置許容領域、14……表示部、22……めっき層、
23……めっき位置許容領域、24……表示部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属条材に、基準位置決め用の基準ピン孔
    とめっき許容領域の周囲全体を囲むように連続して形成
    された凹溝からなる表示部を形成する表示部形成工程
    と、 前記表示部および基準ピン孔に基づいてめっき位置を決
    定し、選択的にめっきを行う部分めっき工程と、 リードフレームを所望の形状に形状加工する形状加工工
    程とを含むようにしたことを特徴とするリードフレーム
    の製造方法。
JP1267502A 1989-10-13 1989-10-13 リードフレームの製造方法 Expired - Fee Related JPH0821663B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1267502A JPH0821663B2 (ja) 1989-10-13 1989-10-13 リードフレームの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1267502A JPH0821663B2 (ja) 1989-10-13 1989-10-13 リードフレームの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03127856A JPH03127856A (ja) 1991-05-30
JPH0821663B2 true JPH0821663B2 (ja) 1996-03-04

Family

ID=17445741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1267502A Expired - Fee Related JPH0821663B2 (ja) 1989-10-13 1989-10-13 リードフレームの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0821663B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4936377B2 (ja) * 2007-02-28 2012-05-23 アイシン・エィ・ダブリュ工業株式会社 発進装置のクラッチ部への給油構造

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59188952A (ja) * 1983-04-11 1984-10-26 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03127856A (ja) 1991-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4173346B2 (ja) 半導体装置
US20030209815A1 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JPH11260983A (ja) リードフレームの製造方法
KR100192870B1 (ko) 리드 프레임
JP2957335B2 (ja) リードフレームの製造方法
US12581964B2 (en) Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method
JP2632456B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2528192B2 (ja) 半導体装置
JPH03127856A (ja) リードフレームの製造方法
JP2524645B2 (ja) リ―ドフレ―ムおよびその製造方法
JP2648353B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2756857B2 (ja) リードフレームの製造方法
JPH09107063A (ja) リードフレーム
JP4747188B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02197158A (ja) リードフレームの製造方法
JPH05315496A (ja) リードフレームの製造方法
JPS63250849A (ja) ワイヤ−ボンデイング特性に優れたリ−ドフレ−ム
JPH03124055A (ja) リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
JPH0284758A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2707153B2 (ja) リードフレームの製造方法
JPH0141034B2 (ja)
JPH02202046A (ja) リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH0834275B2 (ja) リードフレームの製造方法
JPH03284868A (ja) リードフレームおよびこれを用いた半導体装置
JPH01144661A (ja) リードフレームの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees