JPH03127856A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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JPH03127856A
JPH03127856A JP1267502A JP26750289A JPH03127856A JP H03127856 A JPH03127856 A JP H03127856A JP 1267502 A JP1267502 A JP 1267502A JP 26750289 A JP26750289 A JP 26750289A JP H03127856 A JPH03127856 A JP H03127856A
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JP
Japan
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lead frame
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JP1267502A
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Masayuki Higuchi
樋口 正幸
Hideki Nakajima
英樹 中島
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はリードフレームの製造方法に係り、特にリード
フレームの部分めっきにおける位置決め方法に関する。
(従来の技術) 例えば通常のICは、第3図に示すように、リドフレー
ム1のダイパッド2に、半導体素子3を固着し、この半
導体素子3のポンディングパッドとリードフレームのイ
ンナーリード4とを金線あるいはアルミ線のボンディン
グワイヤ5によって結線し、更にこれらを樹脂6で封止
することにより製造されている。
ここで用いられるリードフレームは、第4図に1例を示
す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド2と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
多数のインナーリード4と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー7と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド8とダイパッド2を支持するサポートパー9とから構
成されている。
ところで、インナーリードの先端にはボ、ンディング性
の向上のために貴金属めっきが施されている。
通常、このようなリードフレームは、金属板または金属
条材をフォトエツチングまたはプレス打抜きによりリー
ドおよび素子搭載部を形成した後、所定の領域に貴金属
めっきを施したものが一般的である。
このような部分めっきを施す際、各リード間の若干の間
隙にめっき液が侵入しリードの両側面にめっきもれが生
じることがある。これが樹脂と外界との境界付近に達す
ると、外界の湿気の影響を受けてリード間にエレクトロ
マイグレーションが起きて短絡するという問題がある。
特に、最近半導体素子の集積度の向上に従って素子搭載
部の大きさも大きくなり、樹脂封止領域の端部とリード
先端部のめっきエリアとの間隔およびインナーリード間
の間隔も狭くなりめっき洩れによる短絡が避けられない
問題となってきている。
このようなrJI題を解決するため、リードおよび素子
搭載部の形状加工を行う前に、金属条材上の所要部分に
貴金属の部分めっきを施し、しかる後、プレス加工等に
よりリードフレームの形状加工を行うという方法が提案
されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、この方法では、最終的にリードフレーム
の形状加工を行わないことには、めっき位置が適切かど
うかを容易に判断できないという欠点がある。
このため、リードフレームの形状加工を行った後、位置
ずれがあるか否かを判定して、その判定に基づきフィー
ドバックを行い、めっきヘッドの位置の再調整を行うと
いうプロセスをとらねばならないため、めっき不良が多
発するという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、めっき位
置が適切であるか否かを直ちに判定することができ、位
置調整を迅速に行うことのできるリードフレームの部分
めっきを用いたリードフレームの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) そこで本発明では、形状加工に先立ち部分めっきを行う
リードフレームの製造方法において、金属条材に基準位
置決め用の基準ビン孔とめっき許容領域に対応して四部
からなる表示部を形成し、この表示部および基準ビン孔
に基づいてめっき位置を決定し、めっきをおこなうよう
にしている。
(作用) 本発明の方法によれば、めっき位置に対応して四部から
なる表示部が形成されているため、(fz Illの確
認が容易であり、また、めっきを行った直後にめっき位
置ずれがあるか否かを例えばこの表示部に接触している
か否かで判定することができる。
このため、ずれがある場合は即時にずれの発生を検知し
、めっきヘッドの位置調整をすることかできる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
第1図(a)乃至第1図(d)は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図である。
まず、第1図(a)に示すように、スタンピング法によ
り、銅−鉄合金からなる帯状材料の長平方向に沿って所
定の間隔で位置決め用の基準ピン孔1]−を空設する。
ついで、第1図(b)に示すように、めっき許容領域1
3を示す凹部からなるめっき位置表示部]4を形成する
この後、第1図(C)に示すように、めっき位置表示部
および基準ビン孔に基づいて、めっきを行う。ここでは
、短冊状リードフレーム用のバッチ方式あるいは連続体
リードフレームの連続方式の部分めっき法を用い、めっ
き液としては、銀めっき液(ジャナンロール製のシルバ
ージェット220)を用いてスポットめっきを行い、ダ
イパッドおよびインナーリード先端部に膜厚約3μmの
銀めっき層12を形成する。このとき、めっき後、目視
によりめっき位置がめつき許容領域内にあるか否かを判
定する。そしてめっき位置がめつき位置表示部に接触し
ている場合は、ただちにめっきヘッドを調整する。
そして、第1図(d)に示すように、スタンピング法に
より、半導体素子を搭載するためのダイノくラド2と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
多数のインナーリード4と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー7と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド8とダイパッド2を支持するサポートパー9とを含む
リードフレームを成型する。
このように、本発明の方法によれば、めっき許容領域を
示すめっき位置表示部が設けられており、めっき後直ち
に、目視によりめっき位置が内にあるか否かを判定する
ことができる。そして、めっき位置がめつき位置表示部
に接触している場合は、ただちにめっきヘッドを調整す
ることにより、めっき位置の位置ずれによる不良を最小
限度に維持することができる。
このようにして、インナーリード側面にめっき層が形成
されることなく、膜質が良好でボンディング性の良好な
銀めっき層を有するリードフレムが形成される。
このようにして形成されたリードフレームによれば、高
精度に位置決めがなされ、製造歩留まりが高く、信頼性
の高い半導体装置を得ることが可能となる。
実施例2 次に、本発明の第2の実施例について説明する。
第2図は、本発明実施例のリードフレームの製造工程を
示す図である。
まず、アロイ42と指称されている42%ニッケル鋼か
らなる帯状材料を加工し、前記実施例1において第1図
(a)および第1図(b)に示したのと同様に、スタン
ピング法により、形状加工を行う。ここでは第2図(a
)および第2図(b)に示すように(第2図(1))は
第2図(a)のA−A断面図)、めっき許容領域23の
周り全体を溝状の表示部24で囲み、この表示部24の
位置に基づいてめっき層22を形成するようにしたもの
で、他部については実施例]−と全く同様に形成する。
そして実施例1とまったく同様にしてスタンピング工程
を経てリードフレームが完成する。
このようにして形成されたリードフレームは、実施例1
のリードフレームと同様の効果に加え、インナーリード
先端部に形成された凹溝が封止樹脂を係止し、封止樹脂
との結合を強固にするため、アウターリードの曲げ等に
よる引っ張りによるインナーリード先端部の位置ずれを
防止すると言う効果がある。従って、素子搭載部が大き
くなり、封止樹脂の端部とリード先端部のめっきエリア
との間隔が狭くなっても、アウターリードの曲げ等によ
る引っ張りがボンディングエリアに影響を与えることは
ない。
なお、上記実施例では貴金属めっきとして銀めっきを用
いた場合について説明したが、金めつきを用いる場合に
も適用可能であることはいうまでもない。
また、リードフレームの形状についても、ダイパッドを
有するリードフレームに限定されることなく、適宜変形
可能である。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、形状
加工に先立ち部分めっきを行う部分めっき法を用いたリ
ードフレームの製造に際し、めっき許容位置に対応して
凹部からなる表示領域が形成されているため、位置の確
認が容易であり、また、めっきを行った直後に位置ずれ
を迅速に修正し、位置ずれ不良の発生を大幅に低減する
ことができ、歩留まりの大幅な向上をはかることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)乃至第1図(d)は、本発明の第1の実施
例のリードフレームの製造工程を示す図、第2図(a)
および第2図(b)は、本発明の第2の実施例のリード
フレームの製造工程を示す図、第3図は通常の半導体装
置を示す図、第4図は同半導体装置のリードフレームを
示す図である。 1・・・リードフレーム、2・・・ダイパッド、3・・
半0 導体素子、4・・・インナーリード、5・・・ボンディ
ングワイヤ、6・・・樹脂、7・・・タイバー 8・・
・アウタリード、9・・・サポートパー 12・・・銀
めっき層、13・・・めっき位置許容領域、]4・・・
表示部、22・・・めっき層、23・・・めっき位置許
容領域、24・・・表示部。 〕 第2図(G) 特開平 127856 (6) 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 金属条材に、基準位置決め用の基準ピン孔とめっき許容
    領域を示す凹部からなる表示部を形成する表示部形成工
    程と、 前記表示部および基準ピン孔に基づいてめっき位置を決
    定し、選択的にめっきを行う部分めっき工程と、 リードフレームを所望の形状に形状加工する形状加工工
    程とを含むようにしたことを特徴とするリードフレーム
    の製造方法。
JP1267502A 1989-10-13 1989-10-13 リードフレームの製造方法 Expired - Fee Related JPH0821663B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008208981A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Aisin Aw Industries Co Ltd 発進装置のクラッチ部への給油構造

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59188952A (ja) * 1983-04-11 1984-10-26 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法

Patent Citations (1)

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JPS59188952A (ja) * 1983-04-11 1984-10-26 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008208981A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Aisin Aw Industries Co Ltd 発進装置のクラッチ部への給油構造

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