JPH0822020A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
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- JPH0822020A JPH0822020A JP15761194A JP15761194A JPH0822020A JP H0822020 A JPH0822020 A JP H0822020A JP 15761194 A JP15761194 A JP 15761194A JP 15761194 A JP15761194 A JP 15761194A JP H0822020 A JPH0822020 A JP H0822020A
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- liquid crystal
- amorphous silicon
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- film
- hydrogenated amorphous
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、製造工程上で歩留まり良く
製造できる構成の、液晶ライトバルブを提供する事にあ
る。 【構成】 図１に、本発明の液晶ライトバルブの構成の
例を示す。本発明の液晶ライトバルブは、ＩＴＯ透明電
極上に水素化アモルファスシリコン光導電層及びミラー
層が形成されているガラス基板のＩＴＯ透明電極と水素
化アモルファスシリコン光導電層の間に、中間膜が形成
されている。 【効果】 本発明の方法に依れば、水素化アモルファス
シリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシリコン膜
の剥離を発生する事が殆どなくなり、歩留まり良く液晶
ライトバルブを製造する事が可能となった。
製造できる構成の、液晶ライトバルブを提供する事にあ
る。 【構成】 図１に、本発明の液晶ライトバルブの構成の
例を示す。本発明の液晶ライトバルブは、ＩＴＯ透明電
極上に水素化アモルファスシリコン光導電層及びミラー
層が形成されているガラス基板のＩＴＯ透明電極と水素
化アモルファスシリコン光導電層の間に、中間膜が形成
されている。 【効果】 本発明の方法に依れば、水素化アモルファス
シリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシリコン膜
の剥離を発生する事が殆どなくなり、歩留まり良く液晶
ライトバルブを製造する事が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像投影装置、ビデオ
プロジェクター等に用いられる液晶ライトバルブに関す
るものである。
プロジェクター等に用いられる液晶ライトバルブに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶ライトバルブは、米国特許３５９２
５２７等に開示されているように、典型的に光導電層、
光反射層、液晶層を組み合わせた形態のデバイスであ
る。近年、液晶ライトバルブを光増幅のために用いた高
輝度画像投影装置が製品化されている。
５２７等に開示されているように、典型的に光導電層、
光反射層、液晶層を組み合わせた形態のデバイスであ
る。近年、液晶ライトバルブを光増幅のために用いた高
輝度画像投影装置が製品化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶ライトバルブを構
成する場合、透明電極としては導電率の点からＩＴＯ透
明電極を、光導電層としては水素化アモルファスシリコ
ンを用いる事が一般に行われている。しかし、ＩＴＯ透
明電極と水素化アモルファスシリコンは密着性が悪く、
また、層間でシリコン層へのインジウムの拡散等による
障害が生じる事がある。そのため、水素化アモルファス
シリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシリコン膜
の剥離が高い確率で発生する。特に、水素化アモルファ
スシリコン膜厚を大きくした場合、剥離の発生が顕著に
なり、液晶ライトバルブの製造歩留まりの低下をもたら
していた。
成する場合、透明電極としては導電率の点からＩＴＯ透
明電極を、光導電層としては水素化アモルファスシリコ
ンを用いる事が一般に行われている。しかし、ＩＴＯ透
明電極と水素化アモルファスシリコンは密着性が悪く、
また、層間でシリコン層へのインジウムの拡散等による
障害が生じる事がある。そのため、水素化アモルファス
シリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシリコン膜
の剥離が高い確率で発生する。特に、水素化アモルファ
スシリコン膜厚を大きくした場合、剥離の発生が顕著に
なり、液晶ライトバルブの製造歩留まりの低下をもたら
していた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、Ｉ
ＴＯ透明電極上に水素化アモルファスシリコン光導電層
及びミラー層が形成されているガラス基板のＩＴＯ透明
電極と水素化アモルファスシリコン光導電層の間に、中
間膜を形成した。
ＴＯ透明電極上に水素化アモルファスシリコン光導電層
及びミラー層が形成されているガラス基板のＩＴＯ透明
電極と水素化アモルファスシリコン光導電層の間に、中
間膜を形成した。
【０００５】
【作用】上記の方法を用いる事により、水素化アモルフ
ァスシリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシリコ
ン膜の剥離を発生する事が殆どなくなり、液晶ライトバ
ルブ製造時の歩留まりが向上した。
ァスシリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシリコ
ン膜の剥離を発生する事が殆どなくなり、液晶ライトバ
ルブ製造時の歩留まりが向上した。
【０００６】
【実施例】以下に図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。 （実施例１）図１は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造の一例を示す模式図である。
る。 （実施例１）図１は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造の一例を示す模式図である。
【０００７】液晶分子を挟持するための基板１１ａ、１
１ｂとして、両面をＨｅ−Ｎｅレーザー波長に於て平行
平面度λ／５以下に研磨した厚さ５ｍｍの透明ガラス基
板を用いた。両基板の表面にはＩＴＯ透明電極層１２
ａ、１２ｂを設けた。光による書き込み側の透明電極層
１２ａ上には３．０μｍの厚さの水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）光導電層１５を形成した。な
お、ＩＴＯ透明電極上には、水素化アモルファスシリコ
ン光導電層の間に、中間膜１７として、ＳｉＯ2 膜を形
成した。光導電層上には、ミラー層として誘電体多層膜
ミラー１６を形成した。ただし、ミラー層は互いに絶縁
された金属膜が配列された構造等であっても問題ない。
１ｂとして、両面をＨｅ−Ｎｅレーザー波長に於て平行
平面度λ／５以下に研磨した厚さ５ｍｍの透明ガラス基
板を用いた。両基板の表面にはＩＴＯ透明電極層１２
ａ、１２ｂを設けた。光による書き込み側の透明電極層
１２ａ上には３．０μｍの厚さの水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）光導電層１５を形成した。な
お、ＩＴＯ透明電極上には、水素化アモルファスシリコ
ン光導電層の間に、中間膜１７として、ＳｉＯ2 膜を形
成した。光導電層上には、ミラー層として誘電体多層膜
ミラー１６を形成した。ただし、ミラー層は互いに絶縁
された金属膜が配列された構造等であっても問題ない。
【０００８】これらの基板は、透明電極１２ａ上及びミ
ラー層１６上に配向膜１３ａ、１３ｂを形成した後、ス
ペーサーを介して貼り合わせ、間隙に液晶層１４を挟持
した。なお、中間膜１７としては、ＳｉＯ2 膜以外の誘
電体膜を用いても問題ない。また、中間膜１７を誘電体
の多層膜としても問題なく、この場合は、膜構成及び膜
材料の組み合わせによって、書き込み光中の紫外光或い
は赤外光反射膜として、または書き込み光以外の迷光成
分を除去する等の機能を持つバンドパスフィルターとし
て、中間膜１７を機能させる事もできる。
ラー層１６上に配向膜１３ａ、１３ｂを形成した後、ス
ペーサーを介して貼り合わせ、間隙に液晶層１４を挟持
した。なお、中間膜１７としては、ＳｉＯ2 膜以外の誘
電体膜を用いても問題ない。また、中間膜１７を誘電体
の多層膜としても問題なく、この場合は、膜構成及び膜
材料の組み合わせによって、書き込み光中の紫外光或い
は赤外光反射膜として、または書き込み光以外の迷光成
分を除去する等の機能を持つバンドパスフィルターとし
て、中間膜１７を機能させる事もできる。
【０００９】本実施例の構成を採用する事によって、Ｉ
ＴＯ透明電極と水素化アモルファスシリコンは密着性が
改善され、また、層間でシリコン層へのインジウムの拡
散等による障害が生じなくなった。このため、水素化ア
モルファスシリコン表面の白濁や、水素化アモルファス
シリコン膜の剥離を発生する事が殆どなくなり、液晶ラ
イトバルブ製造時の歩留まりが格段に向上した。
ＴＯ透明電極と水素化アモルファスシリコンは密着性が
改善され、また、層間でシリコン層へのインジウムの拡
散等による障害が生じなくなった。このため、水素化ア
モルファスシリコン表面の白濁や、水素化アモルファス
シリコン膜の剥離を発生する事が殆どなくなり、液晶ラ
イトバルブ製造時の歩留まりが格段に向上した。
【００１０】（実施例２）次に、実施例１に於いて形成
した中間膜１７を、酸化亜鉛膜として液晶ライトバルブ
を製造した。この場合も、実施例１と同様に水素化アモ
ルファスシリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシ
リコン膜の剥離を発生する事が殆どなくなり、液晶ライ
トバルブ製造時の歩留まりが格段に向上した。さらに、
酸化亜鉛膜は透明導電膜であるので、中間膜を挿入した
事によるインピーダンスの変化がなく、素子の機能へ与
える影響が皆無であった。
した中間膜１７を、酸化亜鉛膜として液晶ライトバルブ
を製造した。この場合も、実施例１と同様に水素化アモ
ルファスシリコン表面の白濁や、水素化アモルファスシ
リコン膜の剥離を発生する事が殆どなくなり、液晶ライ
トバルブ製造時の歩留まりが格段に向上した。さらに、
酸化亜鉛膜は透明導電膜であるので、中間膜を挿入した
事によるインピーダンスの変化がなく、素子の機能へ与
える影響が皆無であった。
【００１１】なお、透明導電膜を用いる中間膜として
は、酸化錫膜、または酸化アンチモンを含有する酸化錫
膜を用いても、全く同様の効果が得られた。
は、酸化錫膜、または酸化アンチモンを含有する酸化錫
膜を用いても、全く同様の効果が得られた。
【００１２】
【発明の効果】本発明を用いることにより、液晶ライト
バルブの高輝度画像投影装置への応用範囲を増大させる
事ができる。
バルブの高輝度画像投影装置への応用範囲を増大させる
事ができる。
【図１】本発明に係る液晶ライトバルブの構造を示す模
式図である。
式図である。
【符号の説明】 １１ａ、１１ｂ 透明基板 １２ａ、１２ｂ 透明電極 １３ａ、１３ｂ 配向膜層 １４ 液晶層 １５ 光導電層 １６ ミラー層 １７ 中間膜
Claims (3)
- 【請求項１】 光による書き込み手段、光による読み出
し手段及び電圧印加手段を具備し、ＩＴＯ透明電極上に
水素化アモルファスシリコン光導電層及びミラー層が形
成されたガラス基板と、透明電極の形成されたガラス基
板の、それぞれの対向する表面に液晶配向膜が形成され
た一組のガラス基板が対向配置され、その間隙に液晶組
成物が封入されてなる液晶ライトバルブに於いて、該Ｉ
ＴＯ透明電極上に水素化アモルファスシリコン光導電層
及びミラー層が形成されているガラス基板のＩＴＯ透明
電極と水素化アモルファスシリコン光導電層の間に、中
間膜が形成されてなる事を特徴とする液晶ライトバル
ブ。 - 【請求項２】 該中間膜が、単層または多層の誘電体膜
であることを特徴とする請求項１記載の液晶ライトバル
ブ。 - 【請求項３】 該中間膜が、酸化亜鉛膜、または酸化錫
膜、または酸化アンチモンを含有する酸化錫膜であるこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶ライトバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15761194A JPH0822020A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15761194A JPH0822020A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822020A true JPH0822020A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15653517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15761194A Pending JPH0822020A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822020A (ja) |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15761194A patent/JPH0822020A/ja active Pending
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