JPH08220300A - 電子線照射装置 - Google Patents
電子線照射装置Info
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- JPH08220300A JPH08220300A JP7052085A JP5208595A JPH08220300A JP H08220300 A JPH08220300 A JP H08220300A JP 7052085 A JP7052085 A JP 7052085A JP 5208595 A JP5208595 A JP 5208595A JP H08220300 A JPH08220300 A JP H08220300A
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- electron beam
- irradiation
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ搬送手段によるウエハの金属汚染を防
止すること。 【構成】 電子ビームの照射領域にシリコンウエハ6を
搬送する手段としてチェーンコンベア7を設ける。同コ
ンベアは2列に配列され同期して駆動される二つのチェ
ーン8を有し、各チェーンには、その連結片8aに形成
したアタッチメント付設部8a1と取付けネジを用い
て、シリコンウエハを載置するセラミック或いはカーボ
ン製のウエハ受けピン9を立設する。コンベアのチェー
ン部と搬送されるシリコンウエハとの間に位置するよう
に防塵カバー12を設け、このカバーにはウエハ受けピ
ンのみを通過させる隙間13を形成する。
止すること。 【構成】 電子ビームの照射領域にシリコンウエハ6を
搬送する手段としてチェーンコンベア7を設ける。同コ
ンベアは2列に配列され同期して駆動される二つのチェ
ーン8を有し、各チェーンには、その連結片8aに形成
したアタッチメント付設部8a1と取付けネジを用い
て、シリコンウエハを載置するセラミック或いはカーボ
ン製のウエハ受けピン9を立設する。コンベアのチェー
ン部と搬送されるシリコンウエハとの間に位置するよう
に防塵カバー12を設け、このカバーにはウエハ受けピ
ンのみを通過させる隙間13を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サイリスタ等のパワー
デバイス用シリコンウエハ製造プロセスで電子ビームを
照射する場合に、シリコンウエハの金属汚染を防止する
ことができる電子線照射装置に関する。
デバイス用シリコンウエハ製造プロセスで電子ビームを
照射する場合に、シリコンウエハの金属汚染を防止する
ことができる電子線照射装置に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、サイリスタ等のスイッチング特性
を改善する有効な手法として、サイリスタ素子作製用の
シリコンウエハに対し、電子ビームを照射するプロセス
が注目されている。通常、電子線照射装置にあっては、
被照射物がフィルム、ウエブ等の長尺帯状体、或いは電
線、ケーブル等の線状体の場合には、照射装置に搬送ロ
ーラ、キャプスタンを設けて被照射物を照射領域に搬送
している。
を改善する有効な手法として、サイリスタ素子作製用の
シリコンウエハに対し、電子ビームを照射するプロセス
が注目されている。通常、電子線照射装置にあっては、
被照射物がフィルム、ウエブ等の長尺帯状体、或いは電
線、ケーブル等の線状体の場合には、照射装置に搬送ロ
ーラ、キャプスタンを設けて被照射物を照射領域に搬送
している。
【0003】また、被照射物が連続しない個別体の場合
には、図6(a)に示すように、照射装置にメッシュコ
ンベア1あるいはスラットコンベアを配設し、被照射物
2をコンベアの上に直接載せて搬送するか、同図(b)
に部分的に示すように、被照射物2を予めトレー3に入
れてコンベアで搬送し、走査管4の下端部に設けた照射
窓5からの電子ビームを被照射物に照射している。
には、図6(a)に示すように、照射装置にメッシュコ
ンベア1あるいはスラットコンベアを配設し、被照射物
2をコンベアの上に直接載せて搬送するか、同図(b)
に部分的に示すように、被照射物2を予めトレー3に入
れてコンベアで搬送し、走査管4の下端部に設けた照射
窓5からの電子ビームを被照射物に照射している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】被照射物が個別体であ
るシリコンウエハに電子ビームを照射する場合には、図
6の場合と同様に、搬送手段としてコンベアを用いるこ
とになるが、メッシュコンベア、スラットコンベアによ
ると、これらコンベアの運転に伴い、機械的摩擦接触部
分から金属粉が生じ、照射領域を搬送されるシリコンウ
エハが金属汚染される恐れが生ずる。電子ビーム照射工
程において、ウエハ面に金属汚染物が付着すると、後続
するウエハ処理工程でさらに汚染が拡大する。シリコン
ウエハ自体に金属汚染物が付着することにより、ウエハ
におけるパターン間に短絡箇所が生じたり、或いは熱拡
散工程で電子ビーム照射に伴う付着金属が拡散し、最終
的に作製される半導体素子内に入り込むことにより初期
の特性をもつものが得られず、さらには、完全なる素子
特性の破壊に及ぶことになる。
るシリコンウエハに電子ビームを照射する場合には、図
6の場合と同様に、搬送手段としてコンベアを用いるこ
とになるが、メッシュコンベア、スラットコンベアによ
ると、これらコンベアの運転に伴い、機械的摩擦接触部
分から金属粉が生じ、照射領域を搬送されるシリコンウ
エハが金属汚染される恐れが生ずる。電子ビーム照射工
程において、ウエハ面に金属汚染物が付着すると、後続
するウエハ処理工程でさらに汚染が拡大する。シリコン
ウエハ自体に金属汚染物が付着することにより、ウエハ
におけるパターン間に短絡箇所が生じたり、或いは熱拡
散工程で電子ビーム照射に伴う付着金属が拡散し、最終
的に作製される半導体素子内に入り込むことにより初期
の特性をもつものが得られず、さらには、完全なる素子
特性の破壊に及ぶことになる。
【0005】本発明は、一般に電子ビーム照射が行われ
る大気雰囲気において、シリコンウエハに対する金属汚
染を低減、防止することができる電子線照射装置の提供
を目的とするものである。
る大気雰囲気において、シリコンウエハに対する金属汚
染を低減、防止することができる電子線照射装置の提供
を目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、照射領域に被
照射物であるシリコンウエハを搬送するコンベアを備え
た電子線照射装置であって、2列に配列され同期して駆
動されるチェーン及びこれらチェーンに立設され、前記
シリコンウエハを載置するセラミック或いはカーボン製
のウエハ受けピンを有するチェーンコンベアと、このコ
ンベアのチェーン部と搬送されるシリコンウエハとの間
に位置するように設けられ、前記ウエハ受けピンのみを
通過させる隙間を有する防塵カバーとを備えてなること
を特徴とするものである。
照射物であるシリコンウエハを搬送するコンベアを備え
た電子線照射装置であって、2列に配列され同期して駆
動されるチェーン及びこれらチェーンに立設され、前記
シリコンウエハを載置するセラミック或いはカーボン製
のウエハ受けピンを有するチェーンコンベアと、このコ
ンベアのチェーン部と搬送されるシリコンウエハとの間
に位置するように設けられ、前記ウエハ受けピンのみを
通過させる隙間を有する防塵カバーとを備えてなること
を特徴とするものである。
【0007】
【作用】シリコンウエハはコンベアのウエハ受けピンと
のみ接触し、その接触面積も小さく、ウエハ受けピンは
セラミック或いはカーボン製であるから、両者の接触に
よりウエハが金属汚染される恐れはない。また、コンベ
アのチェーン機構部と搬送されるウエハとの間に防塵カ
バーが設けられていることにより、チェーン機構部で金
属粉が発生してもウエハの金属汚染が防止される。
のみ接触し、その接触面積も小さく、ウエハ受けピンは
セラミック或いはカーボン製であるから、両者の接触に
よりウエハが金属汚染される恐れはない。また、コンベ
アのチェーン機構部と搬送されるウエハとの間に防塵カ
バーが設けられていることにより、チェーン機構部で金
属粉が発生してもウエハの金属汚染が防止される。
【0008】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図1はシリコンウエハ照射領域についての実施例
の斜視構成図である。電子ビームの照射領域に被照射物
であるシリコンウエハ6を搬送する手段としてチェーン
コンベア7を設ける。同コンベアは、2列に配列され同
期して駆動される二つのチェーン8を有し、これらチェ
ーンはアタッチメント付設型のものであり、各チェーン
には、シリコンウエハ6を載置して支持するセラミック
或いはカーボン製のウエハ受けピン9が立設されてい
る。
する。図1はシリコンウエハ照射領域についての実施例
の斜視構成図である。電子ビームの照射領域に被照射物
であるシリコンウエハ6を搬送する手段としてチェーン
コンベア7を設ける。同コンベアは、2列に配列され同
期して駆動される二つのチェーン8を有し、これらチェ
ーンはアタッチメント付設型のものであり、各チェーン
には、シリコンウエハ6を載置して支持するセラミック
或いはカーボン製のウエハ受けピン9が立設されてい
る。
【0009】図2の断面構成図にも示すように、二つの
チェーン8における内側に位置する連結片8aは水平方
向に延びるアタッチメント付設部8a1を有し、同付設
部にセラミック或いはカーボン製のウエハ受けピン9が
取付けネジ10を用いて直立して取り付けられている。
このようにシリコンウエハ6はウエハ受けピン9で支持
しているから、両者の接触面積が少なくて済み、ウエハ
受けピンはセラミック或いはカーボンの非金属材で形成
されているから、両者ウエハとウエハ受けピンの接触し
ても金属粉を発生させる恐れはない。
チェーン8における内側に位置する連結片8aは水平方
向に延びるアタッチメント付設部8a1を有し、同付設
部にセラミック或いはカーボン製のウエハ受けピン9が
取付けネジ10を用いて直立して取り付けられている。
このようにシリコンウエハ6はウエハ受けピン9で支持
しているから、両者の接触面積が少なくて済み、ウエハ
受けピンはセラミック或いはカーボンの非金属材で形成
されているから、両者ウエハとウエハ受けピンの接触し
ても金属粉を発生させる恐れはない。
【0010】電子ビーム照射領域において各チェーン8
はレール11で案内されている。二つのチェーン8の連
結片部分及びチェーンとチェーンを案内するレール11
との接触により生じる金属粉がシリコンウエハ6に到達
しないように、チェーン部と搬送されるシリコンウエハ
との間に防塵カバー12を設ける。このカバーはウエハ
受けピン9のみを通過させる隙間13を有して形成され
ており、ウエハ受けピンは防塵カバーの隙間から突き出
してウエハを載置支持し、ウエハ6は、両脇部に設けら
れたウエハガイド14で護られて照射領域を搬送され
る。
はレール11で案内されている。二つのチェーン8の連
結片部分及びチェーンとチェーンを案内するレール11
との接触により生じる金属粉がシリコンウエハ6に到達
しないように、チェーン部と搬送されるシリコンウエハ
との間に防塵カバー12を設ける。このカバーはウエハ
受けピン9のみを通過させる隙間13を有して形成され
ており、ウエハ受けピンは防塵カバーの隙間から突き出
してウエハを載置支持し、ウエハ6は、両脇部に設けら
れたウエハガイド14で護られて照射領域を搬送され
る。
【0011】電子ビームは固定構造体には連続して同一
箇所に照射されるから、照射に伴う加熱防止のために、
防塵カバー12及びウエハガイド14には水冷手段を付
設する。ウエハ6と接触する可能性のあるウエハガイド
14はウエハ受けピン9と同様にカーボン或いはセラミ
ック材で形成され、防塵カバー12はステンレス材で形
成されるが、防塵カバーには内部に冷却水を通す水冷ジ
ャケット16,17を設け、ウエハガイド14は水冷ジ
ャケット17の側面部にボルトを用いて取り付ける。
箇所に照射されるから、照射に伴う加熱防止のために、
防塵カバー12及びウエハガイド14には水冷手段を付
設する。ウエハ6と接触する可能性のあるウエハガイド
14はウエハ受けピン9と同様にカーボン或いはセラミ
ック材で形成され、防塵カバー12はステンレス材で形
成されるが、防塵カバーには内部に冷却水を通す水冷ジ
ャケット16,17を設け、ウエハガイド14は水冷ジ
ャケット17の側面部にボルトを用いて取り付ける。
【0012】上述した実施例ではウエハ受けピン9を設
けた一台のチェーンコンベア7にシリコンウエハ6を1
枚ずつ載せて照射領域に搬送するものを示したが、シリ
コンウエハの直径は150〜200mmであるのに対
し、走査管からのビームの走査幅は、通常、ウエハ直径
よりかなり大きく、また、電子ビーム照射処理効率の点
から、複数台のチェーンコンベア7を並設することによ
り、同時並行して各コンベア上のシリコンウエハに電子
ビームを照射するようにしてもよい。
けた一台のチェーンコンベア7にシリコンウエハ6を1
枚ずつ載せて照射領域に搬送するものを示したが、シリ
コンウエハの直径は150〜200mmであるのに対
し、走査管からのビームの走査幅は、通常、ウエハ直径
よりかなり大きく、また、電子ビーム照射処理効率の点
から、複数台のチェーンコンベア7を並設することによ
り、同時並行して各コンベア上のシリコンウエハに電子
ビームを照射するようにしてもよい。
【0013】電子線照射装置の外部からチェーンコンベ
ア7に順次シリコンウエハ6を移送することにより、電
子ビーム照射処理効率を向上させることができる。通
常、電子線照射装置は照射領域が形成される照射室に隣
接して予備室を有するが、図3は予備室を介して照射室
のチェーンコンベアにシリコンウエハを搬送する電子線
照射装置についての実施例の概略構成図である。なお、
図1,図2,図6と同一符号は同等部分を示す。遮蔽体
18で囲われた照射室19における走査管4の下方にメ
インのチェーンコンベア7が設けられている。照射室に
隣接して同じく遮蔽体で囲われた入口側予備室20が設
けられており、その図示を省略しているが、照射室の右
側に隣接して出口側予備室が設けられている。予備室2
0のシリコンウエハ搬送口21、予備室と照射室の境の
シリコンウエハ搬送口22には、X線の漏出を防ぐため
の外側シャッタ23,内側シャッタ24が設けられてい
る。
ア7に順次シリコンウエハ6を移送することにより、電
子ビーム照射処理効率を向上させることができる。通
常、電子線照射装置は照射領域が形成される照射室に隣
接して予備室を有するが、図3は予備室を介して照射室
のチェーンコンベアにシリコンウエハを搬送する電子線
照射装置についての実施例の概略構成図である。なお、
図1,図2,図6と同一符号は同等部分を示す。遮蔽体
18で囲われた照射室19における走査管4の下方にメ
インのチェーンコンベア7が設けられている。照射室に
隣接して同じく遮蔽体で囲われた入口側予備室20が設
けられており、その図示を省略しているが、照射室の右
側に隣接して出口側予備室が設けられている。予備室2
0のシリコンウエハ搬送口21、予備室と照射室の境の
シリコンウエハ搬送口22には、X線の漏出を防ぐため
の外側シャッタ23,内側シャッタ24が設けられてい
る。
【0014】予備室20には入口中間コンベア25を設
ける。このコンベアは図4,図5に示すように、両端の
プーリ26に2列のゴムベルト27が掛け渡されてお
り、一方のプーリをモ−タ28で駆動する。プーリ及び
モ−タの点線で略示した支持構造体29は中間コンベア
台30に取り付けられており、このコンベア台はスライ
ドレール31で案内されて移動する。コンベア台30内
のモ−タを駆動することにより、同コンベア台とこれに
取り付けられている中間コンベア25は左方向、右方向
に移動する。電子線照射装置の外部、予備室20の外側
に未照射シリコンウエハを収納しているロードカセット
32このカセットからシリコンウエハを取り出して中間
コンベア25に渡す入口コンベア33が設けられてい
る。この入口コンベアも中間コンベアと同様に、電子ビ
ーム非照射位置にあり、照射による劣化を考慮せずに済
み、金属粉の発生を防ぐことから、ゴムベルト型のもの
を用いる。
ける。このコンベアは図4,図5に示すように、両端の
プーリ26に2列のゴムベルト27が掛け渡されてお
り、一方のプーリをモ−タ28で駆動する。プーリ及び
モ−タの点線で略示した支持構造体29は中間コンベア
台30に取り付けられており、このコンベア台はスライ
ドレール31で案内されて移動する。コンベア台30内
のモ−タを駆動することにより、同コンベア台とこれに
取り付けられている中間コンベア25は左方向、右方向
に移動する。電子線照射装置の外部、予備室20の外側
に未照射シリコンウエハを収納しているロードカセット
32このカセットからシリコンウエハを取り出して中間
コンベア25に渡す入口コンベア33が設けられてい
る。この入口コンベアも中間コンベアと同様に、電子ビ
ーム非照射位置にあり、照射による劣化を考慮せずに済
み、金属粉の発生を防ぐことから、ゴムベルト型のもの
を用いる。
【0015】メインのチェーンコンベア7に未照射シリ
コンウエハを導入するとき、図3(a)に示すように、
内側シャッタ24を閉じておいて外側シャッタ23を開
き、中間コンベア25を入口コンベア32からウエハを
受け取ることができる位置に移動させる。入口コンベア
32がロードカセット31から受け取ったウエハを中間
コンベア25に移す。次いで、図3(b)に示すよう
に、中間コンベア全体を予備室内に入れ、外側シャッタ
23を閉じる。ウエハを同コンベアの端部まで搬送し、
コンベアの搬送運転を停止する。
コンウエハを導入するとき、図3(a)に示すように、
内側シャッタ24を閉じておいて外側シャッタ23を開
き、中間コンベア25を入口コンベア32からウエハを
受け取ることができる位置に移動させる。入口コンベア
32がロードカセット31から受け取ったウエハを中間
コンベア25に移す。次いで、図3(b)に示すよう
に、中間コンベア全体を予備室内に入れ、外側シャッタ
23を閉じる。ウエハを同コンベアの端部まで搬送し、
コンベアの搬送運転を停止する。
【0016】次いで、内側シャッタ24を開き、中間コ
ンベア25全体をウエハをチェーンコンベア7に移すこ
とができる図3(c)に示す位置まで移動させ、中間コ
ンベアを駆動し、ウエハを駆動状態にあるチェーンコン
ベアに移す。図5に示すように、中間コンベア25はチ
ェーンコンベア7におけるウエハ受けピン9の間隔内に
位置することができる大きさ幅に形成されており、これ
により中間コンベアからチェーンコンベアのウエハ受け
ピンに円滑にウエハを移せる位置まで進出させることが
できる。
ンベア25全体をウエハをチェーンコンベア7に移すこ
とができる図3(c)に示す位置まで移動させ、中間コ
ンベアを駆動し、ウエハを駆動状態にあるチェーンコン
ベアに移す。図5に示すように、中間コンベア25はチ
ェーンコンベア7におけるウエハ受けピン9の間隔内に
位置することができる大きさ幅に形成されており、これ
により中間コンベアからチェーンコンベアのウエハ受け
ピンに円滑にウエハを移せる位置まで進出させることが
できる。
【0017】ウエハはチェーンコンベア7で搬送されて
走査管の照射窓5の下を通過し、電子ビームが照射され
る。その間、中間コンベア25は予備室内に戻り、内側
シャッタ24を閉じる。この間にロードカセット32か
ら次のウエハを入口コンベア33に移しておく。その
後、図3(a)のシリコンウエハ移送工程が再び始ま
り、順次、シリコンウエハに電子ビームを照射する。な
お、照射済みウエハをチェーンコンベア7から図示しな
い出口側中間コンベア、出口コンベア、照射済みカセッ
トを収納する出口側のロードカセットへの移送は上述し
た未照射ウエハの移送とは逆のシーケンスで行われる。
走査管の照射窓5の下を通過し、電子ビームが照射され
る。その間、中間コンベア25は予備室内に戻り、内側
シャッタ24を閉じる。この間にロードカセット32か
ら次のウエハを入口コンベア33に移しておく。その
後、図3(a)のシリコンウエハ移送工程が再び始ま
り、順次、シリコンウエハに電子ビームを照射する。な
お、照射済みウエハをチェーンコンベア7から図示しな
い出口側中間コンベア、出口コンベア、照射済みカセッ
トを収納する出口側のロードカセットへの移送は上述し
た未照射ウエハの移送とは逆のシーケンスで行われる。
【0018】上述の実施例では入口コンベア33と中間
コンベア25によりロードカセット32からチェーンコ
ンベア7にウエハを1枚ずつ移送するものを示したが、
トレイに数枚のウエハを入れ、これを入口コンベア或い
は中間コンベアに直接載せるようにしてもよいし、入口
コンベア33と中間コンベア25に変えて、予備室20
に、旋回・伸縮可能の多関節搬送ロボットを配置し、ロ
ードカセットからチェーンコンベアにウエハを搬送して
もよい。
コンベア25によりロードカセット32からチェーンコ
ンベア7にウエハを1枚ずつ移送するものを示したが、
トレイに数枚のウエハを入れ、これを入口コンベア或い
は中間コンベアに直接載せるようにしてもよいし、入口
コンベア33と中間コンベア25に変えて、予備室20
に、旋回・伸縮可能の多関節搬送ロボットを配置し、ロ
ードカセットからチェーンコンベアにウエハを搬送して
もよい。
【0019】具体例として、 エネルギー 800keV 注入量 <2×1013n/cm 但し、nは電子個数 ウエハ 直径150mm の条件において電子ビーム照射を行うものとすると、ビ
ーム走査幅を60cm、ウエハ走行方向のビーム拡がり
を12cmと仮定すると、 ビーム電流 500μA コンベア速度は4.5m/min で、照射,搬送システムを運転すればよい計算になる。
このコンベア速度は秒速に換算すると7.5cm/se
cであり、ウエハ受けピン9に載置されたウエハは滑る
ことなく搬送できる。
ーム走査幅を60cm、ウエハ走行方向のビーム拡がり
を12cmと仮定すると、 ビーム電流 500μA コンベア速度は4.5m/min で、照射,搬送システムを運転すればよい計算になる。
このコンベア速度は秒速に換算すると7.5cm/se
cであり、ウエハ受けピン9に載置されたウエハは滑る
ことなく搬送できる。
【0020】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、シリコンウエハはチェーンコンベアのウエハ受け
ピンとのみ接触し、その接触面積も小さく、ウエハ受け
ピンはセラミック或いはカーボン製であるから、両者の
接触によりウエハが金属汚染される恐れは全くない。ま
た、コンベアのチェーン機構部と搬送されるウエハとの
間は防塵カバーで遮られているから、チェーン機構部で
金属粉が発生してもウエハの金属汚染を防止することが
できる。したがって、シリコンウエハを安定に、かつ金
属汚染を極力少なくした形で、電子ビーム照射領域に搬
送することができる。
ので、シリコンウエハはチェーンコンベアのウエハ受け
ピンとのみ接触し、その接触面積も小さく、ウエハ受け
ピンはセラミック或いはカーボン製であるから、両者の
接触によりウエハが金属汚染される恐れは全くない。ま
た、コンベアのチェーン機構部と搬送されるウエハとの
間は防塵カバーで遮られているから、チェーン機構部で
金属粉が発生してもウエハの金属汚染を防止することが
できる。したがって、シリコンウエハを安定に、かつ金
属汚染を極力少なくした形で、電子ビーム照射領域に搬
送することができる。
【図1】本発明の実施例の斜視構成図である。
【図2】実施例の要部の構成説明図である。
【図3】電子線照射装置の外部からチェーンコンベアに
シリコンウエハを搬送する実施例の概略構成図である。
シリコンウエハを搬送する実施例の概略構成図である。
【図4】図3の実施例における中間コンベアの概略構成
図である。
図である。
【図5】図3の実施例におけるチェーンコンベアと中間
コンベアとの関係を示す説明図である。
コンベアとの関係を示す説明図である。
【図6】電子線照射装置における個別被照射物の搬送説
明図である。
明図である。
4 走査管 6 シリコンウエハ 7 チェーンコンベア 8 チェーン 9 ウエハ受けピン 12 防塵カバー 13 防塵カバーの隙間 14 ウエハガイド 16,17 水冷ジャケット 18 遮蔽体 19 照射室 20 入口予備室 23 外側シャッタ 24 内側シャッタ 25 中間コンベア 32 ロードカセット 33 入口コンベア
Claims (1)
- 【請求項1】 照射領域に被照射物であるシリコンウエ
ハを搬送するコンベアを備えた電子線照射装置であっ
て、2列に配列され同期して駆動されるチェーン及びこ
れらチェーンに立設され、前記シリコンウエハを載置す
るセラミック或いはカーボン製のウエハ受けピンを有す
るチェーンコンベアと、このコンベアのチェーン部と搬
送されるシリコンウエハとの間に位置するように設けら
れ、前記ウエハ受けピンのみを通過させる隙間を有する
防塵カバーとを備えてなることを特徴とする電子線照射
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7052085A JPH08220300A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 電子線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7052085A JPH08220300A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 電子線照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220300A true JPH08220300A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12904999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7052085A Pending JPH08220300A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 電子線照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08220300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014049696A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2016-08-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置 |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP7052085A patent/JPH08220300A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014049696A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2016-08-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |