JPH08222570A - はんだバンプの形成方法 - Google Patents
はんだバンプの形成方法Info
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- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高さが高く安定したはんだバンプを形成する
方法を提供すること。 【構成】 本発明は、先ず基台１０のパッド１１位置に
対応して穿設された所定の大きさの貫通孔２を有するバ
ンプガイド１を用意しておき、この貫通孔２とパッド１
１との位置を合わせるようにして基台１０上にバンプガ
イド１を載置する。この状態で貫通孔２内に所定量のは
んだを供給し、バンプガイド１を基台１０上に載置した
ままリフロー処理行い、その後バンプガイド１のみを基
台１０から取り外してパッド１１上にはんだバンプを形
成する。またバンプガイド１の少なくとも貫通孔２の内
面に、リフロー処理後のはんだとパッド１１との溶融接
合力よりもはんだとの接着力が小さくなる材質のものを
用いる方法でもある。
方法を提供すること。 【構成】 本発明は、先ず基台１０のパッド１１位置に
対応して穿設された所定の大きさの貫通孔２を有するバ
ンプガイド１を用意しておき、この貫通孔２とパッド１
１との位置を合わせるようにして基台１０上にバンプガ
イド１を載置する。この状態で貫通孔２内に所定量のは
んだを供給し、バンプガイド１を基台１０上に載置した
ままリフロー処理行い、その後バンプガイド１のみを基
台１０から取り外してパッド１１上にはんだバンプを形
成する。またバンプガイド１の少なくとも貫通孔２の内
面に、リフロー処理後のはんだとパッド１１との溶融接
合力よりもはんだとの接着力が小さくなる材質のものを
用いる方法でもある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスエポキシ基板や
半導体基板などの基台に設けられたパッド上にはんだバ
ンプを形成する方法に関する。
半導体基板などの基台に設けられたパッド上にはんだバ
ンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡ（Ball Grid Array ）型から成る
半導体パッケージでは、ガラスエポキシ基板などの基台
の表面に半導体チップを実装し、基台の裏面に複数のは
んだバンプを形成してパッケージを構成するものであ
り、この基台の裏面に形成したはんだバンプによって他
の実装用基板とのコンタクトを得るようにしている。
半導体パッケージでは、ガラスエポキシ基板などの基台
の表面に半導体チップを実装し、基台の裏面に複数のは
んだバンプを形成してパッケージを構成するものであ
り、この基台の裏面に形成したはんだバンプによって他
の実装用基板とのコンタクトを得るようにしている。
【０００３】このはんだバンプを形成するには、従来ス
クリーン印刷法によってクリームはんだを基台のパッド
上に塗布し、これをリフロー処理することによってボー
ル状のはんだバンプを形成している。図６は、スクリー
ン印刷法で使用する印刷スクリーンを説明する斜視図で
ある。すなわち、この印刷スクリーン１’は例えばステ
ンレスから成る厚さ３００μｍ程度の薄板にエッチング
処理やプレス処理を施して複数の貫通孔２を穿設したも
のである。
クリーン印刷法によってクリームはんだを基台のパッド
上に塗布し、これをリフロー処理することによってボー
ル状のはんだバンプを形成している。図６は、スクリー
ン印刷法で使用する印刷スクリーンを説明する斜視図で
ある。すなわち、この印刷スクリーン１’は例えばステ
ンレスから成る厚さ３００μｍ程度の薄板にエッチング
処理やプレス処理を施して複数の貫通孔２を穿設したも
のである。
【０００４】印刷スクリーン１’の貫通孔２は、はんだ
バンプを形成する基台１０のパッド１１の位置に対応し
て設けられている。この印刷スクリーン１’を用いては
んだバンプを形成するには、先ず、図７に示すように印
刷スクリーン１’の貫通孔２と基台１０のパッド１１と
の位置を合わせるように印刷スクリーン１’を配置す
る。なお、印刷スクリーン１’の周辺には枠（図示せ
ず）が設けられているため、印刷スクリーン１’を基台
１０上に配置した状態では印刷スクリーン１’と基台１
０との間にわずかな隙間が生じている。
バンプを形成する基台１０のパッド１１の位置に対応し
て設けられている。この印刷スクリーン１’を用いては
んだバンプを形成するには、先ず、図７に示すように印
刷スクリーン１’の貫通孔２と基台１０のパッド１１と
の位置を合わせるように印刷スクリーン１’を配置す
る。なお、印刷スクリーン１’の周辺には枠（図示せ
ず）が設けられているため、印刷スクリーン１’を基台
１０上に配置した状態では印刷スクリーン１’と基台１
０との間にわずかな隙間が生じている。
【０００５】次に、図８に示すように印刷スクリーン
１’の貫通孔２内に所定量のクリームはんだ３を塗布す
る処理を行う。この塗布を行うには、印刷スクリーン
１’上にクリームはんだ３を供給し、スキージ（図示せ
ず）を移動することによってそのクリームはんだ３を引
き延ばすようにする。この際、スキージの移動にともな
い印刷スクリーン１’が基台１０側に押し付けられ、貫
通孔２を介してクリームはんだ３が基台１０のパッド１
１上に塗布されることになる（図中矢印参照）。なお、
塗布されるクリームはんだ３の高さは印刷スクリーン
１’の厚さに依存するため、例えば３００μｍ厚の印刷
スクリーン１’を用いる場合には塗布されるクリームは
んだ３の高さも約３００μｍとなる。
１’の貫通孔２内に所定量のクリームはんだ３を塗布す
る処理を行う。この塗布を行うには、印刷スクリーン
１’上にクリームはんだ３を供給し、スキージ（図示せ
ず）を移動することによってそのクリームはんだ３を引
き延ばすようにする。この際、スキージの移動にともな
い印刷スクリーン１’が基台１０側に押し付けられ、貫
通孔２を介してクリームはんだ３が基台１０のパッド１
１上に塗布されることになる（図中矢印参照）。なお、
塗布されるクリームはんだ３の高さは印刷スクリーン
１’の厚さに依存するため、例えば３００μｍ厚の印刷
スクリーン１’を用いる場合には塗布されるクリームは
んだ３の高さも約３００μｍとなる。
【０００６】次いで、図９に示すように基台１０上から
印刷スクリーン１’（図８参照）を取り外す処理を行
う。これによってクリームはんだ３は印刷スクリーン
１’の貫通孔２（図８参照）の形状に応じてパッド１１
上に残る状態となる。そして、図１０に示すように、パ
ッド１１上のクリームはんだ３（図９参照）をリフロー
処理（２００℃前後）することでクリームはんだ３が溶
融しボール状のはんだバンプ３１となる。このはんだバ
ンプ３１はパッド１１と溶融接合しており、しかも溶融
の際の表面張力によるセルフアライメント作用で、はん
だバンプ３１とパッド１１の位置とが整合するようにな
っている。
印刷スクリーン１’（図８参照）を取り外す処理を行
う。これによってクリームはんだ３は印刷スクリーン
１’の貫通孔２（図８参照）の形状に応じてパッド１１
上に残る状態となる。そして、図１０に示すように、パ
ッド１１上のクリームはんだ３（図９参照）をリフロー
処理（２００℃前後）することでクリームはんだ３が溶
融しボール状のはんだバンプ３１となる。このはんだバ
ンプ３１はパッド１１と溶融接合しており、しかも溶融
の際の表面張力によるセルフアライメント作用で、はん
だバンプ３１とパッド１１の位置とが整合するようにな
っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体装置の高機能化にともないチップの大型化が進
み、パッケージ全体の大きさも大きくなってきている。
このパッケージの大型化によりはんだバンプを備えるパ
ッケージとこれを実装する実装用基板との間の熱膨張係
数差により個々のはんだバンプにかかる応力が大きくな
っている。これを緩和するためはんだバンプを高さを高
くすることが考えられるが、印刷スクリーンを用いたは
んだバンプの形成方法では３００μｍ程度の高さのはん
だバンプを形成するのが限界である。つまり、これ以上
の高さではんだバンプを形成しようとするとクリームは
んだを塗布して印刷スクリーンを取り外す際や、リフロ
ー処理の際にその形が崩れてしまうことになる。したが
って、高さを高くできしかも安定した形状のはんだバン
プを形成するのは非常に困難となっている。
半導体装置の高機能化にともないチップの大型化が進
み、パッケージ全体の大きさも大きくなってきている。
このパッケージの大型化によりはんだバンプを備えるパ
ッケージとこれを実装する実装用基板との間の熱膨張係
数差により個々のはんだバンプにかかる応力が大きくな
っている。これを緩和するためはんだバンプを高さを高
くすることが考えられるが、印刷スクリーンを用いたは
んだバンプの形成方法では３００μｍ程度の高さのはん
だバンプを形成するのが限界である。つまり、これ以上
の高さではんだバンプを形成しようとするとクリームは
んだを塗布して印刷スクリーンを取り外す際や、リフロ
ー処理の際にその形が崩れてしまうことになる。したが
って、高さを高くできしかも安定した形状のはんだバン
プを形成するのは非常に困難となっている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたはんだバンプの形成方法であ
る。すなわち、本発明のはんだバンプ形成方法は、先
ず、基台のパッド位置に対応して穿設された所定の大き
さの貫通孔を有するバンプガイドを用意しておき、次い
で、この貫通孔とパッドとの位置を合わせるようにして
基台上にバンプガイドを載置してこの状態で貫通孔内に
所定量のはんだを供給する。次に、このバンプガイドを
基台上に載置したままリフロー処理を行ってはんだをパ
ッド上に溶融接合し、その後、バンプガイドのみを基台
から取り外すようにする。また、この際に使用するバン
プガイドの少なくとも貫通孔の内面はリフロー処理後の
はんだとパッドとの溶融接合力よりもはんだとの接着力
が小さくなる材質のものを用いる方法でもある。
を解決するために成されたはんだバンプの形成方法であ
る。すなわち、本発明のはんだバンプ形成方法は、先
ず、基台のパッド位置に対応して穿設された所定の大き
さの貫通孔を有するバンプガイドを用意しておき、次い
で、この貫通孔とパッドとの位置を合わせるようにして
基台上にバンプガイドを載置してこの状態で貫通孔内に
所定量のはんだを供給する。次に、このバンプガイドを
基台上に載置したままリフロー処理を行ってはんだをパ
ッド上に溶融接合し、その後、バンプガイドのみを基台
から取り外すようにする。また、この際に使用するバン
プガイドの少なくとも貫通孔の内面はリフロー処理後の
はんだとパッドとの溶融接合力よりもはんだとの接着力
が小さくなる材質のものを用いる方法でもある。
【０００９】
【作用】本発明では、バンプガイドを基台上に載置して
その貫通孔内に所定量のはんだを供給し、このバンプガ
イドを載置した状態のままリフロー処理を行っている。
このため、貫通孔内のはんだはリフロー処理が終わるま
でバンプガイドによって支えられることになり、形が崩
れることなくボール状のはんだバンプとなる。また、バ
ンプガイドの少なくとも貫通孔の内面に、リフロー処理
後のはんだとパッドとの溶融接合力よりもはんだとの接
着力が小さくなる材質のものを使用することで、リフロ
ー処理後にバンプガイドを基台から取り外す際、パッド
と溶融接合しているはんだバンプをパッド上に残してバ
ンプガイドのみを基台から取り外すことができるように
なる。
その貫通孔内に所定量のはんだを供給し、このバンプガ
イドを載置した状態のままリフロー処理を行っている。
このため、貫通孔内のはんだはリフロー処理が終わるま
でバンプガイドによって支えられることになり、形が崩
れることなくボール状のはんだバンプとなる。また、バ
ンプガイドの少なくとも貫通孔の内面に、リフロー処理
後のはんだとパッドとの溶融接合力よりもはんだとの接
着力が小さくなる材質のものを使用することで、リフロ
ー処理後にバンプガイドを基台から取り外す際、パッド
と溶融接合しているはんだバンプをパッド上に残してバ
ンプガイドのみを基台から取り外すことができるように
なる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明のはんだバンプの形成方法を
図に基づいて説明する。図１は本発明のはんだバンプの
形成方法で使用するバンプガイドを説明する斜視図であ
る。はんだバンプは、ガラスエポキシ基板や半導体基板
等の基台１０に設けられたパッド１１上に形成されるも
のであり、バンプガイド１には、このパッド１１の位置
に対応して穿設された所定の大きさの貫通孔２が設けら
れている。例えば、基台１０にマトリクス状にパッド１
１が設けられている場合には、この配置に対応して貫通
孔２もマトリクス状に設けられている。
図に基づいて説明する。図１は本発明のはんだバンプの
形成方法で使用するバンプガイドを説明する斜視図であ
る。はんだバンプは、ガラスエポキシ基板や半導体基板
等の基台１０に設けられたパッド１１上に形成されるも
のであり、バンプガイド１には、このパッド１１の位置
に対応して穿設された所定の大きさの貫通孔２が設けら
れている。例えば、基台１０にマトリクス状にパッド１
１が設けられている場合には、この配置に対応して貫通
孔２もマトリクス状に設けられている。
【００１１】また、バンプガイド１の厚さは、形成する
はんだバンプの高さに応じて設定されている。さらに、
バンプガイド１の少なくとも貫通孔２の内面は、パッド
１１とはんだとの溶融接合力よりもはんだとの接着力が
小さくなる材質にて構成されている。例えば、銀−パラ
ジウムから成るパッド１１の上面に、はんだ（錫６３
％、鉛３７％）を溶融接合してはんだバンプを形成する
場合には、このパッド１１とはんだとの溶融接合力より
もはんだとの接着力が小さいセラミックスやフッ素系樹
脂から成る材質にてバンプガイド１を構成する。
はんだバンプの高さに応じて設定されている。さらに、
バンプガイド１の少なくとも貫通孔２の内面は、パッド
１１とはんだとの溶融接合力よりもはんだとの接着力が
小さくなる材質にて構成されている。例えば、銀−パラ
ジウムから成るパッド１１の上面に、はんだ（錫６３
％、鉛３７％）を溶融接合してはんだバンプを形成する
場合には、このパッド１１とはんだとの溶融接合力より
もはんだとの接着力が小さいセラミックスやフッ素系樹
脂から成る材質にてバンプガイド１を構成する。
【００１２】つまり、バンプガイド１全体をセラミック
スやフッ素系樹脂から成る材料で構成しても、バンプガ
イド１として金属を用いた場合であっても少なくともそ
の貫通孔２の内面にセラミックスやフッ素系樹脂をコー
ティングしたものを用いてもいずれでもよい。また、通
常の共晶はんだが溶融接合しない例えばアルミニウム
（ステンレスよりもはんだ濡れ性が低い材質）をバンプ
ガイド１の材質として用いてもよい。なお、バンプガイ
ド１の貫通孔２は、例えば切削加工やプレス加工によっ
て穿設するようにする。特に、バンプガイド１として金
属を用い、プレス加工用によって貫通孔２を穿設し、必
要に応じて少なくとも貫通孔２の内面にセラミックスや
フッ素系樹脂のコーティング処理を施すようにすれば容
易にバンプガイド１を製造できるメリットがある。
スやフッ素系樹脂から成る材料で構成しても、バンプガ
イド１として金属を用いた場合であっても少なくともそ
の貫通孔２の内面にセラミックスやフッ素系樹脂をコー
ティングしたものを用いてもいずれでもよい。また、通
常の共晶はんだが溶融接合しない例えばアルミニウム
（ステンレスよりもはんだ濡れ性が低い材質）をバンプ
ガイド１の材質として用いてもよい。なお、バンプガイ
ド１の貫通孔２は、例えば切削加工やプレス加工によっ
て穿設するようにする。特に、バンプガイド１として金
属を用い、プレス加工用によって貫通孔２を穿設し、必
要に応じて少なくとも貫通孔２の内面にセラミックスや
フッ素系樹脂のコーティング処理を施すようにすれば容
易にバンプガイド１を製造できるメリットがある。
【００１３】次に、このバンプガイド１を用いたはんだ
バンプの形成方法を順に説明する。先ず、図２に示すよ
うに、予め用意したバンプガイド１を基台１０の上に載
置する。この際、バンプガイド１の貫通孔２と基台１０
に設けられたパッド１１との位置を合わせるようにして
おくとともに、バンプガイド１を基台１０上に密着させ
るようにしておく。
バンプの形成方法を順に説明する。先ず、図２に示すよ
うに、予め用意したバンプガイド１を基台１０の上に載
置する。この際、バンプガイド１の貫通孔２と基台１０
に設けられたパッド１１との位置を合わせるようにして
おくとともに、バンプガイド１を基台１０上に密着させ
るようにしておく。
【００１４】次いで、図３に示すように、基台１０上の
バンプガイド１の貫通孔２内へ所定量のクリームはんだ
３を供給する。クリームはんだ３を供給するには、バン
プガイド１上に適量のクリームはんだ３を塗布した状態
でスキージ（図示せず）にて引き延ばし、貫通孔２内へ
そのクリームはんだ３を埋め込むようにする。この貫通
孔２内に供給されるクリームはんだ３の量はバンプガイ
ド１の厚さによって制御することが可能である。
バンプガイド１の貫通孔２内へ所定量のクリームはんだ
３を供給する。クリームはんだ３を供給するには、バン
プガイド１上に適量のクリームはんだ３を塗布した状態
でスキージ（図示せず）にて引き延ばし、貫通孔２内へ
そのクリームはんだ３を埋め込むようにする。この貫通
孔２内に供給されるクリームはんだ３の量はバンプガイ
ド１の厚さによって制御することが可能である。
【００１５】ここで、クリームはんだ３の供給量Ｖp
と、生成するはんだバンプの体積Ｖsとの間には（１）
式で示す関係がある。
と、生成するはんだバンプの体積Ｖsとの間には（１）
式で示す関係がある。
【００１６】
【数１】
【００１７】また、形成されるはんだバンプの目標高さ
をｈ、パッド１１（円形とする）の径をＲ、はんだバン
プ（球形と仮定する）の直径Ａとすると、はんだバンプ
の体積Ｖs は（２）式および（３）式で示すことができ
る。
をｈ、パッド１１（円形とする）の径をＲ、はんだバン
プ（球形と仮定する）の直径Ａとすると、はんだバンプ
の体積Ｖs は（２）式および（３）式で示すことができ
る。
【００１８】
【数２】
【数３】
【００１９】この（１）〜（３）式を用いてはんだバン
プの高さに応じたバンプガイド１の厚さを決定する。例
えば、はんだバンプの目標高さｈ＝０．７５ｍｍ、パッ
ド１１の径Ｒ＝０．６ｍｍとした場合、はんだバンプの
体積Ｖp ＝０．６５４ｍｍ3となる。この際、バンプガ
イド１の貫通孔２（平面視正方形とする）の一辺を１ｍ
ｍとした場合には、バンプガイド１の厚さを０．６５４
ｍｍに設定すればよいことになる。
プの高さに応じたバンプガイド１の厚さを決定する。例
えば、はんだバンプの目標高さｈ＝０．７５ｍｍ、パッ
ド１１の径Ｒ＝０．６ｍｍとした場合、はんだバンプの
体積Ｖp ＝０．６５４ｍｍ3となる。この際、バンプガ
イド１の貫通孔２（平面視正方形とする）の一辺を１ｍ
ｍとした場合には、バンプガイド１の厚さを０．６５４
ｍｍに設定すればよいことになる。
【００２０】先に説明したように、バンプガイド１は基
台１０と密着した状態で載置されるため、このような計
算によってバンプガイド１の厚さを設定しておくこと
で、貫通孔２内への埋め込みによって最適量のクリーム
はんだ３をパッド１１上へ供給することが可能となる。
台１０と密着した状態で載置されるため、このような計
算によってバンプガイド１の厚さを設定しておくこと
で、貫通孔２内への埋め込みによって最適量のクリーム
はんだ３をパッド１１上へ供給することが可能となる。
【００２１】次に、図４に示すように、本発明のはんだ
バンプの形成方法では、バンプガイド１を基台１０上に
載置した状態のままリフロー処理（２００℃前後の加
熱）を行って、クリームはんだ３（図３参照）とパッド
１１とを溶融接合する。溶融の際、クリームはんだ３は
その表面張力によるセルフアライメント作用によってパ
ッド１１の位置に自己整合するとともに、バンプガイド
１の貫通孔２に支えられる状態で倒れたり形が崩れたり
することなく球状のはんだバンプ３１となる。このた
め、クリームはんだ３をパッド１１の径と同じ程度の厚
さに供給しても、形の崩れを起こすことなくはんだバン
プ３１を形成できるようになる。
バンプの形成方法では、バンプガイド１を基台１０上に
載置した状態のままリフロー処理（２００℃前後の加
熱）を行って、クリームはんだ３（図３参照）とパッド
１１とを溶融接合する。溶融の際、クリームはんだ３は
その表面張力によるセルフアライメント作用によってパ
ッド１１の位置に自己整合するとともに、バンプガイド
１の貫通孔２に支えられる状態で倒れたり形が崩れたり
することなく球状のはんだバンプ３１となる。このた
め、クリームはんだ３をパッド１１の径と同じ程度の厚
さに供給しても、形の崩れを起こすことなくはんだバン
プ３１を形成できるようになる。
【００２２】次に、図５に示すように、基台１０のパッ
ド１１上に形成されたはんだバンプ３１を残してバンプ
ガイド１（図４参照）を取り外す処理を行う。先に説明
したように、バンプガイド１における少なくとも貫通孔
２の内面は、リフロー処理後のはんだとパッド１１との
溶融接合力よりもはんだとの接着力が小さくなる材質、
すなわちはんだ濡れ性の低い（ステンレスよりもはんだ
濡れ性の低い）材質にて構成されている。このため、バ
ンプガイド１をパッド１１に接合させたまま残し、バン
プガイド１のみを基台１０から取り外すことが可能とな
る。
ド１１上に形成されたはんだバンプ３１を残してバンプ
ガイド１（図４参照）を取り外す処理を行う。先に説明
したように、バンプガイド１における少なくとも貫通孔
２の内面は、リフロー処理後のはんだとパッド１１との
溶融接合力よりもはんだとの接着力が小さくなる材質、
すなわちはんだ濡れ性の低い（ステンレスよりもはんだ
濡れ性の低い）材質にて構成されている。このため、バ
ンプガイド１をパッド１１に接合させたまま残し、バン
プガイド１のみを基台１０から取り外すことが可能とな
る。
【００２３】このような工程によって、従来よりも高さ
が高いはんだバンプ３１を形の崩れを発生させることな
く形成することができるようになる。なお、リフロー処
理後、クリームはんだ３に含まれているフラックスが溶
融してバンプガイド１と基台１０との間に流れ込み、バ
ンプガイド１と基台１０とが貼り付く状態となる場合も
あるが、この場合には例えば脱フロン系のアルコール有
機洗浄液やはんだフラックス用洗浄液等を用いて洗浄を
行うようにし、バンプガイド１を取り外すようにすれば
よい。
が高いはんだバンプ３１を形の崩れを発生させることな
く形成することができるようになる。なお、リフロー処
理後、クリームはんだ３に含まれているフラックスが溶
融してバンプガイド１と基台１０との間に流れ込み、バ
ンプガイド１と基台１０とが貼り付く状態となる場合も
あるが、この場合には例えば脱フロン系のアルコール有
機洗浄液やはんだフラックス用洗浄液等を用いて洗浄を
行うようにし、バンプガイド１を取り外すようにすれば
よい。
【００２４】また、本実施例ではパッド１１として円形
のものを使用し、バンプガイド１の貫通孔２として平面
視四角形のものを使用したが、本発明はこのような形状
に限定されるものではない。
のものを使用し、バンプガイド１の貫通孔２として平面
視四角形のものを使用したが、本発明はこのような形状
に限定されるものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のはんだバ
ンプの形成方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、基台のパッド位置に対応して貫通孔が穿設されたバ
ンプガイドを基台上に載置し、この状態で貫通孔内には
んだを供給してそのままリフロー処理を行うことで、は
んだの形を崩すことなく貫通孔内で支持した状態でパッ
ドとの溶融接合を行うことができるようになる。これに
よって、高さの高いはんだバンプを安定して形成するこ
とが可能となる。
ンプの形成方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、基台のパッド位置に対応して貫通孔が穿設されたバ
ンプガイドを基台上に載置し、この状態で貫通孔内には
んだを供給してそのままリフロー処理を行うことで、は
んだの形を崩すことなく貫通孔内で支持した状態でパッ
ドとの溶融接合を行うことができるようになる。これに
よって、高さの高いはんだバンプを安定して形成するこ
とが可能となる。
【００２６】しかも、使用するバンプガイドの少なくと
も貫通孔の内面としてリフロー処理後のはんだとパッド
との溶融接合力よりもはんだとの接着力が小さくなる材
質のものを用いることで、リフロー処理後にバンプガイ
ドのみを基台から容易に取り外すことができるようにな
る。また、このような高さの高いはんだバンプを用いた
パッケージを実装用基板に実装する場合、パッケージと
実装用基板との間の熱膨張係数差による応力をはんだバ
ンプにて的確に吸収でき、信頼性の高い接続を得ること
が可能となる。
も貫通孔の内面としてリフロー処理後のはんだとパッド
との溶融接合力よりもはんだとの接着力が小さくなる材
質のものを用いることで、リフロー処理後にバンプガイ
ドのみを基台から容易に取り外すことができるようにな
る。また、このような高さの高いはんだバンプを用いた
パッケージを実装用基板に実装する場合、パッケージと
実装用基板との間の熱膨張係数差による応力をはんだバ
ンプにて的確に吸収でき、信頼性の高い接続を得ること
が可能となる。
【図１】バンプガイドを説明する斜視図である。
【図２】バンプガイドの配置を示す模式断面図である。
【図３】クリームはんだの塗布状態を示す模式断面図で
ある。
ある。
【図４】リフロー処理を示す模式断面図である。
【図５】バンプガイドの取り外しを示す模式断面図であ
る。
る。
【図６】印刷スクリーンを説明する斜視図である。
【図７】印刷スクリーンの配置を示す模式断面図であ
る。
る。
【図８】クリームはんだの塗布状態を示す模式断面図で
ある。
ある。
【図９】印刷スクリーンの取り外しを示す模式断面図で
ある。
ある。
【図１０】リフロー処理を示す模式断面図である。
１ バンプガイド ２ 貫通孔 ３ クリームはんだ １０ 基台 １１ パッド ３１ はんだバンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 基台に設けられたパッド上にはんだバン
プを形成する方法であって、 先ず、前記パッドの位置に対応して穿設された所定の大
きさの貫通孔を有するバンプガイドを用意しておき、 前記貫通孔と前記パッドとの位置を合わせるように前記
基台上に前記バンプガイドを載置し、 次に、この状態で前記貫通孔内に所定量のはんだを供給
し、 次いで、前記バンプガイドを前記基台上に載置したまま
リフロー処理を行って前記はんだを前記パッド上に溶融
接合し、 その後、前記バンプガイドのみを前記基台から取り外す
ことを特徴とするはんだバンプの形成方法。 - 【請求項２】 前記バンプガイドにおける少なくとも前
記貫通孔の内面は、リフロー処理後の前記はんだと前記
パッドとの溶融接合力よりも該はんだとの接着力が小さ
くなる材質にて構成されていることを特徴とする請求項
１記載のはんだバンプの形成方法。 - 【請求項３】 前記材質はセラミックスから成ることを
特徴とする請求項２記載のバンプの形成方法。 - 【請求項４】 前記材質はフッ素系樹脂から成ることを
特徴とする請求項２記載のバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023576A JPH08222570A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | はんだバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023576A JPH08222570A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | はんだバンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222570A true JPH08222570A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12114385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7023576A Pending JPH08222570A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | はんだバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936118A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造方法及び半導体装置 |
| JP2000517104A (ja) * | 1996-08-27 | 2000-12-19 | パック テック―パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 選択的はんだ付けのためのプロセス |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP7023576A patent/JPH08222570A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936118A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造方法及び半導体装置 |
| JP2000517104A (ja) * | 1996-08-27 | 2000-12-19 | パック テック―パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 選択的はんだ付けのためのプロセス |
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