JPH08222809A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH08222809A JPH08222809A JP2677895A JP2677895A JPH08222809A JP H08222809 A JPH08222809 A JP H08222809A JP 2677895 A JP2677895 A JP 2677895A JP 2677895 A JP2677895 A JP 2677895A JP H08222809 A JPH08222809 A JP H08222809A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 埋め込み再成長界面において、リーク電流の
原因となる不純物のパイルアップが少なく、かつ、素子
の長期安定動作に有効である、活性層側面での品質の良
い埋め込み層形成が可能な構造を有した、高抵抗層埋め
込み構造半導体レーザを提供する。 【構成】 第１の導電型を有する（１００）半導体基板
１と、活性層３、第２の導電型を有するクラッド層４、
および第２の導電型を有する電極層５を少なくとも含
み、ストライプ状に形成されたメサストライプ１１と、
該メサストライプ１１を構成する前記第２の導電型を有
するクラッド層４の側面１２の一部が、（１１０）結晶
面１３から、逆テーパー側に傾いた結晶面であり、かつ
該メサストライプ１１の両側には半絶縁性高抵抗電流阻
止層７を備えた半導体発光装置において、前記メサスト
ライプ１１の側面の一部が、前記活性層３をその上に配
置する半導体層２の一部によって構成する。
原因となる不純物のパイルアップが少なく、かつ、素子
の長期安定動作に有効である、活性層側面での品質の良
い埋め込み層形成が可能な構造を有した、高抵抗層埋め
込み構造半導体レーザを提供する。 【構成】 第１の導電型を有する（１００）半導体基板
１と、活性層３、第２の導電型を有するクラッド層４、
および第２の導電型を有する電極層５を少なくとも含
み、ストライプ状に形成されたメサストライプ１１と、
該メサストライプ１１を構成する前記第２の導電型を有
するクラッド層４の側面１２の一部が、（１１０）結晶
面１３から、逆テーパー側に傾いた結晶面であり、かつ
該メサストライプ１１の両側には半絶縁性高抵抗電流阻
止層７を備えた半導体発光装置において、前記メサスト
ライプ１１の側面の一部が、前記活性層３をその上に配
置する半導体層２の一部によって構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝送用光源として重
要である高抵抗層埋め込み構造半導体レーザなどの半導
体発光装置に関する。
要である高抵抗層埋め込み構造半導体レーザなどの半導
体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半絶縁性ＩｎＰ結晶を埋め込み層とする
高抵抗層埋め込み構造半導体レーザは、素子容量が小さ
く、高速変調が可能となることから、大容量光伝送用光
源として重要視されている。
高抵抗層埋め込み構造半導体レーザは、素子容量が小さ
く、高速変調が可能となることから、大容量光伝送用光
源として重要視されている。
【０００３】図３に、従来の高抵抗層埋め込み構造半導
体レーザの構造の断面図を示す。（参考文献：アプライ
ド フィジックス レター ｖｏｌ．５９（１９９１）
ｐ．１２６９）。かかる半導体レーザの構造を、図４に
示す製作工程を参照しながら説明する。
体レーザの構造の断面図を示す。（参考文献：アプライ
ド フィジックス レター ｖｏｌ．５９（１９９１）
ｐ．１２６９）。かかる半導体レーザの構造を、図４に
示す製作工程を参照しながら説明する。
【０００４】この半導体レーザでは、ＩｎＰとＧａＩｎ
Ａｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓとの選択エッチング液を用いて
メサストライプを形成している。すなわち、まず、ｎ−
ＩｎＰ基板３１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３２、Ｇａ
ＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓの量子井戸（ＭＱＷ）活性
層３３、ｐ−ＩｎＰクラッド層３４およびｐ−ＩｎＧａ
Ａｓ電極層３５を積層した後、ＳｉＯ2 マスク４１を形
成する（図４（ａ））。次いで、このＳｉＯ2 マスク４
１をエッチング用マスクとして、ｐ−ＩｎＧａＡｓ電極
層３５を選択的にエッチングし（図４（ｂ））、さらに
ｐ−ＩｎＰクラッド層３４を選択的にエッチングし（図
４（ｃ））、最後に、ＭＱＷ活性層３３を選択的にエッ
チングすることで図４（ｄ）に示すメサストライプ３６
を形成している。その後、メサストライプ３６をＦｅを
ドーピングして得た半絶縁性高抵抗ＩｎＰ結晶からなる
Ｆｅ−ＩｎＰ層３７で埋め込み、ｐ型電極３９およびｎ
型電極４０を形成する。なお、Ｆｅ−ＩｎＰ層３７とｐ
型電極３９との間にはＳｉＯ2 が挿入されている。
Ａｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓとの選択エッチング液を用いて
メサストライプを形成している。すなわち、まず、ｎ−
ＩｎＰ基板３１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３２、Ｇａ
ＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓの量子井戸（ＭＱＷ）活性
層３３、ｐ−ＩｎＰクラッド層３４およびｐ−ＩｎＧａ
Ａｓ電極層３５を積層した後、ＳｉＯ2 マスク４１を形
成する（図４（ａ））。次いで、このＳｉＯ2 マスク４
１をエッチング用マスクとして、ｐ−ＩｎＧａＡｓ電極
層３５を選択的にエッチングし（図４（ｂ））、さらに
ｐ−ＩｎＰクラッド層３４を選択的にエッチングし（図
４（ｃ））、最後に、ＭＱＷ活性層３３を選択的にエッ
チングすることで図４（ｄ）に示すメサストライプ３６
を形成している。その後、メサストライプ３６をＦｅを
ドーピングして得た半絶縁性高抵抗ＩｎＰ結晶からなる
Ｆｅ−ＩｎＰ層３７で埋め込み、ｐ型電極３９およびｎ
型電極４０を形成する。なお、Ｆｅ−ＩｎＰ層３７とｐ
型電極３９との間にはＳｉＯ2 が挿入されている。
【０００５】このように、従来、メサストライプの形成
をウエットエッチング液のみで行っているため、その工
程は簡便であり、また、選択エッチングを用いているた
め、制御性、再現性よくメサストライプを作製すること
ができる。さらに、ＩｎＰクラッド層３４のエッチング
を塩酸系エッチング液で行っているため、ＩｎＰクラッ
ド層３４の側面の結晶面が（１００）面から逆テーパへ
傾いており、リーク電流の原因となる不純物が埋め込み
成長の際、界面にパイルアップしにくい結晶面となって
いる。
をウエットエッチング液のみで行っているため、その工
程は簡便であり、また、選択エッチングを用いているた
め、制御性、再現性よくメサストライプを作製すること
ができる。さらに、ＩｎＰクラッド層３４のエッチング
を塩酸系エッチング液で行っているため、ＩｎＰクラッ
ド層３４の側面の結晶面が（１００）面から逆テーパへ
傾いており、リーク電流の原因となる不純物が埋め込み
成長の際、界面にパイルアップしにくい結晶面となって
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の方法で作製される半導体レーザは、素子構造上、
以下に述べるような問題がある。
従来の方法で作製される半導体レーザは、素子構造上、
以下に述べるような問題がある。
【０００７】すなわち、図４（ｄ）に示すが如く、活性
層３３を選択的にエッチングすることでメサストライプ
の形成を終了しているため、活性層３３の側面は、ちょ
うどメサストライプ側面と基板表面とで構成される、メ
サストライプコーナーに位置することになる。この位置
では、埋め込み成長の過程において良質な結晶が成長し
難く、結晶欠陥などが集中しやすい。これが、リーク電
流の原因や素子劣化の原因となり素子特性ならびに素子
の長期安定動作を損なうことになる。
層３３を選択的にエッチングすることでメサストライプ
の形成を終了しているため、活性層３３の側面は、ちょ
うどメサストライプ側面と基板表面とで構成される、メ
サストライプコーナーに位置することになる。この位置
では、埋め込み成長の過程において良質な結晶が成長し
難く、結晶欠陥などが集中しやすい。これが、リーク電
流の原因や素子劣化の原因となり素子特性ならびに素子
の長期安定動作を損なうことになる。
【０００８】本発明の目的は、埋め込み再成長界面にお
いて、リーク電流の原因となる不純物のパイルアップが
少なく、かつ、素子の長期安定動作に有効である、活性
層側面での品質の良い埋め込み層形成が可能な構造を有
した、高抵抗層埋め込み構造半導体レーザを提供するこ
とにある。
いて、リーク電流の原因となる不純物のパイルアップが
少なく、かつ、素子の長期安定動作に有効である、活性
層側面での品質の良い埋め込み層形成が可能な構造を有
した、高抵抗層埋め込み構造半導体レーザを提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の第１の態様は、第１の導電型を有する（１００）半
導体基板と、該半導体基板上に配置され、活性層、第２
の導電型を有するクラッド層、および第２の導電型を有
する電極層を少なくとも含み、ストライプ状に形成され
たメサストライプとを具備し、該メサストライプを構成
する前記第２の導電型を有するクラッド層の側面の一部
が、（１１０）結晶面から、逆テーパー側に傾いた結晶
面であり、かつ該メサストライプの両側には半絶縁性高
抵抗電流阻止層を備えた半導体発光装置において、前記
メサストライプの側面の一部が、前記活性層をその上に
配置する半導体層の一部、あるいは前記半導体基板の一
部によって構成されていることを特徴とする半導体発光
装置にある。
明の第１の態様は、第１の導電型を有する（１００）半
導体基板と、該半導体基板上に配置され、活性層、第２
の導電型を有するクラッド層、および第２の導電型を有
する電極層を少なくとも含み、ストライプ状に形成され
たメサストライプとを具備し、該メサストライプを構成
する前記第２の導電型を有するクラッド層の側面の一部
が、（１１０）結晶面から、逆テーパー側に傾いた結晶
面であり、かつ該メサストライプの両側には半絶縁性高
抵抗電流阻止層を備えた半導体発光装置において、前記
メサストライプの側面の一部が、前記活性層をその上に
配置する半導体層の一部、あるいは前記半導体基板の一
部によって構成されていることを特徴とする半導体発光
装置にある。
【００１０】また、本発明の第２の態様は、前記メサス
トライプの側面を構成する、前記活性層をその上に配置
する半導体層の一部、あるいは前記半導体基板の一部か
らなる結晶面が、前記半導体基板表面に対して垂直な結
晶面であることを特徴とする半導体発光装置にある。
トライプの側面を構成する、前記活性層をその上に配置
する半導体層の一部、あるいは前記半導体基板の一部か
らなる結晶面が、前記半導体基板表面に対して垂直な結
晶面であることを特徴とする半導体発光装置にある。
【００１１】
【作用】従来の半絶縁性高抵抗層埋め込み構造半導体レ
ーザでは、クラッド層の側面が、不純物がパイルアップ
しずらい逆テーパ形状になっているものの、メサストラ
イプの形成が活性層の選択エッチングで終了しているた
め、活性層側面がメサストライプコーナーに位置してし
まい、このため、結晶欠陥が集中しやすい埋め込み層が
その位置に形成されることから、素子の長期安定動作が
実現されにくい構造になっていた。
ーザでは、クラッド層の側面が、不純物がパイルアップ
しずらい逆テーパ形状になっているものの、メサストラ
イプの形成が活性層の選択エッチングで終了しているた
め、活性層側面がメサストライプコーナーに位置してし
まい、このため、結晶欠陥が集中しやすい埋め込み層が
その位置に形成されることから、素子の長期安定動作が
実現されにくい構造になっていた。
【００１２】これに対して本発明では、メサストライプ
形成工程において、活性層をエッチングする際、活性層
をその上に配置する半導体層、あるいは半導体基板に至
るまでエッチングを行うことで、メサストライプ側面と
基板表面により構成されるメサストライプコーナーに活
性層側面が位置しない構造となっている。この結果、活
性層側面に良質な埋め込み層が形成され、素子の長期安
定動作が実現できる。
形成工程において、活性層をエッチングする際、活性層
をその上に配置する半導体層、あるいは半導体基板に至
るまでエッチングを行うことで、メサストライプ側面と
基板表面により構成されるメサストライプコーナーに活
性層側面が位置しない構造となっている。この結果、活
性層側面に良質な埋め込み層が形成され、素子の長期安
定動作が実現できる。
【００１３】また、クラッド層側面は、従来通り、不純
物がパイルアップしずらい逆テーパ形状が維持されるた
め、リーク電流の小さい、良好な素子特性が実現でき
る。
物がパイルアップしずらい逆テーパ形状が維持されるた
め、リーク電流の小さい、良好な素子特性が実現でき
る。
【００１４】さらに、メサストライプにおいて、活性層
から、活性層をその上に配置する半導体層、あるいは半
導体基板の側面形状を半導体面に垂直な形状とすること
で、かかる位置を順テーパ形状にした場合に比べて、界
面に不純物がパイルアップし難く、このため、リーク電
流の原因となる埋め込み層が、活性層側面に形成されに
くい構造にもなっている。
から、活性層をその上に配置する半導体層、あるいは半
導体基板の側面形状を半導体面に垂直な形状とすること
で、かかる位置を順テーパ形状にした場合に比べて、界
面に不純物がパイルアップし難く、このため、リーク電
流の原因となる埋め込み層が、活性層側面に形成されに
くい構造にもなっている。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１６】図１は本発明の一実施例である。
【００１７】活性層３は、発光波長１．３μｍに相当す
るＩｎＧａＡｓＰ半導体結晶である。活性層３は、ｎ型
ＩｎＰ基板１上のメサストライプ１１において、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層４とｎ型ＩｎＰバッファ層２とによっ
て、上下から挟まれている。メサストライプ１１の両わ
きは、Ｆｅをドーピングすることで得られた、半絶縁性
高抵抗ＩｎＰ結晶からなる、電流阻止層７によって埋め
込まれている。メサストライプ１１の上端部には、ｐ型
電極９と良好なコンタクトが得られるように、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓ電極層６が設けられている。また、電極層６と
ｐ型ＩｎＰクラッド層２の間には、ホールの注入効率を
向上させるため、１．３μｍ帯−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバ
ッファ層５が挿入されている。メサストライプを構成す
るｐ型ＩｎＰクラッド層４の側面の一部である第１のメ
サ側面１２は、基板面１３に対しての垂直面から、数度
逆テーパ側に傾いている。メサストライプ１１を構成す
るｎ型バッファ層２の側面である第２のメサ側面１４、
およびｎ型ＩｎＰ基板１の側面である第３のメサ側面１
５は、基板面１３に対して直交している。ｎ型電極１０
は、ｎ型基板１の裏面全面に形成されている。ｐ型電極
９は、素子上面に形成されており、ｐ型電極９と電流阻
止層７との間は、一部、ＳｉＯ2 膜８によって隔てられ
ている。
るＩｎＧａＡｓＰ半導体結晶である。活性層３は、ｎ型
ＩｎＰ基板１上のメサストライプ１１において、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層４とｎ型ＩｎＰバッファ層２とによっ
て、上下から挟まれている。メサストライプ１１の両わ
きは、Ｆｅをドーピングすることで得られた、半絶縁性
高抵抗ＩｎＰ結晶からなる、電流阻止層７によって埋め
込まれている。メサストライプ１１の上端部には、ｐ型
電極９と良好なコンタクトが得られるように、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓ電極層６が設けられている。また、電極層６と
ｐ型ＩｎＰクラッド層２の間には、ホールの注入効率を
向上させるため、１．３μｍ帯−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバ
ッファ層５が挿入されている。メサストライプを構成す
るｐ型ＩｎＰクラッド層４の側面の一部である第１のメ
サ側面１２は、基板面１３に対しての垂直面から、数度
逆テーパ側に傾いている。メサストライプ１１を構成す
るｎ型バッファ層２の側面である第２のメサ側面１４、
およびｎ型ＩｎＰ基板１の側面である第３のメサ側面１
５は、基板面１３に対して直交している。ｎ型電極１０
は、ｎ型基板１の裏面全面に形成されている。ｐ型電極
９は、素子上面に形成されており、ｐ型電極９と電流阻
止層７との間は、一部、ＳｉＯ2 膜８によって隔てられ
ている。
【００１８】図１に示した半導体レーザの製造方法を、
図２を用いて説明する。
図２を用いて説明する。
【００１９】先ず、図２（ａ）に示すように、（１０
０）面ｎ型ＩｎＰ基板１（キャリア濃度２×１０18ｃｍ
-3）上に、Ｓｅをドーパントとするｎ型ＩｎＰバッファ
層２（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．２μ
ｍ）、発光波長１．３μｍに相当するノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３（厚さ０．１５μｍ）、Ｚｎをドーパ
ントとするｐ型ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度１×
１０18ｃｍ-3、厚さ１．５μｍ）、Ｚｎをドーパントと
する１．３μｍ帯−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層５
（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）、
Ｚｎをドーパントとするｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層６（キ
ャリア濃度８×１０18ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）を、減
圧有機金属気相成長法により形成した後、ＳｉＯ2 マス
ク１６（幅２．０μｍ、厚さ０．２μｍ）を形成する。
０）面ｎ型ＩｎＰ基板１（キャリア濃度２×１０18ｃｍ
-3）上に、Ｓｅをドーパントとするｎ型ＩｎＰバッファ
層２（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．２μ
ｍ）、発光波長１．３μｍに相当するノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３（厚さ０．１５μｍ）、Ｚｎをドーパ
ントとするｐ型ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度１×
１０18ｃｍ-3、厚さ１．５μｍ）、Ｚｎをドーパントと
する１．３μｍ帯−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層５
（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）、
Ｚｎをドーパントとするｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層６（キ
ャリア濃度８×１０18ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）を、減
圧有機金属気相成長法により形成した後、ＳｉＯ2 マス
ク１６（幅２．０μｍ、厚さ０．２μｍ）を形成する。
【００２０】次いで、図２（ｂ）に示すように、反応性
イオンエッチングを用い、ＳｉＯ2マスク１６をエッチ
ング用マスクとして、ｐ型ＩｎＰクラッド層４の一部に
至るまでエッチングを進め、高さ０．７μｍ程度の第２
のメサストライプ１７を形成する。
イオンエッチングを用い、ＳｉＯ2マスク１６をエッチ
ング用マスクとして、ｐ型ＩｎＰクラッド層４の一部に
至るまでエッチングを進め、高さ０．７μｍ程度の第２
のメサストライプ１７を形成する。
【００２１】次いで、図２（ｃ）に示すように、塩酸系
のエッチング液を用い、ＳｉＯ2 マスク１６をエッチン
グ用マスクとして、ｐ型ＩｎＰクラッド層４のみ選択的
にエッチングし、高さ２．０μｍ程度の第３のメサスト
ライプ１８を形成する。このとき、選択エッチングによ
り形成された第１のメサ側面１２は、基板表面１３に対
しての垂直面から数度逆テーパ側へ傾いている。
のエッチング液を用い、ＳｉＯ2 マスク１６をエッチン
グ用マスクとして、ｐ型ＩｎＰクラッド層４のみ選択的
にエッチングし、高さ２．０μｍ程度の第３のメサスト
ライプ１８を形成する。このとき、選択エッチングによ
り形成された第１のメサ側面１２は、基板表面１３に対
しての垂直面から数度逆テーパ側へ傾いている。
【００２２】続いて、図２（ｄ）に示すように、反応性
イオンエッチングを用い、ＳｉＯ2マスク１６をエッチ
ング用マスクとして、ｎ型ＩｎＰ基板１の一部に至るま
でエッチングを進め、高さ２．４μｍ程度の第１のメサ
ストライプ１１を形成する。このとき形成される第２の
メサ側面１４、および第３のメサ側面１５は、基板表面
１３に対して垂直面となる。また、メサストライプ１１
と基板１とにより構成されるメサストライプコーナー１
９は、活性層３からずれた所に位置している。
イオンエッチングを用い、ＳｉＯ2マスク１６をエッチ
ング用マスクとして、ｎ型ＩｎＰ基板１の一部に至るま
でエッチングを進め、高さ２．４μｍ程度の第１のメサ
ストライプ１１を形成する。このとき形成される第２の
メサ側面１４、および第３のメサ側面１５は、基板表面
１３に対して垂直面となる。また、メサストライプ１１
と基板１とにより構成されるメサストライプコーナー１
９は、活性層３からずれた所に位置している。
【００２３】そして、図２（ｅ）に示すように、メサス
トライプ１１の両わきを、減圧有機金属気相成長法を用
い、ＦｅドープＩｎＰ層によって埋め込み、電流阻止層
７を形成する。
トライプ１１の両わきを、減圧有機金属気相成長法を用
い、ＦｅドープＩｎＰ層によって埋め込み、電流阻止層
７を形成する。
【００２４】最後に、ｎ型電極１０、ならびにＳｉＯ2
マスク８およびｐ型電極９を形成し、個々のレーザチッ
プに切り出して、図１に示すような構造の半導体レーザ
を得た。
マスク８およびｐ型電極９を形成し、個々のレーザチッ
プに切り出して、図１に示すような構造の半導体レーザ
を得た。
【００２５】製作された半導体レーザの室温における特
性は、発振しきい値電流１５ｍＡ、しきい値での外部微
分量子効率０．２５ｍＷ／ｍＡであり、注入電流の増加
に伴う微分効率の低下はみられなかった。また、５０
℃，１０ｍＷの使用環境下において、顕著な素子特性の
劣化はみられなかった。
性は、発振しきい値電流１５ｍＡ、しきい値での外部微
分量子効率０．２５ｍＷ／ｍＡであり、注入電流の増加
に伴う微分効率の低下はみられなかった。また、５０
℃，１０ｍＷの使用環境下において、顕著な素子特性の
劣化はみられなかった。
【００２６】なお、本実施例では、活性層としてＩｎＧ
ａＡｓＰ半導体層のみからなるものについて述べた。こ
れに対して、多重量子井戸構造や歪層超格子など複数の
半導体層から構成される活性層を備えた半導体レーザに
おいても、本発明と同様な構造の半絶縁性高抵抗層埋め
込み構造半導体レーザを得ることができる。
ａＡｓＰ半導体層のみからなるものについて述べた。こ
れに対して、多重量子井戸構造や歪層超格子など複数の
半導体層から構成される活性層を備えた半導体レーザに
おいても、本発明と同様な構造の半絶縁性高抵抗層埋め
込み構造半導体レーザを得ることができる。
【００２７】活性層の材料系としては、ＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ系を用いて説明したが、材料はこれに限定され
ることはなく、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系であってもよい。
／ＩｎＰ系を用いて説明したが、材料はこれに限定され
ることはなく、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系であってもよい。
【００２８】また、半導体レーザとしては、本実施例で
述べたファブリペロー型レーザに限定されるものではな
く、回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザや分布ブ
ラッグ反射型半導体レーザであってもよい。
述べたファブリペロー型レーザに限定されるものではな
く、回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザや分布ブ
ラッグ反射型半導体レーザであってもよい。
【００２９】さらに、本発明は半導体レーザのみに限定
されるものではなく、外部変調器を備えた半導体レーザ
など複数の素子を集積した集積型発光装置においても、
本実施例と同様な素子構造を得ることができる。
されるものではなく、外部変調器を備えた半導体レーザ
など複数の素子を集積した集積型発光装置においても、
本実施例と同様な素子構造を得ることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、活性層側面が、埋め込み成長において結晶欠陥の集
中しやすいメサストライプのコーナーに位置せず、活性
層側面が良質な結晶層によって埋め込まれ、かつ、クラ
ッド層の側面が逆テーパ状となっているため、埋め込み
界面においてリーク電流の原因となる不純物がパイルア
ップしない構造となっている。したがって、本発明によ
れば、リーク電流が低減され素子特性が向上されるとと
もに、長期安定動作が可能な半導体発光装置を得ること
ができるという効果を奏する。
ば、活性層側面が、埋め込み成長において結晶欠陥の集
中しやすいメサストライプのコーナーに位置せず、活性
層側面が良質な結晶層によって埋め込まれ、かつ、クラ
ッド層の側面が逆テーパ状となっているため、埋め込み
界面においてリーク電流の原因となる不純物がパイルア
ップしない構造となっている。したがって、本発明によ
れば、リーク電流が低減され素子特性が向上されるとと
もに、長期安定動作が可能な半導体発光装置を得ること
ができるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例である半導体レーザの構造図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例に係る製造工程の各段階にお
ける構造を示す図である。
ける構造を示す図である。
【図３】従来技術に係る半導体レーザの構造図である。
【図４】従来技術に係る半導体レーザの製造工程の各段
階における構造を示す図である。
階における構造を示す図である。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ｎ型ＩｎＰバッファ層 ３ １．３帯−ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ５ １．３μｍ帯−ｐ型ＩｎＧａＡｓｐバッファ層 ６ ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層 ７ 半絶縁性Ｆｅ−ＩｎＰ電流阻止層 ８ ＳｉＯ2 膜 ９ ｐ型電極 １０ ｎ型電極 １１ 第１のメサストライプ １２ 第１のメサ側面 １３ 基板表面 １４ 第２のメサ側面 １５ 第３のメサ側面 １６ ＳｉＯ2 マスク １７ 第２のメサストライプ １８ 第３のメサストライプ １９ メサストライプコーナー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 光男 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の導電型を有する（１００）半導体
基板と、 該半導体基板上に配置され、活性層、第２の導電型を有
するクラッド層、および第２の導電型を有する電極層を
少なくとも含み、ストライプ状に形成されたメサストラ
イプとを具備し、 該メサストライプを構成する前記第２の導電型を有する
クラッド層の側面の一部が、（１１０）結晶面から、逆
テーパー側に傾いた結晶面であり、かつ該メサストライ
プの両側には半絶縁性高抵抗電流阻止層を備えた半導体
発光装置において、 前記メサストライプの側面の一部が、前記活性層をその
上に配置する半導体層の一部、あるいは前記半導体基板
の一部によって構成されていることを特徴とする半導体
発光装置。 - 【請求項２】 前記メサストライプの側面を構成する、
前記活性層をその上に配置する半導体層の一部、あるい
は前記半導体基板の一部からなる結晶面が、前記半導体
基板表面に対して垂直な結晶面であることを特徴とする
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2677895A JPH08222809A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2677895A JPH08222809A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222809A true JPH08222809A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12202768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2677895A Pending JPH08222809A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222809A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978572B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2010-08-27 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| JP2014143327A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体積層体および半導体発光素子ならびにその製造方法 |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP2677895A patent/JPH08222809A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978572B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2010-08-27 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| JP2014143327A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体積層体および半導体発光素子ならびにその製造方法 |
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