JPH08222849A - はんだ付け装置 - Google Patents
はんだ付け装置Info
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- JPH08222849A JPH08222849A JP2522295A JP2522295A JPH08222849A JP H08222849 A JPH08222849 A JP H08222849A JP 2522295 A JP2522295 A JP 2522295A JP 2522295 A JP2522295 A JP 2522295A JP H08222849 A JPH08222849 A JP H08222849A
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- JP
- Japan
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- flux
- soldering
- substrate
- solder
- solder bath
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Application thereof; Other processes of activating the contact surfaces
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラックスの乾燥を十分に行って、はんだ付
け部分の絶縁抵抗を高くする。 【構成】 本体１内に、フラックス塗布部であるフラク
サー３、予熱部であるプリヒーター４、はんだ槽５、冷
却部である冷却ファン７をこの順に配し、且つはんだ槽
５よりも後に乾燥手段であるヒーター６を配する。この
とき、はんだ槽５と冷却ファン７の間にヒーター６を配
する、或いは冷却ファン７の後にヒーター６を配しても
良く、さらには乾燥手段として加熱炉を独立して設けて
も良い。
け部分の絶縁抵抗を高くする。 【構成】 本体１内に、フラックス塗布部であるフラク
サー３、予熱部であるプリヒーター４、はんだ槽５、冷
却部である冷却ファン７をこの順に配し、且つはんだ槽
５よりも後に乾燥手段であるヒーター６を配する。この
とき、はんだ槽５と冷却ファン７の間にヒーター６を配
する、或いは冷却ファン７の後にヒーター６を配しても
良く、さらには乾燥手段として加熱炉を独立して設けて
も良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は挿入部品等をプリント配
線板等にはんだ付けにより搭載する際に使用されるはん
だ付け装置に関する。
線板等にはんだ付けにより搭載する際に使用されるはん
だ付け装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】様々な電子機器に組み込まれているプリ
ント配線板においては、基板に印刷された配線回路パタ
ーン上にはんだ付けにより様々な電子部品等を搭載して
配線回路中にこれら部品を組み込むようにしている。
ント配線板においては、基板に印刷された配線回路パタ
ーン上にはんだ付けにより様々な電子部品等を搭載して
配線回路中にこれら部品を組み込むようにしている。
【０００３】そして、上記のように部品をはんだ付けす
る装置としては、以下のようなはんだ付け装置が挙げら
れる。上記はんだ付け装置は、図９に示すように、図中
一点鎖線で示す本体１０１内部に、基板を搬送するため
のコンベアー１０３が上記本体１０１の長手方向に配さ
れ、上記コンベアー１０３の下部の図中矢印ｍで示すコ
ンベアー１０３の搬送方向にフラックス塗布部であるフ
ラクサー１０４，予熱部であるプリヒーター１０５，は
んだ槽１０６，冷却部である冷却ファン１０７が順次配
されてなるものである。
る装置としては、以下のようなはんだ付け装置が挙げら
れる。上記はんだ付け装置は、図９に示すように、図中
一点鎖線で示す本体１０１内部に、基板を搬送するため
のコンベアー１０３が上記本体１０１の長手方向に配さ
れ、上記コンベアー１０３の下部の図中矢印ｍで示すコ
ンベアー１０３の搬送方向にフラックス塗布部であるフ
ラクサー１０４，予熱部であるプリヒーター１０５，は
んだ槽１０６，冷却部である冷却ファン１０７が順次配
されてなるものである。
【０００４】なお、上記本体１０１の長手方向の一主面
１０１ａとこれに相対向する図示しない主面には開口部
１０２とこれに対向する位置に図示しない開口部がそれ
ぞれ設けられており、この開口部１０２及び図示しない
開口部を介してコンベアー１０３を本体１０１手前から
奥へと動かし、基板を搬送するようにしている。
１０１ａとこれに相対向する図示しない主面には開口部
１０２とこれに対向する位置に図示しない開口部がそれ
ぞれ設けられており、この開口部１０２及び図示しない
開口部を介してコンベアー１０３を本体１０１手前から
奥へと動かし、基板を搬送するようにしている。
【０００５】上記はんだ付け装置によりはんだ付けを行
う場合には、例えば所定の位置に挿入部品が挿入された
基板をコンベアー１０３上にはんだ付け面が下面となる
ように配する。そして、コンベアー１０３により基板を
フラクサー１０４上まで搬送し、基板のはんだ付け面に
フラックスを塗布する。このとき、通常、上記フラクサ
ー１０４においては、フラックスを発泡させて噴き上
げ、噴き上げられたフラックスに基板が接するようにす
ることでフラックスを基板に塗布している。
う場合には、例えば所定の位置に挿入部品が挿入された
基板をコンベアー１０３上にはんだ付け面が下面となる
ように配する。そして、コンベアー１０３により基板を
フラクサー１０４上まで搬送し、基板のはんだ付け面に
フラックスを塗布する。このとき、通常、上記フラクサ
ー１０４においては、フラックスを発泡させて噴き上
げ、噴き上げられたフラックスに基板が接するようにす
ることでフラックスを基板に塗布している。
【０００６】次に、基板をプリヒーター１０５上に搬送
し、はんだ付け面のフラックスの溶剤を揮発させる。
し、はんだ付け面のフラックスの溶剤を揮発させる。
【０００７】続いて、基板をはんだ槽１０６上に搬送
し、はんだ付け面にはんだを塗布し、はんだ付けを行
う。このとき、通常、上記はんだ槽１０６においては、
はんだを噴き上げ、噴き上げられたはんだに基板が接す
るようにすることではんだを塗布し、はんだ付けを行っ
ている。つまり、フローはんだ付けが行われる。
し、はんだ付け面にはんだを塗布し、はんだ付けを行
う。このとき、通常、上記はんだ槽１０６においては、
はんだを噴き上げ、噴き上げられたはんだに基板が接す
るようにすることではんだを塗布し、はんだ付けを行っ
ている。つまり、フローはんだ付けが行われる。
【０００８】そして、はんだ付け後、直ちに基板を冷却
ファン１０７上に搬送し、はんだ付け部分及び部品等を
冷却して基板への部品のはんだ付けを終了する。
ファン１０７上に搬送し、はんだ付け部分及び部品等を
冷却して基板への部品のはんだ付けを終了する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記はんだ
付け装置においては、発泡させて噴き上げたフラックス
に基板を接触させて基板にフラックスを塗布するため、
基板のはんだ付け面全面に塗布が行われ、且つ基板の凹
部にフラックスが溜まり易く、その塗布量が過多となり
易い。
付け装置においては、発泡させて噴き上げたフラックス
に基板を接触させて基板にフラックスを塗布するため、
基板のはんだ付け面全面に塗布が行われ、且つ基板の凹
部にフラックスが溜まり易く、その塗布量が過多となり
易い。
【００１０】また、上記はんだ付け装置を用いてはんだ
付けする場合、はんだ付けに要する時間を短くして生産
性を向上させるために、加熱温度が１００℃程度となる
プリヒーター１０５による加熱時間を４５秒程度とし、
加熱温度が２００℃程度となるはんだ槽１０６上に基板
を配する時間を５秒程度としている。
付けする場合、はんだ付けに要する時間を短くして生産
性を向上させるために、加熱温度が１００℃程度となる
プリヒーター１０５による加熱時間を４５秒程度とし、
加熱温度が２００℃程度となるはんだ槽１０６上に基板
を配する時間を５秒程度としている。
【００１１】従って、上記はんだ付け装置においては、
フラックスの塗布量が過多となり易いこと、高温による
加熱時間が短いことから、フラックス内の溶剤の乾燥が
不十分である可能性があり、形成されるはんだ付け部分
の絶縁性を損なう可能性もある。
フラックスの塗布量が過多となり易いこと、高温による
加熱時間が短いことから、フラックス内の溶剤の乾燥が
不十分である可能性があり、形成されるはんだ付け部分
の絶縁性を損なう可能性もある。
【００１２】本発明者等は、上記の現象を確認すべく、
以下のような実験を行った。すなわち、基板に対し上述
のようなはんだ付け装置によりはんだ付けを行って、上
記基板のはんだ付け部分の絶縁抵抗を測定した。
以下のような実験を行った。すなわち、基板に対し上述
のようなはんだ付け装置によりはんだ付けを行って、上
記基板のはんだ付け部分の絶縁抵抗を測定した。
【００１３】基板としては、図１０に示されるようにパ
ターン１０８がいわゆるくし型の形状を有し、ＪＩＳ−
Ｚ−３１９７に示されているＴＹＰＥ２を用いた。な
お、上記基板のパターン１０８のピッチは０.６３５ｍ
ｍとし、導体幅は０．３１８ｍｍとし、導体間隔は０．
３１８ｍとし、重ね代は１５．７５ｍｍとした。
ターン１０８がいわゆるくし型の形状を有し、ＪＩＳ−
Ｚ−３１９７に示されているＴＹＰＥ２を用いた。な
お、上記基板のパターン１０８のピッチは０.６３５ｍ
ｍとし、導体幅は０．３１８ｍｍとし、導体間隔は０．
３１８ｍとし、重ね代は１５．７５ｍｍとした。
【００１４】また、フラックスとして、比較的固形分の
多いフラックスＡと比較的固形分の少ないフラックスＢ
を用意した。
多いフラックスＡと比較的固形分の少ないフラックスＢ
を用意した。
【００１５】そして、上記基板に対し上述のはんだ付け
装置内にてフラックスＡを塗布し、１００℃，５分の条
件でプリヒーターにより予熱した後、はんだ付けしたサ
ンプルを製造し、これをサンプル１とした。また、フラ
ックスＡの代わりにフラックスＢを使用したサンプルも
製造し、これをサンプル２とした。なお、サンプル１及
びサンプル２ともに３個ずつ用意した。
装置内にてフラックスＡを塗布し、１００℃，５分の条
件でプリヒーターにより予熱した後、はんだ付けしたサ
ンプルを製造し、これをサンプル１とした。また、フラ
ックスＡの代わりにフラックスＢを使用したサンプルも
製造し、これをサンプル２とした。なお、サンプル１及
びサンプル２ともに３個ずつ用意した。
【００１６】続いて、温度２５℃，湿度７５％ＲＨの条
件下で上記各サンプル１，２のはんだ付け部分の絶縁抵
抗を測定した。すなわち、図１０に示される形状の基板
の端子部１０８ａ，１０８ｂ間に電圧をかけて絶縁抵抗
を測定した。
件下で上記各サンプル１，２のはんだ付け部分の絶縁抵
抗を測定した。すなわち、図１０に示される形状の基板
の端子部１０８ａ，１０８ｂ間に電圧をかけて絶縁抵抗
を測定した。
【００１７】さらに、上記サンプル１，２の雰囲気温度
を１００℃まで上昇させ、室温まで冷却した場合の絶縁
抵抗も測定した。
を１００℃まで上昇させ、室温まで冷却した場合の絶縁
抵抗も測定した。
【００１８】サンプル１の結果を図１１に示し、サンプ
ル２の結果を図１２に示す。なお、図１１及び図１２と
もに、図中横軸は時間を示し、図中縦軸は絶縁抵抗値と
温度を示す。さらに図１１及び図１２ともに、図中二点
鎖線が雰囲気温度の変化を示し、図中実線，一点鎖線，
破線はそれぞれのサンプルの絶縁抵抗値の変化を示して
いる。
ル２の結果を図１２に示す。なお、図１１及び図１２と
もに、図中横軸は時間を示し、図中縦軸は絶縁抵抗値と
温度を示す。さらに図１１及び図１２ともに、図中二点
鎖線が雰囲気温度の変化を示し、図中実線，一点鎖線，
破線はそれぞれのサンプルの絶縁抵抗値の変化を示して
いる。
【００１９】これらの結果から、フラックスＡを用いた
サンプル１においては初期の絶縁抵抗が１０11Ω程度で
あり、１００℃まで昇温して冷却した場合の絶縁抵抗が
１０14Ω程度となって大きく変化しており、フラックス
Ｂを用いたサンプル２においては初期の絶縁抵抗が１０
14Ω程度であり、１００℃まで昇温して冷却した場合の
絶縁抵抗も１０14Ω程度であり、変化がないことが確認
された。
サンプル１においては初期の絶縁抵抗が１０11Ω程度で
あり、１００℃まで昇温して冷却した場合の絶縁抵抗が
１０14Ω程度となって大きく変化しており、フラックス
Ｂを用いたサンプル２においては初期の絶縁抵抗が１０
14Ω程度であり、１００℃まで昇温して冷却した場合の
絶縁抵抗も１０14Ω程度であり、変化がないことが確認
された。
【００２０】これは、以下のような理由によるものと思
われる。すなわち、フラックスＡは比較的固形分が多
く、１００℃，５分と長時間の予熱を行っても十分にフ
ラックス中の溶剤が揮発しておらず、１００℃まで昇温
することにより残存していた溶剤が揮発したため、これ
を用いたサンプル１の絶縁抵抗値が向上したものと思わ
れる。一方、フラックスＢは比較的固形分が少なく、予
熱によりフラックス中の溶剤が十分に揮発したため、昇
温させた前後において、これを用いたサンプル２の絶縁
抵抗値に変化が生じないものと思われる。
われる。すなわち、フラックスＡは比較的固形分が多
く、１００℃，５分と長時間の予熱を行っても十分にフ
ラックス中の溶剤が揮発しておらず、１００℃まで昇温
することにより残存していた溶剤が揮発したため、これ
を用いたサンプル１の絶縁抵抗値が向上したものと思わ
れる。一方、フラックスＢは比較的固形分が少なく、予
熱によりフラックス中の溶剤が十分に揮発したため、昇
温させた前後において、これを用いたサンプル２の絶縁
抵抗値に変化が生じないものと思われる。
【００２１】これらの結果から、フラックスの乾燥が不
十分であると、形成されるはんだ付け部分の絶縁性を損
なうことが確認された。
十分であると、形成されるはんだ付け部分の絶縁性を損
なうことが確認された。
【００２２】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、フラックスの乾燥を十分に行って、
はんだ付け部分の絶縁抵抗を高くすることを可能とする
はんだ付け装置を提供することを目的とする。
されたものであり、フラックスの乾燥を十分に行って、
はんだ付け部分の絶縁抵抗を高くすることを可能とする
はんだ付け装置を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、フラックス塗布部，予熱部，はんだ槽，
冷却部がこの順に配されてなるはんだ付け装置におい
て、はんだ槽よりも後に乾燥手段が配されていることを
特徴とするものである。
めに本発明は、フラックス塗布部，予熱部，はんだ槽，
冷却部がこの順に配されてなるはんだ付け装置におい
て、はんだ槽よりも後に乾燥手段が配されていることを
特徴とするものである。
【００２４】また、本発明のはんだ付け装置において
は、フラックスの乾燥を確実なものとし、はんだ付け部
分の絶縁性を確保すべく、はんだ槽と冷却部の間に乾燥
手段を配する、或いは冷却部の後に加熱手段を配しても
良く、さらには乾燥手段として加熱炉を独立して設けて
も良い。
は、フラックスの乾燥を確実なものとし、はんだ付け部
分の絶縁性を確保すべく、はんだ槽と冷却部の間に乾燥
手段を配する、或いは冷却部の後に加熱手段を配しても
良く、さらには乾燥手段として加熱炉を独立して設けて
も良い。
【００２５】
【作用】本発明は、フラックス塗布部，予熱部，はんだ
槽，冷却部がこの順に配されてなるはんだ付け装置にお
いて、はんだ槽よりも後に乾燥手段が配されているた
め、フラックスの乾燥が十分になされ、はんだ付け部分
の絶縁抵抗が高まる。
槽，冷却部がこの順に配されてなるはんだ付け装置にお
いて、はんだ槽よりも後に乾燥手段が配されているた
め、フラックスの乾燥が十分になされ、はんだ付け部分
の絶縁抵抗が高まる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】本実施例のはんだ付け装置は、図１に示す
ように、本体１内部に基板９を搬送するためのコンベア
ー２が上記本体１の長手方向に配され、上記コンベアー
２の下部の図中矢印Ｍで示すコンベアー２の搬送方向に
フラックス溶液塗布部であるフラクサー３，予熱部であ
るプリヒーター４，はんだ槽５，乾燥手段であるヒータ
ー６，冷却部である冷却ファン７がこの順に配されてな
るものである。
ように、本体１内部に基板９を搬送するためのコンベア
ー２が上記本体１の長手方向に配され、上記コンベアー
２の下部の図中矢印Ｍで示すコンベアー２の搬送方向に
フラックス溶液塗布部であるフラクサー３，予熱部であ
るプリヒーター４，はんだ槽５，乾燥手段であるヒータ
ー６，冷却部である冷却ファン７がこの順に配されてな
るものである。
【００２８】上記はんだ付け装置によりはんだ付けを行
う場合には、例えば所定の位置に挿入部品８が挿入され
た基板９をコンベアー２上にはんだ付け面９ａが下面と
なるように配する。
う場合には、例えば所定の位置に挿入部品８が挿入され
た基板９をコンベアー２上にはんだ付け面９ａが下面と
なるように配する。
【００２９】そして、コンベアー２により基板９をフラ
クサー３上まで搬送し、基板９のはんだ付け面９ａにフ
ラックス溶液を塗布する。
クサー３上まで搬送し、基板９のはんだ付け面９ａにフ
ラックス溶液を塗布する。
【００３０】すなわち、図２に示されるように、上記フ
ラクサー３は、内部にフラックス溶液１１の充填された
フラックス槽１０と、その一端がフラックス槽１０内部
に配されて空気を送り込むようになされている発泡管１
２により主に構成されており、上記発泡管１２から空気
を送り込むことによりフラックス溶液１１を発泡させて
噴き上げるようになされている。従って、上記フラクサ
ー３上に基板９を噴き上げられたフラックス溶液１１と
基板９が接するように配すると、噴き上げられたフラッ
クス溶液１１が基板９のはんだ付け面９ａに付着し、フ
ラックス溶液１１が塗布されることとなる。
ラクサー３は、内部にフラックス溶液１１の充填された
フラックス槽１０と、その一端がフラックス槽１０内部
に配されて空気を送り込むようになされている発泡管１
２により主に構成されており、上記発泡管１２から空気
を送り込むことによりフラックス溶液１１を発泡させて
噴き上げるようになされている。従って、上記フラクサ
ー３上に基板９を噴き上げられたフラックス溶液１１と
基板９が接するように配すると、噴き上げられたフラッ
クス溶液１１が基板９のはんだ付け面９ａに付着し、フ
ラックス溶液１１が塗布されることとなる。
【００３１】なお、上記フラクサー３においては、発泡
管１２はフラックス槽１０外部にまで引き出されて図示
しない空気供給部と接続されており、その中途部には空
気の流量を規制する調整弁１３が配されている。さら
に、フラックス槽１０のフラックス溶液１１液面付近に
は、フラックス溶液１１の噴き上げ位置を規制する規制
板１４が設けられている。さらにまた、フラックス槽１
０外部には、フラックス槽１０にフラックス溶液１１を
供給するフラックス供給部１５及び供給管１６が設けら
れ、かつその一端１７ａがフラックス槽１０内のフラッ
クス溶液１１内に配されておりフラックス溶液１１の量
を感知するセンサー１７が配されている。そして、この
センサー１７からの信号によりフラックス供給部１５か
らフラックス溶液１１が供給されるようになされてい
る。
管１２はフラックス槽１０外部にまで引き出されて図示
しない空気供給部と接続されており、その中途部には空
気の流量を規制する調整弁１３が配されている。さら
に、フラックス槽１０のフラックス溶液１１液面付近に
は、フラックス溶液１１の噴き上げ位置を規制する規制
板１４が設けられている。さらにまた、フラックス槽１
０外部には、フラックス槽１０にフラックス溶液１１を
供給するフラックス供給部１５及び供給管１６が設けら
れ、かつその一端１７ａがフラックス槽１０内のフラッ
クス溶液１１内に配されておりフラックス溶液１１の量
を感知するセンサー１７が配されている。そして、この
センサー１７からの信号によりフラックス供給部１５か
らフラックス溶液１１が供給されるようになされてい
る。
【００３２】次に、基板９をプリヒーター４上に搬送
し、はんだ付け面９ａのフラックス溶液１１中の溶剤を
揮発させる。すなわち、図３に示すように、プリヒータ
ー４のヒーター１８上で基板９を図示しないコンベアー
により図中矢印Ｍで示す方向に搬送すると、基板９のは
んだ付け面９ａのフラックス溶液１１が搬送方向に順次
乾燥され、図４に示すように基板９のはんだ付け面９ａ
にフラックス１２が形成されることとなる。なお、上記
ヒーター１８には温度調節器１９が接続されており、ヒ
ーター１８の温度調節が可能となされている。そしてこ
のとき、プリヒーター４の温度は１００℃程度とするこ
とが好ましいとされている。
し、はんだ付け面９ａのフラックス溶液１１中の溶剤を
揮発させる。すなわち、図３に示すように、プリヒータ
ー４のヒーター１８上で基板９を図示しないコンベアー
により図中矢印Ｍで示す方向に搬送すると、基板９のは
んだ付け面９ａのフラックス溶液１１が搬送方向に順次
乾燥され、図４に示すように基板９のはんだ付け面９ａ
にフラックス１２が形成されることとなる。なお、上記
ヒーター１８には温度調節器１９が接続されており、ヒ
ーター１８の温度調節が可能となされている。そしてこ
のとき、プリヒーター４の温度は１００℃程度とするこ
とが好ましいとされている。
【００３３】続いて、基板９をはんだ槽５上に搬送し、
はんだ付け面９ａにはんだを塗布し、はんだ付けを行
う。すなわち、図５に示されるように、はんだ槽５を構
成するはんだ２０が充填されるはんだ充填槽２１は、内
部に噴流モーター２２を有しており、上記噴流モーター
２２により図中矢印Ｐで示すように液面方向にはんだ２
０を噴き上げることが可能となされている。従って、上
記はんだ充填槽２１上で基板９を図示しないコンベアー
により図中矢印Ｍで示す方向に基板９と噴き上げられた
はんだ２０が接するように搬送すると、基板９のはんだ
付け面９ａにはんだ２０が搬送方向に順次付着塗布さ
れ、はんだ付けがなされる。
はんだ付け面９ａにはんだを塗布し、はんだ付けを行
う。すなわち、図５に示されるように、はんだ槽５を構
成するはんだ２０が充填されるはんだ充填槽２１は、内
部に噴流モーター２２を有しており、上記噴流モーター
２２により図中矢印Ｐで示すように液面方向にはんだ２
０を噴き上げることが可能となされている。従って、上
記はんだ充填槽２１上で基板９を図示しないコンベアー
により図中矢印Ｍで示す方向に基板９と噴き上げられた
はんだ２０が接するように搬送すると、基板９のはんだ
付け面９ａにはんだ２０が搬送方向に順次付着塗布さ
れ、はんだ付けがなされる。
【００３４】なお、このとき、はんだ充填槽２１にはは
んだ２０の噴き上げ方向を規制するノズル２３が形成さ
れている。さらにはんだ槽２１の外部には、図示しない
ヒーターと温度調節器が設けられており、はんだ充填槽
２１内のはんだ２０の温度の調整が可能となされてお
り、上記はんだ２０の温度は２４５℃程度とされるのが
好ましいとされている。
んだ２０の噴き上げ方向を規制するノズル２３が形成さ
れている。さらにはんだ槽２１の外部には、図示しない
ヒーターと温度調節器が設けられており、はんだ充填槽
２１内のはんだ２０の温度の調整が可能となされてお
り、上記はんだ２０の温度は２４５℃程度とされるのが
好ましいとされている。
【００３５】そして、本実施例のはんだ付け装置におい
ては特に、上記はんだ付けのなされた基板９に、乾燥手
段であるヒーター６により再度１００℃，５分程度の加
熱乾燥処理を行う。この結果、基板９に形成されたフラ
ックス１２中に溶剤が残存していたとしても、上記溶剤
がヒーター６の熱により揮発し、フラックス１２が完全
に乾燥し、はんだ付け部分の絶縁抵抗が高くなる。
ては特に、上記はんだ付けのなされた基板９に、乾燥手
段であるヒーター６により再度１００℃，５分程度の加
熱乾燥処理を行う。この結果、基板９に形成されたフラ
ックス１２中に溶剤が残存していたとしても、上記溶剤
がヒーター６の熱により揮発し、フラックス１２が完全
に乾燥し、はんだ付け部分の絶縁抵抗が高くなる。
【００３６】続いて、はんだ付けされた基板９を冷却フ
ァン７上に搬送し、はんだ付け部分及び挿入部品８等を
冷却して基板９への挿入部品８等のはんだ付けを終了す
る。すなわち、図６に示されるように、プロペラ７ａを
有する冷却ファン７上に基板９を搬送し、プロペラ７ａ
の回転により風を図中矢印Ｗで示すように上向きに発生
させると、基板９のはんだ付け面９ａのはんだ２０や挿
入部品８が冷却される。
ァン７上に搬送し、はんだ付け部分及び挿入部品８等を
冷却して基板９への挿入部品８等のはんだ付けを終了す
る。すなわち、図６に示されるように、プロペラ７ａを
有する冷却ファン７上に基板９を搬送し、プロペラ７ａ
の回転により風を図中矢印Ｗで示すように上向きに発生
させると、基板９のはんだ付け面９ａのはんだ２０や挿
入部品８が冷却される。
【００３７】本実施例のはんだ付け装置によりはんだ付
けを行うと、はんだ付けの後に加熱乾燥処理を行うた
め、はんだ付けの時点でフラックス中に残存している溶
剤が上記加熱乾燥処理により完全に揮発し、はんだ付け
部分の絶縁抵抗が高くなり、絶縁信頼性も高くなる。
けを行うと、はんだ付けの後に加熱乾燥処理を行うた
め、はんだ付けの時点でフラックス中に残存している溶
剤が上記加熱乾燥処理により完全に揮発し、はんだ付け
部分の絶縁抵抗が高くなり、絶縁信頼性も高くなる。
【００３８】上述のはんだ付け装置の実施例において
は、ヒーター６をはんだ槽５と冷却ファン７の間に配し
たが、上記実施例と同様の構成を有するはんだ付け装置
においてヒーター６をはんだ槽５と冷却ファン７の間に
配する代わりに、図７に示すように、冷却ファン７の後
に配するようにし、冷却ファン７で基板９の温度を１０
０℃程度まで下げた後に１００℃，５分程度の条件で加
熱乾燥処理しても良い。
は、ヒーター６をはんだ槽５と冷却ファン７の間に配し
たが、上記実施例と同様の構成を有するはんだ付け装置
においてヒーター６をはんだ槽５と冷却ファン７の間に
配する代わりに、図７に示すように、冷却ファン７の後
に配するようにし、冷却ファン７で基板９の温度を１０
０℃程度まで下げた後に１００℃，５分程度の条件で加
熱乾燥処理しても良い。
【００３９】このようなはんだ付け装置においても、冷
却した後に加熱乾燥処理を行うため、はんだ付け及び冷
却の時点でフラックス中に残存している溶剤が上記加熱
乾燥処理により完全に揮発し、はんだ付け部分の絶縁抵
抗が高くなり、絶縁信頼性も高くなる。
却した後に加熱乾燥処理を行うため、はんだ付け及び冷
却の時点でフラックス中に残存している溶剤が上記加熱
乾燥処理により完全に揮発し、はんだ付け部分の絶縁抵
抗が高くなり、絶縁信頼性も高くなる。
【００４０】さらに、図８に示すように、上記実施例と
同様の構成を有するはんだ付け装置において、本体１内
にヒーター６を設ける代わりに、本体１の外部にヒータ
ー６を有する図示しない乾燥炉を配するようにしても良
く、冷却ファン７で基板９の温度を１００℃程度まで下
げた後に１００℃，５分程度の条件で加熱乾燥処理して
も良い。
同様の構成を有するはんだ付け装置において、本体１内
にヒーター６を設ける代わりに、本体１の外部にヒータ
ー６を有する図示しない乾燥炉を配するようにしても良
く、冷却ファン７で基板９の温度を１００℃程度まで下
げた後に１００℃，５分程度の条件で加熱乾燥処理して
も良い。
【００４１】このようなはんだ付け装置においても、冷
却した後に加熱乾燥処理を行うため、はんだ付け及び冷
却の時点でフラックス中に残存している溶剤が上記加熱
乾燥処理により完全に揮発し、はんだ付け部分の絶縁抵
抗が高くなり、絶縁信頼性も高くなる。
却した後に加熱乾燥処理を行うため、はんだ付け及び冷
却の時点でフラックス中に残存している溶剤が上記加熱
乾燥処理により完全に揮発し、はんだ付け部分の絶縁抵
抗が高くなり、絶縁信頼性も高くなる。
【００４２】また、これまで述べてきたはんだ付け装置
の実施例においては、乾燥手段としてヒーターを使用し
た例について述べてきたが、乾燥手段としては例えば熱
風等を用いても良い。
の実施例においては、乾燥手段としてヒーターを使用し
た例について述べてきたが、乾燥手段としては例えば熱
風等を用いても良い。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、フラックス塗布部，予熱部，はんだ槽，冷却部が
この順に配されてなるはんだ付け装置において、はんだ
槽よりも後に乾燥手段が配されているため、フラックス
の乾燥が十分になされ、はんだ付け部分の絶縁抵抗が高
まり、絶縁信頼性も高まる。
明は、フラックス塗布部，予熱部，はんだ槽，冷却部が
この順に配されてなるはんだ付け装置において、はんだ
槽よりも後に乾燥手段が配されているため、フラックス
の乾燥が十分になされ、はんだ付け部分の絶縁抵抗が高
まり、絶縁信頼性も高まる。
【図１】本発明を適用したはんだ付け装置の一例を示す
模式図である。
模式図である。
【図２】本発明を適用したはんだ付け装置の一例のフラ
クサー近傍を示す模式図である。
クサー近傍を示す模式図である。
【図３】本発明を適用したはんだ付け装置の一例のプリ
ヒーター近傍を示す模式図である。
ヒーター近傍を示す模式図である。
【図４】基板にフラックスが形成された状態を示す模式
図である。
図である。
【図５】本発明を適用したはんだ付け装置の一例のはん
だ槽近傍を示す模式図である。
だ槽近傍を示す模式図である。
【図６】本発明を適用したはんだ付け装置の一例の冷却
ファン近傍を示す模式図である。
ファン近傍を示す模式図である。
【図７】本発明を適用したはんだ付け装置の他の例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図８】本発明を適用したはんだ付け装置のさらに他の
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図９】従来のはんだ付け装置の一例を模式的に示す斜
視図である。
視図である。
【図１０】基板の一例を示す模式図である。
【図１１】時間と絶縁抵抗値と温度の関係の一例を示す
特性図である。
特性図である。
【図１２】時間と絶縁抵抗値と温度の関係の他の例を示
す特性図である。
す特性図である。
１・・・本体 ２・・・コンベアー ３・・・フラクサー ４・・・プリヒーター ５・・・はんだ槽 ６・・・ヒーター ７・・・冷却ファン
Claims (4)
- 【請求項１】 フラックス塗布部，予熱部，はんだ槽，
冷却部がこの順に配されてなるはんだ付け装置におい
て、 はんだ槽よりも後に乾燥手段が配されていることを特徴
とするはんだ付け装置。 - 【請求項２】 はんだ槽と冷却部の間に乾燥手段が配さ
れていることを特徴とする請求項１記載のはんだ付け装
置。 - 【請求項３】 冷却部の後に乾燥手段が配されているこ
とを特徴とする請求項１記載のはんだ付け装置。 - 【請求項４】 冷却部の後に乾燥手段として加熱炉が独
立して設けられていることを特徴とする請求項１記載の
はんだ付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2522295A JPH08222849A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | はんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2522295A JPH08222849A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | はんだ付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222849A true JPH08222849A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12159946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2522295A Abandoned JPH08222849A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | はんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222849A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6786385B1 (en) * | 1997-09-08 | 2004-09-07 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
| WO2005096396A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| CN101902881A (zh) * | 2010-04-28 | 2010-12-01 | 深圳市永吉泰电子有限公司 | 一种用于多层pcb电路板隔离的硅铝箔及其制造方法 |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP2522295A patent/JPH08222849A/ja not_active Abandoned
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6786385B1 (en) * | 1997-09-08 | 2004-09-07 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same |
| WO2005096396A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2009049436A (ja) * | 2004-03-31 | 2009-03-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| US8759663B2 (en) | 2004-03-31 | 2014-06-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing solar battery |
| CN101902881A (zh) * | 2010-04-28 | 2010-12-01 | 深圳市永吉泰电子有限公司 | 一种用于多层pcb电路板隔离的硅铝箔及其制造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20050620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |