JPH0287341A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0287341A JPH0287341A JP63239165A JP23916588A JPH0287341A JP H0287341 A JPH0287341 A JP H0287341A JP 63239165 A JP63239165 A JP 63239165A JP 23916588 A JP23916588 A JP 23916588A JP H0287341 A JPH0287341 A JP H0287341A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録デ
ータを再生する光情報記録媒体に関する。
ータを再生する光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］
レーザ光の照射により、データを記録することができる
光情報記録媒体は、Ｔｅ１ ＢｉＸ Ｍｎ等の金１ｉ［
や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素
層等からなる記録層ををし、レーザ光の照射により、上
記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で
、ビットを形成し、データを記録する。このような記録
層を有する光情報記録媒体では、ビットを形成する際の
記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため
、記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわれて
いる。具体的には例えば、空間部を挾んで２枚の基板を
積層する、いわゆるエアサンドイッチｔ＋’４ ｉＭと
呼ばれる積層構造がとられる。
光情報記録媒体は、Ｔｅ１ ＢｉＸ Ｍｎ等の金１ｉ［
や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素
層等からなる記録層ををし、レーザ光の照射により、上
記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で
、ビットを形成し、データを記録する。このような記録
層を有する光情報記録媒体では、ビットを形成する際の
記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため
、記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわれて
いる。具体的には例えば、空間部を挾んで２枚の基板を
積層する、いわゆるエアサンドイッチｔ＋’４ ｉＭと
呼ばれる積層構造がとられる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を佇する基板ｌ側
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録されたデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録されたデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのビットを予めプレス等の
手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上
にＡｕｚ Ａｇｓ Ｃｕｓ Ａ１等の金ＢＨから
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのビットを予めプレス等の
手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上
にＡｕｚ Ａｇｓ Ｃｕｓ Ａ１等の金ＢＨから
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。
このＲＯＭＩＪＡ光情報記録媒体で最も代表的なものが
音響部門や情報処理部門等で広く実用化されているコン
パクトディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録
、再生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして
規格化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトデ
ィスクプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及
している。
音響部門や情報処理部門等で広く実用化されているコン
パクトディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録
、再生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして
規格化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトデ
ィスクプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及
している。
〔発明が解決しようとする課題］
上記光情報記録媒体は、ＣＤと同じレーザ光を用いる記
録、再生手段であるため、既に再生装置が広く普及して
いるＣＤプレーヤで再生できること、すなわち、ＣＤフ
ォーマットに準拠することが強（望まれる。
録、再生手段であるため、既に再生装置が広く普及して
いるＣＤプレーヤで再生できること、すなわち、ＣＤフ
ォーマットに準拠することが強（望まれる。
しかしながら、上記の光情報記録媒体は、ＣＤには無い
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にビットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にビットを形成するのを容易にするための空隙等を有す
ることから、再生信号が自ずとＣＤと異なってくる。こ
のため、いわゆるＣＤについての規格を定めた上記ＣＤ
フォーマットを満足することが困ｘ１であった。特に、
再生信号の変調度が低いことにより、ＣＤフォーマット
に準拠した再生信号が得られないのが現状である。
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にビットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にビットを形成するのを容易にするための空隙等を有す
ることから、再生信号が自ずとＣＤと異なってくる。こ
のため、いわゆるＣＤについての規格を定めた上記ＣＤ
フォーマットを満足することが困ｘ１であった。特に、
再生信号の変調度が低いことにより、ＣＤフォーマット
に準拠した再生信号が得られないのが現状である。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、ＣＤフォーマットに準拠した変調度
の高い再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
ので、その目的は、ＣＤフォーマットに準拠した変調度
の高い再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
すなわち、上記目的を達成するため、本発明においで採
用した第一の手段の要旨は、透光性基板ｌの上に他の層
を介してレーザ光を吸収する光吸収層２と、光吸収層２
の上に直接または他の層を介して設けられたレーザ光を
反射する光反射層３とを有する光情報記録媒体において
、光吸収層２がレーザ光の照射により、発熱と圧力増大
を伴う材料を含育し、この光吸収層２と、透光性基板ｌ
との間に中間層６を介在させ、この中間層６の熱変形温
度がＡＳＴＭ Ｄ６４８４．６Ｋｇ／ｃｍ２で５０〜
１５０°Ｃであることを特徴とする光情報記録媒体であ
る。
用した第一の手段の要旨は、透光性基板ｌの上に他の層
を介してレーザ光を吸収する光吸収層２と、光吸収層２
の上に直接または他の層を介して設けられたレーザ光を
反射する光反射層３とを有する光情報記録媒体において
、光吸収層２がレーザ光の照射により、発熱と圧力増大
を伴う材料を含育し、この光吸収層２と、透光性基板ｌ
との間に中間層６を介在させ、この中間層６の熱変形温
度がＡＳＴＭ Ｄ６４８４．６Ｋｇ／ｃｍ２で５０〜
１５０°Ｃであることを特徴とする光情報記録媒体であ
る。
第二の手段の要旨は、透光性基板１の上に他の層を介し
レーザ光を吸収する光吸収層２と、光吸収層２の上に直
接または他の層を介して設けられたレーザ光を反射する
光反射層３とを育する光情報記録媒体において、光吸収
層２がレーザ光の照射により、発熱と圧力増大を伴う材
料を含有し、この光吸収層２と、透光性基板ｌとの間に
中間層６を介在させ、この中間層６のロックウェル硬度
がＡＳＴＭ Ｄ７５８でＭ１００〜５０であることを
特徴とする光情報記録媒体である。
レーザ光を吸収する光吸収層２と、光吸収層２の上に直
接または他の層を介して設けられたレーザ光を反射する
光反射層３とを育する光情報記録媒体において、光吸収
層２がレーザ光の照射により、発熱と圧力増大を伴う材
料を含有し、この光吸収層２と、透光性基板ｌとの間に
中間層６を介在させ、この中間層６のロックウェル硬度
がＡＳＴＭ Ｄ７５８でＭ１００〜５０であることを
特徴とする光情報記録媒体である。
第三の手段の要旨は、透光性基板ｌの上にレーザ光を吸
収する光吸収層２と、光吸収層２の上に直接または他の
層を介して設けられたレーザ光を反射する光反射層３と
を存する光情報記録媒体において、光吸収層２がレーザ
光の照射により、発熱と圧力増大を伴う材料を含存し、
この光吸収層２と、光反射層３との間に中間層６を介在
させ、この中間層６の熱変形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４
８ ４．６Ｋｇ／ｃｍ２で５０〜１５０°Ｃであり、か
つロックウェル硬度がＡＳＴＭ Ｄ７５８でＭ１００
〜５０の範囲である光情※・口記録媒体である。
収する光吸収層２と、光吸収層２の上に直接または他の
層を介して設けられたレーザ光を反射する光反射層３と
を存する光情報記録媒体において、光吸収層２がレーザ
光の照射により、発熱と圧力増大を伴う材料を含存し、
この光吸収層２と、光反射層３との間に中間層６を介在
させ、この中間層６の熱変形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４
８ ４．６Ｋｇ／ｃｍ２で５０〜１５０°Ｃであり、か
つロックウェル硬度がＡＳＴＭ Ｄ７５８でＭ１００
〜５０の範囲である光情※・口記録媒体である。
〔作 用コ
上記光情報記録媒体では、光吸収層２にレーザ光を照射
したとき、同光吸収層２がレーザ光を吸収して発熱し、
溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、熱
や圧力増大として局部的なエネルギーの変換がなされる
が、このとき、透光性基板■と光吸収層２との間に介在
された中間層６の熱変形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４８
４．６Ｋｇ／ｃｍ２で５０〜１５０°Ｃの範囲であり、
あるいはロックウェル硬度がＡＳＴＭ Ｄ７５８でＭ
１００〜５０の範囲であることから、上記光吸収層２で
発生したエネルギーが中間層６の表面の局部的な変形に
よって吸収される。このため、同層６に上記変形による
ビット５が形成される。
したとき、同光吸収層２がレーザ光を吸収して発熱し、
溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、熱
や圧力増大として局部的なエネルギーの変換がなされる
が、このとき、透光性基板■と光吸収層２との間に介在
された中間層６の熱変形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４８
４．６Ｋｇ／ｃｍ２で５０〜１５０°Ｃの範囲であり、
あるいはロックウェル硬度がＡＳＴＭ Ｄ７５８でＭ
１００〜５０の範囲であることから、上記光吸収層２で
発生したエネルギーが中間層６の表面の局部的な変形に
よって吸収される。このため、同層６に上記変形による
ビット５が形成される。
こうして、中間層６に形成されるビット５は、記録層に
孔明は等の手段によって形成されるのとン４なり、予め
プレス等の手段によって透光性基板の表層に形成される
ビットに近似するものである。また、光吸収層２の背後
に畜骨して他の層、例えば金沢層による光反射層３を設
けることができる。従って、形態的にもＣＤに近似した
光情報記録媒体が得られ、ＣＤフォーマットに準拠した
記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
孔明は等の手段によって形成されるのとン４なり、予め
プレス等の手段によって透光性基板の表層に形成される
ビットに近似するものである。また、光吸収層２の背後
に畜骨して他の層、例えば金沢層による光反射層３を設
けることができる。従って、形態的にもＣＤに近似した
光情報記録媒体が得られ、ＣＤフォーマットに準拠した
記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
ここで、中間層６の熱変形温度、或は硬度を前記の範囲
に限定したのは、次の理由による。
に限定したのは、次の理由による。
すなわち、中間層の熱変形温度が上記範囲に満たないと
きは、−旦形成したビット５がその後受ける熱によって
容易に変形してしまうため、記録されたデータの安定性
が悪い。また、中間層６の熱変形温度が上記範囲を越え
るときは、光吸収層２で発生したエネルギーを、中間層
６の変形という形で吸収しにくいため、明瞭なビット５
が形成できず、変調度の大きな再生信号が得られない。
きは、−旦形成したビット５がその後受ける熱によって
容易に変形してしまうため、記録されたデータの安定性
が悪い。また、中間層６の熱変形温度が上記範囲を越え
るときは、光吸収層２で発生したエネルギーを、中間層
６の変形という形で吸収しにくいため、明瞭なビット５
が形成できず、変調度の大きな再生信号が得られない。
硬度についても同様で、中間層６の硬度が上記範囲に満
たないときは、−旦形成したビット５が小さな外力によ
って容易に変形されてしまうため、記録されたデータの
安定性が悪い。また、中間層６の硬度が上記範囲を越え
るときは、光吸収層２で発生したエネルギーを、中間層
６の変形という形で吸収しにくいため、明瞭なビット５
が形成できず、変調度の大きな再生信号がｉ！１られな
い。
たないときは、−旦形成したビット５が小さな外力によ
って容易に変形されてしまうため、記録されたデータの
安定性が悪い。また、中間層６の硬度が上記範囲を越え
るときは、光吸収層２で発生したエネルギーを、中間層
６の変形という形で吸収しにくいため、明瞭なビット５
が形成できず、変調度の大きな再生信号がｉ！１られな
い。
［実 施 例コ
次に、図面を参！！？！ Ｌ、なから、本発明の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な（）η造の例を
、第１図〜第３図に示す。同図において、■は、透光性
を佇する基板、６は、その上に形成された樹脂等からな
る中間層、２は、さらにその上に形成された光吸収層で
、１１．？ｌ射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融
、蒸発、昇華、変形または変性し、上記中間層６を局部
的に変形させ、ビットを形成する作用を有する層である
。
、第１図〜第３図に示す。同図において、■は、透光性
を佇する基板、６は、その上に形成された樹脂等からな
る中間層、２は、さらにその上に形成された光吸収層で
、１１．？ｌ射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融
、蒸発、昇華、変形または変性し、上記中間層６を局部
的に変形させ、ビットを形成する作用を有する層である
。
既に述べた通り、本発明においては、上記中間層６の熱
変形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４８ ４゜６Ｋｇ／ｃｍ２
で５０〜１５０°Ｃ１或はｏ−７クウ工ル硬度がＡＳＴ
Ｍ Ｄ７５８でＭ１００〜５０の範囲であることが必
要である。他方、光吸収層２の背後側、例えば、保護層
４は、この中間層６より熱変形温度が高く、かつ硬度が
高いものがよい。３は、光吸収層２の上に形成されたレ
ーザ光を反射する光反射層、４は、その外側に設けられ
た保護層を示す。
変形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４８ ４゜６Ｋｇ／ｃｍ２
で５０〜１５０°Ｃ１或はｏ−７クウ工ル硬度がＡＳＴ
Ｍ Ｄ７５８でＭ１００〜５０の範囲であることが必
要である。他方、光吸収層２の背後側、例えば、保護層
４は、この中間層６より熱変形温度が高く、かつ硬度が
高いものがよい。３は、光吸収層２の上に形成されたレ
ーザ光を反射する光反射層、４は、その外側に設けられ
た保護層を示す。
なお、第２図と第４図は、レーザ光による記録前の状態
を、第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、レー
ザ光の照射時の光吸収層２の局部的な熱変形により、中
間Ｂ６が一部変形され、ビット５が形成された状態を模
式的に示す。第３図は、レーザ光のｊ１ｒＡ射に伴う光
吸収層２の発熱、圧力増大による変形が、実質的に中間
層６にのみ及び、透光性基板１には、殆ど及んでいない
状態を示している。これに対し、第５図は、変形が中間
層６のみならず、透光性基板ｌへも及び、中間層６から
透光性基板Ｉにわたってビット５が形成されている場合
を示している。一般には、中間層のｊ膜厚が３０ｎｍ以
下というように、薄い場合で、かつ透光性基板１の熱変
形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４８ ４．６Ｋｇ／ｃｍ２で
８５〜２００℃で、ロックウェル硬度がＡＳＴＭ Ｄ
７５８でＭ２Ｏ０〜７５程度である場合、後者のような
ビット５が形成される。
を、第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、レー
ザ光の照射時の光吸収層２の局部的な熱変形により、中
間Ｂ６が一部変形され、ビット５が形成された状態を模
式的に示す。第３図は、レーザ光のｊ１ｒＡ射に伴う光
吸収層２の発熱、圧力増大による変形が、実質的に中間
層６にのみ及び、透光性基板１には、殆ど及んでいない
状態を示している。これに対し、第５図は、変形が中間
層６のみならず、透光性基板ｌへも及び、中間層６から
透光性基板Ｉにわたってビット５が形成されている場合
を示している。一般には、中間層のｊ膜厚が３０ｎｍ以
下というように、薄い場合で、かつ透光性基板１の熱変
形温度がＡＳＴＭ Ｄ６４８ ４．６Ｋｇ／ｃｍ２で
８５〜２００℃で、ロックウェル硬度がＡＳＴＭ Ｄ
７５８でＭ２Ｏ０〜７５程度である場合、後者のような
ビット５が形成される。
本発明では、第３図と第５図の何れの形態のビット５が
形成されても、差し支えない。
形成されても、差し支えない。
この光情報記録媒体の具体例について、以下に説明する
。
。
（実施例り
透光性基板ｌとして、射出成型法により形成された直径
４６〜１１７ｍｍφの範囲に、幅０゜８ ｕ ｒｒｈ
深さ０．０８μｌＴｈ ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブ８を存する厚さ１、 ２ｍｍ５
外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポリカーボネート
製円板（帝人化成（閑製、商品名：パンライト）を用い
た。このポリカーボネ−１・基板ｌのロックウェル硬度
ＡＳＴＭは、Ｄ７８５でＭ７５であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭは、 Ｄ６４８、４． ６ｋｇ／ｃｍ２ で１３５
°Ｃである。
４６〜１１７ｍｍφの範囲に、幅０゜８ ｕ ｒｒｈ
深さ０．０８μｌＴｈ ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブ８を存する厚さ１、 ２ｍｍ５
外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポリカーボネート
製円板（帝人化成（閑製、商品名：パンライト）を用い
た。このポリカーボネ−１・基板ｌのロックウェル硬度
ＡＳＴＭは、Ｄ７８５でＭ７５であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭは、 Ｄ６４８、４． ６ｋｇ／ｃｍ２ で１３５
°Ｃである。
この透光性基板ｌの上に中間層６としてアクリル樹脂を
厚さ７０ｎｍにスピンコードで形成し、さらにこの上に
、光吸収ＩＶＪ２を形成するためのＦｆ ［１色素とし
てＮ Ｏ−６５ｇの１．１’ ジプロピル３． ３．
３’、 ３’テトラメチル５゜５′ジメトキシイン
ドジカーボシアニンアイオダイドを、ジアセトンアルコ
ール溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板１の表面
に、スピンコード法により塗布し、膜厚９０ ｎｍの光
吸収層２を形成した。上記中間層６の熱変形温度ＡＳＴ
Ｍは、Ｄ ６４８．４． ６ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ２
で１００°Ｃ１ロックウェル硬度ＡＳＴＭは、Ｄ７８
５でＭＢ２である。
厚さ７０ｎｍにスピンコードで形成し、さらにこの上に
、光吸収ＩＶＪ２を形成するためのＦｆ ［１色素とし
てＮ Ｏ−６５ｇの１．１’ ジプロピル３． ３．
３’、 ３’テトラメチル５゜５′ジメトキシイン
ドジカーボシアニンアイオダイドを、ジアセトンアルコ
ール溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板１の表面
に、スピンコード法により塗布し、膜厚９０ ｎｍの光
吸収層２を形成した。上記中間層６の熱変形温度ＡＳＴ
Ｍは、Ｄ ６４８．４． ６ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ２
で１００°Ｃ１ロックウェル硬度ＡＳＴＭは、Ｄ７８
５でＭＢ２である。
次に、上記光吸収層２の上に、シリコンアクリル樹脂を
厚さ５０ｎｍスピンコードで形成した後、ディスクの直
径４５〜１１８ｍｍφの領域の全面にスパッタリング法
により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を成膜し、光反射層３を
形成した。
厚さ５０ｎｍスピンコードで形成した後、ディスクの直
径４５〜１１８ｍｍφの領域の全面にスパッタリング法
により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を成膜し、光反射層３を
形成した。
さらに、この光反射Ｆ！Ｉ３の上に紫外線硬化性（Ｍ脂
をスピンコードシ、これに紫外線を照射して硬化させ、
膜厚ｌＯμｍの保護層４を形成した。
をスピンコードシ、これに紫外線を照射して硬化させ、
膜厚ｌＯμｍの保護層４を形成した。
こうして得られた光ディスクに波長７８０ｎｍの半導゛
体し−ザを線速１．２ｍ／５ｅｅｓ 記録パワー６、
ＯｍＷで照射し、、ＥＦＭ信号を記録した。そして、こ
の光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ
ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生し
たところ、再生信号のアイパターンから得られるＩｚ／
１、。、が０．６３、Ｉ３／Ｌｏ、が０．３２であった
。
体し−ザを線速１．２ｍ／５ｅｅｓ 記録パワー６、
ＯｍＷで照射し、、ＥＦＭ信号を記録した。そして、こ
の光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ
ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生し
たところ、再生信号のアイパターンから得られるＩｚ／
１、。、が０．６３、Ｉ３／Ｌｏ、が０．３２であった
。
ＣＤ規格では、Ｉ＋＋／Ｉｔ。。が０．６以上、■３／
Ｉｔａｐが０．３〜０．６と定められており、この実施
例による光ディスクは、この規格を満足している。
Ｉｔａｐが０．３〜０．６と定められており、この実施
例による光ディスクは、この規格を満足している。
さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４、光反射
層３及び光吸収層２を剥離し、中間ｌｆｆ１６の表面を
観察したところ、そこに窪み状のビット５が形成されて
いるのが確認された。
層３及び光吸収層２を剥離し、中間ｌｆｆ１６の表面を
観察したところ、そこに窪み状のビット５が形成されて
いるのが確認された。
（実施例２）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で８０°Ｃ％
Ｃ’ ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ９５
の塩化ビニル共重合体により、６０ｎｍの厚さに形成し
たこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを
製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で８０°Ｃ％
Ｃ’ ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ９５
の塩化ビニル共重合体により、６０ｎｍの厚さに形成し
たこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを
製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩｚ／Ｉｔｏ、がＯ，Ｅｉ６、Ｉ
３／Ｉｔ。−が０゜３５であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩｚ／Ｉｔｏ、がＯ，Ｅｉ６、Ｉ
３／Ｉｔ。−が０゜３５であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
（実施例３）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で９０°ＣＭ
ロックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭｌｏｏの
アクリル樹脂により形成したこと、光吸収層２の膜厚を
１３０ｎｍとしたこと、光吸収層２と光反射層３との間
にシリコンアクリル樹脂層を形成しなかったこと、及び
反射面３をＡｕと１ｒとの９： １の合金ｊ漠により形
成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを装作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で９０°ＣＭ
ロックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭｌｏｏの
アクリル樹脂により形成したこと、光吸収層２の膜厚を
１３０ｎｍとしたこと、光吸収層２と光反射層３との間
にシリコンアクリル樹脂層を形成しなかったこと、及び
反射面３をＡｕと１ｒとの９： １の合金ｊ漠により形
成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを装作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤでｉ１Ｔ生したところ、再生信号の
アイパターンから得られる［ｚ／Ｉｔ。−が０． ６３
．１３／ ｌ１ｏ−が０゜３２であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤでｉ１Ｔ生したところ、再生信号の
アイパターンから得られる［ｚ／Ｉｔ。−が０． ６３
．１３／ ｌ１ｏ−が０゜３２であった。
さらに、」二足実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに窪み状のピッ！・５
が形成されているのが確、痣された。
６の表面を観察したところ、そこに窪み状のピッ！・５
が形成されているのが確、痣された。
（実施例４）
上記実施例１において、中間層６として、Ｊ１変変形度
ＡＳＴＭ Ｄ６４８が４．６１＜ｇ／ｃｍ２で６６°
Ｃ％ Ｄ ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２
Ｏの塩化ビニリデン共重合体により厚さ６０ｎｍに形成
したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスク
を製作した。
ＡＳＴＭ Ｄ６４８が４．６１＜ｇ／ｃｍ２で６６°
Ｃ％ Ｄ ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２
Ｏの塩化ビニリデン共重合体により厚さ６０ｎｍに形成
したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスク
を製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるｒ＋＋／Ｉｔ。−が０．６７、Ｉ
３／Ｉｔｏ−が０１３６であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるｒ＋＋／Ｉｔ。−が０．６７、Ｉ
３／Ｉｔｏ−が０１３６であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
（実施例５）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が１．−６ｋｇ／ｃｍ２で８５°Ｃ
％５°Ｃ％ロー／フラニルＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポ
リスチレンにより形成したこと以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを習作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が１．−６ｋｇ／ｃｍ２で８５°Ｃ
％５°Ｃ％ロー／フラニルＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポ
リスチレンにより形成したこと以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを習作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで「１生したところ、再生信号のア
イパターンかられｌられるＩｚ／Ｉｔｏ、が０．６５．
１３／ｌ−０−が領３４であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで「１生したところ、再生信号のア
イパターンかられｌられるＩｚ／Ｉｔｏ、が０．６５．
１３／ｌ−０−が領３４であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
（実施例６）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５５°Ｃ％
ロックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポ
リ酢酸ビニルにより厚さ６０ｎｍに形成したこと、及び
シリコンアクリル樹脂の上に、さらにイソノアネートを
１０ｎｍスピンコードしたこと以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５５°Ｃ％
ロックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポ
リ酢酸ビニルにより厚さ６０ｎｍに形成したこと、及び
シリコンアクリル樹脂の上に、さらにイソノアネートを
１０ｎｍスピンコードしたこと以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるｌｚ／Ｉｔ。、が０．８６．１３
／Ｉ、。、が０゜３２であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるｌｚ／Ｉｔ。、が０．８６．１３
／Ｉ、。、が０゜３２であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピッｌ−５が
形成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピッｌ−５が
形成されているのが確認された。
（実施例７）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で７０℃、ロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポリエス
テルにより形成したこと、光吸収層２を形成する佇機色
素として、１．１′ ジプチル３．３．３′３′ テト
ラメチル４．５．４′５′ ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレートを用いたこと、光吸収層２の上に
、シリコンアクリル樹脂に代えて、シリコン樹脂をコー
ティングで形成したこと、及び光反射層３の上にビスフ
ェノール硬化型エポキシ樹脂層を２０ｎｍ形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で７０℃、ロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポリエス
テルにより形成したこと、光吸収層２を形成する佇機色
素として、１．１′ ジプチル３．３．３′３′ テト
ラメチル４．５．４′５′ ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレートを用いたこと、光吸収層２の上に
、シリコンアクリル樹脂に代えて、シリコン樹脂をコー
ティングで形成したこと、及び光反射層３の上にビスフ
ェノール硬化型エポキシ樹脂層を２０ｎｍ形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩ＋＋／Ｉｔ。、が０．６１％Ｉ
ｓ／Ｉｔ。、が０゜３１であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩ＋＋／Ｉｔ。、が０．６１％Ｉ
ｓ／Ｉｔ。、が０゜３１であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間・Ｂ
６の表面を観察したところ、そこに窪み状のピッｌ−
５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに窪み状のピッｌ−
５が形成されているのが確認された。
（実施例８）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０°Ｃ１
０ツクウ工ル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポリウ
レタン樹脂により厚５０ｎｍに形成したこと、この中間
層６の上にシリコン樹脂を厚さ１５ｎｍスピンコードで
形成して耐溶剤処理した後、１，１’ ジブチル３．３
．３′ ３′テトラメチル４．５．４″ ５′ジベン
ゾインドジカーボシアニンパークロレートを用いて厚さ
１３０ｎｍの光吸収層２を形成したこと、光吸収層２と
光反射層３との間にシリコンアクリル樹脂をコーティン
グしなかったこと、及び反射層３をＡｕとＩｒとの９：
ｌの合金膜により形成したこと以外は、上記実施例１
と同様にして光ディスクを製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０°Ｃ１
０ツクウ工ル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポリウ
レタン樹脂により厚５０ｎｍに形成したこと、この中間
層６の上にシリコン樹脂を厚さ１５ｎｍスピンコードで
形成して耐溶剤処理した後、１，１’ ジブチル３．３
．３′ ３′テトラメチル４．５．４″ ５′ジベン
ゾインドジカーボシアニンパークロレートを用いて厚さ
１３０ｎｍの光吸収層２を形成したこと、光吸収層２と
光反射層３との間にシリコンアクリル樹脂をコーティン
グしなかったこと、及び反射層３をＡｕとＩｒとの９：
ｌの合金膜により形成したこと以外は、上記実施例１
と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるｌｚ／Ｉｔ。、が０．６６、Ｉ３
／Ｌ。、が０゜３３であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるｌｚ／Ｉｔ。、が０．６６、Ｉ３
／Ｌ。、が０゜３３であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
（実施例９）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０℃、ロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポリウレ
タン樹脂により厚５０ｎｍに形成したこと、この中間層
６の上にシリコン系コート剤を厚さ１５ｎｍスピンコー
ドで形成して耐溶剤処理した後、１．１″ジブチル３．
３．３′ ３１テトラメチル４．５．４５′ジベンゾ
インドジカーボシアニンパークロレートを用いて光吸収
層２を形成したこと、この光吸収層２の上にシリコンア
クリル樹脂に代えてシリコン樹脂を形成したこと、及び
光反射層３の上にポリサルファイド添加エポキシ樹脂を
２０ ｎｍコーティングで形成した上に保護層４を設け
たこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを
製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０℃、ロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポリウレ
タン樹脂により厚５０ｎｍに形成したこと、この中間層
６の上にシリコン系コート剤を厚さ１５ｎｍスピンコー
ドで形成して耐溶剤処理した後、１．１″ジブチル３．
３．３′ ３１テトラメチル４．５．４５′ジベンゾ
インドジカーボシアニンパークロレートを用いて光吸収
層２を形成したこと、この光吸収層２の上にシリコンア
クリル樹脂に代えてシリコン樹脂を形成したこと、及び
光反射層３の上にポリサルファイド添加エポキシ樹脂を
２０ ｎｍコーティングで形成した上に保護層４を設け
たこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを
製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩ＋＋／Ｉｔｏ１１が０．６６、
Ｉｓ／Ｉｔ。ｐが０゜３３であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩ＋＋／Ｉｔｏ１１が０．６６、
Ｉｓ／Ｉｔ。ｐが０゜３３であった。
さらに、上記実施例Ｉと同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確認された。
（実施例１０）
上記実施例１において、中間層６として、蛸変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．８ｋｇ／ｃｍ２で６０°Ｃ％
Ｃ’ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭｌｏｏのセ
ルロース系樹脂により形成したこと、光吸収層２を形成
する有機色素として、１． １’ ジブチル３．３．３
’ ３’テトラメチル４．５．４′５″ジベンゾイン
ドジカーボシアニンパークロレートを用いたこと、及び
光吸収層２の上に、シリコンアクリル樹脂に代えて、シ
リコン樹脂をコーティングした以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．８ｋｇ／ｃｍ２で６０°Ｃ％
Ｃ’ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭｌｏｏのセ
ルロース系樹脂により形成したこと、光吸収層２を形成
する有機色素として、１． １’ ジブチル３．３．３
’ ３’テトラメチル４．５．４′５″ジベンゾイン
ドジカーボシアニンパークロレートを用いたこと、及び
光吸収層２の上に、シリコンアクリル樹脂に代えて、シ
リコン樹脂をコーティングした以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実１＠例１と同様
にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを
、市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のア
イパターンから得られるＩ Ｉ’、／ Ｉ ｔｏｐが０
．６５．Ｉ３／Ｉｔ。、が０゜３２であった。
にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを
、市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のア
イパターンから得られるＩ Ｉ’、／ Ｉ ｔｏｐが０
．６５．Ｉ３／Ｉｔ。、が０゜３２であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確認された。
（実施例１１）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０℃、ｏ
ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのウレタ
ン系ｐＪ１可塑性樹脂により厚５０ ｎｍに形成したこ
と、及びこの中間層６の上にシリコン系コート剤を厚さ
１５ｎｍスピンコードで形成して耐溶剤処理した後、１
１１′ジブチル３．３．３′ ３′テトラメチル４．
５．４’ ５’ ジベンゾインドジカーボシアニンバー
クロレー）・を用いて光吸収層２を形成したこと、及び
シリコンアクリル樹脂に代えて、シリコン樹脂をコーテ
ィングで形成したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て光ディスクを製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０℃、ｏ
ツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのウレタ
ン系ｐＪ１可塑性樹脂により厚５０ ｎｍに形成したこ
と、及びこの中間層６の上にシリコン系コート剤を厚さ
１５ｎｍスピンコードで形成して耐溶剤処理した後、１
１１′ジブチル３．３．３′ ３′テトラメチル４．
５．４’ ５’ ジベンゾインドジカーボシアニンバー
クロレー）・を用いて光吸収層２を形成したこと、及び
シリコンアクリル樹脂に代えて、シリコン樹脂をコーテ
ィングで形成したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この先ディス・りを
、市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のア
イパターンから得られるＩｚ／Ｉｔ、、が０．６７、Ｉ
ａ／Ｉｔ。。が０．３４であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この先ディス・りを
、市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のア
イパターンから得られるＩｚ／Ｉｔ、、が０．６７、Ｉ
ａ／Ｉｔ。。が０．３４であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確認された。
（実施例１．２ ）
上記実施例１において、中間層６として、記１変形温度
ＡＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で７０°Ｃ
１０ツクウ工ル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのアク
リル樹脂により形成したこと、有機色素として、１，１
’ ジプロピル５．７．５．７ジメＩ・キシインドシカ
−ポジアニンフルオロボレートを用いて膜厚１３０ｎｍ
の光吸収層２を形成したこと、光反射層３をＣｏ１模に
より形成したこと、及び保１穫層４をシリコン系バート
コ−１・刑により、厚さ５μｍに形成したこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
ＡＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で７０°Ｃ
１０ツクウ工ル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのアク
リル樹脂により形成したこと、有機色素として、１，１
’ ジプロピル５．７．５．７ジメＩ・キシインドシカ
−ポジアニンフルオロボレートを用いて膜厚１３０ｎｍ
の光吸収層２を形成したこと、光反射層３をＣｏ１模に
より形成したこと、及び保１穫層４をシリコン系バート
コ−１・刑により、厚さ５μｍに形成したこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで１１ｆ生したところ、再生信号の
アイパターンから得られるＩ＋＋／［ｔｏ、が０．６３
，１３／ＩＬ。−が０゜３２であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで１１ｆ生したところ、再生信号の
アイパターンから得られるＩ＋＋／［ｔｏ、が０．６３
，１３／ＩＬ。−が０゜３２であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確１塁された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のビット５が形
成されているのが確１塁された。
（実施例１３）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０°Ｃ％
Ｃｆｆツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポ
リウレタン系樹脂により形成したこと、光吸収ＦＪ２を
形成する有機色素として、■、１′ジプロピル５．７．
５．７ジメトキシインドジカーボシアニンフルオロボレ
ートを用いたこと、光吸収層２の上に厚さ３０ｎｍのＳ
ｉｇｈ膜をスパッタリング法により設けたこと、光反射
層３をＣｕ膜により形成したこと、光反射層３の上に厚
さ２０ｎｍのエポキシ樹脂をスピンコートシた上に保護
層４を形成したこと、保護層４をシリコン系バートコ−
１・刑により、厚さ５μｍに形成したこと以外は、上記
実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で５０°Ｃ％
Ｃｆｆツクウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭ２Ｏのポ
リウレタン系樹脂により形成したこと、光吸収ＦＪ２を
形成する有機色素として、■、１′ジプロピル５．７．
５．７ジメトキシインドジカーボシアニンフルオロボレ
ートを用いたこと、光吸収層２の上に厚さ３０ｎｍのＳ
ｉｇｈ膜をスパッタリング法により設けたこと、光反射
層３をＣｕ膜により形成したこと、光反射層３の上に厚
さ２０ｎｍのエポキシ樹脂をスピンコートシた上に保護
層４を形成したこと、保護層４をシリコン系バートコ−
１・刑により、厚さ５μｍに形成したこと以外は、上記
実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得ろれるＩｚ／Ｉｔ０．が０．６６、Ｉ３
／Ｉｔ。、が０゜３３であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得ろれるＩｚ／Ｉｔ０．が０．６６、Ｉ３
／Ｉｔ。、が０゜３３であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
（実施例１４）
上記実施例１において、透光性基板１としてガラス円板
を用いたこと、中間層６として、μｉ変形温度ＡＳＴＭ
Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で７０°Ｃｓ Ｃ
’ ツクウェル硬度Ａ Ｓ Ｔ Ｍ −ｈＣＤ７８５で
Ｍ９Ｏの表面に２ｐ法（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙ−ｍａ
ｒｉｚａｔｉｏｎ ａ＋ｅｔｈｏｄ）によりプレグル
ーブを形成したアクリル樹脂により形成したこと、光吸
収層２を形成する有機色素として、１．１’ ジプロピ
ル５．７．５．７ジメトキシインドジカーボシアニンフ
ルオロボレートを用いて膜厚１３０ｎｍの光吸収層２を
形成したこと、光反射層３をＣｕ膜により形成したこと
、保護層４をシリコン系ハードコート剤により、厚さ５
μｍに形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして
光ディスクを製作した。
を用いたこと、中間層６として、μｉ変形温度ＡＳＴＭ
Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で７０°Ｃｓ Ｃ
’ ツクウェル硬度Ａ Ｓ Ｔ Ｍ −ｈＣＤ７８５で
Ｍ９Ｏの表面に２ｐ法（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙ−ｍａ
ｒｉｚａｔｉｏｎ ａ＋ｅｔｈｏｄ）によりプレグル
ーブを形成したアクリル樹脂により形成したこと、光吸
収層２を形成する有機色素として、１．１’ ジプロピ
ル５．７．５．７ジメトキシインドジカーボシアニンフ
ルオロボレートを用いて膜厚１３０ｎｍの光吸収層２を
形成したこと、光反射層３をＣｕ膜により形成したこと
、保護層４をシリコン系ハードコート剤により、厚さ５
μｍに形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして
光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られる■目／１．。、が０．８３、Ｉｓ
／Ｉｔ。、が０゜３２であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、再生信号のアイ
パターンから得られる■目／１．。、が０．８３、Ｉｓ
／Ｉｔ。、が０゜３２であった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層６
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
の表面を観察したところ、そこに窪み状のピット５が形
成されているのが確認された。
（比較例）
上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で１８０℃、
ロックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭｌｏｏのシリ
コツ１Ｍ脂により形成したこと以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを製作した。
ＳＴＭ Ｄ６４８が４．６ｋｇ／ｃｍ２で１８０℃、
ロックウェル硬度ＡＳＴＭがＤ７８５でＭｌｏｏのシリ
コツ１Ｍ脂により形成したこと以外は、上記実施例１と
同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例■と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したとζろ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩ＋＋／Ｉｔ。、が０．２８．１
１／Ｉｔ。。が０゜０５であった。
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したとζろ、再生信号のアイ
パターンから得られるＩ＋＋／Ｉｔ。、が０．２８．１
１／Ｉｔ。。が０゜０５であった。
この光ディスクは、上記ＣＤフォーマットヲ満足するこ
とができない。
とができない。
［発明の効果］
以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記録
方法によれば、レーザ光の照射により、透光性基板ｌの
上に形成された中間層６にＣＤに近似した凹状のピット
を形成できると共に、光吸収層２の背後に反射層３を密
着して形成することができることから、ＣＤに近似する
ピット形態と層構造をとることができる。
方法によれば、レーザ光の照射により、透光性基板ｌの
上に形成された中間層６にＣＤに近似した凹状のピット
を形成できると共に、光吸収層２の背後に反射層３を密
着して形成することができることから、ＣＤに近似する
ピット形態と層構造をとることができる。
特に、透光性基板ｌの上に比較的熱変形温度が低いか、
或は硬度の低い中間層６を形成していることから、レー
ザ光の照射により光吸収層２に発生するエネルギーによ
り、この中間層６に明瞭なピットを形成することができ
、これによって変調度の高い再生信号が得られる。
或は硬度の低い中間層６を形成していることから、レー
ザ光の照射により光吸収層２に発生するエネルギーによ
り、この中間層６に明瞭なピットを形成することができ
、これによって変調度の高い再生信号が得られる。
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のＡ部拡大図、
第３図は、第１図の光記録後のＡ部拡大図、第４図は、
他の例を示す光記録前の光ディスクの要部拡大断面図、
第５図は、同光ディスクにおける光記録後の要部拡大断
面図である。 ■・・・基板 ２・・・光吸収層 ３・・・反射層 ４
・・・保護層
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のＡ部拡大図、
第３図は、第１図の光記録後のＡ部拡大図、第４図は、
他の例を示す光記録前の光ディスクの要部拡大断面図、
第５図は、同光ディスクにおける光記録後の要部拡大断
面図である。 ■・・・基板 ２・・・光吸収層 ３・・・反射層 ４
・・・保護層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）透光性基板１の上に他の層を介してレーザ光を吸
収する光吸 収層２と、光吸収層２の上に直接または他の層を介して
設けられたレーザ光を反射する光反射層３とを有する光
情報記録媒体において、光吸収層２がレーザ光の照射に
より、発熱と圧力増大を伴う材料を含有し、この光吸収
層２と、透光性基板１との間に中間層６を介在させ、こ
の中間層６の熱変形温度がＡＳＴＭＤ６４８ ４．６Ｋｇ／ｃｍ＾２で５０〜１５０℃であることを特
徴とする光情報記録媒体。 （２）透光性基板１の上に他の層を介してレーザ光を吸
収する光吸 収層２と、光吸収層２の上に直接または他の層を介して
設けられたレーザ光を反射する光反射層３とを有する光
情報記録媒体において、光吸収層２がレーザ光の照射に
より、発熱と圧力増大を伴う材料を含有し、この光吸収
層２と、透光性基板１との間に中間層６を介在させ、こ
の中間層６のロックウェル硬度がＡＳＴＭＤ７５８でＭ
１００〜５０であることを特徴とする光情報記録媒体。 （３）透光性基板１の上に他の層を介してレーザ光を吸
収する光吸 収層２と、光吸収層２の上に直接または他の層を介して
設けられたレーザ光を反射する光反射層３とを有する光
情報記録媒体において、光吸収層２がレーザ光の照射に
より、発熱と圧力増大を伴う材料を含有し、この光吸収
層２と、透光性基板１との間に中間層６を介在させ、こ
の中間層６の熱変形温度がＡＳＴＭＤ６４８ ４．６Ｋｇ／ｃｍ＾２で５０〜１５０℃であり、かつロ
ックウェル硬度がＡＳＴＭＤ７５８でＭ１００〜５０の
範囲であることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (29)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239165A JPH0823940B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
| US07/340,082 US4990388A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| US07/340,544 US5155723A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording method and medium |
| DE68918652T DE68918652T2 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium. |
| DE68924016T DE68924016T3 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische Informationsaufzeichnungsmethode und Medium. |
| AT89106810T ATE112649T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium. |
| ES89106873T ES2078901T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Metodo y medio de registro optico de informacion. |
| ES89106810T ES2064377T3 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Medio de registro optico de informacion. |
| EP89106873A EP0353394B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording method and medium |
| EP19890106810 EP0353392B1 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording medium |
| AT89106873T ATE127265T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische informationsaufzeichnungsmethode und medium. |
| CA 599417 CA1332466C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording medium |
| CA000599416A CA1331807C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording method and medium |
| MYPI89000677A MY106947A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording method and medium. |
| MYPI89000675A MY104122A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording medium. |
| AU35108/89A AU626072B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording method and medium |
| AU35105/89A AU626071B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording medium |
| DK198902544A DK175044B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Fremgangsmåde og medium til optisk informationsoptegning |
| DK198902543A DK174110B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Optisk informationsoptegningsmedium |
| PH38708A PH26093A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording method and medium |
| PH38708D PH26092A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording medium |
| KR1019890010424A KR950006839B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 매체 |
| KR1019890010425A KR950005034B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 방법 및 매체 |
| FI893561A FI893561L (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Optisk dataregistrering. |
| FI893562A FI893562L (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Foerfarande och organ foer optisk dataregistrering. |
| PT91311A PT91311B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Processo e meio de gravacao optica de informacao |
| PT91310A PT91310B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Meio de gravacao optica de informacao |
| HK114195A HK114195A (en) | 1988-07-30 | 1995-07-13 | Optical information recording medium |
| HK105796A HK105796A (en) | 1988-07-30 | 1996-06-19 | Optical information recording method and medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239165A JPH0823940B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287341A true JPH0287341A (ja) | 1990-03-28 |
| JPH0823940B2 JPH0823940B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=17040697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239165A Expired - Lifetime JPH0823940B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823940B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325351A (en) * | 1990-10-22 | 1994-06-28 | Tdk Corporation | Optical recording medium having a reflective layer made of Cu-Ag or Cu-Au alloy |
| US6063467A (en) * | 1997-02-24 | 2000-05-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US6103331A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising organic dye thin film |
| US6165580A (en) * | 1997-11-11 | 2000-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189851A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP63239165A patent/JPH0823940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189851A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325351A (en) * | 1990-10-22 | 1994-06-28 | Tdk Corporation | Optical recording medium having a reflective layer made of Cu-Ag or Cu-Au alloy |
| US6063467A (en) * | 1997-02-24 | 2000-05-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US6103331A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising organic dye thin film |
| US6165580A (en) * | 1997-11-11 | 2000-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0823940B2 (ja) | 1996-03-06 |
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| JPH04132025A (ja) | 光情報記録媒体 |
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