ES2078901T5 - Metodo y medio de registro optico de informacion. - Google Patents
Metodo y medio de registro optico de informacion.Info
- Publication number
- ES2078901T5 ES2078901T5 ES89106873T ES89106873T ES2078901T5 ES 2078901 T5 ES2078901 T5 ES 2078901T5 ES 89106873 T ES89106873 T ES 89106873T ES 89106873 T ES89106873 T ES 89106873T ES 2078901 T5 ES2078901 T5 ES 2078901T5
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- layer
- light
- substrate
- absorption layer
- astm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00452—Recording involving bubble or bump forming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/24018—Laminated discs
- G11B7/24027—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2595—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on gold
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrotherapy Devices (AREA)
- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
UN METODO DE GRABACION DE INFORMACION OPTICAMENTE SOBRE UN MEDIO DE REGISTRO DE INFORMACION OPTICA COMPRENDIENDO UN SUBSTRATO TRANSMITIENDO LUZ, UNA CAPA DE ABSORCION DE LUZ SUPERPUESTA AL SUBSTRATO PARA ABSORBER UN RAYO LASER Y UNA CAPA REFLECTORA DE LUZ SUPERPUESTA A LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ, EL CUAL COMPRENDE ENERGIZACION DE LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ MEDIANTE UN RAYO LASER INTRODUCIDO A TRAVES DEL SUBSTRATO TRANSMISOR DE LUZ, Y DEFORMAR LOCALMENTE, POR LA ENERGIA ALLI GENERADA, MEDIANTE LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ, UNA CAPA SUPERFICIAL DEL SUBSTRATO ADYACENTE A LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ, PARA FORMAR MARCAS LEGIBLES OPTICAMENTE EN LA CAPA SUPERFICIAL DEL SUBSTRATO.
Description
Método y medio de registro óptico de
información.
La presente invención se refiere a un método para
registrar ópticamente información sobre un medio de registro óptico
de información y al medio de registro óptico de información que
tiene picaduras legibles ópticamente formadas de esta manera.
Los medios ópticos de registro de la información
convencionales de este tipo tienen una capa de registro, por
ejemplo, de un metal tal como Te, Bi, Mn o un tinte tal como
cianina, merocianina o ftalocianina, y está diseñada para registrar
datos de tal manera que cuando se irradia con un haz láser, dicha
capa de registro se deforma, sublima, evapora o modifica para formar
picaduras. Con medios ópticos de registro de información que tienen
una capa de registro de este tipo, es común formar un espacio detrás
de la capa de registro para facilitar la deformación, sublimación,
evaporación o modificación de la capa de registro para la formación
de las picaduras. Un ejemplo típico es una estructura laminada
llamada estructura sándwich de aire, donde una pareja de substratos
están laminados con un espacio en medio.
Con los medios ópticos de registro de información
de este tipo, un haz láser de escritura de este tipo se irradia a
través de un substrato transparente para formar picaduras legibles
ópticamente en la capa de registro. Para reproducir los datos
registrados, se irradia un haz láser de lectura que tiene una
potencia inferior al haz láser de escritura a través del substrato,
y el contraste entre la luz reflejada desde las picaduras y la luz
reflejada desde la porción no picada, se lee como una señal
eléctrica.
Por otra parte, los medios ópticos de registro de
la información del tipo llamado ROM (real only memory), donde los
datos están ya registrados, y no se pueden registrar datos
adicionales o los datos registrados no se pueden borrar ya o
reescribir, se emplean en la práctica ampliamente en los campos de
registro de sonido y de tratamiento de la información. Los medios
ópticos de registro de información de este tipo no tienen una capa
de registro de este tipo que se ha descrito anteriormente. Las
picaduras que corresponden a datos que deben reproducirse están
formadas ya sobre un substrato, por ejemplo, de policarbonato, por
ejemplo mediante moldeo por prensado, encima está formada una capa
reflexiva de un metal tal como Au, Ag, Cu o Al, y adicionalmente se
aplica encima una capa protectora.
El medio de registro óptico de información más
típico de este tipo ROM es un disco compacto llamado CD que se
emplea ampliamente en los campos de registro de sonido y de
tratamiento de la información. La especificación para las señales de
registro y de lectura para este CD está normalizado, y el aparato
de reproducción o play back para CD de acuerdo con este formato está
ampliamente extendido como reproductor de disco compacto
(reproductores de CD).
Por lo tanto, es muy deseable que los medios
ópticos de registro de información mencionados anteriormente sigan
las mismas normas que prevalecen ampliamente para CD, para que sean
intercambiables con CD ya prevalecientes y puedan reproducirse por
reproductores de CD para reproducción de información registrada.
Sin embargo, los medios ópticos de registro de
información convencionales del tipo mencionado anteriormente tienen
una capa de registro que no está presente en CD, y están diseñados
para formar picaduras en la capa de registro y no en el substrato
(véase, por ejemplo, IBM TDB, volumen 25, Nº 118, Abril 1983,
páginas 5940, 5941). Adicionalmente, en algunos casos, está previsto
un espacio para facilitar la formación de picaduras en esta capa de
registro. Por consiguiente, las señales de lectura son naturalmente
diferentes de las de CD, debido a diferencias, por ejemplo, en la
reflectancia del haz láser y al grado de modulación de las señales
de lectura. En particular, las picaduras formadas en la capa de
registro por el haz láser no eran tan distintivas como las picaduras
formadas mecánicamente, por ejemplo mediante moldeo por prensado, de
modo que ha sido difícil obtener un alto grado de modulación. Por lo
tanto, ha sido difícil que los medios ópticos de registro de
información convencionales cumpliesen las llamadas normas para CD
mencionadas anteriormente y ha sido difícil proporcionar un disco
óptico reproducible por reproductores de CD convencionales.
La Patente
EP-A-0019329 describe un medio de
registro según el preámbulo de la reivindicación 1, por el cual una
picadura se forma solamente en una capa de color relativamente fina;
la Patente US-A-4.398.203 describe
un medio de registro por el cual un color no se encuentra adyacente
al substrato, sino más bien en una capa intermedia metálica de
absorción; la Patente
JP-A-1982-60543
describe un medio de registro, por el cual no se proporciona una
capa de color de absorción entre una capa reflectante y un
substrato, y para todos estos medios de registro la posibilidad de
formar una picadura que se extienda al substrato con el fin de
conformar de forma estable un CD convencional que no sea
informado.
Por lo tanto, un objeto de la presente invención
es proporcionar un medio óptico de registro de información que sea
capaz de proporcionar señales de lectura con un alto grado de
modulación para cumplir las normas CD.
La presente invención se basa en el
descubrimiento de que se pueden formar picaduras ópticamente
legibles directamente sobre el substrato por un haz láser por medio
de una capa de absorción de haz láser que funciona como medio para
formar tales picaduras, de manera que sea posible obtener un disco
óptico registrable que cumpla las normas de CD.
La presente invención proporciona un método para
registrar ópticamente información sobre un medio óptico de
información de acuerdo con la reivindicación 1.
La presente invención proporciona también un
medio óptico de registro de información de acuerdo con la
reivindicación 3.
Para el objeto de la presente invención, el
término "picaduras ópticamente legibles" o "picaduras"
incluye generalmente marcas ópticamente legibles o detectables de
todo tipo.
Con este medio de registro óptico de información,
cuando la capa de color de absorción de la luz es irradiada con un
haz láser, genera calor después de la absorción del haz láser y al
mismo tiempo la superficie del substratio adyacente a la capa de
absorción y la capa de absorción o adicionalmente una capa adyacente
a la capa de absorción o la capa de absorción y dicha capa adicional
se someten a fusión, evaporación, sublimación, reacción,
descomposición o modificación. Cuando el haz láser se aplica en un
estado concentrado a la capa de absorción de la luz, se genera
energía localmente. El impacto de tal energía llega a la superficie
de la capa adyacente a la capa de absorción de luz, de manera que
dichas capas se deforman localmente para formar porciones
modificadas ópticamente (picaduras legibles ópticamente).
En las porciones picadas, la superficies de las
capas del substrato adyacente a la capa de absorción de la luz se
deforma localmente, de modo que existe una diferencia de fase entre
las porciones picadas y las porciones no-picadas, y
el haz láser incidente es dispersado para que exista una diferencia
substancial en la cantidad del haz láser reflejado. Por lo tanto, es
posible obtener un alto grado de modulación para las señales de
lectura.
Aquí, la función anterior es generalmente igual
independientemente de la forma de la deformación de dichas capas, ya
consista la deformación en protuberancias hacia la capa de
absorción de la luz, ondas o dientes. Además de la deformación
anterior, las porciones picadas pueden incluir porciones modificadas
ópticamente donde las propiedades ópticas son diferentes localmente
en dichas capas. Pueden formarse espacios en la porción interfacial
entre la capa de absorción de la luz y la capa adyacente, o pueden
dispersarse burbujas finas en la capa de absorción de la luz en las
porciones picadas, de modo que la reflectancia del haz láser será
substancialmente diferente entre las porciones picadas y la porción
no picada debido a funciones tales como la diferencia de fase,
absorción y dispersión del haz láser causadas por ello, y es posible
obtener un alto grado de modulación de las señales de lectura.
De la misma manera, cuando las porciones
deformadas de dichas capas tienen propiedades ópticas diferentes
del resto de dichas capas, existirá una diferencia substancial en
las condiciones ópticas, particularmente en la reflectancia del haz
láser, entre las porciones picadas y la porción no picada debido a
funciones tales como la diferencia de fase, absorción y dispersión
del haz láser incidente en las porciones modificadas ópticamente, y
de esta manera es posible obtener un alto grado de modulación de las
señales de lectura, como se ha mencionado anteriormente.
Por lo tanto, las porciones modificadas
ópticamente formadas sobre la capa superficial del substrato son
diferentes de las formadas en la capa de registro convencional y en
su lugar se parecen a picaduras de CD que están preformadas sobre
una superficie de substrato, por ejemplo mediante moldeo por
prensado. En el sistema de registro óptico de información
ópticamente escribible de una estructura de este tipo, se puede
aplicar una capa de reflexión sobre la capa de absorción de la luz
en estrecho contacto con ella. Por lo tanto, también desde el punto
de vista de la configuración, el medio de registro óptico de
información de la presente invención es similar a CD. Es
particularmente significativo que de esta manera es posible obtener
fácilmente un medio de registro de información ópticamente
escribible, particularmente un disco óptico registrada del tipo
escrito una vez, que cumple las normas de CD con respecto a la
reflectancia del haz láser de lectura, al grado de modulación de las
señales de lectura y al porcentaje de error de bloque.
A continuación se describen las formas de
realización preferidas de la presente invención con referencia a los
dibujos, en los que:
La figura 1 es una vista esquemática en
perspectiva parcialmente en la sección transversal que ilustra una
forma de realización de la estructura del medio de registro óptico
de información de la presente invención.
La figura 2 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista del
medio de registro de información de la figura 1 antes del registro
óptico.
La figura 3 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada a lo largo de la pista del medio
de registro óptico de información de la figura 1 después del
registro óptico.
La figura 4 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de
otra forma de realización del medio de registro óptico de
información de la presente invención antes del registro óptico.
La figura 5 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de
la misma forma de realización después del registro óptico.
La figura 6 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de
otra forma de realización adicional del medio de registro óptico de
la presente invención antes del registro óptico.
La figura 7 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de
la forma de realización de la figura 6 después del registro
óptico.
La figura 8 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de
una forma de realización adicional de la presente invención antes
del registro óptico.
La figura 9 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada de la forma de realización de la
figura 8 después del registro óptico.
La figura 10 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de
otra forma de realización adicional del medio de registro óptico de
la presente invención antes del registro óptico.
La figura 11 es una vista de la sección
transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la forma de
realización de la figura 10 después del registro óptico.
La figura 12 es un grafo que muestra la relación
entre un parámetro óptico representado por la fórmula p =
n_{abs}d_{abs}/ \lambda donde n_{abs} es la parte real del
índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz del
disco óptico, d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la
luz y \lambda es la longitud de onda del haz láser de lectura y la
reflectancia del haz láser de lectura.
La figura 13 es un grafo que muestra la relación
entre la parte imaginaria k_{abs} del índice de refracción
complejo de la capa de absorción de la luz del disco óptico y la
reflectancia del haz láser de lectura.
La figura 14 es una vista esquemática en
perspectiva de la superficie del substrato de transmisión de luz del
medio de registro óptico de información de la presente invención
después del registro óptico.
Las figuras 15(a) y (b) son grafos que
muestran la relación entre la distancia móvil de una punta o sonda a
lo largo de la pista y la altura de la picadura o protuberancia
cuando se observó la superficie del substrato transparente de la
figura 14 por STM (Scanning
\hbox{Tunneling}
Microscope).
Las figuras 16 a 19 son vistas de la sección
transversal parcialmente ampliada tomadas a lo largo de las pistas
de diversas formas de realización de las picaduras de los medios de
registro óptico de información.
Las figuras 1 a 11 ilustran esquemáticamente
varias estructuras del medio de registro óptico de información de la
presente invención. En estas figuras, el número de referencia 1
indica un substrato de transmisión de la luz, el número 2 indica
una capa de absorción de la luz que cubre al substrato, el número 3
indica una capa de reflexión de la luz que cubre la capa de
absorción de la luz. El número de referencia 4 indica una capa de
protección.
El substrato de transmisión de la luz 1 está
hecho de un material que tiene alta transparencia a haces láser y
está hecho usualmente de una resina que tiene resistencia excelente,
tal como un policarbonato, una resina de acrilato o una resina
epoxi. No obstante, el substrato puede estar hecho de cualquier otro
material mientras sea transparente a haces láser de escritura y de
lectura y al menos la superficie del substrato adyacente a la capa
de absorción de la luz sea deformable por energía generada por la
capa de absorción de la luz después de la absorción del haz láser de
escritura, para formar picaduras ópticamente legibles. A este
respecto, el substrato o al menos la capa superficial del mismo
tiene preferentemente una temperatura de distorsión térmica dentro
de un intervalo de 85 a 200ºC, más preferentemente de 90 a 150ºC,
medida de acuerdo con ASTM D648 bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}
y/o una dureza Rockwell dentro de un intervalo de M200 a M75, más
preferentemente de M105 a M80, medida de acuerdo con ASTM D785.
Cuando la temperatura de distorsión térmica o la dureza Rockwell del
substrato está dentro del intervalo mencionado anteriormente, la
energía generada por la capa de absorción de la luz 2 después de la
absorción del haz láser de lectura se puede absorber efectivamente
por la deformación local de la capa superficial del substrato 1, de
manera que no permanecerá ninguna deformación substancial en las
picaduras formadas, por lo que se asegurará la estabilidad de los
datos registrados. Si la temperatura de deformación térmica o la
dureza es demasiado baja, las picaduras formadas tienden a
deformarse fácilmente por calor o fuerza exterior, por lo que la
estabilidad será pobre. Por otra parte, si la temperatura de
distorsión térmica o la dureza es demasiado alta, la energía
generada por la capa de absorción de la luz 2 se puede absorber con
dificultad en forma de deformación del substrato 1, y es difícil
formar picaduras 5 distintas, por lo que será difícil obtener
señales de lectura con un alto grado de modulación.
El espesor del substrato 1 no es crítico, pero
está usualmente dentro de un intervalo desde 1,1 a 1,5 mm.
La capa de absorción de la luz 2 es una capa que
absorbe un haz láser que entra a través del substrato de transmisión
de la luz 1, después de lo cual genera calor y al mismo tiempo se
somete a fundición, evaporación, sublimación, reacción,
descomposición o modificación. Está formada usualmente mediante
recubrimiento por rotación de un material de tinte, tal como un
tinte de cianina sobre el substrato 1 o sobre una capa intermedia 6
formada sobre el substrato 1.
El espesor de la capa de absorción de la luz 2
está usualmente dentro del intervalo de 20 a 500 nm, preferentemente
de 100 a 300 nm.
La capa de reflexión de la luz 3 está hecha
usualmente de un metal tal como oro, plata, cobre, aluminio o una
aleación de ellos. El espesor de la capa de reflexión de la luz 3
está usualmente dentro del intervalo de 30 a 150 nm, preferentemente
de 40 a 130 nm.
La capa de protección 4 está hecha de una resina
excelente en la resistencia al impacto lo mismo que el substrato de
transmisión de la luz 1 y más comúnmente está formada mediante
recubrimiento con una resina endurecible por luz ultravioleta
mediante revestimiento de rotación, seguido por irradiación con
rayos ultravioleta para endurecimiento. Como otros materiales se
pueden usar normalmente una resina epoxi, una resina de acrilato y
una resina de capa dura de silicona. También es posible emplear un
material elástico tal como una resina de uretano para obtener un
efecto de amortiguación.
El espesor de la capa de protección 4 no es
crítico y usualmente está dentro de un intervalo de 3 a 30 \mum,
preferentemente de 5 a 15 \mum.
Como se muestra en las figuras 4 a 7, una capa
intermedia 6 tal como una capa de resina o una capa resistencia a
disolventes se puede disponer entre el substrato 1 y la capa de
absorción de la luz 2. Como se muestra en las figuras 5 y 7, una
capa intermedia 6 de este tipo se deforma por la energía generada
por la capa de absorción de la luz 2 después de la absorción del haz
láser de escritura para formar picaduras 5 modificadas ópticamente.
Si una capa intermedia 6 de este tipo es suficientemente gruesa, las
picaduras 5 se formarán en ella como se muestra en la figura 5, de
manera que la capa intermedia sirve como la capa superficial del
substrato 1. Si la capa intermedia 6 es relativamente delgada, es
decir, si tiene un espesor de como máximo 30 nm, entonces no sólo la
capa intermedia 6 sino también el substrato 1 se deformarán como se
muestra en la figura 7. Cuando no está presente una capa intermedia
6 de este tipo, la capa superficial del substrato 1 se deformará
como se muestra en la figura 3 para formar picaduras 5 modificadas
ópticamente.
La capa intermedia 6 tiene preferentemente una
temperatura de distorsión térmica dentro de un intervalo de 50 a
150ºC, más preferentemente desde 85 hasta 140ºC, medida de acuerdo
con ASTM D648 bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y/o una dureza
Rockwell dentro de un intervalo de M100 a M50, más preferentemente
de M95 a M75, medida de acuerdo con ASTM D785. La temperatura de
distorsión térmica y la dureza Rockwell de la capa intermedia 6
dentro de los intervalos anteriores se prefieren por las mismas
razones que las mencionadas con respecto a la temperatura de
distorsión térmica y a la dureza Rockwell del substrato 1. La capa
intermedia 6 puede estar hecha de una resina tal como una resina de
acrilato, una resina de cloruro de vinilo, una resina de cloruro de
vinilideno, una resina de poliestireno, una resina de poliéster,
una resina de poliuretano, una resina de celulosa o una resina de
silicona. No obstante, se puede emplear cualquier otra resina
siempre que cumpla las propiedades mencionadas anteriormente para la
capa intermedia 6.
El espesor de la capa intermedia está usualmente
dentro de un intervalo de 2 nm a 500 nm, preferentemente 10 a 200
\mum.
Adicionalmente, se puede disponer una capa dura
16 menos deformable con calor que el substrato entre la capa de
absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 como se
muestra en las figuras 8 y 9, o sobre la capa de reflexión de la luz
3 como se muestra en las figuras 10 y 11. La capa dura 16 está hecha
de un material menos deformable con calor que el substrato y
preferentemente tiene una dureza Rockwell de al menos M100, medida
de acuerdo con ASTM D785 y/o una temperatura de distorsión térmica
de al menos 100ºC, más preferentemente al menos 130ºC, medida de
acuerdo con ASTM D648 bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
\bullet Cada una de las figuras 2, 4, 6, 8 y 10
ilustran un estado previo al registro óptico por un haz láser. Cada
una de las figuras 3, 5, 7, 9 y 11 ilustra un estado después del
registro óptico. En efecto, cuando se irradia un haz láser 7 desde
un receptor óptico 8 en un estado concentrado a la capa de absorción
de la luz 2, la capa superficial del substrato 1 se deforma
localmente por la energía generada en la capa de absorción de la luz
2, para formar picaduras 5 modificadas ópticamente, como se ilustra
esquemáticamente en estas figuras.
En el medio de registro óptico de información de
la presente invención, se prefiere que un parámetro óptico
representado por p = n_{abs}d_{abs}/ \lambda donde n_{abs}
es la parte real del índice de refracción complejo de la capa de
absorción de la luz del disco óptico, d_{abs} es el espesor de la
capa de absorción de la luz y \lambda es la longitud de onda del
haz, sea 0,05 \leq p \leq 0,6, y la parte imaginaria k_{abs}
del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz
sea como máximo 0,3. La figura 12 es un grafo que muestra la
relación entre el parámetro óptico p = n_{abs}d_{abs}/ \lambda
donde n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo
de la capa de absorción de la luz 2 del disco óptico, d_{abs} es
el espesor de la capa de absorción de la luz 2 y \lambda es la
longitud de onda del haz y la reflectancia de la luz que entra a
través del substrato, cuando se emplea un haz láser semiconductor
que tiene una longitud de onda de 780 nm como el haz láser de
lectura, con respecto a dos ejemplos del disco óptico.
Adicionalmente, la figura 13 muestra la reflectancia cuando la parte
imaginaria k_{abs} ha cambiado desde un valor próximo a 0 hasta
un valor de 2,0 cambiando la transmitancia de la luz de la capa de
absorción de la luz, manteniendo al mismo tiempo la parte real del
índice de refracción complejo en un nivel constante de n_{abs} =
2,4, con respecto a un disco óptico, donde se usa una película de
oro como la capa de reflexión de la luz. A partir de estas figuras,
es evidente que cuando el parámetro óptico de p =
n_{abs}d_{abs}/ \lambda y la parte imaginaria k_{abs}
cumplen las condiciones mencionadas anteriormente, se puede obtener
una alta reflectancia, de manera que es posible fácilmente asegurar
las propiedades normalizadas estipuladas en las normas de CD, es
decir, la reflectancia de al menos 70%.
La figura 14 ilustra esquemáticamente la
superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del medio de
registro óptico de información de la presente invención, que tiene
la capa de protección 4, la capa de reflexión de la luz 3 y la capa
de absorción de la luz 2 eliminadas después del registro óptico. En
efecto, con el fin de formar picaduras 5 a lo largo de una
pre-ranura 9, que es una ranura de guía de
seguimiento formada sobre la superficie del substrato 1, se irradió
un haz láser concentrado modulado por señales de EFM a la capa de
absorción de la luz 2 a lo largo de la pre-ranura 9,
y luego la capa de protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3
se pelaron del substrato 1. A continuación, la capa de absorción de
la luz 2 se eliminó también de la superficie del substrato 1.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 se observó a lo largo de la
pre-ranura 9 por STM (Scanning Tunneling
\hbox{Microscope).} Los resultados se muestran en las
figuras 15(a) y (b). En estas figuras, la abscisa indica la
distancia móvil de una picadura (sonda) 10 a lo largo de la
pre-ranura 9, es decir, en la dirección se
seguimiento, y la ordenada indica la altura de la superficie del
substrato 1. La figura 15(a) ilustra un caso donde la
longitud de una picadura es relativamente corta a un nivel de 10.000
A, por lo que es evidente que se forma una clara deformación en
forma de una protuberancia con una altura de aproximadamente 200
\ring{A}. De la misma manera, la figura 15(b) ilustra un
caso donde la longitud de una picadura es relativamente larga a un
nivel de 40.000 \ring{A}, de manera que se observa una deformación
en forma de una protuberancia con una altura de aproximadamente 200
\ring{A}, pero la protuberancia tiene dos picos con una porción
ligeramente inferior en el centro. De esta manera, en una forma de
realización preferida, se forman picaduras ópticamente legibles en
la pre-ranura 9 como ranura de guía de seguimiento
formada sobre la capa superficial deformable del substrato 1.
Las figuras 16 a 19 ilustran esquemáticamente los
estados de las picaduras 5 formadas por irradiación con un haz
láser.
Las figuras 16(a) a (d) ilustran el estado
en que se forma una deformación 14 sobre el substrato 1 adyacente a
la capa de absorción de la luz 2 por irradiación de la capa de
absorción de la luz 2 con un haz láser concentrado 7.
Más específicamente, la figura 16(a)
ilustra esquemáticamente un caso donde la capa de absorción de la
luz 2 ha sido irradiada con un haz láser concentrado, los
componentes que constituyen la capa 2 se someten a fusión y
descomposición y al mismo tiempo, el lado interfacial del substrato
de transmisión de la luz 1 adyacente a la capa de absorción de la
luz 2 se ablanda, de modo que los componentes de la capa de
absorción de la luz 2 se difunden o fluyen dentro del substrato 1
para formar una deformación 14. En muchos casos, en la porción
deformada, los componentes de la capa de absorción de la luz 2 se
mezclan localmente y se hacen reaccionar en parte químicamente con
el material que constituye el substrato de transmisión de la luz 1
para formar una porción 12 modificada ópticamente que tiene
propiedades ópticas diferentes de la capa de absorción de la luz 2 o
del substrato de transmisión de la luz 1. Por ejemplo, cuando la
capa de absorción de la luz 2 está formada con un tinte de cianina,
y el substrato de transmisión de la luz 1 está formado con un
policarbonato, las propiedades ópticas de la porción 12 modificada
ópticamente muestran valores ligeramente diferentes del substrato de
transmisión 1.
Es usual que cuando el haz láser es irradiado a
una capa de absorción de la luz 2 para formar una picadura 5, el
material que constituye la capa de absorción de la luz 2 sea
sometido a generación de calor, fusión y descomposición en esa
porción, de modo que las propiedades ópticas de la capa de absorción
de la luz 2 cambiarán también localmente. En algunos casos, tal
fenómeno va acompañado con la formación de un espacio 10 entre la
capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, o
con la formación de burbujas 11 en la capa de absorción de la luz 2,
que pueden permanecer después del enfriamiento.
Es probable que tal espacio 10 se forme
particularmente cuando la capa adyacente sobre el lado de la luz
incidente de la capa de absorción de la luz 2, tal como la capa de
la superficia del substrato 1, es relativamente termodeformable en
comparación con la capa detrás de la capa de absorción de la luz 2,
tal como la capa de reflexión de la luz 3 o la capa de protección 4,
y la capa detrás de la capa de absorción de la luz 2 tiene mala
adhesión a la capa de absorción de la luz 2 en comparación con la
capa adyacente sobre el lado de la luz incidente. Con tal medio
óptico de registro de información, cuando se irradia un haz láser 7
a la capa de absorción de la luz 2, se genera energía en la capa de
absorción de la luz 2 y el substrato 1 se deforma en 14, como se ha
mencionado anteriormente, y al mismo tiempo se genera un gas en la
capa de absorción de la luz 2, de modo que se formará un espacio 10
entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la
luz 3 adyacente que tiene malas propiedades adhesivas, y el gas
tienden a permanecer en el espacio 10. El gas generado en el
interior de la capa de absorción de la luz 2 puede permanecer como
burbujas 11.
Las figuras 16(c) y (d) ilustran otras
formas de la deformación 14 sobre el substrato transparente 1. La
figura 16(c) ilustra una deformación 14 en forma de una
protuberancia con su parte superior separada para formar dos picos,
mientras que la figura 16(d) ilustra una deformación 14 de
una forma de la onda donde protuberancias y dientes se repiten
alternativamente. En estos casos, pueden formarse también el espacio
10 mencionado anteriormente, burbujas 11 o la porción 12 modificada
ópticamente.
Las figuras 17(a) a (c) ilustran
esquemáticamente un caso donde la deformación 14 del substrato de
transmisión de la luz 1 adyacente a la capa de absorción de la luz 2
en la porción de la picadura 5 está en forma de un diente o receso
con respecto a la capa de absorción de la luz 2.
La figura 17(a) ilustra un caso donde se
forma un espacio 10 en el límite de la capa de absorción de la luz 2
y la capa de reflexión de la luz 3, y la figura 17(b) ilustra
un caso donde al mismo tiempo que la formación del espacio 10, se
dispersan burbujas finas 11 en la capa de absorción de la luz 2, y
adicionalmente los componentes descompuestos de una capa de
absorción de la luz 2 se difunden dentro del substrato de
transmisión de la luz 1 formado con una deformación 14, de manera
que los componentes descompuestos y los componentes que constituyen
el substrato de transmisión de la luz 1 se mezclan y reaccionan en
parte químicamente para formar una porción 12 modificada
químicamente. Adicionalmente, la figura 17(c) ilustra un caso
donde al mismo tiempo que la formación del espacio 10 mencionado
anteriormente, se forma otro espacio 10 entre el substrato 1 y la
capa de absorción de la luz 2.
Las figuras 18(a) a (d) ilustran un caso
donde deformaciones 14 y 14' en la picadura 5 llegan hasta ambas
capas adyacentes a la capa de absorción de la luz 2. Es probable que
se forme una picadura de este tipo en un caso donde la temperatura
de distorsión térmica o la dureza es substancialmente la misma que
entre las dos capas entre las que está intercalada la capa de
absorción de la luz 2, tal como el substrato 1 y la capa de
reflexión de la luz 3 o la capa de
\hbox{protección
4.}
La figura 18(a) ilustra un caso donde un
espacio 10' está formado entre la capa de absorción de la luz 2 y el
substrato 1 en la picadura 5, la figura 18(b) ilustra un caso
donde se forman espacios 10 y 10' entre la capa de absorción de la
luz 2 y el substrato adyacente 1 y entre la capa de absorción de la
luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 adyacente, y la figura
18(c) ilustra un caso donde burbujas finas 11 están dispersas
en la capa de absorción de la luz 2. La figura 18(d) ilustra
un estado en el que las deformaciones 14 y 14' están ambas en forma
de protuberancias hacia la capa de absorción de la luz 2.
Adicionalmente, las figuras 19(a) y (b)
ilustran un caso donde una porción 13 modificada ópticamente, que
tiene propiedades ópticas diferentes de otras porciones, está
formada en la picadura 5 en una capa sobre el lado de la luz
incidente con respecto a la capa de absorción de la luz 2. Esta
porción modificada 13 está situada siempre en el lado desde el que
entre el haz láser 7. En muchos casos, la porción modificada se
extiende hasta el interior de la capa de absorción de la luz 2. En
tal caso, puede observarse una deformación 14 en la capa adyacente a
la capa de absorción de la luz 2, pero debido a la presencia de la
porción 13 modificada ópticamente, es usual que la deformación no
sea distintiva.
La figura 19(a) ilustra un estado donde
una porción 13 modificada ópticamente está formada sobre la
superficie, por ejemplo, del substrato 1 adyacente a la capa de
absorción de la luz 2, y la figura 19(b) ilustra un estado en
el que las propiedades ópticas cambian gradualmente en una dirección
del espesor desde el substrato 1 hasta la capa de absorción de la
luz 2.
Tales modificaciones de capas se realizan por
descomposición, reacción o difusión mutua de la capa de absorción de
la luz 2 y de otra capa causadas por el calor generado en la capa de
absorción de la luz 2 por la irradiación con un haz láser 7. Por lo
tanto, tales picaduras 5 se forman cuando la capa de absorción de la
luz 2 y la capa adyacente se forman de materiales que tienen tales
funciones.
En el medio de registro óptico de información de
la presente invención, una capa detrás de la capa de absorción de la
luz 2 con relación al substrato de transmisión de la luz 1, tal como
la capa de reflexión de la luz 3 o la capa de protección 4, está
hecha preferentemente de un material que tiene una temperatura de
deformación térmica y una dureza mayores que la capa sobre la que se
forman picaduras 5. Mediante la formación de la capa detrás de la
capa de absorción 2 con un material duro, el porcentaje de error de
bloque de señales registradas se puede reducir efectivamente, de
manera que es posible fácilmente cumplir el requerimiento
normalizado de BLER (porcentaje de error de bloque) que no debe ser
mayor de 3 x 10^{-2} según se especifica en las normas de CD.
A continuación se describe la presente invención
con más detalle con referencia a ejemplos. No obstante, se
entenderá que la presente invención no se limita de ninguna manera a
tales ejemplos específicos.
Se formó mediante moldeo por inyección un
substrato de policarbonato 1 con un espesor de 1,2 mm, un diámetro
exterior de 120 mm y un diámetro interior de 15 mm y con una
pre-ranura en espiral formada sobre su superficie
con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un
paso de 1,6 \mum. Este substrato de policarbonato 1 tiene una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 que corresponde a HB de la dureza
de lápiz y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de
121ºC y una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
Como un tinte orgánico para formar la capa de
absorción de la luz 2, se disolvieron 0,65 g de
1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina
perclorato (número de producto NK3219, fabricado por Nippon Kanko
Shikiso
\hbox{Kenkyusho}) en 10 ml de un disolvente de
alcohol de diacetona, y la solución se aplicó sobre la superficie
del substrato 1 mediante revestimiento por rotación para formar una
capa de absorción de la luz 2 de una película de tinte fotosensible
que tiene un espesor de 130 nm. El parámetro óptico p =
n_{abs}d_{abs}/\lambda donde n_{abs} es la parte real del
índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz 2,
d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la luz y es la
longitud de onda del haz láser de lectura, era 0,45, y la parte
imaginaria k_{abs} del índice de refracción complejo era 0,05.
A continuación se formó una película de oro con
un espesor de 80 nm por pulverización sobre toda la superficie de la
región cubierta por el diámetro de 45 a 118 mm de este disco, para
formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, sobre esta
capa de reflexión 3, se aplicó por rotación una resina endurecible
por luz ultravioleta y luego se endureció mediante radiación con
rayos ultravioleta, para formar una capa de protección 4 con un
espesor de 10 \mum. Después de endurecer esta capa de protección 4
tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2}.
Al disco óptico obtenido de esta manera se
irradió un láser semiconductor con una longitud de onda de 780 nm a
una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de
6,0 mW, para registrar señales EFM. Luego, este disco óptico se
reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en
el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda del haz
láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que la
reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,68, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de
bloque BLER era 1,2 x 10^{-2}.
Las normas de CD especifican que la reflectancia
es al menos 70%, I_{11}/I_{top} es al menos 0,6,
I_{3}/I_{top} es de 0,3 a 0,7, y el porcentaje de error de
bloque BLER no es mayor de 3 x 10^{-2}. El disco óptico de este
ejemplo cumple estas normas.
Adicionalmente, después del registro, la capa de
protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3 del disco óptico se
pelaron y se inspeccionó la superficie expuesta de la capa de
absorción de la luz 2, observándose irregularidades lineales finas,
que parecían representar el perfil del contorno de las picaduras.
Adicionalmente, la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un
disolvente, y se inspeccionó la superficie del substrato 1,
confirmando la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente.
La estructura de capas de este disco óptico se
ilustra esquemáticamente en la figura 2, y la misma estructura
después del registro se ilustra esquemáticamente en la figura 3.
La superficie del substrato de transmisión de la
luz 1 se observó por STM (Scanning Tunneling
\hbox{Microscope),} encontrándose que la porción picada
estaba deformada en forma de protuberancias. Adicionalmente, la
porción registrada y la porción no registrada del substrato 1 se
midieron por medio de un espectrómetro, observándose en la porción
registrada picos distintos a los picos observados con la resina de
la porción no registrada.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que se aplicó por rotación una resina epoxi
para formar una capa dura con un espesor de 100 nm entre la capa de
absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 del ejemplo
1. Después del endurecimiento, esta resina epoxi tenía una dureza
Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica
(ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de
reproducción de CD de venta en el comercio, donde la reflectancia
del haz láser semiconductor y las características de la salida de
las señales de lectura eran iguales que en el ejemplo 1, y el
porcentaje de error de bloque BLER era 3,0 x 10^{-3}. Se
inspeccionó la superficie del substrato 1 del disco óptico después
del registro de la misma manera que en el ejemplo 1 para confirmar
la formación de picaduras 5. En efecto, a partir de la observación
de la superficie del substrato 1 por STM, se observó una deformación
14 en forma de una protuberancia. Esta protuberancia tenía dos picos
con una porción ligeramente baja en el centro.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que entre la capa de absorción de la luz 2
y la capa de reflexión de la luz 3 en el ejemplo 1, se formó una
capa dura de una resina de acrilato de silicona con un espesor de
100 nm mediante revestimiento por rotación sobre la capa de
absorción de la luz 2 y se formó una capa de adhesión de una resina
epoxi con un espesor de 20 nm mediante revestimiento por rotación
sobre la superficie superior de esta capa dura. Después del
endurecimiento, esta capa de resina de acrilato de silicona tenía
una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de
la misma manera que en el ejemplo 1. Luego se reprodujo este disco
por el mismo aparato de reproducción de CD (Aurex
XR-V73) que se empleó en el ejemplo 1 con un haz
láser semiconductor con una longitud de onda de 780 nm, de manera
que la reflectancia del haz láser semiconductor era 75%,
I_{11}/I_{top} era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el
porcentaje de error de bloque BLER era 2,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, se inspeccionó por STM a superficie del substrato 1
del disco óptico después del registro de la misma manera que en el
ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el
ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1 se formó una película
de una aleación de oro y antimonio en una relación de 9 : 1 por
deposición de vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3
sobre la capa de absorción de la luz 2, y sobre esta capa de
reflexión 3 se formó una capa de protección 4 de una resina
endurecible con luz ultravioleta con una capa de adhesión de una
resina epoxi que tiene un espesor de 20 nm interpuesta entre ellas.
La capa de reflexión de la luz 3 anterior tenía una dureza de al
menos H como dureza de lápiz.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 6,2 mW de
la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,62,
I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la
superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de
la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de
picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1 se aplicó por rotación
una capa de resina dura del tipo endurecible por luz ultravioleta
sobre el lado de la luz incidente del substrato de policarbonato 1
para formar una capa de protección del substrato con un espesor de 1
\mum, la capa de absorción de la luz 2 se formó sobre el lado que
tiene la pre-ranura, y sobre esta capa de absorción
de la luz 2 se formó una película de una aleación de oro e iridio en
una relación de 3 : 1 por pulverización como una capa de reflexión
de la luz 3. La capa de reflexión de la luz 3 tenía una dureza de al
menos 5 H como dureza de lápiz.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de
reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia
del haz láser semiconductor era 70%, I_{11}/I_{top} era 0,62,
I_{3}/I_{top} era 0,37, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,7 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la
superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de
la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de
picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1 la capa de reflexión de
la luz 3 se formó por una capa de plata con un espesor de 60 nm, y
encima se aplicó por rotación un agente de recubrimiento duro de
silicona, se calentó y se endureció para formar una capa de
protección dura 4 con un espesor de 3 \mum. La capa de protección
4 tenía una dureza de al menos HB como dureza de lápiz.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de
reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia
del haz láser semiconductor era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,63,
I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 2,8 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la
superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de
la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de
picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, se aplicó por rotación
una resina epoxi incorporada con polisulfuro diluida con diglicidil
éter para formar una capa de adhesión de 30 nm sobre la capa de
reflexión de la luz 3 formada por deposición de vapor a vacío de una
película de oro con un espesor de 50 nm, y se aplicó por rotación un
agente de revestimiento duro de silicona sobre la capa de adhesión,
se calentó y endureció para formar una capa de protección dura 4 con
un espesor de 3 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de
reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia
del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65,
I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 2,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la
superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de
la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de
picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, la capa de absorción
de la luz se formó usando
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina
perclorato, sobre la capa de reflexión de la luz 3 se formó una capa
dura de una resina epoxi con un espesor de 100 nm, se formó una
resina endurecible con luz ultravioleta encima en un espesor de 10
\mum y luego se formó la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de
reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia
del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,68,
I_{3}/I_{top} era 0,34, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 8,3 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la
superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de
la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de
picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Sobre la superficie del mismo substrato de
policarbonato 1 usado en el ejemplo 1, se aplicó por rotación una
resina de acrilato disuelta en diisobutil cetona para formar una
capa intermedia 6 con un espesor de 40 nm. Esta capa intermedia 6
tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M85 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2}.
Como tinte orgánico para formar la capa de
absorción de la luz 2 se disolvieron 0,6 g de yoduro de
1,1'-dipropil-3,3,3',3'-tetrametil-5,5'-dimetoxiindodicarbocianina
en 10 ml de un disolvente de alcohol isopropílico. La solución se
aplicó sobre la superficie del substrato 1 anterior mediante
revestimiento por rotación para formar una capa de absorción de la
luz 2 de una película de tinte fotosensible con un espesor de 120
nm. El parámetro óptico p = n_{abs}d_{abs}/\lambda donde
n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo de la
capa de absorción de la luz 2, d_{abs} es el espesor de la capa de
absorción de la luz y \lambda es la longitud de onda del haz
láser de lectura, era 0,41, y la parte imaginaria k_{abs} del
índice de refracción complejo era 0,02.
A continuación se aplicó por rotación encima una
resina de acrilato de silicona disuelta en ciclohexano para formar
una capa de resina de acrilato de silicona con un espesor de 100
nm, una dureza de lápiz de 2H y una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 120ºC y una carga de 4,6 kg/cm^{2}. Luego
se formó una película de oro con un espesor de 50 nm por
pulverización para formar una capa de reflexión de la luz 3.
Adicionalmente, se aplicó por rotación una resina endurecible con
luz ultravioleta sobre esta capa de reflexión de la luz 3 y se
endureció por irradiación con rayos ultravioletas para formar una
capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum. Después del
endurecimiento, esta capa de protección 4 tenía una dureza Rockwell
(ASTM D785) de M90, una temperatura de distorsión térmica (ASTM
D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
Al disco óptico obtenido de esta manera se
irradió un láser semiconductor con una longitud de onda de 780 nm a
una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de
7,5 mW, para registrar señales EFM. Luego, este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD empleado
en el ejemplo 1, de manera que la reflectancia del haz láser
semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,62,
I_{3}/I_{top} era 0,31, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 4,0 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la capa de protección 4 y la capa
de reflexión de la luz 3 del disco óptico después del registro se
pelaron, y la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un
disolvente, y la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó
para confirmar la formación de picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excep1to que en el ejemplo 9, se aplicó por
rotación un agente de revestimiento de silicona sobre la capa
intermedia 6 para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01
\mum, y encima se formó la capa de absorción de la luz 2.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,8 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 73%, I_{1}1/I_{top} era 0,62,
I_{3}/I_{top} era 0,31, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,4 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se usó un substrato de
cristal como substrato 1, y se aplicó por rotación una resina de
isocianato disuelta con una mezcla disolvente de tolueno y metil
etil cetona en una relación de 1:1, sobre la capa de reflexión para
formar una capa de adhesión con un espesor de 20 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,2 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65,
I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,6 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se aplicó por rotación
un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6
para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum, y
encima se formó una capa de absorción de la luz 2, y se aplicó por
rotación piolibutadieno sobre la capa de reflexión para formar una
capa de adhesión con un espesor de 20 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,2 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que en
el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era
72%, I_{11}/Itop era 0,66, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el
porcentaje de error de bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6
del disco óptico después del registro de la misma manera que en el
ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, el espesor de la capa
intermedia 6 se cambió a 20 nm, no se aplicó ninguna capa de resina
de acrilato de silicona, y se formó una película de una aleación de
iridio y oro en una relación de 1:9 por pulverización como la capa
de reflexión 3. La capa de aleación tenía una dureza de lápiz de
2H.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,63,
I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,3 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5. Las picaduras 5 llegaron hasta la superficie del
substrato puesto que el espesor de la capa intermedia 6 era
fino.
La estructura de capas de este disco óptico se
ilustra esquemáticamente en la figura 6, y la misma estructura
después del registro óptico se ilustra en la figura 7.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se aplicó con rotación
un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6
para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum,
encima se formó la capa de absorción de la luz 2, no se formó
ninguna resina de acrilato de silicona, y se formó una película de
una aleación de iridio y oro en una relación de 1:9 por
pulverización como la capa de reflexión 3.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,8 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,64,
I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 2,8 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, no se formó ninguna
capa de resina de acrilato de silicona, se formó una película de una
aleación de iridio y oro en una relación de 1:9 por pulverización
como la capa de reflexión 3, y se aplicó por rotación poliisopreno
sobre la capa de reflexión de la luz para formar una capa de
adhesión con un espesor de 20 nm y encima se formó la capa de
protección 4 de una resina endurecible con luz ultravioleta.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,4 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,64,
I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 4,1 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, no se formó ninguna
capa de resina de acrilato de silicona, se formó una película de
cobre con un espesor de 50 nm como la capa de reflexión 3, y se
aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con
bisfenol diluida en un disolvente de diglicidil éter para formar una
capa de resina epoxi con un espesor de 10 \mum como la capa de
protección 4. La capa de protección tenía una dureza Rockwell (ASTM
D785) de M110 y por lo tanto tenía una función como una capa
dura.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 75%, I_{11}/I_{top} era 0,64,
I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 2,9 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se aplicó por rotación
un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6
para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum,
encima se formó la capa de absorción de la luz 2, no se formó
ninguna capa de resina de acrilato de silicona, se formó una capa de
cobre con un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz 3,
y se aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con
bisfenol diluida en un disolvente de diglicidil éter para formar una
capa de resina epoxi con un espesor de 10 \mum como la capa de
protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64,
I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, no se formó ninguna
capa de acrilato de silicona, se formó una película de cobre con un
espesor de 50 nm mediante deposición con vapor al vacío como la capa
de reflexión 3, se aplicó por rotación una resina de acetato de
polivinilo disuelta con una mezcla de disolvente de tolueno y metil
etil cetona en una relación de 6 : 4 sobre la capa de reflexión
de la luz para formar una capa de adhesión con un espesor de 20 nm,
encima se formó la capa de protección 4, y se aplicó por rotación
una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol diluida con un
disolvente de diglicil éter para formar una capa de resina epoxi con
un espesor de 10 \mum como la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,4 mW de
la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se
reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se
usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser
semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64,
I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,6 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de
la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la
misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de
picaduras 5.
Un disco de policarbonato (Panlite, nombre
comercial, fabricado por Tenjin Kasei K.K.) con un espesor de 1,2
mm, un diámetro exterior de 120 mm y un diámetro interior de 15 mm y
con una pre-ranura en espiral 8 con una anchura de
0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum
en una región cubierta por el diámetro de 46 a 117 mm del disco,
formado mediante moldeo por inyección, se usó como el substrato de
transmisión de la luz 1. Este substrato de policarbonato 1 tenía una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}. Como
un tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, se
disolvieron 0,65 g de
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina
perclorato (número de producto NK3219, fabricado por Nippon Kanko
Shikiso K.K.) en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona.
Esta solución se aplicó mediante revestimiento por rotación sobre la
superficie del substrato 1 para formar una capa de absorción de la
luz 2 con un espesor de 130 nm.
Luego, se formó una película de plata con un
espesor de 50 nm por pulverización sobre toda la superficie de una
región cubierta por el diámetro de 45 a 118 mm de este disco para
formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, sobre esta
capa de reflexión de la luz 3 se aplicó por rotación una resina
endurecible con luz ultravioleta y se endureció por irradiación con
rayos ultravioleta para formar una capa de protección 4 con un
espesor de 10 \mum. Después del endurecimiento de la resina
endurecible con rayos ultravioleta, esta capa de protección 4 tenía
una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 150ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de
780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de
registro de 6,0 mW para registrar señales EFM. Luego, este disco
óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de
venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda
del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que
I_{11}/I_{top} obtenidos a partir del patrón ocular de las
señales de lectura era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,32.
Las normas de CD especifican que
I_{11}/I_{top} es al menos 0,6, I_{3}/I_{top} es de 0,3 a
0,7. Por lo tanto, el disco óptico de este ejemplo cumple estas
normas.
Adicionalmente, después del registro, la capa de
protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3 del disco óptico se
pelaron y se inspeccionó la superficie expuesta de la capa de
absorción de la luz 2, observándose irregularidades lineales finas,
que parecían representar el perfil del contorno de las picaduras.
Adicionalmente, la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un
disolvente, y se inspeccionó la superficie del substrato 1,
confirmando la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 19, excepto que en el ejemplo 19, un disco de
policarbonato (Iupilon, nombre comercial, fabricado por Mitsubishi
Gas Kagaku K.K.) con un espesor de 1,2 mm, y un diámetro exterior de
120 mm, un diámetro interior de 15 mm, una dureza Rockwell (ASTM
D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de
132ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y con una
pre-picadura en espiral 8 para señales de formato de
CD con una anchura de 0,6 \mum, una profundidad de 0,8 \mum y un
paso de 1,6 \mum en un intervalo del diámetro de 46 a 80 mm del
disco y una pre-ranura en espiral 9 formada fuera
del mismo con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08
\mum y un paso de 1,6 \mum en un intervalo del diámetro de 80 a
117 mm del disco, que se formó mediante moldeo por inyección, se usó
como el substrato de transmisión de la luz 1, se usó una película de
oro como la capa de reflexión de la luz 3, y se formó una capa de
resina epoxi con un espesor de 2 \mum mediante revestimiento por
rotación entre esta capa de reflexión de la luz 3 y la capa de
protección 4 hecha de resina endurecible con luz ultravioleta. La
capa de resina epoxi tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y
una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC bajo una
carga de 4,6 kg/cm^{2}. El intervalo interior del diámetro de 46 a
80 mm de este disco óptico es una llamada región ROM (read only
memory), y el intervalo exterior de 80 a 117 es una región
registrable.
En la región registrable del disco óptico
obtenido de esta manera se registraron señales EFM de la misma
manera que en el ejemplo 19. Luego, este disco óptico se reprodujo
por medio de un aparato de registro de CD de venta en el comercio,
donde I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, después del registro se
inspeccionó la superficie del substrato 1 del disco óptico de la
misma manera que en el ejemplo 19, para confirmar la formación de
picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 19, excepto que en el ejemplo 19 se usó un disco de
poliestireno con una dureza Rockwell (ASTM D785) de M80 y una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 89ºC bajo una carga
de 4,6 kg/cm^{2} como el substrato 1 de transmisión de la luz, la
pre-ranura en el disco se sometió a difracción
difusa de 22,11 kHz con una amplitud de 30 nm, se formó una capa de
resina de acrilato de silicona con un espesor de 40 nm mediante
recubrimiento por rotación entre la capa de absorción de la luz 2 y
la capa de reflexión de la luz 3, y se formó una capa de resina
epoxi con un espesor de 10 nm mediante revestimiento por rotación
entre esta capa y la capa de absorción de la luz, y se formó una
película de oro como la capa de reflexión de la luz 3. La capa de
resina de acrilato de silicona tenía una dureza Rockwell (ASTM D785)
de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 200ºC
bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera, se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 19.
Luego este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de
reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top}
era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, después del registro se
inspeccionó la superficie del substrato 1 del disco óptico de la
misma manera que en el ejemplo 19, para confirmar la formación de
picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Como substrato de transmisión de la luz 1 se
empleó el mismo disco de policarbonato empleado en el ejemplo
19.
Sobre este substrato de transmisión de la luz 1
se aplicó por rotación una resina de acrilato para formar una capa
intermedia de un espesor de 70 nm. Luego, como tinte orgánico para
formar la capa de absorción de la luz 2, se disolvieron 0,65 g de
1,1'-dipropil-3,3,3',
3'-tetrametil-5,5'-dimetoxiindodicarbocianina
yoduro en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona, y la
solución se aplicó mediante revestimiento por rotación sobre la capa
intermedia 6 sobre el substrato 1, para formar una capa de absorción
de la luz 2 con un espesor de 90 nm. La capa intermedia 6 tenía una
temperatura de deformación térmica (ASTM D648) de 100ºC bajo una
carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de
M85.
Luego se formó una resina de acrilato de silicona
mediante revestimiento por rotación con un espesor de 50 nm sobre la
capa de absorción de la luz 2 dispuesta encima. Luego, se formó una
película de oro con un espesor de 50 nm mediante pulverización sobre
toda la superficie de una región del diámetro de 45 a 118 mm del
disco, para formar una capa de reflexión de la luz 3.
Adicionalmente, se aplicó por rotación una resina endurecible con
luz ultravioleta sobre esta capa de reflexión de la luz 3 y se
endureció por irradiación con rayos ultravioletas para formar una
capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de
780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de
registro de 6,0 mW para registrar señales EFM. Luego, este disco
óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de
venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda
del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que
I_{11}/I_{top} obtenidos a partir del patrón ocular de las
señales de lectura era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,32.
Las normas de CD especifican que
I_{11}/I_{top} es al menos 0,6, I_{3}/I_{top} es de 0,3 a
0,7. Por lo tanto, el disco óptico de este ejemplo cumple estas
normas.
Adicionalmente, después del registro, la capa de
protección 4, la capa de reflexión de la luz 3 y la capa de
absorción de la luz 2 de este disco óptico se pelaron y se
inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6, donde se confirmó
la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de
protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con un copolímero de cloruro de vinilo que tiene una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 80ºC bajo una carga
de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M95, con un
espesor de 60 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y
I_{3}/I_{top} era 0,35.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina de acrilato que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 90ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100, el espesor de
la capa de absorción de la luz 2 se cambió a 130 nm, no se formó
ninguna capa de resina de acrilato de silicona entre la capa de
absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y la capa
de reflexión de la luz 3 se formó con una película de una aleación
de oro e iridio en una relación de 9:1.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y
I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con un copolímero de cloruro de vinilideno que tiene una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 66ºC bajo una carga
de 4,6 kg/cm2 y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, con un
espesor de 60 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,67, y
I_{3}/I_{top} era 0,36.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con poliestireno que tiene una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 85ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M70.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,65, y
I_{3}/I_{top} era 0,34.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con un acetato de polivinilo que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 55ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M70, con un espesor
de 60 nm, y el isocianato se aplicó por rotación sobre la capa de
resina de acrilato de silicona con un espesor de 10 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y
I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con un poliéster que tiene una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 70ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M70, se empleó
1,1'-dibutil-3,3,3',
3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina
perclorato como el tinte orgánico para formar la capa de absorción
de la luz 2, se aplicó una resina de silicona sobre la capa de
absorción de la luz 2 en lugar de la resina de acrilato de silicona,
y se formó una capa de resina epoxi del tipo endurecible con
bisfenol sobre la capa de reflexión de la luz 3 con un espesor de 20
nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,61, y
I_{3}/I_{top} era 0,31.
Adicionalmente, después del registro, la
superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina de poliuretano que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60 con un espesor
de 50 nm, se aplicó por rotación una resina de silicona sobre esta
capa intermedia 6 con un espesor de 15 nm para tratamiento
resistente a disolvente, luego se formó una capa de absorción de la
luz 2 con un espesor de 130 nm usando
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina
perclorato, no se aplicó resina de acrilato entre la capa de
absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y la capa
de reflexión de la luz 3 se formó con una película de una aleación
de oro e iridio en una relación de 9:1.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y
I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, después del registro, la
superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina de poliuretano que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, se aplicó por
rotación un agente de revestimiento de silicona sobre esta capa
intermedia 6 con un espesor de 15 nm para tratamiento resistente a
disolvente, y luego se formó una capa de absorción de la luz 2
usando
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina
perclorato, y se formó una resina de silicona sobre esta capa de
absorción de la luz 2 en lugar de la resina de acrilato de silicona,
se aplicó una resina epoxi incorporada en polisulfuro sobre la capa
de reflexión de la luz 3 con un espesor de 20 nm, y se formó encima
la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y
I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina de celulosa que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 60ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100, como el tinte
orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2 se empleó
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil
-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato, y
se aplicó una resina de silicona sobre la capa de absorción de la
luz 2 en lugar de la resina de acrilato de silicona.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,65, y
I3/Itop era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina termoplástica de uretano que tiene una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga
de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza
\hbox{Rockwell} (ASTM
D785) de M30 con un espesor de 50 nm, se aplicó por rotación un
agente de revestimiento de silicona sobre esta capa intermedia 6
con un espesor de 15 nm para tratamiento resistente a disolvente, y
luego se formó una capa de absorción de la luz 2 usando
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina
perclorato, y se aplicó una resina de silicona en lugar de la
resina de acrilato de silicona.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,67, y
I_{3}/I_{top} era 0,34.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina acrílica que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 70ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90, se formó una
capa de absorción de la luz 2 con un espesor de 130 nm usando
1,1'-dipropil-5,7,5',7'
-dimetoxiindodicarbocianina fluoroborato como tinte orgánico, la
capa de reflexión de la luz 3 se formó mediante una película de
cobre, y la capa de protección 4 se formó con un agente de
revestimiento duro de silicona con un espesor de 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y
I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina de poliuretano que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, se empleó
1,1'-dipropil-5,7,5',7'
-dimetoxiindodicarbocianina fluoroborato como un tinte orgánico para
la capa de absorción de la luz 2, se formó una película de SiO_{2}
con un espesor de 30 nm sobre la capa de absorción de la luz 2
mediante pulverización, la capa de reflexión de la luz 3 se formó
con una película de cobre, se aplicó por rotación una resina epoxi
sobre la capa de reflexión de la luz 3 con un espesor de 20 nm, y la
capa de protección 4 se formó encima con un agente de revestimiento
duro de silicona con un espesor de 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y
I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, se usó un disco de
cristal como el substrato de transmisión de la luz 1, la capa
intermedia 6 se formó con una resina de acrilato que tiene una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 70ºC bajo una carga
de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y que
tiene una pre-ranura formada por un método de foto
polimerización, se formó una capa de absorción de la luz 2 que tiene
un espesor de 130 nm usando
1,1'-dipropil-5,7,5',7'-dimetoxiindodicarbocianina
fluoroborato como tinte orgánico para formar la capa de absorción
de la luz 2, la capa de reflexión de la luz 3 se formó por medio de
una película de cobre, y la capa de protección 4 se formó con un
agente de revestimiento duro de silicona con un espesor de 5
\mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y
I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa
intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera
que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5
modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo comparativo
1
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6
se formó con una resina de silicona que tiene una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 180ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22.
Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción
de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,28, y
I_{3}/I_{top} era 0,05.
Por lo tanto, este disco no cumplía el formato
\hbox{de CD.}
Se formó mediante moldeo por inyección un
substrato de policarbonato 1 de una forma de disco que tiene un
espesor de 1,2 mm, un diámetro exterior de 120 mm y un diámetro
interior de 15 mm y que tiene una pre-ranura en
espiral formada con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de
0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum en un intervalo de diámetro de
46 a 117 mm del disco. Este su substrato de policarbonato 1 tenía
una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 132ºC.
Como tinte orgánico para formar la capa de
absorción de la luz, se disolvieron 0,65 g de
1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil
-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato
(número de producto NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso
K.K.) en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona. La
solución se aplicó sobre la superficie del substrato 1 mediante
revestimiento por rotación para formar una capa de absorción de la
luz 2 que tiene un espesor de 130 nm.
Luego, se formó una película de oro con un
espesor de 50 nm mediante pulverización sobre toda la superficie en
una región del diámetro de 45 a 118 nm de este disco, para formar
una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, se aplicó por
rotación una resina endurecible con luz ultravioleta sobre esta capa
de reflexión de la luz 3 y se endureció por irradiación con rayos
ultravioleta, para formar una capa de protección 4 que tiene un
espesor de 10 \mum. Después de endurecer, esta capa de protección
tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 150ºC.
A la región registrable 7 del disco óptico
obtenido de esta manera se irradió un haz láser semiconductor que
tiene una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2
m/seg. con una potencia de registro de 6,0 mW para registrar señales
de EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un
aparato de reproducción de CD de venta en el comercio (Aurex
XR-V73, longitud de onda del haz láser de lectura
\lambda = 780 nm), de manera que la reflectancia del haz láser
semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, y
I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER
era 3,4 x 10^{-3}.
Las normas de CD especifican que la reflectancia
es al menos 70%, I_{11}/I_{top} es al menos 0,6,
I_{3}/I_{top} es de 0,3 a 0,7 y el porcentaje de error de bloque
BLER no es mayor de 3 x 10^{-2}. Por lo tanto, el disco óptico de
esta referencia cumple estas normas.
Además, la capa de protección 4 y la capa de
absorción de la luz del disco óptico se pelaron después del
registro, y la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un
disolvente, y la superficie del substrato de transmisión de la luz 1
se observó por STM
\hbox{(Scanning} Tunneling
Microscope), observándose deformación en forma de protuberancias en
la porción picada. Además, la porción registrada y la porción no
registrada del substrato 1 se midieron por medio de un
espectrofotómetro, observando en la porción registrada picos
distintos a los picos de la resina observados en la porción no
registrada.
Este ejemplo ilustra el caso donde la capa de
protección 4 se utilizó como una capa dura.
Sobre un substrato de policarbonato (Panlite,
fabricado por Teijin Kagaku) que tiene la misma forma y
pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa
de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe
anteriormente, encima se formó una capa de acrilato de silicona que
tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, se formó encima una
capa de plata que tiene un espesor de 50 nm mediante deposición de
vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3, y encima se
formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El
substrato anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y
una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En
cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM
D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de
200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 71%, I_{11}/I_{top}
era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,33, el porcentaje de error de
bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico después de registrar se
inspeccionó por STM (Scanning Tunneling Microscope) de la misma
manera que en el ejemplo 36, observando deformación en forma de
protuberancias en la porción picada. La porción central de esta
deformación era ligeramente baja, y se encontró que la deformación 6
tenía picos, como se ilustra en la figura 15(b).
Sobre un substrato de policarbonato (Iupilon,
fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) que tiene la misma forma y
pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa
de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe
anteriormente, encima se formó una capa de resina epoxi que tiene un
espesor de 50 nm como una capa dura 6, se formó encima una capa de
oro que tiene un espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a
vacío como una capa de reflexión de la luz 3, y encima se formó la
misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato
anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 132ºC. En cambio,
la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90
y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,32, el porcentaje de error de
bloque BLER era 2,4 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de poliestireno que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se
describe anteriormente, encima se formó una capa de resina de
acrilato que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, encima
se aplicó por rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades
de adhesión, luego se formó encima una capa de oro que tiene un
espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a vacío como una capa
de reflexión de la luz 3, y encima se formó la misma capa de
protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato anterior tenía una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M80 y una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 89ºC. En cambio, la capa dura anterior 6
tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de
distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,31, el porcentaje de error de
bloque BLER era 7,0 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de polimetilo que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se
describe anteriormente, luego se formó encima una capa de resina de
poliéster que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, encima
se formó una capa de oro que tiene un espesor de 50 nm como capa de
reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío,
adicionalmente encima se aplicó por rotación una resina epoxi para
mejorar las propiedades de adhesión y luego se formó la misma capa
de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato tenía una dureza
Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica
(ASTM D648) de 110ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M110 y una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 115ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de
bloque BLER era 8,0 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de poliolefina que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el
ejemplo 36 usando
1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'
-dietoxiindocarbocianina perclorato, luego se formó encima una capa
de resina de acrilato de silicona que tiene un espesor de 50 nm como
una capa dura 6, encima se formó una capa de oro que tiene un
espesor de 50 nm como capa de reflexión de la luz 3 mediante
deposición de vapor a vacío, encima se aplicó por rotación una
resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión, y luego se
formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El
substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC. En cambio,
la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de
M110 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de
200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 74%, I_{11}/I_{top}
era 0,61, y I_{3}/I_{top} era 0,33, el porcentaje de error de
bloque BLER era 2,3 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de resina epoxi que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el
ejemplo 36 usando
1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'
-dietoxiindocarbocianina perclorato, y se formó encima una capa de
resina de silicona que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura
6, encima se formó una capa de aluminio que tiene un espesor de 50
nm como capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a
vacío, y encima se aplicó la misma capa de protección 4 que en el
ejemplo 36. El substrato tenía una dureza
\hbox{Rockwell}
(ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM
D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza
Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica
(ASTM D648) de 180ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 73%, I_{11}/I_{top}
era 0,61, y I_{3}/I_{top} era 0,30, el porcentaje de error de
bloque BLER era 2,0 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de policarbonato (Panlite,
fabricado por Teijin Kagaku) que tiene la misma forma y
pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa
de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe
anteriormente, encima se formó una película de plata que tiene un
espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz por deposición
de vapor a vacío, encima se formó una capa de acrilato de silicona
que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6, y encima se formó
la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato
anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En cambio,
la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de
M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de
200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 71%, I_{11}/I_{top}
era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de
bloque BLER era 3,7 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de policarbonato (Iupilon,
fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) que tiene la misma forma y
pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa
de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe
anteriormente, encima se formó una película de oro que tiene un
espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a vacío como una capa
de reflexión de la luz 3, y encima se formó una capa de resina epoxi
que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6, que sirvió
también como una capa de protección. El substrato tenía una dureza
Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica
(ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 140ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,33, el porcentaje de error de
bloque BLER era 2,7 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de policarbonato que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se
describe anteriormente, encima se formó una película de oro que
tiene un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz 3
mediante deposición de vapor a vacío, y encima se formó una capa de
resina de acrilato que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura
6, que sirvió también como una capa de protección. El substrato
anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M80 y una
temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 89ºC. En cambio, la
capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y
una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32, el porcentaje de error de
bloque BLER era 7,1 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de polimetil metacrilato que
tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo
36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera
que se describe anteriormente, luego se formó encima una película de
oro que tiene un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la
luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, y encima se aplicó por
rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión,
y se formó una película de resina de poliéster que tiene un espesor
de 50 nm como la capa dura 6 que sirvió también como una capa de
protección. El substrato tenía una dureza
\hbox{Rockwell}
(ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM
D648) de 110ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza
Rockwell (ASTM D785) de M110 y una temperatura de distorsión térmica
(ASTM D648) de 115ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,65, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de
bloque BLER era 8,3 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de poliolefina que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el
ejemplo 36 usando
1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina
perclorato, y se formó encima una película de oro que tiene un
espesor de 50nm, como la capa de reflexión de la luz 3 mediante
deposición de vapor a vacío, encima se aplicó por rotación una
resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión, y encima de
formó una capa de resina de acrilato de silicona que tiene un
espesor de 50 nm como la capa dura 6 que sirve también como una capa
de protección. El substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de
M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC. En
cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM
D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de
200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 71%, I_{11}/I_{top}
era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de
bloque BLER era 2,4 x 10^{-3}.
Sobre un substrato de resina epoxi que tiene la
misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se
formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el
ejemplo 36 usando
1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina
perclorato, luego se formó encima una película de aluminio que tiene
un espesor de 50 nm como una capa de reflexión de la luz 3 mediante
deposición de vapor a vacío, y se formó una capa de resina de
silicona que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6 que sirve
también como una capa de protección. El substrato tenía una dureza
Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica
(ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una
dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión
térmica (ASTM D648) de 180ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la
misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo
la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top}
era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,32, el porcentaje de error de
bloque BLER era 2,1 x 10^{-3}.
Ejemplo comparativo
2
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 36, excepto que en el ejemplo 36, la capa de
protección 4 hecha de resina endurecible con luz ultravioleta se
formó con una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60 y una temperatura
de distorsión térmica (ASTM D648) de 90ºC bajo una carga de 4,6
kg/cm^{2} después del endurecimiento.
En este disco óptico, un haz láser semiconductor
que tiene una longitud de onda de 780 nm se irradió a una velocidad
lineal de 1,2 m/seg. para registrar señales de EFM de la misma
manera que en el ejemplo 36, sin que se observasen picaduras
adecuadamente distintas sobre el substrato 1. Luego este disco
óptico se reprodujo por el mismo aparato de reproducción de CD
usado en el ejemplo 36, de manera que la reflectancia del disco
óptico era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,7, y I_{3}/I_{top} era
0,37, el porcentaje de error de bloque BLER era 1,5 x 10^{-3} y,
por lo tanto, no cumplía las normas de CD.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, se aplicó por rotación
una resina de revestimiento dura endurecible con luz ultravioleta
sobre el lado de luz incidente del substrato de policarbonato 1 para
formar una capa de protección del substrato con un espesor de 1
\mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de
reproducción de CD que en el ejemplo 1, donde la reflectancia del
haz láser semiconductor era 70%, I_{11}/I_{top} era 0,62, y
I_{3}/I_{top} era 0,37 y el porcentaje de error de bloque BLER
era 1,3 x 10^{-3}.
La superficie del substrato de transmisión de la
luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM
de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación
de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, se aplicó por rotación
una resina de polibutadieno disuelta en ciclohexano para formar una
capa de polibutadieno con un espesor de 10 nm entre la capa de
absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1.
Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de
reproducción de CD que en el ejemplo 1, donde la reflectancia del
haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, y
I_{3}/I_{top} era 0,35 y el porcentaje de error de bloque BLER
era 8,6 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se moldeó por inyección un substrato de
policarbonato 1 con un espesor de 1,2 mm, un diámetro exterior de
120 mm y un diámetro interior de 15 mm y con una
pre-ranura espiral 8 formada sobre su superficie con
una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso
de 1,6 \mum. Como tinte orgánico para formar la capa de absorción
de la luz 2, se disolvieron 0,5 g de
1,1'-dipropil-3,3,3',3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina
perclorato en 10 ml de un disolvente de alcohol isopropílico. La
solución se aplicó por rotación sobre la superficie de este
substrato 1 para formar una capa de absorción de la luz 2 que tiene
un espesor de 100 nm. Adicionalmente, se formó una película de
SiO_{2} encima mediante pulverización en un espesor de 40 nm.
Luego se formó una película de oro con un espesor
de 50 nm mediante pulverización sobre toda la superficie de una
región del diámetro desde 45 a 118 nm de este disco, para formar una
capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, sobre esta capa de
reflexión de la luz 3, se aplicó por rotación una resina de uretano
disuelta en metil etil cetona en un espesor de 100 nm para formar
una capa de absorción de impactos, y se aplicó encima por rotación
una resina endurecible con luz ultravioleta y se endureció por
irradiación de rayos ultravioletas para formar una capa de
protección 4 con un espesor de 10 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de
780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de
registro de 6,8 mW para registrar señales de EFM. Luego, este disco
óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de
venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda
del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que la
reflectancia del haz láser semiconductor era 77%, I_{11}/I_{top}
era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,36, el porcentaje de error de
bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 2.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, la película de
SiO_{2} se formó por el método LPD, y se usó un disolvente de
dioxano como el disolvente para el agente de revestimiento para
formar la capa de absorción de la luz 2.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma
manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo
en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51,
donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 77%,
I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,35 y el
porcentaje de error de bloque BLER era 4,0 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, en lugar de la
película de SiO_{2}, se aplicó por rotación una resina epoxi
disuelta en diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con
un espesor de 40 nm, se formó una capa delgada de una aleación de
oro y titanio en una relación de 9:1 como la capa de reflexión de la
luz 3, y se aplicó por rotación una resina de polibutadieno disuelta
en ciclohexano para formar una capa de resina de polibutadieno con
un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa
de reflexión de la luz 3.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de 7,0 mW de la misma
manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo
en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51,
donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%,
I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,33 y el
porcentaje de error de bloque BLER era 2,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, en lugar de la
película de SiO_{2}, se aplicó por rotación una resina epoxi
disuelta en diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con
un espesor de 40 nm, se formó una capa delgada de una aleación de
oro y titanio en una relación de 9:1 como la capa de reflexión de la
luz 3, y se aplicó por rotación una resina de polibutadieno disuelta
en ciclohexano para formar una capa de resina de polibutadieno con
un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa
de reflexión de la luz 3, y se aplicó por rotación una resina epoxi
del tipo endurecible con bisfenol en un espesor de 20 nm entre la
capa de reflexión de la luz y la capa de protección 4 para mejorar
la adhesión entre ellas.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma
manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo
en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51,
donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%,
I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,33 y el
porcentaje de error de bloque BLER era 3,0 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, en lugar de la
película de SiO_{2}, se aplicó por rotación una resina epoxi
disuelta en diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con
un espesor de 40 nm, se aplicó una resina de polibutadieno disuelta
en ciclohexano para formar una resina de polibutadieno con un
espesor de 10 nm entre esta capa de resina epoxi y la capa de
reflexión de la luz 3, y el espesor de la capa de protección se
cambió a 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma
manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo
en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51,
donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%,
I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,32 y el
porcentaje de error de bloque BLER era 3,3 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, no se formó ninguna
película de SiO_{2}, se aplicó una resina de polibutadieno
disuelto en ciclohexano para formar una capa de resina de
polibutadieno con un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de
la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, se aplicó por rotación
una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol en un espesor de
20 nm entre la capa de reflexión de la luz y la capa protectora 4
para mejorar la adhesión entre ellas, y el espesor de la capa de
protección se cambió a 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma
manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo
en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51,
donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%,
I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32 y el
porcentaje de error de bloque BLER era 2,8 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Se preparó un disco óptico de la misma manera que
en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, no se formó ninguna
película de SiO_{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se
registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma
manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo
en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51,
donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 77%,
I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,35 y el
porcentaje de error de bloque BLER era 1,0 x 10^{-2}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de
transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del
registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para
confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Como se ha descrito anteriormente, de acuerdo con
el medio de registro de la presente invención, se pueden formar
picaduras ópticamente similares a CD por irradiación con un haz
láser, y al mismo tiempo la capa de reflexión se prevé detrás de la
capa de absorción de la luz en estrecho contacto con ella, de manera
que es posible adoptar una estructura de capas similar a CD. Por lo
tanto, de acuerdo con la presente invención, se puede conseguir
fácilmente un medio de registro óptico registrable que cumple el
formato de CD.
Claims (7)
1. Método para registrar ópticamente información
sobre un medio óptico de registro de información, comprendiendo el
medio
(i) un substrato de transmisión de la luz
(1),
(ii) una capa de color de absorción de la luz (2)
que cubre el substrato (1) para absorber un haz láser (7), y
(iii) una capa de reflexión de la luz (3) que
cubre la capa de absorción de la luz (2), donde el método comprende
activar la capa de absorción de la luz (2) por la energía de un haz
láser (7) introducido a través del substrato de transmisión de la
luz (1) para formar picaduras legibles ópticamente,
caracterizado porque dichas picaduras legibles ópticamente se
forman o bien
(a) en la superficie del substrato (1) adyacente
a la capa de absorción (2) y en la capa de absorción (2), o
(b) en la superficie del substrato (1) adyacente
a la capa de absorción (2), en la capa de absorción (2), y
adicionalmente en una intercapa adicional (6) dispuesta entre el
substrato (1) y la capa de absorción de luz (2), teniendo todas
dichas capas una distorsión térmica adecuada y/o una dureza
apropiada.
2. Método de acuerdo con la reivindicación 1,
donde la capa de absorción de la luz (2) se funde y descompone
después de la absorción del haz láser (7), y dichas capas se
deforman localmente por la fusión y la descomposición de la capa de
absorción de la luz (2), para formar picaduras legibles ópticamente
en dichas capas.
3. Medio óptico de registro de información que
comprende
(i) un substrato de transmisión de la luz
(1),
(ii) una capa de color de absorción de la luz (2)
que cubre el substrato (1) para absorber un haz láser (7) para
formar picaduras legibles ópticamente, y
(iii) una capa de reflexión de la luz (3) que
cubre la capa de absorción de la luz, caracterizado porque
dichas picaduras legibles ópticamente se forman bien sea
(a) en la superficie del substrato (1) adyacente
a la capa de absorción (2) y en la capa de absorción (2), o
(b) en la superficie del substrato (1) adyacente
a la capa de absorción (2), en la capa de absorción (2) y
adicionalmente en una intercapa adicional (6) dispuesta entre el
substrato (1) y la capa de absorción de la luz (2),
presentando todas las mencionadas capas una
distorsión térmica apropiada y/o una dureza apropiada.
4. Medio óptico de registro de información de
acuerdo con la reivindicación 3, donde la deformación de la capa de
la superficie consiste en protuberancias hacia la capa de absorción
de la luz.
5. Medio óptico de registro de información de
acuerdo con las reivindicaciones 3 ó 4, donde las porciones
deformadas de dichas capas tienen propiedades ópticas diferentes del
resto de dichas capas.
6. Medio óptico de registro de información de
acuerdo con las reivindicaciones 3, 4 ó 5, donde las porciones
deformadas de capas adyacentes a la capa de absorción contienen
componentes descompuestos de la capa de absorción de la luz
difundida allí.
7. Medio óptico de registro de información de
acuerdo con alguna de las reivindicaciones 3 a 6, donde la
superficie del substrato o la capa adicional tienen una ranura de
guía de seguimiento, y las picaduras legibles ópticamente se forman
en la ranura de guía.
Applications Claiming Priority (18)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19171688 | 1988-07-30 | ||
| JP19171688 | 1988-07-30 | ||
| JP21338688 | 1988-08-26 | ||
| JP21338688 | 1988-08-26 | ||
| JP21940688 | 1988-09-01 | ||
| JP21940688 | 1988-09-01 | ||
| JP23182088 | 1988-09-16 | ||
| JP63231820A JPH0827976B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 光情報記録媒体 |
| JP23916588 | 1988-09-24 | ||
| JP63239165A JPH0823940B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
| JP27040988 | 1988-10-26 | ||
| JP63270409A JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
| JP751189 | 1989-01-14 | ||
| JP1007512A JP2710041B2 (ja) | 1988-08-26 | 1989-01-14 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
| JP1007510A JP2710040B2 (ja) | 1988-09-01 | 1989-01-14 | 光情報記録媒体 |
| JP751289 | 1989-01-14 | ||
| JP1007511A JPH0827985B2 (ja) | 1988-07-30 | 1989-01-14 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
| JP751089 | 1989-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2078901T3 ES2078901T3 (es) | 1996-01-01 |
| ES2078901T5 true ES2078901T5 (es) | 2004-04-01 |
Family
ID=27576550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES89106873T Expired - Lifetime ES2078901T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Metodo y medio de registro optico de informacion. |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5155723A (es) |
| EP (1) | EP0353394B2 (es) |
| KR (1) | KR950005034B1 (es) |
| AT (1) | ATE127265T1 (es) |
| AU (1) | AU626072B2 (es) |
| CA (1) | CA1331807C (es) |
| DE (1) | DE68924016T3 (es) |
| DK (1) | DK175044B1 (es) |
| ES (1) | ES2078901T5 (es) |
| FI (1) | FI893562A7 (es) |
| HK (1) | HK105796A (es) |
| MY (1) | MY106947A (es) |
| PH (1) | PH26093A (es) |
| PT (1) | PT91311B (es) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270463A (en) * | 1988-12-15 | 1993-12-14 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Halogenated alkoxyphthalocyanines |
| JPH0827983B2 (ja) | 1989-05-02 | 1996-03-21 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPH0762919B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1995-07-05 | 三菱化学株式会社 | 再生専用型光ディスク |
| JP2657579B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1997-09-24 | 富士写真フイルム株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JP3026357B2 (ja) * | 1990-10-04 | 2000-03-27 | パイオニア株式会社 | 光記録媒体 |
| JP3026356B2 (ja) * | 1990-10-04 | 2000-03-27 | パイオニア株式会社 | 光記録媒体 |
| JP3026358B2 (ja) * | 1990-10-09 | 2000-03-27 | パイオニア株式会社 | 光記録媒体 |
| US5350843A (en) * | 1990-11-06 | 1994-09-27 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Halogenated phthalocyanine compound, method for preparing same |
| JP3109866B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2000-11-20 | 太陽誘電株式会社 | 光学式情報記録担体用基板及びその製造方法 |
| JP2987223B2 (ja) * | 1991-02-20 | 1999-12-06 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| CA2110233C (en) * | 1992-12-02 | 1999-01-12 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical information recording medium and composition for optical information recording film |
| US5294471A (en) * | 1993-02-01 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Optical information recording medium using metallized formazan dyes |
| KR100313567B1 (ko) * | 1994-02-28 | 2001-12-28 | 윤종용 | 유기광기록매체및그의재기록방지방법 |
| EP0777224B1 (en) | 1995-12-01 | 2002-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical recording medium and method |
| US5728441A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recordable/replayable optical recording medium and optical recording method therefor |
| KR100230448B1 (ko) * | 1996-10-10 | 1999-11-15 | 윤종용 | 광기록매체 |
| KR100230449B1 (ko) * | 1996-10-10 | 1999-11-15 | 윤종용 | 광기록매체 |
| US6007889A (en) * | 1998-06-22 | 1999-12-28 | Target Technology, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP3548929B2 (ja) * | 1999-03-23 | 2004-08-04 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| CN100341059C (zh) * | 2002-12-19 | 2007-10-03 | 富士胶片株式会社 | 光信息记录方法及光信息记录介质 |
| US7952984B2 (en) * | 2004-04-22 | 2011-05-31 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method of recording and reproducing of optical recording medium |
| US20100220567A1 (en) * | 2006-03-03 | 2010-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical Information Recording Medium, Reproducing Device for Optical Information Recording Medium, Control Method and Control Program for the Reproducing Device, and Medium with the Control Program Recorded Therein |
| JP2008004151A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | 片面多層光ディスク、bca記録装置、bca記録方法及び光ディスク装置 |
| CN102610242B (zh) | 2007-08-30 | 2014-09-03 | 夏普株式会社 | 光信息记录介质及其再生方法 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4097895A (en) * | 1976-03-19 | 1978-06-27 | Rca Corporation | Multilayer optical record |
| US4980262A (en) * | 1976-08-16 | 1990-12-25 | Eastman Kodak Company | Producing a replicate video disc by a method of photographic contact printing |
| FR2368779A1 (fr) * | 1976-10-22 | 1978-05-19 | Thomson Brandt | Support thermosensible destine a l'enregistrement d'information et procede d'enregistrement d'information sur un tel support |
| US4315269A (en) * | 1977-08-29 | 1982-02-09 | Rca Corporation | Thick protective overcoat layer for optical video disc |
| NL7809159A (nl) * | 1977-09-29 | 1979-04-02 | Philips Nv | Informatieregistratie element met kleurstof bevattende hulplaag. |
| US4300227A (en) * | 1979-10-17 | 1981-11-10 | Rca Corporation | Replicable optical recording medium |
| US4285056A (en) * | 1979-10-17 | 1981-08-18 | Rca Corporation | Replicable optical recording medium |
| FR2474222A1 (fr) * | 1980-01-23 | 1981-07-24 | Thomson Csf | Procede d'inscription thermo-optique d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede |
| FR2474223A1 (fr) * | 1980-01-23 | 1981-07-24 | Thomson Csf | Procede d'inscription thermo-optique d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede |
| US4360908A (en) * | 1980-02-25 | 1982-11-23 | Eastman Kodak Company | Physically optimized optical disc structure, method and apparatus |
| DE3118058A1 (de) * | 1980-05-14 | 1982-03-11 | RCA Corp., 10020 New York, N.Y. | Aufzeichnungstraeger und verfahren zum schreiben einer informationsspur sowie zum loeschen einer in dem traeger gespeicherten information |
| FR2488711B1 (fr) * | 1980-08-13 | 1985-06-28 | Thomson Csf | Procede thermo-optique d'inscription d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede |
| US4379299A (en) * | 1981-04-06 | 1983-04-05 | North American Philips Corporation | Recording structure for direct read after write recording |
| JPS58146040A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Pioneer Video Kk | 光学式情報記録原盤 |
| JPS58189851A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS599094A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用部材 |
| JPS5940336A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Sony Corp | 情報記録媒体 |
| KR870002142B1 (ko) * | 1982-09-20 | 1987-12-12 | 디스커비소젼 어시에이츠 | 광학 기록 매체 및 그의 제조방법 |
| JPS59135640A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-03 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US4556893A (en) * | 1983-02-15 | 1985-12-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Optical recording medium of high sensitivity |
| US4551828A (en) * | 1983-03-18 | 1985-11-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Quadrilayer optical draw medium |
| JPS59171689A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録方法 |
| JPS6028045A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-13 | Sony Corp | 情報記録媒体 |
| JPS60151850A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
| JPS60239947A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記憶媒体 |
| JPS62110636A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Kyodo Printing Co Ltd | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62246784A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-27 | Canon Inc | 光記録媒体 |
| US4780867A (en) * | 1986-10-02 | 1988-10-25 | Optical Data, Inc. | Method for erasably recording data by viscoelastic shear deformation |
| JPH0734269B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1995-04-12 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体 |
| JPS63200331A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Toshiba Corp | 記録媒体及び記録再生方法 |
| US4977064A (en) * | 1987-05-01 | 1990-12-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical recording medium and process for fabricating the same |
| JPH07118092B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1995-12-18 | 株式会社日立製作所 | 光学的情報記録媒体 |
| US4918682A (en) * | 1988-02-05 | 1990-04-17 | Tandy Corporation | Ablative and bump-forming optical recording media including a metallic reflective layer |
| US4990388A (en) * | 1988-07-30 | 1991-02-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US4940618A (en) * | 1988-07-30 | 1990-07-10 | Taiyo Yuden Company, Ltd. | Optical information recording medium |
-
1989
- 1989-04-14 US US07/340,544 patent/US5155723A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-17 AT AT89106873T patent/ATE127265T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-04-17 ES ES89106873T patent/ES2078901T5/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-17 EP EP89106873A patent/EP0353394B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-17 DE DE68924016T patent/DE68924016T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-11 CA CA000599416A patent/CA1331807C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-18 MY MYPI89000677A patent/MY106947A/en unknown
- 1989-05-24 AU AU35108/89A patent/AU626072B2/en not_active Expired
- 1989-05-25 DK DK198902544A patent/DK175044B1/da not_active IP Right Cessation
- 1989-05-26 PH PH38708A patent/PH26093A/en unknown
- 1989-07-22 KR KR1019890010425A patent/KR950005034B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-25 FI FI893562A patent/FI893562A7/fi not_active IP Right Cessation
- 1989-07-28 PT PT91311A patent/PT91311B/pt not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-19 HK HK105796A patent/HK105796A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK175044B1 (da) | 2004-05-10 |
| FI893562L (fi) | 1990-01-31 |
| DE68924016D1 (de) | 1995-10-05 |
| KR910003603A (ko) | 1991-02-27 |
| PH26093A (en) | 1992-02-06 |
| MY106947A (en) | 1995-08-30 |
| EP0353394A3 (en) | 1990-09-26 |
| ES2078901T3 (es) | 1996-01-01 |
| FI893562A7 (fi) | 1990-01-31 |
| FI893562A0 (fi) | 1989-07-25 |
| PT91311A (pt) | 1990-02-08 |
| HK105796A (en) | 1996-06-28 |
| DE68924016T3 (de) | 2003-12-24 |
| CA1331807C (en) | 1994-08-30 |
| EP0353394A2 (en) | 1990-02-07 |
| EP0353394B2 (en) | 2003-07-02 |
| ATE127265T1 (de) | 1995-09-15 |
| DK254489A (da) | 1990-01-31 |
| US5155723A (en) | 1992-10-13 |
| AU626072B2 (en) | 1992-07-23 |
| DK254489D0 (da) | 1989-05-25 |
| KR950005034B1 (ko) | 1995-05-17 |
| EP0353394B1 (en) | 1995-08-30 |
| AU3510889A (en) | 1990-02-01 |
| DE68924016T2 (de) | 1996-05-15 |
| PT91311B (pt) | 1995-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950006839B1 (ko) | 광정보 기록 매체 | |
| KR950005034B1 (ko) | 광정보 기록 방법 및 매체 | |
| KR950005035B1 (ko) | 광정보 기록 매체 | |
| US4385303A (en) | Optical recording and reproducing disc | |
| ES2321932T3 (es) | Medio optico de grabacion de informacion, metodos de grabacion y de lectura que lo utilizan, dispositivo optico de grabacion de informacion y dispositivo optico de lectura de informacion. | |
| US7397755B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH02168446A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| CN1079563C (zh) | 光盘 | |
| JP2866055B2 (ja) | 光情報記録媒体の記録方法 | |
| JPH0823940B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2834420B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP4356048B2 (ja) | 光ディスク | |
| JP2811603B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0498630A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0685236B2 (ja) | 光記録デイスク | |
| JPH04192132A (ja) | 光情報記録媒体およびその記録方法 | |
| JPH04109441A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH02132654A (ja) | 光情報記録媒体とその記録方法 | |
| JPH07272315A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH09270150A (ja) | 光学ディスク及びその製造方法 | |
| HK1000262B (en) | Optical information recording medium | |
| JPH06338082A (ja) | 光学的情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG2A | Definitive protection |
Ref document number: 353394 Country of ref document: ES |