ES2078901T5 - Metodo y medio de registro optico de informacion. - Google Patents

Metodo y medio de registro optico de informacion.

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Abstract

UN METODO DE GRABACION DE INFORMACION OPTICAMENTE SOBRE UN MEDIO DE REGISTRO DE INFORMACION OPTICA COMPRENDIENDO UN SUBSTRATO TRANSMITIENDO LUZ, UNA CAPA DE ABSORCION DE LUZ SUPERPUESTA AL SUBSTRATO PARA ABSORBER UN RAYO LASER Y UNA CAPA REFLECTORA DE LUZ SUPERPUESTA A LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ, EL CUAL COMPRENDE ENERGIZACION DE LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ MEDIANTE UN RAYO LASER INTRODUCIDO A TRAVES DEL SUBSTRATO TRANSMISOR DE LUZ, Y DEFORMAR LOCALMENTE, POR LA ENERGIA ALLI GENERADA, MEDIANTE LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ, UNA CAPA SUPERFICIAL DEL SUBSTRATO ADYACENTE A LA CAPA DE ABSORCION DE LUZ, PARA FORMAR MARCAS LEGIBLES OPTICAMENTE EN LA CAPA SUPERFICIAL DEL SUBSTRATO.

Description

Método y medio de registro óptico de información.
La presente invención se refiere a un método para registrar ópticamente información sobre un medio de registro óptico de información y al medio de registro óptico de información que tiene picaduras legibles ópticamente formadas de esta manera.
Los medios ópticos de registro de la información convencionales de este tipo tienen una capa de registro, por ejemplo, de un metal tal como Te, Bi, Mn o un tinte tal como cianina, merocianina o ftalocianina, y está diseñada para registrar datos de tal manera que cuando se irradia con un haz láser, dicha capa de registro se deforma, sublima, evapora o modifica para formar picaduras. Con medios ópticos de registro de información que tienen una capa de registro de este tipo, es común formar un espacio detrás de la capa de registro para facilitar la deformación, sublimación, evaporación o modificación de la capa de registro para la formación de las picaduras. Un ejemplo típico es una estructura laminada llamada estructura sándwich de aire, donde una pareja de substratos están laminados con un espacio en medio.
Con los medios ópticos de registro de información de este tipo, un haz láser de escritura de este tipo se irradia a través de un substrato transparente para formar picaduras legibles ópticamente en la capa de registro. Para reproducir los datos registrados, se irradia un haz láser de lectura que tiene una potencia inferior al haz láser de escritura a través del substrato, y el contraste entre la luz reflejada desde las picaduras y la luz reflejada desde la porción no picada, se lee como una señal eléctrica.
Por otra parte, los medios ópticos de registro de la información del tipo llamado ROM (real only memory), donde los datos están ya registrados, y no se pueden registrar datos adicionales o los datos registrados no se pueden borrar ya o reescribir, se emplean en la práctica ampliamente en los campos de registro de sonido y de tratamiento de la información. Los medios ópticos de registro de información de este tipo no tienen una capa de registro de este tipo que se ha descrito anteriormente. Las picaduras que corresponden a datos que deben reproducirse están formadas ya sobre un substrato, por ejemplo, de policarbonato, por ejemplo mediante moldeo por prensado, encima está formada una capa reflexiva de un metal tal como Au, Ag, Cu o Al, y adicionalmente se aplica encima una capa protectora.
El medio de registro óptico de información más típico de este tipo ROM es un disco compacto llamado CD que se emplea ampliamente en los campos de registro de sonido y de tratamiento de la información. La especificación para las señales de registro y de lectura para este CD está normalizado, y el aparato de reproducción o play back para CD de acuerdo con este formato está ampliamente extendido como reproductor de disco compacto (reproductores de CD).
Por lo tanto, es muy deseable que los medios ópticos de registro de información mencionados anteriormente sigan las mismas normas que prevalecen ampliamente para CD, para que sean intercambiables con CD ya prevalecientes y puedan reproducirse por reproductores de CD para reproducción de información registrada.
Sin embargo, los medios ópticos de registro de información convencionales del tipo mencionado anteriormente tienen una capa de registro que no está presente en CD, y están diseñados para formar picaduras en la capa de registro y no en el substrato (véase, por ejemplo, IBM TDB, volumen 25, Nº 118, Abril 1983, páginas 5940, 5941). Adicionalmente, en algunos casos, está previsto un espacio para facilitar la formación de picaduras en esta capa de registro. Por consiguiente, las señales de lectura son naturalmente diferentes de las de CD, debido a diferencias, por ejemplo, en la reflectancia del haz láser y al grado de modulación de las señales de lectura. En particular, las picaduras formadas en la capa de registro por el haz láser no eran tan distintivas como las picaduras formadas mecánicamente, por ejemplo mediante moldeo por prensado, de modo que ha sido difícil obtener un alto grado de modulación. Por lo tanto, ha sido difícil que los medios ópticos de registro de información convencionales cumpliesen las llamadas normas para CD mencionadas anteriormente y ha sido difícil proporcionar un disco óptico reproducible por reproductores de CD convencionales.
La Patente EP-A-0019329 describe un medio de registro según el preámbulo de la reivindicación 1, por el cual una picadura se forma solamente en una capa de color relativamente fina; la Patente US-A-4.398.203 describe un medio de registro por el cual un color no se encuentra adyacente al substrato, sino más bien en una capa intermedia metálica de absorción; la Patente JP-A-1982-60543 describe un medio de registro, por el cual no se proporciona una capa de color de absorción entre una capa reflectante y un substrato, y para todos estos medios de registro la posibilidad de formar una picadura que se extienda al substrato con el fin de conformar de forma estable un CD convencional que no sea informado.
Por lo tanto, un objeto de la presente invención es proporcionar un medio óptico de registro de información que sea capaz de proporcionar señales de lectura con un alto grado de modulación para cumplir las normas CD.
La presente invención se basa en el descubrimiento de que se pueden formar picaduras ópticamente legibles directamente sobre el substrato por un haz láser por medio de una capa de absorción de haz láser que funciona como medio para formar tales picaduras, de manera que sea posible obtener un disco óptico registrable que cumpla las normas de CD.
La presente invención proporciona un método para registrar ópticamente información sobre un medio óptico de información de acuerdo con la reivindicación 1.
La presente invención proporciona también un medio óptico de registro de información de acuerdo con la reivindicación 3.
Para el objeto de la presente invención, el término "picaduras ópticamente legibles" o "picaduras" incluye generalmente marcas ópticamente legibles o detectables de todo tipo.
Con este medio de registro óptico de información, cuando la capa de color de absorción de la luz es irradiada con un haz láser, genera calor después de la absorción del haz láser y al mismo tiempo la superficie del substratio adyacente a la capa de absorción y la capa de absorción o adicionalmente una capa adyacente a la capa de absorción o la capa de absorción y dicha capa adicional se someten a fusión, evaporación, sublimación, reacción, descomposición o modificación. Cuando el haz láser se aplica en un estado concentrado a la capa de absorción de la luz, se genera energía localmente. El impacto de tal energía llega a la superficie de la capa adyacente a la capa de absorción de luz, de manera que dichas capas se deforman localmente para formar porciones modificadas ópticamente (picaduras legibles ópticamente).
En las porciones picadas, la superficies de las capas del substrato adyacente a la capa de absorción de la luz se deforma localmente, de modo que existe una diferencia de fase entre las porciones picadas y las porciones no-picadas, y el haz láser incidente es dispersado para que exista una diferencia substancial en la cantidad del haz láser reflejado. Por lo tanto, es posible obtener un alto grado de modulación para las señales de lectura.
Aquí, la función anterior es generalmente igual independientemente de la forma de la deformación de dichas capas, ya consista la deformación en protuberancias hacia la capa de absorción de la luz, ondas o dientes. Además de la deformación anterior, las porciones picadas pueden incluir porciones modificadas ópticamente donde las propiedades ópticas son diferentes localmente en dichas capas. Pueden formarse espacios en la porción interfacial entre la capa de absorción de la luz y la capa adyacente, o pueden dispersarse burbujas finas en la capa de absorción de la luz en las porciones picadas, de modo que la reflectancia del haz láser será substancialmente diferente entre las porciones picadas y la porción no picada debido a funciones tales como la diferencia de fase, absorción y dispersión del haz láser causadas por ello, y es posible obtener un alto grado de modulación de las señales de lectura.
De la misma manera, cuando las porciones deformadas de dichas capas tienen propiedades ópticas diferentes del resto de dichas capas, existirá una diferencia substancial en las condiciones ópticas, particularmente en la reflectancia del haz láser, entre las porciones picadas y la porción no picada debido a funciones tales como la diferencia de fase, absorción y dispersión del haz láser incidente en las porciones modificadas ópticamente, y de esta manera es posible obtener un alto grado de modulación de las señales de lectura, como se ha mencionado anteriormente.
Por lo tanto, las porciones modificadas ópticamente formadas sobre la capa superficial del substrato son diferentes de las formadas en la capa de registro convencional y en su lugar se parecen a picaduras de CD que están preformadas sobre una superficie de substrato, por ejemplo mediante moldeo por prensado. En el sistema de registro óptico de información ópticamente escribible de una estructura de este tipo, se puede aplicar una capa de reflexión sobre la capa de absorción de la luz en estrecho contacto con ella. Por lo tanto, también desde el punto de vista de la configuración, el medio de registro óptico de información de la presente invención es similar a CD. Es particularmente significativo que de esta manera es posible obtener fácilmente un medio de registro de información ópticamente escribible, particularmente un disco óptico registrada del tipo escrito una vez, que cumple las normas de CD con respecto a la reflectancia del haz láser de lectura, al grado de modulación de las señales de lectura y al porcentaje de error de bloque.
A continuación se describen las formas de realización preferidas de la presente invención con referencia a los dibujos, en los que:
La figura 1 es una vista esquemática en perspectiva parcialmente en la sección transversal que ilustra una forma de realización de la estructura del medio de registro óptico de información de la presente invención.
La figura 2 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista del medio de registro de información de la figura 1 antes del registro óptico.
La figura 3 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada a lo largo de la pista del medio de registro óptico de información de la figura 1 después del registro óptico.
La figura 4 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de otra forma de realización del medio de registro óptico de información de la presente invención antes del registro óptico.
La figura 5 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de la misma forma de realización después del registro óptico.
La figura 6 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de otra forma de realización adicional del medio de registro óptico de la presente invención antes del registro óptico.
La figura 7 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de la forma de realización de la figura 6 después del registro óptico.
La figura 8 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de una forma de realización adicional de la presente invención antes del registro óptico.
La figura 9 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada de la forma de realización de la figura 8 después del registro óptico.
La figura 10 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la pista de otra forma de realización adicional del medio de registro óptico de la presente invención antes del registro óptico.
La figura 11 es una vista de la sección transversal parcialmente ampliada tomada a lo largo de la forma de realización de la figura 10 después del registro óptico.
La figura 12 es un grafo que muestra la relación entre un parámetro óptico representado por la fórmula p = n_{abs}d_{abs}/ \lambda donde n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz del disco óptico, d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la luz y \lambda es la longitud de onda del haz láser de lectura y la reflectancia del haz láser de lectura.
La figura 13 es un grafo que muestra la relación entre la parte imaginaria k_{abs} del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz del disco óptico y la reflectancia del haz láser de lectura.
La figura 14 es una vista esquemática en perspectiva de la superficie del substrato de transmisión de luz del medio de registro óptico de información de la presente invención después del registro óptico.
Las figuras 15(a) y (b) son grafos que muestran la relación entre la distancia móvil de una punta o sonda a lo largo de la pista y la altura de la picadura o protuberancia cuando se observó la superficie del substrato transparente de la figura 14 por STM (Scanning
\hbox{Tunneling}
Microscope).
Las figuras 16 a 19 son vistas de la sección transversal parcialmente ampliada tomadas a lo largo de las pistas de diversas formas de realización de las picaduras de los medios de registro óptico de información.
Las figuras 1 a 11 ilustran esquemáticamente varias estructuras del medio de registro óptico de información de la presente invención. En estas figuras, el número de referencia 1 indica un substrato de transmisión de la luz, el número 2 indica una capa de absorción de la luz que cubre al substrato, el número 3 indica una capa de reflexión de la luz que cubre la capa de absorción de la luz. El número de referencia 4 indica una capa de protección.
El substrato de transmisión de la luz 1 está hecho de un material que tiene alta transparencia a haces láser y está hecho usualmente de una resina que tiene resistencia excelente, tal como un policarbonato, una resina de acrilato o una resina epoxi. No obstante, el substrato puede estar hecho de cualquier otro material mientras sea transparente a haces láser de escritura y de lectura y al menos la superficie del substrato adyacente a la capa de absorción de la luz sea deformable por energía generada por la capa de absorción de la luz después de la absorción del haz láser de escritura, para formar picaduras ópticamente legibles. A este respecto, el substrato o al menos la capa superficial del mismo tiene preferentemente una temperatura de distorsión térmica dentro de un intervalo de 85 a 200ºC, más preferentemente de 90 a 150ºC, medida de acuerdo con ASTM D648 bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y/o una dureza Rockwell dentro de un intervalo de M200 a M75, más preferentemente de M105 a M80, medida de acuerdo con ASTM D785. Cuando la temperatura de distorsión térmica o la dureza Rockwell del substrato está dentro del intervalo mencionado anteriormente, la energía generada por la capa de absorción de la luz 2 después de la absorción del haz láser de lectura se puede absorber efectivamente por la deformación local de la capa superficial del substrato 1, de manera que no permanecerá ninguna deformación substancial en las picaduras formadas, por lo que se asegurará la estabilidad de los datos registrados. Si la temperatura de deformación térmica o la dureza es demasiado baja, las picaduras formadas tienden a deformarse fácilmente por calor o fuerza exterior, por lo que la estabilidad será pobre. Por otra parte, si la temperatura de distorsión térmica o la dureza es demasiado alta, la energía generada por la capa de absorción de la luz 2 se puede absorber con dificultad en forma de deformación del substrato 1, y es difícil formar picaduras 5 distintas, por lo que será difícil obtener señales de lectura con un alto grado de modulación.
El espesor del substrato 1 no es crítico, pero está usualmente dentro de un intervalo desde 1,1 a 1,5 mm.
La capa de absorción de la luz 2 es una capa que absorbe un haz láser que entra a través del substrato de transmisión de la luz 1, después de lo cual genera calor y al mismo tiempo se somete a fundición, evaporación, sublimación, reacción, descomposición o modificación. Está formada usualmente mediante recubrimiento por rotación de un material de tinte, tal como un tinte de cianina sobre el substrato 1 o sobre una capa intermedia 6 formada sobre el substrato 1.
El espesor de la capa de absorción de la luz 2 está usualmente dentro del intervalo de 20 a 500 nm, preferentemente de 100 a 300 nm.
La capa de reflexión de la luz 3 está hecha usualmente de un metal tal como oro, plata, cobre, aluminio o una aleación de ellos. El espesor de la capa de reflexión de la luz 3 está usualmente dentro del intervalo de 30 a 150 nm, preferentemente de 40 a 130 nm.
La capa de protección 4 está hecha de una resina excelente en la resistencia al impacto lo mismo que el substrato de transmisión de la luz 1 y más comúnmente está formada mediante recubrimiento con una resina endurecible por luz ultravioleta mediante revestimiento de rotación, seguido por irradiación con rayos ultravioleta para endurecimiento. Como otros materiales se pueden usar normalmente una resina epoxi, una resina de acrilato y una resina de capa dura de silicona. También es posible emplear un material elástico tal como una resina de uretano para obtener un efecto de amortiguación.
El espesor de la capa de protección 4 no es crítico y usualmente está dentro de un intervalo de 3 a 30 \mum, preferentemente de 5 a 15 \mum.
Como se muestra en las figuras 4 a 7, una capa intermedia 6 tal como una capa de resina o una capa resistencia a disolventes se puede disponer entre el substrato 1 y la capa de absorción de la luz 2. Como se muestra en las figuras 5 y 7, una capa intermedia 6 de este tipo se deforma por la energía generada por la capa de absorción de la luz 2 después de la absorción del haz láser de escritura para formar picaduras 5 modificadas ópticamente. Si una capa intermedia 6 de este tipo es suficientemente gruesa, las picaduras 5 se formarán en ella como se muestra en la figura 5, de manera que la capa intermedia sirve como la capa superficial del substrato 1. Si la capa intermedia 6 es relativamente delgada, es decir, si tiene un espesor de como máximo 30 nm, entonces no sólo la capa intermedia 6 sino también el substrato 1 se deformarán como se muestra en la figura 7. Cuando no está presente una capa intermedia 6 de este tipo, la capa superficial del substrato 1 se deformará como se muestra en la figura 3 para formar picaduras 5 modificadas ópticamente.
La capa intermedia 6 tiene preferentemente una temperatura de distorsión térmica dentro de un intervalo de 50 a 150ºC, más preferentemente desde 85 hasta 140ºC, medida de acuerdo con ASTM D648 bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y/o una dureza Rockwell dentro de un intervalo de M100 a M50, más preferentemente de M95 a M75, medida de acuerdo con ASTM D785. La temperatura de distorsión térmica y la dureza Rockwell de la capa intermedia 6 dentro de los intervalos anteriores se prefieren por las mismas razones que las mencionadas con respecto a la temperatura de distorsión térmica y a la dureza Rockwell del substrato 1. La capa intermedia 6 puede estar hecha de una resina tal como una resina de acrilato, una resina de cloruro de vinilo, una resina de cloruro de vinilideno, una resina de poliestireno, una resina de poliéster, una resina de poliuretano, una resina de celulosa o una resina de silicona. No obstante, se puede emplear cualquier otra resina siempre que cumpla las propiedades mencionadas anteriormente para la capa intermedia 6.
El espesor de la capa intermedia está usualmente dentro de un intervalo de 2 nm a 500 nm, preferentemente 10 a 200 \mum.
Adicionalmente, se puede disponer una capa dura 16 menos deformable con calor que el substrato entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 como se muestra en las figuras 8 y 9, o sobre la capa de reflexión de la luz 3 como se muestra en las figuras 10 y 11. La capa dura 16 está hecha de un material menos deformable con calor que el substrato y preferentemente tiene una dureza Rockwell de al menos M100, medida de acuerdo con ASTM D785 y/o una temperatura de distorsión térmica de al menos 100ºC, más preferentemente al menos 130ºC, medida de acuerdo con ASTM D648 bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
\bullet Cada una de las figuras 2, 4, 6, 8 y 10 ilustran un estado previo al registro óptico por un haz láser. Cada una de las figuras 3, 5, 7, 9 y 11 ilustra un estado después del registro óptico. En efecto, cuando se irradia un haz láser 7 desde un receptor óptico 8 en un estado concentrado a la capa de absorción de la luz 2, la capa superficial del substrato 1 se deforma localmente por la energía generada en la capa de absorción de la luz 2, para formar picaduras 5 modificadas ópticamente, como se ilustra esquemáticamente en estas figuras.
En el medio de registro óptico de información de la presente invención, se prefiere que un parámetro óptico representado por p = n_{abs}d_{abs}/ \lambda donde n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz del disco óptico, d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la luz y \lambda es la longitud de onda del haz, sea 0,05 \leq p \leq 0,6, y la parte imaginaria k_{abs} del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz sea como máximo 0,3. La figura 12 es un grafo que muestra la relación entre el parámetro óptico p = n_{abs}d_{abs}/ \lambda donde n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz 2 del disco óptico, d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la luz 2 y \lambda es la longitud de onda del haz y la reflectancia de la luz que entra a través del substrato, cuando se emplea un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de 780 nm como el haz láser de lectura, con respecto a dos ejemplos del disco óptico. Adicionalmente, la figura 13 muestra la reflectancia cuando la parte imaginaria k_{abs} ha cambiado desde un valor próximo a 0 hasta un valor de 2,0 cambiando la transmitancia de la luz de la capa de absorción de la luz, manteniendo al mismo tiempo la parte real del índice de refracción complejo en un nivel constante de n_{abs} = 2,4, con respecto a un disco óptico, donde se usa una película de oro como la capa de reflexión de la luz. A partir de estas figuras, es evidente que cuando el parámetro óptico de p = n_{abs}d_{abs}/ \lambda y la parte imaginaria k_{abs} cumplen las condiciones mencionadas anteriormente, se puede obtener una alta reflectancia, de manera que es posible fácilmente asegurar las propiedades normalizadas estipuladas en las normas de CD, es decir, la reflectancia de al menos 70%.
La figura 14 ilustra esquemáticamente la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del medio de registro óptico de información de la presente invención, que tiene la capa de protección 4, la capa de reflexión de la luz 3 y la capa de absorción de la luz 2 eliminadas después del registro óptico. En efecto, con el fin de formar picaduras 5 a lo largo de una pre-ranura 9, que es una ranura de guía de seguimiento formada sobre la superficie del substrato 1, se irradió un haz láser concentrado modulado por señales de EFM a la capa de absorción de la luz 2 a lo largo de la pre-ranura 9, y luego la capa de protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3 se pelaron del substrato 1. A continuación, la capa de absorción de la luz 2 se eliminó también de la superficie del substrato 1.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 se observó a lo largo de la pre-ranura 9 por STM (Scanning Tunneling
\hbox{Microscope).}
Los resultados se muestran en las figuras 15(a) y (b). En estas figuras, la abscisa indica la distancia móvil de una picadura (sonda) 10 a lo largo de la pre-ranura 9, es decir, en la dirección se seguimiento, y la ordenada indica la altura de la superficie del substrato 1. La figura 15(a) ilustra un caso donde la longitud de una picadura es relativamente corta a un nivel de 10.000 A, por lo que es evidente que se forma una clara deformación en forma de una protuberancia con una altura de aproximadamente 200 \ring{A}. De la misma manera, la figura 15(b) ilustra un caso donde la longitud de una picadura es relativamente larga a un nivel de 40.000 \ring{A}, de manera que se observa una deformación en forma de una protuberancia con una altura de aproximadamente 200 \ring{A}, pero la protuberancia tiene dos picos con una porción ligeramente inferior en el centro. De esta manera, en una forma de realización preferida, se forman picaduras ópticamente legibles en la pre-ranura 9 como ranura de guía de seguimiento formada sobre la capa superficial deformable del substrato 1.
Las figuras 16 a 19 ilustran esquemáticamente los estados de las picaduras 5 formadas por irradiación con un haz láser.
Las figuras 16(a) a (d) ilustran el estado en que se forma una deformación 14 sobre el substrato 1 adyacente a la capa de absorción de la luz 2 por irradiación de la capa de absorción de la luz 2 con un haz láser concentrado 7.
Más específicamente, la figura 16(a) ilustra esquemáticamente un caso donde la capa de absorción de la luz 2 ha sido irradiada con un haz láser concentrado, los componentes que constituyen la capa 2 se someten a fusión y descomposición y al mismo tiempo, el lado interfacial del substrato de transmisión de la luz 1 adyacente a la capa de absorción de la luz 2 se ablanda, de modo que los componentes de la capa de absorción de la luz 2 se difunden o fluyen dentro del substrato 1 para formar una deformación 14. En muchos casos, en la porción deformada, los componentes de la capa de absorción de la luz 2 se mezclan localmente y se hacen reaccionar en parte químicamente con el material que constituye el substrato de transmisión de la luz 1 para formar una porción 12 modificada ópticamente que tiene propiedades ópticas diferentes de la capa de absorción de la luz 2 o del substrato de transmisión de la luz 1. Por ejemplo, cuando la capa de absorción de la luz 2 está formada con un tinte de cianina, y el substrato de transmisión de la luz 1 está formado con un policarbonato, las propiedades ópticas de la porción 12 modificada ópticamente muestran valores ligeramente diferentes del substrato de transmisión 1.
Es usual que cuando el haz láser es irradiado a una capa de absorción de la luz 2 para formar una picadura 5, el material que constituye la capa de absorción de la luz 2 sea sometido a generación de calor, fusión y descomposición en esa porción, de modo que las propiedades ópticas de la capa de absorción de la luz 2 cambiarán también localmente. En algunos casos, tal fenómeno va acompañado con la formación de un espacio 10 entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, o con la formación de burbujas 11 en la capa de absorción de la luz 2, que pueden permanecer después del enfriamiento.
Es probable que tal espacio 10 se forme particularmente cuando la capa adyacente sobre el lado de la luz incidente de la capa de absorción de la luz 2, tal como la capa de la superficia del substrato 1, es relativamente termodeformable en comparación con la capa detrás de la capa de absorción de la luz 2, tal como la capa de reflexión de la luz 3 o la capa de protección 4, y la capa detrás de la capa de absorción de la luz 2 tiene mala adhesión a la capa de absorción de la luz 2 en comparación con la capa adyacente sobre el lado de la luz incidente. Con tal medio óptico de registro de información, cuando se irradia un haz láser 7 a la capa de absorción de la luz 2, se genera energía en la capa de absorción de la luz 2 y el substrato 1 se deforma en 14, como se ha mencionado anteriormente, y al mismo tiempo se genera un gas en la capa de absorción de la luz 2, de modo que se formará un espacio 10 entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 adyacente que tiene malas propiedades adhesivas, y el gas tienden a permanecer en el espacio 10. El gas generado en el interior de la capa de absorción de la luz 2 puede permanecer como burbujas 11.
Las figuras 16(c) y (d) ilustran otras formas de la deformación 14 sobre el substrato transparente 1. La figura 16(c) ilustra una deformación 14 en forma de una protuberancia con su parte superior separada para formar dos picos, mientras que la figura 16(d) ilustra una deformación 14 de una forma de la onda donde protuberancias y dientes se repiten alternativamente. En estos casos, pueden formarse también el espacio 10 mencionado anteriormente, burbujas 11 o la porción 12 modificada ópticamente.
Las figuras 17(a) a (c) ilustran esquemáticamente un caso donde la deformación 14 del substrato de transmisión de la luz 1 adyacente a la capa de absorción de la luz 2 en la porción de la picadura 5 está en forma de un diente o receso con respecto a la capa de absorción de la luz 2.
La figura 17(a) ilustra un caso donde se forma un espacio 10 en el límite de la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y la figura 17(b) ilustra un caso donde al mismo tiempo que la formación del espacio 10, se dispersan burbujas finas 11 en la capa de absorción de la luz 2, y adicionalmente los componentes descompuestos de una capa de absorción de la luz 2 se difunden dentro del substrato de transmisión de la luz 1 formado con una deformación 14, de manera que los componentes descompuestos y los componentes que constituyen el substrato de transmisión de la luz 1 se mezclan y reaccionan en parte químicamente para formar una porción 12 modificada químicamente. Adicionalmente, la figura 17(c) ilustra un caso donde al mismo tiempo que la formación del espacio 10 mencionado anteriormente, se forma otro espacio 10 entre el substrato 1 y la capa de absorción de la luz 2.
Las figuras 18(a) a (d) ilustran un caso donde deformaciones 14 y 14' en la picadura 5 llegan hasta ambas capas adyacentes a la capa de absorción de la luz 2. Es probable que se forme una picadura de este tipo en un caso donde la temperatura de distorsión térmica o la dureza es substancialmente la misma que entre las dos capas entre las que está intercalada la capa de absorción de la luz 2, tal como el substrato 1 y la capa de reflexión de la luz 3 o la capa de
\hbox{protección
4.}
La figura 18(a) ilustra un caso donde un espacio 10' está formado entre la capa de absorción de la luz 2 y el substrato 1 en la picadura 5, la figura 18(b) ilustra un caso donde se forman espacios 10 y 10' entre la capa de absorción de la luz 2 y el substrato adyacente 1 y entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 adyacente, y la figura 18(c) ilustra un caso donde burbujas finas 11 están dispersas en la capa de absorción de la luz 2. La figura 18(d) ilustra un estado en el que las deformaciones 14 y 14' están ambas en forma de protuberancias hacia la capa de absorción de la luz 2.
Adicionalmente, las figuras 19(a) y (b) ilustran un caso donde una porción 13 modificada ópticamente, que tiene propiedades ópticas diferentes de otras porciones, está formada en la picadura 5 en una capa sobre el lado de la luz incidente con respecto a la capa de absorción de la luz 2. Esta porción modificada 13 está situada siempre en el lado desde el que entre el haz láser 7. En muchos casos, la porción modificada se extiende hasta el interior de la capa de absorción de la luz 2. En tal caso, puede observarse una deformación 14 en la capa adyacente a la capa de absorción de la luz 2, pero debido a la presencia de la porción 13 modificada ópticamente, es usual que la deformación no sea distintiva.
La figura 19(a) ilustra un estado donde una porción 13 modificada ópticamente está formada sobre la superficie, por ejemplo, del substrato 1 adyacente a la capa de absorción de la luz 2, y la figura 19(b) ilustra un estado en el que las propiedades ópticas cambian gradualmente en una dirección del espesor desde el substrato 1 hasta la capa de absorción de la luz 2.
Tales modificaciones de capas se realizan por descomposición, reacción o difusión mutua de la capa de absorción de la luz 2 y de otra capa causadas por el calor generado en la capa de absorción de la luz 2 por la irradiación con un haz láser 7. Por lo tanto, tales picaduras 5 se forman cuando la capa de absorción de la luz 2 y la capa adyacente se forman de materiales que tienen tales funciones.
En el medio de registro óptico de información de la presente invención, una capa detrás de la capa de absorción de la luz 2 con relación al substrato de transmisión de la luz 1, tal como la capa de reflexión de la luz 3 o la capa de protección 4, está hecha preferentemente de un material que tiene una temperatura de deformación térmica y una dureza mayores que la capa sobre la que se forman picaduras 5. Mediante la formación de la capa detrás de la capa de absorción 2 con un material duro, el porcentaje de error de bloque de señales registradas se puede reducir efectivamente, de manera que es posible fácilmente cumplir el requerimiento normalizado de BLER (porcentaje de error de bloque) que no debe ser mayor de 3 x 10^{-2} según se especifica en las normas de CD.
A continuación se describe la presente invención con más detalle con referencia a ejemplos. No obstante, se entenderá que la presente invención no se limita de ninguna manera a tales ejemplos específicos.
Ejemplo 1
Se formó mediante moldeo por inyección un substrato de policarbonato 1 con un espesor de 1,2 mm, un diámetro exterior de 120 mm y un diámetro interior de 15 mm y con una pre-ranura en espiral formada sobre su superficie con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum. Este substrato de policarbonato 1 tiene una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 que corresponde a HB de la dureza de lápiz y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 121ºC y una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
Como un tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, se disolvieron 0,65 g de 1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato (número de producto NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso
\hbox{Kenkyusho}
) en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona, y la solución se aplicó sobre la superficie del substrato 1 mediante revestimiento por rotación para formar una capa de absorción de la luz 2 de una película de tinte fotosensible que tiene un espesor de 130 nm. El parámetro óptico p = n_{abs}d_{abs}/\lambda donde n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz 2, d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la luz y es la longitud de onda del haz láser de lectura, era 0,45, y la parte imaginaria k_{abs} del índice de refracción complejo era 0,05.
A continuación se formó una película de oro con un espesor de 80 nm por pulverización sobre toda la superficie de la región cubierta por el diámetro de 45 a 118 mm de este disco, para formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, sobre esta capa de reflexión 3, se aplicó por rotación una resina endurecible por luz ultravioleta y luego se endureció mediante radiación con rayos ultravioleta, para formar una capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum. Después de endurecer esta capa de protección 4 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
Al disco óptico obtenido de esta manera se irradió un láser semiconductor con una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de 6,0 mW, para registrar señales EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,68, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER era 1,2 x 10^{-2}.
Las normas de CD especifican que la reflectancia es al menos 70%, I_{11}/I_{top} es al menos 0,6, I_{3}/I_{top} es de 0,3 a 0,7, y el porcentaje de error de bloque BLER no es mayor de 3 x 10^{-2}. El disco óptico de este ejemplo cumple estas normas.
Adicionalmente, después del registro, la capa de protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3 del disco óptico se pelaron y se inspeccionó la superficie expuesta de la capa de absorción de la luz 2, observándose irregularidades lineales finas, que parecían representar el perfil del contorno de las picaduras. Adicionalmente, la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un disolvente, y se inspeccionó la superficie del substrato 1, confirmando la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente.
La estructura de capas de este disco óptico se ilustra esquemáticamente en la figura 2, y la misma estructura después del registro se ilustra esquemáticamente en la figura 3.
La superficie del substrato de transmisión de la luz 1 se observó por STM (Scanning Tunneling
\hbox{Microscope),}
encontrándose que la porción picada estaba deformada en forma de protuberancias. Adicionalmente, la porción registrada y la porción no registrada del substrato 1 se midieron por medio de un espectrómetro, observándose en la porción registrada picos distintos a los picos observados con la resina de la porción no registrada. Ejemplo 2
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que se aplicó por rotación una resina epoxi para formar una capa dura con un espesor de 100 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 del ejemplo 1. Después del endurecimiento, esta resina epoxi tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde la reflectancia del haz láser semiconductor y las características de la salida de las señales de lectura eran iguales que en el ejemplo 1, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,0 x 10^{-3}. Se inspeccionó la superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1 para confirmar la formación de picaduras 5. En efecto, a partir de la observación de la superficie del substrato 1 por STM, se observó una deformación 14 en forma de una protuberancia. Esta protuberancia tenía dos picos con una porción ligeramente baja en el centro.
Ejemplo 3
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3 en el ejemplo 1, se formó una capa dura de una resina de acrilato de silicona con un espesor de 100 nm mediante revestimiento por rotación sobre la capa de absorción de la luz 2 y se formó una capa de adhesión de una resina epoxi con un espesor de 20 nm mediante revestimiento por rotación sobre la superficie superior de esta capa dura. Después del endurecimiento, esta capa de resina de acrilato de silicona tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego se reprodujo este disco por el mismo aparato de reproducción de CD (Aurex XR-V73) que se empleó en el ejemplo 1 con un haz láser semiconductor con una longitud de onda de 780 nm, de manera que la reflectancia del haz láser semiconductor era 75%, I_{11}/I_{top} era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM a superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 4
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1 se formó una película de una aleación de oro y antimonio en una relación de 9 : 1 por deposición de vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3 sobre la capa de absorción de la luz 2, y sobre esta capa de reflexión 3 se formó una capa de protección 4 de una resina endurecible con luz ultravioleta con una capa de adhesión de una resina epoxi que tiene un espesor de 20 nm interpuesta entre ellas. La capa de reflexión de la luz 3 anterior tenía una dureza de al menos H como dureza de lápiz.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 6,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,62, I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 5
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1 se aplicó por rotación una capa de resina dura del tipo endurecible por luz ultravioleta sobre el lado de la luz incidente del substrato de policarbonato 1 para formar una capa de protección del substrato con un espesor de 1 \mum, la capa de absorción de la luz 2 se formó sobre el lado que tiene la pre-ranura, y sobre esta capa de absorción de la luz 2 se formó una película de una aleación de oro e iridio en una relación de 3 : 1 por pulverización como una capa de reflexión de la luz 3. La capa de reflexión de la luz 3 tenía una dureza de al menos 5 H como dureza de lápiz.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 70%, I_{11}/I_{top} era 0,62, I_{3}/I_{top} era 0,37, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,7 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 6
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1 la capa de reflexión de la luz 3 se formó por una capa de plata con un espesor de 60 nm, y encima se aplicó por rotación un agente de recubrimiento duro de silicona, se calentó y se endureció para formar una capa de protección dura 4 con un espesor de 3 \mum. La capa de protección 4 tenía una dureza de al menos HB como dureza de lápiz.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,8 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 7
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, se aplicó por rotación una resina epoxi incorporada con polisulfuro diluida con diglicidil éter para formar una capa de adhesión de 30 nm sobre la capa de reflexión de la luz 3 formada por deposición de vapor a vacío de una película de oro con un espesor de 50 nm, y se aplicó por rotación un agente de revestimiento duro de silicona sobre la capa de adhesión, se calentó y endureció para formar una capa de protección dura 4 con un espesor de 3 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 8
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, la capa de absorción de la luz se formó usando 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina perclorato, sobre la capa de reflexión de la luz 3 se formó una capa dura de una resina epoxi con un espesor de 100 nm, se formó una resina endurecible con luz ultravioleta encima en un espesor de 10 \mum y luego se formó la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,68, I_{3}/I_{top} era 0,34, y el porcentaje de error de bloque BLER era 8,3 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó por STM la superficie del substrato 1 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 9
Sobre la superficie del mismo substrato de policarbonato 1 usado en el ejemplo 1, se aplicó por rotación una resina de acrilato disuelta en diisobutil cetona para formar una capa intermedia 6 con un espesor de 40 nm. Esta capa intermedia 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M85 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
Como tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2 se disolvieron 0,6 g de yoduro de 1,1'-dipropil-3,3,3',3'-tetrametil-5,5'-dimetoxiindodicarbocianina en 10 ml de un disolvente de alcohol isopropílico. La solución se aplicó sobre la superficie del substrato 1 anterior mediante revestimiento por rotación para formar una capa de absorción de la luz 2 de una película de tinte fotosensible con un espesor de 120 nm. El parámetro óptico p = n_{abs}d_{abs}/\lambda donde n_{abs} es la parte real del índice de refracción complejo de la capa de absorción de la luz 2, d_{abs} es el espesor de la capa de absorción de la luz y \lambda es la longitud de onda del haz láser de lectura, era 0,41, y la parte imaginaria k_{abs} del índice de refracción complejo era 0,02.
A continuación se aplicó por rotación encima una resina de acrilato de silicona disuelta en ciclohexano para formar una capa de resina de acrilato de silicona con un espesor de 100 nm, una dureza de lápiz de 2H y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 120ºC y una carga de 4,6 kg/cm^{2}. Luego se formó una película de oro con un espesor de 50 nm por pulverización para formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, se aplicó por rotación una resina endurecible con luz ultravioleta sobre esta capa de reflexión de la luz 3 y se endureció por irradiación con rayos ultravioletas para formar una capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum. Después del endurecimiento, esta capa de protección 4 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90, una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
Al disco óptico obtenido de esta manera se irradió un láser semiconductor con una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de 7,5 mW, para registrar señales EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD empleado en el ejemplo 1, de manera que la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,62, I_{3}/I_{top} era 0,31, y el porcentaje de error de bloque BLER era 4,0 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la capa de protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3 del disco óptico después del registro se pelaron, y la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un disolvente, y la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 10
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excep1to que en el ejemplo 9, se aplicó por rotación un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6 para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum, y encima se formó la capa de absorción de la luz 2.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,8 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 73%, I_{1}1/I_{top} era 0,62, I_{3}/I_{top} era 0,31, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,4 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 11
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se usó un substrato de cristal como substrato 1, y se aplicó por rotación una resina de isocianato disuelta con una mezcla disolvente de tolueno y metil etil cetona en una relación de 1:1, sobre la capa de reflexión para formar una capa de adhesión con un espesor de 20 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,6 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 12
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se aplicó por rotación un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6 para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum, y encima se formó una capa de absorción de la luz 2, y se aplicó por rotación piolibutadieno sobre la capa de reflexión para formar una capa de adhesión con un espesor de 20 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/Itop era 0,66, I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 13
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, el espesor de la capa intermedia 6 se cambió a 20 nm, no se aplicó ninguna capa de resina de acrilato de silicona, y se formó una película de una aleación de iridio y oro en una relación de 1:9 por pulverización como la capa de reflexión 3. La capa de aleación tenía una dureza de lápiz de 2H.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,3 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5. Las picaduras 5 llegaron hasta la superficie del substrato puesto que el espesor de la capa intermedia 6 era fino.
La estructura de capas de este disco óptico se ilustra esquemáticamente en la figura 6, y la misma estructura después del registro óptico se ilustra en la figura 7.
Ejemplo 14
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se aplicó con rotación un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6 para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum, encima se formó la capa de absorción de la luz 2, no se formó ninguna resina de acrilato de silicona, y se formó una película de una aleación de iridio y oro en una relación de 1:9 por pulverización como la capa de reflexión 3.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,8 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,64, I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,8 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 15
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, no se formó ninguna capa de resina de acrilato de silicona, se formó una película de una aleación de iridio y oro en una relación de 1:9 por pulverización como la capa de reflexión 3, y se aplicó por rotación poliisopreno sobre la capa de reflexión de la luz para formar una capa de adhesión con un espesor de 20 nm y encima se formó la capa de protección 4 de una resina endurecible con luz ultravioleta.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,4 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,64, I_{3}/I_{top} era 0,32, y el porcentaje de error de bloque BLER era 4,1 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 16
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, no se formó ninguna capa de resina de acrilato de silicona, se formó una película de cobre con un espesor de 50 nm como la capa de reflexión 3, y se aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol diluida en un disolvente de diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con un espesor de 10 \mum como la capa de protección 4. La capa de protección tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M110 y por lo tanto tenía una función como una capa dura.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 75%, I_{11}/I_{top} era 0,64, I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,9 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 17
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, se aplicó por rotación un agente de revestimiento de silicona sobre la capa intermedia 6 para formar una capa de silicato con un espesor de 0,01 \mum, encima se formó la capa de absorción de la luz 2, no se formó ninguna capa de resina de acrilato de silicona, se formó una capa de cobre con un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz 3, y se aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol diluida en un disolvente de diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con un espesor de 10 \mum como la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,0 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64, I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 18
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 9, excepto que en el ejemplo 9, no se formó ninguna capa de acrilato de silicona, se formó una película de cobre con un espesor de 50 nm mediante deposición con vapor al vacío como la capa de reflexión 3, se aplicó por rotación una resina de acetato de polivinilo disuelta con una mezcla de disolvente de tolueno y metil etil cetona en una relación de 6 : 4 sobre la capa de reflexión de la luz para formar una capa de adhesión con un espesor de 20 nm, encima se formó la capa de protección 4, y se aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol diluida con un disolvente de diglicil éter para formar una capa de resina epoxi con un espesor de 10 \mum como la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de registro de 7,4 mW de la misma manera que en el ejemplo 9. Luego este disco óptico se reprodujo por medio del mismo aparato de reproducción de CD que se usó en el ejemplo 9, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64, I_{3}/I_{top} era 0,33, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,6 x 10^{-3}. Adicionalmente, se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6 del disco óptico después del registro de la misma manera que en el ejemplo 9, para confirmar la formación de picaduras 5.
Ejemplo 19
Un disco de policarbonato (Panlite, nombre comercial, fabricado por Tenjin Kasei K.K.) con un espesor de 1,2 mm, un diámetro exterior de 120 mm y un diámetro interior de 15 mm y con una pre-ranura en espiral 8 con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum en una región cubierta por el diámetro de 46 a 117 mm del disco, formado mediante moldeo por inyección, se usó como el substrato de transmisión de la luz 1. Este substrato de policarbonato 1 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}. Como un tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, se disolvieron 0,65 g de 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato (número de producto NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso K.K.) en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona. Esta solución se aplicó mediante revestimiento por rotación sobre la superficie del substrato 1 para formar una capa de absorción de la luz 2 con un espesor de 130 nm.
Luego, se formó una película de plata con un espesor de 50 nm por pulverización sobre toda la superficie de una región cubierta por el diámetro de 45 a 118 mm de este disco para formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, sobre esta capa de reflexión de la luz 3 se aplicó por rotación una resina endurecible con luz ultravioleta y se endureció por irradiación con rayos ultravioleta para formar una capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum. Después del endurecimiento de la resina endurecible con rayos ultravioleta, esta capa de protección 4 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 150ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de 6,0 mW para registrar señales EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que I_{11}/I_{top} obtenidos a partir del patrón ocular de las señales de lectura era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,32.
Las normas de CD especifican que I_{11}/I_{top} es al menos 0,6, I_{3}/I_{top} es de 0,3 a 0,7. Por lo tanto, el disco óptico de este ejemplo cumple estas normas.
Adicionalmente, después del registro, la capa de protección 4 y la capa de reflexión de la luz 3 del disco óptico se pelaron y se inspeccionó la superficie expuesta de la capa de absorción de la luz 2, observándose irregularidades lineales finas, que parecían representar el perfil del contorno de las picaduras. Adicionalmente, la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un disolvente, y se inspeccionó la superficie del substrato 1, confirmando la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente.
Ejemplo 20
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 19, excepto que en el ejemplo 19, un disco de policarbonato (Iupilon, nombre comercial, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku K.K.) con un espesor de 1,2 mm, y un diámetro exterior de 120 mm, un diámetro interior de 15 mm, una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 132ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y con una pre-picadura en espiral 8 para señales de formato de CD con una anchura de 0,6 \mum, una profundidad de 0,8 \mum y un paso de 1,6 \mum en un intervalo del diámetro de 46 a 80 mm del disco y una pre-ranura en espiral 9 formada fuera del mismo con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum en un intervalo del diámetro de 80 a 117 mm del disco, que se formó mediante moldeo por inyección, se usó como el substrato de transmisión de la luz 1, se usó una película de oro como la capa de reflexión de la luz 3, y se formó una capa de resina epoxi con un espesor de 2 \mum mediante revestimiento por rotación entre esta capa de reflexión de la luz 3 y la capa de protección 4 hecha de resina endurecible con luz ultravioleta. La capa de resina epoxi tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}. El intervalo interior del diámetro de 46 a 80 mm de este disco óptico es una llamada región ROM (read only memory), y el intervalo exterior de 80 a 117 es una región registrable.
En la región registrable del disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales EFM de la misma manera que en el ejemplo 19. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de registro de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, después del registro se inspeccionó la superficie del substrato 1 del disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 19, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 21
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 19, excepto que en el ejemplo 19 se usó un disco de poliestireno con una dureza Rockwell (ASTM D785) de M80 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 89ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} como el substrato 1 de transmisión de la luz, la pre-ranura en el disco se sometió a difracción difusa de 22,11 kHz con una amplitud de 30 nm, se formó una capa de resina de acrilato de silicona con un espesor de 40 nm mediante recubrimiento por rotación entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y se formó una capa de resina epoxi con un espesor de 10 nm mediante revestimiento por rotación entre esta capa y la capa de absorción de la luz, y se formó una película de oro como la capa de reflexión de la luz 3. La capa de resina de acrilato de silicona tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 200ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera, se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 19. Luego este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, después del registro se inspeccionó la superficie del substrato 1 del disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 19, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 22
Como substrato de transmisión de la luz 1 se empleó el mismo disco de policarbonato empleado en el ejemplo 19.
Sobre este substrato de transmisión de la luz 1 se aplicó por rotación una resina de acrilato para formar una capa intermedia de un espesor de 70 nm. Luego, como tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, se disolvieron 0,65 g de 1,1'-dipropil-3,3,3', 3'-tetrametil-5,5'-dimetoxiindodicarbocianina yoduro en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona, y la solución se aplicó mediante revestimiento por rotación sobre la capa intermedia 6 sobre el substrato 1, para formar una capa de absorción de la luz 2 con un espesor de 90 nm. La capa intermedia 6 tenía una temperatura de deformación térmica (ASTM D648) de 100ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M85.
Luego se formó una resina de acrilato de silicona mediante revestimiento por rotación con un espesor de 50 nm sobre la capa de absorción de la luz 2 dispuesta encima. Luego, se formó una película de oro con un espesor de 50 nm mediante pulverización sobre toda la superficie de una región del diámetro de 45 a 118 mm del disco, para formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, se aplicó por rotación una resina endurecible con luz ultravioleta sobre esta capa de reflexión de la luz 3 y se endureció por irradiación con rayos ultravioletas para formar una capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de 6,0 mW para registrar señales EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que I_{11}/I_{top} obtenidos a partir del patrón ocular de las señales de lectura era 0,63, I_{3}/I_{top} era 0,32.
Las normas de CD especifican que I_{11}/I_{top} es al menos 0,6, I_{3}/I_{top} es de 0,3 a 0,7. Por lo tanto, el disco óptico de este ejemplo cumple estas normas.
Adicionalmente, después del registro, la capa de protección 4, la capa de reflexión de la luz 3 y la capa de absorción de la luz 2 de este disco óptico se pelaron y se inspeccionó la superficie de la capa intermedia 6, donde se confirmó la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 23
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con un copolímero de cloruro de vinilo que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 80ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M95, con un espesor de 60 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,35.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 24
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina de acrilato que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 90ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100, el espesor de la capa de absorción de la luz 2 se cambió a 130 nm, no se formó ninguna capa de resina de acrilato de silicona entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y la capa de reflexión de la luz 3 se formó con una película de una aleación de oro e iridio en una relación de 9:1.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 25
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con un copolímero de cloruro de vinilideno que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 66ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm2 y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, con un espesor de 60 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,67, y I_{3}/I_{top} era 0,36.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 26
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con poliestireno que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 85ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M70.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,65, y I_{3}/I_{top} era 0,34.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 27
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con un acetato de polivinilo que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 55ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M70, con un espesor de 60 nm, y el isocianato se aplicó por rotación sobre la capa de resina de acrilato de silicona con un espesor de 10 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 28
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con un poliéster que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 70ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M70, se empleó 1,1'-dibutil-3,3,3', 3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato como el tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, se aplicó una resina de silicona sobre la capa de absorción de la luz 2 en lugar de la resina de acrilato de silicona, y se formó una capa de resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol sobre la capa de reflexión de la luz 3 con un espesor de 20 nm.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,61, y I_{3}/I_{top} era 0,31.
Adicionalmente, después del registro, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 29
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina de poliuretano que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60 con un espesor de 50 nm, se aplicó por rotación una resina de silicona sobre esta capa intermedia 6 con un espesor de 15 nm para tratamiento resistente a disolvente, luego se formó una capa de absorción de la luz 2 con un espesor de 130 nm usando 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato, no se aplicó resina de acrilato entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y la capa de reflexión de la luz 3 se formó con una película de una aleación de oro e iridio en una relación de 9:1.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, después del registro, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 30
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina de poliuretano que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, se aplicó por rotación un agente de revestimiento de silicona sobre esta capa intermedia 6 con un espesor de 15 nm para tratamiento resistente a disolvente, y luego se formó una capa de absorción de la luz 2 usando 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato, y se formó una resina de silicona sobre esta capa de absorción de la luz 2 en lugar de la resina de acrilato de silicona, se aplicó una resina epoxi incorporada en polisulfuro sobre la capa de reflexión de la luz 3 con un espesor de 20 nm, y se formó encima la capa de protección 4.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 31
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina de celulosa que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 60ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100, como el tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2 se empleó 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil -4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato, y se aplicó una resina de silicona sobre la capa de absorción de la luz 2 en lugar de la resina de acrilato de silicona.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,65, y I3/Itop era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 32
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina termoplástica de uretano que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza
\hbox{Rockwell}
(ASTM D785) de M30 con un espesor de 50 nm, se aplicó por rotación un agente de revestimiento de silicona sobre esta capa intermedia 6 con un espesor de 15 nm para tratamiento resistente a disolvente, y luego se formó una capa de absorción de la luz 2 usando 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato, y se aplicó una resina de silicona en lugar de la resina de acrilato de silicona.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,67, y I_{3}/I_{top} era 0,34.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 33
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina acrílica que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 70ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90, se formó una capa de absorción de la luz 2 con un espesor de 130 nm usando 1,1'-dipropil-5,7,5',7' -dimetoxiindodicarbocianina fluoroborato como tinte orgánico, la capa de reflexión de la luz 3 se formó mediante una película de cobre, y la capa de protección 4 se formó con un agente de revestimiento duro de silicona con un espesor de 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 34
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina de poliuretano que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 50ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, se empleó 1,1'-dipropil-5,7,5',7' -dimetoxiindodicarbocianina fluoroborato como un tinte orgánico para la capa de absorción de la luz 2, se formó una película de SiO_{2} con un espesor de 30 nm sobre la capa de absorción de la luz 2 mediante pulverización, la capa de reflexión de la luz 3 se formó con una película de cobre, se aplicó por rotación una resina epoxi sobre la capa de reflexión de la luz 3 con un espesor de 20 nm, y la capa de protección 4 se formó encima con un agente de revestimiento duro de silicona con un espesor de 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,33.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo 35
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22 excepto que en el ejemplo 22, se usó un disco de cristal como el substrato de transmisión de la luz 1, la capa intermedia 6 se formó con una resina de acrilato que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 70ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y que tiene una pre-ranura formada por un método de foto polimerización, se formó una capa de absorción de la luz 2 que tiene un espesor de 130 nm usando 1,1'-dipropil-5,7,5',7'-dimetoxiindodicarbocianina fluoroborato como tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, la capa de reflexión de la luz 3 se formó por medio de una película de cobre, y la capa de protección 4 se formó con un agente de revestimiento duro de silicona con un espesor de 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32.
Adicionalmente, la superficie de la capa intermedia 6 se inspeccionó después del registro de la misma manera que en el ejemplo 22, para confirmar la formación de picaduras 5 modificadas ópticamente en forma de protuberancias.
Ejemplo comparativo 1
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 22, excepto que en el ejemplo 22, la capa intermedia 6 se formó con una resina de silicona que tiene una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 180ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} y una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 22. Luego, este disco óptico se reprodujo en un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio, donde I_{11}/I_{top} era 0,28, y I_{3}/I_{top} era 0,05.
Por lo tanto, este disco no cumplía el formato
\hbox{de CD.}
Ejemplo 36
Se formó mediante moldeo por inyección un substrato de policarbonato 1 de una forma de disco que tiene un espesor de 1,2 mm, un diámetro exterior de 120 mm y un diámetro interior de 15 mm y que tiene una pre-ranura en espiral formada con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum en un intervalo de diámetro de 46 a 117 mm del disco. Este su substrato de policarbonato 1 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 132ºC.
Como tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz, se disolvieron 0,65 g de 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrametil -4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina perclorato (número de producto NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso K.K.) en 10 ml de un disolvente de alcohol de diacetona. La solución se aplicó sobre la superficie del substrato 1 mediante revestimiento por rotación para formar una capa de absorción de la luz 2 que tiene un espesor de 130 nm.
Luego, se formó una película de oro con un espesor de 50 nm mediante pulverización sobre toda la superficie en una región del diámetro de 45 a 118 nm de este disco, para formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, se aplicó por rotación una resina endurecible con luz ultravioleta sobre esta capa de reflexión de la luz 3 y se endureció por irradiación con rayos ultravioleta, para formar una capa de protección 4 que tiene un espesor de 10 \mum. Después de endurecer, esta capa de protección tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 150ºC.
A la región registrable 7 del disco óptico obtenido de esta manera se irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de 6,0 mW para registrar señales de EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, y I_{3}/I_{top} era 0,35, y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,4 x 10^{-3}.
Las normas de CD especifican que la reflectancia es al menos 70%, I_{11}/I_{top} es al menos 0,6, I_{3}/I_{top} es de 0,3 a 0,7 y el porcentaje de error de bloque BLER no es mayor de 3 x 10^{-2}. Por lo tanto, el disco óptico de esta referencia cumple estas normas.
Además, la capa de protección 4 y la capa de absorción de la luz del disco óptico se pelaron después del registro, y la capa de absorción de la luz 2 se lavó con un disolvente, y la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 se observó por STM
\hbox{(Scanning}
Tunneling Microscope), observándose deformación en forma de protuberancias en la porción picada. Además, la porción registrada y la porción no registrada del substrato 1 se midieron por medio de un espectrofotómetro, observando en la porción registrada picos distintos a los picos de la resina observados en la porción no registrada.
Este ejemplo ilustra el caso donde la capa de protección 4 se utilizó como una capa dura.
Ejemplo 37
Sobre un substrato de policarbonato (Panlite, fabricado por Teijin Kagaku) que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, encima se formó una capa de acrilato de silicona que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, se formó encima una capa de plata que tiene un espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3, y encima se formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 71%, I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,33, el porcentaje de error de bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico después de registrar se inspeccionó por STM (Scanning Tunneling Microscope) de la misma manera que en el ejemplo 36, observando deformación en forma de protuberancias en la porción picada. La porción central de esta deformación era ligeramente baja, y se encontró que la deformación 6 tenía picos, como se ilustra en la figura 15(b).
Ejemplo 38
Sobre un substrato de policarbonato (Iupilon, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, encima se formó una capa de resina epoxi que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, se formó encima una capa de oro que tiene un espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3, y encima se formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 132ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,32, el porcentaje de error de bloque BLER era 2,4 x 10^{-3}.
Ejemplo 39
Sobre un substrato de poliestireno que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, encima se formó una capa de resina de acrilato que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, encima se aplicó por rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión, luego se formó encima una capa de oro que tiene un espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3, y encima se formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M80 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 89ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,31, el porcentaje de error de bloque BLER era 7,0 x 10^{-3}.
Ejemplo 40
Sobre un substrato de polimetilo que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, luego se formó encima una capa de resina de poliéster que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, encima se formó una capa de oro que tiene un espesor de 50 nm como capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, adicionalmente encima se aplicó por rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión y luego se formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 110ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M110 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 115ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de bloque BLER era 8,0 x 10^{-3}.
Ejemplo 41
Sobre un substrato de poliolefina que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el ejemplo 36 usando 1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5' -dietoxiindocarbocianina perclorato, luego se formó encima una capa de resina de acrilato de silicona que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, encima se formó una capa de oro que tiene un espesor de 50 nm como capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, encima se aplicó por rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión, y luego se formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M110 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 74%, I_{11}/I_{top} era 0,61, y I_{3}/I_{top} era 0,33, el porcentaje de error de bloque BLER era 2,3 x 10^{-3}.
Ejemplo 42
Sobre un substrato de resina epoxi que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el ejemplo 36 usando 1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5' -dietoxiindocarbocianina perclorato, y se formó encima una capa de resina de silicona que tiene un espesor de 50 nm como una capa dura 6, encima se formó una capa de aluminio que tiene un espesor de 50 nm como capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, y encima se aplicó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato tenía una dureza
\hbox{Rockwell}
(ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 180ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 73%, I_{11}/I_{top} era 0,61, y I_{3}/I_{top} era 0,30, el porcentaje de error de bloque BLER era 2,0 x 10^{-3}.
Ejemplo 43
Sobre un substrato de policarbonato (Panlite, fabricado por Teijin Kagaku) que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, encima se formó una película de plata que tiene un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz por deposición de vapor a vacío, encima se formó una capa de acrilato de silicona que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6, y encima se formó la misma capa de protección 4 que en el ejemplo 36. El substrato anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 71%, I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de bloque BLER era 3,7 x 10^{-3}.
Ejemplo 44
Sobre un substrato de policarbonato (Iupilon, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, encima se formó una película de oro que tiene un espesor de 50 nm mediante deposición de vapor a vacío como una capa de reflexión de la luz 3, y encima se formó una capa de resina epoxi que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6, que sirvió también como una capa de protección. El substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,33, el porcentaje de error de bloque BLER era 2,7 x 10^{-3}.
Ejemplo 45
Sobre un substrato de policarbonato que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, encima se formó una película de oro que tiene un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, y encima se formó una capa de resina de acrilato que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6, que sirvió también como una capa de protección. El substrato anterior tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M80 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 89ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 100ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32, el porcentaje de error de bloque BLER era 7,1 x 10^{-3}.
Ejemplo 46
Sobre un substrato de polimetil metacrilato que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que se describe anteriormente, luego se formó encima una película de oro que tiene un espesor de 50 nm como la capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, y encima se aplicó por rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión, y se formó una película de resina de poliéster que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6 que sirvió también como una capa de protección. El substrato tenía una dureza
\hbox{Rockwell}
(ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 110ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M110 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 115ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de bloque BLER era 8,3 x 10^{-3}.
Ejemplo 47
Sobre un substrato de poliolefina que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el ejemplo 36 usando 1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina perclorato, y se formó encima una película de oro que tiene un espesor de 50nm, como la capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, encima se aplicó por rotación una resina epoxi para mejorar las propiedades de adhesión, y encima de formó una capa de resina de acrilato de silicona que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6 que sirve también como una capa de protección. El substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 140ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 200ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 71%, I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,34, el porcentaje de error de bloque BLER era 2,4 x 10^{-3}.
Ejemplo 48
Sobre un substrato de resina epoxi que tiene la misma forma y pre-ranura que en el ejemplo 36, se formó una capa de absorción de la luz 2 de la misma manera que en el ejemplo 36 usando 1,1'-dibutil-3,3,3'3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina perclorato, luego se formó encima una película de aluminio que tiene un espesor de 50 nm como una capa de reflexión de la luz 3 mediante deposición de vapor a vacío, y se formó una capa de resina de silicona que tiene un espesor de 50 nm como la capa dura 6 que sirve también como una capa de protección. El substrato tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 135ºC. En cambio, la capa dura anterior 6 tenía una dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 180ºC.
En este disco óptico se registraron datos de la misma manera que en el ejemplo 36, y luego se reprodujeron, siendo la reflectancia del haz láser semiconductor 72%, I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,32, el porcentaje de error de bloque BLER era 2,1 x 10^{-3}.
Ejemplo comparativo 2
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 36, excepto que en el ejemplo 36, la capa de protección 4 hecha de resina endurecible con luz ultravioleta se formó con una dureza Rockwell (ASTM D785) de M60 y una temperatura de distorsión térmica (ASTM D648) de 90ºC bajo una carga de 4,6 kg/cm^{2} después del endurecimiento.
En este disco óptico, un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de 780 nm se irradió a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. para registrar señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 36, sin que se observasen picaduras adecuadamente distintas sobre el substrato 1. Luego este disco óptico se reprodujo por el mismo aparato de reproducción de CD usado en el ejemplo 36, de manera que la reflectancia del disco óptico era 71%, I_{11}/I_{top} era 0,7, y I_{3}/I_{top} era 0,37, el porcentaje de error de bloque BLER era 1,5 x 10^{-3} y, por lo tanto, no cumplía las normas de CD.
Ejemplo 49
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, se aplicó por rotación una resina de revestimiento dura endurecible con luz ultravioleta sobre el lado de luz incidente del substrato de policarbonato 1 para formar una capa de protección del substrato con un espesor de 1 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 70%, I_{11}/I_{top} era 0,62, y I_{3}/I_{top} era 0,37 y el porcentaje de error de bloque BLER era 1,3 x 10^{-3}.
La superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 50
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 1, excepto que en el ejemplo 1, se aplicó por rotación una resina de polibutadieno disuelta en ciclohexano para formar una capa de polibutadieno con un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM de la misma manera que en el ejemplo 1. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 1, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 72%, I_{11}/I_{top} era 0,65, y I_{3}/I_{top} era 0,35 y el porcentaje de error de bloque BLER era 8,6 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 51
Se moldeó por inyección un substrato de policarbonato 1 con un espesor de 1,2 mm, un diámetro exterior de 120 mm y un diámetro interior de 15 mm y con una pre-ranura espiral 8 formada sobre su superficie con una anchura de 0,8 \mum, una profundidad de 0,08 \mum y un paso de 1,6 \mum. Como tinte orgánico para formar la capa de absorción de la luz 2, se disolvieron 0,5 g de 1,1'-dipropil-3,3,3',3'-tetrametil-5,5'-dietoxiindodicarbocianina perclorato en 10 ml de un disolvente de alcohol isopropílico. La solución se aplicó por rotación sobre la superficie de este substrato 1 para formar una capa de absorción de la luz 2 que tiene un espesor de 100 nm. Adicionalmente, se formó una película de SiO_{2} encima mediante pulverización en un espesor de 40 nm.
Luego se formó una película de oro con un espesor de 50 nm mediante pulverización sobre toda la superficie de una región del diámetro desde 45 a 118 nm de este disco, para formar una capa de reflexión de la luz 3. Adicionalmente, sobre esta capa de reflexión de la luz 3, se aplicó por rotación una resina de uretano disuelta en metil etil cetona en un espesor de 100 nm para formar una capa de absorción de impactos, y se aplicó encima por rotación una resina endurecible con luz ultravioleta y se endureció por irradiación de rayos ultravioletas para formar una capa de protección 4 con un espesor de 10 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se irradió un haz láser semiconductor que tiene una longitud de onda de 780 nm a una velocidad lineal de 1,2 m/seg. con una potencia de registro de 6,8 mW para registrar señales de EFM. Luego, este disco óptico se reprodujo por medio de un aparato de reproducción de CD de venta en el comercio (Aurex XR-V73, longitud de onda del haz láser de lectura \lambda = 780 nm), de manera que la reflectancia del haz láser semiconductor era 77%, I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,36, el porcentaje de error de bloque BLER era 3,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 2.
Ejemplo 52
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, la película de SiO_{2} se formó por el método LPD, y se usó un disolvente de dioxano como el disolvente para el agente de revestimiento para formar la capa de absorción de la luz 2.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 77%, I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,35 y el porcentaje de error de bloque BLER era 4,0 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 53
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, en lugar de la película de SiO_{2}, se aplicó por rotación una resina epoxi disuelta en diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con un espesor de 40 nm, se formó una capa delgada de una aleación de oro y titanio en una relación de 9:1 como la capa de reflexión de la luz 3, y se aplicó por rotación una resina de polibutadieno disuelta en ciclohexano para formar una capa de resina de polibutadieno con un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de 7,0 mW de la misma manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,33 y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,5 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 54
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, en lugar de la película de SiO_{2}, se aplicó por rotación una resina epoxi disuelta en diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con un espesor de 40 nm, se formó una capa delgada de una aleación de oro y titanio en una relación de 9:1 como la capa de reflexión de la luz 3, y se aplicó por rotación una resina de polibutadieno disuelta en ciclohexano para formar una capa de resina de polibutadieno con un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, y se aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol en un espesor de 20 nm entre la capa de reflexión de la luz y la capa de protección 4 para mejorar la adhesión entre ellas.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,33 y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,0 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 55
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, en lugar de la película de SiO_{2}, se aplicó por rotación una resina epoxi disuelta en diglicidil éter para formar una capa de resina epoxi con un espesor de 40 nm, se aplicó una resina de polibutadieno disuelta en ciclohexano para formar una resina de polibutadieno con un espesor de 10 nm entre esta capa de resina epoxi y la capa de reflexión de la luz 3, y el espesor de la capa de protección se cambió a 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,64, y I_{3}/I_{top} era 0,32 y el porcentaje de error de bloque BLER era 3,3 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 56
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, no se formó ninguna película de SiO_{2}, se aplicó una resina de polibutadieno disuelto en ciclohexano para formar una capa de resina de polibutadieno con un espesor de 10 nm entre la capa de absorción de la luz 2 y la capa de reflexión de la luz 3, se aplicó por rotación una resina epoxi del tipo endurecible con bisfenol en un espesor de 20 nm entre la capa de reflexión de la luz y la capa protectora 4 para mejorar la adhesión entre ellas, y el espesor de la capa de protección se cambió a 5 \mum.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 74%, I_{11}/I_{top} era 0,63, y I_{3}/I_{top} era 0,32 y el porcentaje de error de bloque BLER era 2,8 x 10^{-3}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Ejemplo 57
Se preparó un disco óptico de la misma manera que en el ejemplo 51, excepto que en el ejemplo 51, no se formó ninguna película de SiO_{2}.
En el disco óptico obtenido de esta manera se registraron señales de EFM con una potencia de 7,2 mW de la misma manera que en el ejemplo 51. Luego, este disco óptico se reprodujo en el mismo aparato de reproducción de CD que en el ejemplo 51, donde la reflectancia del haz láser semiconductor era 77%, I_{11}/I_{top} era 0,66, y I_{3}/I_{top} era 0,35 y el porcentaje de error de bloque BLER era 1,0 x 10^{-2}.
Adicionalmente, la superficie del substrato de transmisión de la luz 1 del disco óptico se inspeccionó después del registro por STM de la misma manera que en el ejemplo 1, para confirmar la formación de picaduras 5 como en el ejemplo 1.
Como se ha descrito anteriormente, de acuerdo con el medio de registro de la presente invención, se pueden formar picaduras ópticamente similares a CD por irradiación con un haz láser, y al mismo tiempo la capa de reflexión se prevé detrás de la capa de absorción de la luz en estrecho contacto con ella, de manera que es posible adoptar una estructura de capas similar a CD. Por lo tanto, de acuerdo con la presente invención, se puede conseguir fácilmente un medio de registro óptico registrable que cumple el formato de CD.

Claims (7)

1. Método para registrar ópticamente información sobre un medio óptico de registro de información, comprendiendo el medio
(i) un substrato de transmisión de la luz (1),
(ii) una capa de color de absorción de la luz (2) que cubre el substrato (1) para absorber un haz láser (7), y
(iii) una capa de reflexión de la luz (3) que cubre la capa de absorción de la luz (2), donde el método comprende activar la capa de absorción de la luz (2) por la energía de un haz láser (7) introducido a través del substrato de transmisión de la luz (1) para formar picaduras legibles ópticamente, caracterizado porque dichas picaduras legibles ópticamente se forman o bien
(a) en la superficie del substrato (1) adyacente a la capa de absorción (2) y en la capa de absorción (2), o
(b) en la superficie del substrato (1) adyacente a la capa de absorción (2), en la capa de absorción (2), y adicionalmente en una intercapa adicional (6) dispuesta entre el substrato (1) y la capa de absorción de luz (2), teniendo todas dichas capas una distorsión térmica adecuada y/o una dureza apropiada.
2. Método de acuerdo con la reivindicación 1, donde la capa de absorción de la luz (2) se funde y descompone después de la absorción del haz láser (7), y dichas capas se deforman localmente por la fusión y la descomposición de la capa de absorción de la luz (2), para formar picaduras legibles ópticamente en dichas capas.
3. Medio óptico de registro de información que comprende
(i) un substrato de transmisión de la luz (1),
(ii) una capa de color de absorción de la luz (2) que cubre el substrato (1) para absorber un haz láser (7) para formar picaduras legibles ópticamente, y
(iii) una capa de reflexión de la luz (3) que cubre la capa de absorción de la luz, caracterizado porque dichas picaduras legibles ópticamente se forman bien sea
(a) en la superficie del substrato (1) adyacente a la capa de absorción (2) y en la capa de absorción (2), o
(b) en la superficie del substrato (1) adyacente a la capa de absorción (2), en la capa de absorción (2) y adicionalmente en una intercapa adicional (6) dispuesta entre el substrato (1) y la capa de absorción de la luz (2),
presentando todas las mencionadas capas una distorsión térmica apropiada y/o una dureza apropiada.
4. Medio óptico de registro de información de acuerdo con la reivindicación 3, donde la deformación de la capa de la superficie consiste en protuberancias hacia la capa de absorción de la luz.
5. Medio óptico de registro de información de acuerdo con las reivindicaciones 3 ó 4, donde las porciones deformadas de dichas capas tienen propiedades ópticas diferentes del resto de dichas capas.
6. Medio óptico de registro de información de acuerdo con las reivindicaciones 3, 4 ó 5, donde las porciones deformadas de capas adyacentes a la capa de absorción contienen componentes descompuestos de la capa de absorción de la luz difundida allí.
7. Medio óptico de registro de información de acuerdo con alguna de las reivindicaciones 3 a 6, donde la superficie del substrato o la capa adicional tienen una ranura de guía de seguimiento, y las picaduras legibles ópticamente se forman en la ranura de guía.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270463A (en) * 1988-12-15 1993-12-14 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Halogenated alkoxyphthalocyanines
JPH0827983B2 (ja) 1989-05-02 1996-03-21 太陽誘電株式会社 光情報記録媒体
JPH0762919B2 (ja) * 1989-05-18 1995-07-05 三菱化学株式会社 再生専用型光ディスク
JP2657579B2 (ja) * 1990-04-19 1997-09-24 富士写真フイルム株式会社 光情報記録媒体
JP3026357B2 (ja) * 1990-10-04 2000-03-27 パイオニア株式会社 光記録媒体
JP3026356B2 (ja) * 1990-10-04 2000-03-27 パイオニア株式会社 光記録媒体
JP3026358B2 (ja) * 1990-10-09 2000-03-27 パイオニア株式会社 光記録媒体
US5350843A (en) * 1990-11-06 1994-09-27 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Halogenated phthalocyanine compound, method for preparing same
JP3109866B2 (ja) * 1990-11-17 2000-11-20 太陽誘電株式会社 光学式情報記録担体用基板及びその製造方法
JP2987223B2 (ja) * 1991-02-20 1999-12-06 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体
CA2110233C (en) * 1992-12-02 1999-01-12 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Optical information recording medium and composition for optical information recording film
US5294471A (en) * 1993-02-01 1994-03-15 Eastman Kodak Company Optical information recording medium using metallized formazan dyes
KR100313567B1 (ko) * 1994-02-28 2001-12-28 윤종용 유기광기록매체및그의재기록방지방법
EP0777224B1 (en) 1995-12-01 2002-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical recording medium and method
US5728441A (en) * 1995-12-01 1998-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Recordable/replayable optical recording medium and optical recording method therefor
KR100230448B1 (ko) * 1996-10-10 1999-11-15 윤종용 광기록매체
KR100230449B1 (ko) * 1996-10-10 1999-11-15 윤종용 광기록매체
US6007889A (en) * 1998-06-22 1999-12-28 Target Technology, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP3548929B2 (ja) * 1999-03-23 2004-08-04 太陽誘電株式会社 光情報記録媒体
CN100341059C (zh) * 2002-12-19 2007-10-03 富士胶片株式会社 光信息记录方法及光信息记录介质
US7952984B2 (en) * 2004-04-22 2011-05-31 Tdk Corporation Optical recording medium and method of recording and reproducing of optical recording medium
US20100220567A1 (en) * 2006-03-03 2010-09-02 Sharp Kabushiki Kaisha Optical Information Recording Medium, Reproducing Device for Optical Information Recording Medium, Control Method and Control Program for the Reproducing Device, and Medium with the Control Program Recorded Therein
JP2008004151A (ja) * 2006-06-21 2008-01-10 Toshiba Corp 片面多層光ディスク、bca記録装置、bca記録方法及び光ディスク装置
CN102610242B (zh) 2007-08-30 2014-09-03 夏普株式会社 光信息记录介质及其再生方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4097895A (en) * 1976-03-19 1978-06-27 Rca Corporation Multilayer optical record
US4980262A (en) * 1976-08-16 1990-12-25 Eastman Kodak Company Producing a replicate video disc by a method of photographic contact printing
FR2368779A1 (fr) * 1976-10-22 1978-05-19 Thomson Brandt Support thermosensible destine a l'enregistrement d'information et procede d'enregistrement d'information sur un tel support
US4315269A (en) * 1977-08-29 1982-02-09 Rca Corporation Thick protective overcoat layer for optical video disc
NL7809159A (nl) * 1977-09-29 1979-04-02 Philips Nv Informatieregistratie element met kleurstof bevattende hulplaag.
US4300227A (en) * 1979-10-17 1981-11-10 Rca Corporation Replicable optical recording medium
US4285056A (en) * 1979-10-17 1981-08-18 Rca Corporation Replicable optical recording medium
FR2474222A1 (fr) * 1980-01-23 1981-07-24 Thomson Csf Procede d'inscription thermo-optique d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede
FR2474223A1 (fr) * 1980-01-23 1981-07-24 Thomson Csf Procede d'inscription thermo-optique d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede
US4360908A (en) * 1980-02-25 1982-11-23 Eastman Kodak Company Physically optimized optical disc structure, method and apparatus
DE3118058A1 (de) * 1980-05-14 1982-03-11 RCA Corp., 10020 New York, N.Y. Aufzeichnungstraeger und verfahren zum schreiben einer informationsspur sowie zum loeschen einer in dem traeger gespeicherten information
FR2488711B1 (fr) * 1980-08-13 1985-06-28 Thomson Csf Procede thermo-optique d'inscription d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede
US4379299A (en) * 1981-04-06 1983-04-05 North American Philips Corporation Recording structure for direct read after write recording
JPS58146040A (ja) * 1982-02-24 1983-08-31 Pioneer Video Kk 光学式情報記録原盤
JPS58189851A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Nippon Columbia Co Ltd 光情報記録媒体
JPS599094A (ja) * 1982-07-09 1984-01-18 Asahi Chem Ind Co Ltd 情報記録用部材
JPS5940336A (ja) * 1982-08-30 1984-03-06 Sony Corp 情報記録媒体
KR870002142B1 (ko) * 1982-09-20 1987-12-12 디스커비소젼 어시에이츠 광학 기록 매체 및 그의 제조방법
JPS59135640A (ja) * 1983-01-25 1984-08-03 Tdk Corp 光記録媒体
US4556893A (en) * 1983-02-15 1985-12-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical recording medium of high sensitivity
US4551828A (en) * 1983-03-18 1985-11-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Quadrilayer optical draw medium
JPS59171689A (ja) * 1983-03-18 1984-09-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光記録方法
JPS6028045A (ja) * 1983-07-25 1985-02-13 Sony Corp 情報記録媒体
JPS60151850A (ja) * 1984-01-20 1985-08-09 Nec Corp 光記録媒体
JPS60239947A (ja) * 1984-05-15 1985-11-28 Ricoh Co Ltd 光学的情報記憶媒体
JPS62110636A (ja) * 1985-11-08 1987-05-21 Kyodo Printing Co Ltd 光記録媒体及びその製造方法
JPS62246784A (ja) * 1986-04-21 1987-10-27 Canon Inc 光記録媒体
US4780867A (en) * 1986-10-02 1988-10-25 Optical Data, Inc. Method for erasably recording data by viscoelastic shear deformation
JPH0734269B2 (ja) * 1986-10-23 1995-04-12 松下電器産業株式会社 光記録媒体
JPS63200331A (ja) * 1987-02-13 1988-08-18 Toshiba Corp 記録媒体及び記録再生方法
US4977064A (en) * 1987-05-01 1990-12-11 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Optical recording medium and process for fabricating the same
JPH07118092B2 (ja) * 1987-12-08 1995-12-18 株式会社日立製作所 光学的情報記録媒体
US4918682A (en) * 1988-02-05 1990-04-17 Tandy Corporation Ablative and bump-forming optical recording media including a metallic reflective layer
US4990388A (en) * 1988-07-30 1991-02-05 Taiyo Yuden Co., Ltd. Optical information recording medium
US4940618A (en) * 1988-07-30 1990-07-10 Taiyo Yuden Company, Ltd. Optical information recording medium

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Publication number Publication date
DK175044B1 (da) 2004-05-10
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MY106947A (en) 1995-08-30
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US5155723A (en) 1992-10-13
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EP0353394B1 (en) 1995-08-30
AU3510889A (en) 1990-02-01
DE68924016T2 (de) 1996-05-15
PT91311B (pt) 1995-12-29

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