JPH08246184A - 高電流密度硫酸亜鉛電気亜鉛メッキ方法及び組成物 - Google Patents

高電流密度硫酸亜鉛電気亜鉛メッキ方法及び組成物

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JPH08246184A
JPH08246184A JP8049631A JP4963196A JPH08246184A JP H08246184 A JPH08246184 A JP H08246184A JP 8049631 A JP8049631 A JP 8049631A JP 4963196 A JP4963196 A JP 4963196A JP H08246184 A JPH08246184 A JP H08246184A
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zinc
glycol
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Application number
JP8049631A
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English (en)
Inventor
Nicholas M Martyak
ニコラス・マイケル・マーティアク
John E Mccaskie
ジョン・エドワード・マカスキー
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Atotech USA LLC
Original Assignee
Atotech USA LLC
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/22—Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高電流密度硫酸亜鉛電気亜鉛メッキ浴への添
加剤として用いる組成物、並びに浴から得られる亜鉛コ
ーティングの高電流密度デンドライト形成及びエッジ焼
けを減少させ、高電流密度荒さ、粒度及び結晶学的配向
を調節する方法を提供する。 【解決手段】 高分子ポリオキシアルキレングリコール
結晶微細化剤を、抗デンドライト剤としてのナフタレン
とホルムアルデヒドとのスルホン化縮合生成物と組み合
わせてを含む硫酸亜鉛水性酸性電気亜鉛メッキコーティ
ング浴から得られる亜鉛コーティングの高電流密度デン
ドライト形成及びエッジ焼けを減少させ、並びに高電流
密度荒さ、粒度及び配向を調節するための物質組成物。
該物質組成物を該浴に加え、電流を該浴中の亜鉛アノー
ドから該浴中の金属カソードに亜鉛コーティングを該カ
ソードに付着させるのに十分な時間通すことを含む方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】発明は、高電流密度硫酸亜鉛
電気亜鉛メッキ浴への添加剤として用いる物質組成物、
並びにかかる組成物を浴から得られる亜鉛コーティング
の高電流密度デンドライト形成及びエッジ焼けを減少さ
せ、高電流密度荒さ、粒度及び結晶学的配向を調節する
ために利用する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】スチールのような鉄金属上に電解塗布さ
れる亜鉛耐食性コーティングは、耐食性が要求される自
動車産業のような産業において広範囲に用いられてい
る。亜鉛は、保護される基材に対して陽極になるため、
保護されるべき領域において亜鉛がいくらか残りさえす
れば、鉄金属に犠牲保護をもたらす。付着物にわずかの
ピンホール或は不連続が存在することは、ほとんど重要
なことではない。亜鉛は、自動車やチューブラースチー
ル産業において用いられる連続スチール基材の電気亜鉛
メッキコーティングのようなほとんどの産業プロセスに
おいて連続してメッキされる。酸塩化物や酸性硫酸塩浴
は、それらが、シアニド浴に比べて一層高いメッキ速度
が可能であることから、広範囲に用いられている。
【0003】また、EPA規制が、流出物中のシアニド
を減少させる或は除去することを要求していることか
ら、シアニド浴も示した。クロリド浴は、アンモニウム
イオン及びキレート化剤を含有する中性クロリド浴、並
びに中性浴において用いられるアンモニウムイオンの代
わりにカリウムイオンを使うpH約3.0〜約5.5を
有する酸クロリド浴を含む。酸浴は、実施において、中
性浴に大きく取って代わってきた。
【0004】鉄金属上の亜鉛付着物についてのASTM
規格は待ち設けるサービスの過酷度に応じて、厚さ約5
〜約25μmを必要とする。ASTMB633−78,
Specification For Electro
deposited Coatings Of Zin
c On Iron and Steel。水素が平衡
条件下で優先的に析出されるので、亜鉛は、水素過電圧
により水溶液から析出される。
【0005】これらのプロセスにおいて採用される典型
的なメッキ用タンクは、約5,000から約300,0
00ガロン(19〜1,100kl)のあたりを収容
し、亜鉛か或は亜鉛−ニッケル合金のような亜鉛合金の
いずれかをメッキするために採用されることができる。
これらは、連続メッキ浴で、直径約8フィート(2.4
m)のスチールロールを速度約200から約850フィ
ート/分(61〜260m/分)のあたりで、約20〜
約80グラム/m2 の様々の塗布量及びコーティング厚
さ約6〜約10μmで収容する。溶液流量は、およそ
0.5〜5m/秒である。
【0006】スチールが導電性ロール上を延伸されかつ
ロールに対してプレスされて適当な接触がもたらされ
る。可溶性亜鉛或は不溶性酸化イリジウム被覆チタンア
ノードが、浴中にコーティングロールに隣接して浸漬さ
れる。亜鉛−ニッケル合金メッキ作業の場合、炭酸ニッ
ケルが系に加えられる。アノード電流密度は、カソード
電流密度と一致して変わる。
【0007】しかし、高い電流密度において亜鉛の過多
の集積が行われ得る。比較的狭いスチールストリップが
被覆されているならば、系に過多のアノードが存在し得
る。被覆されるべき次のストリップのサイズが大きくな
るかもしれないことから、過多のアノードを取り去るこ
とは不可能である。ラインの機構の故に、メッキされる
種々の基材のサイズに適応させるために、アノードを取
り去ったり、加えることは煩わしすぎる。電流密度約5
0〜約100A/dm2 (400〜1,000ASF)
が採用され、かかる電流密度は、スチール基材のエッジ
上に亜鉛が過多に集積する原因ともなる。そのような高
電流密度メッキについての酌量は、溶液導電率を調節
し、接近したアノードカソード間隔を供し、かつ高い溶
液流量をもたらすことによってなされる。
【0008】別の主要な問題は、高い電流密度[HC
D]が、被覆されているスチールストリップの縁でデン
ドライトの形態の荒さを生じることである。これらのデ
ンドライト状付着物は、メッキする或はすすぐ間に離脱
(break off)し得る。電気亜鉛メッキされた
スチールがロール上を通されるにつれて、これらのゆる
んだデンドライトは、被覆された基材に埋め込まれるよ
うになり、次いで亜鉛ピックアップと呼ばれる欠陥とし
て現れる。被覆されるスチールストリップの縁は、ま
た、厚さが不均一であり、HCD加工のために焼かれ
る。加えて、HCDプロセスは、スチールストリップの
幅を横切る荒さを引き起こし、亜鉛コーティングの粒度
及び結晶学的配向を変え得る。それにもかかわらず、H
CDプロセスは、生産速度が直接電流密度に関係する、
すなわち電流密度が高くなる程、得られるコーティング
ライン速度は大きくなることができるので、産業上望ま
しいものである。
【0009】よって、これらの問題を一部相殺するため
に、種々の結晶微細化剤[GR]や抗デンドライト剤
[ADA]が用いられる。それにもかかわらず、エッジ
が荒くなり、厚さが不均一になり、エッジが焼けること
の問題は、完全には解消されておらず、その結果、ほと
んどの工業プロセスは、スチールストリップが被覆され
た後に、スチールストリップからエッジをトリムするこ
とを必要とする。現在、エッジをトリムするのに、ダイ
ヤモンドナイフが使用される。過多の亜鉛集積を取り除
くのに、その他の機械的手段もまた用いてよい。GRや
ADA添加剤もまた、亜鉛コーティングのHCD荒さ、
粒度及び配向に関する問題を完全には排除しない。
【0010】標準のGR或はADA物質の内のいくつか
に関し、スチールストリップは、低い添加剤濃度におい
て相当のHCD焼けを示すのに対し、高い濃度において
小さな節(nodularity)或はHCD荒さが依
然見られることが分かった。
【0011】被覆されたスチールストリップの表面荒さ
は「Ra」単位で表わされるのに対し、荒さの度合は
「PPI」単位或はインチ当りのピークで表わされる。
これらのパラメーターは、表面荒さがペイント接着を助
成しかつ適したPPI値は、次いでプレス成形される自
動車部品或はその他の部品の製造において用いられる亜
鉛被覆されたスチールについての形成作業の間に重要な
油の保留を助成する点で重要である。経験法では、Ra
及びPPI値は、基材のそれらの値に近くすべきであ
る。亜鉛コーティングを基材に比べて滑らかにするより
もむしろ荒くする、その逆にするのが一層良好になる例
がいくつかある。よって、Ra値は、大概、所望の仕上
げに応じて基材についてのRa値の20%より小さくす
べきでなく又は20%を越えるべきでなくかつ大概、約
40マイクロインチ(1マイクロメーター)を越えるべ
きでない。PPI値は、約150から約225のあたり
にすべきである。加えて、電着された亜鉛の種々の結晶
学的配向[(002)、(110)、(102)、(1
00)、(101)及び(103)]の内、一層良好な
結果は、ランダムに配向された付着物に関して得られる
ことが分かった。
【0012】上述した通りに、生産速度は、電流密度が
増大するにつれて増大させることができ、現在産業によ
り採用されている電流密度は、約1,000ASF(1
10A/dm2 )であり、一層大きな生産速度を得るた
めに、約1,500から約3,000ASFあたりの電
流密度が探究されている。これらの一層高い電流密度に
おける作業は、容認し得ないエッジ焼け、デンドライト
状形成及び脱離、粒度、所定の配向を得る或は保持する
ことに関する問題、並びに表面荒さについての容認し得
ない値を生じてきた。加えて、約1,000ASFにお
いて用いられるメッキ浴への添加剤の内の多くは、前記
の困難を適当に処理しない。
【0013】Pilavovのソ連国特許第1,60
6,539号は、モノエタノールアミン中で造られるホ
ルムアルデヒドと1、5−及び1、8−アミノナフチル
アレンスルホン酸との縮合コポリマーを含有するスチー
ルを電気亜鉛メッキするための弱酸性浴について記載し
ている。亜鉛メッキされたスチールは、慣用の浴から得
られるものに比べてわずかの延性の低下を示す。
【0014】ワタナベ等の米国特許第4,877,49
7号は、塩化亜鉛、塩化アンモニウム又は塩化カリウム
及び飽和カルボン酸ナトリウム又はカリウム塩を含有す
る酸性電気亜鉛メッキ用水溶液について記載している。
その組成物は、アノードスラッジの生成を抑制する。ツ
チダ等の米国特許第4,581,110号は、キレート
化剤で可溶化させた鉄を含有するアルカリ性浴から亜鉛
ー鉄合金を電気メッキする方法について記載している。
【0015】Strom等の米国特許第4,515,6
63号は、比較的低い濃度のホウ酸並びにヒドロキシル
基を少なくとも3つ及び炭素原子を少なくとも4つ含有
するポリヒドロキシ添加剤を含有する亜鉛及び亜鉛合金
を析出させるための酸性電気メッキ用水溶液について開
示している。
【0016】Paneccasioの米国特許第4,5
12,856号は、エトキシル化/プロポキシル化多価
アルコールを新規な結晶微細化剤として用いる亜鉛メッ
キ用溶液及び方法について開示している。Kohlの米
国特許第4,379,738号は、無水フタル酸誘導化
合物及びそれらの類似体にポリエトキシアルキルフェノ
ールを組み合わせたものをベースにした抗デンドライト
添加剤を含有する浴から亜鉛を電気メッキするための組
成物について開示している。
【0017】Arcilesiの米国特許第4,13
7,133号は、少なくとも一種の浴可溶性の置換され
た又は未置換のポリエーテル、芳香族又はヘテロ芳香族
基を含有する少なくとも一種の脂肪族不飽和酸及び少な
くとも一種の芳香族又はN−ヘテロ芳香族アルデヒドを
協同性(cooperating)添加剤として含有す
る酸性亜鉛電気メッキプロセス及び組成物について開示
している。
【0018】Hildering等の米国特許第3,9
60,677号は、カルボキシを末端基とするアニオン
性湿潤剤並びにフラン、チオフェン及びチアゾールをベ
ースにした複素環式光沢剤化合物を含む酸性亜鉛電気メ
ッキ浴について記載している。Dubrow等の米国特
許第3,957,595号は、均一電着性を向上させる
ためにポリ第四アンモニウム塩及びモノマー第四塩を含
有する亜鉛電気メッキ浴について記載している。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明は、関
連する技術の制限及び不利によるこれらやその他の問題
の内の一つ又はそれ以上を実質的に除去する方法及び組
成物を指向する。これらやその他の利点は、上述した従
来の方法及び組成物の制限及び不利の内の一つ又はそれ
以上を実質的に除去する方法及び物質組成物を提供する
本発明に従って得られる。発明の更なる特徴及び利点
は、下記の記述において説明することにし、一部下記の
記述から明らかになるものと思い、或は発明の実施によ
り学ぶことができよう。発明の目的及びその他の利点
は、特に記述及び特許請求の範囲において記載する方法
及び物質組成物によって実現されかつ得られることにな
る。
【0020】
【課題を解決するための手段】発明のこれらやその他の
利点を達成するためにかつ発明の目的に従い、発明は、
具体化しかつ広く記載する通りに、硫酸亜鉛水性酸性電
気亜鉛メッキコーティング浴から得られる亜鉛コーティ
ングの高電流密度デンドライト形成及びエッジ焼けを減
少させ、並びに高電流密度荒さ、粒度及び配向を調節す
るための高電流密度電気亜鉛メッキ方法及び物質組成物
を含む。その方法は、高分子ポリオキシアルキレングリ
コール及び抗デンドライト剤として作用するナフタレン
とホルムアルデヒドとのスルホン化縮合生成物を含む物
質組成物を浴に加えることによって行う。電流を、浴中
の亜鉛アノードから浴中の金属カソードに、カソード上
に亜鉛コーティングを析出させる程の時間通す。発明の
この態様において言う通りのHCDの高い電流密度と
は、約50〜約4,000ASF又はそれ以上、約10
0〜約3,500ASF、或は約300〜約3,000
ASF、特に約1,000〜約3,000ASFの電流
を含むことを意図する。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の組成物に関し、及び本発
明の方法に従って用いることができる硫酸亜鉛電気亜鉛
メッキコーティング浴は、通常、溶液1リットル当り約
0.4から約2.0モルのあたり、特に約1.2から約
1.7モルのあたりの硫酸亜鉛と溶液1リットル当り約
0.25から約1.5モルのあたり、特に約0.75か
ら約1.25モルのあたりの硫黄酸(本明細書以降に記
載する)の内の一種をベースにしたアルカリ金属塩との
混合物を含む。アルカリ金属は、第1A族金属の内のい
ずれか一種又はこれらの混合物、特にナトリウム又はカ
リウム、好ましくはカリウムにすることができる。
【0022】浴のpHは、約1.2から約3.2のあた
り、特に約1.5から約2.2のあたりにするのがよ
い。pHを調整するために、硫黄酸を浴に加えるのがよ
い。これらの酸は、当分野で良く知られており、とりわ
け硫酸、亜硫酸、発煙硫酸、チオ硫酸、二亜チオン酸、
メタ硫酸、二チオン酸、ピロ硫酸、或は過硫酸、等並び
にこれらの混合物、特に2成分又は3成分混合物を含
む。硫酸は、それが市販されていることから、好適であ
る。
【0023】浴は、温度約100°F 〜約170°F
(38°〜77℃)、特に約120°F 〜約150°F
(49°〜66℃)において作動させる。電気亜鉛メッ
キ方法は、これまでに記載した、金属基材、特にスチー
ル基材を、電流を電気亜鉛メッキコーティング浴に浸漬
した亜鉛アノードから浴中の金属カソードに、カソード
上に亜鉛コーティングを付着させる程の時間通すことに
よって被覆するための条件下でかつ様式で行う。
【0024】発明の物質組成物を浴に、得られる亜鉛コ
ーティングの高電流密度デンドライト形成及びエッジ焼
けを減少させ、並びに高電流密度荒さ、粒度及び配向を
調節するために加える。物質組成物は、結晶微細化剤と
して用いる高分子ポリオキシアルキレングリコール、及
び抗デンドライト剤とし用いるナフタレンとホルムアル
デヒドとのスルホン化縮合生成物を含む。
【0025】高分子ポリオキシアルキレングリコール
は、約0.025から約1.0gm/リットルのあた
り、特に約0.05から約0.2gm/リットルのあた
りの量で用いる。高分子ポリオキシアルキレングリコー
ルは、分子量約2,000〜約9,500、特に約6,
500〜約9,000を有するものを含む意図である。
【0026】抗デンドライト剤とし用いるナフタレンと
ホルムアルデヒドとのスルホン化縮合生成物は、約0.
025から約1.0gm/リットルのあたり、特に約
0.05から約0.2gm/リットルのあたりの量で用
いる。高分子ポリオキシアルキレングリコール対ナフタ
レンとホルムアルデヒドとのスルホン化縮合生成物との
比は、約1.5:1から約1:1.5あたり、特に約
1.2:1から約1:1.2のあたりである。
【0027】前述の量は、電気亜鉛メッキコーティング
浴に加える前の物質組成物の種々の成分の量を含む。こ
の物質組成物をこのコーティング浴に加える場合、それ
は、液、好ましくは水中の溶液或は分散液として、組成
物がコーティング浴中に、浴中の亜鉛のモル量を基準に
して約50〜約200ppm、特に約75〜約125p
pmの量で存在するように加えるのが好ましい。
【0028】使用するグリコールは、低級アルキレンオ
キシド、例えば炭素原子2〜約4を有するそれらのアル
キレンオキシドをベースにし、それらのポリマーばかり
でなく、またエチレンとプロピレンオキシド及び/又は
ブチレンオキシドとのコポリマーのようなコポリマーも
含む。コポリマーは、ランダムコポリマーでも或はブロ
ックコポリマーでもよく、ブロックコポリマーの反復単
位はヘテリック(heteric)もしくはブロック、
或は当分野で知られているこれらの反復単位の種々の組
合せである。ポリオキシアルキレングリコールは、ポリ
エチレングリコール或は本明細書中に記載する通りのそ
れの種々のコポリマー、及び特に分子量約2,000〜
約9,500を有するポリエチレングリコール、好まし
くは平均分子量約8,000を有するポリエチレングリ
コールを含むのが好ましい。これらの化合物は、Uni
on Carbide Corporationにより
販売されるCABOWAX(登録商標) PEG 40
00(分子量3,000〜3,700)、PEG 60
00(分子量6,000〜7,000)及びPEG80
00を含む。
【0029】本明細書中で用いる通りの分子量及び平均
分子量なる用語は、重量平均分子量を意味することを意
図する。一実施態様では、ポリオキシアルキレングリコ
ールは、作業温度において実質的に水溶性であるのが好
ましく、ポリオキシアルキレングリコールエーテルの全
ブロック、ブロック−ヘテリック、ヘテリック−ブロッ
ク或はヘテリック−ヘテリックブロックコポリマー(ア
ルキレン単位は炭素原子2〜約4を有する)にすること
ができ、疎水性及び親水性ブロック(各々のブロック
は、少なくともオキシエチレン基もしくはオキシプロピ
レン基或はこれらの基の混合物をベースにする)を含有
する界面活性剤を含んでもよい。また、コポリマーとホ
モポリマーとの混合物、特に2或は3成分混合物を用い
てもよい。
【0030】利用可能な種々のポリエーテル−ポリオー
ルブロックコポリマーの内で、好適な物質は、界面活性
剤の場合、疎水性及び親水性ブロックを含有し、各々の
ブロックは、少なくともオキシエチレン基もしくはオキ
シプロピレン基或はこれらの基の混合物をベースにする
のが好ましいポリオキシアルキレングリコールエーテル
を含む。
【0031】これらの物質を得る最も一般的な方法は、
エチレンオキシドのようなアルキレンオキシドと少なく
とも1つの反応性水素を含有する物質とを反応させるこ
とによる。別のルートは、活性な水素物質と予備成形し
たポリグリコールとを反応させること或はアルキレンオ
キシドの代わりにエチレンクロロヒドリンを使用するこ
とを含む。反応する活性な水素物質は、少なくとも1つ
の活性な水素、好ましくはアルコール、随意に酸、アミ
ド、メルカプタン、アルキルフェノール、等を含有しな
ければならない。第一級アミンを同様に用いることがで
きる。
【0032】特に好適な物質は、ブロック重合技術によ
って得られるものである。モノマー供給及び反応条件を
注意深く調節することにより、親水性−親油性バランス
(HLB)、湿潤及びフォーミング力のような特性を正
確にかつ再現可能に調節することができる一連の化合
物、例えば界面活性剤を調製することができる。初期ポ
リマーブロックを形成する際に用いる初期成分の化学的
性質は、物質の種別を決めるのが普通である。初期成分
は、疎水性である必要はない。界面活性剤の場合、疎水
性は2つのポリマーブロックの内の1つに由来すること
になる。第一ポリマーブロックを形成する際の初期成分
の化学的性質は、物質の種別を決めるのが普通である。
典型的な出発原料或は初期成分は、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノール、等のような一価アル
コール、並びにグリコール、グリセロールのような二価
物質、それより高級なポリオール、エチレンジアミン、
等を含む。
【0033】界面活性剤である、本発明のこの態様を実
施するために適した種々のクラスの物質は、Schmo
lkaにより「Non−Ionic Surfacta
nts」、Surfactant Science S
eries 2巻、Schick,M.J.編集、ニュ
ーヨーク在Marcel Dekker, Inc.、
1967、第2章に記載されており、同文献を本明細書
中に援用する。
【0034】第一のかつ最も簡単なコポリマーは、各々
のブロックが均質である、すなわち調製の各々の工程の
間に単一のアルキレンオキシドをモノマー供給において
用いるものである。そのような物質は、全−ブロックコ
ポリマーと呼ばれる。次のクラスは、ブロック−ヘテリ
ック及びヘテリック−ブロックと呼ばれるものであり、
これらでは、分子の一部が単一のアルキレンオキシドで
構成され、他はかかる物質の二種又はそれ以上の混合物
であり、それらの内の一種は分子の均質なブロック部分
と同じものでもよい。そのような物質を調製する際に、
分子のヘテロ部分は全くランダムになる。これらのコポ
リマーの性質は、純のブロックコポリマーの性質と完全
に異なるものになる。他のクラスは、異なる反復単位の
調製における両工程が、アルキレンオキシドの混合物を
加えることを伴うものであり、ヘテリック−ヘテリック
ブロックコポリマーと規定される。
【0035】ブロックコポリマーは、一価アルコール、
酸、メルカプタン、第二級アミン或はN−置換されたア
ミドのような一官能価出発原料により代表される。その
ような物質は、通常下記式によって例示することができ
る: I−[Am −Bn ]x 式中、Iは前記した通りの出発原料分子である。A部分
は、アルキレンオキシド単位を含み、その内の少なくと
も1つの水素はアルキル基或はアリール基で置換されて
もよい反復単位であり、mは重合度であり、通常約6よ
り大きい。B成分は、オキシエチレンのような他の反復
単位であり、nは、再び重合度である。xの値はIの官
能価である。すなわち、Iが一官能価のアルコール或は
アミンである場合、xは1であり;Iが、ジオール(例
えば、プロピレングリコール)のような多官能価出発原
料である場合、xは、Pluronic(登録商標)界
面活性剤の場合のように、2である。Iが、エチレンジ
アミンのような四官能価出発原料である場合、xは、T
etronic(登録商標)界面活性剤の場合のよう
に、4になる。このタイプの好適なコポリマーは、ポリ
オキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロックコポリ
マーである。
【0036】多官能価出発原料は、また、均質なブロッ
クコポリマーを調製するのに、用いてもよい。ブロック
−ヘテリック及びヘテリック−ブロック物質において、
Aか或はBのいずれかは、オキシドの混合物になり、残
りのブロックは均質なブロックになる。コポリマーが界
面活性剤である場合、一方のブロックは疎水性物質にな
り、他方は親水性物質になり、2つのポリマー単位の内
のどちらも、水可溶化単位として働くことになるが、特
性は、どれが使用されるかに応じて異なることになる。
多官能価出発原料は、また、このタイプの物質において
も用いることができる。
【0037】ヘテリック−ヘテリックブロックコポリマ
ーは、本質的に前に検討したのと同じ方法で調製し、主
たる差異は、各々の工程におけるアルキレンオキシド用
のモノマー原料を二種又はそれ以上の物質の混合物で構
成することである。従って、ブロックは、モノマー原料
のランダムコポリマーになる。界面活性剤の場合、溶解
性は、潜在的に水溶性の物質と水不溶性の物質との相対
的な比によって決められることになる。
【0038】本発明に従って用いるポリオキシアルキレ
ングリコールエーテルブロックコポリマーの平均分子量
は、約2,000〜約9,500、特に約2,000〜
約8,500である。A反復単位対B反復単位の重量比
もまた、約0.4:1〜約2.5:1、特に約0.6:
1〜約1.8:1、好ましくは約0.8:1〜約1.
2:1の範囲になる。
【0039】一実施態様では、これらのコポリマーは、
下記の一般式を有する: RX(CH2 CH2 O)n H 式中、Rは、平均分子量約500〜約8,000、好ま
しくは約1,000〜約6,000、特に約1,200
〜約5,000を有し、Rは、通常、典型的な界面活性
疎水性基であるが、また、ポリオキシエチレン基、ポリ
オキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基或はこれら
の基の混合物のようなポリエーテルでもよい。上記の式
において、xは、酸素或は窒素或はポリオキシエチレン
鎖を疎水性物質に結合することができる別の官能価のい
ずれかである。ほとんどの場合、反復単位におけるオキ
シエチレン単位の平均数であるnは、約5或は約6より
大きくなければならない。これは、特に、物質を有用に
させる程の水溶性を付与することを所望する場合であ
る。
【0040】ポリオキシアルキレングリコールエーテル
は、好適な非イオン性ポリエーテル−ポリオールブロッ
ク−コポリマーである。しかし、発明において有用なそ
の他の非イオン性ブロック−コポリマーは、下記を出発
原料として使用する改質ブロック−コポリマーにするこ
とができる:(a)アルコール、(b)脂肪酸、(c)
アルキルフェノール誘導体、(d)グリセロール及びそ
の誘導体、(e)脂肪アミン、(f)1,4−ソルビタ
ン誘導体、(g)ヒマシ油及びその誘導体、並びに
(h)グリコール誘導体。
【0041】抗デンドライト剤として用いる好適なナフ
タレンとホルムアルデヒドとのスルホン化縮合生成物
は、BLANCOL(登録商標)−Nを含む。BLAN
COL−Nの均等物は、メトキシル化スルホネートであ
るTAMOL(登録商標)−Nである。発明の組成物
は、本明細書中で規定する通りの、特に約1500〜約
3000ASFの高い電流密度においてデンドライト形
成及びエッジ焼けを減少させるのに特に有効である。
【0042】その組成物を、下記の通りに硫酸亜鉛溶液
を含有するメッキ用セルにおいて評価した: Zn 90〜100g/L CABOWAX 8000 0.1gm/リットル BLANCOL−N 0.1gm/リットル pH1.5;60℃;52a/dm2 (500A/F
2 ) 溶液流れ:乱流 本発明の組成物を、セル中の硫酸亜鉛溶液に、溶液中に
存在するZnのモル量を基準にして組成物の各々の成分
を100ppmの量で加えた。デンドライトは形成され
ず、これらのコーティング条件においてエッジ焼けの相
当の減少が観測された。
【0043】亜鉛の合金は、また、上記の配合物をコー
ティング浴への添加剤として用いて、析出させてもよ
い。ニッケル合金は、亜鉛タイプの防食コーティングに
おいて用いられる最も一般的な亜鉛の合金であり、これ
らのタイプの合金コーティングの調製もまた本発明の範
囲内である。ニッケルの外のその他の第VIII族金属
のいずれもこれに関して用いることができ、コバルトを
含む。Cr又はMnとの亜鉛合金もまたメッキすること
ができる。第VIII族及び/又は第IIB族又はCr
又はMnからの合金用金属の混合物、特に2成分或は3
成分合金もまた調製することができ、この場合、合金用
金属をコーティング中に、約0.1から約20重量%あ
たり、特に約5から約15重量%あたりの量で存在させ
る。
【0044】合金は、合金金属をコーティング浴の中に
当分野で良く知られている様式でアノードとしてか或は
合金用金属の塩をコーティング浴に加えることによるか
のいずれかで装入することにより調製する。
【0045】例は、電気亜鉛メッキ方法を、スチール基
材上に行う方法として記載するが、純金属であろうと或
は金属合金であろうと任意の導電性金属基材を用いてよ
く、かかる金属基材はその他の鉄−合金基材或は第I
B、IIB、IIIA、IVA、IVB、VA、VB、
VIBもしくはVIIB族をベースにした金属もしくは
合金を含み、合金は、これらの金属の内の二種又はそれ
以上の組合せ、特に金属の2又は3又は4成分の組合せ
を含む。合金用金属は、基材中に約0.1から約20重
量%あたり、特に約5から約15重量%あたりの量で存
在させる。
【0046】当業者ならば、発明の組成物及び方法に、
種々の変更態様及び変更を発明の精神或は範囲から逸脱
しないでなし得ることを認めるものと思う。本発明のこ
れらの変更態様及び変更は、特許請求の範囲の記載及び
それらの均等の範囲内に入る限り、発明の一部として含
む意図である。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 硫酸亜鉛水性酸性電気亜鉛メッキコーテ
    ィング浴から得られる亜鉛コーティングの高電流密度デ
    ンドライト形成及びエッジ焼けを減少させ、並びに高電
    流密度荒さ、粒度及び配向を調節する方法であって、下
    記:高分子ポリオキシアルキレングリコールホモポリマ
    ー或はコポリマー結晶微細化剤を含むグリコール化合
    物、及び抗デンドライト剤としてのナフタレンとホルム
    アルデヒドとのスルホン化縮合生成物を含む物質組成物
    を該浴に加え、電流を該浴中の亜鉛アノードから該浴中
    の金属カソードに亜鉛コーティングを該カソードに析出
    させるのに十分な時間通すことを含む方法。
  2. 【請求項2】 前記電流密度が100〜3,000AS
    Fである請求項1の方法。
  3. 【請求項3】 前記グリコール化合物が分子量2,00
    0〜9,500を有する請求項1の方法。
  4. 【請求項4】 前記コポリマーが、エチレンオキシドを
    ベースにしたランダムコポリマー或はブロックコポリマ
    ーである請求項3の方法。
  5. 【請求項5】 前記グリコール化合物が、分子量2,0
    00〜9,500を有するポリエチレングリコールを含
    む請求項1の方法。
  6. 【請求項6】 前記ポリエチレングリコールが分子量
    8,000を有する請求項5の方法。
  7. 【請求項7】 下記:高分子ポリオキシアルキレングリ
    コールホモポリマー或はコポリマーを含むグリコール化
    合物、及び抗デンドライト剤としてのナフタレンとホル
    ムアルデヒドとのスルホン化縮合生成物を含む硫酸亜鉛
    水性酸性電気亜鉛メッキコーティング浴から得られる亜
    鉛コーティングの高電流密度デンドライト形成及びエッ
    ジ焼けを減少させ、並びに高電流密度荒さ、粒度及び配
    向を調節するための物質組成物。
  8. 【請求項8】 前記グリコールが、炭素原子2〜4を有
    するアルキレンオキシドのポリマー或はコポリマーを含
    み、該グリコール化合物は、分子量2,000〜9,5
    00を有する請求項7の組成物。
  9. 【請求項9】 前記コポリマーが、エチレンオキシドを
    ベースにしたランダムコポリマー或はブロックコポリマ
    ーである請求項8の組成物。
  10. 【請求項10】 前記グリコール化合物が、分子量2,
    000〜9,500を有するポリエチレングリコールを
    含む請求項7の物質組成物。
  11. 【請求項11】 前記高分子ポリエチレングリコールが
    分子量8,000を有する請求項10の物質組成物。
  12. 【請求項12】 高分子ポリオキシアルキレングリコー
    ルホモポリマー或はコポリマーを含むグリコール化合
    物、及び抗デンドライト剤としてのナフタレンとホルム
    アルデヒドとのスルホン化縮合生成物を含む硫酸亜鉛水
    性酸性電気亜鉛メッキコーティング浴を含む、亜鉛コー
    ティングの高電流密度デンドライト形成及びエッジ焼け
    を減少させ、並びに高電流密度荒さ、粒度及び配向を調
    節するための物質組成物。
  13. 【請求項13】 前記グリコールが、炭素原子2〜4を
    有するアルキレンオキシドのポリマー或はコポリマーを
    含み、該グリコール化合物は、分子量2,000〜9,
    500を有する請求項12の組成物。
  14. 【請求項14】 前記コポリマーが、エチレンオキシド
    をベースにしたランダムコポリマー或はブロックコポリ
    マーである請求項13の組成物。
  15. 【請求項15】 前記グリコール化合物が、分子量2,
    000〜9,500を有するポリエチレングリコールを
    含む請求項12の物質組成物。
  16. 【請求項16】 前記ポリエチレングリコールが分子量
    8,000を有する請求項15の物質組成物。
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