JPH08248427A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JPH08248427A JPH08248427A JP8075495A JP8075495A JPH08248427A JP H08248427 A JPH08248427 A JP H08248427A JP 8075495 A JP8075495 A JP 8075495A JP 8075495 A JP8075495 A JP 8075495A JP H08248427 A JPH08248427 A JP H08248427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- circuit
- liquid crystal
- active matrix
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 158
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 141
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 86
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 67
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 6
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
駆動が行われる液晶表示装置の、信頼性および耐久性向
上のための構成に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure for improving reliability and durability of a liquid crystal display device in which active matrix driving is performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２に、従来の液晶表示装置の例を示
す。従来のアクティブマトリクス駆動型液晶表示装置
は、図２に示すように、第１の基板２０１上に設けられ
たアクティブマトリクス回路２０５と、一面に対向電極
が設けられた第２の基板（対向基板）２０２とが、第１
の基板２０１上に散布されたスペーサ（図示せず）を介
して、対向して設けられ、両基板間に液晶材料２０６が
充填され、該液晶材料は、シール材２０７により封止さ
れている。アクティブマトリクス回路２０５は、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）が接続された画素電極が、複数マ
トリクス状に配置されている。第１の基板２０１上の、
第２の基板２０５と対向する領域の外側には、アクティ
ブマトリクス回路２０５を駆動するための周辺駆動回路
として、ソースドライバー回路２０３、ゲイトドライバ
ー回路２０４が設けられている。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows an example of a conventional liquid crystal display device. As shown in FIG. 2, a conventional active matrix drive type liquid crystal display device includes an active matrix circuit 205 provided on a first substrate 201 and a second substrate (opposing substrate) provided with an opposing electrode on one surface. 202 is the first
Are provided so as to face each other with spacers (not shown) scattered on the substrate 201, and a liquid crystal material 206 is filled between the two substrates, and the liquid crystal material is sealed by a sealing material 207. In the active matrix circuit 205, a plurality of pixel electrodes to which thin film transistors (TFTs) are connected are arranged in a matrix. On the first substrate 201,
A source driver circuit 203 and a gate driver circuit 204 are provided outside the region facing the second substrate 205 as peripheral driving circuits for driving the active matrix circuit 205.
【０００３】このような液晶表示装置においては、周辺
駆動回路への水分やゴミ、不純物等の進入を防止するた
めに、樹脂や、ＳｉＮ（窒化珪素）系の物質からなる保
護膜２０８を、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジス
タ上に形成する必要があった。しかしなから、このよう
な保護膜を用いた場合、該保護膜による応力が、周辺駆
動回路を構成する薄膜トランジスタに対して作用して、
薄膜トランジスタを構成するシリコン部において再結合
中心が劣化し、薄膜トランジスタのスレッシュホールド
電圧などの諸特性を変化させてしまった。In such a liquid crystal display device, in order to prevent water, dust, impurities and the like from entering the peripheral drive circuit, a protective film 208 made of resin or SiN (silicon nitride) -based material is provided around the periphery. It was necessary to form it on the thin film transistor that constitutes the driving circuit. However, when such a protective film is used, the stress due to the protective film acts on the thin film transistor forming the peripheral drive circuit,
The recombination center is deteriorated in the silicon portion forming the thin film transistor, and various characteristics such as the threshold voltage of the thin film transistor are changed.
【０００４】このような問題を解決するために、図３に
示す構造が考えられている。図３は、従来の液晶表示装
置の他の構成を示す。図３において、第１の基板３０１
上に設けられたアクティブマトリクス回路３０２、ソー
スドライバー回路３０３、ゲイトドライバー回路３０４
と、一面に対向電極が設けられた第２の基板（対向基
板）３０５とが、第１の基板３０１上に散布されたスペ
ーサ（図示せず）を介して対向して設けられ、両基板間
に液晶材料３０６が充填され、該液晶材料は、シール材
３０７により封止されている。図３の構成は、アクティ
ブマトリクス回路だけでなく、周辺駆動回路であるソー
スドライバー回路やゲイトドライバー回路をも、対向基
板と対向させ、液晶材料に接するようにし、前述のよう
な保護膜は設けられない。すなわち、液晶材料により、
周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタが保護されて
いる。この構成は、例えば、特開平５−６６４１３号公
報に示されている。In order to solve such a problem, a structure shown in FIG. 3 has been considered. FIG. 3 shows another structure of a conventional liquid crystal display device. In FIG. 3, the first substrate 301
Active matrix circuit 302, source driver circuit 303, gate driver circuit 304 provided above
And a second substrate (counter substrate) 305 having a counter electrode provided on one surface thereof are provided so as to face each other through spacers (not shown) scattered on the first substrate 301. Is filled with a liquid crystal material 306, and the liquid crystal material is sealed by a sealant 307. In the configuration of FIG. 3, not only the active matrix circuit but also the peripheral driver circuits such as the source driver circuit and the gate driver circuit are made to face the counter substrate so as to be in contact with the liquid crystal material, and the protective film as described above is provided. Absent. That is, depending on the liquid crystal material,
The thin film transistors forming the peripheral drive circuit are protected. This configuration is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-66413.
【０００５】[0005]
【従来技術の問題点】液晶表示装置は、２枚の基板間隔
を維持するために、基板間に球状や棒状、角状などの形
状を有し、シリカ等の硬質材料よりなるスペーサが均一
に散布されている。スペーサは、基板間隔と同じ大きさ
の直径を有し、その大きさは、ネマチック液晶を用いた
液晶表示装置においては、３μｍ〜８μｍ、スメクチッ
ク液晶を用いた液晶表示装置においては、１μｍ〜４μ
ｍ程度である。また、その数は、１つの画素の大きさ
を、数１０μｍ□〜数１００μｍ□として、１画素あた
り、５０個〜１０００個程度である。ところで、アクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置において、アクティブ
マトリクス回路全体の面積のうち、画素電極がその殆ど
のを占めている。また、画素スイッチング用の薄膜トラ
ンジスタは、多い場合でも各画素電極に２つ程度しか設
けられておらず、その大きさも、画素電極に比較しては
るかに小さい。したがって、アクティブマトリクス回路
全体のうち、ため、スイッチング用の薄膜トランジスタ
が占める面積は、極めて僅かである。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device has a spherical shape, a rod shape, a square shape or the like between the substrates in order to maintain a space between the two substrates, and a spacer made of a hard material such as silica is evenly formed. It has been sprayed. The spacer has a diameter that is the same as the distance between the substrates. The size of the spacer is 3 μm to 8 μm in a liquid crystal display device using nematic liquid crystal, and 1 μm to 4 μm in a liquid crystal display device using smectic liquid crystal.
m. The number is about 50 to 1000 per pixel, where the size of one pixel is several 10 μm □ to several 100 μm □. In the active matrix type liquid crystal display device, the pixel electrode occupies most of the total area of the active matrix circuit. Further, even if there are many pixel switching thin film transistors, only about two are provided for each pixel electrode, and the size thereof is much smaller than that of the pixel electrode. Therefore, the area occupied by the switching thin film transistors in the entire active matrix circuit is extremely small.
【０００６】一方、ソースドライバー回路や、ゲイトド
ライバー回路といった、周辺駆動回路は、多数の薄膜ト
ランジスタが極めて密に設けられている。したがって、
図２の液晶表示装置のように、液晶領域（液晶材料が充
填されている領域）の外側に周辺駆動回路が設けられて
いる場合には、何ら問題はなかったのであるが、図３
の、液晶領域内に周辺駆動回路が設けられている場合に
おいて、基板間のスペーサにより、周辺駆動回路が破壊
されるてしまうことがあった。On the other hand, in the peripheral driver circuit such as the source driver circuit and the gate driver circuit, a large number of thin film transistors are arranged extremely densely. Therefore,
When the peripheral drive circuit is provided outside the liquid crystal region (the region filled with the liquid crystal material) as in the liquid crystal display device of FIG. 2, there was no problem.
However, when the peripheral drive circuit is provided in the liquid crystal region, the peripheral drive circuit may be destroyed by the spacer between the substrates.
【０００７】図４に、図３のＢ−Ｂ’断面図を示す。図
３の液晶表示装置の場合、図４に示すように、基板が外
力４０１により押圧された場合に、基板が変形し、周辺
駆動回路（ここではゲイトドライバー回路３０４）上に
散布されていたスペーサが、周辺駆動回路を構成してい
る薄膜トランジスタを破壊してしまうことあった。その
結果、周辺駆動回路が正常に動作せず、表示に線欠陥、
点欠陥が生じたり、表示が不可能となってしまうことが
あり、装置の信頼性、耐久性を低下させていた。また、
仮りに、周辺駆動回路の上のスペーサを設けない場合、
こんどは、基板の押圧により基板が変形するために、基
板に強い押圧が加わった場合、基板に潰されて周辺駆動
回路が破壊されてしまう恐れがあった。FIG. 4 shows a sectional view taken along the line BB 'of FIG. In the case of the liquid crystal display device of FIG. 3, as shown in FIG. 4, when the substrate is pressed by the external force 401, the substrate is deformed and the spacers dispersed on the peripheral drive circuit (here, the gate driver circuit 304) are distributed. However, the thin film transistor forming the peripheral drive circuit may be destroyed. As a result, the peripheral drive circuit does not operate normally, and line defects in the display,
In some cases, point defects may occur or display may not be possible, which reduces the reliability and durability of the device. Also,
If the spacer above the peripheral drive circuit is not provided,
Since the substrate is deformed by pressing the substrate, there is a possibility that the peripheral driving circuit may be destroyed by being crushed by the substrate when a strong pressure is applied to the substrate.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶領域内
にアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが設けら
れている液晶表示装置において、基板押圧による周辺駆
動回路および周辺駆動回路を構成している薄膜トランジ
タの破壊を防ぎ、装置の信頼性および耐久性の向上を図
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention constitutes a peripheral drive circuit and a peripheral drive circuit by pressing a substrate in a liquid crystal display device in which an active matrix circuit and a peripheral drive circuit are provided in a liquid crystal region. The purpose is to prevent the destruction of the thin film transistor and improve the reliability and durability of the device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の構成の一つは、アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板と、前記第１
の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記アクティ
ブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向する大きさ
を有する、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板
との間の、少なくとも前記アクティブマトリクス回路上
および周辺駆動回路上に充填された、液晶材料と、を少
なくとも有する液晶表示装置であって、前記アクティブ
マトリクス回路と周辺駆動回路との間の領域に、柱状ス
ペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示装置
である。In order to solve the above problems, one of the configurations of the present invention is a first substrate provided with an active matrix circuit and a peripheral drive circuit, and the first substrate.
Between the first substrate and the second substrate and at least the second substrate which is provided so as to face the substrate and has a size facing at least the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device comprising at least a liquid crystal material filled in an active matrix circuit and a peripheral drive circuit, wherein a columnar spacer is provided in a region between the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device characterized by the above.
【００１０】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板
と、前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、
前記アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上および周辺駆動回路上に充填された、液晶
材料と、を少なくとも有する液晶表示装置であって、前
記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の領
域には、複数の柱状スペーサが設けられていることを特
徴とする液晶表示装置である。According to another aspect of the present invention, there is provided a first substrate on which an active matrix circuit and a peripheral drive circuit are provided, and the first substrate is provided so as to face the first substrate.
Filling at least the active matrix circuit and the peripheral drive circuit between the second substrate and the first and second substrates, each of which has a size facing the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. And a liquid crystal material, wherein a plurality of columnar spacers are provided in a region between the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. Is.
【００１１】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板
と、前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、
前記アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上および周辺駆動回路上に充填された、液晶
材料と、前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域
の周辺部に設けられた、シール材と、を少なくとも有す
る液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス回
路と周辺駆動回路との間の領域には、複数の柱状スペー
サが設けられており、前記シール材と、前記柱状スペー
サは、同一材料により形成されていることを特徴とする
液晶表示装置である。According to another aspect of the present invention, there is provided a first substrate provided with an active matrix circuit and a peripheral drive circuit, and the first substrate is provided so as to face the first substrate.
Filling at least the active matrix circuit and the peripheral drive circuit between the second substrate and the first and second substrates, each of which has a size facing the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device comprising at least a liquid crystal material, and a sealant provided in a peripheral portion of a region where the first substrate and the second substrate face each other, wherein the active matrix circuit and the peripheral portion are provided. The liquid crystal display device is characterized in that a plurality of columnar spacers are provided in a region between the drive circuit and the sealing material and the columnar spacers are formed of the same material.
【００１２】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、を少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス
回路と、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路
との間の領域には、柱状スペーサが設けられていること
を特徴とする液晶表示装置であるAnother aspect of the present invention is that a first substrate provided with an active matrix circuit, a peripheral drive circuit, and a redundant circuit of the peripheral drive circuit is provided so as to face the first substrate. At least between the second substrate and the first substrate and the second substrate having a size facing at least the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and the redundant circuit of the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device comprising at least a liquid crystal material filled in an active matrix circuit, a peripheral drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and the peripheral drive The liquid crystal display device is characterized in that a columnar spacer is provided in a region between the circuit and the redundant circuit.
【００１３】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、を少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス
回路と、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路
との間の領域には、複数の柱状スペーサが設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置である。According to another aspect of the present invention, a first substrate provided with an active matrix circuit, a peripheral drive circuit, and a redundant circuit of the peripheral drive circuit is provided so as to face the first substrate. At least between the second substrate and the first substrate and the second substrate having a size facing at least the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and the redundant circuit of the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device comprising at least a liquid crystal material filled in an active matrix circuit, a peripheral drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and the peripheral drive The liquid crystal display device is characterized in that a plurality of columnar spacers are provided in a region between the circuit and the redundant circuit.
【００１４】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、前記第１の基板
と第２の基板とが対向する領域の周辺部に設けられた、
シール材と、を少なくとも有する液晶表示装置であっ
て、前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路お
よび該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数
の柱状スペーサが設けられており、前記シール材と、前
記柱状スペーサは、同一材料により形成されていること
を特徴とする液晶表示装置である。According to another aspect of the present invention, a first substrate provided with an active matrix circuit, a peripheral drive circuit, and a redundant circuit of the peripheral drive circuit is provided so as to face the first substrate. At least between the second substrate and the first substrate and the second substrate having a size facing at least the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and the redundant circuit of the peripheral drive circuit. The liquid crystal material filled in the active matrix circuit, the peripheral drive circuit, and the redundant circuit of the peripheral drive circuit is provided in a peripheral portion of a region where the first substrate and the second substrate face each other,
A liquid crystal display device including at least a sealing material, wherein a plurality of columnar spacers are provided in a region between the active matrix circuit, a peripheral drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, In the liquid crystal display device, the sealing material and the columnar spacer are formed of the same material.
【００１５】[0015]
【作用】本発明は、液晶領域内に、アクティブマトリク
ス回路と、周辺駆動回路とが設けられた液晶表示装置に
おいて、アクティブマトリクス回路と、その周辺に設け
られたソースドライバー回路やゲイトドライバー回路と
いった周辺駆動回路、あるいはその冗長回路との間に、
柱状スペーサ、特に複数の柱状スペーサを設けること
で、基板押圧による、周辺駆動回路を構成する薄膜トラ
ンジスタの破壊を防ぐものである。According to the present invention, in the liquid crystal display device in which the active matrix circuit and the peripheral drive circuit are provided in the liquid crystal region, the active matrix circuit and the peripherals such as the source driver circuit and the gate driver circuit provided in the periphery of the active matrix circuit are provided. Between the drive circuit or its redundant circuit,
By providing the columnar spacers, particularly a plurality of columnar spacers, it is possible to prevent the thin film transistors forming the peripheral drive circuit from being destroyed by the pressing of the substrate.
【００１６】図１に、本発明による液晶表示装置の例を
示す。図１において、ガラスやプラスチック等の第１の
基板１０１に対向して、対向基板である第２の基板１０
２（図に明示されていない）が、対向電極を内側にして
設けられている。第１の基板１０１上には、アクティブ
マトリクス回路１０５と、該回路を駆動するための周辺
駆動回路として、ソースドライバー回路１０３、ゲイト
ドライバー回路１０４とが設けられている。第１の基板
１０１と、第２の基板１０２の間には、シール材１０７
が設けられ、図示しない液晶注入口より注入された、液
晶材料１０６が充填されている。ソースドライバー回路
１０３、ゲイトドライバー回路１０４といった周辺駆動
回路と、アクティブマトリクス回路１０５との間には、
シール材として、複数の柱状スペーサ１０８が、間隔を
開けて、点線状に設けられている。ビデオ信号その他表
示に必要な信号は、外部接続端子１０９を介して、周辺
駆動回路へ入力される。FIG. 1 shows an example of a liquid crystal display device according to the present invention. In FIG. 1, a second substrate 10 which is a counter substrate is opposed to a first substrate 101 such as glass or plastic.
2 (not explicitly shown) are provided with the counter electrode inside. On the first substrate 101, an active matrix circuit 105 and a source driver circuit 103 and a gate driver circuit 104 are provided as peripheral driving circuits for driving the circuit. A sealant 107 is provided between the first substrate 101 and the second substrate 102.
Is provided and is filled with the liquid crystal material 106 injected through a liquid crystal injection port (not shown). Between the peripheral drive circuits such as the source driver circuit 103 and the gate driver circuit 104 and the active matrix circuit 105,
As the sealing material, a plurality of columnar spacers 108 are provided in a dotted line shape at intervals. Video signals and other signals necessary for display are input to the peripheral drive circuit through the external connection terminal 109.
【００１７】図６に、図１のＡ−Ａ’断面図を示す。図
１、図６に示すように、ゲイトドライバー回路１０４
と、アクティブマトリクス回路１０５との間に、柱状ス
ペーサ１０８が設けられている。また、第１の基板１０
１と第２の基板１０２との間には、球状のスペーサ６０
２が、均一に散布されて、設けられている。本発明は、
柱状スペーサ１０８を設けることで、外力６０１の押圧
による基板の変形を抑え、ひいては基板押圧時の、スペ
ーサ６０２による周辺駆動回路を防ぐことができるもの
である。FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. As shown in FIGS. 1 and 6, the gate driver circuit 104
And the columnar spacer 108 is provided between the active matrix circuit 105 and the active matrix circuit 105. In addition, the first substrate 10
A spherical spacer 60 is provided between the first and second substrates 102.
2 are evenly distributed and provided. The present invention
By providing the columnar spacer 108, it is possible to suppress the deformation of the substrate due to the pressing of the external force 601, and to prevent the peripheral drive circuit by the spacer 602 when the substrate is pressed.
【００１８】アクティブマトリクス回路と同一基板上に
設けられた、ソースドライバー回路やゲイトドライバー
回路は、その幅が数ｍｍ以下程度であるので、液晶材料
封止用のシール材１０７から柱状スペーサ１０８までの
ドライバー回路を挟んだ間隔は、それと同程度である。
また、対向基板としては、ガラスや硬いプラスチックの
板が用いられ、基板の厚さは、通常０．７〜１．１ｍｍ
程度である。したがって、シール材１０７から柱状スペ
ーサ１０８までの間隔が、数ｍｍ程度であれば、周辺駆
動回路が設けられた領域の基板は、基板押圧による変形
は、ほんどんどない。よって、周辺駆動回路上にスペー
サが存在しても、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジ
スタの、基板押圧による破壊を防ぐことができる。ま
た、何らかの方法によって、周辺駆動回路上にスペーサ
を存在させない、または基板間にスペーサを存在させな
い構成とした場合においても、柱状スペーサにより、周
辺駆動回路が設けられている領域の基板間隔が維持され
るSince the width of the source driver circuit and the gate driver circuit provided on the same substrate as the active matrix circuit is about several millimeters or less, the sealing material 107 for sealing the liquid crystal material to the columnar spacer 108 is formed. The distance between the driver circuits is about the same.
A glass or hard plastic plate is used as the counter substrate, and the thickness of the substrate is usually 0.7 to 1.1 mm.
It is a degree. Therefore, if the distance from the seal material 107 to the columnar spacer 108 is about several millimeters, the substrate in the region where the peripheral drive circuit is provided is hardly deformed by pressing the substrate. Therefore, even if the spacer is present on the peripheral drive circuit, it is possible to prevent the thin film transistors forming the peripheral drive circuit from being destroyed by pressing the substrate. Even if the spacers are not present on the peripheral drive circuit or the spacers are not provided between the substrates by some method, the columnar spacers maintain the substrate spacing in the region where the peripheral drive circuit is provided. Ru
【００１９】図１において、柱状スペーサ１０８は、間
隔を開けて複数個設けられているが、これは、図示され
ていない注入口より液晶材料を注入する際に、周辺駆動
回路が設けられている領域にも、十分に液晶材料が充填
できるようにするためである。また、柱状スペーサ１０
８は、基板間隔を維持し、液晶材料の注入を妨げないも
のであれば、その数や大きさ、形状、材質は、任意であ
る。必ずしも複数個とする必要もない。大きさは、少な
くとも基板間に散布されているスペーサの直径より大き
い、幅、奥行を有している必要がある。また、その形状
は、個々に分離した柱状のみでなく、連続した壁状であ
ってもよい。代表的には、図１に示すような点線状に、
アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間に、数
個〜数１００個設け、個々の柱状スペーサの大きさは、
幅、奥行きそれぞれ、０．１〜数ｍｍ程度である。材質
としては、樹脂や、酸化珪素等の無機膜等が、主として
用いられる。柱状スペーサの配置や大きさを、アクティ
ブマトリクス回路による表示を妨げないようにすること
はいうまでもない。In FIG. 1, a plurality of columnar spacers 108 are provided at intervals, and a peripheral drive circuit is provided when a liquid crystal material is injected from an injection port (not shown). This is so that the region can be filled with the liquid crystal material sufficiently. In addition, the columnar spacer 10
The number 8, size, shape, and material of the materials 8 are arbitrary as long as the distance between the substrates is maintained and the injection of the liquid crystal material is not hindered. The number does not necessarily have to be plural. The size must have a width and a depth that are at least larger than the diameter of the spacers dispersed between the substrates. Further, the shape thereof is not limited to the individually separated columns, but may be a continuous wall shape. Typically, a dotted line as shown in FIG.
Several to several hundreds are provided between the active matrix circuit and the peripheral drive circuit, and the size of each columnar spacer is
Each of the width and the depth is about 0.1 to several mm. As the material, resin or an inorganic film such as silicon oxide is mainly used. It goes without saying that the arrangement and size of the columnar spacers should not interfere with the display by the active matrix circuit.
【００２０】また、柱状スペーサ１０８を、シール材１
０７と同一材料により設けてもよい。このようにする
と、スクリーン印刷法等により、柱状スペーサ１０８
を、シール材１０７と同時に形成することができ、作製
工程を簡略化できる。加えて、柱状スペーサを、双方の
基板に対し接着させることができるため、液晶表示装置
の強度を向上させ、基板変形を、より防ぐことが可能と
なる。Further, the columnar spacer 108 is attached to the sealing material 1.
It may be made of the same material as 07. In this way, the columnar spacers 108 are formed by the screen printing method or the like.
Can be formed simultaneously with the sealant 107, and the manufacturing process can be simplified. In addition, since the columnar spacers can be adhered to both substrates, the strength of the liquid crystal display device can be improved and the substrate deformation can be further prevented.
【００２１】以上のように、本発明は、液晶領域内に周
辺駆動回路が設けられた液晶表示装置において、基板の
押圧による、周辺駆動回路の破壊を防ぐことができ、か
つ基板間隔を保つことができる。ひいては、液晶表示装
置の信頼性および耐久性を向上させることができる。以
下に、本発明の実施例を示す。As described above, according to the present invention, in the liquid crystal display device in which the peripheral drive circuit is provided in the liquid crystal region, it is possible to prevent the peripheral drive circuit from being broken due to the pressing of the substrate and to keep the space between the substrates. You can As a result, the reliability and durability of the liquid crystal display device can be improved. Examples of the present invention will be shown below.
【００２２】[0022]
〔実施例１〕実施例１において、図１に示すアクティブ
マトリクス回路および周辺駆動回路を有する液晶表示装
置を得る作製工程について、図５を用いて説明する。図
５に、実施例１の作製工程を示す。図５において、図の
左側に周辺駆動回路のＴＦＴの作製工程を、右側にアク
ティブマトリクス回路のＴＦＴの作製工程を、それぞれ
示す。まず、石英基板またはガラス基板５０１上に、下
地酸化膜５０２として厚さ１０００Å〜３０００Åの酸
化珪素膜が形成される。この酸化珪素膜の形成方法とし
ては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ法
を用いればよい。[Embodiment 1] In Embodiment 1, a manufacturing process for obtaining a liquid crystal display device having the active matrix circuit and the peripheral driver circuit shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows the manufacturing process of the first embodiment. In FIG. 5, the left side of the drawing shows the manufacturing process of the TFT of the peripheral drive circuit, and the right side shows the manufacturing process of the TFT of the active matrix circuit. First, a silicon oxide film having a thickness of 1000 Å to 3000 Å is formed as a base oxide film 502 on a quartz substrate or a glass substrate 501. As a method of forming this silicon oxide film, a sputtering method in an oxygen atmosphere or a plasma CVD method may be used.
【００２３】次に、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法に
よって、アモルファスもしくは多結晶のシリコン膜が、
３００Å〜１５００Å、好ましくは５００Å〜１０００
Å形成される。そして、５００℃以上、好ましくは、７
００℃〜９５０℃の温度で熱アニールをおこない、シリ
コン膜が結晶化される。熱アニールによって結晶化させ
たのち、光アニールをおこなって、さらに結晶性を高め
てもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に、特開
平６−２４４１０３号公報、同６−２４４１０４号公報
に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶
化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。Next, an amorphous or polycrystalline silicon film is formed by plasma CVD or LPCVD.
300Å-1500Å, preferably 500Å-1000
Å formed. And 500 ° C. or higher, preferably 7
Thermal annealing is performed at a temperature of 00 ° C. to 950 ° C. to crystallize the silicon film. After crystallizing by thermal annealing, optical annealing may be performed to further enhance the crystallinity. Further, at the time of crystallization by thermal annealing, as described in JP-A-6-244103 and 6-244104, an element (catalyst element) that promotes crystallization of silicon such as nickel is added. You may.
【００２４】次に、シリコン膜をエッチング処理して、
島状の周辺駆動回路のＴＦＴの活性層５０３（Ｐチャネ
ル型ＴＦＴ用）、５０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ用）とマ
トリクス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層５０５が
形成される。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によ
って、厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁
膜５０６が形成される。ゲイト絶縁膜の形成方法として
は、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ
法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスと
して、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2 ）と
モンシラン（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。Next, the silicon film is subjected to an etching treatment,
Active layers 503 (for P-channel TFTs) and 504 (for N-channel TFTs) of the TFT of the island-shaped peripheral driving circuit and an active layer 505 of TFTs (pixel TFTs) of the matrix circuit are formed. Further, a gate insulating film 506 of silicon oxide having a thickness of 500 to 2000 Å is formed by a sputtering method in an oxygen atmosphere. A plasma CVD method may be used as a method for forming the gate insulating film. Plasma CVD
When the silicon oxide film is formed by the method, it is preferable to use dinitrogen monoxide (N 2 O) or oxygen (O 2 ) and monsilane (SiH 4 ) as the source gas.
【００２５】その後、厚さ２０００Å〜５μｍ、好まし
くは２０００Å〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電
性を高めるため微量の燐を含有する）が、ＬＰＣＶＤ法
によって基板全面に形成される。そして、これをエッチ
ングして、ゲイト電極５０７、５０８、５０９を形成す
る。（図５（Ａ）） その後、イオンドーピング法によって、全ての島状活性
層に、ゲイト電極をマスクとして自己整合的に、フォス
フィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして、燐が注入さ
れる。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子／ｃｍ2
する。この結果、弱いＮ型領域５１０、５１１、５１２
が形成される。（図５（Ｂ））Thereafter, a polycrystalline silicon film having a thickness of 2000Å to 5 μm, preferably 2000Å to 6000Å (containing a trace amount of phosphorus to enhance conductivity) is formed on the entire surface of the substrate by the LPCVD method. Then, this is etched to form gate electrodes 507, 508, and 509. (FIG. 5A) After that, phosphorus is injected into all the island-like active layers by ion doping in a self-aligned manner using the gate electrode as a mask and phosphine (PH 3 ) as a doping gas. The dose amount is 1 × 10 12 to 5 × 10 13 atoms / cm 2.
To do. This results in weak N-type regions 510, 511, 512.
Is formed. (Fig. 5 (B))
【００２６】次に、Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層５０３
を覆うフォトレジストのマスク５１３、および、画素Ｔ
ＦＴの活性層５０５のうち、ゲイト電極に平行にゲイト
電極５０９の端から３μｍ離れた部分までを覆うフォト
レジストのマスク５１４が形成される。そして、再び、
イオンドーピング法によって、フォスフィンをドーピン
グガスとして燐が注入される。ドーズ量は１×１０14〜
５×１０15原子／ｃｍ2 とする。この結果、強いＮ型領
域（ソース／ドレイン）５１５、５１６が形成される。
画素ＴＦＴの活性層５０５の弱いＮ型領域５１２のう
ち、マスク５１４に覆われていた領域５１７は、今回の
ドーピングでは燐が注入されないので、弱いＮ型のまま
となる。（図５（Ｃ））Next, the active layer 503 of the P-channel TFT.
Mask 513 of photoresist covering the pixel and the pixel T
A photoresist mask 514 is formed to cover the active layer 505 of the FT in parallel with the gate electrode up to a portion 3 μm away from the end of the gate electrode 509. And again,
Phosphorus is injected using phosphine as a doping gas by the ion doping method. Dose amount is 1 × 10 14 ~
It is 5 × 10 15 atoms / cm 2 . As a result, strong N-type regions (source / drain) 515 and 516 are formed.
Of the weak N-type region 512 of the active layer 505 of the pixel TFT, the region 517 covered with the mask 514 remains weak N-type because phosphorus is not implanted in this doping. (Fig. 5 (C))
【００２７】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層５０
４、５０５をフォトレジストのマスク５１８で覆い、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、イオンド
ーピング法により、島状領域５０３に硼素が注入され
る。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2 と
する。このドーピングでは、硼素のドーズ量が図５
（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成さ
れていた弱いＮ型領域５１０は強いＰ型領域５１９に反
転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソー
ス／ドレイン）５１５、５１６、強いＰ型領域（ソース
／ドレイン）５１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）５１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域５１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図５
（Ｄ））Next, the active layer 50 of the N-channel type TFT.
4, 505 are covered with a photoresist mask 518, and boron is implanted into the island region 503 by an ion doping method using diborane (B 2 H 6 ) as a doping gas. The dose amount is 5 × 10 14 to 8 × 10 15 atoms / cm 2 . In this doping, the dose of boron is as shown in FIG.
Since the dose of phosphorus in (C) is exceeded, the weak N-type region 510 previously formed is inverted to the strong P-type region 519. By the above doping, strong N-type regions (source / drain) 515 and 516, a strong P-type region (source / drain) 519, and a weak N-type region (low concentration impurity region) 517 are formed. In this embodiment, the width x of the low concentration impurity region 517 is about 3 μm. (Fig. 5
(D))
【００２８】その後、４５０〜８５０℃で０．５〜３時
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性が回復される。その後、全面に層間絶縁物
５２０として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜
が、厚さ３０００Å〜６０００Åに形成される。この層
間絶縁膜は、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素
膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁物５２０
がウェットエッチング法によってエッチング処理され、
ソース／ドレインにコンタクトホールが形成される。Thereafter, thermal annealing is performed at 450 to 850 ° C. for 0.5 to 3 hours to recover the damage caused by the doping, activate the doping impurities, and recover the crystallinity of silicon. After that, a silicon oxide film having a thickness of 3000 Å to 6000 Å is formed as an interlayer insulator 520 on the entire surface by a plasma CVD method. This interlayer insulating film may be a silicon nitride film or a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film. And the interlayer insulator 520
Is etched by the wet etching method,
Contact holes are formed in the source / drain.
【００２９】そして、スパッタ法によって、厚さ２００
０Å〜６０００Åのチタン膜を形成し、これがエッチン
グ処理され、周辺回路の電極・配線５２１、５２２、５
２３および画素ＴＦＴの電極・配線５２４、５２５が形
成される。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ１
０００Å〜３０００Åの窒化珪素膜５２６が、パッシベ
ーション膜として形成され、これをエッチングして、画
素ＴＦＴの電極５２５に達するコンタクトホールが形成
される。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００Å〜
１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜がエッ
チング処理され、画素電極５２７が形成される。このよ
うにして、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路
が、同一基板上に形成される。（図５（Ｅ））Then, a thickness of 200 is obtained by the sputtering method.
A titanium film of 0 Å to 6000 Å is formed, and this is etched, and electrodes / wirings 521, 522, 5 of the peripheral circuits
23 and the electrodes / wirings 524 and 525 of the pixel TFT are formed. Furthermore, by plasma CVD method, thickness 1
A silicon nitride film 526 of 000Å to 3000Å is formed as a passivation film, which is etched to form a contact hole reaching the electrode 525 of the pixel TFT. Finally, the thickness of the film formed by the sputtering method is 500Å ~
A 1500 Å ITO (indium tin oxide) film is etched to form a pixel electrode 527. In this way, the peripheral logic circuit and the active matrix circuit are formed on the same substrate. (Fig. 5 (E))
【００３０】次に、アクティブマトリクス表示装置の組
立工程を以下に説明する。ＴＦＴ基板・カラーフィルタ
基板は、各々表面処理に用いられたエッチング液、レジ
スト剥離液等の各種薬品が十分に洗浄される。次に配向
膜が、カラーフィルタ基板、及びＴＦＴ基板に付着され
る。配向膜材料には、ブチルセロソルブかＮ−メチルピ
ロリドンといった溶媒に、溶媒の約１０重量％のポリイ
ミドを溶解したものが用いられる。そして、ＴＦＴ基板
・カラーフィルタ基板の両基板に付着した配向膜を加熱
・硬化（ベーク）させる。その次に、配向膜の付着した
ガラス基板表面を毛足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイ
ヨン・ナイロン等の繊維）で一定方向に擦り、微細な溝
を作るラビング工程が行われる。Next, the process of assembling the active matrix display device will be described below. Each of the TFT substrate and the color filter substrate is sufficiently washed with various chemicals such as an etching solution and a resist stripping solution used for the surface treatment. Next, the alignment film is attached to the color filter substrate and the TFT substrate. As the material of the alignment film, a material such as butyl cellosolve or N-methylpyrrolidone in which about 10% by weight of the solvent is dissolved is used. Then, the alignment films attached to both the TFT substrate and the color filter substrate are heated and cured (baked). Then, a rubbing process is performed in which the glass substrate surface to which the alignment film is attached is rubbed in a certain direction with a buff cloth (fibers such as rayon and nylon) having a length of 2 to 3 mm to form fine grooves.
【００３１】その後、ＴＦＴ基板、もしくはカラーフィ
ルタ基板のいずれかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ
系等の球のスペーサが散布される。スペーサ散布の方式
としては、純水・アルコール等の溶媒にスペーサを混
ぜ、ガラス基板上に散布するウェット方式と、溶媒を一
切使用せずスペーサを散布するドライ方式がある。ここ
ではドライ式を用いた。After that, spherical spacers of polymer type, glass type, silica type or the like are sprinkled on either the TFT substrate or the color filter substrate. Spacer spraying methods include a wet method in which spacers are mixed with a solvent such as pure water or alcohol and sprayed on a glass substrate, and a dry method in which spacers are sprayed without using any solvent. The dry method was used here.
【００３２】その次に、柱状スペーサ、およびＴＦＴ基
板の外枠に設けられるシール材となる樹脂が塗布され
る。シール材および柱状スペーサの材料は、ここでは、
エポキシ樹脂とフェノール硬化剤をエチルセロソルブの
溶媒に溶かしたものが使用される。他に、アクリル系の
樹脂を用いてもよい。また熱硬化型でも紫外線硬化型で
あってもよい。スクリーン印刷法によって、ＴＦＴ基板
またはカラーフィルタ上に、シール材と柱状スペーサが
塗布形成される。柱状スペーサは、周辺駆動回路と、ア
クティブマトリクス回路の間に、ほぼ直線状に、複数
個、間隔を開けて設けられる。間隔を開けるのは、柱状
スペーサによって、周辺駆動回路部分への液晶材料の充
填が妨げられないようにするためである。Next, a resin serving as a sealing material provided on the columnar spacer and the outer frame of the TFT substrate is applied. The sealant and the material of the columnar spacer are
An epoxy resin and a phenol curing agent dissolved in a solvent of ethyl cellosolve are used. Alternatively, an acrylic resin may be used. Further, it may be a thermosetting type or an ultraviolet curing type. A sealing material and columnar spacers are applied and formed on the TFT substrate or the color filter by screen printing. A plurality of columnar spacers are provided between the peripheral drive circuit and the active matrix circuit in a substantially linear shape with a space therebetween. The space is provided so that the columnar spacers do not prevent the peripheral drive circuit portion from being filled with the liquid crystal material.
【００３３】シール材、および柱状スペーサが設けられ
たのち、２枚のガラス基板が貼り合わせられる。貼り合
わせ、硬化の方法としては、約１６０℃の高温プレスに
よって、約３時間で封止材および柱状スペーサを硬化す
る、加熱硬化方式とした。このようにして、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板を貼り合わせて形成されたアクテ
ィブマトリクス表示装置の、液晶注入口より液晶材料が
注入され、その後、エポキシ系樹脂で液晶注入口が封止
される。以上のようにして、アクティブマトリクス型の
液晶表示装置が作製される。本実施例では、シール材
と、柱状スペーサの形成を、同時に行ったが、別々に行
ってもよい。After the sealing material and the columnar spacers are provided, the two glass substrates are bonded together. The bonding and curing method was a heat curing method in which the sealing material and the columnar spacers were cured in about 3 hours by a high temperature press at about 160 ° C. In this way, the liquid crystal material is injected from the liquid crystal injection port of the active matrix display device formed by bonding the TFT substrate and the color filter substrate, and then the liquid crystal injection port is sealed with the epoxy resin. The active matrix type liquid crystal display device is manufactured as described above. In this embodiment, the sealing material and the columnar spacers are formed at the same time, but they may be formed separately.
【００３４】以上のようにして、図１に示す上面図を有
する液晶表示装置を得ることができた。本実施例で作製
した液晶表示装置は、周辺駆動回路も液晶領域内に設け
られているため、周辺駆動回路の上面にも液晶材料が存
在している。このため、周辺駆動回路の上に、従来の応
力の大きい保護膜を設けなくても、周辺駆動回路への不
純物や水分の侵入を防ぐことができた。さらに、液晶表
示装置は、周辺駆動回路が設けられている領域の基板を
押圧しても、何ら問題なく動作をし続けることができ
た。このように、極めて信頼性および耐久性の高い液晶
表示装置を得ることができた。As described above, the liquid crystal display device having the top view shown in FIG. 1 was obtained. In the liquid crystal display device manufactured in this embodiment, since the peripheral driver circuit is also provided in the liquid crystal region, the liquid crystal material is also present on the upper surface of the peripheral driver circuit. Therefore, it is possible to prevent impurities and moisture from entering the peripheral drive circuit without providing a conventional protective film having a large stress on the peripheral drive circuit. Furthermore, the liquid crystal display device could continue to operate without any problem even if the substrate in the area where the peripheral drive circuit was provided was pressed. Thus, a liquid crystal display device having extremely high reliability and durability could be obtained.
【００３５】〔実施例２〕実施例２は、実施例１の液晶
表示装置において、周辺駆動回路を冗長構成にした例を
示す。実施例２の液晶表示装置は、周辺駆動回路を冗長
構成とし、アクティブマトリクス回路と、冗長側の周辺
駆動回路との間にも、柱状スペーサを設けた以外は、実
施例１と、構成、作製工程とも同じである。図７に、実
施例２における液晶表示装置の上面図を示す。図７にお
いて、ガラスやプラスチック等の基板７０１に対向し
て、対向基板７０２（図に明示されていない）が対向電
極を内側にして設けられている。基板７０１上には、ア
クティブマトリクス回路７０５と、該回路を駆動するた
めの周辺駆動回路として、ソースドライバー回路７０
３、ゲイトドライバー回路７０４と、ソースドライバー
回路の冗長回路７０３’、ゲイトドライバー回路の冗長
回路７０４’とが設けられている。基板７０１、７０２
の間には、液晶材料７０６が充填され、シール材７０７
により封止されている。[Embodiment 2] Embodiment 2 shows an example in which the liquid crystal display device of Embodiment 1 has a redundant configuration of the peripheral drive circuit. The liquid crystal display device of the second embodiment has the same configuration and fabrication as the first embodiment except that the peripheral drive circuit has a redundant configuration and the columnar spacers are provided between the active matrix circuit and the redundant side peripheral drive circuit. The process is the same. FIG. 7 shows a top view of the liquid crystal display device in the second embodiment. In FIG. 7, a counter substrate 702 (not shown in the drawing) is provided so as to face a substrate 701 made of glass, plastic, or the like with a counter electrode inside. On the substrate 701, an active matrix circuit 705 and a source driver circuit 70 as a peripheral drive circuit for driving the circuit are formed.
3, a gate driver circuit 704, a source driver circuit redundant circuit 703 ', and a gate driver circuit redundant circuit 704' are provided. Substrates 701 and 702
A liquid crystal material 706 is filled between them, and a sealing material 707 is provided.
It is sealed by.
【００３６】ソースドライバー回路７０３、ゲイトドラ
イバー回路７０４等の周辺駆動回路、およびその冗長回
路７０３’、７０４’と、アクティブマトリクス回路７
０５との間には、複数の柱状スペーサ７０８が、間隔を
開けて設けられている。ビデオ信号その他表示に必要な
信号は、外部接続端子７０９を介して、周辺駆動回路へ
入力される。冗長の周辺駆動回路７０３’、７０４’
は、周辺駆動回路７０３、７０４のいずれかまたは双方
に不良が発生した場合に利用される。Peripheral drive circuits such as the source driver circuit 703 and the gate driver circuit 704, their redundant circuits 703 'and 704', and the active matrix circuit 7 are provided.
A plurality of columnar spacers 708 are provided at a distance from each other. Video signals and other signals necessary for display are input to the peripheral driver circuit through the external connection terminal 709. Redundant peripheral drive circuits 703 'and 704'
Is used when a defect occurs in either or both of the peripheral drive circuits 703 and 704.
【００３７】図７に示す液晶表示装置は、一対の基板間
に、必要とする回路がすべて収められており、それら回
路の全てが液晶材料により封止、保護されている。それ
に加えて、図７に示す液晶表示装置は、周辺駆動回路お
よびその冗長回路が設けられている領域の基板を押圧し
ても、何ら問題なく動作をし続けることができた。した
がって、極めて高い信頼性および耐久性を得ることがで
きた。In the liquid crystal display device shown in FIG. 7, all necessary circuits are housed between a pair of substrates, and all of these circuits are sealed and protected by a liquid crystal material. In addition, the liquid crystal display device shown in FIG. 7 was able to continue operating without any problem even if the substrate in the region where the peripheral drive circuit and its redundant circuit were provided was pressed. Therefore, extremely high reliability and durability could be obtained.
【００３８】実施例２においては、柱状スペーサを、ア
クティブマトリクス回路の周りに設けたが、周辺駆動回
路上、およびアクティブマトクリス回路上に、液晶材料
を充填することができれば、アクティブマトリクス回路
をほぼ取り囲むように、壁状のスペーサを設けてもよ
い。In the second embodiment, the columnar spacers are provided around the active matrix circuit. However, if the liquid crystal material can be filled on the peripheral driving circuit and the active matrix circuit, the active matrix circuit can be almost formed. A wall-shaped spacer may be provided so as to surround it.
【００３９】実施例２で作製した液晶表示装置の、周辺
駆動回路の幅は、数ｍｍ程度である。したがって、実際
に液晶表示が行われる領域の周囲に、数ｍｍ程度の縁が
存在するだけで、外部出力端子を除けば、外見上一対の
基板で構成されるという極めてシンプルな外観とする事
ができた。The width of the peripheral drive circuit of the liquid crystal display device manufactured in Example 2 is about several mm. Therefore, it is possible to have an extremely simple appearance that it is composed of a pair of substrates in appearance, except for the external output terminal, only by having an edge of about several mm around the area where liquid crystal display is actually performed. did it.
【００４０】[0040]
【発明の効果】本発明により、周辺駆動回路の耐汚染
性、耐湿性を高め、外観をシンプルにすることのでき
る、周辺駆動回路をも液晶領域に設けられた液晶表示装
置において、基板の押圧による、周辺駆動回路の破壊を
防ぐことができ、かつ基板間隔を保つことができた。ひ
いては、液晶表示装置の信頼性、耐久性を、大きく向上
させることができた。According to the present invention, in the liquid crystal display device in which the peripheral drive circuit is provided in the liquid crystal region, which can improve the stain resistance and moisture resistance of the peripheral drive circuit and simplify the appearance, the substrate is pressed. As a result, it was possible to prevent the peripheral drive circuit from being damaged and to keep the substrate distance. As a result, the reliability and durability of the liquid crystal display device could be greatly improved.
【図１】 本発明による液晶表示装置の例を示す図FIG. 1 is a diagram showing an example of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図２】 従来の液晶表示装置の例を示す図FIG. 2 is a diagram showing an example of a conventional liquid crystal display device.
【図３】 従来の液晶表示装置の他の構成を示す図FIG. 3 is a diagram showing another configuration of a conventional liquid crystal display device.
【図４】 図３のＢ−Ｂ’断面図を示す図FIG. 4 is a view showing a B-B ′ cross-sectional view of FIG.
【図５】 実施例１の作製工程を示す図FIG. 5 is a diagram showing a manufacturing process of Example 1.
【図６】 図１のＡ−Ａ’断面図を示す図6 is a view showing a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.
【図７】 実施例２における液晶表示装置の上面図。FIG. 7 is a top view of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
１０１、２０１、３０１、７０１ 第１の基板 １０２、２０２、３０２、７０２ 第２の基板（対向
基板） １０３、２０３、３０３、７０３ ソースドライバー
回路 １０４、２０４、３０４、７０４ ゲイトドライバー
回路 １０５、２０５、３０５、７０５ アクティブマトリ
クス回路 １０６、２０６、３０６、７０６ 液晶材料 １０７、２０７、３０７、７０７ シール材 １０８、７０８ 柱状スペーサ １０９、７０９ 外部接続端子 ２０８ 保護膜 ４０１、６０１ 外力 ４０２、６０２ スペーサ ５０１ 基板 ５０２ 下地膜（酸化珪
素） ５０３、５０４、５０５ 活性層（シリコ
ン） ５０６ ゲイト絶縁膜（酸
化珪素） ５０７、５０８、５０９ ゲイト絶縁膜・ゲ
イト線 ５１０、５１１、５１２ 弱いＮ型領域 ５１３、５１４ フォトレジストの
マスク ５１５、５１６ 強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン） ５１７ 低濃度不純物領域 ５１８ フォトレジストの
マスク ５１９ 強いＰ型領域（ソ
ース／ドレイン） ５２０ 層間絶縁膜（酸化
珪素） ５２１〜５２５ 金属配線・電極 ５２６ パッシベーション
膜 ５２７ 画素電極（ＩＴ
Ｏ）101, 201, 301, 701 First substrate 102, 202, 302, 702 Second substrate (counter substrate) 103, 203, 303, 703 Source driver circuit 104, 204, 304, 704 Gate driver circuit 105, 205, 305, 705 Active matrix circuit 106, 206, 306, 706 Liquid crystal material 107, 207, 307, 707 Sealing material 108, 708 Columnar spacer 109, 709 External connection terminal 208 Protective film 401, 601 External force 402, 602 Spacer 501 Substrate 502 Bottom Base film (silicon oxide) 503, 504, 505 Active layer (silicon) 506 Gate insulating film (silicon oxide) 507, 508, 509 Gate insulating film / gate line 510, 511, 512 Weak N-type region 513, 514 Photoresist mass 515 516 Strong N-type region (source / drain) 517 Low-concentration impurity region 518 Photoresist mask 519 Strong P-type region (source / drain) 520 Interlayer insulating film (silicon oxide) 521-525 Metal wiring / electrode 526 Passivation Membrane 527 Pixel electrode (IT
O)
Claims (6)
が設けられた第１の基板と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向す
る大きさを有する、第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上および周辺駆動回路上に充
填された、液晶材料と、を少なくとも有する液晶表示装
置であって、 前記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の
領域に、柱状スペーサが設けられていることを特徴とす
る液晶表示装置。1. A first substrate on which an active matrix circuit and a peripheral drive circuit are provided, and a size which is provided so as to face the first substrate and at least faces the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device comprising: a second substrate; and a liquid crystal material between the first substrate and the second substrate, the liquid crystal material being filled at least on the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device, wherein columnar spacers are provided in a region between the active matrix circuit and the peripheral drive circuit.
が設けられた第１の基板と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向す
る大きさを有する、第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上および周辺駆動回路上に充
填された、液晶材料と、を少なくとも有する液晶表示装
置であって、 前記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の
領域には、複数の柱状スペーサが設けられていることを
特徴とする液晶表示装置。2. A first substrate provided with an active matrix circuit and a peripheral driving circuit, and a size provided at least facing the first substrate and facing at least the active matrix circuit and the peripheral driving circuit. A liquid crystal display device comprising: a second substrate; and a liquid crystal material between the first substrate and the second substrate, the liquid crystal material being filled at least on the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. A liquid crystal display device, wherein a plurality of columnar spacers are provided in a region between the active matrix circuit and the peripheral drive circuit.
が設けられた第１の基板と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向す
る大きさを有する、第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上および周辺駆動回路上に充
填された、液晶材料と、 前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域の周辺部
に設けられた、シール材と、を少なくとも有する液晶表
示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の
領域には、複数の柱状スペーサが設けられており、 前記シール材と、前記柱状スペーサは、同一材料により
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。3. A first substrate provided with an active matrix circuit and a peripheral driving circuit, and a size provided at least facing the first substrate and facing the active matrix circuit and the peripheral driving circuit. A second substrate, a liquid crystal material filled between the first substrate and the second substrate, at least on the active matrix circuit and the peripheral driving circuit, and the first substrate and the second substrate. 2. A liquid crystal display device, comprising at least a sealing material, which is provided in a peripheral portion of a region facing the second substrate, wherein a plurality of columnar spacers are provided in a region between the active matrix circuit and the peripheral drive circuit. Is provided, and the seal material and the columnar spacer are formed of the same material.
路、該周辺駆動回路の冗長回路が設けられた第１の基板
と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路および該周辺
駆動回路の冗長回路に対向する大きさを有する、第２の
基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上、周辺駆動回路上および該
周辺駆動回路の冗長回路上に充填された、液晶材料と、
を少なくとも有する液晶表示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路および
該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、柱状スペ
ーサが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。4. An active matrix circuit, a peripheral drive circuit, a first substrate on which a redundant circuit of the peripheral drive circuit is provided, and a first substrate provided so as to face the first substrate, and at least the active matrix circuit and the peripheral. A second substrate having a size facing a drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, and between at least the active matrix circuit and the peripheral drive circuit between the first substrate and the second substrate. And a liquid crystal material filled on the redundant circuit of the peripheral drive circuit,
A liquid crystal display device having at least: a columnar spacer is provided in a region between the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit. .
路、該周辺駆動回路の冗長回路が設けられた第１の基板
と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路および該周辺
駆動回路の冗長回路に対向する大きさを有する、第２の
基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上、周辺駆動回路上および該
周辺駆動回路の冗長回路上に充填された、液晶材料と、 を少なくとも有する液晶表示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路および
該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数の柱
状スペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示
装置。5. A first substrate provided with an active matrix circuit, a peripheral drive circuit, and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, and a first substrate provided so as to face the first substrate, and at least the active matrix circuit and the peripheral. A second substrate having a size facing a drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, and between at least the active matrix circuit and the peripheral drive circuit between the first substrate and the second substrate. And a liquid crystal display device having at least a liquid crystal material filled in a redundant circuit of the peripheral drive circuit, the region being between the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and the redundant circuit of the peripheral drive circuit. A plurality of columnar spacers are provided in the liquid crystal display device.
路、該周辺駆動回路の冗長回路が設けられた第１の基板
と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路および該周辺
駆動回路の冗長回路に対向する大きさを有する、第２の
基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上、周辺駆動回路上および該
周辺駆動回路の冗長回路上に充填された、液晶材料と、 前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域の周辺部
に設けられた、シール材と、を少なくとも有する液晶表
示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路および
該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数の柱
状スペーサが設けられており、 前記シール材と、前記柱状スペーサは、同一材料により
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。6. An active matrix circuit, a peripheral drive circuit, a first substrate on which a redundant circuit of the peripheral drive circuit is provided, and at least the active substrate circuit and the peripheral, the first substrate being provided to face the first substrate. A second substrate having a size facing a drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, and between at least the active matrix circuit and the peripheral drive circuit between the first substrate and the second substrate. And a liquid crystal display having at least a liquid crystal material filled in a redundant circuit of the peripheral drive circuit and a sealant provided in a peripheral portion of a region where the first substrate and the second substrate face each other. In the device, a plurality of columnar spacers are provided in a region between the active matrix circuit, the peripheral drive circuit and a redundant circuit of the peripheral drive circuit, And wood, the columnar spacer, a liquid crystal display device characterized by being formed of the same material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075495A JPH08248427A (en) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075495A JPH08248427A (en) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248427A true JPH08248427A (en) | 1996-09-27 |
Family
ID=13727205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8075495A Withdrawn JPH08248427A (en) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248427A (en) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6638781B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| KR100448902B1 (en) * | 1996-05-16 | 2004-12-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device |
| US6909115B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device applying to the crystalline semiconductor film |
| US6933996B2 (en) | 1996-10-22 | 2005-08-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| KR100569034B1 (en) * | 1997-05-22 | 2006-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | A display device |
| KR100652045B1 (en) * | 2001-12-21 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | LCD and its manufacturing method |
| KR100692458B1 (en) * | 2004-02-18 | 2007-03-09 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Organic Electroluminescent Devices and Electronic Devices |
| KR100720066B1 (en) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Method of manufacturing a light emitting device |
| US7283185B2 (en) | 1998-01-12 | 2007-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7330234B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| GB2444347A (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-04 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Gate in panel (GIP) liquid crystal display device. |
| US7429751B2 (en) | 2000-01-20 | 2008-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2009057389A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel |
| KR100970925B1 (en) * | 2006-12-29 | 2010-07-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | LCD and its manufacturing method |
| US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| JP2012068668A (en) * | 2011-11-15 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JP2012198544A (en) * | 2012-04-16 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP2013137568A (en) * | 2013-02-27 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JP2014059583A (en) * | 2013-12-05 | 2014-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| US8859353B2 (en) | 1999-07-06 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2015172773A (en) * | 2015-05-25 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | display device |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP8075495A patent/JPH08248427A/en not_active Withdrawn
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448902B1 (en) * | 1996-05-16 | 2004-12-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device |
| US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7868961B2 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US6933996B2 (en) | 1996-10-22 | 2005-08-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7532292B2 (en) | 1996-10-22 | 2009-05-12 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7158205B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US7184105B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device having the same |
| US7324171B2 (en) | 1996-10-22 | 2008-01-29 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| KR100569034B1 (en) * | 1997-05-22 | 2006-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | A display device |
| US8854593B2 (en) | 1997-05-22 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US7283185B2 (en) | 1998-01-12 | 2007-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7330234B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8026518B2 (en) | 1999-05-14 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6909115B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device applying to the crystalline semiconductor film |
| US7696514B2 (en) | 1999-05-14 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device having a column-like spacer |
| US7391055B1 (en) | 1999-05-14 | 2008-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9395584B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7605902B2 (en) | 1999-07-06 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9786787B2 (en) | 1999-07-06 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US9343570B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US7173281B2 (en) | 1999-07-06 | 2007-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6638781B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9069215B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9052551B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US8859353B2 (en) | 1999-07-06 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| KR100720066B1 (en) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Method of manufacturing a light emitting device |
| US7429751B2 (en) | 2000-01-20 | 2008-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| KR100652045B1 (en) * | 2001-12-21 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | LCD and its manufacturing method |
| KR100692458B1 (en) * | 2004-02-18 | 2007-03-09 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Organic Electroluminescent Devices and Electronic Devices |
| GB2444347A (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-04 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Gate in panel (GIP) liquid crystal display device. |
| US8605246B2 (en) | 2006-12-29 | 2013-12-10 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device wherein a first auxiliary spacer is in direct contact with a driver and a signal line and comprises a plurality of pattern structures spaced apart from each other |
| US8045126B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having column spacers and first auxiliary spacers that include a plurality of spaced apart patterns |
| KR100970925B1 (en) * | 2006-12-29 | 2010-07-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | LCD and its manufacturing method |
| WO2009057389A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel |
| JP2012068668A (en) * | 2011-11-15 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JP2012198544A (en) * | 2012-04-16 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP2013137568A (en) * | 2013-02-27 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JP2014059583A (en) * | 2013-12-05 | 2014-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP2015172773A (en) * | 2015-05-25 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08248427A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3477301B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| US6980275B1 (en) | Electro-optical device | |
| KR100425874B1 (en) | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same | |
| JPH09179130A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3180531B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JPH10268361A (en) | Liquid crystal display device and its manufacture | |
| JP4067588B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device | |
| JPH08328000A (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
| US5764320A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3998755B2 (en) | Semiconductor display device | |
| JPH10339889A (en) | Electro-optic device and its production | |
| JP3778964B2 (en) | Active matrix display device | |
| JP3633250B2 (en) | Liquid crystal device and manufacturing method thereof | |
| JP3177347B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display element | |
| JP3983316B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device | |
| JP3397810B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP3706867B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
| JP2003270655A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH1130788A (en) | Liquid crystal display | |
| JP3470776B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device | |
| JP3999216B2 (en) | Semiconductor display device | |
| JP4057040B2 (en) | Semiconductor display device | |
| JP4286722B2 (en) | Semiconductor display device | |
| JP4286723B2 (en) | Semiconductor display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031219 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040217 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040315 |