JPH08248427A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH08248427A JPH08248427A JP8075495A JP8075495A JPH08248427A JP H08248427 A JPH08248427 A JP H08248427A JP 8075495 A JP8075495 A JP 8075495A JP 8075495 A JP8075495 A JP 8075495A JP H08248427 A JPH08248427 A JP H08248427A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶領域内にアクティブマトリクス回路と周
辺駆動回路とが設けられている液晶表示装置において、
基板押圧による周辺駆動回路および周辺駆動回路を構成
している薄膜トランジタの破壊を防ぎ、装置の信頼性お
よび耐久性の向上を図る。 【構成】 液晶領域内にアクティブマトリクス回路と周
辺駆動回路とが設けられている液晶表示装置において、
アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の領域
に、柱状スペーサを設ける。
辺駆動回路とが設けられている液晶表示装置において、
基板押圧による周辺駆動回路および周辺駆動回路を構成
している薄膜トランジタの破壊を防ぎ、装置の信頼性お
よび耐久性の向上を図る。 【構成】 液晶領域内にアクティブマトリクス回路と周
辺駆動回路とが設けられている液晶表示装置において、
アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の領域
に、柱状スペーサを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
駆動が行われる液晶表示装置の、信頼性および耐久性向
上のための構成に関する。
駆動が行われる液晶表示装置の、信頼性および耐久性向
上のための構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に、従来の液晶表示装置の例を示
す。従来のアクティブマトリクス駆動型液晶表示装置
は、図２に示すように、第１の基板２０１上に設けられ
たアクティブマトリクス回路２０５と、一面に対向電極
が設けられた第２の基板（対向基板）２０２とが、第１
の基板２０１上に散布されたスペーサ（図示せず）を介
して、対向して設けられ、両基板間に液晶材料２０６が
充填され、該液晶材料は、シール材２０７により封止さ
れている。アクティブマトリクス回路２０５は、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）が接続された画素電極が、複数マ
トリクス状に配置されている。第１の基板２０１上の、
第２の基板２０５と対向する領域の外側には、アクティ
ブマトリクス回路２０５を駆動するための周辺駆動回路
として、ソースドライバー回路２０３、ゲイトドライバ
ー回路２０４が設けられている。
す。従来のアクティブマトリクス駆動型液晶表示装置
は、図２に示すように、第１の基板２０１上に設けられ
たアクティブマトリクス回路２０５と、一面に対向電極
が設けられた第２の基板（対向基板）２０２とが、第１
の基板２０１上に散布されたスペーサ（図示せず）を介
して、対向して設けられ、両基板間に液晶材料２０６が
充填され、該液晶材料は、シール材２０７により封止さ
れている。アクティブマトリクス回路２０５は、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）が接続された画素電極が、複数マ
トリクス状に配置されている。第１の基板２０１上の、
第２の基板２０５と対向する領域の外側には、アクティ
ブマトリクス回路２０５を駆動するための周辺駆動回路
として、ソースドライバー回路２０３、ゲイトドライバ
ー回路２０４が設けられている。
【０００３】このような液晶表示装置においては、周辺
駆動回路への水分やゴミ、不純物等の進入を防止するた
めに、樹脂や、ＳｉＮ（窒化珪素）系の物質からなる保
護膜２０８を、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジス
タ上に形成する必要があった。しかしなから、このよう
な保護膜を用いた場合、該保護膜による応力が、周辺駆
動回路を構成する薄膜トランジスタに対して作用して、
薄膜トランジスタを構成するシリコン部において再結合
中心が劣化し、薄膜トランジスタのスレッシュホールド
電圧などの諸特性を変化させてしまった。
駆動回路への水分やゴミ、不純物等の進入を防止するた
めに、樹脂や、ＳｉＮ（窒化珪素）系の物質からなる保
護膜２０８を、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジス
タ上に形成する必要があった。しかしなから、このよう
な保護膜を用いた場合、該保護膜による応力が、周辺駆
動回路を構成する薄膜トランジスタに対して作用して、
薄膜トランジスタを構成するシリコン部において再結合
中心が劣化し、薄膜トランジスタのスレッシュホールド
電圧などの諸特性を変化させてしまった。
【０００４】このような問題を解決するために、図３に
示す構造が考えられている。図３は、従来の液晶表示装
置の他の構成を示す。図３において、第１の基板３０１
上に設けられたアクティブマトリクス回路３０２、ソー
スドライバー回路３０３、ゲイトドライバー回路３０４
と、一面に対向電極が設けられた第２の基板（対向基
板）３０５とが、第１の基板３０１上に散布されたスペ
ーサ（図示せず）を介して対向して設けられ、両基板間
に液晶材料３０６が充填され、該液晶材料は、シール材
３０７により封止されている。図３の構成は、アクティ
ブマトリクス回路だけでなく、周辺駆動回路であるソー
スドライバー回路やゲイトドライバー回路をも、対向基
板と対向させ、液晶材料に接するようにし、前述のよう
な保護膜は設けられない。すなわち、液晶材料により、
周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタが保護されて
いる。この構成は、例えば、特開平５−６６４１３号公
報に示されている。
示す構造が考えられている。図３は、従来の液晶表示装
置の他の構成を示す。図３において、第１の基板３０１
上に設けられたアクティブマトリクス回路３０２、ソー
スドライバー回路３０３、ゲイトドライバー回路３０４
と、一面に対向電極が設けられた第２の基板（対向基
板）３０５とが、第１の基板３０１上に散布されたスペ
ーサ（図示せず）を介して対向して設けられ、両基板間
に液晶材料３０６が充填され、該液晶材料は、シール材
３０７により封止されている。図３の構成は、アクティ
ブマトリクス回路だけでなく、周辺駆動回路であるソー
スドライバー回路やゲイトドライバー回路をも、対向基
板と対向させ、液晶材料に接するようにし、前述のよう
な保護膜は設けられない。すなわち、液晶材料により、
周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタが保護されて
いる。この構成は、例えば、特開平５−６６４１３号公
報に示されている。
【０００５】
【従来技術の問題点】液晶表示装置は、２枚の基板間隔
を維持するために、基板間に球状や棒状、角状などの形
状を有し、シリカ等の硬質材料よりなるスペーサが均一
に散布されている。スペーサは、基板間隔と同じ大きさ
の直径を有し、その大きさは、ネマチック液晶を用いた
液晶表示装置においては、３μｍ〜８μｍ、スメクチッ
ク液晶を用いた液晶表示装置においては、１μｍ〜４μ
ｍ程度である。また、その数は、１つの画素の大きさ
を、数１０μｍ□〜数１００μｍ□として、１画素あた
り、５０個〜１０００個程度である。ところで、アクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置において、アクティブ
マトリクス回路全体の面積のうち、画素電極がその殆ど
のを占めている。また、画素スイッチング用の薄膜トラ
ンジスタは、多い場合でも各画素電極に２つ程度しか設
けられておらず、その大きさも、画素電極に比較しては
るかに小さい。したがって、アクティブマトリクス回路
全体のうち、ため、スイッチング用の薄膜トランジスタ
が占める面積は、極めて僅かである。
を維持するために、基板間に球状や棒状、角状などの形
状を有し、シリカ等の硬質材料よりなるスペーサが均一
に散布されている。スペーサは、基板間隔と同じ大きさ
の直径を有し、その大きさは、ネマチック液晶を用いた
液晶表示装置においては、３μｍ〜８μｍ、スメクチッ
ク液晶を用いた液晶表示装置においては、１μｍ〜４μ
ｍ程度である。また、その数は、１つの画素の大きさ
を、数１０μｍ□〜数１００μｍ□として、１画素あた
り、５０個〜１０００個程度である。ところで、アクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置において、アクティブ
マトリクス回路全体の面積のうち、画素電極がその殆ど
のを占めている。また、画素スイッチング用の薄膜トラ
ンジスタは、多い場合でも各画素電極に２つ程度しか設
けられておらず、その大きさも、画素電極に比較しては
るかに小さい。したがって、アクティブマトリクス回路
全体のうち、ため、スイッチング用の薄膜トランジスタ
が占める面積は、極めて僅かである。
【０００６】一方、ソースドライバー回路や、ゲイトド
ライバー回路といった、周辺駆動回路は、多数の薄膜ト
ランジスタが極めて密に設けられている。したがって、
図２の液晶表示装置のように、液晶領域（液晶材料が充
填されている領域）の外側に周辺駆動回路が設けられて
いる場合には、何ら問題はなかったのであるが、図３
の、液晶領域内に周辺駆動回路が設けられている場合に
おいて、基板間のスペーサにより、周辺駆動回路が破壊
されるてしまうことがあった。
ライバー回路といった、周辺駆動回路は、多数の薄膜ト
ランジスタが極めて密に設けられている。したがって、
図２の液晶表示装置のように、液晶領域（液晶材料が充
填されている領域）の外側に周辺駆動回路が設けられて
いる場合には、何ら問題はなかったのであるが、図３
の、液晶領域内に周辺駆動回路が設けられている場合に
おいて、基板間のスペーサにより、周辺駆動回路が破壊
されるてしまうことがあった。
【０００７】図４に、図３のＢ−Ｂ’断面図を示す。図
３の液晶表示装置の場合、図４に示すように、基板が外
力４０１により押圧された場合に、基板が変形し、周辺
駆動回路（ここではゲイトドライバー回路３０４）上に
散布されていたスペーサが、周辺駆動回路を構成してい
る薄膜トランジスタを破壊してしまうことあった。その
結果、周辺駆動回路が正常に動作せず、表示に線欠陥、
点欠陥が生じたり、表示が不可能となってしまうことが
あり、装置の信頼性、耐久性を低下させていた。また、
仮りに、周辺駆動回路の上のスペーサを設けない場合、
こんどは、基板の押圧により基板が変形するために、基
板に強い押圧が加わった場合、基板に潰されて周辺駆動
回路が破壊されてしまう恐れがあった。
３の液晶表示装置の場合、図４に示すように、基板が外
力４０１により押圧された場合に、基板が変形し、周辺
駆動回路（ここではゲイトドライバー回路３０４）上に
散布されていたスペーサが、周辺駆動回路を構成してい
る薄膜トランジスタを破壊してしまうことあった。その
結果、周辺駆動回路が正常に動作せず、表示に線欠陥、
点欠陥が生じたり、表示が不可能となってしまうことが
あり、装置の信頼性、耐久性を低下させていた。また、
仮りに、周辺駆動回路の上のスペーサを設けない場合、
こんどは、基板の押圧により基板が変形するために、基
板に強い押圧が加わった場合、基板に潰されて周辺駆動
回路が破壊されてしまう恐れがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶領域内
にアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが設けら
れている液晶表示装置において、基板押圧による周辺駆
動回路および周辺駆動回路を構成している薄膜トランジ
タの破壊を防ぎ、装置の信頼性および耐久性の向上を図
ることを目的とする。
にアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが設けら
れている液晶表示装置において、基板押圧による周辺駆
動回路および周辺駆動回路を構成している薄膜トランジ
タの破壊を防ぎ、装置の信頼性および耐久性の向上を図
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の構成の一つは、アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板と、前記第１
の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記アクティ
ブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向する大きさ
を有する、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板
との間の、少なくとも前記アクティブマトリクス回路上
および周辺駆動回路上に充填された、液晶材料と、を少
なくとも有する液晶表示装置であって、前記アクティブ
マトリクス回路と周辺駆動回路との間の領域に、柱状ス
ペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示装置
である。
に、本発明の構成の一つは、アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板と、前記第１
の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記アクティ
ブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向する大きさ
を有する、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板
との間の、少なくとも前記アクティブマトリクス回路上
および周辺駆動回路上に充填された、液晶材料と、を少
なくとも有する液晶表示装置であって、前記アクティブ
マトリクス回路と周辺駆動回路との間の領域に、柱状ス
ペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示装置
である。
【００１０】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板
と、前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、
前記アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上および周辺駆動回路上に充填された、液晶
材料と、を少なくとも有する液晶表示装置であって、前
記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の領
域には、複数の柱状スペーサが設けられていることを特
徴とする液晶表示装置である。
トリクス回路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板
と、前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、
前記アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上および周辺駆動回路上に充填された、液晶
材料と、を少なくとも有する液晶表示装置であって、前
記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の領
域には、複数の柱状スペーサが設けられていることを特
徴とする液晶表示装置である。
【００１１】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板
と、前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、
前記アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上および周辺駆動回路上に充填された、液晶
材料と、前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域
の周辺部に設けられた、シール材と、を少なくとも有す
る液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス回
路と周辺駆動回路との間の領域には、複数の柱状スペー
サが設けられており、前記シール材と、前記柱状スペー
サは、同一材料により形成されていることを特徴とする
液晶表示装置である。
トリクス回路、周辺駆動回路が設けられた第１の基板
と、前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、
前記アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上および周辺駆動回路上に充填された、液晶
材料と、前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域
の周辺部に設けられた、シール材と、を少なくとも有す
る液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス回
路と周辺駆動回路との間の領域には、複数の柱状スペー
サが設けられており、前記シール材と、前記柱状スペー
サは、同一材料により形成されていることを特徴とする
液晶表示装置である。
【００１２】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、を少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス
回路と、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路
との間の領域には、柱状スペーサが設けられていること
を特徴とする液晶表示装置である
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、を少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス
回路と、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路
との間の領域には、柱状スペーサが設けられていること
を特徴とする液晶表示装置である
【００１３】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、を少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス
回路と、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路
との間の領域には、複数の柱状スペーサが設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置である。
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、を少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス
回路と、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路
との間の領域には、複数の柱状スペーサが設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】本発明の他の構成の一つは、アクティブマ
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、前記第１の基板
と第２の基板とが対向する領域の周辺部に設けられた、
シール材と、を少なくとも有する液晶表示装置であっ
て、前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路お
よび該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数
の柱状スペーサが設けられており、前記シール材と、前
記柱状スペーサは、同一材料により形成されていること
を特徴とする液晶表示装置である。
トリクス回路、周辺駆動回路、該周辺駆動回路の冗長回
路が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向し
て設けられ、少なくとも、前記アクティブマトリクス回
路、周辺駆動回路および該周辺駆動回路の冗長回路に対
向する大きさを有する、第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間の、少なくとも前記アクティブマト
リクス回路上、周辺駆動回路上および該周辺駆動回路の
冗長回路上に充填された、液晶材料と、前記第１の基板
と第２の基板とが対向する領域の周辺部に設けられた、
シール材と、を少なくとも有する液晶表示装置であっ
て、前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路お
よび該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数
の柱状スペーサが設けられており、前記シール材と、前
記柱状スペーサは、同一材料により形成されていること
を特徴とする液晶表示装置である。
【００１５】
【作用】本発明は、液晶領域内に、アクティブマトリク
ス回路と、周辺駆動回路とが設けられた液晶表示装置に
おいて、アクティブマトリクス回路と、その周辺に設け
られたソースドライバー回路やゲイトドライバー回路と
いった周辺駆動回路、あるいはその冗長回路との間に、
柱状スペーサ、特に複数の柱状スペーサを設けること
で、基板押圧による、周辺駆動回路を構成する薄膜トラ
ンジスタの破壊を防ぐものである。
ス回路と、周辺駆動回路とが設けられた液晶表示装置に
おいて、アクティブマトリクス回路と、その周辺に設け
られたソースドライバー回路やゲイトドライバー回路と
いった周辺駆動回路、あるいはその冗長回路との間に、
柱状スペーサ、特に複数の柱状スペーサを設けること
で、基板押圧による、周辺駆動回路を構成する薄膜トラ
ンジスタの破壊を防ぐものである。
【００１６】図１に、本発明による液晶表示装置の例を
示す。図１において、ガラスやプラスチック等の第１の
基板１０１に対向して、対向基板である第２の基板１０
２（図に明示されていない）が、対向電極を内側にして
設けられている。第１の基板１０１上には、アクティブ
マトリクス回路１０５と、該回路を駆動するための周辺
駆動回路として、ソースドライバー回路１０３、ゲイト
ドライバー回路１０４とが設けられている。第１の基板
１０１と、第２の基板１０２の間には、シール材１０７
が設けられ、図示しない液晶注入口より注入された、液
晶材料１０６が充填されている。ソースドライバー回路
１０３、ゲイトドライバー回路１０４といった周辺駆動
回路と、アクティブマトリクス回路１０５との間には、
シール材として、複数の柱状スペーサ１０８が、間隔を
開けて、点線状に設けられている。ビデオ信号その他表
示に必要な信号は、外部接続端子１０９を介して、周辺
駆動回路へ入力される。
示す。図１において、ガラスやプラスチック等の第１の
基板１０１に対向して、対向基板である第２の基板１０
２（図に明示されていない）が、対向電極を内側にして
設けられている。第１の基板１０１上には、アクティブ
マトリクス回路１０５と、該回路を駆動するための周辺
駆動回路として、ソースドライバー回路１０３、ゲイト
ドライバー回路１０４とが設けられている。第１の基板
１０１と、第２の基板１０２の間には、シール材１０７
が設けられ、図示しない液晶注入口より注入された、液
晶材料１０６が充填されている。ソースドライバー回路
１０３、ゲイトドライバー回路１０４といった周辺駆動
回路と、アクティブマトリクス回路１０５との間には、
シール材として、複数の柱状スペーサ１０８が、間隔を
開けて、点線状に設けられている。ビデオ信号その他表
示に必要な信号は、外部接続端子１０９を介して、周辺
駆動回路へ入力される。
【００１７】図６に、図１のＡ−Ａ’断面図を示す。図
１、図６に示すように、ゲイトドライバー回路１０４
と、アクティブマトリクス回路１０５との間に、柱状ス
ペーサ１０８が設けられている。また、第１の基板１０
１と第２の基板１０２との間には、球状のスペーサ６０
２が、均一に散布されて、設けられている。本発明は、
柱状スペーサ１０８を設けることで、外力６０１の押圧
による基板の変形を抑え、ひいては基板押圧時の、スペ
ーサ６０２による周辺駆動回路を防ぐことができるもの
である。
１、図６に示すように、ゲイトドライバー回路１０４
と、アクティブマトリクス回路１０５との間に、柱状ス
ペーサ１０８が設けられている。また、第１の基板１０
１と第２の基板１０２との間には、球状のスペーサ６０
２が、均一に散布されて、設けられている。本発明は、
柱状スペーサ１０８を設けることで、外力６０１の押圧
による基板の変形を抑え、ひいては基板押圧時の、スペ
ーサ６０２による周辺駆動回路を防ぐことができるもの
である。
【００１８】アクティブマトリクス回路と同一基板上に
設けられた、ソースドライバー回路やゲイトドライバー
回路は、その幅が数ｍｍ以下程度であるので、液晶材料
封止用のシール材１０７から柱状スペーサ１０８までの
ドライバー回路を挟んだ間隔は、それと同程度である。
また、対向基板としては、ガラスや硬いプラスチックの
板が用いられ、基板の厚さは、通常０．７〜１．１ｍｍ
程度である。したがって、シール材１０７から柱状スペ
ーサ１０８までの間隔が、数ｍｍ程度であれば、周辺駆
動回路が設けられた領域の基板は、基板押圧による変形
は、ほんどんどない。よって、周辺駆動回路上にスペー
サが存在しても、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジ
スタの、基板押圧による破壊を防ぐことができる。ま
た、何らかの方法によって、周辺駆動回路上にスペーサ
を存在させない、または基板間にスペーサを存在させな
い構成とした場合においても、柱状スペーサにより、周
辺駆動回路が設けられている領域の基板間隔が維持され
る
設けられた、ソースドライバー回路やゲイトドライバー
回路は、その幅が数ｍｍ以下程度であるので、液晶材料
封止用のシール材１０７から柱状スペーサ１０８までの
ドライバー回路を挟んだ間隔は、それと同程度である。
また、対向基板としては、ガラスや硬いプラスチックの
板が用いられ、基板の厚さは、通常０．７〜１．１ｍｍ
程度である。したがって、シール材１０７から柱状スペ
ーサ１０８までの間隔が、数ｍｍ程度であれば、周辺駆
動回路が設けられた領域の基板は、基板押圧による変形
は、ほんどんどない。よって、周辺駆動回路上にスペー
サが存在しても、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジ
スタの、基板押圧による破壊を防ぐことができる。ま
た、何らかの方法によって、周辺駆動回路上にスペーサ
を存在させない、または基板間にスペーサを存在させな
い構成とした場合においても、柱状スペーサにより、周
辺駆動回路が設けられている領域の基板間隔が維持され
る
【００１９】図１において、柱状スペーサ１０８は、間
隔を開けて複数個設けられているが、これは、図示され
ていない注入口より液晶材料を注入する際に、周辺駆動
回路が設けられている領域にも、十分に液晶材料が充填
できるようにするためである。また、柱状スペーサ１０
８は、基板間隔を維持し、液晶材料の注入を妨げないも
のであれば、その数や大きさ、形状、材質は、任意であ
る。必ずしも複数個とする必要もない。大きさは、少な
くとも基板間に散布されているスペーサの直径より大き
い、幅、奥行を有している必要がある。また、その形状
は、個々に分離した柱状のみでなく、連続した壁状であ
ってもよい。代表的には、図１に示すような点線状に、
アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間に、数
個〜数１００個設け、個々の柱状スペーサの大きさは、
幅、奥行きそれぞれ、０．１〜数ｍｍ程度である。材質
としては、樹脂や、酸化珪素等の無機膜等が、主として
用いられる。柱状スペーサの配置や大きさを、アクティ
ブマトリクス回路による表示を妨げないようにすること
はいうまでもない。
隔を開けて複数個設けられているが、これは、図示され
ていない注入口より液晶材料を注入する際に、周辺駆動
回路が設けられている領域にも、十分に液晶材料が充填
できるようにするためである。また、柱状スペーサ１０
８は、基板間隔を維持し、液晶材料の注入を妨げないも
のであれば、その数や大きさ、形状、材質は、任意であ
る。必ずしも複数個とする必要もない。大きさは、少な
くとも基板間に散布されているスペーサの直径より大き
い、幅、奥行を有している必要がある。また、その形状
は、個々に分離した柱状のみでなく、連続した壁状であ
ってもよい。代表的には、図１に示すような点線状に、
アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間に、数
個〜数１００個設け、個々の柱状スペーサの大きさは、
幅、奥行きそれぞれ、０．１〜数ｍｍ程度である。材質
としては、樹脂や、酸化珪素等の無機膜等が、主として
用いられる。柱状スペーサの配置や大きさを、アクティ
ブマトリクス回路による表示を妨げないようにすること
はいうまでもない。
【００２０】また、柱状スペーサ１０８を、シール材１
０７と同一材料により設けてもよい。このようにする
と、スクリーン印刷法等により、柱状スペーサ１０８
を、シール材１０７と同時に形成することができ、作製
工程を簡略化できる。加えて、柱状スペーサを、双方の
基板に対し接着させることができるため、液晶表示装置
の強度を向上させ、基板変形を、より防ぐことが可能と
なる。
０７と同一材料により設けてもよい。このようにする
と、スクリーン印刷法等により、柱状スペーサ１０８
を、シール材１０７と同時に形成することができ、作製
工程を簡略化できる。加えて、柱状スペーサを、双方の
基板に対し接着させることができるため、液晶表示装置
の強度を向上させ、基板変形を、より防ぐことが可能と
なる。
【００２１】以上のように、本発明は、液晶領域内に周
辺駆動回路が設けられた液晶表示装置において、基板の
押圧による、周辺駆動回路の破壊を防ぐことができ、か
つ基板間隔を保つことができる。ひいては、液晶表示装
置の信頼性および耐久性を向上させることができる。以
下に、本発明の実施例を示す。
辺駆動回路が設けられた液晶表示装置において、基板の
押圧による、周辺駆動回路の破壊を防ぐことができ、か
つ基板間隔を保つことができる。ひいては、液晶表示装
置の信頼性および耐久性を向上させることができる。以
下に、本発明の実施例を示す。
【００２２】
〔実施例１〕実施例１において、図１に示すアクティブ
マトリクス回路および周辺駆動回路を有する液晶表示装
置を得る作製工程について、図５を用いて説明する。図
５に、実施例１の作製工程を示す。図５において、図の
左側に周辺駆動回路のＴＦＴの作製工程を、右側にアク
ティブマトリクス回路のＴＦＴの作製工程を、それぞれ
示す。まず、石英基板またはガラス基板５０１上に、下
地酸化膜５０２として厚さ１０００Å〜３０００Åの酸
化珪素膜が形成される。この酸化珪素膜の形成方法とし
ては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ法
を用いればよい。
マトリクス回路および周辺駆動回路を有する液晶表示装
置を得る作製工程について、図５を用いて説明する。図
５に、実施例１の作製工程を示す。図５において、図の
左側に周辺駆動回路のＴＦＴの作製工程を、右側にアク
ティブマトリクス回路のＴＦＴの作製工程を、それぞれ
示す。まず、石英基板またはガラス基板５０１上に、下
地酸化膜５０２として厚さ１０００Å〜３０００Åの酸
化珪素膜が形成される。この酸化珪素膜の形成方法とし
ては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ法
を用いればよい。
【００２３】次に、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法に
よって、アモルファスもしくは多結晶のシリコン膜が、
３００Å〜１５００Å、好ましくは５００Å〜１０００
Å形成される。そして、５００℃以上、好ましくは、７
００℃〜９５０℃の温度で熱アニールをおこない、シリ
コン膜が結晶化される。熱アニールによって結晶化させ
たのち、光アニールをおこなって、さらに結晶性を高め
てもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に、特開
平６−２４４１０３号公報、同６−２４４１０４号公報
に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶
化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。
よって、アモルファスもしくは多結晶のシリコン膜が、
３００Å〜１５００Å、好ましくは５００Å〜１０００
Å形成される。そして、５００℃以上、好ましくは、７
００℃〜９５０℃の温度で熱アニールをおこない、シリ
コン膜が結晶化される。熱アニールによって結晶化させ
たのち、光アニールをおこなって、さらに結晶性を高め
てもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に、特開
平６−２４４１０３号公報、同６−２４４１０４号公報
に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶
化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。
【００２４】次に、シリコン膜をエッチング処理して、
島状の周辺駆動回路のＴＦＴの活性層５０３（Ｐチャネ
ル型ＴＦＴ用）、５０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ用）とマ
トリクス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層５０５が
形成される。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によ
って、厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁
膜５０６が形成される。ゲイト絶縁膜の形成方法として
は、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ
法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスと
して、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2 ）と
モンシラン（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。
島状の周辺駆動回路のＴＦＴの活性層５０３（Ｐチャネ
ル型ＴＦＴ用）、５０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ用）とマ
トリクス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層５０５が
形成される。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によ
って、厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁
膜５０６が形成される。ゲイト絶縁膜の形成方法として
は、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ
法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスと
して、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2 ）と
モンシラン（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。
【００２５】その後、厚さ２０００Å〜５μｍ、好まし
くは２０００Å〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電
性を高めるため微量の燐を含有する）が、ＬＰＣＶＤ法
によって基板全面に形成される。そして、これをエッチ
ングして、ゲイト電極５０７、５０８、５０９を形成す
る。（図５（Ａ）） その後、イオンドーピング法によって、全ての島状活性
層に、ゲイト電極をマスクとして自己整合的に、フォス
フィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして、燐が注入さ
れる。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子／ｃｍ2
する。この結果、弱いＮ型領域５１０、５１１、５１２
が形成される。（図５（Ｂ））
くは２０００Å〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電
性を高めるため微量の燐を含有する）が、ＬＰＣＶＤ法
によって基板全面に形成される。そして、これをエッチ
ングして、ゲイト電極５０７、５０８、５０９を形成す
る。（図５（Ａ）） その後、イオンドーピング法によって、全ての島状活性
層に、ゲイト電極をマスクとして自己整合的に、フォス
フィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして、燐が注入さ
れる。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子／ｃｍ2
する。この結果、弱いＮ型領域５１０、５１１、５１２
が形成される。（図５（Ｂ））
【００２６】次に、Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層５０３
を覆うフォトレジストのマスク５１３、および、画素Ｔ
ＦＴの活性層５０５のうち、ゲイト電極に平行にゲイト
電極５０９の端から３μｍ離れた部分までを覆うフォト
レジストのマスク５１４が形成される。そして、再び、
イオンドーピング法によって、フォスフィンをドーピン
グガスとして燐が注入される。ドーズ量は１×１０14〜
５×１０15原子／ｃｍ2 とする。この結果、強いＮ型領
域（ソース／ドレイン）５１５、５１６が形成される。
画素ＴＦＴの活性層５０５の弱いＮ型領域５１２のう
ち、マスク５１４に覆われていた領域５１７は、今回の
ドーピングでは燐が注入されないので、弱いＮ型のまま
となる。（図５（Ｃ））
を覆うフォトレジストのマスク５１３、および、画素Ｔ
ＦＴの活性層５０５のうち、ゲイト電極に平行にゲイト
電極５０９の端から３μｍ離れた部分までを覆うフォト
レジストのマスク５１４が形成される。そして、再び、
イオンドーピング法によって、フォスフィンをドーピン
グガスとして燐が注入される。ドーズ量は１×１０14〜
５×１０15原子／ｃｍ2 とする。この結果、強いＮ型領
域（ソース／ドレイン）５１５、５１６が形成される。
画素ＴＦＴの活性層５０５の弱いＮ型領域５１２のう
ち、マスク５１４に覆われていた領域５１７は、今回の
ドーピングでは燐が注入されないので、弱いＮ型のまま
となる。（図５（Ｃ））
【００２７】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層５０
４、５０５をフォトレジストのマスク５１８で覆い、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、イオンド
ーピング法により、島状領域５０３に硼素が注入され
る。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2 と
する。このドーピングでは、硼素のドーズ量が図５
（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成さ
れていた弱いＮ型領域５１０は強いＰ型領域５１９に反
転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソー
ス／ドレイン）５１５、５１６、強いＰ型領域（ソース
／ドレイン）５１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）５１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域５１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図５
（Ｄ））
４、５０５をフォトレジストのマスク５１８で覆い、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、イオンド
ーピング法により、島状領域５０３に硼素が注入され
る。ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2 と
する。このドーピングでは、硼素のドーズ量が図５
（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成さ
れていた弱いＮ型領域５１０は強いＰ型領域５１９に反
転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソー
ス／ドレイン）５１５、５１６、強いＰ型領域（ソース
／ドレイン）５１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）５１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域５１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図５
（Ｄ））
【００２８】その後、４５０〜８５０℃で０．５〜３時
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性が回復される。その後、全面に層間絶縁物
５２０として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜
が、厚さ３０００Å〜６０００Åに形成される。この層
間絶縁膜は、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素
膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁物５２０
がウェットエッチング法によってエッチング処理され、
ソース／ドレインにコンタクトホールが形成される。
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性が回復される。その後、全面に層間絶縁物
５２０として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜
が、厚さ３０００Å〜６０００Åに形成される。この層
間絶縁膜は、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素
膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁物５２０
がウェットエッチング法によってエッチング処理され、
ソース／ドレインにコンタクトホールが形成される。
【００２９】そして、スパッタ法によって、厚さ２００
０Å〜６０００Åのチタン膜を形成し、これがエッチン
グ処理され、周辺回路の電極・配線５２１、５２２、５
２３および画素ＴＦＴの電極・配線５２４、５２５が形
成される。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ１
０００Å〜３０００Åの窒化珪素膜５２６が、パッシベ
ーション膜として形成され、これをエッチングして、画
素ＴＦＴの電極５２５に達するコンタクトホールが形成
される。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００Å〜
１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜がエッ
チング処理され、画素電極５２７が形成される。このよ
うにして、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路
が、同一基板上に形成される。（図５（Ｅ））
０Å〜６０００Åのチタン膜を形成し、これがエッチン
グ処理され、周辺回路の電極・配線５２１、５２２、５
２３および画素ＴＦＴの電極・配線５２４、５２５が形
成される。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ１
０００Å〜３０００Åの窒化珪素膜５２６が、パッシベ
ーション膜として形成され、これをエッチングして、画
素ＴＦＴの電極５２５に達するコンタクトホールが形成
される。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００Å〜
１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜がエッ
チング処理され、画素電極５２７が形成される。このよ
うにして、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路
が、同一基板上に形成される。（図５（Ｅ））
【００３０】次に、アクティブマトリクス表示装置の組
立工程を以下に説明する。ＴＦＴ基板・カラーフィルタ
基板は、各々表面処理に用いられたエッチング液、レジ
スト剥離液等の各種薬品が十分に洗浄される。次に配向
膜が、カラーフィルタ基板、及びＴＦＴ基板に付着され
る。配向膜材料には、ブチルセロソルブかＮ−メチルピ
ロリドンといった溶媒に、溶媒の約１０重量％のポリイ
ミドを溶解したものが用いられる。そして、ＴＦＴ基板
・カラーフィルタ基板の両基板に付着した配向膜を加熱
・硬化（ベーク）させる。その次に、配向膜の付着した
ガラス基板表面を毛足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイ
ヨン・ナイロン等の繊維）で一定方向に擦り、微細な溝
を作るラビング工程が行われる。
立工程を以下に説明する。ＴＦＴ基板・カラーフィルタ
基板は、各々表面処理に用いられたエッチング液、レジ
スト剥離液等の各種薬品が十分に洗浄される。次に配向
膜が、カラーフィルタ基板、及びＴＦＴ基板に付着され
る。配向膜材料には、ブチルセロソルブかＮ−メチルピ
ロリドンといった溶媒に、溶媒の約１０重量％のポリイ
ミドを溶解したものが用いられる。そして、ＴＦＴ基板
・カラーフィルタ基板の両基板に付着した配向膜を加熱
・硬化（ベーク）させる。その次に、配向膜の付着した
ガラス基板表面を毛足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイ
ヨン・ナイロン等の繊維）で一定方向に擦り、微細な溝
を作るラビング工程が行われる。
【００３１】その後、ＴＦＴ基板、もしくはカラーフィ
ルタ基板のいずれかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ
系等の球のスペーサが散布される。スペーサ散布の方式
としては、純水・アルコール等の溶媒にスペーサを混
ぜ、ガラス基板上に散布するウェット方式と、溶媒を一
切使用せずスペーサを散布するドライ方式がある。ここ
ではドライ式を用いた。
ルタ基板のいずれかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ
系等の球のスペーサが散布される。スペーサ散布の方式
としては、純水・アルコール等の溶媒にスペーサを混
ぜ、ガラス基板上に散布するウェット方式と、溶媒を一
切使用せずスペーサを散布するドライ方式がある。ここ
ではドライ式を用いた。
【００３２】その次に、柱状スペーサ、およびＴＦＴ基
板の外枠に設けられるシール材となる樹脂が塗布され
る。シール材および柱状スペーサの材料は、ここでは、
エポキシ樹脂とフェノール硬化剤をエチルセロソルブの
溶媒に溶かしたものが使用される。他に、アクリル系の
樹脂を用いてもよい。また熱硬化型でも紫外線硬化型で
あってもよい。スクリーン印刷法によって、ＴＦＴ基板
またはカラーフィルタ上に、シール材と柱状スペーサが
塗布形成される。柱状スペーサは、周辺駆動回路と、ア
クティブマトリクス回路の間に、ほぼ直線状に、複数
個、間隔を開けて設けられる。間隔を開けるのは、柱状
スペーサによって、周辺駆動回路部分への液晶材料の充
填が妨げられないようにするためである。
板の外枠に設けられるシール材となる樹脂が塗布され
る。シール材および柱状スペーサの材料は、ここでは、
エポキシ樹脂とフェノール硬化剤をエチルセロソルブの
溶媒に溶かしたものが使用される。他に、アクリル系の
樹脂を用いてもよい。また熱硬化型でも紫外線硬化型で
あってもよい。スクリーン印刷法によって、ＴＦＴ基板
またはカラーフィルタ上に、シール材と柱状スペーサが
塗布形成される。柱状スペーサは、周辺駆動回路と、ア
クティブマトリクス回路の間に、ほぼ直線状に、複数
個、間隔を開けて設けられる。間隔を開けるのは、柱状
スペーサによって、周辺駆動回路部分への液晶材料の充
填が妨げられないようにするためである。
【００３３】シール材、および柱状スペーサが設けられ
たのち、２枚のガラス基板が貼り合わせられる。貼り合
わせ、硬化の方法としては、約１６０℃の高温プレスに
よって、約３時間で封止材および柱状スペーサを硬化す
る、加熱硬化方式とした。このようにして、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板を貼り合わせて形成されたアクテ
ィブマトリクス表示装置の、液晶注入口より液晶材料が
注入され、その後、エポキシ系樹脂で液晶注入口が封止
される。以上のようにして、アクティブマトリクス型の
液晶表示装置が作製される。本実施例では、シール材
と、柱状スペーサの形成を、同時に行ったが、別々に行
ってもよい。
たのち、２枚のガラス基板が貼り合わせられる。貼り合
わせ、硬化の方法としては、約１６０℃の高温プレスに
よって、約３時間で封止材および柱状スペーサを硬化す
る、加熱硬化方式とした。このようにして、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板を貼り合わせて形成されたアクテ
ィブマトリクス表示装置の、液晶注入口より液晶材料が
注入され、その後、エポキシ系樹脂で液晶注入口が封止
される。以上のようにして、アクティブマトリクス型の
液晶表示装置が作製される。本実施例では、シール材
と、柱状スペーサの形成を、同時に行ったが、別々に行
ってもよい。
【００３４】以上のようにして、図１に示す上面図を有
する液晶表示装置を得ることができた。本実施例で作製
した液晶表示装置は、周辺駆動回路も液晶領域内に設け
られているため、周辺駆動回路の上面にも液晶材料が存
在している。このため、周辺駆動回路の上に、従来の応
力の大きい保護膜を設けなくても、周辺駆動回路への不
純物や水分の侵入を防ぐことができた。さらに、液晶表
示装置は、周辺駆動回路が設けられている領域の基板を
押圧しても、何ら問題なく動作をし続けることができ
た。このように、極めて信頼性および耐久性の高い液晶
表示装置を得ることができた。
する液晶表示装置を得ることができた。本実施例で作製
した液晶表示装置は、周辺駆動回路も液晶領域内に設け
られているため、周辺駆動回路の上面にも液晶材料が存
在している。このため、周辺駆動回路の上に、従来の応
力の大きい保護膜を設けなくても、周辺駆動回路への不
純物や水分の侵入を防ぐことができた。さらに、液晶表
示装置は、周辺駆動回路が設けられている領域の基板を
押圧しても、何ら問題なく動作をし続けることができ
た。このように、極めて信頼性および耐久性の高い液晶
表示装置を得ることができた。
【００３５】〔実施例２〕実施例２は、実施例１の液晶
表示装置において、周辺駆動回路を冗長構成にした例を
示す。実施例２の液晶表示装置は、周辺駆動回路を冗長
構成とし、アクティブマトリクス回路と、冗長側の周辺
駆動回路との間にも、柱状スペーサを設けた以外は、実
施例１と、構成、作製工程とも同じである。図７に、実
施例２における液晶表示装置の上面図を示す。図７にお
いて、ガラスやプラスチック等の基板７０１に対向し
て、対向基板７０２（図に明示されていない）が対向電
極を内側にして設けられている。基板７０１上には、ア
クティブマトリクス回路７０５と、該回路を駆動するた
めの周辺駆動回路として、ソースドライバー回路７０
３、ゲイトドライバー回路７０４と、ソースドライバー
回路の冗長回路７０３’、ゲイトドライバー回路の冗長
回路７０４’とが設けられている。基板７０１、７０２
の間には、液晶材料７０６が充填され、シール材７０７
により封止されている。
表示装置において、周辺駆動回路を冗長構成にした例を
示す。実施例２の液晶表示装置は、周辺駆動回路を冗長
構成とし、アクティブマトリクス回路と、冗長側の周辺
駆動回路との間にも、柱状スペーサを設けた以外は、実
施例１と、構成、作製工程とも同じである。図７に、実
施例２における液晶表示装置の上面図を示す。図７にお
いて、ガラスやプラスチック等の基板７０１に対向し
て、対向基板７０２（図に明示されていない）が対向電
極を内側にして設けられている。基板７０１上には、ア
クティブマトリクス回路７０５と、該回路を駆動するた
めの周辺駆動回路として、ソースドライバー回路７０
３、ゲイトドライバー回路７０４と、ソースドライバー
回路の冗長回路７０３’、ゲイトドライバー回路の冗長
回路７０４’とが設けられている。基板７０１、７０２
の間には、液晶材料７０６が充填され、シール材７０７
により封止されている。
【００３６】ソースドライバー回路７０３、ゲイトドラ
イバー回路７０４等の周辺駆動回路、およびその冗長回
路７０３’、７０４’と、アクティブマトリクス回路７
０５との間には、複数の柱状スペーサ７０８が、間隔を
開けて設けられている。ビデオ信号その他表示に必要な
信号は、外部接続端子７０９を介して、周辺駆動回路へ
入力される。冗長の周辺駆動回路７０３’、７０４’
は、周辺駆動回路７０３、７０４のいずれかまたは双方
に不良が発生した場合に利用される。
イバー回路７０４等の周辺駆動回路、およびその冗長回
路７０３’、７０４’と、アクティブマトリクス回路７
０５との間には、複数の柱状スペーサ７０８が、間隔を
開けて設けられている。ビデオ信号その他表示に必要な
信号は、外部接続端子７０９を介して、周辺駆動回路へ
入力される。冗長の周辺駆動回路７０３’、７０４’
は、周辺駆動回路７０３、７０４のいずれかまたは双方
に不良が発生した場合に利用される。
【００３７】図７に示す液晶表示装置は、一対の基板間
に、必要とする回路がすべて収められており、それら回
路の全てが液晶材料により封止、保護されている。それ
に加えて、図７に示す液晶表示装置は、周辺駆動回路お
よびその冗長回路が設けられている領域の基板を押圧し
ても、何ら問題なく動作をし続けることができた。した
がって、極めて高い信頼性および耐久性を得ることがで
きた。
に、必要とする回路がすべて収められており、それら回
路の全てが液晶材料により封止、保護されている。それ
に加えて、図７に示す液晶表示装置は、周辺駆動回路お
よびその冗長回路が設けられている領域の基板を押圧し
ても、何ら問題なく動作をし続けることができた。した
がって、極めて高い信頼性および耐久性を得ることがで
きた。
【００３８】実施例２においては、柱状スペーサを、ア
クティブマトリクス回路の周りに設けたが、周辺駆動回
路上、およびアクティブマトクリス回路上に、液晶材料
を充填することができれば、アクティブマトリクス回路
をほぼ取り囲むように、壁状のスペーサを設けてもよ
い。
クティブマトリクス回路の周りに設けたが、周辺駆動回
路上、およびアクティブマトクリス回路上に、液晶材料
を充填することができれば、アクティブマトリクス回路
をほぼ取り囲むように、壁状のスペーサを設けてもよ
い。
【００３９】実施例２で作製した液晶表示装置の、周辺
駆動回路の幅は、数ｍｍ程度である。したがって、実際
に液晶表示が行われる領域の周囲に、数ｍｍ程度の縁が
存在するだけで、外部出力端子を除けば、外見上一対の
基板で構成されるという極めてシンプルな外観とする事
ができた。
駆動回路の幅は、数ｍｍ程度である。したがって、実際
に液晶表示が行われる領域の周囲に、数ｍｍ程度の縁が
存在するだけで、外部出力端子を除けば、外見上一対の
基板で構成されるという極めてシンプルな外観とする事
ができた。
【００４０】
【発明の効果】本発明により、周辺駆動回路の耐汚染
性、耐湿性を高め、外観をシンプルにすることのでき
る、周辺駆動回路をも液晶領域に設けられた液晶表示装
置において、基板の押圧による、周辺駆動回路の破壊を
防ぐことができ、かつ基板間隔を保つことができた。ひ
いては、液晶表示装置の信頼性、耐久性を、大きく向上
させることができた。
性、耐湿性を高め、外観をシンプルにすることのでき
る、周辺駆動回路をも液晶領域に設けられた液晶表示装
置において、基板の押圧による、周辺駆動回路の破壊を
防ぐことができ、かつ基板間隔を保つことができた。ひ
いては、液晶表示装置の信頼性、耐久性を、大きく向上
させることができた。
【図１】 本発明による液晶表示装置の例を示す図
【図２】 従来の液晶表示装置の例を示す図
【図３】 従来の液晶表示装置の他の構成を示す図
【図４】 図３のＢ−Ｂ’断面図を示す図
【図５】 実施例１の作製工程を示す図
【図６】 図１のＡ−Ａ’断面図を示す図
【図７】 実施例２における液晶表示装置の上面図。
１０１、２０１、３０１、７０１ 第１の基板 １０２、２０２、３０２、７０２ 第２の基板（対向
基板） １０３、２０３、３０３、７０３ ソースドライバー
回路 １０４、２０４、３０４、７０４ ゲイトドライバー
回路 １０５、２０５、３０５、７０５ アクティブマトリ
クス回路 １０６、２０６、３０６、７０６ 液晶材料 １０７、２０７、３０７、７０７ シール材 １０８、７０８ 柱状スペーサ １０９、７０９ 外部接続端子 ２０８ 保護膜 ４０１、６０１ 外力 ４０２、６０２ スペーサ ５０１ 基板 ５０２ 下地膜（酸化珪
素） ５０３、５０４、５０５ 活性層（シリコ
ン） ５０６ ゲイト絶縁膜（酸
化珪素） ５０７、５０８、５０９ ゲイト絶縁膜・ゲ
イト線 ５１０、５１１、５１２ 弱いＮ型領域 ５１３、５１４ フォトレジストの
マスク ５１５、５１６ 強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン） ５１７ 低濃度不純物領域 ５１８ フォトレジストの
マスク ５１９ 強いＰ型領域（ソ
ース／ドレイン） ５２０ 層間絶縁膜（酸化
珪素） ５２１〜５２５ 金属配線・電極 ５２６ パッシベーション
膜 ５２７ 画素電極（ＩＴ
Ｏ）
基板） １０３、２０３、３０３、７０３ ソースドライバー
回路 １０４、２０４、３０４、７０４ ゲイトドライバー
回路 １０５、２０５、３０５、７０５ アクティブマトリ
クス回路 １０６、２０６、３０６、７０６ 液晶材料 １０７、２０７、３０７、７０７ シール材 １０８、７０８ 柱状スペーサ １０９、７０９ 外部接続端子 ２０８ 保護膜 ４０１、６０１ 外力 ４０２、６０２ スペーサ ５０１ 基板 ５０２ 下地膜（酸化珪
素） ５０３、５０４、５０５ 活性層（シリコ
ン） ５０６ ゲイト絶縁膜（酸
化珪素） ５０７、５０８、５０９ ゲイト絶縁膜・ゲ
イト線 ５１０、５１１、５１２ 弱いＮ型領域 ５１３、５１４ フォトレジストの
マスク ５１５、５１６ 強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン） ５１７ 低濃度不純物領域 ５１８ フォトレジストの
マスク ５１９ 強いＰ型領域（ソ
ース／ドレイン） ５２０ 層間絶縁膜（酸化
珪素） ５２１〜５２５ 金属配線・電極 ５２６ パッシベーション
膜 ５２７ 画素電極（ＩＴ
Ｏ）
Claims (6)
- 【請求項１】アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路
が設けられた第１の基板と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向す
る大きさを有する、第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上および周辺駆動回路上に充
填された、液晶材料と、を少なくとも有する液晶表示装
置であって、 前記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の
領域に、柱状スペーサが設けられていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路
が設けられた第１の基板と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向す
る大きさを有する、第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上および周辺駆動回路上に充
填された、液晶材料と、を少なくとも有する液晶表示装
置であって、 前記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の
領域には、複数の柱状スペーサが設けられていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路
が設けられた第１の基板と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路および周辺駆動回路に対向す
る大きさを有する、第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上および周辺駆動回路上に充
填された、液晶材料と、 前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域の周辺部
に設けられた、シール材と、を少なくとも有する液晶表
示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路との間の
領域には、複数の柱状スペーサが設けられており、 前記シール材と、前記柱状スペーサは、同一材料により
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】アクティブマトリクス回路、周辺駆動回
路、該周辺駆動回路の冗長回路が設けられた第１の基板
と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路および該周辺
駆動回路の冗長回路に対向する大きさを有する、第２の
基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上、周辺駆動回路上および該
周辺駆動回路の冗長回路上に充填された、液晶材料と、
を少なくとも有する液晶表示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路および
該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、柱状スペ
ーサが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】アクティブマトリクス回路、周辺駆動回
路、該周辺駆動回路の冗長回路が設けられた第１の基板
と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路および該周辺
駆動回路の冗長回路に対向する大きさを有する、第２の
基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上、周辺駆動回路上および該
周辺駆動回路の冗長回路上に充填された、液晶材料と、 を少なくとも有する液晶表示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路および
該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数の柱
状スペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項６】アクティブマトリクス回路、周辺駆動回
路、該周辺駆動回路の冗長回路が設けられた第１の基板
と、 前記第１の基板に対向して設けられ、少なくとも、前記
アクティブマトリクス回路、周辺駆動回路および該周辺
駆動回路の冗長回路に対向する大きさを有する、第２の
基板と、 前記第１の基板と第２の基板との間の、少なくとも前記
アクティブマトリクス回路上、周辺駆動回路上および該
周辺駆動回路の冗長回路上に充填された、液晶材料と、 前記第１の基板と第２の基板とが対向する領域の周辺部
に設けられた、シール材と、を少なくとも有する液晶表
示装置であって、 前記アクティブマトリクス回路と、周辺駆動回路および
該周辺駆動回路の冗長回路との間の領域には、複数の柱
状スペーサが設けられており、 前記シール材と、前記柱状スペーサは、同一材料により
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075495A JPH08248427A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075495A JPH08248427A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248427A true JPH08248427A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13727205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8075495A Withdrawn JPH08248427A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248427A (ja) |
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- 1995-03-13 JP JP8075495A patent/JPH08248427A/ja not_active Withdrawn
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