JPH08249654A - 表面凹凸形成法及びその表面凹凸形成法を用いた磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置 - Google Patents
表面凹凸形成法及びその表面凹凸形成法を用いた磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH08249654A JPH08249654A JP7939395A JP7939395A JPH08249654A JP H08249654 A JPH08249654 A JP H08249654A JP 7939395 A JP7939395 A JP 7939395A JP 7939395 A JP7939395 A JP 7939395A JP H08249654 A JPH08249654 A JP H08249654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic disk
- forming
- ultrafine particles
- irregularities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板の表面に均一に分布する微細な凹凸を容易
に形成する方法、及びこの方法を用いて形成した磁気デ
ィスクとこの磁気ディスク用いた磁気ディスク装置を提
供する。 【構成】超微粒子を単分散化した状態で混合した塗布液
を、基板に塗布した後ドライエッチングにより表面保護
層をエッチングした後、超微粒子を除去して基板の表面
に微細な凹凸を形成する。
に形成する方法、及びこの方法を用いて形成した磁気デ
ィスクとこの磁気ディスク用いた磁気ディスク装置を提
供する。 【構成】超微粒子を単分散化した状態で混合した塗布液
を、基板に塗布した後ドライエッチングにより表面保護
層をエッチングした後、超微粒子を除去して基板の表面
に微細な凹凸を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超微粒子による微細表面
凹凸形成方法並びにこれを応用した磁気ディスク等の磁
気記録媒体に関する。
凹凸形成方法並びにこれを応用した磁気ディスク等の磁
気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来微粒子をマスク材として基板に被着
し、その後所定厚さまでエッチングし、微粒子を除去し
て表面に凹凸を形成する方法としては、特開平3−24
0263号公報に記載されている。この従来技術に開示
の方法では、微粒子は気相法によって基板に形成してい
た。例えばシリコン基板上に気相核成長が支配的となる
条件下で CVD (Chemical Vapor Deposition)酸化
膜を成長させて直径10〜100nmの二酸化シリコン
を被着させていた。
し、その後所定厚さまでエッチングし、微粒子を除去し
て表面に凹凸を形成する方法としては、特開平3−24
0263号公報に記載されている。この従来技術に開示
の方法では、微粒子は気相法によって基板に形成してい
た。例えばシリコン基板上に気相核成長が支配的となる
条件下で CVD (Chemical Vapor Deposition)酸化
膜を成長させて直径10〜100nmの二酸化シリコン
を被着させていた。
【0003】また従来の磁気ディスクは、実質的に平滑
な表面を有する非磁性基板上に表面粗さRaが5〜20
nmの円周上の微細溝(テクスチャ)を加工し、その後
その上に磁性層を設けるようになっていた。上記テクス
チャは、磁気ヘッドと磁気ディスク間の摩擦係数を低く
するため及び両者の粘着を防止するために設けられてい
るが、磁性層表面に凹凸が生じるために、その凹部での
記録磁界が広がり、記録密度を高めることができないと
いう問題があった。このため、例えば特開平1−211
236号公報に記載のように磁性層表面に微粒子を被着
して上記凹凸を微細化することが行われている。
な表面を有する非磁性基板上に表面粗さRaが5〜20
nmの円周上の微細溝(テクスチャ)を加工し、その後
その上に磁性層を設けるようになっていた。上記テクス
チャは、磁気ヘッドと磁気ディスク間の摩擦係数を低く
するため及び両者の粘着を防止するために設けられてい
るが、磁性層表面に凹凸が生じるために、その凹部での
記録磁界が広がり、記録密度を高めることができないと
いう問題があった。このため、例えば特開平1−211
236号公報に記載のように磁性層表面に微粒子を被着
して上記凹凸を微細化することが行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平3−240
263号公報記載の方法では半導体のように製造工程中
に被着する異物が性能に重大な影響を及ぼす物に対して
は、容器内で加工をドライエッチングまで一貫して行え
るので好ましいが、被着させる微粒子の粒子径及び粒度
分布を制御することが困難であるといった問題点があっ
た。
263号公報記載の方法では半導体のように製造工程中
に被着する異物が性能に重大な影響を及ぼす物に対して
は、容器内で加工をドライエッチングまで一貫して行え
るので好ましいが、被着させる微粒子の粒子径及び粒度
分布を制御することが困難であるといった問題点があっ
た。
【0005】一方、上記特開平1−211236号公報
記載の方法では、上記磁性層表面の凹凸を保護する保護
膜として炭素膜で表面を被覆するためにその膜厚が厚く
なり、表面粗さが従来のテクスチャに比べて大きくな
り、高密度記録を達成することが困難であるという問題
があった。
記載の方法では、上記磁性層表面の凹凸を保護する保護
膜として炭素膜で表面を被覆するためにその膜厚が厚く
なり、表面粗さが従来のテクスチャに比べて大きくな
り、高密度記録を達成することが困難であるという問題
があった。
【0006】このために、さらに例えば特開平4−30
5817号公報に記載のように金属種を含有させた炭素
膜を形成し、この炭素膜をエッチングして頂部に金属種
を有する凹凸を形成する方法、あるいは特開平4−28
6715号公報に記載のように炭素保護膜の表面にフォ
トリソグラフィ等により適当なマスクパターンを形成
し、選択エッチングして凹凸を形成する方法若しくはマ
スク剤を溶剤に溶解した溶液を微粒子化して塗布し、そ
の後熱処理を行ってこのマスク剤を固形化し、選択エッ
チングする方法などが提案されている。
5817号公報に記載のように金属種を含有させた炭素
膜を形成し、この炭素膜をエッチングして頂部に金属種
を有する凹凸を形成する方法、あるいは特開平4−28
6715号公報に記載のように炭素保護膜の表面にフォ
トリソグラフィ等により適当なマスクパターンを形成
し、選択エッチングして凹凸を形成する方法若しくはマ
スク剤を溶剤に溶解した溶液を微粒子化して塗布し、そ
の後熱処理を行ってこのマスク剤を固形化し、選択エッ
チングする方法などが提案されている。
【0007】しかし、上記特開平4−305817号公
報及び特開平4−286715号公報に開示の方法には
表面粗さについては開示されているが、表面粗さ及び表
面凹凸の凸部の径と粘着との関係は開示されていない。
報及び特開平4−286715号公報に開示の方法には
表面粗さについては開示されているが、表面粗さ及び表
面凹凸の凸部の径と粘着との関係は開示されていない。
【0008】本発明の目的は、基板の表面に均一に分布
する微細な凹凸を容易に形成する方法を提供することに
ある。◆本発明の他の目的は、粘着性の低い磁気ディス
クを提供することにある。◆本発明の更に他の目的は、
信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することにある。
する微細な凹凸を容易に形成する方法を提供することに
ある。◆本発明の他の目的は、粘着性の低い磁気ディス
クを提供することにある。◆本発明の更に他の目的は、
信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に鋭意研究した結果、磁気ヘッドの浮上特性、粘着特性
はディスク基板上に形成するテクスチャの表面粗さのみ
ならず、その凸部面積及びその面積比率が大きく影響す
ることを見出した。具体的には、平均粗さRaが15n
m以下になると磁気ヘッド浮上量は一定の値になり、低
浮上の安定度を増すが、逆に急激に粘着性が増加する。
に鋭意研究した結果、磁気ヘッドの浮上特性、粘着特性
はディスク基板上に形成するテクスチャの表面粗さのみ
ならず、その凸部面積及びその面積比率が大きく影響す
ることを見出した。具体的には、平均粗さRaが15n
m以下になると磁気ヘッド浮上量は一定の値になり、低
浮上の安定度を増すが、逆に急激に粘着性が増加する。
【0010】一例としてRaが20nmと10nmとの
場合の粘着力を比較すると約2倍の粘着力になってしま
う。しかしRaが同じ15nmでも凸部の面積即ち凸部
平均径Dmを例えば3μmから1/10の0.3μmに
小さくすると粘着力は約1/2になることを見出した。
場合の粘着力を比較すると約2倍の粘着力になってしま
う。しかしRaが同じ15nmでも凸部の面積即ち凸部
平均径Dmを例えば3μmから1/10の0.3μmに
小さくすると粘着力は約1/2になることを見出した。
【0011】この凸部面積を任意に制御する方法とし
て、磁性膜、保護膜からなる実質的に平滑な表面を有す
る磁気ディスク基板上に、10〜1000nmの平均粒
径を有する超微粒子を塗布法により所定の分布密度にな
るように、かつ単分散化した状態で被着し、次に基板表
面をエッチングした後、超微粒子を除去することによ
り、基板上に任意の微細な凹凸を形成できることを見い
だし、本発明に至った。
て、磁性膜、保護膜からなる実質的に平滑な表面を有す
る磁気ディスク基板上に、10〜1000nmの平均粒
径を有する超微粒子を塗布法により所定の分布密度にな
るように、かつ単分散化した状態で被着し、次に基板表
面をエッチングした後、超微粒子を除去することによ
り、基板上に任意の微細な凹凸を形成できることを見い
だし、本発明に至った。
【0012】上記目的は、下記に示す手段により達成さ
れる。◆まず、表面凹凸形成方法としては、下記の手段
がある。
れる。◆まず、表面凹凸形成方法としては、下記の手段
がある。
【0013】(1)、基板上に超微粒子を被着する超微
粒子被着工程と、基板の超微粒子被着面を所定厚さエッ
チングするエッチング工程と、超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、超微粒子被着工程は、超微粒子混合液を
基板に塗布する塗布工程である。
粒子被着工程と、基板の超微粒子被着面を所定厚さエッ
チングするエッチング工程と、超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、超微粒子被着工程は、超微粒子混合液を
基板に塗布する塗布工程である。
【0014】(2)、基板上に超微粒子を被着する超微
粒子被着工程と、基板の超微粒子被着面を所定厚さエッ
チングするエッチング工程と、超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、除去工程の後に前記基板を再びエッチン
グする再エッチング工程を有する。
粒子被着工程と、基板の超微粒子被着面を所定厚さエッ
チングするエッチング工程と、超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、除去工程の後に前記基板を再びエッチン
グする再エッチング工程を有する。
【0015】(3)、(2)において、超微粒子被着工
程は、超微粒子混合液を基板に塗布する塗布工程であ
る。◆ (4)、(1)乃至(3)のいずれかにおいて、凹凸の
凸部の平均径Dmが10〜1000nmの範囲内にあ
り、基板表面凹凸の平均粗さRaが1〜20nmの範囲
内にある。◆ (5)、(1)又は(3)において、塗布工程は超微粒
子混合液を基板に塗布するに際しスプレー法、スピン
法、ディッピング法のいずれか若しくは上記塗布法を2
つ以上組み合わせて用いる。
程は、超微粒子混合液を基板に塗布する塗布工程であ
る。◆ (4)、(1)乃至(3)のいずれかにおいて、凹凸の
凸部の平均径Dmが10〜1000nmの範囲内にあ
り、基板表面凹凸の平均粗さRaが1〜20nmの範囲
内にある。◆ (5)、(1)又は(3)において、塗布工程は超微粒
子混合液を基板に塗布するに際しスプレー法、スピン
法、ディッピング法のいずれか若しくは上記塗布法を2
つ以上組み合わせて用いる。
【0016】(6)、(1)乃至(5)のいずれかにお
いて、超微粒子は平均粒径が10〜1000nmの範囲
内にあるものを用いる。◆ (7)、(1)乃至(6)のいずれかにおいて、超微粒
子は無機酸化物からなる。
いて、超微粒子は平均粒径が10〜1000nmの範囲
内にあるものを用いる。◆ (7)、(1)乃至(6)のいずれかにおいて、超微粒
子は無機酸化物からなる。
【0017】(8)、(1)乃至(6)のいずれかにお
いて、超微粒子はその表面が有機化合物で被覆したもの
である。
いて、超微粒子はその表面が有機化合物で被覆したもの
である。
【0018】(9)、(8)において、有機化合物はク
ロロシラン化合物、アルコキシシラン化合物及びフルオ
ロアルキルシラン化合物からなる群から選ばれたシリル
化合物である。◆ (10)、(7)において、無機酸化物はSiO2、T
iO2、Al2O3の群から選ばれるものである。◆ (11)、(2)において、エッチング工程においては
酸素ガス若しくは酸素混合ガスを用いてエッチングを行
い、再エッチング工程においてはアルゴンガス若しくは
アルゴン混合ガスを用いてエッチングを行う。◆ (12)、(1)又は(3)又は(5)のいずれかにお
いて、超微粒子混合液は超微粒子を分散させるための溶
媒としてアルコール類、エーテル類、ケトン類又はセロ
ソルブ類から選ばれるものを用いる。
ロロシラン化合物、アルコキシシラン化合物及びフルオ
ロアルキルシラン化合物からなる群から選ばれたシリル
化合物である。◆ (10)、(7)において、無機酸化物はSiO2、T
iO2、Al2O3の群から選ばれるものである。◆ (11)、(2)において、エッチング工程においては
酸素ガス若しくは酸素混合ガスを用いてエッチングを行
い、再エッチング工程においてはアルゴンガス若しくは
アルゴン混合ガスを用いてエッチングを行う。◆ (12)、(1)又は(3)又は(5)のいずれかにお
いて、超微粒子混合液は超微粒子を分散させるための溶
媒としてアルコール類、エーテル類、ケトン類又はセロ
ソルブ類から選ばれるものを用いる。
【0019】(13)基板上に超微粒子を被着する超微
粒子被着工程と、基板の超微粒子被着面を所定厚さエッ
チングするエッチング工程と、超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、超微粒子被着工程は、超微粒子混合液を
基板に塗布する塗布工程であり、超微粒子はその表面が
有機化合物で被覆したものを用い、超微粒子混合液は超
微粒子を分散させるための溶媒としてアルコール類、エ
ーテル類、ケトン類又はセロソルブ類から選ばれるもの
を用いる。
粒子被着工程と、基板の超微粒子被着面を所定厚さエッ
チングするエッチング工程と、超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、超微粒子被着工程は、超微粒子混合液を
基板に塗布する塗布工程であり、超微粒子はその表面が
有機化合物で被覆したものを用い、超微粒子混合液は超
微粒子を分散させるための溶媒としてアルコール類、エ
ーテル類、ケトン類又はセロソルブ類から選ばれるもの
を用いる。
【0020】又、磁気ディスクは、つぎに示す手段があ
る。
る。
【0021】(14)、実質的に平滑な表面を有する円
板状の基板の表面に磁気情報を記録及び/又は再生する
ための磁性膜と、磁性膜を保護するため磁性膜の表面を
覆いかつその表面が凹凸を有するように形成された保護
膜とを少なくとも備えてなる磁気ディスクにおいて、保
護膜に形成した凹凸の凸状部は、凹凸を形成した部分に
対し面積比で1〜5%の範囲内に形成した。
板状の基板の表面に磁気情報を記録及び/又は再生する
ための磁性膜と、磁性膜を保護するため磁性膜の表面を
覆いかつその表面が凹凸を有するように形成された保護
膜とを少なくとも備えてなる磁気ディスクにおいて、保
護膜に形成した凹凸の凸状部は、凹凸を形成した部分に
対し面積比で1〜5%の範囲内に形成した。
【0022】(15)、実質的に平滑な表面を有する円
板状の基板の表面に磁気情報を記録及び/又は再生する
ための磁性膜と、磁性膜を保護するため磁性膜の表面を
覆いかつその表面が凹凸を有するように形成された保護
膜とを少なくとも備えてなる磁気ディスクにおいて、保
護膜に形成した凹凸は上記(1)乃至(13)のいずれ
かの表面凹凸形成法を用いて形成した。
板状の基板の表面に磁気情報を記録及び/又は再生する
ための磁性膜と、磁性膜を保護するため磁性膜の表面を
覆いかつその表面が凹凸を有するように形成された保護
膜とを少なくとも備えてなる磁気ディスクにおいて、保
護膜に形成した凹凸は上記(1)乃至(13)のいずれ
かの表面凹凸形成法を用いて形成した。
【0023】(16)、(15)において、保護膜に形
成した凹凸の凸状部は、凹凸を形成した部分に対し面積
比で1〜5%の範囲内に形成した。◆ (17)、(14)乃至(16)のいずれかにおいて、
凹凸を形成した部分は基板の円周方向に均一に且つ径方
向の一部に設けるさらに、磁気ディスク装置は、つぎに
示す手段がある。
成した凹凸の凸状部は、凹凸を形成した部分に対し面積
比で1〜5%の範囲内に形成した。◆ (17)、(14)乃至(16)のいずれかにおいて、
凹凸を形成した部分は基板の円周方向に均一に且つ径方
向の一部に設けるさらに、磁気ディスク装置は、つぎに
示す手段がある。
【0024】(18)磁気情報を記録再生可能な磁気デ
ィスクを搭載し、磁気ディスクに情報を記録及び/又は
再生する磁気ディスク装置において、磁気ディスク装置
に搭載する磁気ディスクは上記(14)乃至(17)に
記載のものを用いる。
ィスクを搭載し、磁気ディスクに情報を記録及び/又は
再生する磁気ディスク装置において、磁気ディスク装置
に搭載する磁気ディスクは上記(14)乃至(17)に
記載のものを用いる。
【0025】
【作用】平均粒径10〜1000nmの超微粒子を磁気
ディスク基板上に塗布法により所定の分布密度になるよ
うに、かつ単分散化した状態で塗布し、この超微粒子を
マスクとして用い、エッチングを行うと超微粒子が被着
した部分は基板がエッチングされないためほぼ超微粒子
径と同等の凸部が形成される。基板への超微粒子の塗布
は、予め超微粒子を単分散させた塗布溶液を用いると、
超微粒子は基板上にほぼ単分散した状態で被着される。
◆また、溶液中の超微粒子濃度を調整することにより被
着する超微粒子量、即ち超微粒子の分布密度を制御する
ことができる。
ディスク基板上に塗布法により所定の分布密度になるよ
うに、かつ単分散化した状態で塗布し、この超微粒子を
マスクとして用い、エッチングを行うと超微粒子が被着
した部分は基板がエッチングされないためほぼ超微粒子
径と同等の凸部が形成される。基板への超微粒子の塗布
は、予め超微粒子を単分散させた塗布溶液を用いると、
超微粒子は基板上にほぼ単分散した状態で被着される。
◆また、溶液中の超微粒子濃度を調整することにより被
着する超微粒子量、即ち超微粒子の分布密度を制御する
ことができる。
【0026】一方、表面粗さはエッチング条件によって
任意に制御できる。この時超微粒子表面を予め表面エネ
ルギが低い物質、例えば有機化合物であるフッ素系化合
物をコーティングしておくことにより、エッチング後に
容易に基板から超微粒子を除去することができる。
任意に制御できる。この時超微粒子表面を予め表面エネ
ルギが低い物質、例えば有機化合物であるフッ素系化合
物をコーティングしておくことにより、エッチング後に
容易に基板から超微粒子を除去することができる。
【0027】この場合、表面凹凸の平均粗さRaは1〜
20nm、好ましくは5〜15nm、凸部平均径Dmが
10〜1000nm、好ましくは50〜500nmにな
るようにすると、適正な浮上特性及び粘着特性を得るこ
とができる。Raが1nmより小さいとDmがいかなる
値であろうと粘着力が増大し、好ましくない。またRa
が20nmより大きいと低浮上化、安定性を確保するこ
とが困難となる。また、凸部平均径Dmが10nmより
小さいと、即ちマスクとして使用する超微粒子径が10
nmより小さいと二次凝集を起こしやすくなり、塗布溶
液中で超微粒子を単分散化した状態にすることが困難と
なり、基板上にも超微粒子を単分散化することができな
くなる。またDmが1000nmより大きいとRaが小
さくても粘着力は増加するために好ましくない。以上の
ことからRa/Dmは、1/1000〜2、好ましくは
1/100〜3/10の範囲が好適である。
20nm、好ましくは5〜15nm、凸部平均径Dmが
10〜1000nm、好ましくは50〜500nmにな
るようにすると、適正な浮上特性及び粘着特性を得るこ
とができる。Raが1nmより小さいとDmがいかなる
値であろうと粘着力が増大し、好ましくない。またRa
が20nmより大きいと低浮上化、安定性を確保するこ
とが困難となる。また、凸部平均径Dmが10nmより
小さいと、即ちマスクとして使用する超微粒子径が10
nmより小さいと二次凝集を起こしやすくなり、塗布溶
液中で超微粒子を単分散化した状態にすることが困難と
なり、基板上にも超微粒子を単分散化することができな
くなる。またDmが1000nmより大きいとRaが小
さくても粘着力は増加するために好ましくない。以上の
ことからRa/Dmは、1/1000〜2、好ましくは
1/100〜3/10の範囲が好適である。
【0028】以上のように本発明によれば磁気ヘッドの
浮上特性、粘着特性を大幅に向上させた磁気ディスクを
簡便且つ安価な方法で得ることができる。
浮上特性、粘着特性を大幅に向上させた磁気ディスクを
簡便且つ安価な方法で得ることができる。
【0029】
【実施例】以下本発明を具体的な例を図を用いて説明す
る。◆図1乃至図5を用いて本発明の第1実施例を説明
する。図1は、本発明の第1実施例に係る磁気ディスク
の製造工程のフロー図である。初めに、超微粒子混合塗
布溶液を調整する。エタノールを主成分とする溶媒に単
分散化した平均粒径300nmの二酸化珪素(以下、S
iO2と称する)超微粒子混合溶液[触媒化成(株)
製]を超微粒子混合比率0.5重量%(以下、wt%と
する)にエタノールを用いて調整する。
る。◆図1乃至図5を用いて本発明の第1実施例を説明
する。図1は、本発明の第1実施例に係る磁気ディスク
の製造工程のフロー図である。初めに、超微粒子混合塗
布溶液を調整する。エタノールを主成分とする溶媒に単
分散化した平均粒径300nmの二酸化珪素(以下、S
iO2と称する)超微粒子混合溶液[触媒化成(株)
製]を超微粒子混合比率0.5重量%(以下、wt%と
する)にエタノールを用いて調整する。
【0030】次に、図2に示すディッピング塗布装置を
用いて磁気ディスク基板上に0.7mm/sの塗布速度
で混合溶液を塗布する。図2において20は基板、21
は塗布浴槽、22は塗布溶液、23は塗布液搬送定量ポ
ンプである。塗布工程は、まず塗布溶液22を塗布浴槽
21に満たした後、表面に必要な膜を積層した状態の基
板20を塗布浴槽21内に浸漬して設置する。次に、定
量ポンプ23で塗布液22を一定速度で塗布浴槽21か
ら抜きだす。
用いて磁気ディスク基板上に0.7mm/sの塗布速度
で混合溶液を塗布する。図2において20は基板、21
は塗布浴槽、22は塗布溶液、23は塗布液搬送定量ポ
ンプである。塗布工程は、まず塗布溶液22を塗布浴槽
21に満たした後、表面に必要な膜を積層した状態の基
板20を塗布浴槽21内に浸漬して設置する。次に、定
量ポンプ23で塗布液22を一定速度で塗布浴槽21か
ら抜きだす。
【0031】この状態で、基板20に塗布液22が塗布
される。次に、塗布液を乾燥するが、このとき超微粒子
は基板に被着される。この状態で基板表面に被着した超
微粒子の面積比率を求めた結果3%であった。◆この時
の超微粒子被着量は、塗布液中の超微粒子濃度及び塗布
速度によって調整する。
される。次に、塗布液を乾燥するが、このとき超微粒子
は基板に被着される。この状態で基板表面に被着した超
微粒子の面積比率を求めた結果3%であった。◆この時
の超微粒子被着量は、塗布液中の超微粒子濃度及び塗布
速度によって調整する。
【0032】超微粒子は、基板表面を走査型電子顕微鏡
により観察した結果を模式化した図3に示すように、単
分散した超微粒子がほぼ均一に分布して被着されてい
る。本実施例に用いた磁気ディスクは、外径3.5イン
チであり、図4の断面図に示すように実質的に平滑なア
ルミニウム基板1上に下地層として電気メッキ法により
ニッケルーリン合金層2を10μmの厚さ形成し、その
上にスパッタ法によるクロム中間層3(膜厚;50n
m)、コバルトーニッケル合金からなる磁性層4(膜
厚;50nm)及び炭素保護膜5を被覆したものを用い
た。
により観察した結果を模式化した図3に示すように、単
分散した超微粒子がほぼ均一に分布して被着されてい
る。本実施例に用いた磁気ディスクは、外径3.5イン
チであり、図4の断面図に示すように実質的に平滑なア
ルミニウム基板1上に下地層として電気メッキ法により
ニッケルーリン合金層2を10μmの厚さ形成し、その
上にスパッタ法によるクロム中間層3(膜厚;50n
m)、コバルトーニッケル合金からなる磁性層4(膜
厚;50nm)及び炭素保護膜5を被覆したものを用い
た。
【0033】なお、超微粒子の分散溶媒は、エタノール
以外のアルコール類例えばブチルアルコール、ケトン
類、エーテル類、セロソルブ類等超微粒子が単分散化で
きるものであればよい。
以外のアルコール類例えばブチルアルコール、ケトン
類、エーテル類、セロソルブ類等超微粒子が単分散化で
きるものであればよい。
【0034】また、エッチングはアルゴン+5%酸素混
合ガスを使用したプラズマエッチングを施した。エッチ
ングは、目標厚さ10nmとし、微粒子被着部の周りの
炭素保護層の部分を除去した。このエッチング厚さは、
酸素含有率、エッチング時間などによって制御できる。
合ガスを使用したプラズマエッチングを施した。エッチ
ングは、目標厚さ10nmとし、微粒子被着部の周りの
炭素保護層の部分を除去した。このエッチング厚さは、
酸素含有率、エッチング時間などによって制御できる。
【0035】エッチング終了後、純水洗浄によりこのS
iO2超微粒子を除去し、表面凹凸形成工程は終了す
る。この後、潤滑膜としてパーフルオロポリエーテル系
の潤滑膜を5nm形成した。
iO2超微粒子を除去し、表面凹凸形成工程は終了す
る。この後、潤滑膜としてパーフルオロポリエーテル系
の潤滑膜を5nm形成した。
【0036】図5は、この方法で得られた磁気ディスク
の表面の凸部形成状況を触針式粗さ計で測定した一例で
ある。◆マスクとして用いた超微粒子径とほぼ同等の凸
部がほぼ均一に形成されており、平均粗さRaが10n
m、凸部平均径Dmが300nmの微細表面凹凸が得ら
れた。
の表面の凸部形成状況を触針式粗さ計で測定した一例で
ある。◆マスクとして用いた超微粒子径とほぼ同等の凸
部がほぼ均一に形成されており、平均粗さRaが10n
m、凸部平均径Dmが300nmの微細表面凹凸が得ら
れた。
【0037】この方法により作成した磁気ディスクを用
いた場合の効果については他の実施例の効果と併せて後
述する。
いた場合の効果については他の実施例の効果と併せて後
述する。
【0038】次に本発明の第2実施例について図6乃至
図8を用いて説明する。◆図6は、本発明の第2実施例
に係る磁気ディスクの製造工程を示すフロー図である。
◆最初に、超微粒子混合塗布溶液を調整する。ブチルア
ルコールを主成分とする溶媒に単分散化した粒径120
nmのSiO2超微粒子混合溶液[触媒化成(株)製]
を超微粒子混合比率0.3wt%に調整する。調整はブ
チルアルコールを用いて行った。◆次に、フルオロアル
キルシラン化合物(CF3CH2CH2Si(OCH3)
3)を0.03wt%この溶液に混合し、超音波で30
分間強制撹拌した。この工程により、SiO2超微粒子
の表面にあるOH基とフルオロアルキルシランのメチル
基とが反応し、超微粒子表面にCF基が修飾し、その結
果表面エネルギは下がる。
図8を用いて説明する。◆図6は、本発明の第2実施例
に係る磁気ディスクの製造工程を示すフロー図である。
◆最初に、超微粒子混合塗布溶液を調整する。ブチルア
ルコールを主成分とする溶媒に単分散化した粒径120
nmのSiO2超微粒子混合溶液[触媒化成(株)製]
を超微粒子混合比率0.3wt%に調整する。調整はブ
チルアルコールを用いて行った。◆次に、フルオロアル
キルシラン化合物(CF3CH2CH2Si(OCH3)
3)を0.03wt%この溶液に混合し、超音波で30
分間強制撹拌した。この工程により、SiO2超微粒子
の表面にあるOH基とフルオロアルキルシランのメチル
基とが反応し、超微粒子表面にCF基が修飾し、その結
果表面エネルギは下がる。
【0039】次に、スピンコート塗布装置を用いて図7
に示すように磁気ディスク30が止まっているときに磁
気ヘッドと導通をとるために磁気ディスクの内径側に設
ける無処理部32として2mmを残して混合溶液を無処
理部32の外径側の処理部33に塗布した。基板の回転
数は2000rpm/min、塗布時間1分で行った。
また本実施例では、第1実施例と同様の磁気ディスクを
用いた。◆次に、実施例1と同様にドライエッチング
後、超微粒子を除去し、微細凹凸を有する磁気ディスク
を得た。
に示すように磁気ディスク30が止まっているときに磁
気ヘッドと導通をとるために磁気ディスクの内径側に設
ける無処理部32として2mmを残して混合溶液を無処
理部32の外径側の処理部33に塗布した。基板の回転
数は2000rpm/min、塗布時間1分で行った。
また本実施例では、第1実施例と同様の磁気ディスクを
用いた。◆次に、実施例1と同様にドライエッチング
後、超微粒子を除去し、微細凹凸を有する磁気ディスク
を得た。
【0040】図8は、本実施例により得られた磁気ディ
スクの表面を触針式粗さ計で測定した一例を示す。マス
クとして用いた超微粒子径とほぼ同径の凸部がほぼ均一
に得られた。
スクの表面を触針式粗さ計で測定した一例を示す。マス
クとして用いた超微粒子径とほぼ同径の凸部がほぼ均一
に得られた。
【0041】さらに本発明の第3実施例について図9を
用いて説明する。◆図9は、第3実施例に係る磁気ディ
スクの製造工程のフロー図である。最初に、超微粒子混
合塗布溶液を調整する。プロピレングリコールノメチル
エーテルを主成分とする溶媒に単分散化した粒径80n
mのSiO2超微粒子混合溶液[触媒化成(株)製]を
超微粒子混合比率0.25wt%に調整する。調整はプ
ロピレングリコールノメチルエーテルを用いて行った。
次にスピンコート塗布装置を用い実施例2と同様に、図
7に示すように無処理部32を有するように磁気ディス
ク30に混合溶液を塗布した。本実施例では、第1実施
例と同様の磁気ディスクを用いた。
用いて説明する。◆図9は、第3実施例に係る磁気ディ
スクの製造工程のフロー図である。最初に、超微粒子混
合塗布溶液を調整する。プロピレングリコールノメチル
エーテルを主成分とする溶媒に単分散化した粒径80n
mのSiO2超微粒子混合溶液[触媒化成(株)製]を
超微粒子混合比率0.25wt%に調整する。調整はプ
ロピレングリコールノメチルエーテルを用いて行った。
次にスピンコート塗布装置を用い実施例2と同様に、図
7に示すように無処理部32を有するように磁気ディス
ク30に混合溶液を塗布した。本実施例では、第1実施
例と同様の磁気ディスクを用いた。
【0042】塗布後に乾燥することにより超微粒子が磁
気ディスクの表面に被着する。乾燥後、アルゴン+5%
酸素の混合ガスにより磁気ディスク表面を目標深さ13
nmでエッチングした。◆エッチング後、純水を用いて
超音波洗浄を行い、基板に被着している超微粒子を除去
した。
気ディスクの表面に被着する。乾燥後、アルゴン+5%
酸素の混合ガスにより磁気ディスク表面を目標深さ13
nmでエッチングした。◆エッチング後、純水を用いて
超音波洗浄を行い、基板に被着している超微粒子を除去
した。
【0043】最後にアルゴンガスにより、最終的にエッ
チング深さ15nmまでエッチング及び整形を行った。
最後のエッチング工程にアルゴンガスを用いたのは、エ
ッチング速度が小さく超微粒子除去後の凸状部のコーナ
部を滑らかにするのに効果的であるためである。また、
万が一超微粒子が表面に残留していても超微粒子を必要
以上に加熱することが無いため、超微粒子が蒸発してそ
の成分が磁気ディスク及び他の部品などに被着して性能
などに影響を与えない。
チング深さ15nmまでエッチング及び整形を行った。
最後のエッチング工程にアルゴンガスを用いたのは、エ
ッチング速度が小さく超微粒子除去後の凸状部のコーナ
部を滑らかにするのに効果的であるためである。また、
万が一超微粒子が表面に残留していても超微粒子を必要
以上に加熱することが無いため、超微粒子が蒸発してそ
の成分が磁気ディスク及び他の部品などに被着して性能
などに影響を与えない。
【0044】上記実施例1、2及び3によれば、超微粒
子を除去した後に再度エッチングによって凸状部のコー
ナ部が滑らかに整形されるため、磁気ヘッドとの摩擦を
低減できる。上記実施例1、2及び3によって作成した
磁気ディスクを用いて図9に示す磁気ディスク装置を構
成し、コンタクト・スタート・ストップ(以下、CSS
と称する)試験での摺動耐久特性を検討した。
子を除去した後に再度エッチングによって凸状部のコー
ナ部が滑らかに整形されるため、磁気ヘッドとの摩擦を
低減できる。上記実施例1、2及び3によって作成した
磁気ディスクを用いて図9に示す磁気ディスク装置を構
成し、コンタクト・スタート・ストップ(以下、CSS
と称する)試験での摺動耐久特性を検討した。
【0045】図10において、11はキャリッジ16及
びボイスコイルモータ17を搭載するベース、20は磁
気ディスクであり、複数枚が等間隔でモータ14により
回転するスピンドル12に固定されている。一方磁気ヘ
ッド15は、キャリッジ16に固定された支持体の先端
に取り付けられ、ボイスコイルモータ17によって磁気
ディスクの半径方向に直線的に移動して位置決めされ
る。
びボイスコイルモータ17を搭載するベース、20は磁
気ディスクであり、複数枚が等間隔でモータ14により
回転するスピンドル12に固定されている。一方磁気ヘ
ッド15は、キャリッジ16に固定された支持体の先端
に取り付けられ、ボイスコイルモータ17によって磁気
ディスクの半径方向に直線的に移動して位置決めされ
る。
【0046】その結果、磁気ヘッドの浮上量を10nm
とした場合においても安定した浮上特性を示すと共に、
初期の摩擦力が2gfと低く、CSSを3万回繰り返し
た後の磁気ディスク表面に傷の発生が見られず、良好な
摺動耐久特性が得られた。
とした場合においても安定した浮上特性を示すと共に、
初期の摩擦力が2gfと低く、CSSを3万回繰り返し
た後の磁気ディスク表面に傷の発生が見られず、良好な
摺動耐久特性が得られた。
【0047】また、従来技術では40,000回のCS
S後、96時間放置すると粘着力が15gf以上になる
ものがあるが、上記した各実施例の磁気ディスクを用い
ると、粘着力は全て4gf以下であった。また図11は
表面凹凸の凸部面積比率が粘着力に及ぼす影響を示した
ものである。
S後、96時間放置すると粘着力が15gf以上になる
ものがあるが、上記した各実施例の磁気ディスクを用い
ると、粘着力は全て4gf以下であった。また図11は
表面凹凸の凸部面積比率が粘着力に及ぼす影響を示した
ものである。
【0048】図から明らかなように凸部面積比率が1〜5
%の範囲で4g以下の良好な低粘着力が得られている。磁
気ヘッドと磁気ディスクの組み合わせのような摺動部に
おいては少なくとも3点以上の突起で同時に支えなけれ
ば磁気ヘッドの動作安定性に欠け、最悪の場合は突起の
存在しない平坦な部分に磁気ヘッドが位置することも考
えられ、このような場合には急激に粘着力が高くなる。
面積比率が1%より少ないと、急激に粘着力が高くなる
のはこれが主原因と考えられる。また、面積比率が5%
より多いと凸部の磁気ヘッドに接触する数が多くなるの
で粘着力は高くなる。
%の範囲で4g以下の良好な低粘着力が得られている。磁
気ヘッドと磁気ディスクの組み合わせのような摺動部に
おいては少なくとも3点以上の突起で同時に支えなけれ
ば磁気ヘッドの動作安定性に欠け、最悪の場合は突起の
存在しない平坦な部分に磁気ヘッドが位置することも考
えられ、このような場合には急激に粘着力が高くなる。
面積比率が1%より少ないと、急激に粘着力が高くなる
のはこれが主原因と考えられる。また、面積比率が5%
より多いと凸部の磁気ヘッドに接触する数が多くなるの
で粘着力は高くなる。
【0049】以上のことから表面凹凸の適正凸部面積比
率は1〜5%が好ましく、この範囲では4g以下の粘着
力が得られる。◆またマスク材としての粒子径が従来の
3μmでは、表面凹凸の凸部面積比率を1〜5%に設定
してもその粘着力は6〜10gであった。
率は1〜5%が好ましく、この範囲では4g以下の粘着
力が得られる。◆またマスク材としての粒子径が従来の
3μmでは、表面凹凸の凸部面積比率を1〜5%に設定
してもその粘着力は6〜10gであった。
【0050】上記の結果から、本発明法を用いることに
より従来の粒子径の超微粒子をマスクとして用いる場
合、半分以下の粘着力特性が得られる。
より従来の粒子径の超微粒子をマスクとして用いる場
合、半分以下の粘着力特性が得られる。
【0051】
【発明の効果】基板上に超微粒子を単分散した状態に塗
布し、この超微粒子をマスクとしてエッチングを行うこ
とにより、凸部の径が1μm以下の微細で均一な凹凸を
形成することができる。表面にこの凹凸を表面に形成し
た磁気ディスクは、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に
粘着することを防止でき、摩擦係数を大幅に低減する。
布し、この超微粒子をマスクとしてエッチングを行うこ
とにより、凸部の径が1μm以下の微細で均一な凹凸を
形成することができる。表面にこの凹凸を表面に形成し
た磁気ディスクは、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に
粘着することを防止でき、摩擦係数を大幅に低減する。
【0052】また、上記本発明の表面凹凸形成法を用い
て製作した磁気ディスクを装着した磁気ディスク装置
は、磁気ヘッドと磁気ディスクとの良好な摺動耐久特性
が得られ、磁気ディスクの損傷が非常に少なくなるため
信頼性が高い。
て製作した磁気ディスクを装着した磁気ディスク装置
は、磁気ヘッドと磁気ディスクとの良好な摺動耐久特性
が得られ、磁気ディスクの損傷が非常に少なくなるため
信頼性が高い。
【図1】本発明の第1実施例に係る、磁気ディスクの製
造工程を説明するフロー図である。
造工程を説明するフロー図である。
【図2】本発明の第1実施例に係る、超微粒子塗布装置
の例を示す概略図である。
の例を示す概略図である。
【図3】本発明の第1実施例における超微粒子被着状態
を示す図である。
を示す図である。
【図4】本発明の第1実施例で用いた磁気ディスクの部
分断面図である。
分断面図である。
【図5】本発明の第1実施例において超微粒子を被着し
た磁気ディスクの表面の凹凸を示す図である。
た磁気ディスクの表面の凹凸を示す図である。
【図6】本発明の第2実施例に係る、磁気ディスクの製
造工程を説明するフロー図である。
造工程を説明するフロー図である。
【図7】本発明の第2実施例における超微粒子を塗布し
た磁気ディスクの表面図である。
た磁気ディスクの表面図である。
【図8】本発明の第2実施例において超微粒子を被着し
た磁気ディスクの表面の凹凸を示す図である。
た磁気ディスクの表面の凹凸を示す図である。
【図9】本発明の第3実施例に係る、磁気ディスクの製
造工程を説明するフロー図である。
造工程を説明するフロー図である。
【図10】本発明の磁気ディスクを搭載した磁気ディス
ク装置の部分断面図である。
ク装置の部分断面図である。
【図11】本発明の磁気ディスクを搭載した磁気ディス
ク装置を用いて測定した粘着力特性を示す図である。
ク装置を用いて測定した粘着力特性を示す図である。
1…磁気ディスク基板、2…ニッケルーリンめっき下地
層、3…クロム中間層、4…磁性層、5…炭素保護膜、
20…基板、21…塗布浴槽、22…塗布溶液、30…
磁気ディスク。
層、3…クロム中間層、4…磁性層、5…炭素保護膜、
20…基板、21…塗布浴槽、22…塗布溶液、30…
磁気ディスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森口 善弘 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 重 則幸 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (18)
- 【請求項1】基板上に超微粒子を被着する超微粒子被着
工程と、前記基板の超微粒子被着面を所定厚さエッチン
グするエッチング工程と、前記超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、前記超微粒子被着工程は、超微粒子混合
液を基板に塗布する塗布工程であることを特徴とする表
面凹凸形成法。 - 【請求項2】基板上に超微粒子を被着する超微粒子被着
工程と、前記基板の超微粒子被着面を所定厚さエッチン
グするエッチング工程と、前記超微粒子を除去する除去
工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形成
方法において、前記除去工程の後に前記基板を再びエッ
チングする再エッチング工程を有することを特徴とする
表面凹凸形成法。 - 【請求項3】請求項2に記載の表面凹凸形成法におい
て、前記超微粒子被着工程は、超微粒子混合液を基板に
塗布する塗布工程であることを特徴とする表面凹凸形成
方法。 - 【請求項4】請求項1乃至3のいずれかに記載の表面凹
凸形成法において、前記凹凸の凸部の平均粒径Dmが1
0〜1000nmの範囲内にあり、基板表面凹凸の平均
粗さRaが1〜20nmの範囲内にあることを特徴とす
る表面凹凸形成法。 - 【請求項5】請求項1又は3に記載の表面凹凸形成法に
おいて、前記塗布工程は超微粒子混合液を基板に塗布す
るに際しスプレー法、スピン法、ディッピング法のいず
れか若しくは前記塗布法を二つ以上組み合わせて用いる
ことを特徴とする表面凹凸形成法。 - 【請求項6】請求項1乃至5のいずれかに記載の表面凹
凸形成法において、前記超微粒子は平均粒径が10〜1
000nmの範囲内にあるものを用いることを特徴とす
る表面凹凸形成法。 - 【請求項7】請求項1乃至6のいずれかに記載の表面凹
凸形成法において、前記超微粒子は無機酸化物からなる
ことを特徴とする表面凹凸形成法。 - 【請求項8】請求項1乃至6のいずれかに記載の表面凹
凸形成法において、前記超微粒子はその表面が有機化合
物で被覆したものであることを特徴とする表面凹凸形成
法。 - 【請求項9】請求項8に記載の表面凹凸形成法におい
て、前記有機化合物はクロロシラン化合物、アルコキシ
シラン化合物及びフルオロアルキルシラン化合物からな
る群から選ばれたシリル化合物であることを特徴とする
表面凹凸形成法。 - 【請求項10】請求項7に記載の表面凹凸形成法におい
て、前記無機酸化物はSiO2、TiO2、Al2O3の群
から選ばれるものであることを特徴とする表面凹凸形成
法。 - 【請求項11】請求項2に記載の表面凹凸形成法におい
て、前記エッチング工程においては酸素ガス若しくは酸
素混合ガスを用いてエッチングを行い、前記再エッチン
グ工程においてはアルゴンガス若しくはアルゴン混合ガ
スを用いてエッチングを行うことを特徴とする表面凹凸
形成法。 - 【請求項12】請求項1又は3又は5のいずれかに記載
の表面凹凸形成法において、前記超微粒子混合液は超微
粒子を分散させるための溶媒としてアルコール類、エー
テル類、ケトン類又はセロソルブ類から選ばれるものを
用いることを特徴とする表面凹凸形成法。 - 【請求項13】基板上に超微粒子を被着する超微粒子被
着工程と、前記基板の超微粒子被着面を所定厚さエッチ
ングするエッチング工程と、前記超微粒子を除去する除
去工程とを有し、基板表面に凹凸を形成する表面凹凸形
成方法において、前記超微粒子被着工程は、超微粒子混
合液を基板に塗布する塗布工程であり、前記超微粒子は
その表面が有機化合物で被覆したものを用い、前記超微
粒子混合液は超微粒子を分散させるための溶媒としてア
ルコール類、エーテル類、ケトン類又はセロソルブ類か
ら選ばれるものを用いることを特徴とする表面凹凸形成
法。 - 【請求項14】実質的に平滑な表面を有する円板状の基
板の表面に磁気情報を記録及び/又は再生するための磁
性膜と、該磁性膜を保護するため磁性膜の表面を覆いか
つその表面が凹凸を有するように形成された保護膜とを
少なくとも備えてなる磁気ディスクにおいて、前記保護
膜に形成した凹凸の凸状部は、凹凸を形成した部分に対
し面積比で1〜5%の範囲内に形成したことを特徴とす
る磁気ディスク。 - 【請求項15】実質的に平滑な表面を有する円板状の基
板の表面に磁気情報を記録及び/又は再生するための磁
性膜と、該磁性膜を保護するため磁性膜の表面を覆いか
つその表面が凹凸を有するように形成された保護膜とを
少なくとも備えてなる磁気ディスクにおいて、前記保護
膜に形成した凹凸は請求項1乃至13のいずれかの表面
凹凸形成法を用いて形成したことを特徴とする磁気ディ
スク。 - 【請求項16】請求項15に記載の磁気ディスクにおい
て、前記保護膜に形成した凹凸の凸状部は、凹凸を形成
した部分に対し面積比で1〜5%の範囲内に形成したこ
とを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項17】請求項14乃至16のいずれかに記載の
磁気ディスクにおいて、前記凹凸を形成した部分は前記
基板の円周方向に均一に且つ径方向の一部に設けること
を特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項18】磁気情報を記録再生可能な磁気ディスク
を搭載し、該磁気ディスクに情報を記録及び/又は再生
する磁気ディスク装置において、該磁気ディスク装置に
搭載する磁気ディスクは請求項14乃至17に記載のも
のを用いることを特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7939395A JPH08249654A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 表面凹凸形成法及びその表面凹凸形成法を用いた磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7939395A JPH08249654A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 表面凹凸形成法及びその表面凹凸形成法を用いた磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08249654A true JPH08249654A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13688625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7939395A Pending JPH08249654A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 表面凹凸形成法及びその表面凹凸形成法を用いた磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08249654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6913702B2 (en) | 2000-09-13 | 2005-07-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Amorphous material processing method and glass substrate |
| US7040953B2 (en) | 2001-07-25 | 2006-05-09 | Hoya Corporation | Substrate for information recording media and manufacturing method thereof, and information recording medium |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP7939395A patent/JPH08249654A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6913702B2 (en) | 2000-09-13 | 2005-07-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Amorphous material processing method and glass substrate |
| US7727407B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-01 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Amorphous material processing method |
| US7040953B2 (en) | 2001-07-25 | 2006-05-09 | Hoya Corporation | Substrate for information recording media and manufacturing method thereof, and information recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0185209B1 (en) | Magnetic disk coating method and apparatus | |
| JPH0462420B2 (ja) | ||
| US5738906A (en) | Method for producing a magnetic disk | |
| JP2000011342A (ja) | クリーニングテープおよびその製造方法 | |
| JPH06301969A (ja) | 磁気記録媒体並びにその製造方法及び磁気ディスク装置 | |
| JP2000057564A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6038720A (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH09274720A (ja) | 磁気ディスクと表面凹凸形成方法 | |
| JPH09312016A (ja) | 磁気ディスク | |
| JPH0971409A (ja) | 無機保護膜およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH08153328A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH08212539A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
| JP2638228B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2681300B2 (ja) | 磁気記録媒体用基板のテクスチャー加工方法 | |
| JPS63222327A (ja) | 磁気デイスクの製造方法 | |
| JPH10188276A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH05258298A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH08325699A (ja) | シリカ保護膜の作成方法および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6339134A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPH06111300A (ja) | 磁気記録媒体への潤滑剤の塗布方法 | |
| JPH05258293A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板 | |
| JPS59148179A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH103653A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH087863B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63184924A (ja) | 塗布型磁気記録媒体の製造方法 |