JPH08250050A - 電界放出型表示素子 - Google Patents
電界放出型表示素子Info
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- JPH08250050A JPH08250050A JP8037854A JP3785496A JPH08250050A JP H08250050 A JPH08250050 A JP H08250050A JP 8037854 A JP8037854 A JP 8037854A JP 3785496 A JP3785496 A JP 3785496A JP H08250050 A JPH08250050 A JP H08250050A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 150
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 29
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZGTNJINJRMRGNV-UHFFFAOYSA-N [V].[Fe].[Zr] Chemical compound [V].[Fe].[Zr] ZGTNJINJRMRGNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DNXNYEBMOSARMM-UHFFFAOYSA-N alumane;zirconium Chemical compound [AlH3].[Zr] DNXNYEBMOSARMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 241001147101 Dugong Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N iron vanadium Chemical compound [V].[Fe] PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000986 non-evaporable getter Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/38—Control of maintenance of pressure in the vessel
- H01J2209/385—Gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/86—Vessels
- H01J2329/8625—Spacing members
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 主空間の内部に存在するガス分子の排気とゲ
ッタの設置が容易で平板化が可能な電界放出型表示素子
を提供することである。 【解決手段】 本発明は、電界放出型表示素子パネルの
構造に関するもので、主空間２６の背面に補助空間２０
６を形成している。補助空間２０６の体積は主空間２６
の体積より大きくし、補助空間２０６と主空間２６とは
２個以上の孔２０２で連結している。本発明では、主空
間２６の排気が容易で、またゲッタ２０７の設置が容易
であり、パネルの真空度低下を抑えることができる。
ッタの設置が容易で平板化が可能な電界放出型表示素子
を提供することである。 【解決手段】 本発明は、電界放出型表示素子パネルの
構造に関するもので、主空間２６の背面に補助空間２０
６を形成している。補助空間２０６の体積は主空間２６
の体積より大きくし、補助空間２０６と主空間２６とは
２個以上の孔２０２で連結している。本発明では、主空
間２６の排気が容易で、またゲッタ２０７の設置が容易
であり、パネルの真空度低下を抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出型表示素子
に関し、特に真空パッケージングのために主空間の背面
に補助空間が形成されている電界放出型表示素子パネル
の構造に関するものである。
に関し、特に真空パッケージングのために主空間の背面
に補助空間が形成されている電界放出型表示素子パネル
の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管はテレビ、コンピュータ並びに
その他の映像表示装置に広く利用されている。陰極線管
がこのようにいくつかの映像素子に広く利用されている
理由は、陰極線管から良好な色、輝度、画質及び解像度
が得られるためである。しかし一般の陰極線管において
は、実際画面の後部に占める陰極線管の体積が大きいた
め、表示素子の全体的な大きさが拡大していくつか不便
な点がある。
その他の映像表示装置に広く利用されている。陰極線管
がこのようにいくつかの映像素子に広く利用されている
理由は、陰極線管から良好な色、輝度、画質及び解像度
が得られるためである。しかし一般の陰極線管において
は、実際画面の後部に占める陰極線管の体積が大きいた
め、表示素子の全体的な大きさが拡大していくつか不便
な点がある。
【０００３】平板表示素子は現在の陰極線管表示素子の
適用が困難な分野、特にその表示素子が占める面積に制
限のある情報表示素子分野、例えば携帯用コンピュー
タ、テレビやＨＭＤ（Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉ
ｓｐｌａｙ）等に多く使用されている。平板表示素子の
中で電界放出型表示素子は、陰極線管で既に非常に確立
された陰極発光の蛍光体（ｃａｔｈｏｄｅ ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｔ ｐｈｏｓｐｈｏｒ）技術を利用し、ディ
スプレイの厚さが薄くて高画質を備えるディスプレイを
製作することができる。
適用が困難な分野、特にその表示素子が占める面積に制
限のある情報表示素子分野、例えば携帯用コンピュー
タ、テレビやＨＭＤ（Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉ
ｓｐｌａｙ）等に多く使用されている。平板表示素子の
中で電界放出型表示素子は、陰極線管で既に非常に確立
された陰極発光の蛍光体（ｃａｔｈｏｄｅ ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｔ ｐｈｏｓｐｈｏｒ）技術を利用し、ディ
スプレイの厚さが薄くて高画質を備えるディスプレイを
製作することができる。
【０００４】電界放出型表示素子の概念は１９６０年代
末から現われ始めた。電界放出型表示素子は、フィール
ドエミッション現象により放出された電子が真空中で蛍
光体が塗布された面をたたく際に出る光を利用して画像
を表示する。この点は陰極線管とその基本動作原理が同
じ点や、陰極線管からの電子はフィラメントの加熱によ
り放出される熱電子であるのに対し、電界放出型表示素
子では強い電界によるトンネリング（ｔｕｎｎｅｌｉｎ
ｇ）効果により放出される電子であるという点が異な
る。上記の電界放出型表示素子はマトリックス（ｍａｔ
ｒｉｘ）形態でアドレスされるカソード電極と電界放出
を制御するためのゲート電極と電子ビームを可視光線に
転換させる陰極発光の蛍光体がコーティングされたアノ
ード電極とパネルの間隔を保たせるスペーサとで構成さ
れる。上述した電界放出型表示素子はカソード電極とゲ
ート電極が等しい基板上に形成されるため、また簡単な
構造で冷陰極方式のため、電力の消耗が低くかつカソー
ド電極とゲート電極間のマトリックスによりマルチプレ
ックス・アドレッシング（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ ａｄｄ
ｒｅｓｓｉｎｇ）が可能な長所がある。また、電界放出
型表示素子は電子放出による自体発光を利用するため、
高輝度と解像度を備える次世代平板ディスプレイの要求
に適合する。
末から現われ始めた。電界放出型表示素子は、フィール
ドエミッション現象により放出された電子が真空中で蛍
光体が塗布された面をたたく際に出る光を利用して画像
を表示する。この点は陰極線管とその基本動作原理が同
じ点や、陰極線管からの電子はフィラメントの加熱によ
り放出される熱電子であるのに対し、電界放出型表示素
子では強い電界によるトンネリング（ｔｕｎｎｅｌｉｎ
ｇ）効果により放出される電子であるという点が異な
る。上記の電界放出型表示素子はマトリックス（ｍａｔ
ｒｉｘ）形態でアドレスされるカソード電極と電界放出
を制御するためのゲート電極と電子ビームを可視光線に
転換させる陰極発光の蛍光体がコーティングされたアノ
ード電極とパネルの間隔を保たせるスペーサとで構成さ
れる。上述した電界放出型表示素子はカソード電極とゲ
ート電極が等しい基板上に形成されるため、また簡単な
構造で冷陰極方式のため、電力の消耗が低くかつカソー
ド電極とゲート電極間のマトリックスによりマルチプレ
ックス・アドレッシング（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ ａｄｄ
ｒｅｓｓｉｎｇ）が可能な長所がある。また、電界放出
型表示素子は電子放出による自体発光を利用するため、
高輝度と解像度を備える次世代平板ディスプレイの要求
に適合する。
【０００５】しかし、電界放出型表示素子は二つの電極
間が全体画面から互いに絶縁されなければならず、二つ
の電極間の距離が近くなるほど駆動電圧が低くなるた
め、その間隔が狭ければ狭いほど良く、一定の解像度及
び明るさのためにそして画面のねじれ防止のためにその
間隔が一定でなければならない。また、電界放出型表示
素子を作動させる際、カソード電極上のエミッタから放
出された電子がアノード電極上の蛍光体に飛んで行く間
に気体分子との衝突があってはならず、また二つの電極
間の電気的な降伏（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）等を防止し、
カソード電極周囲の強い電場によりイオン化された気体
の衝突によるチップの破損防止のために、パネルを高真
空（一般に、１×１０-5ｔｏｒｒ以下）に保持させるこ
とが必ず必要である。ところが、二つの基板間の間隔は
数百ミクロン以内で非常に小さいため、既存の方法では
真空パッケージングをするには問題が多くあった。即
ち、二つの電極間の間隔が狭いことで真空を形成するの
にコンダクタンスが低下し、高真空を作ったり保つのが
非常に困難であった。
間が全体画面から互いに絶縁されなければならず、二つ
の電極間の距離が近くなるほど駆動電圧が低くなるた
め、その間隔が狭ければ狭いほど良く、一定の解像度及
び明るさのためにそして画面のねじれ防止のためにその
間隔が一定でなければならない。また、電界放出型表示
素子を作動させる際、カソード電極上のエミッタから放
出された電子がアノード電極上の蛍光体に飛んで行く間
に気体分子との衝突があってはならず、また二つの電極
間の電気的な降伏（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）等を防止し、
カソード電極周囲の強い電場によりイオン化された気体
の衝突によるチップの破損防止のために、パネルを高真
空（一般に、１×１０-5ｔｏｒｒ以下）に保持させるこ
とが必ず必要である。ところが、二つの基板間の間隔は
数百ミクロン以内で非常に小さいため、既存の方法では
真空パッケージングをするには問題が多くあった。即
ち、二つの電極間の間隔が狭いことで真空を形成するの
にコンダクタンスが低下し、高真空を作ったり保つのが
非常に困難であった。
【０００６】真空パッケージングの技術は、電界放出型
表示素子のパネルの構造に関するスペーサ製作及びシー
リング技術と排気技術、ゲッタの活性化技術等に大別さ
れる。現在までは主にゲッタの活性化技術とスペーサの
製作技術に関する特許が主流をなしている。
表示素子のパネルの構造に関するスペーサ製作及びシー
リング技術と排気技術、ゲッタの活性化技術等に大別さ
れる。現在までは主にゲッタの活性化技術とスペーサの
製作技術に関する特許が主流をなしている。
【０００７】ゲッタの活性化技術に関しては、特開昭５
１−１１７５６５号、特開昭５３−８８５６３号がある
が、上記の特許では素子内部に存在する残留ガスをゲッ
タの活性化で除去し高真空に保つ方法を開示している。
それ以外に特開平５−１２１０１５号、特開平５−１５
１９１６号、特開平５−１８２６０８号等はゲッタを多
様な構造で素子内部に定着させることにより高真空を保
つことが開示されている。
１−１１７５６５号、特開昭５３−８８５６３号がある
が、上記の特許では素子内部に存在する残留ガスをゲッ
タの活性化で除去し高真空に保つ方法を開示している。
それ以外に特開平５−１２１０１５号、特開平５−１５
１９１６号、特開平５−１８２６０８号等はゲッタを多
様な構造で素子内部に定着させることにより高真空を保
つことが開示されている。
【０００８】スペーサの製作に関する主要な特許では、
イノバティブ・ディスプレイ（Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ
ｄｉｓｐｌａｙ）社にかかる米国特許第４９２３４２１
号及びエム・ディ・ティ（Ｍ．Ｄ．Ｔ．）社にかかる米
国特許第５２３２５４９号がある。この他にもシーリン
グに関する主要な特許には、モトローラ（Ｍｏｔｏｒｏ
ｌａ）社にかかる米国特許第５１１７３０４号がある。
イノバティブ・ディスプレイ（Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ
ｄｉｓｐｌａｙ）社にかかる米国特許第４９２３４２１
号及びエム・ディ・ティ（Ｍ．Ｄ．Ｔ．）社にかかる米
国特許第５２３２５４９号がある。この他にもシーリン
グに関する主要な特許には、モトローラ（Ｍｏｔｏｒｏ
ｌａ）社にかかる米国特許第５１１７３０４号がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は既存の真空パ
ッケージングの技術が根本的に備えている問題を解決す
るためになされたものである。即ち、電界放出型表示素
子パネルでは二つの基板間の間隔が数百ミクロン以内で
非常に狭いため、パネル内部を高真空に排気させるには
問題が多い。
ッケージングの技術が根本的に備えている問題を解決す
るためになされたものである。即ち、電界放出型表示素
子パネルでは二つの基板間の間隔が数百ミクロン以内で
非常に狭いため、パネル内部を高真空に排気させるには
問題が多い。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明はパネルの主空間
の裏側に主空間より体積が大きい補助空間を製作して主
空間と補助空間との間に多数個の孔をあけることにより
気体分子が自由に移動できる構造を備えたことを特徴と
する。この際、排気口は補助空間に設置し主空間にあっ
た気体分子等は補助空間を通じ排気される。
の裏側に主空間より体積が大きい補助空間を製作して主
空間と補助空間との間に多数個の孔をあけることにより
気体分子が自由に移動できる構造を備えたことを特徴と
する。この際、排気口は補助空間に設置し主空間にあっ
た気体分子等は補助空間を通じ排気される。
【００１１】本発明によると補助空間の体積は主空間の
体積に比べ非常に大きいため、補助空間でのコンダクタ
ンスは高真空で排気するうえでも問題がない。また、主
空間と補助空間は多数個の孔で連結されているため、主
空間に存在していたガスは容易に補助空間に移動し、補
助空間に移動した気体分子等は排気口を通じパネルの外
に排気される。
体積に比べ非常に大きいため、補助空間でのコンダクタ
ンスは高真空で排気するうえでも問題がない。また、主
空間と補助空間は多数個の孔で連結されているため、主
空間に存在していたガスは容易に補助空間に移動し、補
助空間に移動した気体分子等は排気口を通じパネルの外
に排気される。
【００１２】本発明のまた別の長所は補助空間の体積が
非常に大きいため、ゲッタの設置が容易で、高真空を保
たせることがはるかに容易である。
非常に大きいため、ゲッタの設置が容易で、高真空を保
たせることがはるかに容易である。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は従来の技術による電界放出
型表示素子の断面図である。ここで、電界放出型表示素
子は下部基板１１と該下部基板１１と向き合う上部基板
２１を含めているが、前記の下部基板１１にはストライ
プ形状の多数のカソード電極１３が形成され、前記の上
部基板２１には前記のカソード電極１３と交差するスト
ライプ形状の多数のアノード電極２３が形成される。
型表示素子の断面図である。ここで、電界放出型表示素
子は下部基板１１と該下部基板１１と向き合う上部基板
２１を含めているが、前記の下部基板１１にはストライ
プ形状の多数のカソード電極１３が形成され、前記の上
部基板２１には前記のカソード電極１３と交差するスト
ライプ形状の多数のアノード電極２３が形成される。
【００１４】上記の上部基板２１は視聴者の正面に位置
し、その材質は透明なガラスである。そして、上記のア
ノード電極２３は視聴者と反対側で前記の上部基板２１
の表面に形成され、その材質は透明な伝導性物質である
インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）である。次に、蛍光
体２５が上記のアノード電極２３の表面に形成され、電
子が上記の蛍光体に衝突し発光する。
し、その材質は透明なガラスである。そして、上記のア
ノード電極２３は視聴者と反対側で前記の上部基板２１
の表面に形成され、その材質は透明な伝導性物質である
インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）である。次に、蛍光
体２５が上記のアノード電極２３の表面に形成され、電
子が上記の蛍光体に衝突し発光する。
【００１５】次に、上記の下部基板１１は視聴者の背面
に位置し、その材質はガラスまたはシリコン等の半導体
基板である。そして、上記の下部基板１１上に形成され
るカソード電極１３の材質は甚だしくドーピングさせた
半導体であったり伝導性金属である。上記のカソード電
極１３の表面には多数個のエミッタ１５が形成され、そ
の材質はシリコン、モリブデン（Ｍｏ）等の金属で、そ
の形状は大部分が円錐形で、ここから電子が放出され
る。また、絶縁体１７が前記のエミッタ１５とエミッタ
１５との間に形成されて、ゲート電極１９が前記の絶縁
体１７の上部に形成される。前記のゲート電極１９は前
記のエミッタ１５から電子の放出を調節することにな
る。また、上記の下部基板１１にはカソード電極１３が
形成されていない所定の部分に第１排気口２９が形成さ
れ、上記の第１排気口２９に排気チューブを挿入させ
て、上記の第１排気口２９に主空間２６内のガスを排出
した後密封する。次に上記の第１排気口２９が適当な圧
力に達すると排気用細管を密封した後除去する。
に位置し、その材質はガラスまたはシリコン等の半導体
基板である。そして、上記の下部基板１１上に形成され
るカソード電極１３の材質は甚だしくドーピングさせた
半導体であったり伝導性金属である。上記のカソード電
極１３の表面には多数個のエミッタ１５が形成され、そ
の材質はシリコン、モリブデン（Ｍｏ）等の金属で、そ
の形状は大部分が円錐形で、ここから電子が放出され
る。また、絶縁体１７が前記のエミッタ１５とエミッタ
１５との間に形成されて、ゲート電極１９が前記の絶縁
体１７の上部に形成される。前記のゲート電極１９は前
記のエミッタ１５から電子の放出を調節することにな
る。また、上記の下部基板１１にはカソード電極１３が
形成されていない所定の部分に第１排気口２９が形成さ
れ、上記の第１排気口２９に排気チューブを挿入させ
て、上記の第１排気口２９に主空間２６内のガスを排出
した後密封する。次に上記の第１排気口２９が適当な圧
力に達すると排気用細管を密封した後除去する。
【００１６】この際、上記の上部基板２１と下部基板１
１は蛍光体２５とエミッタ１５が向き合い、その間が主
空間２６を成すようスペーサ２７により所定の間隔、例
えば１００〜２００μｍ程度、離隔するよう付着され
る。そして、上部基板２１と下部基板１１との間の空間
２６は密封されるように角に、ガラス等からなる密封材
２８が塗布される。ここで、上部基板２１と下部基板１
１との間の空間２６の形成方法はまず、上部基板２１と
下部基板１１をスペーサ２７を使用し一定間隔に付着し
て、前記の上部基板２１と下部基板１１との間の空間を
密封する。その後排気チューブ３１で上記の下部基板１
１に形成された第１排気口２９と真空ポンプ（図示せ
ず。）を連結した後、この真空ポンプを利用し上記の主
空間２６内の残留ガスを排出して真空状態にする。次
に、上記の主空間２６内部を真空に保ちながら主空間２
６と真空ポンプとが分離されるように排気チューブ３１
を加熱しながら回転及び伸長させて切る。
１は蛍光体２５とエミッタ１５が向き合い、その間が主
空間２６を成すようスペーサ２７により所定の間隔、例
えば１００〜２００μｍ程度、離隔するよう付着され
る。そして、上部基板２１と下部基板１１との間の空間
２６は密封されるように角に、ガラス等からなる密封材
２８が塗布される。ここで、上部基板２１と下部基板１
１との間の空間２６の形成方法はまず、上部基板２１と
下部基板１１をスペーサ２７を使用し一定間隔に付着し
て、前記の上部基板２１と下部基板１１との間の空間を
密封する。その後排気チューブ３１で上記の下部基板１
１に形成された第１排気口２９と真空ポンプ（図示せ
ず。）を連結した後、この真空ポンプを利用し上記の主
空間２６内の残留ガスを排出して真空状態にする。次
に、上記の主空間２６内部を真空に保ちながら主空間２
６と真空ポンプとが分離されるように排気チューブ３１
を加熱しながら回転及び伸長させて切る。
【００１７】ここで、前記の上部基板２１と下部基板１
１との間のスペーサ２７は上部基板２１及び下部基板１
１との角では壁のような形状を有しその中央には可能な
限り円筒形状を有するガラスまたはポリイミド等の材質
の絶縁物から形成される。ここで、スペーサ２７は上部
基板２１と下部基板１１との角を付着させるだけでなく
大画面の場合、上部基板２１と下部基板１１との中央部
分に多数個が形成されるため、上部基板２１と下部基板
１１との間の主空間２６の気圧と大気圧状態の外部の気
圧差により上部基板２１と下部基板１１が接触されるこ
とを防止する。また、カソード電極１３及びアノード電
極２３は長く延長され、主空間２６の外部に位置する回
路（図示せず。）に連結される。
１との間のスペーサ２７は上部基板２１及び下部基板１
１との角では壁のような形状を有しその中央には可能な
限り円筒形状を有するガラスまたはポリイミド等の材質
の絶縁物から形成される。ここで、スペーサ２７は上部
基板２１と下部基板１１との角を付着させるだけでなく
大画面の場合、上部基板２１と下部基板１１との中央部
分に多数個が形成されるため、上部基板２１と下部基板
１１との間の主空間２６の気圧と大気圧状態の外部の気
圧差により上部基板２１と下部基板１１が接触されるこ
とを防止する。また、カソード電極１３及びアノード電
極２３は長く延長され、主空間２６の外部に位置する回
路（図示せず。）に連結される。
【００１８】上述した電界放出型表示素子においては、
外部回路からカソード電極１３には負（−）電圧が、ア
ノード電極２３に正（＋）電圧が印加されると、電圧が
印加されたカソード電極１３とアノード電極２３との間
に電界が形成される。
外部回路からカソード電極１３には負（−）電圧が、ア
ノード電極２３に正（＋）電圧が印加されると、電圧が
印加されたカソード電極１３とアノード電極２３との間
に電界が形成される。
【００１９】この際、電界が形成された部分のエミッタ
１５から電子が放出される。また、エミッタ１５から電
子の放出が容易になるように下部基板１１上部のゲート
電極１９に所定の正（＋）電圧が印加される。そして、
上記の放出された電子はアノード電極２３により加速さ
れ、上部基板２１上の蛍光体２５と衝突し、電子が衝突
した蛍光体２５は発光して画像を表示する。
１５から電子が放出される。また、エミッタ１５から電
子の放出が容易になるように下部基板１１上部のゲート
電極１９に所定の正（＋）電圧が印加される。そして、
上記の放出された電子はアノード電極２３により加速さ
れ、上部基板２１上の蛍光体２５と衝突し、電子が衝突
した蛍光体２５は発光して画像を表示する。
【００２０】上述した構造の電界放出型表示素子はエミ
ッタが円錐形のシリコンもしくは金属からなり、ゲート
電極を有するトライオード型（ｔｒｉｏｄｅ ｔｙｐ
ｅ）と呼ばれるが、これとは異なりエミッタが電子放出
が容易なダイヤモンド薄膜からなり、別途のゲート電極
が不必要な薄膜のダイオード型も可能である。
ッタが円錐形のシリコンもしくは金属からなり、ゲート
電極を有するトライオード型（ｔｒｉｏｄｅ ｔｙｐ
ｅ）と呼ばれるが、これとは異なりエミッタが電子放出
が容易なダイヤモンド薄膜からなり、別途のゲート電極
が不必要な薄膜のダイオード型も可能である。
【００２１】しかし、上述した従来の技術による電界放
出型表示素子は上部基板と下部基板との間の間隔が狭
く、スペーサにより気体分子のコンダクタンスが少ない
ため、排気用チューブが位置した部分と離れている部分
の圧力が等しくなるのに長い時間必要で、ゲッタ（ｇｅ
ｔｔｅｒ）の設置が容易でない問題点があった。
出型表示素子は上部基板と下部基板との間の間隔が狭
く、スペーサにより気体分子のコンダクタンスが少ない
ため、排気用チューブが位置した部分と離れている部分
の圧力が等しくなるのに長い時間必要で、ゲッタ（ｇｅ
ｔｔｅｒ）の設置が容易でない問題点があった。
【００２２】よって、本発明の目的は下部基板の背面に
補助空間及び補助スペーサの両方またはその一方を形成
し主空間の内部に存在するガス分子の排気とゲッタの設
置が容易で平板化が可能な電界放出型表示素子を提供す
ることにある。
補助空間及び補助スペーサの両方またはその一方を形成
し主空間の内部に存在するガス分子の排気とゲッタの設
置が容易で平板化が可能な電界放出型表示素子を提供す
ることにある。
【００２３】図２は本発明による電界放出型表示素子の
断面図である。図示のように、電界放出型表示素子は上
部基板２１と下部基板１１が向き合い、スペーサ２７を
介して構成される主空間２６と下部基板２１と補助基板
２０３が向き合い、補助スペーサ２０８を介して構成さ
れる補助空間２０６を含む。
断面図である。図示のように、電界放出型表示素子は上
部基板２１と下部基板１１が向き合い、スペーサ２７を
介して構成される主空間２６と下部基板２１と補助基板
２０３が向き合い、補助スペーサ２０８を介して構成さ
れる補助空間２０６を含む。
【００２４】上部基板２１は透明なガラスで形成され視
聴者の正面に位置する。そして、アノード電極２３は上
部基板２１の視聴者と反対側の表面に透明な伝導性物質
であるインジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）で形成され、
アノード電極２３の表面には電子との衝突により発光す
る蛍光体２５が各々形成されている。
聴者の正面に位置する。そして、アノード電極２３は上
部基板２１の視聴者と反対側の表面に透明な伝導性物質
であるインジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）で形成され、
アノード電極２３の表面には電子との衝突により発光す
る蛍光体２５が各々形成されている。
【００２５】下部基板１１は視聴者の背面に位置するも
ので、ガラスまたはシリコン等の半導体基板から形成さ
れる。そしてカソード電極１３は伝導性金属で形成さ
れ、上記のカソード電極１３の表面にはモリブデン（Ｍ
ｏ）またはタングステン（Ｗ）等の材質として、円錐形
からなる電子を放出する多数個のエミッタ１５が形成さ
れる。また、エミッタ１５とエミッタ１５との間には絶
縁体１７が形成され、前記の絶縁体１７の上部にはゲー
ト電極１９が形成される。前記のゲート電極１９はエミ
ッタ１５からの電子の放出を容易にする。また、下部基
板１１にはカソード電極１３が形成されていない所定の
部分に多数個の第１排気口２０２が形成され、ガス分子
等が補助空間２０６に排気される。
ので、ガラスまたはシリコン等の半導体基板から形成さ
れる。そしてカソード電極１３は伝導性金属で形成さ
れ、上記のカソード電極１３の表面にはモリブデン（Ｍ
ｏ）またはタングステン（Ｗ）等の材質として、円錐形
からなる電子を放出する多数個のエミッタ１５が形成さ
れる。また、エミッタ１５とエミッタ１５との間には絶
縁体１７が形成され、前記の絶縁体１７の上部にはゲー
ト電極１９が形成される。前記のゲート電極１９はエミ
ッタ１５からの電子の放出を容易にする。また、下部基
板１１にはカソード電極１３が形成されていない所定の
部分に多数個の第１排気口２０２が形成され、ガス分子
等が補助空間２０６に排気される。
【００２６】上記の上部基板２１と下部基板は１１には
蛍光体２５とカソード電極１３が向き合い主空間２６を
成すようスペーサ２７により所定の間隔、例えば１００
〜２００μm程度で離隔するよう付着される。ここで主
空間２６の残留ガスは第１排気口２０２を通り補助空間
２０６に排出される。
蛍光体２５とカソード電極１３が向き合い主空間２６を
成すようスペーサ２７により所定の間隔、例えば１００
〜２００μm程度で離隔するよう付着される。ここで主
空間２６の残留ガスは第１排気口２０２を通り補助空間
２０６に排出される。
【００２７】上記の上部基板２１及び下部基板１１との
間にはスペーサ２７が形成されるが、前記のスペーサ２
７は角では壁のような形状を有し、中央部分では円筒形
状を有するガラスまたはポリイミド等の絶縁物からな
る。ここでスペーサ２７は上部基板２１と下部基板１１
の角を付着させるだけでなく、大画面の場合、中央部分
に多数個が形成され主空間２６の気圧差と大気圧状態の
外部の気圧差により、上部基板２１と下部基板１１が接
触されることを防止する。また、カソード電極１３及び
アノード電極２３は長く延長され主空間２６の外部に位
置する回路（図示せず。）に連結される。
間にはスペーサ２７が形成されるが、前記のスペーサ２
７は角では壁のような形状を有し、中央部分では円筒形
状を有するガラスまたはポリイミド等の絶縁物からな
る。ここでスペーサ２７は上部基板２１と下部基板１１
の角を付着させるだけでなく、大画面の場合、中央部分
に多数個が形成され主空間２６の気圧差と大気圧状態の
外部の気圧差により、上部基板２１と下部基板１１が接
触されることを防止する。また、カソード電極１３及び
アノード電極２３は長く延長され主空間２６の外部に位
置する回路（図示せず。）に連結される。
【００２８】補助基板２０３は下部基板１１の他側面と
向き合う位置にガラスで形成され電界放出型表示素子の
平板化と真空度の向上を図るもので、１ｍｍ〜２００ｍ
ｍの厚さで形成される。
向き合う位置にガラスで形成され電界放出型表示素子の
平板化と真空度の向上を図るもので、１ｍｍ〜２００ｍ
ｍの厚さで形成される。
【００２９】補助スペーサ２０８は補助空間２０６に形
成されたガラスからなる。ここで、補助スペーサ２０８
はスペーサが備えなければならない条件を満足しなけれ
ばならない。上記の条件に関しては既に言及したためこ
れ以上の説明は省略する。ここで、上記の補助スペーサ
の大きさに対して特別な制約はない。なぜなら、補助ス
ペーサの部分は人に見えない部分だからである。また、
補助空間２０６の一側面では第２排気口２０４が形成さ
れ、上記の第２排気口２０４を通り残留ガスを排気した
後、密封される排気チューブ２０５が挿入される。次に
補助空間２０６が高真空に達した際、排気用細管を密
封、除去する。
成されたガラスからなる。ここで、補助スペーサ２０８
はスペーサが備えなければならない条件を満足しなけれ
ばならない。上記の条件に関しては既に言及したためこ
れ以上の説明は省略する。ここで、上記の補助スペーサ
の大きさに対して特別な制約はない。なぜなら、補助ス
ペーサの部分は人に見えない部分だからである。また、
補助空間２０６の一側面では第２排気口２０４が形成さ
れ、上記の第２排気口２０４を通り残留ガスを排気した
後、密封される排気チューブ２０５が挿入される。次に
補助空間２０６が高真空に達した際、排気用細管を密
封、除去する。
【００３０】そして、ゲッタ２０７は補助空間の所定部
分に形成され排気チューブ２０５を密封した後、主空間
２６と補助空間２０６に存在するガスを除去する。ゲッ
タ２０７はチタン（Ｔｉ）またはバリウム（Ｂａ）系の
材料を使用する蒸発性ゲッタとジルコニウム−アルミニ
ウム（Ｚｒ−Ａｌ）合金またはジルコニウム−バナジウ
ム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）合金を使用する非蒸発性ゲッ
タがある。
分に形成され排気チューブ２０５を密封した後、主空間
２６と補助空間２０６に存在するガスを除去する。ゲッ
タ２０７はチタン（Ｔｉ）またはバリウム（Ｂａ）系の
材料を使用する蒸発性ゲッタとジルコニウム−アルミニ
ウム（Ｚｒ−Ａｌ）合金またはジルコニウム−バナジウ
ム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）合金を使用する非蒸発性ゲッ
タがある。
【００３１】ここで、主空間２６及び補助空間２０６は
上部基板２１、下部基板１１及び補助基板２０３を付着
して密封材２０１で密封した後、主空間２６内の残留ガ
スを第１排気口２０２を通り、補助空間２０６内の残留
ガスを排気する。この際、第１排気口２０６の多数個が
形成されているため、気体の流動コンダクタンスが増加
し真空度が向上する。そして、主空間２６及び補助空間
２０６内部が真空を保ちながら補助空間２０６と真空ポ
ンプが分離されるよう排気チューブ２０５を加熱しなが
ら回転及び伸長させて切る。この際、発生されたガスは
後にゲッタ２０７により除去される。
上部基板２１、下部基板１１及び補助基板２０３を付着
して密封材２０１で密封した後、主空間２６内の残留ガ
スを第１排気口２０２を通り、補助空間２０６内の残留
ガスを排気する。この際、第１排気口２０６の多数個が
形成されているため、気体の流動コンダクタンスが増加
し真空度が向上する。そして、主空間２６及び補助空間
２０６内部が真空を保ちながら補助空間２０６と真空ポ
ンプが分離されるよう排気チューブ２０５を加熱しなが
ら回転及び伸長させて切る。この際、発生されたガスは
後にゲッタ２０７により除去される。
【００３２】図３は本発明によるまた別の発明の実施の
形態の電界放出型表示素子の断面図である。
形態の電界放出型表示素子の断面図である。
【００３３】上記の電界放出型表示素子は図示されたよ
うに図１に図示された従来の電界放出型表示素子の下部
基板１１の下部に補助下部基板３０８が付着される。前
記の下部基板１１の材質はシリコンウエハから形成され
る。前記の補助下部基板３０８は下部基板１１と等しい
大きさで形成され、下部基板１１の機械的強度を高める
ことで外部の圧力等により下部基板１１が損傷するのを
防止する。また、貫通する第１排気口３０２を多数形成
することができるため主空間２６の真空度を向上させる
ことができる。
うに図１に図示された従来の電界放出型表示素子の下部
基板１１の下部に補助下部基板３０８が付着される。前
記の下部基板１１の材質はシリコンウエハから形成され
る。前記の補助下部基板３０８は下部基板１１と等しい
大きさで形成され、下部基板１１の機械的強度を高める
ことで外部の圧力等により下部基板１１が損傷するのを
防止する。また、貫通する第１排気口３０２を多数形成
することができるため主空間２６の真空度を向上させる
ことができる。
【００３４】補助基板３０３は補助下部基板３０８の下
部で、所定の形状、例えばＵ字形状を有し、ガラス等の
絶縁物から形成され電界放出型表示素子の平板化と真空
度の向上を図ることで１ｍｍ〜２００ｍｍの厚さに形成
される。また、補助基板３０３の上部と補助下部基板３
０５の他側面は互いに向き合って補助空間３０６を形成
する。上部基板２１、下部基板１１、補助下部基板３０
８及び補助基板３０３との間の主空間２６及び補助空間
３０６は真空度を向上させるため、角にガラス等から成
る密封材３０１が塗布される。ここで、補助空間３０３
の一側面に第２排気口３０４が形成され、この第２排気
口３０４を通り残留ガスを排気した後、密封する排気チ
ューブ３０５が挿入される。上記の残留ガスを第２排気
口３０４を通し除去させた後、上記の排気チューブ３０
５を密封させてから除去させる。
部で、所定の形状、例えばＵ字形状を有し、ガラス等の
絶縁物から形成され電界放出型表示素子の平板化と真空
度の向上を図ることで１ｍｍ〜２００ｍｍの厚さに形成
される。また、補助基板３０３の上部と補助下部基板３
０５の他側面は互いに向き合って補助空間３０６を形成
する。上部基板２１、下部基板１１、補助下部基板３０
８及び補助基板３０３との間の主空間２６及び補助空間
３０６は真空度を向上させるため、角にガラス等から成
る密封材３０１が塗布される。ここで、補助空間３０３
の一側面に第２排気口３０４が形成され、この第２排気
口３０４を通り残留ガスを排気した後、密封する排気チ
ューブ３０５が挿入される。上記の残留ガスを第２排気
口３０４を通し除去させた後、上記の排気チューブ３０
５を密封させてから除去させる。
【００３５】そして、ゲッタ３０７は補助空間３０６の
所定部分に形成され排気チューブ３０５の密封時に発生
されるガスと物質自体でアウトキャッシングされるガス
を除去する。ゲッタ３０７はバリウム（Ｂａ）またはチ
タン（Ｔｉ）を使用する蒸発性ゲッタとジルコニウム−
アルミニウム（Ｚｒ−Ａｌ）合金またはジルコニウム−
バナジウム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）合金を使用する非蒸
発性ゲッタがある。
所定部分に形成され排気チューブ３０５の密封時に発生
されるガスと物質自体でアウトキャッシングされるガス
を除去する。ゲッタ３０７はバリウム（Ｂａ）またはチ
タン（Ｔｉ）を使用する蒸発性ゲッタとジルコニウム−
アルミニウム（Ｚｒ−Ａｌ）合金またはジルコニウム−
バナジウム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）合金を使用する非蒸
発性ゲッタがある。
【００３６】ここで、主空間２６及び補助空間３０６は
上部基板２１、下部基板１１、補助下部基板３０８及び
補助基板３０３を付着して密封材３０１で密封した後、
主空間２６内の残留ガスを第１排気口３０２を通り、補
助空間３０６に排気する。この排気された残留ガスを排
気チューブ３０５で第２排気口３０４と真空ポンプ（図
示せず。）を連結した後、この真空ポンプを作動させ補
助空間３０６内の残留ガスを排気し真空にする。この
際、補助下部基板３０８により下部基板１１の機械的強
度が増加するため、第１排気口３０２が多数形成され
る。よって、多数個の第１排気口３０２により主空間２
６内の気体の流動コンダクタンスが増加され真空度が向
上される。そして、主空間２６及び補助空間３０６の内
部が真空を保ちながら補助空間３０６と真空ポンプが分
離されるよう排気チューブ３０５を加熱しながら補助空
間３０６と真空ポンプが分離されるよう排気チューブ３
０５を加熱しながら回転及び伸長し切る。この際、発生
されるガスは補助基板３０３上部のゲッタ３０７により
除去される。
上部基板２１、下部基板１１、補助下部基板３０８及び
補助基板３０３を付着して密封材３０１で密封した後、
主空間２６内の残留ガスを第１排気口３０２を通り、補
助空間３０６に排気する。この排気された残留ガスを排
気チューブ３０５で第２排気口３０４と真空ポンプ（図
示せず。）を連結した後、この真空ポンプを作動させ補
助空間３０６内の残留ガスを排気し真空にする。この
際、補助下部基板３０８により下部基板１１の機械的強
度が増加するため、第１排気口３０２が多数形成され
る。よって、多数個の第１排気口３０２により主空間２
６内の気体の流動コンダクタンスが増加され真空度が向
上される。そして、主空間２６及び補助空間３０６の内
部が真空を保ちながら補助空間３０６と真空ポンプが分
離されるよう排気チューブ３０５を加熱しながら補助空
間３０６と真空ポンプが分離されるよう排気チューブ３
０５を加熱しながら回転及び伸長し切る。この際、発生
されるガスは補助基板３０３上部のゲッタ３０７により
除去される。
【００３７】上述した電界放出型表示素子はエミッタが
円錐形のシリコンからなり、ゲート電極を有するトライ
オード型と呼ばれる。
円錐形のシリコンからなり、ゲート電極を有するトライ
オード型と呼ばれる。
【００３８】図４の（ａ）には本発明によるまた別の発
明の実施の形態の電界放出型表示素子の断面図として、
ゲート電極が不必要な薄膜のダイヤモンド型電界放出素
子が図示されているが、下部基板４１１の後方に溝を有
する補助基板４１０を付着させて、下部基板４１１には
孔４０８、４０８Ａを一個もしくはそれ以上あけ、気体
の流動を自由にする。ここで、補助基板４１０に掘られ
た溝の深さはスペーサ４０６の長さに比べはるかに長く
製造する。排気用チューブ４０９を通り真空ポンピング
する際、気体流動コンダクタンスをよくするため、補助
空間４１６の体積は主空間４２６の体積より大きくし、
補助基板４１０は図示されたように中央部に一つまたは
それ以上の支持台４０６Ａを形成することができる。ま
た、下部基板４１１に鉛直方向にあけられた孔４０８、
４０８Ａを通り上部基板４００と下部基板４１１との間
に形成される主空間４２６に存在する気体が容易に補助
空間４１６に移動し、二つの基板の間の真空度は補助基
板４１０の補助空間４１６での真空度と簡単に等しくな
る。また、上記の下部基板４１１に形成される孔４０
８、４０８Ａは縁の孔は大きくし、エミッタ４０３間の
孔は小さく形成する。こうして、本発明の方法により真
空パッケージングすると、等しい大きさのディスプレイ
を製造する際、従来の方法より真空ポンピングするのに
必要とする時間を大幅に短縮することができる。
明の実施の形態の電界放出型表示素子の断面図として、
ゲート電極が不必要な薄膜のダイヤモンド型電界放出素
子が図示されているが、下部基板４１１の後方に溝を有
する補助基板４１０を付着させて、下部基板４１１には
孔４０８、４０８Ａを一個もしくはそれ以上あけ、気体
の流動を自由にする。ここで、補助基板４１０に掘られ
た溝の深さはスペーサ４０６の長さに比べはるかに長く
製造する。排気用チューブ４０９を通り真空ポンピング
する際、気体流動コンダクタンスをよくするため、補助
空間４１６の体積は主空間４２６の体積より大きくし、
補助基板４１０は図示されたように中央部に一つまたは
それ以上の支持台４０６Ａを形成することができる。ま
た、下部基板４１１に鉛直方向にあけられた孔４０８、
４０８Ａを通り上部基板４００と下部基板４１１との間
に形成される主空間４２６に存在する気体が容易に補助
空間４１６に移動し、二つの基板の間の真空度は補助基
板４１０の補助空間４１６での真空度と簡単に等しくな
る。また、上記の下部基板４１１に形成される孔４０
８、４０８Ａは縁の孔は大きくし、エミッタ４０３間の
孔は小さく形成する。こうして、本発明の方法により真
空パッケージングすると、等しい大きさのディスプレイ
を製造する際、従来の方法より真空ポンピングするのに
必要とする時間を大幅に短縮することができる。
【００３９】本発明の電界放出型表示素子の製造工程を
さらに詳細に説明すると、薄膜形態の電子放出用エミッ
タ４０３とカソード電極４０４とを下部基板４１１に形
成して、上記の下部基板４１１が望む位置に孔４０８、
４０８Ａをあける。図４の（ｂ）に図示されたように下
部基板４１１の縁の付近の孔４０８は大きく、エミッタ
４０３とエミッタ４０３との間の内部の孔４０８Ａは数
百ミクロン以内に小さくあける。上部基板４００と下部
基板４１１との間の空間を保つためのスペーサ４０６と
密封体４０７を使用し、表面に蛍光体４０２が形成され
た上部基板４００、エミッタ４０３が形成された下部基
板４１１、溝が掘られた補助基板４１０を配列して電界
放出型表示素子を製造する。
さらに詳細に説明すると、薄膜形態の電子放出用エミッ
タ４０３とカソード電極４０４とを下部基板４１１に形
成して、上記の下部基板４１１が望む位置に孔４０８、
４０８Ａをあける。図４の（ｂ）に図示されたように下
部基板４１１の縁の付近の孔４０８は大きく、エミッタ
４０３とエミッタ４０３との間の内部の孔４０８Ａは数
百ミクロン以内に小さくあける。上部基板４００と下部
基板４１１との間の空間を保つためのスペーサ４０６と
密封体４０７を使用し、表面に蛍光体４０２が形成され
た上部基板４００、エミッタ４０３が形成された下部基
板４１１、溝が掘られた補助基板４１０を配列して電界
放出型表示素子を製造する。
【００４０】次に補助基板４１０に連結された排気用チ
ューブ４０９を通り真空ポンピング後真空シーリングす
る。この後、電界放出型表示素子内部の真空度をより高
めるため補助基板４１０の上部にゲッタ４０５を形成す
ることにより、本発明の下部基板４１１に補助基板４１
０が付着された電界放出型表示素子が完成される。
ューブ４０９を通り真空ポンピング後真空シーリングす
る。この後、電界放出型表示素子内部の真空度をより高
めるため補助基板４１０の上部にゲッタ４０５を形成す
ることにより、本発明の下部基板４１１に補助基板４１
０が付着された電界放出型表示素子が完成される。
【００４１】ここで、電界放出型表示素子の真空ポンピ
ング時、気体流動のコンダクタンスは分子流動範囲で非
常に重要である。即ち、下部基板４１１にあけねばなら
ない孔４０８、４０８Ａの大きさや個数はコンダクタン
スを改善するため非常に重要で、本発明の場合はまるで
何個かの真空ポンピング用チューブを並列に連結したよ
うな効果を有するため、コンダクタンスの並列連結と等
価である。ここで下部基板４１１に形成される孔４０
８、４０８Ａは大きければ大きいほど、孔４０８、４０
８Ａの個数が多ければ多いほどコンダクタンスは良好に
なる。しかし孔４０８、４０８Ａの位置、大きさ及び個
数はディスプレイ素子の多様な動作と製造工程上の難易
度等を考慮せねばならず、可能な限り最大のコンダクタ
ンスを有するように設計することで真空ポンピング時間
を著しく短縮することができる。
ング時、気体流動のコンダクタンスは分子流動範囲で非
常に重要である。即ち、下部基板４１１にあけねばなら
ない孔４０８、４０８Ａの大きさや個数はコンダクタン
スを改善するため非常に重要で、本発明の場合はまるで
何個かの真空ポンピング用チューブを並列に連結したよ
うな効果を有するため、コンダクタンスの並列連結と等
価である。ここで下部基板４１１に形成される孔４０
８、４０８Ａは大きければ大きいほど、孔４０８、４０
８Ａの個数が多ければ多いほどコンダクタンスは良好に
なる。しかし孔４０８、４０８Ａの位置、大きさ及び個
数はディスプレイ素子の多様な動作と製造工程上の難易
度等を考慮せねばならず、可能な限り最大のコンダクタ
ンスを有するように設計することで真空ポンピング時間
を著しく短縮することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
かかる電界放出型表示素子は、従来の電界放出型表示素
子に比較して、排気時間を大きく短縮させ、下部基板の
機械的強度を向上させることができる。また、本発明に
よれば、真空シーリングをしなければならない嵩が従来
の技術に比べはるかに大きくなるので、ゲッタの設置が
容易でシステム動作中に生じるガスによる素子の真空度
の低下速度が小さくなり、電界放出型表示素子の寿命を
長くすることができる。
かかる電界放出型表示素子は、従来の電界放出型表示素
子に比較して、排気時間を大きく短縮させ、下部基板の
機械的強度を向上させることができる。また、本発明に
よれば、真空シーリングをしなければならない嵩が従来
の技術に比べはるかに大きくなるので、ゲッタの設置が
容易でシステム動作中に生じるガスによる素子の真空度
の低下速度が小さくなり、電界放出型表示素子の寿命を
長くすることができる。
【図１】 従来の技術による電界放出型表示素子の断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の第１の発明の実施の形態による電界
放出型表示素子の断面図である。
放出型表示素子の断面図である。
【図３】 本発明の第２の発明の実施の形態による電界
放出型表示素子の断面図である。
放出型表示素子の断面図である。
【図４】 本発明の第３の発明の実施の形態による電界
放出型表示素子で（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は
その平面図である。
放出型表示素子で（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は
その平面図である。
１１ 下部基板 １３ カソード電極 １５ エミッタ １７ 絶縁体 １９ ゲート電極 ２１ 上部基板 ２３ アノード電極 ２５ 蛍光体 ２６ 主空間 ２７ スペーサ ２８ 密封材 ２９ 第１排気口 ２０１ 密封材 ２０２ 第１排気口 ２０３ 補助基板 ２０４ 第２排気口 ２０５ 排気チューブ ２０６ 補助空間 ２０７ ゲッタ ２０８ 補助スペーサ ３０１ 密封材 ３０２ 第１排気口 ３０３ 補助基板 ３０４ 第２排気口 ３０５ 排気チューブ ３０６ 補助空間 ３０７ ゲッタ ３０８ 補助下部基板 ４００ 上部基板 ４０１ アノード電極 ４０２ 蛍光体 ４０３ エミッタ ４０４ カソード電極 ４０５ ゲッタ ４０６Ａ 補助スペーサ ４０７ 密封材 ４０９ 排気チューブ ４０８ 孔、 ４０８Ａ 孔 ４１０ 補助基板 ４１１ 下部基板 ４１６ 補助空間 ４２６ 主空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チョ・ヨンラ 大韓民国キョンギド、ヨンギングン、ヨン ギンウプ、ユバンリ（番地の表示なし） インジュン・アパートメント2003−505 (72)発明者 オ・ジャヨル 大韓民国キョンギド、ヨンギングン、ヨン ギンウプ、キムリャンジャンリー（番地の 表示なし） ジュゴン・アパートメント２ −508 (72)発明者 ムン・ジェド 大韓民国キョンギド、ソンナム、ソジョオ ング、タイピョン２ドン（番地の表示な し） グンウー・アパートメント２−415
Claims (25)
- 【請求項１】 一側面にアノード電極と蛍光体が順次的
に形成されている上部基板と、 前記の上部基板と向き合うよう配置され、一側面にカソ
ード電極とエミッタが形成されている下部基板と、 前記の上部基板と下部基板との間に形成され、その間に
主空間を形成するスペーサと、 前記の下部基板でカソード電極が形成されていない部分
に形成される多数個の第１排気口と、 上記の第１排気口を通り上記の主空間と空間的に連結さ
れる補助空間を形成するため、前記の下部基板と連結さ
れ配置される補助基板と、 上記の補助空間の一側面に形成される第２排気口を含む
電界放出型表示素子。 - 【請求項２】 前記の下部基板と補助基板との間に機械
的安全性を向上させるため、補助スペーサを形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項３】 上記の補助空間にはゲッタが形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示素
子。 - 【請求項４】 上記の補助基板の材質ガラスであること
を特徴とする請求項１記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項５】 上記の第１排気口は下部基板の縁では大
きな孔を形成し、エミッタの間では１個以上の小さな孔
をさらに形成できることを特徴とする請求項１記載の電
界放出型表示素子。 - 【請求項６】 前記の大きな孔の大きさは１ｍｍ乃至５
０ｍｍ、小さい孔の大きさは５００μｍ以下であること
を特徴とする請求項５記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項７】 上記の補助空間は主空間より大きな鉛直
の長さを有することを特徴とする請求項１記載の電界放
出型表示素子。 - 【請求項８】 上記の補助空間の鉛直の長さが１ｍｍ乃
至２００ｍｍであることを特徴とする請求項７記載の電
界放出型表示素子。 - 【請求項９】 上記のゲッタは蒸発性物質であることを
特徴とする請求項３記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項１０】 上記のゲッタは、モリブデン（Ｍ
ｏ）、ニオビウム（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）もしくはその合金から
形成されていることを特徴とする請求項９記載の電界放
出型表示素子。 - 【請求項１１】 上記のゲッタは、非蒸発性物質である
ことを特徴とする請求項３記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項１２】 上記のゲッタはチタン（Ｔｉ）、ジル
コニウム−アルミニウム（Ｚｒ−Ａｌ）合金またはジル
コニウム−バナジウム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）合金から
形成されたことを特徴とする請求項１１記載の電界放出
型表示素子。 - 【請求項１３】 一側面にアノード電極と蛍光体が順次
的に形成されている上部基板と、 前記の上部基板と向き合うよう配置され、一側面にカソ
ード電極とエミッタが形成されている下部基板と、 前記の上部基板と下部基板との間に形成され、その間に
主空間を形成するスペーサと、 前記の下部基板の下部に形成される補助下部基板と、 前記の下部基板からカソード電極が形成されない部分で
鉛直方向に形成される第１排気口と、 上記の第１排気口を通り上記の主空間と空間的に連結さ
れる補助空間を形成するため、前記の補助下部基板と連
結され配置される補助基板と、 前記の補助空間の一側面に形成される第２排気口を含む
電界放出型表示素子。 - 【請求項１４】 前記の下部基板と補助基板との間に機
械的安全性を向上させるため、補助スペーサを形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の電界放出型表示素
子。 - 【請求項１５】 前記の補助空間には、ゲッタが形成さ
れていることを特徴とする請求項１３記載の電界放出型
表示素子。 - 【請求項１６】 前記の下部基板の材質が、シリコンウ
エハであることを特徴とする請求項１３記載の電界放出
型表示素子。 - 【請求項１７】 前記の補助基板と補助下部基板が、ガ
ラスで形成されたことを特徴とする請求項１３記載の電
界放出型表示素子。 - 【請求項１８】 上記の第１排気口が下部基板の縁で
は、大きな孔を形成してエミッタとの間には１個以上の
小さな孔をさらに形成できることを特徴とする請求項１
３記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項１９】 上記の大きな孔の大きさは１ｍｍ乃至
５０ｍｍ、小さい孔の大きさは５００μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１８記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項２０】 前記の補助空間は、主空間より大きい
鉛直の長さを有することを特徴とする請求項１３記載の
電界放出型表示素子。 - 【請求項２１】 前記の補助空間の鉛直の長さが１ｍｍ
乃至２００ｍｍであることを特徴とする請求項２０記載
の電界放出型表示素子。 - 【請求項２２】 上記のゲッタが、蒸発性物質であるこ
とを特徴とする請求項１５記載の電界放出型表示素子。 - 【請求項２３】 上記のゲッタはモリブデン（Ｍｏ）、
ニオビウム（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム
（Ａｌ）、及びチタン（Ｔｉ）もしくは合金で形成され
ることを特徴とする請求項２２記載の電界放出型表示素
子。 - 【請求項２４】 上記のゲッタが、非蒸発性物質である
ことを特徴とする請求項１５記載の電界放出型表示素
子。 - 【請求項２５】 上記のゲッタはチタン（Ｔｉ）、ジル
コニウム−アルミニウム（Ｚｒ−Ａｌ）合金またはジル
コニウム−バナジウム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）合金で形
成されたことを特徴とする請求項２４記載の電界放出型
表示素子。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004080A KR0149109B1 (ko) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 필드에미션 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| KR1995-9061 | 1995-04-18 | ||
| KR1019950009062A KR0160007B1 (ko) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 전계 방출 표시장치 |
| KR1995-4080 | 1995-04-18 | ||
| KR1019950009061A KR960039071A (ko) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 전계 방출 표시장치 |
| KR1995-9062 | 1995-04-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250050A true JPH08250050A (ja) | 1996-09-27 |
| JP2834061B2 JP2834061B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=27349153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8037854A Expired - Fee Related JP2834061B2 (ja) | 1995-02-28 | 1996-02-26 | 電界放出型表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5729086A (ja) |
| JP (1) | JP2834061B2 (ja) |
| FR (1) | FR2736464A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541905B1 (en) * | 1995-04-21 | 2003-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
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|---|---|---|---|---|
| JPH1116521A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Canon Inc | 電子装置及びそれを用いた画像形成装置 |
| US5921461A (en) * | 1997-06-11 | 1999-07-13 | Raytheon Company | Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation |
| JP3896686B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2007-03-22 | 双葉電子工業株式会社 | 真空外周器の真空方法 |
| JP2000260353A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Canon Inc | 真空容器及び画像表示装置 |
| US6930446B1 (en) | 1999-08-31 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Method for improving current stability of field emission displays |
| US6554672B2 (en) * | 2001-03-12 | 2003-04-29 | Micron Technology, Inc. | Flat panel display, method of high vacuum sealing |
| KR100786832B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2007-12-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 크로스 인쇄 방식을 이용한 네거티브 패턴 인쇄 방법 및이 방법에 의해 형성된 게이트 홀을 갖는 전계 방출 표시소자 |
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- 1996-02-20 US US08/603,303 patent/US5729086A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-26 JP JP8037854A patent/JP2834061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-27 FR FR9602384A patent/FR2736464A1/fr not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834061B2 (ja) | 1998-12-09 |
| FR2736464A1 (fr) | 1997-01-10 |
| US5729086A (en) | 1998-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |