JPH08250371A - コンデンサ及びその製造方法並びに誘電体の製造方法 - Google Patents
コンデンサ及びその製造方法並びに誘電体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電材中に導電材が混合されて得られた高誘
電率の誘電体から成るコンデンサの製造方法を提供す
る。 【構成】 基材としてのアルミナ粉末中にタングステン
粉末を混合して成る誘電体を、互いに対向する電極を備
えるコンデンサを製造する際に、該アルミナ粉末中にタ
ングテン粉末を混合して成る導電性アルミナセラミック
体を形成した後、この導電性アルミナセラミック体を挟
んで互いに対向する電極を設け、次いでタングテン粉末
によって導電性アルミナセラミック体内に形成された導
電通路を電気的に断線し得る電流又は電圧を電極に断続
的に印加し、導電性セラミック体を誘電体に変換するこ
とを特徴とする。
電率の誘電体から成るコンデンサの製造方法を提供す
る。 【構成】 基材としてのアルミナ粉末中にタングステン
粉末を混合して成る誘電体を、互いに対向する電極を備
えるコンデンサを製造する際に、該アルミナ粉末中にタ
ングテン粉末を混合して成る導電性アルミナセラミック
体を形成した後、この導電性アルミナセラミック体を挟
んで互いに対向する電極を設け、次いでタングテン粉末
によって導電性アルミナセラミック体内に形成された導
電通路を電気的に断線し得る電流又は電圧を電極に断続
的に印加し、導電性セラミック体を誘電体に変換するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンデンサ及びその製造
方法並びに誘電体の製造方法に関し、更に詳細には互い
に対向して設けられた電極間に、基材としての誘電材中
に導電材が混合されて得られた誘電体が挟まれて成るコ
ンデンサ及びその製造方法、及び基材としての誘電材中
に導電材を混合して成る誘電体の製造方法に関する。
方法並びに誘電体の製造方法に関し、更に詳細には互い
に対向して設けられた電極間に、基材としての誘電材中
に導電材が混合されて得られた誘電体が挟まれて成るコ
ンデンサ及びその製造方法、及び基材としての誘電材中
に導電材を混合して成る誘電体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサの容量は下記式で与えられ
る。
る。
【数１】 コンデンサの容量（Ｃ）の値を大にするためには、誘電
体の比誘電率（ε1 ）や誘電体の面積（Ｓ）の値を大き
くするか、或いは誘電体の厚さ（ｄ）を薄くすることが
必要である。このため、特開平３−８７０９１号公報に
は、アルミナセラミック配線基板を製造する際に、セラ
ミック原料であるアルミナ粉末に、５〜５０重量％のモ
リブデン粉末及び／又はタングステン粉末を添加して形
成したグリーンシートを、所定温度で焼成することによ
って、誘電体を形成することが提案されている。
体の比誘電率（ε1 ）や誘電体の面積（Ｓ）の値を大き
くするか、或いは誘電体の厚さ（ｄ）を薄くすることが
必要である。このため、特開平３−８７０９１号公報に
は、アルミナセラミック配線基板を製造する際に、セラ
ミック原料であるアルミナ粉末に、５〜５０重量％のモ
リブデン粉末及び／又はタングステン粉末を添加して形
成したグリーンシートを、所定温度で焼成することによ
って、誘電体を形成することが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる公報の製造方法
によれば、アルミナセラミック配線基板内にコンデンサ
を容易に形成することができる。この製造方法において
は、アルミナセラミック成分であるアルミナ粉末に、モ
リブデン粉末及び／又はタングステン粉末の導電材の添
加量を次第に増加させると、得られるセラミック体から
成る誘電体の比誘電率も増加する。しかし、導電材の添
加量が５０重量％を越えると、得られるセラミック体の
抵抗値が急激に減少し導電性を呈するようになる。この
ため、前記公報の製造方法においては、導電材の混合量
をセラミック原料に対して５０重量％を越えることがで
きず、本発明者等の実験によれば、得られる誘電体の比
誘電率も４０程度であった。一方、アルミナセラミック
配線基板等においては更に高い比誘電率を有する誘電体
が要求されている。ところで、この様に、誘電材中に導
電材を混合することによって、高誘電率の誘電体を形成
できれば、配線基板内に高容量のコンデンサを形成する
有効な手段となり得る。そこで、本発明の目的は、誘電
材中に導電材が混合されて得られた高誘電率の誘電体か
ら成るコンデンサ及びその製造方法を提供することにあ
る。
によれば、アルミナセラミック配線基板内にコンデンサ
を容易に形成することができる。この製造方法において
は、アルミナセラミック成分であるアルミナ粉末に、モ
リブデン粉末及び／又はタングステン粉末の導電材の添
加量を次第に増加させると、得られるセラミック体から
成る誘電体の比誘電率も増加する。しかし、導電材の添
加量が５０重量％を越えると、得られるセラミック体の
抵抗値が急激に減少し導電性を呈するようになる。この
ため、前記公報の製造方法においては、導電材の混合量
をセラミック原料に対して５０重量％を越えることがで
きず、本発明者等の実験によれば、得られる誘電体の比
誘電率も４０程度であった。一方、アルミナセラミック
配線基板等においては更に高い比誘電率を有する誘電体
が要求されている。ところで、この様に、誘電材中に導
電材を混合することによって、高誘電率の誘電体を形成
できれば、配線基板内に高容量のコンデンサを形成する
有効な手段となり得る。そこで、本発明の目的は、誘電
材中に導電材が混合されて得られた高誘電率の誘電体か
ら成るコンデンサ及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく検討した結果、先ず、アルミナ粉末中にタ
ングステン粉末を６０重量％添加して得られたグリーン
シートを、所定温度で焼成して導電性を呈するセラミッ
ク体を成形する。次いで、成形したセラミック体を介し
て互いに対向する電極を設け、この電極に高電流又は高
電圧をパルス的に印加することによって、セラミック体
を誘電体に変換できることを知り、本発明に到達した。
を達成すべく検討した結果、先ず、アルミナ粉末中にタ
ングステン粉末を６０重量％添加して得られたグリーン
シートを、所定温度で焼成して導電性を呈するセラミッ
ク体を成形する。次いで、成形したセラミック体を介し
て互いに対向する電極を設け、この電極に高電流又は高
電圧をパルス的に印加することによって、セラミック体
を誘電体に変換できることを知り、本発明に到達した。
【０００５】すなわち、本発明は、互いに対向する電極
間に、基材である誘電材中に導電材が混合されて形成さ
れた誘電体を備えるコンデンサにおいて、該誘電体は、
誘電材中に混合された導電材によって形成された導電通
路が電気的に断線されて成る誘電体であることを特徴と
するコンデンサにある。また、本発明は、基材としての
誘電材中に導電材を混合して成る誘電体を、互いに対向
する電極間に備えるコンデンサを製造する際に、該誘電
材中に導電材を混合して成る導電体を形成した後、前記
導電体を挟んで互いに対向する電極を設け、次いで前記
導電材によって導電体内に形成された導電通路を電気的
に断線し得る電流又は電圧を前記電極に断続的に印加
し、前記導電体を誘電体に変換することを特徴とするコ
ンデンサの製造方法にある。更に、本発明は、基材とし
ての誘電材中に導電材を混合して成る誘電体を製造する
際に、該誘電材中に導電材を混合して成る導電体を形成
した後、前記導電体を互いに対向する電極間に挟み、次
いで前記導電材によって導電体内に形成された導電通路
を電気的に断線し得る電流又は電圧を前記電極に断続的
に印加し、前記導電体を誘電体に変換することを特徴と
する誘電体の製造方法である。
間に、基材である誘電材中に導電材が混合されて形成さ
れた誘電体を備えるコンデンサにおいて、該誘電体は、
誘電材中に混合された導電材によって形成された導電通
路が電気的に断線されて成る誘電体であることを特徴と
するコンデンサにある。また、本発明は、基材としての
誘電材中に導電材を混合して成る誘電体を、互いに対向
する電極間に備えるコンデンサを製造する際に、該誘電
材中に導電材を混合して成る導電体を形成した後、前記
導電体を挟んで互いに対向する電極を設け、次いで前記
導電材によって導電体内に形成された導電通路を電気的
に断線し得る電流又は電圧を前記電極に断続的に印加
し、前記導電体を誘電体に変換することを特徴とするコ
ンデンサの製造方法にある。更に、本発明は、基材とし
ての誘電材中に導電材を混合して成る誘電体を製造する
際に、該誘電材中に導電材を混合して成る導電体を形成
した後、前記導電体を互いに対向する電極間に挟み、次
いで前記導電材によって導電体内に形成された導電通路
を電気的に断線し得る電流又は電圧を前記電極に断続的
に印加し、前記導電体を誘電体に変換することを特徴と
する誘電体の製造方法である。
【０００６】かかる構成を有する本発明において、誘電
材としてのセラミック原料中に、導電材を５０重量％を
越えて混合することによって、導電性を呈するセラミッ
ク体を得ることができる。また、セラミック原料をアル
ミナ粉末とし、導電材をタングステン粉末、酸化タング
ステン粉末、モリブデン粉末、又は酸化モリブデン粉末
とすることによって、アルミナセラミック配線基板内に
誘電体形成用の導電体を、アルミナセラミック配線基板
と同時焼成によって形成できる。
材としてのセラミック原料中に、導電材を５０重量％を
越えて混合することによって、導電性を呈するセラミッ
ク体を得ることができる。また、セラミック原料をアル
ミナ粉末とし、導電材をタングステン粉末、酸化タング
ステン粉末、モリブデン粉末、又は酸化モリブデン粉末
とすることによって、アルミナセラミック配線基板内に
誘電体形成用の導電体を、アルミナセラミック配線基板
と同時焼成によって形成できる。
【０００７】
【作用】本発明によれば、誘電材中に導電材を大量に混
合して導電体を形成する。この導電体中には、導電材か
ら成る導電通路が形成されている。次いで、導電材を挟
む電極に断続的に高電流又は高電圧を印加することによ
って、導電体内に形成された導電通路を電気的に断線
し、導電体を誘電体に変換する。この様にして導電体か
ら変換された誘電体は、誘電体の絶縁性が実質的に保持
できる量の導電材が混合されて形成された誘電体に比較
して、高い比誘電率を呈することができる。その理由
は、本発明に係る誘電体には、誘電材中に少量の導電材
が混合されて成る誘電体の誘電層に比較して、導電通路
を形成する多数の導電材の表面に極めて薄い誘電層が形
成されているためと推察される。このため、本発明にお
いては、比誘電率の低い誘電材を使用しても、高い比誘
電率の誘電体を得ることができる。
合して導電体を形成する。この導電体中には、導電材か
ら成る導電通路が形成されている。次いで、導電材を挟
む電極に断続的に高電流又は高電圧を印加することによ
って、導電体内に形成された導電通路を電気的に断線
し、導電体を誘電体に変換する。この様にして導電体か
ら変換された誘電体は、誘電体の絶縁性が実質的に保持
できる量の導電材が混合されて形成された誘電体に比較
して、高い比誘電率を呈することができる。その理由
は、本発明に係る誘電体には、誘電材中に少量の導電材
が混合されて成る誘電体の誘電層に比較して、導電通路
を形成する多数の導電材の表面に極めて薄い誘電層が形
成されているためと推察される。このため、本発明にお
いては、比誘電率の低い誘電材を使用しても、高い比誘
電率の誘電体を得ることができる。
【０００８】
【発明の概要】本発明のコンデンサを形成する誘電体
は、誘電材中に導電材が混合されて得られたものであ
る。かかる誘電材としては、セラミック原料やプラスチ
ック等の有機絶縁体を使用することができる。特に、セ
ラミック原料として、アルミナ粉末、窒化アルミニウム
粉末、ガラス粉末等を好適に使用できる。この様な、誘
電材中に混合する導電材としては、使用する誘電材との
関係で選択することが好ましい。例えば、アルミナ粉末
等のセラミック原料の様に、高温焼成してセラミック体
を形成する誘電材を使用する場合には、セラミック原料
の焼成温度近傍に融点を有する金属、例えばタングステ
ン粉末、酸化タングステン粉末、モリブデン粉末、又は
酸化モリブデン粉末等の金属粉末を好適に使用できる。
一方、誘電材として、プラスチック等の有機絶縁体を使
用する場合、或いはガラス粉末等を使用する場合には、
タングステン粉末等よりも低融点であるものの導電性に
優れる金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属粉末を使用でき
る。
は、誘電材中に導電材が混合されて得られたものであ
る。かかる誘電材としては、セラミック原料やプラスチ
ック等の有機絶縁体を使用することができる。特に、セ
ラミック原料として、アルミナ粉末、窒化アルミニウム
粉末、ガラス粉末等を好適に使用できる。この様な、誘
電材中に混合する導電材としては、使用する誘電材との
関係で選択することが好ましい。例えば、アルミナ粉末
等のセラミック原料の様に、高温焼成してセラミック体
を形成する誘電材を使用する場合には、セラミック原料
の焼成温度近傍に融点を有する金属、例えばタングステ
ン粉末、酸化タングステン粉末、モリブデン粉末、又は
酸化モリブデン粉末等の金属粉末を好適に使用できる。
一方、誘電材として、プラスチック等の有機絶縁体を使
用する場合、或いはガラス粉末等を使用する場合には、
タングステン粉末等よりも低融点であるものの導電性に
優れる金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属粉末を使用でき
る。
【０００９】本発明においては、導電性を呈し得る量の
導電材が、誘電材中に混合されていることが大切であ
る。この導電材の混合量と得られた混合体の体積抵抗値
との関係を図１に示す。図１は、誘電材としてのアルミ
ナ粉末中に混合する導電材としてのタングステン（Ｗ）
粉末の量と、アルミナ粉末中にタングステン粉末が混合
されたグリーンシートを焼成して得られたアルミナセラ
ミック体の体積抵抗値との関係を示すグラフである。こ
の図１から明らかな様に、アルミナ粉末に対するタング
ステン粉末の混合量が５０重量％以下では、得られたア
ルミナセラミック体は高い体積抵抗値を示す誘電体であ
る。
導電材が、誘電材中に混合されていることが大切であ
る。この導電材の混合量と得られた混合体の体積抵抗値
との関係を図１に示す。図１は、誘電材としてのアルミ
ナ粉末中に混合する導電材としてのタングステン（Ｗ）
粉末の量と、アルミナ粉末中にタングステン粉末が混合
されたグリーンシートを焼成して得られたアルミナセラ
ミック体の体積抵抗値との関係を示すグラフである。こ
の図１から明らかな様に、アルミナ粉末に対するタング
ステン粉末の混合量が５０重量％以下では、得られたア
ルミナセラミック体は高い体積抵抗値を示す誘電体であ
る。
【００１０】他方、タングステン粉末の混合量がアルミ
ナ粉末に対して５０重量％を越えると、得られたアルミ
ナセラミック体の体積抵抗値が急激に減少する。特に、
タングステン粉末のアルミナ粉末に対する混合量が５５
重量％以上（就中、６０重量％以上）の場合、得られた
アルミナセラミック体は良好な導電性を呈する導電体と
なる。このアルミナセラミック体には、図２に示す様
に、アルミナセラミック体１０を形成するアルミナ１
２、１２・・から成る誘電材中に、タングステン１４、
１４・・から成る導電材によって導電通路が形成されて
いる。このため、アルミナセラミック体１０は導電性を
呈するのである。かかるアルミナセラミック体１０を挟
むように設けられた、図２に示す電極１６、１８は、ア
ルミナセラミック体１０となるグリーンシートを焼成す
る際に、グリーンシートの表面にタングステンペースト
等を塗布した後、同時焼成して得られたメタライズ層に
よって形成できる。尚、電極１６、１８としてのメタラ
イズ層に代えて、アルミナセラミック体１０を形成した
後に、金属層を形成して電極１６、１８としてもよく、
金属板を電極１６、１８としてもよい。
ナ粉末に対して５０重量％を越えると、得られたアルミ
ナセラミック体の体積抵抗値が急激に減少する。特に、
タングステン粉末のアルミナ粉末に対する混合量が５５
重量％以上（就中、６０重量％以上）の場合、得られた
アルミナセラミック体は良好な導電性を呈する導電体と
なる。このアルミナセラミック体には、図２に示す様
に、アルミナセラミック体１０を形成するアルミナ１
２、１２・・から成る誘電材中に、タングステン１４、
１４・・から成る導電材によって導電通路が形成されて
いる。このため、アルミナセラミック体１０は導電性を
呈するのである。かかるアルミナセラミック体１０を挟
むように設けられた、図２に示す電極１６、１８は、ア
ルミナセラミック体１０となるグリーンシートを焼成す
る際に、グリーンシートの表面にタングステンペースト
等を塗布した後、同時焼成して得られたメタライズ層に
よって形成できる。尚、電極１６、１８としてのメタラ
イズ層に代えて、アルミナセラミック体１０を形成した
後に、金属層を形成して電極１６、１８としてもよく、
金属板を電極１６、１８としてもよい。
【００１１】本発明においては、アルミナセラミック体
１０内に形成された導電通路を電気的に断線することに
よって、導電性を呈するアルミナセラミック体１０を誘
電体に変換できる。この導電通路の電気的な断線は、電
極１６、１８の電極間に挟まれている導電性を呈するア
ルミナセラミック体１０の導電性を破壊し得る高電流又
は高電圧を電極１６、１８に断続的に印加することによ
って行うことができる。かかる電極１６、１８に断続的
に印加する高電流又は高電圧は、半導体装置の製造等の
際に使用されるスポット溶接機を使用して発生させるこ
とができる。ここで、電極１６、１８に高電流又は高電
圧を連続して印加すると、セラミック体１０が発熱する
ために好ましくない。特に、プラスチック等の有機絶縁
体を使用する場合には、有機絶縁体が部分的に溶融して
ボイドが形成されることがある。尚、印加する電流又は
電圧は、混合した導電材の種類、形状、大きさ等、或い
は混合量で異なるため、予め実験的に求めておくことが
好ましい。
１０内に形成された導電通路を電気的に断線することに
よって、導電性を呈するアルミナセラミック体１０を誘
電体に変換できる。この導電通路の電気的な断線は、電
極１６、１８の電極間に挟まれている導電性を呈するア
ルミナセラミック体１０の導電性を破壊し得る高電流又
は高電圧を電極１６、１８に断続的に印加することによ
って行うことができる。かかる電極１６、１８に断続的
に印加する高電流又は高電圧は、半導体装置の製造等の
際に使用されるスポット溶接機を使用して発生させるこ
とができる。ここで、電極１６、１８に高電流又は高電
圧を連続して印加すると、セラミック体１０が発熱する
ために好ましくない。特に、プラスチック等の有機絶縁
体を使用する場合には、有機絶縁体が部分的に溶融して
ボイドが形成されることがある。尚、印加する電流又は
電圧は、混合した導電材の種類、形状、大きさ等、或い
は混合量で異なるため、予め実験的に求めておくことが
好ましい。
【００１２】この様に導電性が破壊されたアルミナセラ
ミック体１０は、誘電材中に５０重量％以下の導電材が
混合されて成る前記公報に記載された誘電体に比較し
て、高い比誘電率の誘電体に変換されているため、容量
の大きなコンデンサを形成できる。また、誘電材として
使用するセラミック粉末として、比誘電率の低いセラミ
ック粉末を使用しても、高い比誘電率の誘電体を得るこ
とができる。かかるアルミナセラミック体１０が高い比
誘電率とを呈する理由は、導電通路を形成する導電材で
あるタングステン１４、１４・・に高電流又は高電圧が
加えられた際に、導電通路を形成するタングステン１
４、１４・・の一部が次々に溶断され、図３に示す様
に、タングステン１４、１４・・の界面に、厚さが極め
て薄い誘電体層２０、２０・・が形成されているものと
考えることによって説明できる。
ミック体１０は、誘電材中に５０重量％以下の導電材が
混合されて成る前記公報に記載された誘電体に比較し
て、高い比誘電率の誘電体に変換されているため、容量
の大きなコンデンサを形成できる。また、誘電材として
使用するセラミック粉末として、比誘電率の低いセラミ
ック粉末を使用しても、高い比誘電率の誘電体を得るこ
とができる。かかるアルミナセラミック体１０が高い比
誘電率とを呈する理由は、導電通路を形成する導電材で
あるタングステン１４、１４・・に高電流又は高電圧が
加えられた際に、導電通路を形成するタングステン１
４、１４・・の一部が次々に溶断され、図３に示す様
に、タングステン１４、１４・・の界面に、厚さが極め
て薄い誘電体層２０、２０・・が形成されているものと
考えることによって説明できる。
【００１３】以上、述べてきたコンデンサは、配線基板
中に容易に形成できる。例えば図４に示す様に、配線基
板３０を形成するセラミック層３２とセラミック層３４
との間に、導電性を呈する量の導電材が混合されて形成
された導電性セラミック層３６が設けられている。この
導電性セラミック層３６は、導電層３８、４０に挟まれ
ており、導電層３８、４０はビア４２、４４を介して電
極４６、４８に接続されている。かかる電極４６、４８
間に、導電性セラミック層３６内に形成された導電通路
の導電性を破壊し得る高電流又は高電圧を電極間に断続
的に印加し、導電性セラミック層３６の電極４６、４８
間を高誘電率の誘電体に変換できるため、配線基板３０
内に高容量のコンデンサを容易に形成できる。図４にお
いては、導電層３８、４０間に導電性セラミック層３６
を挟んでいるが、導電層３８、４０を小面積とするに従
い、コンデンサに形成される導電性セラミック層３６の
部分も狭くなる。この様に、本発明によれば、コンデン
サの大きさも調整可能である。
中に容易に形成できる。例えば図４に示す様に、配線基
板３０を形成するセラミック層３２とセラミック層３４
との間に、導電性を呈する量の導電材が混合されて形成
された導電性セラミック層３６が設けられている。この
導電性セラミック層３６は、導電層３８、４０に挟まれ
ており、導電層３８、４０はビア４２、４４を介して電
極４６、４８に接続されている。かかる電極４６、４８
間に、導電性セラミック層３６内に形成された導電通路
の導電性を破壊し得る高電流又は高電圧を電極間に断続
的に印加し、導電性セラミック層３６の電極４６、４８
間を高誘電率の誘電体に変換できるため、配線基板３０
内に高容量のコンデンサを容易に形成できる。図４にお
いては、導電層３８、４０間に導電性セラミック層３６
を挟んでいるが、導電層３８、４０を小面積とするに従
い、コンデンサに形成される導電性セラミック層３６の
部分も狭くなる。この様に、本発明によれば、コンデン
サの大きさも調整可能である。
【００１４】また、タングステン粉末等の金属粉末から
成る導電材を使用してきたが、図５に示す様に、アルミ
ナやガラス等から成る誘電粒子５０を、金属層５２によ
ってコーティングしたもの、或いは金属粉末によってコ
ーティングしたものも使用できる。
成る導電材を使用してきたが、図５に示す様に、アルミ
ナやガラス等から成る誘電粒子５０を、金属層５２によ
ってコーティングしたもの、或いは金属粉末によってコ
ーティングしたものも使用できる。
【００１５】
【実施例】本発明を実施例によって更に詳細に説明す
る。 実施例１ （１）導電体の製造 先ず、アルミナ粉末に焼結助剤等を添加したセラミック
粉末に、粒径１．１μｍのタングステン粉末を６０重量
％（対セラミック粉末）添加して混合し、常法によって
グリーンシートを作成した。次いで、作成したグリーン
シートを所定寸法の板体に切断した後、板体の両面全面
にタングステンペーストを塗布した。その後、１５５０
℃で焼成して縦４ｍｍ、横４ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍの
矩形であって、図２に示す様に、表面と裏面とに電極と
してのメタライズ層が形成されたセラミック体を得た。
このセラミック体の体積抵抗値は１２×１０-3Ω・ｃｍ
であり、導電体であった。
る。 実施例１ （１）導電体の製造 先ず、アルミナ粉末に焼結助剤等を添加したセラミック
粉末に、粒径１．１μｍのタングステン粉末を６０重量
％（対セラミック粉末）添加して混合し、常法によって
グリーンシートを作成した。次いで、作成したグリーン
シートを所定寸法の板体に切断した後、板体の両面全面
にタングステンペーストを塗布した。その後、１５５０
℃で焼成して縦４ｍｍ、横４ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍの
矩形であって、図２に示す様に、表面と裏面とに電極と
してのメタライズ層が形成されたセラミック体を得た。
このセラミック体の体積抵抗値は１２×１０-3Ω・ｃｍ
であり、導電体であった。
【００１６】（２）誘電体への変換 得られた導電体の電極に、スポット溶接機によって直流
５０Ｗ／sec （直流２０Ｖ）を断続的に１回印加した。
印加後のセラミック体の体積抵抗値は、１．２×１０9
Ω・ｃｍであり、誘電体に変換されていた。また、この
スポット溶接機によって直流５０Ｗ／sec （直流２０
Ｖ）の断続的な印加を、途中でセラミック体の体積抵抗
値を測定しつつ、１００回繰り返して行ったところ、セ
ラミック体の体積抵抗値の値は１．２×１０9 〜１．６
×１０ 9 Ω・ｃｍであった。次いで、かかる誘電体が電
極間に挟まれて形成されたコンデンサについて、誘電体
の見掛けの比誘電率 (ε) について測定したところ、４
００〜５００の値であった。この比誘電率 (ε) の値
は、アルミナの比誘電率が約８程度であるため、誘電体
を形成するアルミナよりも極めて高い比誘電率である。
５０Ｗ／sec （直流２０Ｖ）を断続的に１回印加した。
印加後のセラミック体の体積抵抗値は、１．２×１０9
Ω・ｃｍであり、誘電体に変換されていた。また、この
スポット溶接機によって直流５０Ｗ／sec （直流２０
Ｖ）の断続的な印加を、途中でセラミック体の体積抵抗
値を測定しつつ、１００回繰り返して行ったところ、セ
ラミック体の体積抵抗値の値は１．２×１０9 〜１．６
×１０ 9 Ω・ｃｍであった。次いで、かかる誘電体が電
極間に挟まれて形成されたコンデンサについて、誘電体
の見掛けの比誘電率 (ε) について測定したところ、４
００〜５００の値であった。この比誘電率 (ε) の値
は、アルミナの比誘電率が約８程度であるため、誘電体
を形成するアルミナよりも極めて高い比誘電率である。
【００１７】比較例 実施例１において、タングステン粉末の添加量を５０重
量％とした他は、実施例１と同様にして焼成してセラミ
ック体を得た。このセラミック体は、その体積抵抗値が
１．０×１０14Ω・ｃｍであり、誘電体であった。この
ため、スポット溶接機によって直流電流を印加すること
なく誘電体の見掛けの比誘電率 (ε) の値を測定したと
ころ、その値は約４０であった。
量％とした他は、実施例１と同様にして焼成してセラミ
ック体を得た。このセラミック体は、その体積抵抗値が
１．０×１０14Ω・ｃｍであり、誘電体であった。この
ため、スポット溶接機によって直流電流を印加すること
なく誘電体の見掛けの比誘電率 (ε) の値を測定したと
ころ、その値は約４０であった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、使用する誘電材の誘電
率よりも高い比誘電率を有する誘電体を得ることができ
るため、現在使用している誘電材の種類や成形条件等を
変更することなく、配線基板内に高容量のコンデンサを
作り込むことができる。
率よりも高い比誘電率を有する誘電体を得ることができ
るため、現在使用している誘電材の種類や成形条件等を
変更することなく、配線基板内に高容量のコンデンサを
作り込むことができる。
【図１】タングステン（Ｗ）混合量と得られたセラミッ
ク体の体積抵抗値との関係を示すグラフである。
ク体の体積抵抗値との関係を示すグラフである。
【図２】得られた導電体の縦断面図を示す。
【図３】導電体を介して互いに対向する電極に高電流又
は高電圧を断続的に印加して得られた誘電体の内部構造
を説明するための説明図である。
は高電圧を断続的に印加して得られた誘電体の内部構造
を説明するための説明図である。
【図４】配線基板内にコンデンサを作り込む一例を説明
するための説明図である。
するための説明図である。
【図５】導電材の一例を示す断面図である。
１０ アルミナセラミック体（導電体） １２ アルミナ（誘電材） １４ タングステン（導電材） １６、１８ 電極 ２０ 誘電体層
Claims (9)
- 【請求項１】 互いに対向する電極間に、基材である誘
電材中に導電材が混合されて形成された誘電体を備える
コンデンサにおいて、 該誘電体は、誘電材中に混合された導電材によって形成
された導電通路が電気的に断線されて成る誘電体である
ことを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体がセラミック体であって、導電材
が誘電材であるセラミック成分に対して５０重量％を越
えて混合されている請求項１記載のコンデンサ。 - 【請求項３】 セラミック体がアルミナセラミックであ
り、導電材がタングステン、酸化タングステン、モリブ
デン、又は酸化モリブデンである請求項２記載のコンデ
ンサ。 - 【請求項４】 基材としての誘電材中に導電材を混合し
て成る誘電体を、互いに対向する電極間に備えるコンデ
ンサを製造する際に、 該誘電材中に導電材を混合して成る導電体を形成した
後、前記導電体を挟んで互いに対向する電極を設け、 次いで、前記導電材によって導電体内に形成された導電
通路を電気的に断線し得る電流又は電圧を前記電極に断
続的に印加し、前記導電体を誘電体に変換することを特
徴とするコンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 誘電材としてのセラミック原料中に、導
電材を５０重量％を越えて混合する請求項４記載のコン
デンサの製造方法。 - 【請求項６】 セラミック原料をアルミナ粉末とし、導
電材をタングステン粉末、酸化タングステン粉末、モリ
ブデン粉末、又は酸化モリブデン粉末とする請求項５記
載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 基材としての誘電材中に導電材を混合し
て成る誘電体を製造する際に、 該誘電材中に導電材を混合して成る導電体を形成した
後、前記導電体を互いに対向する電極間に挟み、 次いで、前記導電材によって導電体内に形成された導電
通路を電気的に断線し得る電流又は電圧を前記電極に断
続的に印加し、前記導電体を誘電体に変換することを特
徴とする誘電体の製造方法。 - 【請求項８】 誘電材としてのセラミック原料中に、導
電材を５０重量％を越えて混合する請求項７記載の誘電
体の製造方法。 - 【請求項９】 セラミック原料をアルミナ粉末とし、導
電材をタングステン粉末、酸化タングステン粉末、モリ
ブデン粉末、又は酸化モリブデン粉末とする請求項７記
載の誘電体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7053932A JPH08250371A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | コンデンサ及びその製造方法並びに誘電体の製造方法 |
| KR1019960006515A KR100220757B1 (ko) | 1995-03-14 | 1996-03-12 | 콘덴서 및 그 제조방법 및 유전체의 제조방법 |
| EP96301757A EP0732712B1 (en) | 1995-03-14 | 1996-03-14 | Capacitor dielectric and method for producing it |
| DE69632883T DE69632883T2 (de) | 1995-03-14 | 1996-03-14 | Dielektrisches Material für einen Kondensator und Herstellungsverfahren |
| US08/907,915 US5903429A (en) | 1995-03-14 | 1997-08-11 | Capacitor, method for producing same and method for producing dielectric body |
| US09/270,518 US6201684B1 (en) | 1995-03-14 | 1999-03-17 | Capacitor, formed of a dielectric body having a high dielectric constant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7053932A JPH08250371A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | コンデンサ及びその製造方法並びに誘電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250371A true JPH08250371A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12956520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7053932A Pending JPH08250371A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | コンデンサ及びその製造方法並びに誘電体の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5903429A (ja) |
| EP (1) | EP0732712B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08250371A (ja) |
| KR (1) | KR100220757B1 (ja) |
| DE (1) | DE69632883T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339306B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-06-03 | 무라타 야스타카 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11111828A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着装置 |
| US6519134B1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-02-11 | Intel Corporation | Universal capacitor terminal design |
| US20040108134A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-06-10 | Borland William J. | Printed wiring boards having low inductance embedded capacitors and methods of making same |
| JP5132840B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2013-01-30 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
| US20140352144A1 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Carestream Health, Inc. | Methods for improving electrical isolation of patterned transparent conductive films |
Family Cites Families (20)
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| US3118095A (en) * | 1960-09-29 | 1964-01-14 | Vitramon Inc | Capacitor and terminal therefor |
| DE2256688B2 (de) * | 1972-11-18 | 1976-05-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum auftrennen von leiterbahnen auf integrierten schaltkreisen |
| JPS59108397A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 高容量コンデンサを備えたアルミナ配線基板 |
| US4543171A (en) * | 1984-03-22 | 1985-09-24 | Rca Corporation | Method for eliminating defects in a photodetector |
| AU580903B2 (en) * | 1986-01-29 | 1989-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion devices |
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| US4720767A (en) * | 1986-09-22 | 1988-01-19 | Avx Corporation | Internally fused variable value ceramic capacitor and circuit |
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| US4894746A (en) * | 1987-06-06 | 1990-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated capacitor with fuse function |
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| JPS6469007A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Murata Manufacturing Co | Layer-built capacitor |
| JPS6469008A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Murata Manufacturing Co | Layer-built capacitor |
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| JP3087091B2 (ja) | 1992-03-12 | 2000-09-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 動力伝達装置 |
| US5521332A (en) * | 1992-08-31 | 1996-05-28 | Kyocera Corporation | High dielectric layer-containing alumina-based wiring substrate and package for semiconductor device |
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-
1995
- 1995-03-14 JP JP7053932A patent/JPH08250371A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-12 KR KR1019960006515A patent/KR100220757B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-14 DE DE69632883T patent/DE69632883T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-14 EP EP96301757A patent/EP0732712B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-11 US US08/907,915 patent/US5903429A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-17 US US09/270,518 patent/US6201684B1/en not_active Expired - Fee Related
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| KR100339306B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-06-03 | 무라타 야스타카 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100220757B1 (ko) | 1999-09-15 |
| EP0732712B1 (en) | 2004-07-14 |
| DE69632883D1 (de) | 2004-08-19 |
| DE69632883T2 (de) | 2005-01-20 |
| US6201684B1 (en) | 2001-03-13 |
| KR960035683A (ko) | 1996-10-24 |
| EP0732712A2 (en) | 1996-09-18 |
| US5903429A (en) | 1999-05-11 |
| EP0732712A3 (en) | 1997-07-02 |
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