JPH0572041B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の利用分野 この発明は、バスバー等の容量性素子から成る
高容量性多層導体バーおよびその製造法に関す
る。

この明細書において、語“バスバー”とは広い
分野、特に電子業界において例えば印刷回路およ
びその他の高い集積度の構成部品における主とし
て電力及び／又は信号分配用構造部品をいう。

従来技術 一般に、バスバーは、例えば約0.12mm〜0.50mm
程度の肉厚範囲の錫めつき銅あるいは黄銅から成
る給電用の２つ又はそれ以上の互いに離間せしめ
た導体バー素子を用いて形成される。この種のバ
スバーからは複数の配電用接続ピンが延びてい
る。これ等の接続ピンは当該導体素子と印刷回路
基板の複数の線路との電気接続を行う。この種の
バスバーにおいて、導体素子間の各室内に当該バ
スバーに沿つて分布容量を付与するために通常誘
電体材料が装填される。このようにして、バスバ
ーは電圧低下に基づく過渡現象の除去及び／又は
固有雑音の低減化に有効に作用する。

上記従来形式のバスバーにおいて、約25〜
125μｍの肉厚の絶縁フイルムあるいは合成紙が
導体間に配置される。好適な誘電体材料として
PTFEフイルム（“テフロン（Teflon）（登録商標
名）”）、アラミド絶縁紙（例えば“ノメツクス
（Nomex）（登録商標名）”）、ポリエステルフイル
ム（例えば“マイラー（Mylar）（登録商標
名）”）、ポリイミドフイルム（例えば“カプトン
（Kapton）（登録商標名）”）、及びPVFフイルム
（例えば“テドラー（Tedlar）（登録商標名）”））
がある。これらの比誘電率は２〜９の範囲内のも
のである。この形式のバスバーは比較的小さいキ
ヤパシタンスを有する。

バスバーの単位面積当りのキヤパシタンスは誘
電率に比例するとともに該誘電体材料の肉厚に反
比例する。キヤパシタンス増大化のために肉厚を
低減するにも、材料の絶縁耐力のために限界があ
つた。同一寸法での高キヤパシタンスはより高い
比誘電率を有する誘電体により達成される。

従来技術において、ここ数年来、誘電体の肉厚
及び／又は体積を変えることなくキヤパシタンス
を大きくする技術において問題があつた。

誘電率を改良するためにセラミツクコンデンサ
チツプが使用された。この種のセラミツクコンデ
ンサチツプは上述した容量性素子よりも非常に大
きい誘電率を有する。特に、チタン酸バリウム又
はチタン酸ストロンチユームセラミツク材料は、
100000又はそれ以上の比誘電率を有する。この種
のセラミツク材料により形成されたコンデンサチ
ツプ、例えばBaTiO₃（チタン酸バリウム）又は
SrTiO₃（チタン酸ストロンチユーム）コンデンサ
チツプは複層型又は単層型チツプとして市販され
ている。後者の単層型チツプは非常に薄厚、例え
ば0.2mm程度の平行六面体とされる。例えば、そ
れぞれ幅3.5〜５mm、長さ５〜35mm程度を有する
両主面が導体膜の付着方法、スパツタリング又は
類似の方法により金属電極層で被覆され、該チツ
プの端面は金属被覆されない。このようなチツプ
は実体的にコンデンサチツプそのものである。

金属被覆は銀、ニツケル又はその他の適当な金
属を用いて公知の真空被膜方法により作られる。
この金属膜はチツプの上・下主面において数μｍ
程度の肉厚を有する連続導体層を形成する。当該
チツプの主面上の連続導体層は主電流を供給する
ものでなく、活性構成要素により発生した雑音電
力に基づく可変電流を通過させるだけであるか
ら、該連続導体層の断面積は小さくてよい。この
雑音電力は、時々非常に有害なものであるが、当
該容量性セラミツク内に多量の熱を発生すること
もなく瞬時的に高い値となる。一方、導体層の可
成りの断面積は電気的直列抵抗を低く維持せしめ
かつ当該キヤパシタの等価直列抵抗を低下せしめ
るのに有用である。米国特許第4236046号及び第
4266091号により知られるバスバーにおいては、
金属被覆セラミツクチツプと導体バーとの電気的
接続は導電性接着剤により行われている。導電性
接着剤の使用は、製造時又は当該電子部品の操作
もしくは使用時にチツプの対向両面間に生じた短
絡回路に起因する重大な信頼性問題を惹起する。
短絡回路は接着剤が低粘度であることにより生
じ、積層工程時一般に140〜205℃の温度及び圧力
の２重の影響下において導体バー素子間に過剰な
接着剤の流動が生じる。この問題を除去するため
に、米国特許第4236038号において、金属被覆さ
れたセラミツクコンデンサチツプが非導電性接着
剤により外側の導体バー素子に対し封止される一
方、平板状バー素子の内面と対面する該チツプの
面が粗面仕上げとされ、該チツプの金属電極層が
導体バー素子と電気接続される。

しかしながら、上述した電気接続において過剰
気味の接着剤が多層バスバーアツセンブリ又は多
層導体バーの内面を被覆するとか、接着剤、代表
的に熱可塑性材料の特性に基づき、該接着剤の軟
化点まで加熱されたとき、その流動が始まつて電
気接続を阻害し、動作特性の安定性及び信頼性を
欠いたものとなる。いずれにせよ、上記接着剤の
適当な量の選定が困難であつた。

英国特許第2096820号によりセラミツクチツプ
を組込んだ多層バスバーのもう１つの従来例が知
られている。この先行技術のバスバーアツセンブ
リは、例えばAgの導電層を有する、デイスクリ
ートなチタン酸バリウムBaTiO₃コンデンサチツ
プを用いて形成され、各コンデンサチツプの電極
層が導体バー素子と電気接続される。電気接続は
半田付けにより行なわれるとともに各導体バー素
子がプラスチツク材料で被覆される。該先行技術
の他の例では、各導体バー素子に複数の穴を有す
る絶縁スペーサー素子が積層され、該スペーサー
素子の各穴に個別の電極層で被覆されたコンデン
サチツプが収容される。この絶縁スペーサー素子
に印刷された導電トラツクが導体バー素子とコン
デンサチツプの電極層とを電気接続する。更にも
う１つの例では、各バス導体がプラスチツクシー
トに印刷されたトラツクとされ、該プラスチツク
シートに導電性接着剤を介して穿孔プラスチツク
スペーサが接着され、該スペーサーの各穴内に挿
入されたコンデンサの導電層とバス導体とが接続
される。

上述した従来例の何れにおいても、上記バスバ
ーの製造方法は複雑でありかつ多数の処理工程が
要求される。導電性トラツク表面は酸化し易く、
しかも機械的接触により形成される電気接続は信
頼性が乏しいものであつた。このような酸化層は
不良導体である。米国特許第4236046号及び第
4266091号に、導電性接着剤の使用が上記問題を
惹起することを述べている。

解決しようとする課題 この発明は高容量性多層導体バーの簡単かつ安
価な製造方法を提供しようとするものであり、多
層導体バーにおける種々の素子間における所要の
電気的及び機械的接続が高温度又は機械的高圧力
等の過酷な条件下においても安定かつ信頼性をも
つて行われる。

もう１つの目的は、内部キヤパシタの等価直列
抵抗を出来る限り小さなものとして固有雑音を有
効に低減化した、高容量性多層導体バーを提供す
ることにある。

この発明は特許請求の範囲に記載のとおり特徴
づけられる。この発明による利点は主として２種
類の接着材料を用いて機械的及び電気的接続を最
良の形態で行うことによつて得られる。使用され
る一方の半田材料は耐久性があり、しかも低イン
ピーダンスをもつて最良の電気接続を可能とする
一方、該半田材料は機械的接続を行うのに最適な
非導電性接着剤と一緒に使用可能であり、この特
性を有効に利用して最良形態をもつて接続処理を
実施することが出来る。また、多層導体バーの機
能を損うことなく十分な量の非導電性接着剤を適
用することができる。さらにまた、多層導体バー
内の空間部に、好ましくは非導電性接着剤を充填
することにより小型で安定かつ高信頼性を有する
ものにすることができる。

この発明によれば、導体バー素子、容量性素子
及び外装用誘電体シート部材が半田材料及び非導
電性接着材料と一緒に１回のホツトプレス処理に
より積層して互いに接続される。そのため、半田
材料が導体バー素子と容量性素子間に分配される
とともに非導電性接着材料層が各外装用誘電体シ
ート部材表面に設けられる。

機械的及び電気的接続を確立する接着材料は工
程温度及び／又は圧力に関する製造条件を考慮し
て選択される。非導電性接着材料は好ましくは約
150℃〜200℃の活性化温度を有する熱硬化性接着
剤又は熱可塑性接着剤が用いられる。熱可塑性接
着剤による接続は、好ましくはその軟化温度であ
る約150℃で行なわれるようにする。熱硬化性接
着剤による接続は、好ましくはその重合化温度で
ある約185℃で行なわれるようにする。これら２
種類の接着剤は金属及び誘電体を接着するのに好
適な接着材料である。このような接着剤による機
械的接続は耐久性及び安定性がある。半田材料
（半田合金）としては、好ましくは約140℃〜200
℃の融点を有する、フラツクスを含んだペースト
状半田材又は予備成形半田素材が使用される。こ
の種の半田材料は硬ろう付けというよりはむしろ
半田付けするためのものであつて、一般に、鉛―
錫合金により製造されるものであり、該半田材料
は導電バー素子の表面と容量性素子の表面とを、
その両者を溶融することなく接合するものであ
る。このような半田付けは良好な電気的及び機械
的接続が得られる。好ましい半田材料として、例
えば、融点179℃、クラスSn62のSnPbAgSb62／
35.7／２／0.3（重量％）とか、融点149℃の
InPbAg80／15／５（重量％）（英国マルチコア・
ソルダー社製（Multicore Solder Ltd、UK）が
ある。これら半田材料は半田合金粉末をフラツク
スで混練したペースト状のものであり、一般に、
25℃で粘性200000cp（センチポアズ）以上を有す
る。この種のペースト状半田材は可成り粘性が高
くて幾らかの流動性を有するものであるが、可成
り高温度の溶接作業においても半田材の流動を発
生することがない。

特に好ましくは、融点149℃のInPbAg合金を
含有するペースト状半田材と一緒に約150℃の軟
化温度を有する熱可塑性接着剤を用いるか、又
は、融点179℃のSnPgAgSb合金を含有するペー
スト状半田材と一緒に185℃の重合化温度を有す
る熱硬化性接着剤を用いるようにする。このよう
な好ましい接着材料の組み合わせにより、製造工
程における接着処理を単純化してその他の処理パ
ラメータを有利に調整することができる。

容量性素子は好ましくは金属電極層を付着した
セラミツクコンデンサチツプが用いられ、該コン
デンサチツプの周縁部は非導電性面部とされる。
該容量性素子の金属膜被覆主面、即ち、金属電極
層が導体バー素子と対向して配置される。該容量
性素子と導体バー素子間を電気的接続するにあた
り、該容量性素子のチツプサイズに応じて、該容
量性素子の金属電極層表面及び／又は導体バー素
子の対向面における適当な領域に半田材料が配布
される。例えば、コンデンサチツプの両金属電極
層面上で周縁部から少なくとも１mm以上内方に隔
たつた中央領域及び／又は導体バー素子の中央領
域に、半田材料が点状もしくは直線状に配布され
る。半田材料の配布量は、例えば１点部当り約
0.02ｇ、又は直線長さ１cm当り約0.1ｇとするの
が好ましい。各容量性素子は好ましくは導体バー
素子の中央部に配置される。上記ペースト状半田
材料の粘性に基づき、導体バー素子に対する容量
性素子の位置決めを容易に行うことができる。ま
た、製造時、上記半田材料は流動することなく、
該容量性素子の金属電極層表面の周縁部から内側
に十分に離間した中央部分に留まり、したがつて
該半田材料が流動することにより短絡回路を形成
する危険性が全くない。

この発明の好ましい実施例において、各外装用
誘電体シート部材を導体バー素子の外面又は露出
面に接着して当該アツセンブリを絶縁被覆又は包
装する。この絶縁外装は上述した１回のホツトプ
レス処理で得られる。外装誘電体シート部材は好
ましくは合成樹脂シートもしくはフイルムストリ
ツプとして形成されたものが用いられる。これ等
外装用誘電体シート部材の内面には好ましくは熱
硬化性又は熱可塑性を有する乾式接着材料層が形
成される。この熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着
剤はアクリル系、エポキシ系又はポリエステル系
の接着剤である。

また、導体バー素子と容量性素子間に、１つ又
はそれ以上の絶縁層を形成する分離用誘電体素子
が配置される。この分離用誘電体素子は非導電性
接着剤を介して上記導体バー素子及び容量性素子
と接着される。該分離用誘電体素子の両主面は好
ましくは乾式接着材料層で被覆される。この分離
用誘電体素子の内部領域に複数の貫通孔があけら
れ、各貫通孔に挿入した半田材料を介して隣接す
る導体バー素子と容量性素子間が電気的に接続さ
れる。該貫通孔に挿入される半田材料として、上
記ペースト状半田材とか、又は予備成形半田素
材、即ち、やに入り半田材を適用することができ
る。該貫通孔は直径約１〜３mmの大きさとされ
る。

この発明のもう１つの実施例において、２つの
導体バー素子間にそれらの全長にわたつて容量性
素子を装填しない場合には、端部に配置された容
量性素子の片側の空間部にスペーサー用誘電体素
子を配置し、該スペーサー用誘電体素子の側面部
が隣接する容量性素子の側面部と接着されるとと
もに該スペーサー用誘電体素子の主面が導体バー
素子と接着される。このスペーサー用誘電体素子
の接着は、上記外装用誘電体シート部材の接着に
使用されたと同様の乾式接着剤を用いて行われ
る。スペーサー用誘電体素子の片面又は両面上に
上記接着剤をフイルム状に塗布するようにしても
よい。該スペーサー用誘電体素子の肉厚は、好ま
しくは容量性素子の肉厚と同じ大きさとする。ま
た、このスペーサー用誘電体素子は合成紙シート
又はストリツプ部材としてもよい。

また、上記高容量性多層導体バーを製造するに
あたり、まず、容量性素子を導体バー素子に半田
付けすると同時に非導電性接着剤を介してスペー
サー用誘電体素子を導体バー素子及び／又は容量
性素子と接着し、次いで、このように接着して形
成された素子アツセブリを絶縁材料でコーテイン
グして包装するようにしてもよい。このコーテイ
ングは、例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂
を用いて浸漬法又は静電電着法により塗装するよ
うにしてもよい。

上記高容量性多層導体バーは種々に利用され
る。例えば、該高容量性多層導体バーを集積回路
に組み込み、少量のスペースでもつて該集積回路
への電力供給とか、２つ又はそれ以上の集積回路
間の電気接続を行うことができる。

実施例 この発明の実施例を添付図面とともに説明す
る。

第１図において、本発明の高容量性多層導体バ
ー１０は２つの導体バー素子１４，１６と、それ
ら導体バー素子間に配置される複数の容量性素子
１２と、それぞれの片面に熱硬化性接着剤又は熱
可塑性接着剤により乾式非導電性接着材料層２
２，２４を形成した外装用誘電体シート部材１
４，１６とを用いて構成される。これら導体バー
素子１４，１６及び容量性素子１２を適当に組み
合わせた後、外装用誘電体シート部材１４，１６
の乾式非導電性接着材料層２２，２４が導体バー
素子１４及び１６の外面部と接着される。該外装
用誘電体シート部材１４，１６はエポキシ樹脂材
又はシリコン樹脂材を用いて形成される。

容量性素子１２として、高誘電率を有する誘電
体、例えば、チタン酸バリウム又はチタン酸スト
ロンチユームのセラミツクチツプの両主面に公知
の金属被覆方法により金属電極層１２′，１２′を
形成したコンデンサチツプが用いられる。

上記導体バー素子１４，１６間に、容量性素子
１２と一緒に、スペーサー用誘電体素子１３が配
置される。このスペーサー用誘電体素子の両面に
はそれぞれ上記乾式非導電性接着材料層２２，２
４と同様の乾式非導電性接着材料層１３′，１
３′が設けられる。各容量性素子１２の金属電極
層１２′及び／又は導体バー素子１４，１６の内
面に、適当な量のフラツクスを含んだペースト状
半田材が配布される。

上記導体バー素子１４，１６は好ましくは銅、
もしくは黄銅を用いて形成され、又は、更に錫め
つきして製作されたものが用いられる。これら導
体バー素子１４，１６に、外部回路との接続用の
複数の接続ピン３２が形成される。この多層導体
バー１０においては、前述したように導体バー素
子１４，１６の内面に熱硬化性接着剤又は熱可塑
性接着剤を直接塗布するようにしてもよい。

上記構成の多層導体バー１０は単に１回のホツ
トプレス処理で組み立てられる。

第２ａ図に示すように、多層導体バー１０の全
体の組み合わせ構造は“サンドウイツチ”状とさ
れる。横に延びる、複数の接続ピン３２を有する
導体バー素子１４，１６間に、乾式非導電性接着
材料層１３′を有するスペーサー用誘電体素子１
３が配置される。このアツセンブリ全体が外装用
誘電体シート部材１８，２０により被覆される。
これら外装用誘電体シート部材１８，２０は、そ
れぞれ内面の乾式非導電性接着材料層２２，２４
を介して導体バー素子１４，１６と機械的に接続
される。このように組み合わされる導体バーアツ
センブリに形成された空間部には上述したと同様
の非導電性接着剤が充填される。上記導体バーア
ツセンブリの中央部には、金属電極層１２′を有
する容量性素子１２が配置される（第２ｂ図）。
この容量性素子１２の両主面の金属電極層１２′
と両導体バー素子１４，１６間の電気的及び機械
的接続は半田材料３０を介して行なわれる。両導
体バー素子１４，１６は各容量性素子１２の上・
下に配置される。その他の構成部分は第２ａ図の
ものと同様である。

第３ａ図及び第３ｂ図において、多層導体バー
１０の内部の各容量性素子１２間の絶縁が導体バ
ー素子１４，１６より僅かに幅広な分離用誘電体
素子１１３を用いて強化される。この分離用誘電
体素子１１３の両主面には乾式非導電性接着材料
層１１３′が形成される。また、この分離用誘電
体素子１１３に複数の貫通孔３１が設けられる。
容量性素子１２の金属電極層１２′における中央
領域及び／又は各導体バー素子１４，１６の内面
における上記分離用誘電体素子１１３の各孔３１
に対応する領域に半田材料３０が配分される。こ
の分離用誘電体素子１１３の各孔３１と各容量性
素子１２の金属電極層１２′の中央領域とが互い
に対応するように配置の調整が行われる。このよ
うにして、分離用誘電体素子１１３の各孔３１に
半田材料３０を挿入し、これら半田材料３０を介
して導体バー素子１６と容量性素子１２間が電気
的にかつ機械的に接続される。第３ａ図の分解図
の上部及び下部に、それぞれ内面に乾式接着材料
層２２，２４を有する外装用誘電体シート部材１
８，２０が図示される。

第３ｂ図に示す多層導体バーは、第２ｂ図に示
すものと比べ、容量性素子１２と導体バー素子１
６間に分離用誘電体素子１１３が付加されている
点が異なる。半田材料３０は分離用誘電体素子１
１３に設けられた各孔３１を介して各容量性素子
１２と導体バー素子１６間を接続している。この
場合、予備成形半田素材を用いることにより、製
造される多層導体バーの実質的な動作特性を変更
することなく、むしろ緒動作特性を強化してその
信頼性を高め、製造工程の改善を推進しかつより
均一な電気特性を有する製造物が得られる。

各セラミツクコンデンサチツプを用いた容量性
素子１２と導体バー素子１４，１６間を電気接続
するには分離用誘電体素子１１３に貫通孔３１を
あける必要がある。１つのコンデンサチツプ当た
り１つ又はそれ以上の貫通孔３１が形成され、該
貫通孔３１の直径は例えば１〜３mmとされる。こ
の分離用誘電体素子１１３において、コンデンサ
チツプが配置されない位置に貫通孔を不要に明け
ないように注意しなければならない。この分離用
誘電体素子により高い絶縁耐力を要求するのであ
れば、それだけ肉厚を大きくする必要がある。こ
の分離用誘電体素子の材料は少なくとも150℃、
又はそれ以上の200℃の温度において良好な絶縁
性を呈するものが用いられ、例えばアラミドフア
イバーフイルムを用いて形成される。

上記非導電性の乾式接着剤としては、例えば熱
硬化性または熱可塑性を有し、その活性化温度が
約150〜200℃の接着剤が使用される。上記多層導
体バーの製造にあたり、予め貼合わせ型内に装入
された一方の導体バー素子１４又は１６上に、貫
通孔３１を設けた分離用誘電体素子１１３を載置
し、該分離用誘電体素子１１３の各孔３１に、約
10mgのペースト状半田材が充填される。

上記ペースト状半田材として、例えば、融点
179℃を有し、非活性フラツクスタイプＲ、タイ
プエツクスエルシン（Xersin）2000又はそれら
と類似の良好な絶縁特性を有する、
SnPbAgSb62／35.7／２／0.3（重量％）（英国マル
チコア・ソルダーズ社（Multicore Solders Ltd.
U.K.）製）がある。他のペースト状半田材とし
て、上記製造者により提供される、融点140℃を
有するInPbAg80／15／５（重量％）がある。こ
れらペースト状半田材に代えて、予備成形半田素
材、いわゆる、やに入り半田材を使用することも
できる。このような予備成形半田素材によれば、
溶接時、例えば1.5×1.5×0.2mmの直方体部材の全
表面部を、余分な溶融物を生じることなく十分に
良好な半田付けを行うことができる。このような
予備成形半田素材を用いれば、不要な半田の流れ
を防止することができる。分離用誘電体素子１１
３の各孔３１に適当な半田材料３０を適当量充填
した後、該各孔３１に対応させて誘電体素子１２
が配置される。これら誘電体素子１２及び孔３１
が導体バー素子１４又は１６の中央部に配置され
かつ該導体バー素子の全長にわたつて均一に分布
するように位置合わせが行われる。特に、導体バ
ー素子１４，１６の全長にわたつて均一に分布す
るように配置することにより当該多層導体バーの
電気的パラメータを良好なものとすることができ
る。

上述したようなペースト状半田材又は予備成形
半田素材は導体バー素子１４，１６の主軸に沿つ
て配布するようにする。このようにすれば、溶融
処理後における半田漏れを有効に防止できる。

上記半田材料は例示であり、半田付け特性が同
一であれば他の半田材料を用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の高容量性多層導
体バーの分解図、第２ａ図は第１図のＥ―Ｅ線断
面図、第２ｂ図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３
ａ図はこの発明のもう１つの実施例の分解図、第
３ｂ図は第３ａ図のＡ―Ａ線断面図である。 １０……本発明の多層導体バー、１２……容量
性素子（コンデンサチツプ）、１３……スペーサ
ー用誘電体素子、１３′……乾式非導電性接着剤
層、１４，１６……導体バー素子、１８，２０…
…外装用誘電体シート部材、２２，２４……乾式
非導電性接着材料層、３０……半田材料、３１…
…貫通孔、３２……接続ピン、１１３……分離用
誘電体素子、１１３′……乾式非導電性接着剤層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも２つの導体バー素子１４，１６を
   離間させて配置し、該導体バー素子１４，１６間
   に少なくとも１つの容量性素子１２を介在させて
   互いに接着せしめ、上記導体バー素子１４，１６
   及び容量性素子１２を外装用誘電体材料層で被覆
   して成る高容量性多層導体バーを製造するにあた
   り、 上記導体バー素子１４，１６の外面に、非導電
   性接着材料層２２，２４を有する外装用誘電体シ
   ート部材１８，２０を配置し、 上記導体バー素子１４，１６間に少なくとも１
   つの容量性素子１２を配置するとともに該各容量
   性素子１２の金属電極層１２′と該導体バー素子
   １４，１６間に少量の半田材料３０を分散せし
   め、 上記導体バー素子１４，１６、容量性素子１
   ２、及び外装用誘電体シート部材１８，２０に１
   回のホツトプレス処理を施し、これにより上記導
   体バー素子１４，１６と外装用誘電体シート部材
   １８，２０とが上記非導電性接着材料層２２，２
   ４を介して機械的に接続する一方、上記両導体バ
   ー素子１４，１６と上記容量性素子１２の金属電
   極層１２′間を半田材料３０を介して電気的かつ
   機械的に接続することを特徴とする、容量性多層
   導体バーの製造法。 ２ 両導体バー素子１４，１６間に容量性素子１
   ２と一緒に少なくとも１つのスペーサー用誘電体
   素子１３を介在せしめる、特許請求の範囲第１項
   に記載の方法。 ３ スペーサー用誘電体素子１３の肉厚を容量性
   素子１２の肉厚と同じ大きさとし、該スペーサー
   用誘電体素子１３を容量性素子１２と隣接させて
   配置する、特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 一方の導体バー素子１６と容量性素子１２及
   び／又はスペーサー用誘電体素子１３との間に分
   離用誘電体素子１１３を介在せしめる、特許請求
   の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の方法。 ５ スペーサー用誘電体素子１３及び分離用誘電
   体素子１１３の少なくとも一方の面に非導電性接
   着材料層１３′，１１３′を付着せしめる、特許請
   求の範囲第４項に記載の方法。 ６ 非導電性接着材料層１３′，１１３′，２２，
   ２４が熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤により
   形成される、特許請求の範囲第１項〜第５項のい
   ずれかに記載の方法。 ７ 熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤により形
   成した非導電性接着材料層１３′，１１３′，２
   ２，２４による接着処理が該非導電性接着材料層
   の重合化温度又は軟化温度にて行われる、特許請
   求の範囲第６項に記載の方法。 ８ 熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤を用いて
   形成される非導電性接着材料層１３′，１１３′，
   ２２，２４による接着処理が該非導電性接着材料
   層の重合化温度約185℃又は軟化温度約150℃にて
   行われる、特許請求の範囲第７項に記載の方法。 ９ 半田材料３０がフラツクスを含んだペースト
   状半田材又は予備成形半田素材である、特許請求
   の範囲第１項〜第８項のいずれかに記載の方法。 １０ ペースト状半田材又は予備成形半田素材が
   融点140℃〜200℃を有するものである、特許請求
   の範囲第９項に記載の方法。 １１ ペースト状半田材が融点179℃、組成62／
   35.7／２／0.3（重量％）のSnPbAgSb合金を含む、
   特許請求の範囲第９項に記載の方法。 １２ ペースト状半田材が融点149℃、組成80／
   15／５（重量％）のInPbAg合金を含む、特許請
   求の範囲第１０項に記載の方法。 １３ 容量性素子１２がセラミツクコンデンサチ
   ツプである、特許請求の範囲第１項〜第１２項の
   いずれかに記載の方法。 １４ 容量性素子１２の金属電極層１２′及び／
   又は該金属電極層１２′と対向して配置せしめる
   導体バー素子１４，１６の面部の所定領域に、一
   点当り約0.02ｇ又は直線長さ１cm当り約0.1ｇの
   半田材料３０を分布せしめる、特許請求の範囲第
   １項〜第１３項のいずれかに記載の方法。 １５ 半田材料３０としてフラツクスを含んだペ
   ースト状半田材を使用し、該ペースト状半田材を
   介して容量性素子１２と導体バー素子１４，１６
   間の接続を完了する前に該導体バー素子１４，１
   ６に対し容量性素子１２を容易に位置決め可能と
   した、特許請求の範囲第９項〜第１４項のいずれ
   かに記載の方法。 １６ 分離用誘電体素子１１３の所定位置に少な
   くとも１つの孔３１を形成し、該孔３１に半田材
   料３０を挿入して導体バー素子１４，１６と容量
   性素子１２の金属電極層１２′間を電気的かつ機
   械的に接続する、特許請求の範囲第４項〜第１５
   項のいずれかに記載の方法。 １７ それぞれの一方の面に非導電性接着材料層
   ２２，２４を有し、該非導電性接着材料層２２，
   ２４を互いに対向させて配置された、２つの外装
   用誘電体シート部材１８，２０、 上記外装用誘電体シート部材１８，２０の非導
   電性接着材料層２２，２４とそれぞれ接着した、
   ２つの導体バー素子１４，１６、 上記両導体バー素子１４，１６間に配置され
   た、少なくとも１つの容量性素子１２、 上記導体バー素子１４，１６と外装用誘電体シ
   ート部材１８，２０間を上記非導電性接着材料層
   ２２，２４を介して１回のホツトプレス処理によ
   り機械的に接続するとともに該導体バー素子１
   ４，１６の面部と上記容量性素子１２の金属電極
   層１２′とを半田材料３０を介して電気的かつ機
   械的に接続して形成したことを特徴とする、容量
   性多層導体バー。 １８ ２つの導体バー素子１４，１６間に容量性
   素子１２と一緒に該容量性素子１２に隣接して少
   なくとも１つのスペーサー用誘電体素子１３を介
   在せしめた、特許請求の範囲第１７項に記載の容
   量性多層導体バー。 １９ スペーサー用誘電体素子１３の肉厚が容量
   性素子１２の肉厚と同じ大きさとした、特許請求
   の範囲第１８項に記載の容量性多層導体バー。 ２０ 一方の導体バー素子１６と容量性素子１２
   及び／又はスペーサー用誘電体素子１３との間に
   分離用誘電体素子１１３を介在せしめた、特許請
   求の範囲第１８項又は第１９項に記載の容量性多
   層導体バー。 ２１ 各導体バー素子１４，１６に接続ピンを形
   成し、該接続ピンを介して集積回路基板に装着可
   能とした、特許請求の範囲第１８項〜第２０項の
   いずれかに記載の容量性多層導体バー。