JPH08253768A - 反強誘電性液晶組成物 - Google Patents
反強誘電性液晶組成物Info
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- JPH08253768A JPH08253768A JP7055850A JP5585095A JPH08253768A JP H08253768 A JPH08253768 A JP H08253768A JP 7055850 A JP7055850 A JP 7055850A JP 5585095 A JP5585095 A JP 5585095A JP H08253768 A JPH08253768 A JP H08253768A
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- antiferroelectric liquid
- antiferroelectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い温度範囲にわたって大幅に応答速度を改
善することができる反強誘電性液晶組成物である。 【構成】 下記一般式(1) で表される反強誘電性液晶に
下記一般式(2) で表される反強誘電性液晶を混合してな
る反強誘電性液晶組成物。 【化１】 （式(1) 中の Rは直鎖アルキル基、X1, X2は一方がＨで
他方がＦ、ｍは５以上の整数、ｎは１以上の整数であ
り、式(2) 中のR'は直鎖アルキル基、Y はＨまたはＦ原
子、Ｚは CH3又は CF3、p は４以上の整数である。）
善することができる反強誘電性液晶組成物である。 【構成】 下記一般式(1) で表される反強誘電性液晶に
下記一般式(2) で表される反強誘電性液晶を混合してな
る反強誘電性液晶組成物。 【化１】 （式(1) 中の Rは直鎖アルキル基、X1, X2は一方がＨで
他方がＦ、ｍは５以上の整数、ｎは１以上の整数であ
り、式(2) 中のR'は直鎖アルキル基、Y はＨまたはＦ原
子、Ｚは CH3又は CF3、p は４以上の整数である。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な反強誘電性液晶組
成物、及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
成物、及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、ＯＡ関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液
晶表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでの CRT
表示素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大型
液晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、ＯＡ関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液
晶表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでの CRT
表示素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大型
液晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。
【０００３】しかしながら、現在のネマチック液晶を使
用する限りにおいては、液晶テレビ用に採用されている
アクテイブマトリックス駆動液晶表示素子でも、製造プ
ロセスの複雑さと歩留りの低さにより、その大型化、低
コスト化は容易ではない。又、単純マトリックス駆動の
ＳＴＮ型液晶表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも
容易ではなく、応答時間にも限界があり動画表示は困難
である。更にネマチック液晶を用いた表示素子は、視野
角が狭いということが、大きな問題になってきている。
従って、ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型
液晶表示素子への要求を、満足するものとはいい難いの
が実状である。
用する限りにおいては、液晶テレビ用に採用されている
アクテイブマトリックス駆動液晶表示素子でも、製造プ
ロセスの複雑さと歩留りの低さにより、その大型化、低
コスト化は容易ではない。又、単純マトリックス駆動の
ＳＴＮ型液晶表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも
容易ではなく、応答時間にも限界があり動画表示は困難
である。更にネマチック液晶を用いた表示素子は、視野
角が狭いということが、大きな問題になってきている。
従って、ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型
液晶表示素子への要求を、満足するものとはいい難いの
が実状である。
【０００４】このような状況のなかで、高速液晶表示素
子として注目されているのが、強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子である。クラ−クとラガバ−ルにより発表さ
れた、表面安定化型強誘電性液晶(SSFLC) 素子は、その
従来にない速い応答速度と広い視野角を有する事が注目
され、そのスイッチング特性に関しては詳細に検討され
おり、種々の物性定数を最適化するため、多くの強誘電
性液晶が合成されている。しかしながら、しきい値特性
が不十分である、層の構造がシェブロン構造をしている
などからコントラストが不良である、高速応答が実現さ
れていない、配向制御が困難で SSFLCの最大の特徴の１
つである双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依
って配向が破壊されそれの回復が困難であるなどの問題
があり、実用化にはこれらの問題の克服が必要である。
子として注目されているのが、強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子である。クラ−クとラガバ−ルにより発表さ
れた、表面安定化型強誘電性液晶(SSFLC) 素子は、その
従来にない速い応答速度と広い視野角を有する事が注目
され、そのスイッチング特性に関しては詳細に検討され
おり、種々の物性定数を最適化するため、多くの強誘電
性液晶が合成されている。しかしながら、しきい値特性
が不十分である、層の構造がシェブロン構造をしている
などからコントラストが不良である、高速応答が実現さ
れていない、配向制御が困難で SSFLCの最大の特徴の１
つである双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依
って配向が破壊されそれの回復が困難であるなどの問題
があり、実用化にはこれらの問題の克服が必要である。
【０００５】これとは別に、SSFLC と異なるスイッチン
グ機構の素子の開発も、同時に進められている。反強誘
電相を有する液晶物質（以下、反強誘電性液晶物質と呼
ぶ）の三安定状態間のスイッチングも、これらの新しい
スイッチング機構の１つである（Japanese Journal of
Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988)。反強誘電性
液晶素子は、３つの安定な状態を有する。すなわち、強
誘電性液晶素子で見られる、２つのユニフォ−ム状態(U
r, Ul)と第三状態である。この第三状態が、反強誘電相
であることをChandaniらが報告している（JapaneseJour
nal of Applied Physics, Vol.28, pp.L1261, 1989,Jap
anese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L126
5, 1989)。このような三安定状態間のスイッチングが、
反強誘電性液晶素子の第１の特徴である。
グ機構の素子の開発も、同時に進められている。反強誘
電相を有する液晶物質（以下、反強誘電性液晶物質と呼
ぶ）の三安定状態間のスイッチングも、これらの新しい
スイッチング機構の１つである（Japanese Journal of
Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988)。反強誘電性
液晶素子は、３つの安定な状態を有する。すなわち、強
誘電性液晶素子で見られる、２つのユニフォ−ム状態(U
r, Ul)と第三状態である。この第三状態が、反強誘電相
であることをChandaniらが報告している（JapaneseJour
nal of Applied Physics, Vol.28, pp.L1261, 1989,Jap
anese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L126
5, 1989)。このような三安定状態間のスイッチングが、
反強誘電性液晶素子の第１の特徴である。
【０００６】反強誘電性液晶素子の第２の特徴は、印加
電圧に対して明確なしきい値が存在することである。更
に、メモリー性を有しており、これが反強誘電性液晶素
子の第３の特徴である。これらの優れた特徴を利用する
ことにより、応答速度が速く、コントラストが良好な液
晶表示素子を実現できる。
電圧に対して明確なしきい値が存在することである。更
に、メモリー性を有しており、これが反強誘電性液晶素
子の第３の特徴である。これらの優れた特徴を利用する
ことにより、応答速度が速く、コントラストが良好な液
晶表示素子を実現できる。
【０００７】又、もう一つの大きな特徴として、層構造
が、電界により容易にスイッチングする事があげられる
（Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.
L119,1989 、Japanese Journal of Applied Physics, V
ol.29, pp.L111, 1990) 。このことにより、欠陥が極め
て少なく、配向の自己修復能力のある液晶表示素子の作
製が可能となり、コントラストに優れた液晶素子を実現
できる。更に、強誘電性液晶では殆ど不可能である電圧
階調が、反強誘電性液晶では可能であることが実証さ
れ、フルカラー化への道が開け、一層反強誘電性液晶の
重要性が増してきている（第４回強誘電性液晶国際会議
予稿集、77頁,1993)。
が、電界により容易にスイッチングする事があげられる
（Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.
L119,1989 、Japanese Journal of Applied Physics, V
ol.29, pp.L111, 1990) 。このことにより、欠陥が極め
て少なく、配向の自己修復能力のある液晶表示素子の作
製が可能となり、コントラストに優れた液晶素子を実現
できる。更に、強誘電性液晶では殆ど不可能である電圧
階調が、反強誘電性液晶では可能であることが実証さ
れ、フルカラー化への道が開け、一層反強誘電性液晶の
重要性が増してきている（第４回強誘電性液晶国際会議
予稿集、77頁,1993)。
【０００８】以上のように、反強誘電性液晶の優位性
は、確かなものになりつつあるが、応答速度のより一層
の向上が望まれている。従来提案されてきた反強誘電性
液晶は、あるレベルの表示素子の実現に十分な応答速度
を有しているが、走査線 1,000本以上の高精細表示素子
を実現しようとした場合、応答速度はまだ不十分であ
り、より一層の高速化が必要である。更に実用上反強誘
電性液晶における、反強誘電相の温度範囲は室温付近を
中心にしてできるだけ広いことが望ましい。従来、応答
速度が速くかつ実用可能な温度範囲を有するという両方
の性質を兼ね備えた材料は非常に少なく、また応答速
度、温度範囲両方の面でまだ不十分なものであった。
は、確かなものになりつつあるが、応答速度のより一層
の向上が望まれている。従来提案されてきた反強誘電性
液晶は、あるレベルの表示素子の実現に十分な応答速度
を有しているが、走査線 1,000本以上の高精細表示素子
を実現しようとした場合、応答速度はまだ不十分であ
り、より一層の高速化が必要である。更に実用上反強誘
電性液晶における、反強誘電相の温度範囲は室温付近を
中心にしてできるだけ広いことが望ましい。従来、応答
速度が速くかつ実用可能な温度範囲を有するという両方
の性質を兼ね備えた材料は非常に少なく、また応答速
度、温度範囲両方の面でまだ不十分なものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】実用上、反強誘電性液
晶は、上述したようにより一層の応答速度の向上と、反
強誘電相の温度範囲の拡大が必要である。反強誘電性液
晶は、液晶相がスメクチック相であるが故に粘性が高
く、そのためにより高速な応答速度について問題が生じ
て来るものと推定され、これは、反強誘電性液晶の粘性
低下によって解決できるものと考えられる。一般にディ
スプレーとしての反強誘電性液晶素子を考えたとき、バ
ックライトにより素子の温度は少なくとも40℃ぐらいに
なると考えられる。従って、正常な素子の駆動のために
は反強誘電相の上限温度は少なくとも40℃以上、望まし
くは50℃以上必要である。逆に、低温側では少なくとも
10℃で素子は駆動できる必要があり、反強誘電相の下限
温度は少なくとも０℃であることが必要である。
晶は、上述したようにより一層の応答速度の向上と、反
強誘電相の温度範囲の拡大が必要である。反強誘電性液
晶は、液晶相がスメクチック相であるが故に粘性が高
く、そのためにより高速な応答速度について問題が生じ
て来るものと推定され、これは、反強誘電性液晶の粘性
低下によって解決できるものと考えられる。一般にディ
スプレーとしての反強誘電性液晶素子を考えたとき、バ
ックライトにより素子の温度は少なくとも40℃ぐらいに
なると考えられる。従って、正常な素子の駆動のために
は反強誘電相の上限温度は少なくとも40℃以上、望まし
くは50℃以上必要である。逆に、低温側では少なくとも
10℃で素子は駆動できる必要があり、反強誘電相の下限
温度は少なくとも０℃であることが必要である。
【００１０】具体策の一つとして、比較的低粘性の化合
物を液晶組成物に添加し、組成物全体の粘性を低下さ
せ、もって応答速度の改善を計ろうとする試みがある。
この方法が、現在のところ最も現実的な解決策になり得
ると思われるが、この方法には反強誘電相の上限温度を
著しく低下させる傾向があり、応答速度は改善されても
反強誘電相の温度範囲の面で問題が生じて来る。本発明
は、広い温度範囲で反強誘電相を確保でき、かつ非常に
高速な反強誘電性液晶組成物を得ることにある。
物を液晶組成物に添加し、組成物全体の粘性を低下さ
せ、もって応答速度の改善を計ろうとする試みがある。
この方法が、現在のところ最も現実的な解決策になり得
ると思われるが、この方法には反強誘電相の上限温度を
著しく低下させる傾向があり、応答速度は改善されても
反強誘電相の温度範囲の面で問題が生じて来る。本発明
は、広い温度範囲で反強誘電相を確保でき、かつ非常に
高速な反強誘電性液晶組成物を得ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記一般式(1) で表される反強誘電性液晶に下記一般式
(2) で表される反強誘電性液晶を混合してなる反強誘電
性液晶組成物である。
記一般式(1) で表される反強誘電性液晶に下記一般式
(2) で表される反強誘電性液晶を混合してなる反強誘電
性液晶組成物である。
【化２】 （式(1) 中の Rは直鎖アルキル基、X1, X2は一方がＨで
他方がＦ、ｍは５以上の整数、ｎは１以上の整数であ
り、式(2) 中のR'は直鎖アルキル基、Y はＨまたはＦ原
子、Ｚは CH3又は CF3、p は４以上の整数である。）
他方がＦ、ｍは５以上の整数、ｎは１以上の整数であ
り、式(2) 中のR'は直鎖アルキル基、Y はＨまたはＦ原
子、Ｚは CH3又は CF3、p は４以上の整数である。）
【００１２】本発明では、一般式(1) のＲの炭素数が 8
〜10であること、ｍが 5〜8 であることがより好まし
い。一般式(2) のｐは 4〜10であることがより好まし
い。本発明は、一般式(2) で示される反強誘電性液晶の
少なくとも１種を、一般式(1) で示される反強誘電性液
晶に混合して実施される。反強誘電性液晶の種類等によ
って一義的に混合割合を決めることは困難であるが、一
般式(2) の表される反強誘電性液晶の混合量が反強誘電
性液晶の 1〜60モル％が好ましく、特に10〜50モル％で
あるが好ましい。
〜10であること、ｍが 5〜8 であることがより好まし
い。一般式(2) のｐは 4〜10であることがより好まし
い。本発明は、一般式(2) で示される反強誘電性液晶の
少なくとも１種を、一般式(1) で示される反強誘電性液
晶に混合して実施される。反強誘電性液晶の種類等によ
って一義的に混合割合を決めることは困難であるが、一
般式(2) の表される反強誘電性液晶の混合量が反強誘電
性液晶の 1〜60モル％が好ましく、特に10〜50モル％で
あるが好ましい。
【００１３】さらに、本発明の反強誘電性液晶組成物
は、反強誘電相の高温側に少なくともスメクチックＡ相
を有し、高温側の反強誘電相への転移温度が40℃以上で
あること、反強誘電相の低温側の他のより高次の相ある
いは結晶相への転移温度が０℃以下であることがより好
ましい。スメクチックＡ相を有している場合には、配向
性が良好となり、実用的な素子の製造が容易となる。そ
して、本発明の反強誘電性液晶組成物を、１対の電極基
板間に配置し、広い温度範囲で好適に駆動できる反強誘
電性液晶表示素子とすることができる。
は、反強誘電相の高温側に少なくともスメクチックＡ相
を有し、高温側の反強誘電相への転移温度が40℃以上で
あること、反強誘電相の低温側の他のより高次の相ある
いは結晶相への転移温度が０℃以下であることがより好
ましい。スメクチックＡ相を有している場合には、配向
性が良好となり、実用的な素子の製造が容易となる。そ
して、本発明の反強誘電性液晶組成物を、１対の電極基
板間に配置し、広い温度範囲で好適に駆動できる反強誘
電性液晶表示素子とすることができる。
【００１４】本発明に用いる上記一般式(1) 、(2) で示
される反強誘電性液晶は、本発明者らが示した方法によ
って簡便に製造することができる（特開平4-108764号、
同4-198155号）。例えば、一般式(1) に示される反強誘
電性液晶の製造法を略記すると下記である。
される反強誘電性液晶は、本発明者らが示した方法によ
って簡便に製造することができる（特開平4-108764号、
同4-198155号）。例えば、一般式(1) に示される反強誘
電性液晶の製造法を略記すると下記である。
【００１５】 (1) AcO-Ph(F2,3)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(F2,3)-COCl (2) (1) + HOC*H(CF3)(CH2)m OCn H2n+1 → AcO-Ph(F2,3)-COOC*H(CF3)(CH2)m OCn H2n+1 (3) (2) + (Ph-CH2NH2) → HO-Ph(F2,3)-COOC*H(CF3)(CH2)m OCn H2n+1 (4) RO-Ph-Ph-COOH + SOCl2 → RO-Ph-Ph-COCl (5) (3) + (4) → 反強誘電性液晶 上記で、AcO-はアセチル基(CH3COO-) 、Phは1,4-フェニ
レン基、Ph(F2,3)は 2位又は 3位にＦ置換されていても
よい1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素をそれぞれ示す。
レン基、Ph(F2,3)は 2位又は 3位にＦ置換されていても
よい1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素をそれぞれ示す。
【００１６】上記製造法について、以下に簡単に説明す
る。(1) はフッ素置換あるいは無置換のp-アセトキシ安
息香酸の塩化チオニルによる塩素化反応である。(2) は
塩素化物(1) と光学活性アルコールとの反応によるエス
テル化である。(3) は (2)のエステルの脱アセチル化で
ある。(4) はアルキルオキシビフェニルカルボン酸の塩
素化反応である。(5) はフェノール(3) と塩素化物(4)
との反応による液晶の生成である。
る。(1) はフッ素置換あるいは無置換のp-アセトキシ安
息香酸の塩化チオニルによる塩素化反応である。(2) は
塩素化物(1) と光学活性アルコールとの反応によるエス
テル化である。(3) は (2)のエステルの脱アセチル化で
ある。(4) はアルキルオキシビフェニルカルボン酸の塩
素化反応である。(5) はフェノール(3) と塩素化物(4)
との反応による液晶の生成である。
【００１７】
【効果】本発明は、新規な反強誘電性液晶組成物を提供
する事ができるものである。そして、本発明により提供
された新規な反強誘電性液晶組成物は、広い温度範囲で
反強誘電相を有しかつ高速応答を示し、そのため表示品
質の高い反強誘電性液晶表示素子を実現できる。
する事ができるものである。そして、本発明により提供
された新規な反強誘電性液晶組成物は、広い温度範囲で
反強誘電相を有しかつ高速応答を示し、そのため表示品
質の高い反強誘電性液晶表示素子を実現できる。
【００１８】
【実施例】次に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に
具体的に説明する。 実施例１〜４ 一般式(1) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以下、液
晶1Aと記す) に、一般式(2) に相当する下記の反強誘電
性液晶 (以下、液晶2A, 2Bと記す) をそれぞれ20モル％
添加混合して反強誘電性液晶組成物を調製した。 液晶1A ：C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 液晶2A ：C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C6H13 液晶2B ：C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C8H17 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(X2,Y)がＦ
置換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。
具体的に説明する。 実施例１〜４ 一般式(1) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以下、液
晶1Aと記す) に、一般式(2) に相当する下記の反強誘電
性液晶 (以下、液晶2A, 2Bと記す) をそれぞれ20モル％
添加混合して反強誘電性液晶組成物を調製した。 液晶1A ：C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 液晶2A ：C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C6H13 液晶2B ：C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C8H17 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(X2,Y)がＦ
置換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。
【００１９】組成物の相の同定はテクスチャー観察、DS
C(示差走差熱量計）により行った。組成物の応答時間を
次のようにして測定した。ラビング処理したポリイミド
薄膜を有する ITO電極付の液晶セル（セル厚 1.8μｍ)
に、等方相の状態で充填した。このセルを、毎分１℃で
徐冷してSA相で液晶を配向させた。セルを直交する偏光
板間に液晶の層方向がアナライザーまたはポーラライザ
ーと平行になるように設置した。液晶セルに、周波数10
Hz、35Ｖのステップ電圧を印加して、透過光変化が10％
から90％変化するに要する時間を応答時間と定義して、
応答時間を測定した。結果を下記に示した。
C(示差走差熱量計）により行った。組成物の応答時間を
次のようにして測定した。ラビング処理したポリイミド
薄膜を有する ITO電極付の液晶セル（セル厚 1.8μｍ)
に、等方相の状態で充填した。このセルを、毎分１℃で
徐冷してSA相で液晶を配向させた。セルを直交する偏光
板間に液晶の層方向がアナライザーまたはポーラライザ
ーと平行になるように設置した。液晶セルに、周波数10
Hz、35Ｖのステップ電圧を印加して、透過光変化が10％
から90％変化するに要する時間を応答時間と定義して、
応答時間を測定した。結果を下記に示した。
【００２０】
【表１】 組成物およびその液晶化合物の相系列 相系列 成分 モル比 実施例１ I(95)SA(91)SCA*(<-20)Cr 1A/2A=80/20 実施例２ I(96)SA(90)SC*(88)SCA*(<-20)Cr 1A/2B=80/20 液晶 1A I(83)SC*(77)SCA*(<-50)Cr 液晶 2A I(133)SA(124)SCA*(14)SIA*(-26)Cr 液晶 2B I(131)SA(114)SC*(113)SCA*(23)SIA*(<-20)Cr 液晶1Aに、液晶2A, 2Bを添加混合することにより、SA相
を有し、反強誘電相の温度範囲の広い組成物とできた。
を有し、反強誘電相の温度範囲の広い組成物とできた。
【００２１】
【表２】 組成物およびその液晶化合物の応答時間 応答時間I 応答時間II 測定温度 実施例１ ６０ ４２００ ３０ ℃ 実施例２ ４８ ５７００ ３０ ℃ 液晶 1A ２１ ７１６ ３０ ℃ 液晶 2A ４４３０ ７８６ ３０ ℃ 液晶 2B ３５１ １４３０ ３０ ℃ *1 : 60℃で電圧印加時に結晶化進行したため転移点下10℃の範囲で測定。
【００２２】実施例３ 一般式(1) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以下、液
晶1Bと記す) に、一般式(2) に相当する下記の反強誘電
性液晶 (以下、液晶2Cと記す) を50モル％添加混合して
反強誘電性液晶組成物を調製した。 液晶1B ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(2F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 液晶2C ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(2F)は2-位(X1)がＦ置
換された1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(Y) がＦ置換
された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。得られ
た組成物の相系列、応答時間を実施例１と同様にして測
定した結果を下記に示した。
晶1Bと記す) に、一般式(2) に相当する下記の反強誘電
性液晶 (以下、液晶2Cと記す) を50モル％添加混合して
反強誘電性液晶組成物を調製した。 液晶1B ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(2F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 液晶2C ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(2F)は2-位(X1)がＦ置
換された1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(Y) がＦ置換
された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。得られ
た組成物の相系列、応答時間を実施例１と同様にして測
定した結果を下記に示した。
【００２３】
【表３】 組成物およびその液晶化合物の相系列 相 系 列 成分 モル比 実施例３ I(108)SA(85)SCA*(-5)SIA*(<-20)Cr 1B/2C=50/50 液晶 1B I(84)SA(66)SCA*(23)Cr 液晶 2C I(140)SA(121)SCA*(20)SIA*(<-20)Cr
【００２４】
【表４】 組成物およびその液晶化合物の応答時間 応答時間I 応答時間II 測定温度 実施例３ １５５ ６０００ ３０ ℃ 液晶 1B ２５ ２２ ７０ ℃*1 液晶 2C １２５５ ４４８０ ３０ ℃ *1 : 結晶化のため、30℃では測定出来なかった。
【００２５】実施例４、５ 一般式(1) に相当する液晶1Aに、一般式(2) に相当する
下記の反強誘電性液晶(以下、液晶2D, 2Eと記す) をそ
れぞれ20モル％添加混合して反強誘電性液晶組成物を調
製した。 液晶2D ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(F)-COO-C*H(CF3)C6H13 液晶2E ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CF3)C8H17 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(F) は YがＦ置換され
た1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。得られた組
成物の相系列、応答時間を実施例１と同様にして測定し
た結果を下記に示した。
下記の反強誘電性液晶(以下、液晶2D, 2Eと記す) をそ
れぞれ20モル％添加混合して反強誘電性液晶組成物を調
製した。 液晶2D ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(F)-COO-C*H(CF3)C6H13 液晶2E ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CF3)C8H17 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(F) は YがＦ置換され
た1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。得られた組
成物の相系列、応答時間を実施例１と同様にして測定し
た結果を下記に示した。
【００２６】
【表５】 組成物およびその液晶化合物の相系列 相系列 成分 モル比 実施例４ I(86)SA(84)SCA*(<-20)Cr 1A/2C=80/20 実施例５ I(85)SA(84) SCγ*(79)SCA*(<-20)Cr 1A/2D=80/20 液晶 2D I(110)SA(108)SCA*(4)SIA*(<0)Cr 液晶 2E I(115)SA(104)SCA*(54)Cr 液晶1Aに、液晶2D, 2Eを添加混合することにより、SA相
を有し、反強誘電相の温度範囲の広い組成物とできた。
を有し、反強誘電相の温度範囲の広い組成物とできた。
【００２７】
【表６】 組成物およびその液晶化合物の応答時間 応答時間I 応答時間II 測定温度 実施例４ ２５ ５８７ ３０ ℃ 実施例５ ３０ ４９３ ３０ ℃ 液晶 2D （しきい値電圧高く 35 Ｖで測定不能） 液晶 2E １０ １２０ ９５ ℃*1 *1 : 60℃で電圧印加時に結晶化進行したため転移点下10℃の範囲で測定。
【００２８】実施例６ 一般式(1) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以下、液
晶1Cと記す) に、一般式(2) に相当する実施例１で用い
た液晶2Aを20モル％添加混合して反強誘電性液晶組成物
を調製した。 液晶1C ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)7OC2H5 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(X2)がＦ置
換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。得ら
れた組成物の相系列、応答時間を実施例１と同様にして
測定した結果を下記に示した。
晶1Cと記す) に、一般式(2) に相当する実施例１で用い
た液晶2Aを20モル％添加混合して反強誘電性液晶組成物
を調製した。 液晶1C ：C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)7OC2H5 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(X2)がＦ置
換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。得ら
れた組成物の相系列、応答時間を実施例１と同様にして
測定した結果を下記に示した。
【００２９】
【表７】 組成物およびその液晶化合物の相系列 相 系 列 成分 モル比 実施例６ I(89)SA(84)SCA*(<-20)Cr 1C/2A=80/20 液晶 1C I(79)SA(78)SCA*(10)SX(<-40)Cr
【００３０】
【表８】 組成物およびその液晶化合物の応答時間 応答時間I 応答時間II 測定温度 実施例６ １１６ ３８７０ ３０ ℃ 液晶 1C １４８ ４８８ ３０ ℃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶺田 浩 茨城県つくば市和台22番地 三菱瓦斯化学 株式会社総合研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 下記一般式(1) で表される反強誘電性液
晶に下記一般式(2)で表される反強誘電性液晶を混合し
てなる反強誘電性液晶組成物。 【化１】 （式(1) 中の Rは直鎖アルキル基、X1, X2は一方がＨで
他方がＦ、ｍは５以上の整数、ｎは１以上の整数であ
り、式(2) 中のR'は直鎖アルキル基、Y はＨまたはＦ原
子、Ｚは CH3又は CF3、p は４以上の整数である。） - 【請求項２】 該一般式(1) のＲの炭素数が 8〜10であ
る請求項１記載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項３】 該一般式(1) のｍが 5〜8 である請求項
１記載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項４】 該一般式(2) のｐが 4〜10である請求項
１記載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項５】 該一般式(2) の表される反強誘電性液晶
の混合量が反強誘電性液晶の 1〜60モル％である請求項
１記載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項６】 該一般式(2) の表される反強誘電性液晶
の混合量が反強誘電性液晶の10〜50モル％である請求項
１記載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項７】 該反強誘電性液晶組成物が、反強誘電相
の高温側に少なくともスメクチックＡ相を有し、高温側
の反強誘電相への転移温度が40℃以上である請求項１記
載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項８】 該反強誘電性液晶組成物が、反強誘電相
の低温側の他のより高次の相あるいは結晶相への転移温
度が０℃以下である請求項１記載の反強誘電性液晶組成
物。 - 【請求項９】 請求項１に記載の反強誘電性液晶組成物
を、１対の電極基板間に配置してなることを特徴とする
反強誘電性液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7055850A JPH08253768A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 反強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7055850A JPH08253768A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 反強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253768A true JPH08253768A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13010524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7055850A Pending JPH08253768A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 反強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08253768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042801A1 (fr) * | 1997-03-24 | 1998-10-01 | Citizen Watch Co., Ltd. | Cellule a cristaux liquides anti-ferroelectriques |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP7055850A patent/JPH08253768A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042801A1 (fr) * | 1997-03-24 | 1998-10-01 | Citizen Watch Co., Ltd. | Cellule a cristaux liquides anti-ferroelectriques |
| US6151095A (en) * | 1997-03-24 | 2000-11-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Anti-ferroelectric liquid crystal cell |
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| A02 | Decision of refusal |
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