JPH08255671A - I線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法 - Google Patents

I線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法

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JPH08255671A
JPH08255671A JP8621495A JP8621495A JPH08255671A JP H08255671 A JPH08255671 A JP H08255671A JP 8621495 A JP8621495 A JP 8621495A JP 8621495 A JP8621495 A JP 8621495A JP H08255671 A JPH08255671 A JP H08255671A
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JP
Japan
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temperature
heating wire
time ratio
insulated heating
current value
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JP8621495A
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English (en)
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Akinori Akiyama
晃徳 秋山
Tatsuo Wakamiya
達夫 若宮
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DAIKYO DENSHI DENSEN KK
Original Assignee
DAIKYO DENSHI DENSEN KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁電熱線及び装置自身の耐用寿命の延長を
図ることができるI線式絶縁電熱線応用制御装置、及
び、長期にわたって安定した状態で絶縁電熱線温度を制
御することができる制御方法の提供にある。 【構成】 発熱のための絶縁電熱線1への通電を、スイ
ッチング手段2にて周期的に所定時間比率でON・OF
Fさせる。絶縁電熱線1の検出温度が設定温度を越えれ
ば、通電時間比率を小とする。検出温度が設定温度以下
となれば、通電時間比率を大とする。スイッチング手段
2の発熱温度が設定値に達したときに、絶縁電熱線1の
内部導体7への通電時間比率を小とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気毛布や電気カーペ
ット等に用いられるI線式絶縁電熱線応用制御装置及び
制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、主として電気毛布、電気カーペッ
トや電気布団などに用いられる絶縁電熱線は、図9と図
10に示すように、ヒータとしての発熱線aと温度センサ
ーとしての検知線bの2本で構成されるいわゆる「II線
式」のものが一般的であり、この2本の発熱線aと検知
線bの一部を密着させて、通電により発熱する発熱体f
の温度を検知線bに熱伝導させている。
【0003】この検知線bでは、電極c,dの間に、温
度上昇により電気抵抗が低下しサーミスタ電流が増加す
る高分子半導体eを、介在させてあり、このサーミスタ
電流の変化を利用し、従来、次のようにして、絶縁電熱
線が設定温度となるように、その発熱温度の制御を行な
っていた。
【0004】即ち、発熱体fの発熱によるサーミスタ電
流の変化を電極c,dを通じて図示省略の制御回路にて
検出し、そのサーミスタ電流値が上記設定温度に対応す
る設定サーミスタ電流値に至れば、リレースイッチ等を
OFFして通電を停止し、逆にサーミスタ電流値が設定
サーミスタ電流値以下になれば、リレースイッチ等をO
Nして通電を開始し、設定温度に保持するようにしてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のよう
に、発熱線aと検知線bの2本で構成される絶縁電熱線
では、高温溶融絶縁体g、信号体h及び外装絶縁体i
と、高分子電極d、セパレータj及び外装絶縁体kと、
を介して、発熱体fの温度を高分子半導体eに熱伝導さ
せるため、両者f,eの間に大きな熱抵抗が生じる。し
かも、図11に示すように、電気カーペット等では、2本
の発熱線aに対して1本の検知線bを配置する隔列配線
となっている。
【0006】そのため、高分子半導体eで、発熱体fの
正確な温度を検出することができず、発熱体fの温度が
上昇し過ぎた状態───これを局部保温という───を
つくりだす。また、熱抵抗により、図12に示すように、
例えば、55℃の設定温度に制御しようとしても、発熱体
fの実際のピーク温度は80℃を越えてしまう。
【0007】この検知線bに内蔵する高分子半導体e
は、耐熱性が施されていないため、80℃を越えた時点で
急速に熱劣化して、サーミスタ電流を不安定にし、セン
サー機能を喪失する。そのため、上述のように、発熱体
fの温度が上昇し過ぎると、高分子半導体eの劣化を促
進し、検知線bとしての寿命を縮める問題がある。例え
ば、2〜3年の使用で温度制御機能が衰える。
【0008】しかも、発熱体fを設定温度に制御するた
めに必要な温度の変動幅が、熱抵抗のために大きなもの
となる。その結果、リレースイッチのON・OFFの繰
り返しが粗くなり、このような絶縁電熱線を用いた電気
カーペット等の表面では、発熱線aの真上の高温部と、
そうでないところの差が大きくなる問題がある。
【0009】なお、温度制御システムが故障し、発熱線
aに通電し続けて異常高温が生じた場合には、高温溶融
絶縁体gが溶融し、発熱体fと信号体hが短絡して、温
度ヒューズが溶断して電源が切れるようになっている
が、この場合には、電気カーペットは再使用できない。
【0010】また、制御装置(コントローラー)と絶縁
電熱線の接続箇所も多くなり───例えば、2畳用の電
気カーペット等の場合、発熱線で4箇所、検知線で2箇
所の合計6箇所───、図11の如く発熱線aと検知線b
を均一に密着させて正確に配線しなければならず、手間
が掛かる問題がある。
【0011】そこで、本発明では、上記問題点を解決す
るI線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法を提供す
ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係るI線式絶縁電熱線応用制御装置は、
通電により発熱する内部導体と、該内部導体を被覆する
と共に温度上昇にともなってサーミスタ電流が増加する
高分子半導体と、該高分子半導体へ巻回される外部導体
と、を備えた絶縁電熱線の発熱温度を制御する装置であ
って、上記内部導体への通電を周期的に所定時間比率で
ON・OFFさせるスイッチング手段と、該スイッチン
グ手段の発熱温度を検知する過熱検知手段と、絶縁電熱
線の予め設定された発熱温度に対応する設定サーミスタ
電流値及び上記スイッチング手段の予め設定された過熱
設定温度とを記憶する記憶手段と、設定サーミスタ電流
値と通電OFF時に上記高分子半導体から出力されたサ
ーミスタ電流値とを比較すると共に上記過熱設定温度と
上記スイッチング手段の発熱温度とを比較する判別手段
と、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えれ
ば上記スイッチング手段の通電時間比率を小とすると共
に該サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値以下とな
れば該スイッチング手段の通電時間比率を大としかつ該
スイッチング手段の発熱温度が過熱設定温度に達すれば
該スイッチング手段の通電時間比率を小とする通電時間
比率変更手段と、を備えたものである。
【0013】また、本発明に係るI線式絶縁電熱線応用
制御方法は、発熱のための絶縁電熱線への通電をスイッ
チング手段にて周期的に所定時間比率でON・OFFさ
せ、該絶縁電熱線の検出温度が設定温度を越えると、通
電時間比率を小とすると共に、該検出温度が設定温度以
下になると、通電時間比率を大とするI線式絶縁電熱線
応用制御方法であって、上記スイッチング手段の発熱温
度が設定値に達すれば、絶縁電熱線の内部導体への通電
時間比率を小とするものである。
【0014】
【作用】スイッチング手段にて、内部導体への通電を所
定周期でON・OFFさせることにより、絶縁電熱線を
発熱させることができる。この際、判別手段にて、高分
子半導体のサーミスタ電流値を設定サーミスタ電流値と
比較して、発熱温度が設定温度を越えているか否かを判
別し、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越え
ていれば、通電時間比率変更手段により、スイッチング
手段の内部導体への通電時間比率を小として、また、サ
ーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値以下となれば、
通電時間比率を大として、発熱温度が設定温度に保持さ
れるように制御される。
【0015】また、内部導体へ通電して電気カーペット
等の採暖具を運転状態とすると、その通電電流により、
スイッチング手段に使用されるトライアックやサイリス
タ等の半導体素子が発熱する。
【0016】この際、過熱検知手段にて、スイッチング
手段の発熱温度が検知され、判別手段にて、この発熱温
度と過熱設定温度とを比較して、発熱温度が過熱設定温
度に達すれば、通電時間比率変更手段により、スイッチ
ング手段の通電時間比率を小とし、スイッチング手段の
発熱温度を低下させることができる。
【0017】この絶縁電熱線では、発熱体として使用さ
れる内部導体と温度センサーとして使用される高分子半
導体とを、その間に熱抵抗を生じさせるものを介さず、
直接接触させた構造としているので、内部導体の発熱温
度を正確に検出でき、内部導体を設定温度に制御するた
めに必要なピーク温度が低く抑えられて、局部保温と高
分子半導体の劣化を防止し得る。
【0018】
【実施例】以下、実施例を示す図面に基づいて本発明を
詳説する。
【0019】図1は、電気毛布や電気カーペット等に配
線される絶縁電熱線1の温度制御に用いられる本発明の
耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装置の一実施例であ
り、この制御装置は、スイッチング手段2と、記憶手段
3と、判別手段4と、通電時間比率変更手段5と、及び
過熱検知手段13とを備えている。
【0020】しかして、図1と図2に示すように、絶縁
電熱線1は、強靱で耐熱性に優れた合成樹脂繊維等から
なる芯体6と、芯体6の周囲へスパイラルに巻回される
と共に通電により発熱する内部導体7と、内部導体7を
被覆して導通すると共に温度変化に応じてサーミスタ電
流を発生させる高分子半導体8と、高分子半導体8の周
囲へスパイラルに巻回されて導通する外部導体9と、外
部導体9を被覆するセパレータ10と、セパレータ10の周
囲を被覆する外装絶縁体11と、からなる。
【0021】内部導体7は、耐酸化性を有する電気硬銅
線の丸線又は箔線に錫めっきしたもの等からなり、高分
子半導体8のサーミスタ電極として機能すると共に、電
源12との通電により発熱体(ヒータ)として機能する。
【0022】高分子半導体8は、温度上昇にともなって
電気抵抗(インピーダンス)が小さくなって、サーミス
タ電流が増加する特性を有しており、内部導体7の発熱
温度を検知する温度センサーとして機能する。
【0023】この高分子半導体8には、ポリビニルクロ
ライドをベースとした化合物等の経年耐久性に優れた素
材を用いる。このような素材を用いれば、従来よりも高
分子半導体8の寿命が延び、例えば、100 ℃・100 Vの
雰囲気で12000 時間───12年の使用期間に相当する─
──劣化しない。
【0024】外部導体9は、内部導体7と同様の素材か
らなる高分子半導体8のサーミスタ電極で、高分子半導
体8のサーミスタ電流を判別手段4に送る信号体として
機能する。
【0025】セパレータ10は、ポリエチレンテレフタレ
ート等の合成樹脂等からなり、外装絶縁体11が及ぼす化
学的・物理的影響から高分子半導体8を守るための分離
層として機能する。
【0026】外装絶縁体11は、ポリビニルクロライドを
ベースとした耐熱性配合の高分子化合物等からなり、外
部導体9を絶縁すると共に、絶縁電熱線1の全体を保護
する機能をもつ。
【0027】また、図1,図4及び図5に示すように、
スイッチング手段2は、内部導体7への通電を周期的に
所定時間比率でON・OFFさせる。この通電ON・O
FFの周期Tを短くし、通電ON時には内部導体7を発
熱体として使用し、通電OFF時には内部導体7を高分
子半導体8の電極として内部導体7の発熱温度の検出に
使用する。この通電ON・OFFの周期Tは、20秒以下
好ましくは10秒以下とする。
【0028】記憶手段3は、絶縁電熱線1の予め設定さ
れた発熱温度に対応する設定サーミスタ電流値を記憶す
る。判別手段4は、記憶手段3からの設定サーミスタ電
流値と通電OFF時に内部導体7と外部導体9を通じて
高分子半導体8から出力されたサーミスタ電流値とを比
較してサーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越え
たか否かを判別する。
【0029】通電時間比率変更手段5は、判別手段4か
らの判別結果が入力されることによりスイッチング手段
2の通電時間比率を変更する。即ち、サーミスタ電流値
が設定サーミスタ電流値を越えれば、通電時間比率を小
とすると共に、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流
値以下とされれば、通電時間比率を大とする。
【0030】なお、これらの手段2,3,4,5は、ト
ランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の電子素子、及
びマイクロプロセッサ、メモリ、インターフェイス等か
らなるマイクロコンピュータ等にて構成される。
【0031】しかして、過熱検知手段13は、スイッチン
グ手段2の発熱温度を検知する。即ち、内部導体7へ通
電すれば、その通電電流により、スイッチング手段2の
トライアックやサイリスタ等の半導体素子が発熱し、こ
の過熱検知手段13では、この半導体素子が過熱状態とな
るのを監視する。
【0032】また、上述の判別手段4は、スイッチング
手段2の発熱温度と記憶手段3に予め記憶されている過
熱設定温度とを比較する。そして、発熱温度が過熱設定
温度に達すれば、通電時間比率変更手段5により内部導
体7への通電時間比率を小さくして、通電電流の平均値
を減少し、スイッチング手段2の発熱温度を下げる。ス
イッチング手段2が過熱状態から脱すれば、スイッチン
グ手段2は、元の通電時間比率による内部導体への通電
に戻る。
【0033】なお、サーミスタ電流値による通電時間比
率の変更と、過熱検知手段13による通電時間比率の変更
とは互いに独立して行なわれる。
【0034】次に、上述の如く構成された制御装置の動
作を図6に示すフローチャート図等に従って説明する。
【0035】まず、内部導体7を、通電状態とする。こ
の際、動作開始初期は一定に設定された周期で、つま
り、所定のON・OFF時間比率で内部導体7を通電状
態として、電熱線1を発熱させる。また、通電OFF時
に(図4の符号Tsで示すタイミングでもって)、内部
導体7の発熱温度に対する高分子半導体8のサーミスタ
電流値を、判別手段4に入力する。
【0036】そして、判別手段4にて、サーミスタ電流
値が設定値(設定サーミスタ電流値)を越えたか否かか
ら判断され、越えれば、通電時間比率を小として(一定
周期時間に対する通電ON時間の割合を小として)、通
電電流の平均値を減少させ、サーミスタ電流値が設定値
以下であれば、通電時間比率を大として(一定周期時間
に対する通電ON時間の割合を大として)、通電電流の
平均値を増大させ、電熱線1の発熱温度を設定温度に保
持させ、この電熱線1が使用されている電気カーペット
等を所定温度に保持させる。
【0037】なお、時間比率は、例えば、図5に示すよ
うに、(ON:OFF)=(5.5 秒:4.5 秒)とされ
る。また、この場合、設定温度を55℃とした場合、ピー
ク温度は57℃で済んだ。
【0038】しかして、上述の動作中においては、図7
のフローチャート図で示すように、スイッチング手段2
の発熱温度が所定の過熱温度を越えないようにしてい
る。
【0039】即ち、過熱検知手段13にて、スイッチング
手段2の発熱温度が検知され、その発熱温度が判別手段
4に入力され、ここで、その発熱温度が過熱設定温度に
達したか否かが判別され、達していれば、内部導体7へ
の通電時間比率を小として、通電電流の平均値を減少さ
せ、発熱温度を下げ、達していなければ、通常の通電時
間比率にて通電を続ける。
【0040】そして、通電時間比率を小として、発熱温
度を下げて、その発熱温度が過熱設定温度以下となれば
(つまり、過熱状態から脱すれば)、通常の通電時間比
率に戻す。
【0041】これにより、動作中においては、スイッチ
ング手段2が過熱されるのを有効に回避することができ
る。
【0042】次に、図8は他の実施例を示し、この場
合、判別手段を、過熱設定温度とスイッチング手段2の
発熱温度とを比較する判別手段4′と、設定サーミスタ
電流値とサーミスタ電流値とを比較する判別手段4とを
分けると共に、記憶手段を、過熱設定温度を記憶する記
憶手段3′と、設定サーミスタ電流値を記憶する記憶手
段3とを分けているものであって、動作としては、図1
に示すI線式絶縁電熱線応用制御装置と同様である。な
お、この場合、判別手段4′を省略して、一つの判別手
段4にて発熱温度も判別させたり、記憶手段3′を省略
して、一つの記憶手段3′にて過熱設定温度も記憶させ
てもよい。
【0043】
【発明の効果】本発明は上述の如く構成されているの
で、次に記載する効果を奏する。
【0044】 請求項1記載の制御装置によれば、発
熱体として使用される内部導体7と、温度センサーとし
て使用される高分子半導体8との間に熱抵抗がないの
で、内部導体7の発熱温度を正確に検出でき、かつ、絶
縁電熱線1の全長にわたって温度センサーである高分子
半導体8が存在するので、内部導体7のピーク温度を低
く抑えることができると共に、局部保温の場合でも異常
温度を確実に検出して、絶縁電熱線1の熱劣化を防止で
き、耐用寿命の大幅な延長を図り得る。
【0045】さらに、内部導体7への通電のON・OF
Fを短い周期で繰り返すことにより、平均化された電力
を供給し、電気カーペット等の表面温度のバラツキを小
さく抑えることができる。また、絶縁電熱線は、1本
で、発熱機能と、温度検知機能の両機能を具備する「I
線式」であるので、絶縁電熱線1全体の材料コスト及び
加工工数を削減できる。
【0046】しかも、スイッチング手段2の過熱を回避
することができ、スイッチング手段2に用いられている
半導体素子の劣化を抑えることができてスイッチング手
段2の耐用寿命を延ばすことができる。かつ、広い面積
の放熱板を該半導体素子に取付ける必要がなくなり、制
御装置全体として小型化を図ることができる。さらに、
内部導体7への単なる通電の停止・再開による過熱回避
ではないので、絶縁電熱線1の発熱温度の変動が極めて
小さくなる。
【0047】 請求項2記載の制御方法によれば、通
電時間比率を変更するという簡単な方法で絶縁電熱線1
の温度制御を容易に行なえ、しかも、絶縁電熱線1の発
熱温度は、通電時間比率の変化に追従して確実に上下す
るので、絶縁電熱線1の発熱温度を、応答性良く高精度
に制御できる。さらに、スイッチング手段2の過熱が有
効に防止され、長期にわたって安定して電熱線1を使用
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す全体構成図である。
【図2】絶縁電熱線の断面図である。
【図3】絶縁電熱線の配線状態を示す平面図である。
【図4】通電と温度検知の関係等を示すタイムチャート
図である。
【図5】温度変化を示すグラフ図である。
【図6】フローチャート図である。
【図7】フローチャート図である。
【図8】他の実施例を示す構成図である。
【図9】従来の絶縁電熱線を示す要部側面図である。
【図10】従来の絶縁電熱線の断面図である。
【図11】従来の絶縁電熱線の配線図である。
【図12】従来の温度変化を示すグラフ図である。
【符号の説明】
1 絶縁電熱線 2 スイッチング手段 3 記憶手段 4 判別手段 5 通電時間比率変更手段 7 内部導体 8 高分子半導体 9 外部導体 13 過熱検知手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 通電により発熱する内部導体7と、該内
    部導体7を被覆すると共に温度上昇にともなってサーミ
    スタ電流が増加する高分子半導体8と、該高分子半導体
    8へ巻回される外部導体9と、を備えた絶縁電熱線1の
    発熱温度を制御する装置であって、上記内部導体7への
    通電を周期的に所定時間比率でON・OFFさせるスイ
    ッチング手段2と、該スイッチング手段2の発熱温度を
    検知する過熱検知手段13と、絶縁電熱線1の予め設定さ
    れた発熱温度に対応する設定サーミスタ電流値及び上記
    スイッチング手段2の予め設定された過熱設定温度とを
    記憶する記憶手段3と、設定サーミスタ電流値と通電O
    FF時に上記高分子半導体8から出力されたサーミスタ
    電流値とを比較すると共に上記過熱設定温度と上記スイ
    ッチング手段2の発熱温度とを比較する判別手段4と、
    サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えれば上
    記スイッチング手段2の通電時間比率を小とすると共に
    該サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値以下となれ
    ば該スイッチング手段2の通電時間比率を大としかつ該
    スイッチング手段2の発熱温度が過熱設定温度に達すれ
    ば該スイッチング手段2の通電時間比率を小とする通電
    時間比率変更手段5と、を備えたことを特徴とするI線
    式絶縁電熱線応用制御装置。
  2. 【請求項2】 発熱のための絶縁電熱線1への通電をス
    イッチング手段2にて周期的に所定時間比率でON・O
    FFさせ、該絶縁電熱線1の検出温度が設定温度を越え
    ると、通電時間比率を小とすると共に、該検出温度が設
    定温度以下になると、通電時間比率を大とするI線式絶
    縁電熱線応用制御方法であって、上記スイッチング手段
    2の発熱温度が設定値に達すれば、絶縁電熱線1の内部
    導体7への通電時間比率を小とすることを特徴とするI
    線式絶縁電熱線応用制御方法。
JP8621495A 1995-03-16 1995-03-16 I線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法 Pending JPH08255671A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011097976A (ja) * 2009-11-04 2011-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 電気毛布

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011097976A (ja) * 2009-11-04 2011-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 電気毛布

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