JPH088041A - 耐久性i線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法 - Google Patents
耐久性i線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法Info
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- JPH088041A JPH088041A JP16613394A JP16613394A JPH088041A JP H088041 A JPH088041 A JP H088041A JP 16613394 A JP16613394 A JP 16613394A JP 16613394 A JP16613394 A JP 16613394A JP H088041 A JPH088041 A JP H088041A
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- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁電熱線の耐用寿命の延長を図れる耐久性
I線式絶縁電熱線応用制御装置を提供する。 【構成】 発熱のための絶縁電熱線1の内部導体7への
通電を周期的に所定時間比率でON・OFF させるスイッチ
ング手段2と、絶縁電熱線1の設定温度に対応する設定
サーミスタ電流値を記憶する記憶手段3と、記憶手段3
からの設定サーミスタ電流値と高分子半導体8から出力
されたサーミスタ電流値とを比較してサーミスタ電流値
が設定サーミスタ電流値を越えたか否かを判別する判別
手段4と、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を
越えた判別結果が判別手段4から入力されることにより
スイッチング手段2の通電ON時間を所定比率まで下げる
と共にサーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値以下と
なった判別結果が判別手段4から入力されることにより
スイッチング手段2の通電ON時間を所定比率まで上げる
通電時間変更手段5と、を備える。
I線式絶縁電熱線応用制御装置を提供する。 【構成】 発熱のための絶縁電熱線1の内部導体7への
通電を周期的に所定時間比率でON・OFF させるスイッチ
ング手段2と、絶縁電熱線1の設定温度に対応する設定
サーミスタ電流値を記憶する記憶手段3と、記憶手段3
からの設定サーミスタ電流値と高分子半導体8から出力
されたサーミスタ電流値とを比較してサーミスタ電流値
が設定サーミスタ電流値を越えたか否かを判別する判別
手段4と、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を
越えた判別結果が判別手段4から入力されることにより
スイッチング手段2の通電ON時間を所定比率まで下げる
と共にサーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値以下と
なった判別結果が判別手段4から入力されることにより
スイッチング手段2の通電ON時間を所定比率まで上げる
通電時間変更手段5と、を備える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気毛布や電気カーペ
ット等に用いられる耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装
置及び制御方法に関する。
ット等に用いられる耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装
置及び制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、主として電気毛布、電気カーペッ
トや電気布団などに配線される絶縁電熱線は、図8と図
9に示すように、ヒータとしての発熱線aと温度センサ
ーとしての検知線bの2本で構成されるいわゆる「II線
式」のものが一般的であり、この2本a,bの一部を密
着させて、通電により発熱する発熱体fの温度を検知線
bに熱伝導させている。
トや電気布団などに配線される絶縁電熱線は、図8と図
9に示すように、ヒータとしての発熱線aと温度センサ
ーとしての検知線bの2本で構成されるいわゆる「II線
式」のものが一般的であり、この2本a,bの一部を密
着させて、通電により発熱する発熱体fの温度を検知線
bに熱伝導させている。
【0003】この検知線bでは、電極c,dの間に、温
度上昇により電気抵抗が低下しサーミスタ電流が増加す
る高分子半導体eを、介在させてあり、このサーミスタ
電流の変化を利用し、従来、次のようにして、絶縁電熱
線が設定温度となるように、その発熱温度の制御を行な
っていた。
度上昇により電気抵抗が低下しサーミスタ電流が増加す
る高分子半導体eを、介在させてあり、このサーミスタ
電流の変化を利用し、従来、次のようにして、絶縁電熱
線が設定温度となるように、その発熱温度の制御を行な
っていた。
【0004】即ち、発熱体fの発熱によるサーミスタ電
流の変化を電極c,dを通じて図示省略の制御回路にて
検出し、そのサーミスタ電流値が上記設定温度に対応す
る設定サーミスタ電流値に至れば、リレースイッチをOF
F して通電を停止し、逆にサーミスタ電流値が設定サー
ミスタ電流値以下になれば、リレースイッチをONして通
電を開始し、設定温度に制御している。
流の変化を電極c,dを通じて図示省略の制御回路にて
検出し、そのサーミスタ電流値が上記設定温度に対応す
る設定サーミスタ電流値に至れば、リレースイッチをOF
F して通電を停止し、逆にサーミスタ電流値が設定サー
ミスタ電流値以下になれば、リレースイッチをONして通
電を開始し、設定温度に制御している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような2
本の線a,b構成される絶縁電熱線では、発熱体fの周
囲の高温溶融絶縁体g,信号体h及び外装絶縁体iと、
高分子半導体eの周囲の電極d,セパレータj,外装絶
縁体kを介して、発熱体fの温度を高分子半導体eに熱
伝導させているため、両者f,eの間に大きな熱抵抗が
生じる。しかも、図10に示すように、電気カーペットで
は、2本の発熱線aに対して1本の検知線bを配置する
隔列配線となっている。
本の線a,b構成される絶縁電熱線では、発熱体fの周
囲の高温溶融絶縁体g,信号体h及び外装絶縁体iと、
高分子半導体eの周囲の電極d,セパレータj,外装絶
縁体kを介して、発熱体fの温度を高分子半導体eに熱
伝導させているため、両者f,eの間に大きな熱抵抗が
生じる。しかも、図10に示すように、電気カーペットで
は、2本の発熱線aに対して1本の検知線bを配置する
隔列配線となっている。
【0006】そのため、高分子半導体eで、発熱体fの
正確な温度を検出することができず、発熱体fの温度が
上昇し過ぎた状態───これを局部保温という───を
つくりだす。また、熱抵抗により、図11に示すように、
55℃の設定温度に制御しようとしても、発熱体fの実際
のピーク温度は80℃を越えてしまう。
正確な温度を検出することができず、発熱体fの温度が
上昇し過ぎた状態───これを局部保温という───を
つくりだす。また、熱抵抗により、図11に示すように、
55℃の設定温度に制御しようとしても、発熱体fの実際
のピーク温度は80℃を越えてしまう。
【0007】この検知線bに内蔵する高分子半導体e
は、耐熱性が施されていないため、80℃を越えた時点で
急速に熱劣化して、サーミスタ電流を不安定にし、セン
サー機能を喪失する。そのため、上述のように発熱体f
の温度が上昇し過ぎると、高分子半導体eの劣化を促進
し、検知線bとしての寿命を縮める問題がある。例え
ば、2〜3年の使用で温度制御機能が衰える。
は、耐熱性が施されていないため、80℃を越えた時点で
急速に熱劣化して、サーミスタ電流を不安定にし、セン
サー機能を喪失する。そのため、上述のように発熱体f
の温度が上昇し過ぎると、高分子半導体eの劣化を促進
し、検知線bとしての寿命を縮める問題がある。例え
ば、2〜3年の使用で温度制御機能が衰える。
【0008】しかも、発熱体fを設定温度に制御するた
めに必要な温度の変動幅が、熱抵抗のために大きなもの
となる。その結果、リレースイッチのON・OFF の繰り返
しが粗くなり、このような絶縁電熱線を用いた電気カー
ペット等の表面では、発熱線aの真上の高温部と、そう
でないところの差が大きくなる問題がある。
めに必要な温度の変動幅が、熱抵抗のために大きなもの
となる。その結果、リレースイッチのON・OFF の繰り返
しが粗くなり、このような絶縁電熱線を用いた電気カー
ペット等の表面では、発熱線aの真上の高温部と、そう
でないところの差が大きくなる問題がある。
【0009】なお、温度制御システムが故障し、発熱線
fに通電し続けて異常高温が生じた場合には、高温溶融
絶縁体gが溶融し、発熱体fと外部導体hが短絡して、
温度ヒューズが溶断して電源が切れるようになっている
が、この場合には、電気カーペットは再使用できない。
fに通電し続けて異常高温が生じた場合には、高温溶融
絶縁体gが溶融し、発熱体fと外部導体hが短絡して、
温度ヒューズが溶断して電源が切れるようになっている
が、この場合には、電気カーペットは再使用できない。
【0010】また、制御装置(コントローラー)と絶縁
電熱線の接続箇所も多くなり───例えば、2畳用の電
気カーペット等の場合、発熱線4箇所、検知線2箇所の
合計6箇所───、図10の如く発熱線aと検知線bを均
一に密着させて正確に配線しなければならず、手間が掛
かる問題がある。
電熱線の接続箇所も多くなり───例えば、2畳用の電
気カーペット等の場合、発熱線4箇所、検知線2箇所の
合計6箇所───、図10の如く発熱線aと検知線bを均
一に密着させて正確に配線しなければならず、手間が掛
かる問題がある。
【0011】そこで、本発明は、上記問題点を解決する
耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法を提
供することを目的とする。
耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法を提
供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、通電により発熱する内部導体と、該内部
導体を被覆すると共に温度上昇にともなってサーミスタ
電流が増加する高分子半導体と、該高分子半導体へ巻回
される外部導体と、を備えた絶縁電熱線の発熱温度を制
御する装置であって、上記内部導体への通電を周期的に
所定時間比率でON・OFF させるスイッチング手段と、絶
縁電熱線の予め設定された発熱温度に対応する設定サー
ミスタ電流値を記憶する記憶手段と、該記憶手段からの
設定サーミスタ電流値と通電OFF 時に上記内部導体と外
部導体を通じて高分子半導体から出力されたサーミスタ
電流値とを比較して該サーミスタ電流値が設定サーミス
タ電流値を越えたか否かを判別する判別手段と、サーミ
スタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えた判別結果が
該判別手段から入力されることにより上記スイッチング
手段の通電ON時間を所定比率まで下げると共に該サーミ
スタ電流値が設定サーミスタ電流値以下となった判別結
果が該判別手段から入力されることにより該スイッチン
グ手段の通電ON時間を所定比率まで上げる通電時間変更
手段と、を備えたものである。
成するために、通電により発熱する内部導体と、該内部
導体を被覆すると共に温度上昇にともなってサーミスタ
電流が増加する高分子半導体と、該高分子半導体へ巻回
される外部導体と、を備えた絶縁電熱線の発熱温度を制
御する装置であって、上記内部導体への通電を周期的に
所定時間比率でON・OFF させるスイッチング手段と、絶
縁電熱線の予め設定された発熱温度に対応する設定サー
ミスタ電流値を記憶する記憶手段と、該記憶手段からの
設定サーミスタ電流値と通電OFF 時に上記内部導体と外
部導体を通じて高分子半導体から出力されたサーミスタ
電流値とを比較して該サーミスタ電流値が設定サーミス
タ電流値を越えたか否かを判別する判別手段と、サーミ
スタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えた判別結果が
該判別手段から入力されることにより上記スイッチング
手段の通電ON時間を所定比率まで下げると共に該サーミ
スタ電流値が設定サーミスタ電流値以下となった判別結
果が該判別手段から入力されることにより該スイッチン
グ手段の通電ON時間を所定比率まで上げる通電時間変更
手段と、を備えたものである。
【0013】また、発熱とその温度検出に兼用される一
本の絶縁電熱線における発熱温度を制御する方法であっ
て、発熱のための該絶縁電熱線への通電を周期的に所定
時間比率でON・OFF させ、該絶縁電熱線の検出温度が設
定温度を越えると、通電ON時間を所定比率まで下げると
共に、該検出温度が設定温度以下になると、通電ON時間
を所定比率まで上げるものである。
本の絶縁電熱線における発熱温度を制御する方法であっ
て、発熱のための該絶縁電熱線への通電を周期的に所定
時間比率でON・OFF させ、該絶縁電熱線の検出温度が設
定温度を越えると、通電ON時間を所定比率まで下げると
共に、該検出温度が設定温度以下になると、通電ON時間
を所定比率まで上げるものである。
【0014】
【作用】絶縁電熱線の発熱温度を設定温度に制御するに
は、スイッチング手段にて、内部導体への通電を所定周
期でON・OFF させて、絶縁電熱線を発熱させると共に、
判別手段にて、通電OFF 時に高分子半導体のサーミスタ
電流値を設定サーミスタ電流値と比較して、発熱温度が
設定温度を越えているか否かを判別する。このとき、サ
ーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えていれ
ば、内部導体への通電ON時間を通電時間変更手段にて所
定比率まで下げて、発熱温度が設定温度まで迅速に下が
るように制御する。また、サーミスタ電流値が設定サー
ミスタ電流値以下となっていれば、通電ON時間を所定比
率まで上げて、発熱温度を設定温度まで迅速に上げるよ
うに制御する。
は、スイッチング手段にて、内部導体への通電を所定周
期でON・OFF させて、絶縁電熱線を発熱させると共に、
判別手段にて、通電OFF 時に高分子半導体のサーミスタ
電流値を設定サーミスタ電流値と比較して、発熱温度が
設定温度を越えているか否かを判別する。このとき、サ
ーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えていれ
ば、内部導体への通電ON時間を通電時間変更手段にて所
定比率まで下げて、発熱温度が設定温度まで迅速に下が
るように制御する。また、サーミスタ電流値が設定サー
ミスタ電流値以下となっていれば、通電ON時間を所定比
率まで上げて、発熱温度を設定温度まで迅速に上げるよ
うに制御する。
【0015】この絶縁電熱線では、発熱体として使用さ
れる内部導体と、温度センサーとして使用される高分子
半導体とを、その間に熱抵抗を生じさせるものを介さ
ず、直接接触させた構造としているので、内部導体の発
熱温度を正確に検出でき、内部導体を設定温度に制御す
るために必要なピーク温度が低く抑えられて、局部保温
と高分子半導体の劣化を防止し得る。
れる内部導体と、温度センサーとして使用される高分子
半導体とを、その間に熱抵抗を生じさせるものを介さ
ず、直接接触させた構造としているので、内部導体の発
熱温度を正確に検出でき、内部導体を設定温度に制御す
るために必要なピーク温度が低く抑えられて、局部保温
と高分子半導体の劣化を防止し得る。
【0016】
【実施例】以下実施例を示す図面に基づいて本発明を詳
説する。
説する。
【0017】図1は、電気毛布や電気カーペット等に配
線される絶縁電熱線1の温度制御に用いられる本発明の
耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装置の一実施例であ
り、この制御装置は、スイッチング手段2と、記憶手段
3と、判別手段4と、通電時間変更手段5と、を備えて
いる。
線される絶縁電熱線1の温度制御に用いられる本発明の
耐久性I線式絶縁電熱線応用制御装置の一実施例であ
り、この制御装置は、スイッチング手段2と、記憶手段
3と、判別手段4と、通電時間変更手段5と、を備えて
いる。
【0018】しかして、図1と図2に示すように、絶縁
電熱線1は、強靱で耐熱性に優れた合成樹脂繊維等から
なる芯体6と、芯体6の周囲へスパイラルに巻回される
と共に通電により発熱する内部導体7と、内部導体7を
被覆して導通すると共に温度変化に応じてサーミスタ電
流を発生させる高分子半導体8と、高分子半導体8の周
囲へスパイラルに巻回されて導通する外部導体9と、外
部導体9を被覆するセパレータ10と、セパレータ10の周
囲を被覆する外装絶縁体11と、からなる。
電熱線1は、強靱で耐熱性に優れた合成樹脂繊維等から
なる芯体6と、芯体6の周囲へスパイラルに巻回される
と共に通電により発熱する内部導体7と、内部導体7を
被覆して導通すると共に温度変化に応じてサーミスタ電
流を発生させる高分子半導体8と、高分子半導体8の周
囲へスパイラルに巻回されて導通する外部導体9と、外
部導体9を被覆するセパレータ10と、セパレータ10の周
囲を被覆する外装絶縁体11と、からなる。
【0019】内部導体7は、耐酸化性を有する電気硬銅
線の丸線又は箔線に錫めっきしたもの等からなり、高分
子半導体8のサーミスタ電極として機能すると共に、電
源12との通電により発熱体(ヒータ)として機能する。
線の丸線又は箔線に錫めっきしたもの等からなり、高分
子半導体8のサーミスタ電極として機能すると共に、電
源12との通電により発熱体(ヒータ)として機能する。
【0020】高分子半導体8は、温度上昇にともなって
電気抵抗(インピーダンス)が小さくなって、サーミス
タ電流が増加する特性を有しており、内部導体7の発熱
温度を検知する温度センサーとして機能する。
電気抵抗(インピーダンス)が小さくなって、サーミス
タ電流が増加する特性を有しており、内部導体7の発熱
温度を検知する温度センサーとして機能する。
【0021】この高分子半導体8には、ポリビニルクロ
ライドをベースとした化合物等の経年耐久性に優れた素
材を用いる。このような素材を用いれば、従来よりも高
分子半導体8の寿命が延び、例えば、100 ℃・100 Vの
雰囲気で12000 時間───12年の使用期間に相当する─
──劣化しない。
ライドをベースとした化合物等の経年耐久性に優れた素
材を用いる。このような素材を用いれば、従来よりも高
分子半導体8の寿命が延び、例えば、100 ℃・100 Vの
雰囲気で12000 時間───12年の使用期間に相当する─
──劣化しない。
【0022】外部導体9は、内部導体7と同様の素材か
らなる高分子半導体8のサーミスタ電極で、高分子半導
体8のサーミスタ電流を判別手段4に送る信号体として
機能する。
らなる高分子半導体8のサーミスタ電極で、高分子半導
体8のサーミスタ電流を判別手段4に送る信号体として
機能する。
【0023】セパレータ10は、ポリエチレンテレフタレ
ート等の合成樹脂等からなり、外装絶縁体11が及ぼす化
学的・物理的影響から高分子半導体8を守るための分離
層として機能する。
ート等の合成樹脂等からなり、外装絶縁体11が及ぼす化
学的・物理的影響から高分子半導体8を守るための分離
層として機能する。
【0024】外装絶縁体11は、ポリビニルクロライドを
ベースとした耐熱性配合の高分子化合物等からなり、外
部導体9を絶縁すると共に、絶縁電熱線1の全体を保護
する機能をもつ。
ベースとした耐熱性配合の高分子化合物等からなり、外
部導体9を絶縁すると共に、絶縁電熱線1の全体を保護
する機能をもつ。
【0025】このように、本発明で温度制御される絶縁
電熱線1では、発熱体として使用される内部導体7と、
温度センサーとして使用される高分子半導体8は、その
間に熱抵抗を生じさせるものを介さず直接接触している
ので、内部導体7の発熱温度を正確に検出でき、感度が
良い。
電熱線1では、発熱体として使用される内部導体7と、
温度センサーとして使用される高分子半導体8は、その
間に熱抵抗を生じさせるものを介さず直接接触している
ので、内部導体7の発熱温度を正確に検出でき、感度が
良い。
【0026】図3は、電気カーペット等への絶縁電熱線
1の配線の一例を示しており、図10に示す従来の絶縁電
熱線と比べて明らかなように、本発明では、2本の線を
均一に密着させて正確に配線するような作業が不要とな
り、配線作業に手間がかからず、制御装置(コントロー
ラー)と絶縁電熱線1の接続箇所も、例えば2畳用の電
気カーペットの場合で4箇所となり、少なくて済む。
1の配線の一例を示しており、図10に示す従来の絶縁電
熱線と比べて明らかなように、本発明では、2本の線を
均一に密着させて正確に配線するような作業が不要とな
り、配線作業に手間がかからず、制御装置(コントロー
ラー)と絶縁電熱線1の接続箇所も、例えば2畳用の電
気カーペットの場合で4箇所となり、少なくて済む。
【0027】また、図1,図4及び図5に示すように、
スイッチング手段2は、内部導体7への通電を周期的に
所定時間比率でON・OFF させる。この通電ON・OFF の周
期Tを短くし、通電ON時には内部導体7を発熱体として
使用し、通電OFF 時には内部導体7を高分子半導体8の
電極として内部導体7の発熱温度の検出に使用する。こ
の通電ON・OFF の周期Tは、20秒以下好ましくは10秒以
下とする。
スイッチング手段2は、内部導体7への通電を周期的に
所定時間比率でON・OFF させる。この通電ON・OFF の周
期Tを短くし、通電ON時には内部導体7を発熱体として
使用し、通電OFF 時には内部導体7を高分子半導体8の
電極として内部導体7の発熱温度の検出に使用する。こ
の通電ON・OFF の周期Tは、20秒以下好ましくは10秒以
下とする。
【0028】記憶手段3は、絶縁電熱線1の予め設定さ
れた発熱温度に対応する設定サーミスタ電流値を記憶す
る。判別手段4は、記憶手段3からの設定サーミスタ電
流値と通電OFF 時に内部導体7と外部導体9を通じて高
分子半導体8から出力されたサーミスタ電流値とを比較
してサーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えた
か否かを判別する。
れた発熱温度に対応する設定サーミスタ電流値を記憶す
る。判別手段4は、記憶手段3からの設定サーミスタ電
流値と通電OFF 時に内部導体7と外部導体9を通じて高
分子半導体8から出力されたサーミスタ電流値とを比較
してサーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えた
か否かを判別する。
【0029】通電時間変更手段5は、サーミスタ電流値
が設定サーミスタ電流値を越えた判別結果が判別手段4
から入力されることによりスイッチング手段2の通電ON
時間を所定比率まで下げると共にサーミスタ電流値が設
定サーミスタ電流値以下となった判別結果が判別手段4
から入力されることによりスイッチング手段2の通電ON
時間を所定比率まで上げる。
が設定サーミスタ電流値を越えた判別結果が判別手段4
から入力されることによりスイッチング手段2の通電ON
時間を所定比率まで下げると共にサーミスタ電流値が設
定サーミスタ電流値以下となった判別結果が判別手段4
から入力されることによりスイッチング手段2の通電ON
時間を所定比率まで上げる。
【0030】これらの手段2,3,4,5は、トランジ
スタ,サイリスタ,ダイオード等の電子素子、及びマイ
クロプロセッサ,メモリ,インターフェイス等からなる
マイクロコンピュータ等にて構成される。その一例を図
7に示す。同図におけるマイクロコンピュータ13は、所
定のプログラムに基づいて動作し、絶縁電熱線1の設定
温度に対応する設定サーミスタ電流値をメモリに記憶し
たり、通電OFF 時に高分子半導体8から出力されたサー
ミスタ電流値を読み込んだりする。
スタ,サイリスタ,ダイオード等の電子素子、及びマイ
クロプロセッサ,メモリ,インターフェイス等からなる
マイクロコンピュータ等にて構成される。その一例を図
7に示す。同図におけるマイクロコンピュータ13は、所
定のプログラムに基づいて動作し、絶縁電熱線1の設定
温度に対応する設定サーミスタ電流値をメモリに記憶し
たり、通電OFF 時に高分子半導体8から出力されたサー
ミスタ電流値を読み込んだりする。
【0031】なお、マイクロコンピュータ13を使用する
ことで、温度設定、変更、面切り替え(左右ヒータ切り
替え)、通電ON・OFF 等はタクトスイッチで行えるの
で、単価が高く接触不良になりやすい接点開閉容量の大
きな電源用切り替えスイッチ、面切り替えスイッチ、ボ
リューム等を主回路から省くことができる。
ことで、温度設定、変更、面切り替え(左右ヒータ切り
替え)、通電ON・OFF 等はタクトスイッチで行えるの
で、単価が高く接触不良になりやすい接点開閉容量の大
きな電源用切り替えスイッチ、面切り替えスイッチ、ボ
リューム等を主回路から省くことができる。
【0032】しかして、上述の如く構成された制御装置
にて、発熱とその温度検出に兼用される一本の絶縁電熱
線1における発熱温度を制御するには、図1と、図4〜
図6に示すように、発熱のための絶縁電熱線1への通電
を周期的に所定時間比率でON・OFF させ、絶縁電熱線1
の検出温度が設定温度を越えると、通電ON時間を所定比
率まで下げると共に、検出温度が設定温度以下になる
と、通電ON時間を所定比率まで上げて、絶縁電熱線1の
発熱温度を設定温度に制御する。
にて、発熱とその温度検出に兼用される一本の絶縁電熱
線1における発熱温度を制御するには、図1と、図4〜
図6に示すように、発熱のための絶縁電熱線1への通電
を周期的に所定時間比率でON・OFF させ、絶縁電熱線1
の検出温度が設定温度を越えると、通電ON時間を所定比
率まで下げると共に、検出温度が設定温度以下になる
と、通電ON時間を所定比率まで上げて、絶縁電熱線1の
発熱温度を設定温度に制御する。
【0033】具体的には、内部導体7への通電をスイッ
チング手段2にて所定周期TでON・OFF させると共に、
通電OFF 時に(図4の符号Ts で示すタイミングでもっ
て)、内部導体7の発熱温度に対応する高分子半導体8
のサーミスタ電流値を、判別手段4に入力する。
チング手段2にて所定周期TでON・OFF させると共に、
通電OFF 時に(図4の符号Ts で示すタイミングでもっ
て)、内部導体7の発熱温度に対応する高分子半導体8
のサーミスタ電流値を、判別手段4に入力する。
【0034】このサーミスタ電流値が、動作開始初期に
おいて、設定サーミスタ電流値に至るまでは、即ち、冷
えていた絶縁電熱線1が内部導体7の発熱により設定温
度になるまでは、内部導体7への通電を所定時間比率で
ON・OFF し、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値
を越えると、即ち、検出温度が設定温度を越えると、、
内部導体7への通電ON時間を通電時間変更手段5にて所
定比率まで下げて、発熱温度が設定温度まで迅速に下が
るように制御する。この場合の時間比率の一例をあげる
と、(ON:OFF )=(5.5 秒:4.5 秒)である。
おいて、設定サーミスタ電流値に至るまでは、即ち、冷
えていた絶縁電熱線1が内部導体7の発熱により設定温
度になるまでは、内部導体7への通電を所定時間比率で
ON・OFF し、サーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値
を越えると、即ち、検出温度が設定温度を越えると、、
内部導体7への通電ON時間を通電時間変更手段5にて所
定比率まで下げて、発熱温度が設定温度まで迅速に下が
るように制御する。この場合の時間比率の一例をあげる
と、(ON:OFF )=(5.5 秒:4.5 秒)である。
【0035】また、サーミスタ電流値が設定サーミスタ
電流値以下となると、即ち、検出温度が設定温度以下に
なると、通電ON時間を所定比率まで上げて、発熱温度を
設定温度まで迅速に上げるように制御する。
電流値以下となると、即ち、検出温度が設定温度以下に
なると、通電ON時間を所定比率まで上げて、発熱温度を
設定温度まで迅速に上げるように制御する。
【0036】上述の制御により、絶縁電熱線1を設定温
度に維持するために必要な内部導体7の温度の変動幅が
小さくなってピーク温度を低く抑えることができる。例
えば、本発明の制御によれば、設定温度が55℃の場合
に、ピーク温度が57℃で済み、従来(図11参照)と比べ
て大幅にピーク温度を下げることができる。
度に維持するために必要な内部導体7の温度の変動幅が
小さくなってピーク温度を低く抑えることができる。例
えば、本発明の制御によれば、設定温度が55℃の場合
に、ピーク温度が57℃で済み、従来(図11参照)と比べ
て大幅にピーク温度を下げることができる。
【0037】
【発明の効果】本発明は上述の如く構成されているの
で、次に記載するような著大な効果を奏する。
で、次に記載するような著大な効果を奏する。
【0038】(請求項1の制御装置では、)発熱体とし
て使用される内部導体7と、温度センサーとして使用さ
れる高分子半導体8との間に熱抵抗がないので、内部導
体7の発熱温度を正確に検出でき、かつ、絶縁電熱線1
の全長にわたって温度センサーである高分子半導体8が
存在するので、内部導体7のピーク温度を低く抑えるこ
とができると共に、局部保温の場合でも異常温度を確実
に検出して、絶縁電熱線1の熱劣化を防止でき、耐用寿
命の大幅な延長を図り得る。
て使用される内部導体7と、温度センサーとして使用さ
れる高分子半導体8との間に熱抵抗がないので、内部導
体7の発熱温度を正確に検出でき、かつ、絶縁電熱線1
の全長にわたって温度センサーである高分子半導体8が
存在するので、内部導体7のピーク温度を低く抑えるこ
とができると共に、局部保温の場合でも異常温度を確実
に検出して、絶縁電熱線1の熱劣化を防止でき、耐用寿
命の大幅な延長を図り得る。
【0039】さらに、内部導体7への通電のON・OFF を
短い周期で繰り返すことにより、平均化された電力を供
給し、電気カーペット等の表面温度のバラツキを小さく
抑えることができる。また、絶縁電熱線1は、1本で、
発熱機能と、温度検知機能の両機能を具備する「I線
式」であるので、絶縁電熱線1全体の材料コスト及び加
工工数を削減できる。
短い周期で繰り返すことにより、平均化された電力を供
給し、電気カーペット等の表面温度のバラツキを小さく
抑えることができる。また、絶縁電熱線1は、1本で、
発熱機能と、温度検知機能の両機能を具備する「I線
式」であるので、絶縁電熱線1全体の材料コスト及び加
工工数を削減できる。
【0040】(請求項2の制御方法では、)通電ON時間
の比率を変更するという簡単な方法で絶縁電熱線1の温
度制御を容易に行える。しかも、絶縁電熱線1の発熱温
度は、通電ON時間の比率の変化に追従して確実に上下す
るので、絶縁電熱線1の発熱温度を、応答性良く高精度
に制御できる。
の比率を変更するという簡単な方法で絶縁電熱線1の温
度制御を容易に行える。しかも、絶縁電熱線1の発熱温
度は、通電ON時間の比率の変化に追従して確実に上下す
るので、絶縁電熱線1の発熱温度を、応答性良く高精度
に制御できる。
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図2】絶縁電熱線の断面図である。
【図3】絶縁電熱線を配線した状態の平面図である。
【図4】通電と温度検知の関係等を示すタイムチャート
図である。
図である。
【図5】本発明の制御による絶縁電熱線の温度変化を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
【図6】温度制御の動作を示すフローチャート図であ
る。
る。
【図7】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図8】従来の絶縁電熱線を示す要部側面図である。
【図9】従来の絶縁電熱線の断面図である。
【図10】従来の絶縁電熱線の配線図である。
【図11】従来の制御による絶縁電熱線の温度変化を示す
グラフ図である。
グラフ図である。
1 絶縁電熱線 2 スイッチング手段 3 記憶手段 4 判別手段 5 通電時間変更手段 7 内部導体 8 高分子半導体 9 外部導体
【手続補正書】
【提出日】平成6年7月5日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図9
【補正方法】変更
【補正内容】
【図9】
Claims (2)
- 【請求項1】 通電により発熱する内部導体7と、該内
部導体7を被覆すると共に温度上昇にともなってサーミ
スタ電流が増加する高分子半導体8と、該高分子半導体
8へ巻回される外部導体9と、を備えた絶縁電熱線1の
発熱温度を制御する装置であって、上記内部導体7への
通電を周期的に所定時間比率でON・OFFさせるスイッチ
ング手段2と、絶縁電熱線1の予め設定された発熱温度
に対応する設定サーミスタ電流値を記憶する記憶手段3
と、該記憶手段3からの設定サーミスタ電流値と通電OF
F 時に上記内部導体7と外部導体9を通じて高分子半導
体8から出力されたサーミスタ電流値とを比較して該サ
ーミスタ電流値が設定サーミスタ電流値を越えたか否か
を判別する判別手段4と、サーミスタ電流値が設定サー
ミスタ電流値を越えた判別結果が該判別手段4から入力
されることにより上記スイッチング手段2の通電ON時間
を所定比率まで下げると共に該サーミスタ電流値が設定
サーミスタ電流値以下となった判別結果が該判別手段4
から入力されることにより該スイッチング手段2の通電
ON時間を所定比率まで上げる通電時間変更手段5と、を
備えたことを特徴とする耐久性I線式絶縁電熱線応用制
御装置。 - 【請求項2】 発熱とその温度検出に兼用される一本の
絶縁電熱線1における発熱温度を制御する方法であっ
て、発熱のための該絶縁電熱線1への通電を周期的に所
定時間比率でON・OFF させ、該絶縁電熱線1の検出温度
が設定温度を越えると、通電ON時間を所定比率まで下げ
ると共に、該検出温度が設定温度以下になると、通電ON
時間を所定比率まで上げることを特徴とする耐久性I線
式絶縁電熱線応用制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16613394A JPH088041A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 耐久性i線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16613394A JPH088041A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 耐久性i線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088041A true JPH088041A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15825651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16613394A Pending JPH088041A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 耐久性i線式絶縁電熱線応用制御装置及び制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088041A (ja) |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP16613394A patent/JPH088041A/ja active Pending
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