JPH08255940A - 光増幅器 - Google Patents
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- JPH08255940A JPH08255940A JP7059564A JP5956495A JPH08255940A JP H08255940 A JPH08255940 A JP H08255940A JP 7059564 A JP7059564 A JP 7059564A JP 5956495 A JP5956495 A JP 5956495A JP H08255940 A JPH08255940 A JP H08255940A
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- H04B10/291—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
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- Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光増幅器に関し、利得波長依存性の
入力光強度により変化することを抑制し、広い範囲の入
力光強度に対して利得波長依存性が一定なことを目的と
する。 【構成】 第１の光増幅部１４〜１８は、光増幅動作を
行う元素又はイオンの総量が少なく、上記元素の総量に
対して過大な第１の励起光により励起されて、入力され
る信号光を増幅する。第２の光増幅部２８〜３２は、上
記第１の光増幅部に対して光増幅動作を行う元素又はイ
オンの総量が多く、一定強度の第２の励起光により励起
されて第１の光増幅部の出力する信号光を増幅する。第
１の制御部２１〜２４は、上記第１の光増幅部の出力す
る信号光の光強度を一定とするように制御する。
入力光強度により変化することを抑制し、広い範囲の入
力光強度に対して利得波長依存性が一定なことを目的と
する。 【構成】 第１の光増幅部１４〜１８は、光増幅動作を
行う元素又はイオンの総量が少なく、上記元素の総量に
対して過大な第１の励起光により励起されて、入力され
る信号光を増幅する。第２の光増幅部２８〜３２は、上
記第１の光増幅部に対して光増幅動作を行う元素又はイ
オンの総量が多く、一定強度の第２の励起光により励起
されて第１の光増幅部の出力する信号光を増幅する。第
１の制御部２１〜２４は、上記第１の光増幅部の出力す
る信号光の光強度を一定とするように制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光増幅器に関し、伝送路
の途中で光増幅を行う光増幅器に関する。光通信におい
て、信号を波長多重する方式を適用するにあっては、光
増幅器の利得が信号波長に対して変化することのない光
増幅器が要求されている。
の途中で光増幅を行う光増幅器に関する。光通信におい
て、信号を波長多重する方式を適用するにあっては、光
増幅器の利得が信号波長に対して変化することのない光
増幅器が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来の光増幅器では光出力を一定に制御
する等の光出力制御については既に実用化されている。
しかし、光増幅器の利得が信号波長に依存する利得波長
依存性については研究段階である。
する等の光出力制御については既に実用化されている。
しかし、光増幅器の利得が信号波長に依存する利得波長
依存性については研究段階である。
【０００３】利得波長依存性の制御方法としては増幅媒
体の組成を調整することにより利得波長依存性をコント
ロールする方法や異なる組成の増幅媒体を組み合わせる
ことにより利得波長依存性をコントロールする方法、増
幅媒体の利得波長依存性をコンペンセートするようなフ
ィルタと組み合わせる事により利得波長依存性をコント
ロールする方法などが従来から提案されている。
体の組成を調整することにより利得波長依存性をコント
ロールする方法や異なる組成の増幅媒体を組み合わせる
ことにより利得波長依存性をコントロールする方法、増
幅媒体の利得波長依存性をコンペンセートするようなフ
ィルタと組み合わせる事により利得波長依存性をコント
ロールする方法などが従来から提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
どの方式においても、利得波長依存性の入力光強度に対
する依存性を解消出来ない。また、稀土類ドープガラス
を用いた光増幅器の場合では、ホストガラスとして弗化
物ガラスを用いることにより、吸収放出断面積の波長依
存性が小さくなりそれを用いた光増幅器も研究用として
は商用化されているが、弗化物ガラスが耐水性の点で信
頼性が低く、また通常のガラスとの融点が隔たっている
ために接続のためのスプライスが困難である、弗化物ガ
ラス自体の信頼性が少ない、等の問題が有る為に幹線系
での商用に用いるのは困難であるという問題があった。
どの方式においても、利得波長依存性の入力光強度に対
する依存性を解消出来ない。また、稀土類ドープガラス
を用いた光増幅器の場合では、ホストガラスとして弗化
物ガラスを用いることにより、吸収放出断面積の波長依
存性が小さくなりそれを用いた光増幅器も研究用として
は商用化されているが、弗化物ガラスが耐水性の点で信
頼性が低く、また通常のガラスとの融点が隔たっている
ために接続のためのスプライスが困難である、弗化物ガ
ラス自体の信頼性が少ない、等の問題が有る為に幹線系
での商用に用いるのは困難であるという問題があった。
【０００５】また、光増幅器の利得波長依存性には、図
１７に示す如き入力光強度依存性がある。この図はエル
ビウム・ドープ・ファイバ増幅器の特性図であり、プロ
ーブ光を１５５０〜１５５４nmの範囲でスイープさせて
最大利得の波長に対する差を利得差として表わしてい
る。しかるに従来においては、このような利得波長依存
性の入力光強度依存性については何ら考慮がされていな
い。
１７に示す如き入力光強度依存性がある。この図はエル
ビウム・ドープ・ファイバ増幅器の特性図であり、プロ
ーブ光を１５５０〜１５５４nmの範囲でスイープさせて
最大利得の波長に対する差を利得差として表わしてい
る。しかるに従来においては、このような利得波長依存
性の入力光強度依存性については何ら考慮がされていな
い。
【０００６】このため、海底光ファイバでは光ファイバ
の一定長毎に光中継器を設けられるため、入力光強度依
存性を補償するような光増幅特性を与え、利得波長依存
性を最適化することが可能であるが、現在の光中継器を
陸上の増幅中継方式に用いた場合には、各中継器が設置
される場所に応じて各中継器の利得波長依存性を最適化
しなければならないために伝送路の柔軟性が低下し光増
幅器を用いるメリットが減少するという問題があった。
の一定長毎に光中継器を設けられるため、入力光強度依
存性を補償するような光増幅特性を与え、利得波長依存
性を最適化することが可能であるが、現在の光中継器を
陸上の増幅中継方式に用いた場合には、各中継器が設置
される場所に応じて各中継器の利得波長依存性を最適化
しなければならないために伝送路の柔軟性が低下し光増
幅器を用いるメリットが減少するという問題があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
利得波長依存性の入力光強度により変化することを抑制
し、広い範囲の入力光強度に対して利得波長依存性が一
定となる光増幅器を提供することを目的とする。
利得波長依存性の入力光強度により変化することを抑制
し、広い範囲の入力光強度に対して利得波長依存性が一
定となる光増幅器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、光増幅動作を行う元素又はイオンの総量が少なく、
上記元素の総量に対して過大な第１の励起光により励起
されて、入力される信号光を増幅する第１の光増幅部
と、上記第１の光増幅部に対して光増幅動作を行う元素
又はイオンの総量が多く、一定強度の第２の励起光によ
り励起されて第１の光増幅部の出力する信号光を増幅す
る第２の光増幅部と、上記第１の光増幅部の出力する信
号光の光強度を一定とするように制御する第１の制御部
とを有する。
は、光増幅動作を行う元素又はイオンの総量が少なく、
上記元素の総量に対して過大な第１の励起光により励起
されて、入力される信号光を増幅する第１の光増幅部
と、上記第１の光増幅部に対して光増幅動作を行う元素
又はイオンの総量が多く、一定強度の第２の励起光によ
り励起されて第１の光増幅部の出力する信号光を増幅す
る第２の光増幅部と、上記第１の光増幅部の出力する信
号光の光強度を一定とするように制御する第１の制御部
とを有する。
【０００９】請求項２に記載の発明では、前記第１の制
御部は、第１の励起光の光強度を制御して第１の光増幅
部の出力する信号光の光強度を一定とする。請求項３に
記載の発明では、前記第１の制御部は、入力される信号
光の減衰量を制御して第１の光増幅部の出力する信号光
の光強度を一定とする。
御部は、第１の励起光の光強度を制御して第１の光増幅
部の出力する信号光の光強度を一定とする。請求項３に
記載の発明では、前記第１の制御部は、入力される信号
光の減衰量を制御して第１の光増幅部の出力する信号光
の光強度を一定とする。
【００１０】請求項４に記載の発明は、第３の励起光に
より励起されて、入力される信号光を増幅する第３の光
増幅部と、上記第３の光増幅部に第３の励起光とは波長
の異なる第４の励起光を供給して光増幅動作を行う元素
又はイオンの増幅に与る準位と増幅に与らない準位との
反転分布を生成する反転分布生成部と、上記反転分布に
より生じるＡＳＥを測定するＡＳＥ測定部と、上記第３
の光増幅部の出力する信号光の光強度を一定とするよう
に制御する第２の制御部と、上記ＡＳＥ測定部の測定結
果からＡＳＥのピーク波長又は所定波長を一定とするよ
うに第４の励起光を制御する第３の制御部とを有する。
より励起されて、入力される信号光を増幅する第３の光
増幅部と、上記第３の光増幅部に第３の励起光とは波長
の異なる第４の励起光を供給して光増幅動作を行う元素
又はイオンの増幅に与る準位と増幅に与らない準位との
反転分布を生成する反転分布生成部と、上記反転分布に
より生じるＡＳＥを測定するＡＳＥ測定部と、上記第３
の光増幅部の出力する信号光の光強度を一定とするよう
に制御する第２の制御部と、上記ＡＳＥ測定部の測定結
果からＡＳＥのピーク波長又は所定波長を一定とするよ
うに第４の励起光を制御する第３の制御部とを有する。
【００１１】請求項５に記載の発明では、前記ＡＳＥ測
定部は、信号光の進行方向と同一方向に進行するＡＳＥ
を測定する。請求項６に記載の発明では、前記ＡＳＥ測
定部は、信号光の進行方向と逆方向に進行するＡＳＥを
測定する。
定部は、信号光の進行方向と同一方向に進行するＡＳＥ
を測定する。請求項６に記載の発明では、前記ＡＳＥ測
定部は、信号光の進行方向と逆方向に進行するＡＳＥを
測定する。
【００１２】請求項７に記載の発明では、前記ＡＳＥ測
定部は、ＡＳＥのピーク波長を測定する。請求項８に記
載の発明は、前記ＡＳＥ測定部は、ＡＳＥの所定波長を
測定する。
定部は、ＡＳＥのピーク波長を測定する。請求項８に記
載の発明は、前記ＡＳＥ測定部は、ＡＳＥの所定波長を
測定する。
【００１３】請求項９に記載の発明は、第３の励起光に
より励起されて、入力される信号光を増幅する第３の光
増幅部と、上記第３の光増幅部に第３の励起光とは波長
の異なる第４の励起光を供給して光増幅動作を行う元素
又はイオンの反転分布を生成する反転分布生成部と、上
記第３の励起光と第４の励起光とを供給されており、そ
の出力光を入力光としてループを形成し、ループ内にア
ッティネータを有する第４の光増幅器と、上記第３の光
増幅部に入力される信号光に応じて上記アッティネータ
の減衰量を制御する減衰制御部と、上記アッティネータ
の出力するＡＳＥに応じて上記第４の励起光の光強度を
制御する第４の制御部と、上記第３の光増幅器の出力す
る信号光の光強度を一定とするように制御する第５の制
御部とを有する。
より励起されて、入力される信号光を増幅する第３の光
増幅部と、上記第３の光増幅部に第３の励起光とは波長
の異なる第４の励起光を供給して光増幅動作を行う元素
又はイオンの反転分布を生成する反転分布生成部と、上
記第３の励起光と第４の励起光とを供給されており、そ
の出力光を入力光としてループを形成し、ループ内にア
ッティネータを有する第４の光増幅器と、上記第３の光
増幅部に入力される信号光に応じて上記アッティネータ
の減衰量を制御する減衰制御部と、上記アッティネータ
の出力するＡＳＥに応じて上記第４の励起光の光強度を
制御する第４の制御部と、上記第３の光増幅器の出力す
る信号光の光強度を一定とするように制御する第５の制
御部とを有する。
【００１４】請求項１０に記載の発明は、第３の励起光
により励起されて、入力される信号光を増幅する第３の
光増幅部と、上記第３の光増幅部に第４の励起光を供給
して光増幅動作を行う元素又はイオンの反転分布を生成
する反転分布生成部と、上記第３の光増幅部による信号
光の利得と第４の励起光の損失とを求め、上記利得と損
失とに応じて上記第３の励起光の光強度を制御する第６
の制御部とを有する。
により励起されて、入力される信号光を増幅する第３の
光増幅部と、上記第３の光増幅部に第４の励起光を供給
して光増幅動作を行う元素又はイオンの反転分布を生成
する反転分布生成部と、上記第３の光増幅部による信号
光の利得と第４の励起光の損失とを求め、上記利得と損
失とに応じて上記第３の励起光の光強度を制御する第６
の制御部とを有する。
【００１５】請求項１１に記載の発明は、増幅媒体の長
さが可変可能とされており、前記第３の励起光により励
起されて、入力される信号光を増幅する第５の光増幅部
と、上記第５の光増幅部に供給される信号光の光強度に
応じて第５の光増幅部の増幅媒体の長さを可変制御する
第７の制御部と、上記第５の光増幅部の出力する信号光
の光強度に応じて上記第３の励起光の光強度を制御する
第８の制御部とを有する。
さが可変可能とされており、前記第３の励起光により励
起されて、入力される信号光を増幅する第５の光増幅部
と、上記第５の光増幅部に供給される信号光の光強度に
応じて第５の光増幅部の増幅媒体の長さを可変制御する
第７の制御部と、上記第５の光増幅部の出力する信号光
の光強度に応じて上記第３の励起光の光強度を制御する
第８の制御部とを有する。
【００１６】請求項１２に記載の発明は、第３の励起光
により励起されて、入力される信号光を増幅する第３の
光増幅部と、上記第３の光増幅部による信号光の利得を
一定とするよう上記第３の励起光の光強度を制御する第
９の制御部と、上記第３の光増幅部の出力する信号光の
光強度を一定とするように制御する第１０の制御部とを
有する。
により励起されて、入力される信号光を増幅する第３の
光増幅部と、上記第３の光増幅部による信号光の利得を
一定とするよう上記第３の励起光の光強度を制御する第
９の制御部と、上記第３の光増幅部の出力する信号光の
光強度を一定とするように制御する第１０の制御部とを
有する。
【００１７】請求項１３に記載の発明は、請求項１２記
載の光増幅器において、前記第１０の制御部で制御され
た信号光を供給され、一定強度の第２の励起光により励
起されて上記信号光を増幅する第２の光増幅部を有す
る。請求項１４に記載の発明は、請求項４記載の光増幅
器において、前記第３の光増幅部の出力する信号光を供
給され、一定強度の第２の励起光により励起されて上記
信号光を増幅する第２の光増幅部を有する。
載の光増幅器において、前記第１０の制御部で制御され
た信号光を供給され、一定強度の第２の励起光により励
起されて上記信号光を増幅する第２の光増幅部を有す
る。請求項１４に記載の発明は、請求項４記載の光増幅
器において、前記第３の光増幅部の出力する信号光を供
給され、一定強度の第２の励起光により励起されて上記
信号光を増幅する第２の光増幅部を有する。
【００１８】請求項１５に記載の発明は、請求項９記載
の光増幅器において、前記第３の光増幅部の出力する信
号光を供給され、一定強度の第２の励起光により励起さ
れて上記信号光を増幅する第２の光増幅部を有する。請
求項１６に記載の発明は、請求項１０記載の光増幅器に
おいて、前記第３の光増幅部の出力する信号光を供給さ
れ、一定強度の第２の励起光により励起されて上記信号
光を増幅する第２の光増幅部を有する。
の光増幅器において、前記第３の光増幅部の出力する信
号光を供給され、一定強度の第２の励起光により励起さ
れて上記信号光を増幅する第２の光増幅部を有する。請
求項１６に記載の発明は、請求項１０記載の光増幅器に
おいて、前記第３の光増幅部の出力する信号光を供給さ
れ、一定強度の第２の励起光により励起されて上記信号
光を増幅する第２の光増幅部を有する。
【００１９】
【作用】請求項１に記載の発明においては、第１の光増
幅部で光増幅動作を行う元素又はイオンの総量が少な
く、過大な励起光により励起することにより、利得を略
一定として利得波長依存性の入力光強度依存性を小さく
し、その後、出力する信号光の光強度を一定として出力
することにより、利得波長依存性の入力光強度依存性を
抑制できる。
幅部で光増幅動作を行う元素又はイオンの総量が少な
く、過大な励起光により励起することにより、利得を略
一定として利得波長依存性の入力光強度依存性を小さく
し、その後、出力する信号光の光強度を一定として出力
することにより、利得波長依存性の入力光強度依存性を
抑制できる。
【００２０】請求項２に記載の発明においては、励起光
の光強度を制御することにより、利得を略一定とした状
態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定とする
ことができる。請求項３に記載の発明においては、入力
信号光の減衰量を制御することにより、利得を一定とし
た状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定と
することができる。
の光強度を制御することにより、利得を略一定とした状
態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定とする
ことができる。請求項３に記載の発明においては、入力
信号光の減衰量を制御することにより、利得を一定とし
た状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定と
することができる。
【００２１】請求項４に記載の発明においては、第４の
励起光を第３の増幅部に供給することにより反転分布を
生成し、出力信号光の光強度を一定とした上で測定した
ＡＳＥに応じて第４の励起光を制御することにより、利
得が入力信号光強度に応じて可変された場合も反転分布
を可変して増幅に与る元素又はイオンの総量を制御し、
利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制できる。
励起光を第３の増幅部に供給することにより反転分布を
生成し、出力信号光の光強度を一定とした上で測定した
ＡＳＥに応じて第４の励起光を制御することにより、利
得が入力信号光強度に応じて可変された場合も反転分布
を可変して増幅に与る元素又はイオンの総量を制御し、
利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制できる。
【００２２】請求項５に記載の発明においては、信号光
と同一方向に進行するＡＳＥを測定することにより、反
転分布の状態を知ることができる。請求項６に記載の発
明においては、信号光と逆方向に進行するＡＳＥを測定
することにより、信号光の影響を受けることなく反転分
布の状態を知ることができる。
と同一方向に進行するＡＳＥを測定することにより、反
転分布の状態を知ることができる。請求項６に記載の発
明においては、信号光と逆方向に進行するＡＳＥを測定
することにより、信号光の影響を受けることなく反転分
布の状態を知ることができる。
【００２３】請求項７に記載の発明においては、ＡＳＥ
ピーク波長を測定することにより反転分布の状態を正確
に知ることができる。請求項８に記載の発明において
は、ＡＳＥ所定波長を測定することにより、簡易に反転
分布の状態を知ることができる。
ピーク波長を測定することにより反転分布の状態を正確
に知ることができる。請求項８に記載の発明において
は、ＡＳＥ所定波長を測定することにより、簡易に反転
分布の状態を知ることができる。
【００２４】請求項９に記載の発明においては、第３の
光増幅部の出力光に比例した光強度で動作する第４の増
幅器によりＡＳＥ周回系を形成し、第３の増幅器が最適
な利得波長依存性を持つ状態でＡＳＥ周回系のピーク波
長が変化しないように第４の励起光の光強度を制御する
ことにより、第３の光増幅部の反転分布が一定の状態で
動作を行い、入力光の光強度による利得波長依存性の変
化を抑制できる。
光増幅部の出力光に比例した光強度で動作する第４の増
幅器によりＡＳＥ周回系を形成し、第３の増幅器が最適
な利得波長依存性を持つ状態でＡＳＥ周回系のピーク波
長が変化しないように第４の励起光の光強度を制御する
ことにより、第３の光増幅部の反転分布が一定の状態で
動作を行い、入力光の光強度による利得波長依存性の変
化を抑制できる。
【００２５】請求項１０に記載の発明においては、信号
光の利得と第３の励起光の損失とに応じて第３の励起光
の光強度を制御するため、反転分布状態を一定として光
増幅を行うことができ、利得波長依存性の入力光強度依
存性を抑制できる。請求項１１に記載の発明において
は、入力信号光の光強度に応じて増幅媒体の長さを可変
することにより、入力信号光強度によらず増幅を行う元
素又はイオンの増幅に与る総量を略一定とすることがで
き、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制すること
ができる。
光の利得と第３の励起光の損失とに応じて第３の励起光
の光強度を制御するため、反転分布状態を一定として光
増幅を行うことができ、利得波長依存性の入力光強度依
存性を抑制できる。請求項１１に記載の発明において
は、入力信号光の光強度に応じて増幅媒体の長さを可変
することにより、入力信号光強度によらず増幅を行う元
素又はイオンの増幅に与る総量を略一定とすることがで
き、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制すること
ができる。
【００２６】請求項１２に記載の発明においては、第３
の増幅部が利得一定となるよう制御され、その出力信号
光の光強度を一定とするため、上記利得一定の増幅によ
り利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制することが
できる。請求項１３に記載の発明においては、請求項１
２の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増幅し
て出力するため、利得波長依存性の入力光強度依存性を
抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
の増幅部が利得一定となるよう制御され、その出力信号
光の光強度を一定とするため、上記利得一定の増幅によ
り利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制することが
できる。請求項１３に記載の発明においては、請求項１
２の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増幅し
て出力するため、利得波長依存性の入力光強度依存性を
抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
【００２７】請求項１４に記載の発明においては、請求
項４の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増幅
して出力するため、利得波長依存性の入力光強度依存性
を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。請求項１
５に記載の発明においては、請求項９の光増幅器の出力
を利得一定の第２の増幅部で増幅して出力するため、利
得波長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信
号利得を大きくできる。
項４の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増幅
して出力するため、利得波長依存性の入力光強度依存性
を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。請求項１
５に記載の発明においては、請求項９の光増幅器の出力
を利得一定の第２の増幅部で増幅して出力するため、利
得波長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信
号利得を大きくできる。
【００２８】請求項１６に記載の発明においては、請求
項１０の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増
幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度依存
性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
項１０の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増
幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度依存
性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
【００２９】
【実施例】図１は本発明の第１実施例のブロック構成図
を示す。同図中、光入力端子１０には波長１５５０nm帯
又は１５６０nm帯の信号光が入来する。光アイソレータ
１２は例えばファラデー素子を用いたもので光増幅器の
発振防止のために設けられており、上記の信号光は光ア
イソレータ１２を通して波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１
４に供給される。ＷＤＭ１４はレーザダイオード（Ｌ
Ｄ）１６から供給される信号光波長と異なる例えば波長
９８０nm又は１４８０nmの第１の励起光を上記信号光に
合波する例えばファイバ型のものであり、励起光を合波
された信号光はエルドウムドープファイバ（ＥＤＦ）１
８に供給される。
を示す。同図中、光入力端子１０には波長１５５０nm帯
又は１５６０nm帯の信号光が入来する。光アイソレータ
１２は例えばファラデー素子を用いたもので光増幅器の
発振防止のために設けられており、上記の信号光は光ア
イソレータ１２を通して波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１
４に供給される。ＷＤＭ１４はレーザダイオード（Ｌ
Ｄ）１６から供給される信号光波長と異なる例えば波長
９８０nm又は１４８０nmの第１の励起光を上記信号光に
合波する例えばファイバ型のものであり、励起光を合波
された信号光はエルドウムドープファイバ（ＥＤＦ）１
８に供給される。
【００３０】ＥＤＦ１８はエルビウムのドープ量を少量
に抑えた又はファイバ長Ｌが短かくしてエルビウムの総
量が少なくされており、ＷＤＭ１４及びＬＤ１６と共に
第１の光増幅器を構成するものであり、ＬＤ１６からの
励起光で過大な程度に励起されており、ここで増幅され
た信号光は光強度測定部２０に供給される。光強度測定
部２０は光カプラ２１とフォトダイオード２２とで構成
されており、光カプラ２１で分離された信号光の一部
（例えば１／１１）がフォトダイオード２２に供給さ
れ、ここで光強度が検出される。この光強度信号は自動
レベル制御回路（ＡＬＣ）２４に供給され、ＡＬＣ２４
において上記光強度信号に応じてレーザダイオード１６
が発生する励起光強度を制御することにより、ＥＤＦ１
８の出力光強度を次段のＥＤＦ３２の光増幅器での最適
値となるように最適化している。上記のＰＤ２２及びＡ
ＬＣ２４が第１の制御部に対応する。
に抑えた又はファイバ長Ｌが短かくしてエルビウムの総
量が少なくされており、ＷＤＭ１４及びＬＤ１６と共に
第１の光増幅器を構成するものであり、ＬＤ１６からの
励起光で過大な程度に励起されており、ここで増幅され
た信号光は光強度測定部２０に供給される。光強度測定
部２０は光カプラ２１とフォトダイオード２２とで構成
されており、光カプラ２１で分離された信号光の一部
（例えば１／１１）がフォトダイオード２２に供給さ
れ、ここで光強度が検出される。この光強度信号は自動
レベル制御回路（ＡＬＣ）２４に供給され、ＡＬＣ２４
において上記光強度信号に応じてレーザダイオード１６
が発生する励起光強度を制御することにより、ＥＤＦ１
８の出力光強度を次段のＥＤＦ３２の光増幅器での最適
値となるように最適化している。上記のＰＤ２２及びＡ
ＬＣ２４が第１の制御部に対応する。
【００３１】また、光カプラ２１で分離された信号光の
大部分は例えばファラディー素子を用いた光アイソレー
タ２６を通してＷＤＭ２８に供給される。アイソレータ
２６は次段のＥＤＦ３２で発生する逆方向に進行するＡ
ＳＥ（ＡｍｐｌｉｆｉｅｄＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ）成分がＥＤＦ１８に入り発振するのを
防止している。なお、この光アイソレータ２６は削除す
ることも可能である。ＷＤＭ２８はＬＤ３０から供給さ
れる例えば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号
光に合波してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ３０の発生す
る励起光強度に応じたバックパワーはＡＬＣ３４に供給
され、ＡＬＣ３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一
定となるようにＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエル
ビウムのドープ量をＥＤＦ１８に対して多くした、又は
ファイバ長を長くしてエルビウムの総量を多くされてお
り、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に第２の光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ１８で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た第２の励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２へ
の入力光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で
増幅された信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を
通して光出力端子３８より出力される。
大部分は例えばファラディー素子を用いた光アイソレー
タ２６を通してＷＤＭ２８に供給される。アイソレータ
２６は次段のＥＤＦ３２で発生する逆方向に進行するＡ
ＳＥ（ＡｍｐｌｉｆｉｅｄＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ）成分がＥＤＦ１８に入り発振するのを
防止している。なお、この光アイソレータ２６は削除す
ることも可能である。ＷＤＭ２８はＬＤ３０から供給さ
れる例えば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号
光に合波してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ３０の発生す
る励起光強度に応じたバックパワーはＡＬＣ３４に供給
され、ＡＬＣ３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一
定となるようにＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエル
ビウムのドープ量をＥＤＦ１８に対して多くした、又は
ファイバ長を長くしてエルビウムの総量を多くされてお
り、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に第２の光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ１８で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た第２の励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２へ
の入力光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で
増幅された信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を
通して光出力端子３８より出力される。
【００３２】ここで、ＥＤＦの利得波長依存性は、増幅
媒体の吸収断面積をσａ（λ），放出断面積をσｅ
（λ），増幅媒体の単位長さ当たりの増幅物質数を
ＮT ，二準位系の上準位に励起されている単位長さ当た
りの増幅物質数をＮ2 ，基底状態である下準位にある単
位長さ当たりの増幅物質数をＮ1 ，増幅媒体の光の進行
方向に対する増幅媒質の長さをＬとすると、光増幅器の
利得Ｇは次のように表すことができる。但し、Ａは定数
である。
媒体の吸収断面積をσａ（λ），放出断面積をσｅ
（λ），増幅媒体の単位長さ当たりの増幅物質数を
ＮT ，二準位系の上準位に励起されている単位長さ当た
りの増幅物質数をＮ2 ，基底状態である下準位にある単
位長さ当たりの増幅物質数をＮ1 ，増幅媒体の光の進行
方向に対する増幅媒質の長さをＬとすると、光増幅器の
利得Ｇは次のように表すことができる。但し、Ａは定数
である。
【００３３】 Ｇ（λ）＝Ａｅｘｐ〔∫L 0 ｛σｅ（λ）Ｎ2 −σａ（λ）Ｎ1 ｝ｄｚ〕 ・・・ (1) となる。（１）式より利得の波長依存性は増幅器の長手
方向のＮ2 とＮ1 の値と、吸収・放出断面積に依存し、
波長依存性の大きさは増幅器の長手方向にある増幅を行
う作用のある元素数に依存することがわかる。したがっ
て、光増幅器の利得波長依存性は増幅媒体とその濃度を
決めた場合、励起光強度と入力される信号光強度により
唯一きまるものであることがわかる。
方向のＮ2 とＮ1 の値と、吸収・放出断面積に依存し、
波長依存性の大きさは増幅器の長手方向にある増幅を行
う作用のある元素数に依存することがわかる。したがっ
て、光増幅器の利得波長依存性は増幅媒体とその濃度を
決めた場合、励起光強度と入力される信号光強度により
唯一きまるものであることがわかる。
【００３４】このことから、利得の波長依存性の入力光
強度依存性を無くすには 利得一定で光増幅器を動作させる。 入力光強度に応じて増幅を行う元素の総量をコント
ロールする。 増幅器入力が一定となる様に制御をかける。 等の方法がある。
強度依存性を無くすには 利得一定で光増幅器を動作させる。 入力光強度に応じて増幅を行う元素の総量をコント
ロールする。 増幅器入力が一定となる様に制御をかける。 等の方法がある。
【００３５】図１の実施例は、増幅元素または増幅イオ
ン数が少ないＥＤＦ１８と増幅元素または増幅イオン数
が多いＥＤＦを組み合わせたものである。（１）式より
利得波長依存性の相対変化の大きさは増幅作用を持つ元
素またはイオン数に比例し、その形は反転分布の値に依
存することから図１のような構成にして、利得波長依存
性の小さい前段部において後段部への入力光強度をＡＬ
Ｃ制御することにより利得波長依存性の大きい後段部へ
の入力光強度を一定とする事で入力による利得波長依存
性の変化の小さい光増幅器が得られる。
ン数が少ないＥＤＦ１８と増幅元素または増幅イオン数
が多いＥＤＦを組み合わせたものである。（１）式より
利得波長依存性の相対変化の大きさは増幅作用を持つ元
素またはイオン数に比例し、その形は反転分布の値に依
存することから図１のような構成にして、利得波長依存
性の小さい前段部において後段部への入力光強度をＡＬ
Ｃ制御することにより利得波長依存性の大きい後段部へ
の入力光強度を一定とする事で入力による利得波長依存
性の変化の小さい光増幅器が得られる。
【００３６】つまり、図１の実施例では、第１の光増幅
部で、光増幅動作を行う元素又はイオンの総量が少な
く、過大な励起光により励起することにより、利得を略
一定として利得波長依存性の入力光強度依存性を小さく
し、その後、第２の光増幅器から出力する信号光の光強
度を一定として出力することにより、利得波長依存性の
入力光強度依存性を抑制できる。また第１の制御部で、
励起光の光強度を制御することにより、利得を略一定と
した状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定
とすることができる。
部で、光増幅動作を行う元素又はイオンの総量が少な
く、過大な励起光により励起することにより、利得を略
一定として利得波長依存性の入力光強度依存性を小さく
し、その後、第２の光増幅器から出力する信号光の光強
度を一定として出力することにより、利得波長依存性の
入力光強度依存性を抑制できる。また第１の制御部で、
励起光の光強度を制御することにより、利得を略一定と
した状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定
とすることができる。
【００３７】図２は本発明の第２実施例のブロック構成
図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を
付す。図２において、光入力端子１０より入光する例え
ば波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレータ１２を通
してアッティネータ４０に供給される。このアッティネ
ータ４０はＡＬＣ２４によって減衰量を可変制御される
もので、例えば磁気光学効果又は音響光学効果を用いて
減衰量を変化させる光スイッチを用いる。
図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を
付す。図２において、光入力端子１０より入光する例え
ば波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレータ１２を通
してアッティネータ４０に供給される。このアッティネ
ータ４０はＡＬＣ２４によって減衰量を可変制御される
もので、例えば磁気光学効果又は音響光学効果を用いて
減衰量を変化させる光スイッチを用いる。
【００３８】アッティネータ４０の出力する信号光は光
強度測定部２０に供給される。光強度測定部２０は光カ
プラとフォトダイオード２１とで構成されており、光カ
プラ２１で分離された信号光の一部がフォトダイオード
２２に供給され、ここで光強度が検出される。この光強
度信号は自動レベル制御回路（ＡＬＣ）２４に供給さ
れ、ＡＬＣ２４において上記光強度信号に応じて光スイ
ッチ４０の減衰量を制御することにより、次段の光増幅
器に供給する信号光の光強度が最適値となるように最適
化している。
強度測定部２０に供給される。光強度測定部２０は光カ
プラとフォトダイオード２１とで構成されており、光カ
プラ２１で分離された信号光の一部がフォトダイオード
２２に供給され、ここで光強度が検出される。この光強
度信号は自動レベル制御回路（ＡＬＣ）２４に供給さ
れ、ＡＬＣ２４において上記光強度信号に応じて光スイ
ッチ４０の減衰量を制御することにより、次段の光増幅
器に供給する信号光の光強度が最適値となるように最適
化している。
【００３９】また、光カプラ２１で分離された信号光の
大部分はＷＤＭ２８に供給される。ＷＤＭ２８はＬＤ３
０から供給される例えば波長９８０nm又は１４８０nmの
励起光を信号光に合波してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ
３０の発生する励起光強度に応じたバックパワーはＡＬ
Ｃに供給され、ＡＬＣ３４はＬＤ３０の出力する励起光
強度が一定となるようにＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３
２はエルビウムのドープ量を多くした、又はファイバ長
を長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器で
あり、光スイッチ４０で入力光強度を最適化された信号
光を供給され、ＬＤ３０から光強度を最適化された励起
光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力光強度
が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅された信
号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して光出力
端子３８より出力される。
大部分はＷＤＭ２８に供給される。ＷＤＭ２８はＬＤ３
０から供給される例えば波長９８０nm又は１４８０nmの
励起光を信号光に合波してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ
３０の発生する励起光強度に応じたバックパワーはＡＬ
Ｃに供給され、ＡＬＣ３４はＬＤ３０の出力する励起光
強度が一定となるようにＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３
２はエルビウムのドープ量を多くした、又はファイバ長
を長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器で
あり、光スイッチ４０で入力光強度を最適化された信号
光を供給され、ＬＤ３０から光強度を最適化された励起
光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力光強度
が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅された信
号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して光出力
端子３８より出力される。
【００４０】このように光増幅器を一定動作させた状態
で前段のアッティネータ４０によりＥＤＦ３２への入力
光を一定とすることによりＥＤＦ３２の利得波長依存性
を最適化した動作点で常に動作させることができ、利得
波長依存性の入力光依存性をなくすことができる。
で前段のアッティネータ４０によりＥＤＦ３２への入力
光を一定とすることによりＥＤＦ３２の利得波長依存性
を最適化した動作点で常に動作させることができ、利得
波長依存性の入力光依存性をなくすことができる。
【００４１】図３は本発明の第３実施例のブロック構成
図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を
付す。図３において、光入力端子１０より入光する例え
ば波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレ
ータ１２を通して波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１４に供
給される。ＷＤＭ１４はレーザダイオード（ＬＤ）１６
から供給される信号光波長と異なる例えば波長９８０nm
の励起光を上記信号光に合波する例えばファイバ型のも
のであり、励起光を合波された信号光はエルドウムドー
プファイバ（ＥＤＦ）４２に供給される。
図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を
付す。図３において、光入力端子１０より入光する例え
ば波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレ
ータ１２を通して波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１４に供
給される。ＷＤＭ１４はレーザダイオード（ＬＤ）１６
から供給される信号光波長と異なる例えば波長９８０nm
の励起光を上記信号光に合波する例えばファイバ型のも
のであり、励起光を合波された信号光はエルドウムドー
プファイバ（ＥＤＦ）４２に供給される。
【００４２】ＥＤＦ４２はＷＤＭ１４及びＬＤ１６と共
に第３の光増幅器を構成するものであり、ここで増幅さ
れた信号光は光測定部４４に供給される。ところで、Ｅ
ＤＦ４２には後述のＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波
長８１０nmの励起光が供給され、これによってＥＤＦ４
２のホールバーニング又はＥＳＡ（ＥｘｃｉｔｅｄＳｔ
ａｔｅ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）が制御されている。
に第３の光増幅器を構成するものであり、ここで増幅さ
れた信号光は光測定部４４に供給される。ところで、Ｅ
ＤＦ４２には後述のＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波
長８１０nmの励起光が供給され、これによってＥＤＦ４
２のホールバーニング又はＥＳＡ（ＥｘｃｉｔｅｄＳｔ
ａｔｅ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）が制御されている。
【００４３】ＡＳＥ測定部としての光測定部４４は光カ
プラ４５と、スターカプラ４６と、光バンドパスフィル
タ４８ａ〜４８ｄと、フォトダイオード４７，４９ａ〜
４９ｄと、Ａ／Ｄコンバータ５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ
５２とより構成されている。光カプラ４５で分離された
信号光の一部（例えば１／１１）はスターカプラ４６で
５分岐されてフォトダイオード４７及び光バンドパスフ
ィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に供給される。
プラ４５と、スターカプラ４６と、光バンドパスフィル
タ４８ａ〜４８ｄと、フォトダイオード４７，４９ａ〜
４９ｄと、Ａ／Ｄコンバータ５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ
５２とより構成されている。光カプラ４５で分離された
信号光の一部（例えば１／１１）はスターカプラ４６で
５分岐されてフォトダイオード４７及び光バンドパスフ
ィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に供給される。
【００４４】フォトダイオード４７は光強度を検出し、
この光強度信号がＡＬＣ２４に供給され、ＡＬＣ２４に
おいてＥＤＦ４２の出力光の光強度が一定となるように
ＬＤ１６が発生する励起光強度が制御される。光バンド
パスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々は例えば波長１５４０
nm，１５５０nm，１５６０nm，１５７０nm夫々を通過さ
せる半値幅１nmの光フィルタであり、夫々を通過した自
然放出光はフォトダイオード４７ａ〜４７ｄ夫々におい
て光強度を検出される。これらの各帯域の自然放出光の
光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ〜５０ｄ夫々において
ディジタル化されてＣＰＵ５２に供給される。
この光強度信号がＡＬＣ２４に供給され、ＡＬＣ２４に
おいてＥＤＦ４２の出力光の光強度が一定となるように
ＬＤ１６が発生する励起光強度が制御される。光バンド
パスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々は例えば波長１５４０
nm，１５５０nm，１５６０nm，１５７０nm夫々を通過さ
せる半値幅１nmの光フィルタであり、夫々を通過した自
然放出光はフォトダイオード４７ａ〜４７ｄ夫々におい
て光強度を検出される。これらの各帯域の自然放出光の
光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ〜５０ｄ夫々において
ディジタル化されてＣＰＵ５２に供給される。
【００４５】ＣＰＵ５２は各帯域の光強度を３次の関数
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報として第３の制御部
に相当するバイアス制御回路５４に供給する。
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報として第３の制御部
に相当するバイアス制御回路５４に供給する。
【００４６】また、光カプラ２４で分離された信号光の
大部分はＷＤＭ５６に供給される。反転分布生成部を構
成するＷＤＭ５６はＬＤ５８から供給される例えば波長
８５０nmの第４の励起光を信号光に合波してＥＳＡ又は
ホールバーニングを起こさせる。ＬＤ５８の発生する励
起光強度に応じたバックパワーはバイアス制御回路５４
に供給されている。バイアス制御回路５４はバックパワ
ーに基づいて出力光にＡＬＣをかけた状態で、ＣＰＵ５
２から供給されるピーク波長情報に基づいてＡＳＥの最
大値の波長が変化しないようにＬＤ５８の出力を制御す
る。ＷＤＭ５６の出力する信号光は発振防止用の光アイ
ソレータ６０を通して光出力端子３８から出力される。
大部分はＷＤＭ５６に供給される。反転分布生成部を構
成するＷＤＭ５６はＬＤ５８から供給される例えば波長
８５０nmの第４の励起光を信号光に合波してＥＳＡ又は
ホールバーニングを起こさせる。ＬＤ５８の発生する励
起光強度に応じたバックパワーはバイアス制御回路５４
に供給されている。バイアス制御回路５４はバックパワ
ーに基づいて出力光にＡＬＣをかけた状態で、ＣＰＵ５
２から供給されるピーク波長情報に基づいてＡＳＥの最
大値の波長が変化しないようにＬＤ５８の出力を制御す
る。ＷＤＭ５６の出力する信号光は発振防止用の光アイ
ソレータ６０を通して光出力端子３８から出力される。
【００４７】ここで、ＥＤＦの如き稀土類ドープファイ
バ又は半導体光増幅器のバンド構造は模式的に表わすと
図４のようになる。増幅を行う元素又はイオンは波長９
８０nmの励起光で誘導放出が可能な準位まで励起され、
更に誘導放出が可能な準位の元素又はイオンは波長８５
０nmの励起光でホールバーニング又はＥＳＡを起こし誘
導放出が不能なつまり増幅に与らない準位まで励起され
る。図４におけるＮ1，Ｎ2 夫々は（１）式に対応して
いる。
バ又は半導体光増幅器のバンド構造は模式的に表わすと
図４のようになる。増幅を行う元素又はイオンは波長９
８０nmの励起光で誘導放出が可能な準位まで励起され、
更に誘導放出が可能な準位の元素又はイオンは波長８５
０nmの励起光でホールバーニング又はＥＳＡを起こし誘
導放出が不能なつまり増幅に与らない準位まで励起され
る。図４におけるＮ1，Ｎ2 夫々は（１）式に対応して
いる。
【００４８】つまり、ＥＳＡまたはホールバーニングを
おこすような波長８１０nmの光をＥＤＦ４２に入射する
ことにより、誘導放出を行うＮ2 の値をコントロール可
能である。この原理を用いることにより、反転分布係数
Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一定とした状態で増幅器の
利得を変化させることが出来る。反転分布係数はＡＳＥ
スペクトル形状を特徴付ける量であるので、ＥＤＦ４２
からの出力光のうち信号光波長の存在しない３つ以上の
離れた波長の自然放出光強度を比較し、それを測定波長
点数以下の次数の整数次数の関数で最小二乗法によりフ
ィッティングを行ったときにその最大値をとる波長が変
化しないようにする事により反転分布係数が一定の状態
で光増幅器を動作させることが出来る。利得の波長依存
性は（１）式より反転分布係数により唯一決定されるも
のであるので、この原理を用いる事により入力光によら
ず利得波長依存性が変化しない光増幅器を実現すること
が可能となる。この実施例は入力光強度に応じた増幅
を行う元素又はイオンの総量をコントロールする方法を
用いている。
おこすような波長８１０nmの光をＥＤＦ４２に入射する
ことにより、誘導放出を行うＮ2 の値をコントロール可
能である。この原理を用いることにより、反転分布係数
Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一定とした状態で増幅器の
利得を変化させることが出来る。反転分布係数はＡＳＥ
スペクトル形状を特徴付ける量であるので、ＥＤＦ４２
からの出力光のうち信号光波長の存在しない３つ以上の
離れた波長の自然放出光強度を比較し、それを測定波長
点数以下の次数の整数次数の関数で最小二乗法によりフ
ィッティングを行ったときにその最大値をとる波長が変
化しないようにする事により反転分布係数が一定の状態
で光増幅器を動作させることが出来る。利得の波長依存
性は（１）式より反転分布係数により唯一決定されるも
のであるので、この原理を用いる事により入力光によら
ず利得波長依存性が変化しない光増幅器を実現すること
が可能となる。この実施例は入力光強度に応じた増幅
を行う元素又はイオンの総量をコントロールする方法を
用いている。
【００４９】図５は本発明の第４実施例のブロック構成
図を示す。同図中、図３と同一部分には同一符号を付
す。図５において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレータ１２を通し
て波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１４に供給される。ＷＤ
Ｍ１４はレーザダイオード（ＬＤ）１６から供給される
信号光波長と異なる例えば波長９８０nmの励起光を上記
信号光に合波する例えばファイバ型のものであり、励起
光を合波された信号光は光測定部４４に供給される。
図を示す。同図中、図３と同一部分には同一符号を付
す。図５において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレータ１２を通し
て波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１４に供給される。ＷＤ
Ｍ１４はレーザダイオード（ＬＤ）１６から供給される
信号光波長と異なる例えば波長９８０nmの励起光を上記
信号光に合波する例えばファイバ型のものであり、励起
光を合波された信号光は光測定部４４に供給される。
【００５０】光測定部４４は光カプラ４５と、スターカ
プラ４６と、光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄと、
フォトダイオード４９ａ〜４９ｄと、Ａ／Ｄコンバータ
５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ５２とより構成されている。
光カプラ４５で分離された信号光の一部（例えば１／１
１）はスターカプラ４６で５分岐されてフォトダイオー
ド４７及び光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に
供給される。
プラ４６と、光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄと、
フォトダイオード４９ａ〜４９ｄと、Ａ／Ｄコンバータ
５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ５２とより構成されている。
光カプラ４５で分離された信号光の一部（例えば１／１
１）はスターカプラ４６で５分岐されてフォトダイオー
ド４７及び光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に
供給される。
【００５１】光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々
は例えば波長１５４０nm，１５５０nm，１５６０nm，１
５７０nm夫々を通過させる半値幅１nmの光フィルタであ
り、夫々を通過した自然放出光はフォトダイオード４７
ａ〜４７ｄ夫々において光強度を検出される。これらの
各帯域の自然放出光の光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ
〜５０ｄ夫々においてディジタル化されてＣＰＵ５２に
供給される。
は例えば波長１５４０nm，１５５０nm，１５６０nm，１
５７０nm夫々を通過させる半値幅１nmの光フィルタであ
り、夫々を通過した自然放出光はフォトダイオード４７
ａ〜４７ｄ夫々において光強度を検出される。これらの
各帯域の自然放出光の光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ
〜５０ｄ夫々においてディジタル化されてＣＰＵ５２に
供給される。
【００５２】ＣＰＵ５２は各帯域の光強度を３次の関数
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報としてバイアス制御
回路５４に供給する。また、光カプラ４５で分離された
信号光の大部分はＥＤＦ４２に供給される。ＥＤＦ４２
はＬＤ１６及びＷＤＭ１４と共に光増幅器を構成するも
のであり、ここで増幅された信号光はＷＤＭ５６に供給
される。ところで、ＥＤＦ４２にはＬＤ５８からＷＤＭ
５６を通して波長８５０nmの励起光が供給され、これに
よってＥＤＦ４２のホールバーニング又はＥＳＡが制御
されている。
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報としてバイアス制御
回路５４に供給する。また、光カプラ４５で分離された
信号光の大部分はＥＤＦ４２に供給される。ＥＤＦ４２
はＬＤ１６及びＷＤＭ１４と共に光増幅器を構成するも
のであり、ここで増幅された信号光はＷＤＭ５６に供給
される。ところで、ＥＤＦ４２にはＬＤ５８からＷＤＭ
５６を通して波長８５０nmの励起光が供給され、これに
よってＥＤＦ４２のホールバーニング又はＥＳＡが制御
されている。
【００５３】ＷＤＭ５６はＬＤ５８から供給される例え
ば波長８１０nmの励起光を信号光に合波してＥＳＡ又は
ホールバーニングを起こさせる。ＬＤ５８の発生する励
起光強度に応じたバックパワーはバイアス制御回路５４
に供給されている。更に、ＷＤＭ５６から出力される信
号光はＷＤＭ６２及び発振防止用の光アイソレータ６０
を通して光出力端子３８から出力される。
ば波長８１０nmの励起光を信号光に合波してＥＳＡ又は
ホールバーニングを起こさせる。ＬＤ５８の発生する励
起光強度に応じたバックパワーはバイアス制御回路５４
に供給されている。更に、ＷＤＭ５６から出力される信
号光はＷＤＭ６２及び発振防止用の光アイソレータ６０
を通して光出力端子３８から出力される。
【００５４】ＷＤＭ６２で分岐された信号光の一部はフ
ォトダイオード６４に供給されて信号光の光強度が検出
される。この光強度はＡＬＣ２４に供給され、ＥＤＦ４
２の出力光の光強度が一定となるようにＬＤ１６が発生
する励起光強度が制御される。
ォトダイオード６４に供給されて信号光の光強度が検出
される。この光強度はＡＬＣ２４に供給され、ＥＤＦ４
２の出力光の光強度が一定となるようにＬＤ１６が発生
する励起光強度が制御される。
【００５５】また、バイアス制御回路５４はバックパワ
ーに基づいて出力光にＡＬＣをかけた状態で、ＣＰＵ５
２から供給されるピーク波長情報に基づいてＡＳＥの最
大値の波長が変化しないようにＬＤ５８の出力を制御す
る。この実施例においても、ＥＤＦ４２からの出力光の
うち信号光波長の存在しない３つ以上の離れた波長の自
然放出光強度を比較し、それを測定波長点数以下の次数
の整数次数の関数で最小二乗法によりフィッティングを
行ったときにその最大値をとる波長が変化しないように
する事により反転分布係数が一定の状態で光増幅器を動
作させることが出来る。利得の波長依存性は（１）式よ
り反転分布係数により唯一決定されるものであるので、
この原理を用いる事により入力光によらず利得波長依存
性が変化しない光増幅器を実現することが可能となる。
ーに基づいて出力光にＡＬＣをかけた状態で、ＣＰＵ５
２から供給されるピーク波長情報に基づいてＡＳＥの最
大値の波長が変化しないようにＬＤ５８の出力を制御す
る。この実施例においても、ＥＤＦ４２からの出力光の
うち信号光波長の存在しない３つ以上の離れた波長の自
然放出光強度を比較し、それを測定波長点数以下の次数
の整数次数の関数で最小二乗法によりフィッティングを
行ったときにその最大値をとる波長が変化しないように
する事により反転分布係数が一定の状態で光増幅器を動
作させることが出来る。利得の波長依存性は（１）式よ
り反転分布係数により唯一決定されるものであるので、
この原理を用いる事により入力光によらず利得波長依存
性が変化しない光増幅器を実現することが可能となる。
【００５６】また、図３の実施例ではＥＤＦ４２の出力
光をモニタしてＡＳＥスペクトル形状を観測するのに対
して、図５の実施例では信号光の進行方向に対して逆方
向に進行するＡＳＥスペクトルを観測しているため、光
測定部４４に入る信号光がほとんどなく、信号光として
用いる波長に対して制限が加らないという特長がある。
光をモニタしてＡＳＥスペクトル形状を観測するのに対
して、図５の実施例では信号光の進行方向に対して逆方
向に進行するＡＳＥスペクトルを観測しているため、光
測定部４４に入る信号光がほとんどなく、信号光として
用いる波長に対して制限が加らないという特長がある。
【００５７】図６は本発明の第５実施例のブロック構成
図を示す。同図中、図５と同一部分には同一符号を付
す。図６において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレー
タ１２を通して波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１４に供給
される。ＷＤＭ１４はレーザダイオード（ＬＤ）１６か
ら供給される信号光波長と異なる例えば波長９８０nmの
励起光を上記信号光に合波する例えばファイバ型のもの
であり、励起光を合波された信号光はエルドウムドープ
ファイバ（ＥＤＦ）４２に供給される。
図を示す。同図中、図５と同一部分には同一符号を付
す。図６において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレー
タ１２を通して波長合分波ミラー（ＷＤＭ）１４に供給
される。ＷＤＭ１４はレーザダイオード（ＬＤ）１６か
ら供給される信号光波長と異なる例えば波長９８０nmの
励起光を上記信号光に合波する例えばファイバ型のもの
であり、励起光を合波された信号光はエルドウムドープ
ファイバ（ＥＤＦ）４２に供給される。
【００５８】ＥＤＦ４２はＷＤＭ１４及びＬＤ１６と共
に光増幅器を構成するものであり、ここで増幅された信
号光は光測定部７０に供給される。ところで、ＥＤＦ４
２には後述のＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波長８５
０nmの励起光が供給され、これによってＥＤＦ４２のホ
ールバーニング又はＥＳＡが制御されている。光測定部
７０は光カプラ４５と、光カプラ７２と、光バンドパス
フィルタ７３ａ，７３ｂと、フォトダイオード７４ａ，
７４ｂと、比較器７５とより構成されている。光カプラ
４５で分離された信号光の一部（例えば１／１１）は光
カプラ４６で２分岐されて光バンドパスフィルタ７３
ａ，７３ｂ夫々に供給される。
に光増幅器を構成するものであり、ここで増幅された信
号光は光測定部７０に供給される。ところで、ＥＤＦ４
２には後述のＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波長８５
０nmの励起光が供給され、これによってＥＤＦ４２のホ
ールバーニング又はＥＳＡが制御されている。光測定部
７０は光カプラ４５と、光カプラ７２と、光バンドパス
フィルタ７３ａ，７３ｂと、フォトダイオード７４ａ，
７４ｂと、比較器７５とより構成されている。光カプラ
４５で分離された信号光の一部（例えば１／１１）は光
カプラ４６で２分岐されて光バンドパスフィルタ７３
ａ，７３ｂ夫々に供給される。
【００５９】光バンドパスフィルタ７３ａ，７３ｂ夫々
は例えば波長１５５０nm，１５６０nm夫々を通過させる
半値幅１nmの光フィルタであり、夫々を通過した自然放
出光はフォトダイオード４７ａ〜４７ｄ夫々において光
強度を検出される。これらの各帯域の自然放出光の光強
度は比較器７５で比較される。比較器７５は両者の差を
比較結果としてバイアス制御回路７６に供給する。
は例えば波長１５５０nm，１５６０nm夫々を通過させる
半値幅１nmの光フィルタであり、夫々を通過した自然放
出光はフォトダイオード４７ａ〜４７ｄ夫々において光
強度を検出される。これらの各帯域の自然放出光の光強
度は比較器７５で比較される。比較器７５は両者の差を
比較結果としてバイアス制御回路７６に供給する。
【００６０】また、光カプラ２４で分離された信号光の
大部分はＷＤＭ５６に供給される。ＷＤＭ５６はＬＤ５
８から供給される例えば波長８５０nmの励起光を信号光
に合波してＥＳＡ又はホールバーニングを起こさせる。
ＬＤ５８の発生する励起光強度に応じたバックパワーは
バイアス制御回路７６に供給されている。更に、ＷＤＭ
５６から出力される信号光はＷＤＭ６２及び発振防止用
の光アイソレータ６０を通して光出力端子３８から出力
される。
大部分はＷＤＭ５６に供給される。ＷＤＭ５６はＬＤ５
８から供給される例えば波長８５０nmの励起光を信号光
に合波してＥＳＡ又はホールバーニングを起こさせる。
ＬＤ５８の発生する励起光強度に応じたバックパワーは
バイアス制御回路７６に供給されている。更に、ＷＤＭ
５６から出力される信号光はＷＤＭ６２及び発振防止用
の光アイソレータ６０を通して光出力端子３８から出力
される。
【００６１】ＷＤＭ６２で分岐された信号光の一部はフ
ォトダイオード６４に供給されて信号光の光強度が検出
される。この光強度はＡＬＣ２４に供給され、ＥＤＦ４
２の出力光の光強度が一定となるようにＬＤ１６が発生
する励起光強度が制御される。
ォトダイオード６４に供給されて信号光の光強度が検出
される。この光強度はＡＬＣ２４に供給され、ＥＤＦ４
２の出力光の光強度が一定となるようにＬＤ１６が発生
する励起光強度が制御される。
【００６２】バイアス制御回路７６はバックパワーに基
づいて出力光にＡＬＣをかけた状態で比較器７５の比較
結果に基づいてＡＳＥスペクトル形状が変化しないよう
にＬＤ５８の出力を制御する。例えばＰＤ７４ａ，７４
ｂ夫々の出力値が同一のとき所定のＡＳＥスペクトル形
状であるとし、ＰＤ７４ａ出力がＰＤ７４ｂ出力より大
なるとき光増幅に与る元素又はイオンの総量が多すぎる
とすれば、このとき、ＬＤ５８の出力を増大させてＥＳ
Ａ又はホールバーニング量を増加させ、ＰＤ７４ａ，７
４ｂ夫々の出力値が等しくなるように制御する。
づいて出力光にＡＬＣをかけた状態で比較器７５の比較
結果に基づいてＡＳＥスペクトル形状が変化しないよう
にＬＤ５８の出力を制御する。例えばＰＤ７４ａ，７４
ｂ夫々の出力値が同一のとき所定のＡＳＥスペクトル形
状であるとし、ＰＤ７４ａ出力がＰＤ７４ｂ出力より大
なるとき光増幅に与る元素又はイオンの総量が多すぎる
とすれば、このとき、ＬＤ５８の出力を増大させてＥＳ
Ａ又はホールバーニング量を増加させ、ＰＤ７４ａ，７
４ｂ夫々の出力値が等しくなるように制御する。
【００６３】つまり、反転分布係数が一定の状態で光増
幅器を動作させることが出来る。これより、反転分布係
数Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一定とした状態で増幅器
の利得を変化させることが出来る。利得の波長依存性は
（１）式より反転分布係数により唯一決定されるもので
あるので、この原理を用いる事により入力光によらず利
得波長依存性が変化しない光増幅器を実現することが可
能となる。ここで、モニタする波長点数はＡＳＥ形状に
応じて１点以上、幾つであってもかまわない。図７は本
発明の第６実施例のブロック構成図を示す。図７におい
て図６と異なる点は、光測定部７０がＥＤＦ４２より前
段にある点であり、図３の実施例に対する図５の実施例
と同一の関係である。
幅器を動作させることが出来る。これより、反転分布係
数Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一定とした状態で増幅器
の利得を変化させることが出来る。利得の波長依存性は
（１）式より反転分布係数により唯一決定されるもので
あるので、この原理を用いる事により入力光によらず利
得波長依存性が変化しない光増幅器を実現することが可
能となる。ここで、モニタする波長点数はＡＳＥ形状に
応じて１点以上、幾つであってもかまわない。図７は本
発明の第６実施例のブロック構成図を示す。図７におい
て図６と異なる点は、光測定部７０がＥＤＦ４２より前
段にある点であり、図３の実施例に対する図５の実施例
と同一の関係である。
【００６４】この図７の実施例においても、反転分布係
数が一定の状態で光増幅器を動作させることが出来る。
これより、反転分布係数Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一
定とした状態で増幅器の利得を変化させることが出来
る。利得の波長依存性は（１）式より反転分布係数によ
り唯一決定されるものであるので、この原理を用いる事
により入力光によらず利得波長依存性が変化しない光増
幅器を実現することが可能となる。ここで、モニタする
波長点数はＡＳＥ形状に応じて１点以上、幾つであって
もかまわない。
数が一定の状態で光増幅器を動作させることが出来る。
これより、反転分布係数Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一
定とした状態で増幅器の利得を変化させることが出来
る。利得の波長依存性は（１）式より反転分布係数によ
り唯一決定されるものであるので、この原理を用いる事
により入力光によらず利得波長依存性が変化しない光増
幅器を実現することが可能となる。ここで、モニタする
波長点数はＡＳＥ形状に応じて１点以上、幾つであって
もかまわない。
【００６５】また、図６の実施例ではＥＤＦ４２の出力
光をモニタしてＡＳＥスペクトル形状を観測するのに対
して、図７の実施例では信号光の進行方向に対して逆方
向に進行するＡＳＥスペクトルを観測しているため、光
測定部４４に入る信号光がほとんどなく、信号光として
用いる波長に対して制限が加らないという特長がある。
光をモニタしてＡＳＥスペクトル形状を観測するのに対
して、図７の実施例では信号光の進行方向に対して逆方
向に進行するＡＳＥスペクトルを観測しているため、光
測定部４４に入る信号光がほとんどなく、信号光として
用いる波長に対して制限が加らないという特長がある。
【００６６】図８は本発明の第７実施例のブロック構成
図を示す。同図中、図１と同一部分には同一符号を付
す。図８において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレー
タ１２を通し、カプラ８０に供給される。カプラ８０は
信号光の一部を分岐してＰＤ８１に供給し、ここで信号
光の光強度が検出されて制御回路８２に供給される。
図を示す。同図中、図１と同一部分には同一符号を付
す。図８において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレー
タ１２を通し、カプラ８０に供給される。カプラ８０は
信号光の一部を分岐してＰＤ８１に供給し、ここで信号
光の光強度が検出されて制御回路８２に供給される。
【００６７】一方、信号光の大部分はカプラ８０からＷ
ＤＭ１４に供給される。ＷＤＭ１４にはＬＤ１６で発生
された例えば波長９８０nmの励起光がカプラ８３を通し
て供給されており、ＷＤＭ１４は信号光に励起光を合波
してＥＤＦ４２に供給する。これによってＥＤＦ４２は
信号光を増幅する。また、ＥＤＦ４２にはＬＤ５８で発
生された例えば波長８５０nmの励起光がカプラ８４及び
ＷＤＭ５６を通して供給されており、これによりホール
バーニング又はＥＳＡが起きる。
ＤＭ１４に供給される。ＷＤＭ１４にはＬＤ１６で発生
された例えば波長９８０nmの励起光がカプラ８３を通し
て供給されており、ＷＤＭ１４は信号光に励起光を合波
してＥＤＦ４２に供給する。これによってＥＤＦ４２は
信号光を増幅する。また、ＥＤＦ４２にはＬＤ５８で発
生された例えば波長８５０nmの励起光がカプラ８４及び
ＷＤＭ５６を通して供給されており、これによりホール
バーニング又はＥＳＡが起きる。
【００６８】また、カプラ８３で分岐された波長９８０
nmの励起光の一部はＷＤＭ８６でループ光と合波されて
第４の光増幅器を構成するＥＤＦ８８に供給され、カプ
ラ８４で分岐された波長８５０nmの励起光の一部がＷＤ
Ｍ９０でループ光に合波されてＥＤＦ８８に供給され
る。ＷＤＭ８６，光アイソレータ９１，アッティネータ
（ＡＴＴ）９２，カプラ９３，ＷＤＭ９０，ＥＤＦ８８
はＡＳＥ周回系を形成しており、このＡＳＥ周回系では
利得が大きい波長のレベルが増大してピークを形成す
る。
nmの励起光の一部はＷＤＭ８６でループ光と合波されて
第４の光増幅器を構成するＥＤＦ８８に供給され、カプ
ラ８４で分岐された波長８５０nmの励起光の一部がＷＤ
Ｍ９０でループ光に合波されてＥＤＦ８８に供給され
る。ＷＤＭ８６，光アイソレータ９１，アッティネータ
（ＡＴＴ）９２，カプラ９３，ＷＤＭ９０，ＥＤＦ８８
はＡＳＥ周回系を形成しており、このＡＳＥ周回系では
利得が大きい波長のレベルが増大してピークを形成す
る。
【００６９】ＬＤ１６，５８夫々の出力一定としたと
き、入力信号光の光強度に応じて制御回路８２によりア
ッティネータ９２の減衰量を変化させるとＡＳＥ周回系
のループゲインが変化し、利得波長依存性の入力光強度
依存性によって上記ＡＳＥ周回系のピーク波長が変化す
る。
き、入力信号光の光強度に応じて制御回路８２によりア
ッティネータ９２の減衰量を変化させるとＡＳＥ周回系
のループゲインが変化し、利得波長依存性の入力光強度
依存性によって上記ＡＳＥ周回系のピーク波長が変化す
る。
【００７０】ここで、予め入力信号光の光強度を変化さ
せて上記ＥＤＦの利得ピーク波長が変化しないようなＬ
Ｄ１６の出力値と、ＬＤ５８の出力値とを調整して、そ
のときのＡＳＥ周回系のピーク波長が変化しないように
アッティネータ９２の減衰量を測定し、入力信号光強度
と共に制御回路８２に予めセットしておく。
せて上記ＥＤＦの利得ピーク波長が変化しないようなＬ
Ｄ１６の出力値と、ＬＤ５８の出力値とを調整して、そ
のときのＡＳＥ周回系のピーク波長が変化しないように
アッティネータ９２の減衰量を測定し、入力信号光強度
と共に制御回路８２に予めセットしておく。
【００７１】ＡＳＥ周回系のカプラ９３で分岐されたル
ープ光の一部は上記ＡＳＥ周回系のピーク波長を通過さ
せるバンドパスフィルタ９４を通してＰＤ９６に供給さ
れ、ピーク波長の光強度が検出されて第４の制御部とし
ての制御回路９８に供給され、制御回路９８はピーク波
長の光強度が最大となるようにＬＤ５８を制御する。
ープ光の一部は上記ＡＳＥ周回系のピーク波長を通過さ
せるバンドパスフィルタ９４を通してＰＤ９６に供給さ
れ、ピーク波長の光強度が検出されて第４の制御部とし
ての制御回路９８に供給され、制御回路９８はピーク波
長の光強度が最大となるようにＬＤ５８を制御する。
【００７２】ＷＤＭ５６の出力光はカプラ６２，光アイ
ソレータ６０を通して端子３８から出力される。これと
共に、カプラ６２で分岐された出力光の一部はＰＤ６４
に供給されて出力光の光強度が検出され、第４の制御部
としてのＡＬＣ２４はこの光強度に応じて出力光強度が
一定となるようにＬＤ１６を制御する。
ソレータ６０を通して端子３８から出力される。これと
共に、カプラ６２で分岐された出力光の一部はＰＤ６４
に供給されて出力光の光強度が検出され、第４の制御部
としてのＡＬＣ２４はこの光強度に応じて出力光強度が
一定となるようにＬＤ１６を制御する。
【００７３】つまり、入力光強度に応じてアッティネー
タ９２の減衰量を変化させてＡＳＥピーク波長が調整時
の波長となるようにＬＤ１６，５８夫々の励起光強度を
制御することにより、光増幅器の利得波長依存性が入力
光強度に応じて変化しないように制御できる。
タ９２の減衰量を変化させてＡＳＥピーク波長が調整時
の波長となるようにＬＤ１６，５８夫々の励起光強度を
制御することにより、光増幅器の利得波長依存性が入力
光強度に応じて変化しないように制御できる。
【００７４】なお、入力光強度に対応する制御量を記憶
して制御するのではなく、ＬＤ１６をＡＬＣ２４で制御
し、ＬＤ５８を制御回路９８で制御するのはＬＤ１６，
５８が経時変化により劣化し、特性が変化することの影
響を避けるためである。この実施例では、第３の光増幅
部であるＥＤＦ４２の出力光に比例した光強度で動作す
る第４の増幅器によりＡＳＥ周回系を形成し、第３の増
幅器が最適な利得波長依存性を持つ状態でＡＳＥ周回系
のピーク波長が変化しないように第４の励起光の光強度
を制御することにより、第３の光増幅部の反転分布が一
定の状態で動作を行い、入力光の光強度による利得波長
依存性の変化を抑制できる。
して制御するのではなく、ＬＤ１６をＡＬＣ２４で制御
し、ＬＤ５８を制御回路９８で制御するのはＬＤ１６，
５８が経時変化により劣化し、特性が変化することの影
響を避けるためである。この実施例では、第３の光増幅
部であるＥＤＦ４２の出力光に比例した光強度で動作す
る第４の増幅器によりＡＳＥ周回系を形成し、第３の増
幅器が最適な利得波長依存性を持つ状態でＡＳＥ周回系
のピーク波長が変化しないように第４の励起光の光強度
を制御することにより、第３の光増幅部の反転分布が一
定の状態で動作を行い、入力光の光強度による利得波長
依存性の変化を抑制できる。
【００７５】図９は本発明の第８実施例のブロック構成
図を示す。同図中、図１と同一部分には同一符号を付
す。図９において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレー
タ１２を通し、カプラ１００，１０２を通してＷＤＭ１
０４に供給され、ここでＬＤ５８で発生した波長８１０
nmの励起光を合波されてＥＤＦ４２に供給される。
図を示す。同図中、図１と同一部分には同一符号を付
す。図９において、光入力端子１０より入光する例えば
波長１５５０nm帯の信号光は発振防止用の光アイソレー
タ１２を通し、カプラ１００，１０２を通してＷＤＭ１
０４に供給され、ここでＬＤ５８で発生した波長８１０
nmの励起光を合波されてＥＤＦ４２に供給される。
【００７６】また、ＷＤＭ１０６にはＬＤ１６で発生さ
れた波長９８０nmの励起光がカプラ１１０を通して供給
されており、ＷＤＭ１０６において信号光に合波され
る。ＥＤＦ４２において上記波長９８０nmの励起光によ
って信号光が増幅され、また波長８５０nmの励起光によ
ってホールバーニング又はＥＳＡが起きる。上記ＥＤＦ
４２で増幅された信号光はＷＤＭ１０６より出力され、
カプラ１０８及び発振防止用の光アイソレータ６０を通
して光出力端子３８より出力される。
れた波長９８０nmの励起光がカプラ１１０を通して供給
されており、ＷＤＭ１０６において信号光に合波され
る。ＥＤＦ４２において上記波長９８０nmの励起光によ
って信号光が増幅され、また波長８５０nmの励起光によ
ってホールバーニング又はＥＳＡが起きる。上記ＥＤＦ
４２で増幅された信号光はＷＤＭ１０６より出力され、
カプラ１０８及び発振防止用の光アイソレータ６０を通
して光出力端子３８より出力される。
【００７７】カプラ１００は波長９８０nmの励起光を分
岐し、この励起光の光強度がＰＤ１１２で検出される。
カプラ１０２は入力信号光を分岐し、この入力信号光の
光強度がＰＤ１１４で検出される。カプラ１０８は出力
信号光を分岐し、この出力信号光の光強度がＰＤ１１６
で検出され、ＡＬＣ１１８はこの出力信号光強度が一定
となるようにＬＤ１６を制御する。更にカプラ１１０で
分岐された波長９８０nmの励起光の一部がＰＤ１２０に
供給され、励起光の光強度が検出される。
岐し、この励起光の光強度がＰＤ１１２で検出される。
カプラ１０２は入力信号光を分岐し、この入力信号光の
光強度がＰＤ１１４で検出される。カプラ１０８は出力
信号光を分岐し、この出力信号光の光強度がＰＤ１１６
で検出され、ＡＬＣ１１８はこの出力信号光強度が一定
となるようにＬＤ１６を制御する。更にカプラ１１０で
分岐された波長９８０nmの励起光の一部がＰＤ１２０に
供給され、励起光の光強度が検出される。
【００７８】損失演算部１２２はＰＤ１２０，１１２夫
々の検出光強度から波長９８０nmの励起光の損失を演算
し、利得演算部１２４はＰＤ１１６，１１４夫々の検出
光強度から信号光の利得を演算する。制御回路１２６は
信号光の利得の対数と、励起光の損失の対数との比を求
めることにより反転分布係数が一定となるようＬＤ５８
を制御して、入力光強度に拘らず利得波長依存性が変化
しない光増幅を行う。上記の損失演算部１２２、利得演
算部１２４、制御回路１２６が第６の制御部に対応す
る。
々の検出光強度から波長９８０nmの励起光の損失を演算
し、利得演算部１２４はＰＤ１１６，１１４夫々の検出
光強度から信号光の利得を演算する。制御回路１２６は
信号光の利得の対数と、励起光の損失の対数との比を求
めることにより反転分布係数が一定となるようＬＤ５８
を制御して、入力光強度に拘らず利得波長依存性が変化
しない光増幅を行う。上記の損失演算部１２２、利得演
算部１２４、制御回路１２６が第６の制御部に対応す
る。
【００７９】ここで、励起光波長（９８０nm）の損失Ｌ
ｏｓｓは（２）式で表わされる。 Ｌｏｓｓ＝Ａｅｘｐ（∫L 0 σａＮ1 ｄｚ） ・・・ (2) 長手方向のＮ2 ，長手方向の単位長さ当たりのトータル
の増幅物質数Ｎt 夫々の平均値をＮ，Ｔとすると、利得
Ｇ，損失Ｌｏｓｓとも次のように書ける。但し、ｔは反
転分布係数｛ｔ＝Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）｝である。
ｏｓｓは（２）式で表わされる。 Ｌｏｓｓ＝Ａｅｘｐ（∫L 0 σａＮ1 ｄｚ） ・・・ (2) 長手方向のＮ2 ，長手方向の単位長さ当たりのトータル
の増幅物質数Ｎt 夫々の平均値をＮ，Ｔとすると、利得
Ｇ，損失Ｌｏｓｓとも次のように書ける。但し、ｔは反
転分布係数｛ｔ＝Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）｝である。
【００８０】 Ｇ＝ｅｘｐ（（σａ＋σｅ）Ｎ−σａＴ）Ｌ ＝ｅｘｐ（（σａ＋σｅ）ｔ−σａ）ＴＬ ・・・ (3) Ｌｏｓｓ＝ｅｘｐ σａｐ（１−ｔ）ＴＬ ・・・ (4) 但し、σａｐは増幅媒体のポンプ光に対する吸収断面積
である。これから次式が成立する。
である。これから次式が成立する。
【００８１】
【数１】
【００８２】（５）式におけるσａ，σｅは定数である
ためＬＯＧ（Ｇ）／ＬＯＧ（Ｌｏｓｓ）を一定にすれ
ば、反転分布係数ｔとすることができる。この実施例で
は信号光の利得と励起光の損失とに応じてこの励起光の
光強度を制御するため、反転分布状態を一定として光増
幅を行うことができ、利得波長依存性の入力光強度依存
性を抑制できる。
ためＬＯＧ（Ｇ）／ＬＯＧ（Ｌｏｓｓ）を一定にすれ
ば、反転分布係数ｔとすることができる。この実施例で
は信号光の利得と励起光の損失とに応じてこの励起光の
光強度を制御するため、反転分布状態を一定として光増
幅を行うことができ、利得波長依存性の入力光強度依存
性を抑制できる。
【００８３】図１０は本発明の第９実施例のブロック構
成図を示す。同図中、図１と同一部分には同一符号を付
す。図１０において、光入力端子１０より入光する例え
ば波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレータ１２を通
してカプラ１２７に供給される。このカプラ１２７で分
岐された信号光の一部はＰＤ１２８に供給され、ここで
入力信号光の光強度が検出される。カプラ１２７を通過
した信号光の大部分はＷＤＭ１４に供給され、ここでＬ
Ｄ１６で発生された波長９８０nmの励起光が合波されて
ＥＤＦ１３０に供給される。
成図を示す。同図中、図１と同一部分には同一符号を付
す。図１０において、光入力端子１０より入光する例え
ば波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレータ１２を通
してカプラ１２７に供給される。このカプラ１２７で分
岐された信号光の一部はＰＤ１２８に供給され、ここで
入力信号光の光強度が検出される。カプラ１２７を通過
した信号光の大部分はＷＤＭ１４に供給され、ここでＬ
Ｄ１６で発生された波長９８０nmの励起光が合波されて
ＥＤＦ１３０に供給される。
【００８４】ＥＤＦ１３０はＥＤＦ１３２，１３４，１
３６，１３８とスイッチ１３１，１３３，１３５，１３
７を介して直列接続されている。スイッチ１３１，１３
３，１３５，１３７夫々は自スイッチの前段のＥＤＦ１
３０，１３２，１３４，１３６夫々を自スイッチの後段
のＥＤＦ１３２，１３４，１３６，１３８と接続する
か、又はスイッチ１４０と接続するかを第７の制御部で
ある制御回路１４２よりの制御信号に応じて切換える。
ＥＤＦ１３０，１３２，１３４，１３６，１３８夫々は
長さの比が例えば５：１：１：１：１とされており、ス
イッチ１３１，１３２，１３４，１３６夫々の切換えに
よって信号光の増幅に与かる長さを切換えられるもので
あり、第５の光増幅部を構成している。
３６，１３８とスイッチ１３１，１３３，１３５，１３
７を介して直列接続されている。スイッチ１３１，１３
３，１３５，１３７夫々は自スイッチの前段のＥＤＦ１
３０，１３２，１３４，１３６夫々を自スイッチの後段
のＥＤＦ１３２，１３４，１３６，１３８と接続する
か、又はスイッチ１４０と接続するかを第７の制御部で
ある制御回路１４２よりの制御信号に応じて切換える。
ＥＤＦ１３０，１３２，１３４，１３６，１３８夫々は
長さの比が例えば５：１：１：１：１とされており、ス
イッチ１３１，１３２，１３４，１３６夫々の切換えに
よって信号光の増幅に与かる長さを切換えられるもので
あり、第５の光増幅部を構成している。
【００８５】直列接続されるＥＤＦ１３０〜１３８のい
ずれかで増幅された信号光は制御回路１４２によって切
換えられるスイッチ１４０から出力されカプラ１４４に
供給される。カプラ１４４は信号光の大部分を発振防止
用の光アイソレータ６０を通して光出力端子３８より出
力する。また、光カプラ１４４で分岐された信号光の一
部はＰＤ１４６に供給され、ここで出力信号光の光強度
が検出される。
ずれかで増幅された信号光は制御回路１４２によって切
換えられるスイッチ１４０から出力されカプラ１４４に
供給される。カプラ１４４は信号光の大部分を発振防止
用の光アイソレータ６０を通して光出力端子３８より出
力する。また、光カプラ１４４で分岐された信号光の一
部はＰＤ１４６に供給され、ここで出力信号光の光強度
が検出される。
【００８６】Ａ／Ｄコンバータ１５０，１５２夫々はＰ
Ｄ１２８，１４６夫々で検出した入力信号光、出力信号
光夫々の光強度をディジタル化してＣＰＵ１５４に供給
する。ＣＰＵ１５４は入力信号光強度に応じて制御回路
１４２に指令を出しスイッチ１３１，１３３，１３５，
１３７夫々を切換えて増幅を行うＥＤＦの長さを切換え
る。ここでは入力信号光強度が大なる程ＥＤＦの長さを
短かく制御する。この後、出力信号光強度が一定となる
ように第８の制御部としての制御回路１５６を通してＬ
Ｄ１６を制御する。
Ｄ１２８，１４６夫々で検出した入力信号光、出力信号
光夫々の光強度をディジタル化してＣＰＵ１５４に供給
する。ＣＰＵ１５４は入力信号光強度に応じて制御回路
１４２に指令を出しスイッチ１３１，１３３，１３５，
１３７夫々を切換えて増幅を行うＥＤＦの長さを切換え
る。ここでは入力信号光強度が大なる程ＥＤＦの長さを
短かく制御する。この後、出力信号光強度が一定となる
ように第８の制御部としての制御回路１５６を通してＬ
Ｄ１６を制御する。
【００８７】この実施例では、入力信号光の光強度に応
じて増幅媒体の長さを可変することにより、入力信号光
強度によらず増幅を行う元素又はイオンの増幅に与る総
量を略一定とすることができ、利得波長依存性の入力光
強度依存性を抑制することができる。
じて増幅媒体の長さを可変することにより、入力信号光
強度によらず増幅を行う元素又はイオンの増幅に与る総
量を略一定とすることができ、利得波長依存性の入力光
強度依存性を抑制することができる。
【００８８】図１１は本発明の第１０実施例のブロック
構成図を示す。同図中、図３又は図１０と同一部分には
同一符号を付す。図１１において、光入力端子１０より
入光する例えば波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレ
ータ１２を通してカプラ１２７に供給される。このカプ
ラ１２７で分岐された信号光の一部はＰＤ１２８に供給
され、ここで入力信号光の光強度が検出される。カプラ
１２７を通過した信号光の大部分はＷＤＭ１４に供給さ
れ、ここでＬＤ１６で発生された波長９８０nmの励起光
が合波されてＥＤＦ４２に供給される。
構成図を示す。同図中、図３又は図１０と同一部分には
同一符号を付す。図１１において、光入力端子１０より
入光する例えば波長１５５０nm帯の信号光は光アイソレ
ータ１２を通してカプラ１２７に供給される。このカプ
ラ１２７で分岐された信号光の一部はＰＤ１２８に供給
され、ここで入力信号光の光強度が検出される。カプラ
１２７を通過した信号光の大部分はＷＤＭ１４に供給さ
れ、ここでＬＤ１６で発生された波長９８０nmの励起光
が合波されてＥＤＦ４２に供給される。
【００８９】ＥＤＦ４２で増幅された信号光はバンドパ
スフィルタ１５９で不要波長成分を除去されてカプラ１
４４に供給される。カプラ１４４は信号光の大部分を発
振防止用の光アイソレータ６０を通してアッティネータ
１６０に供給する。また、光カプラ１４４で分岐された
信号光の一部はＰＤ１４６に供給され、ここで出力信号
光の光強度が検出される。
スフィルタ１５９で不要波長成分を除去されてカプラ１
４４に供給される。カプラ１４４は信号光の大部分を発
振防止用の光アイソレータ６０を通してアッティネータ
１６０に供給する。また、光カプラ１４４で分岐された
信号光の一部はＰＤ１４６に供給され、ここで出力信号
光の光強度が検出される。
【００９０】第９の制御部としての自動利得制御回路
（ＡＧＣ）１５８はＰＤ１２８，１４６夫々より供給さ
れる入力信号光強度と出力信号光強度とが一定の比、つ
まりゲイン一定となるようにＬＤ１６を制御する。アッ
ティネータ１６０で減衰された出力信号光はカプラ１６
２に供給され、その大部分は光出力端子３８から出力さ
れる。また、カプラ１６２で分岐された出力信号光の一
部はＰＤ１６４に供給されて光強度が検出される。第１
０の制御部としてのＡＬＣ１６６はこの出力信号光強度
が一定となるようにアッティネータ１６０を制御する。
このようにアッティネータ１６０を設けているのはＥＤ
Ｆ４２におけるゲインが一定であり、入力信号光強度に
よってＥＤＦで増幅された信号光強度が変化するのを一
定とするためである。
（ＡＧＣ）１５８はＰＤ１２８，１４６夫々より供給さ
れる入力信号光強度と出力信号光強度とが一定の比、つ
まりゲイン一定となるようにＬＤ１６を制御する。アッ
ティネータ１６０で減衰された出力信号光はカプラ１６
２に供給され、その大部分は光出力端子３８から出力さ
れる。また、カプラ１６２で分岐された出力信号光の一
部はＰＤ１６４に供給されて光強度が検出される。第１
０の制御部としてのＡＬＣ１６６はこの出力信号光強度
が一定となるようにアッティネータ１６０を制御する。
このようにアッティネータ１６０を設けているのはＥＤ
Ｆ４２におけるゲインが一定であり、入力信号光強度に
よってＥＤＦで増幅された信号光強度が変化するのを一
定とするためである。
【００９１】図１２は本発明の第１１実施例のブロック
構成図を示す。この実施例は図１における光入力端子１
０から光アイソレータ２６までの前段部として図１１に
示す回路を用いたものである。図１２において、光入力
端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信号光
は光アイソレータ１２を通してカプラ１２７に供給され
る。このカプラ１２７で分岐された信号光の一部はＰＤ
１２８に供給され、ここで入力信号光の光強度が検出さ
れる。カプラ１２７を通過した信号光の大部分はＷＤＭ
１４に供給され、ここでＬＤ１６で発生された波長９８
０nmの励起光が合波されてＥＤＦ４２に供給される。Ｅ
ＤＦ４２はファイバー長が短かいものでＬＤ１２８から
の励起光で過大な程度に励起される。
構成図を示す。この実施例は図１における光入力端子１
０から光アイソレータ２６までの前段部として図１１に
示す回路を用いたものである。図１２において、光入力
端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信号光
は光アイソレータ１２を通してカプラ１２７に供給され
る。このカプラ１２７で分岐された信号光の一部はＰＤ
１２８に供給され、ここで入力信号光の光強度が検出さ
れる。カプラ１２７を通過した信号光の大部分はＷＤＭ
１４に供給され、ここでＬＤ１６で発生された波長９８
０nmの励起光が合波されてＥＤＦ４２に供給される。Ｅ
ＤＦ４２はファイバー長が短かいものでＬＤ１２８から
の励起光で過大な程度に励起される。
【００９２】ＥＤＦ４２で増幅された信号光はバンドパ
スフィルタ１５９で不要波長成分を除去されてカプラ１
４４に供給される。カプラ１４４は信号光の大部分を発
振防止用の光アイソレータ６０を通してアッティネータ
１６０に供給する。また、光カプラ１４４で分岐された
信号光の一部はＰＤ１４６に供給され、ここで出力信号
光の光強度が検出される。
スフィルタ１５９で不要波長成分を除去されてカプラ１
４４に供給される。カプラ１４４は信号光の大部分を発
振防止用の光アイソレータ６０を通してアッティネータ
１６０に供給する。また、光カプラ１４４で分岐された
信号光の一部はＰＤ１４６に供給され、ここで出力信号
光の光強度が検出される。
【００９３】ＡＧＣ１５８はＰＤ１２８，１４６夫々よ
り供給される入力信号光強度と出力信号光強度とが一定
の比、つまりゲイン一定となるようにＬＤ１６を制御す
る。アッティネータ１６０で減衰された出力信号光はカ
プラ１６２に供給され、その大部分は光出力端子３８か
ら出力される。また、カプラ１６２で分岐された出力信
号光の一部はＰＤ１６４に供給されて光強度が検出され
る。ＡＬＣ１６６はこの出力信号光強度が一定となるよ
うにアッティネータ１６０を制御する。これによってＥ
ＤＦ４２の出力光強度は次段のＥＤＦ３２の光増幅器で
の最適値となるように最適化される。
り供給される入力信号光強度と出力信号光強度とが一定
の比、つまりゲイン一定となるようにＬＤ１６を制御す
る。アッティネータ１６０で減衰された出力信号光はカ
プラ１６２に供給され、その大部分は光出力端子３８か
ら出力される。また、カプラ１６２で分岐された出力信
号光の一部はＰＤ１６４に供給されて光強度が検出され
る。ＡＬＣ１６６はこの出力信号光強度が一定となるよ
うにアッティネータ１６０を制御する。これによってＥ
ＤＦ４２の出力光強度は次段のＥＤＦ３２の光増幅器で
の最適値となるように最適化される。
【００９４】また、光カプラ１６２で分離された信号光
の大部分はＷＤＭ２８に供給される。ＷＤＭ２８はＬＤ
１６から供給される例えば波長９８０nm又は１４８０nm
の励起光を信号光に合波してＥＤＦ３２に供給する。Ｌ
Ｄ１６の発生する励起光強度に応じたバックパワーはＡ
ＬＣに供給され、ＡＬＣ３４はＬＤ３０の出力する励起
光強度が一定となるようにＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ
３２はエルビウムのドープ量をＥＤＦ４２に対して多く
した、又はファイバ長を長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ
３０と共に光増幅器を構成するものであり、ＥＤＦ４２
で入力光強度を最適化された信号光を供給され、ＬＤ３
０から強度を最適化された励起光を供給されることによ
り、ＥＤＦ３２への入力光強度が一定の条件とされてい
る。ＥＤＦ３２で増幅された信号光は発振防止用の光ア
イソレータ３６を通して光出力端子３８より出力され
る。
の大部分はＷＤＭ２８に供給される。ＷＤＭ２８はＬＤ
１６から供給される例えば波長９８０nm又は１４８０nm
の励起光を信号光に合波してＥＤＦ３２に供給する。Ｌ
Ｄ１６の発生する励起光強度に応じたバックパワーはＡ
ＬＣに供給され、ＡＬＣ３４はＬＤ３０の出力する励起
光強度が一定となるようにＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ
３２はエルビウムのドープ量をＥＤＦ４２に対して多く
した、又はファイバ長を長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ
３０と共に光増幅器を構成するものであり、ＥＤＦ４２
で入力光強度を最適化された信号光を供給され、ＬＤ３
０から強度を最適化された励起光を供給されることによ
り、ＥＤＦ３２への入力光強度が一定の条件とされてい
る。ＥＤＦ３２で増幅された信号光は発振防止用の光ア
イソレータ３６を通して光出力端子３８より出力され
る。
【００９５】この実施例では前段の光増幅器の出力を利
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１３は本発明の第１２実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
３に示す回路を用いたものである。図１３において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は発振防止用の光アイソレータ１２を通してＷＤＭ
１４に供給される。ＷＤＭ１４はＬＤ１６から供給され
る信号光波長と異なる例えば９８０nmの励起光を上記信
号光に合波する例えばファイバ型のものであり、励起光
を合波された信号光はファイバ長の短かいＥＤＦ４２に
供給される。ＥＤＦ４２はＬＤ１６からの励起光により
過大な程度に励起される。
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１３は本発明の第１２実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
３に示す回路を用いたものである。図１３において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は発振防止用の光アイソレータ１２を通してＷＤＭ
１４に供給される。ＷＤＭ１４はＬＤ１６から供給され
る信号光波長と異なる例えば９８０nmの励起光を上記信
号光に合波する例えばファイバ型のものであり、励起光
を合波された信号光はファイバ長の短かいＥＤＦ４２に
供給される。ＥＤＦ４２はＬＤ１６からの励起光により
過大な程度に励起される。
【００９６】ＥＤＦ４２はＷＤＭ１４及びＬＤ１６と共
に光増幅器を構成するものであり、ここで増幅された信
号光は光測定部４４に供給される。ところで、ＥＤＦ４
２には後述のＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波長８５
０nmの励起光が供給され、これによってＥＤＦ４２のホ
ールバーニング又はＥＳＡが制御されている。
に光増幅器を構成するものであり、ここで増幅された信
号光は光測定部４４に供給される。ところで、ＥＤＦ４
２には後述のＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波長８５
０nmの励起光が供給され、これによってＥＤＦ４２のホ
ールバーニング又はＥＳＡが制御されている。
【００９７】光測定部４４は光カプラ４５と、スターカ
プラ４６と、光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄと、
フォトダイオード４７，４９ａ〜４９ｄと、Ａ／Ｄコン
バータ５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ５２とより構成されて
いる。光カプラ４５で分離された信号光の一部はスター
カプラ４６で５分岐されてフォトダイオード４７及び光
バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に供給される。
プラ４６と、光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄと、
フォトダイオード４７，４９ａ〜４９ｄと、Ａ／Ｄコン
バータ５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ５２とより構成されて
いる。光カプラ４５で分離された信号光の一部はスター
カプラ４６で５分岐されてフォトダイオード４７及び光
バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に供給される。
【００９８】フォトダイオード４７は光強度を検出し、
この光強度信号がＡＬＣ２４に供給され、ＡＬＣ２４に
おいてＥＤＦ４２の出力光の光強度が一定となるように
ＬＤ１６が発生する励起光強度が制御される。光バンド
パスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々は例えば波長１５４０
nm，１５５０nm，１５６０nm，１５７０nm夫々を通過さ
せる半値幅１nmの光フィルタであり、夫々を通過した自
然放出光はフォトダイオード４７ａ〜４７ｄ夫々におい
て光強度を検出される。これらの各帯域の自然放出光の
光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ〜５０ｄ夫々において
ディジタル化されてＣＰＵ５２に供給される。
この光強度信号がＡＬＣ２４に供給され、ＡＬＣ２４に
おいてＥＤＦ４２の出力光の光強度が一定となるように
ＬＤ１６が発生する励起光強度が制御される。光バンド
パスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々は例えば波長１５４０
nm，１５５０nm，１５６０nm，１５７０nm夫々を通過さ
せる半値幅１nmの光フィルタであり、夫々を通過した自
然放出光はフォトダイオード４７ａ〜４７ｄ夫々におい
て光強度を検出される。これらの各帯域の自然放出光の
光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ〜５０ｄ夫々において
ディジタル化されてＣＰＵ５２に供給される。
【００９９】ＣＰＵ５２は各帯域の光強度を３次の関数
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報としてバイアス制御
回路５４に供給する。また、光カプラ２４で分離された
信号光の大部分はＷＤＭ５６に供給される。ＷＤＭ５６
はＬＤ５８から供給される例えば波長８５０nmの励起光
を信号光に合波してＥＳＡ又はホールバーニングを起こ
させる。ＬＤ５８の発生する励起光強度に応じたバック
パワーはバイアス制御回路５４に供給されている。バイ
アス制御回路５４はバックパワーに基づいて出力光にＡ
ＬＣをかけた状態で、ＣＰＵ５２から供給されるピーク
波長情報に基づいてＡＳＥの最大値の波長が変化しない
ようにＬＤ５８の出力を制御する。
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報としてバイアス制御
回路５４に供給する。また、光カプラ２４で分離された
信号光の大部分はＷＤＭ５６に供給される。ＷＤＭ５６
はＬＤ５８から供給される例えば波長８５０nmの励起光
を信号光に合波してＥＳＡ又はホールバーニングを起こ
させる。ＬＤ５８の発生する励起光強度に応じたバック
パワーはバイアス制御回路５４に供給されている。バイ
アス制御回路５４はバックパワーに基づいて出力光にＡ
ＬＣをかけた状態で、ＣＰＵ５２から供給されるピーク
波長情報に基づいてＡＳＥの最大値の波長が変化しない
ようにＬＤ５８の出力を制御する。
【０１００】つまり、ＥＳＡまたはホールバーニングを
おこすような波長８５０nmの光をＥＤＦ４２に入射する
ことにより、誘導放出を行うＮ2 の値をコントロール可
能である。この原理を用いることにより、反転分布係数
Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一定とした状態で増幅器の
利得を変化させることが出来る。反転分布係数はＡＳＥ
スペクトル形状を特徴付ける量であるので、ＥＤＦ４２
からの出力光のうち信号光波長の存在しない３つ以上の
離れた波長の自然放出光強度を比較し、それを測定波長
点数以下の次数の整数次数の関数で最小二乗法によりフ
ィッティングを行ったときにその最大値をとる波長が変
化しないようにする事により反転分布係数が一定の状態
で光増幅器を動作させることが出来る。利得の波長依存
性は（１）式より反転分布係数により唯一決定されるも
のであるので、この原理を用いる事により入力光によら
ず利得波長依存性が変化しない。
おこすような波長８５０nmの光をＥＤＦ４２に入射する
ことにより、誘導放出を行うＮ2 の値をコントロール可
能である。この原理を用いることにより、反転分布係数
Ｎ2 ／（Ｎ2 ＋Ｎ1 ）の値を一定とした状態で増幅器の
利得を変化させることが出来る。反転分布係数はＡＳＥ
スペクトル形状を特徴付ける量であるので、ＥＤＦ４２
からの出力光のうち信号光波長の存在しない３つ以上の
離れた波長の自然放出光強度を比較し、それを測定波長
点数以下の次数の整数次数の関数で最小二乗法によりフ
ィッティングを行ったときにその最大値をとる波長が変
化しないようにする事により反転分布係数が一定の状態
で光増幅器を動作させることが出来る。利得の波長依存
性は（１）式より反転分布係数により唯一決定されるも
のであるので、この原理を用いる事により入力光によら
ず利得波長依存性が変化しない。
【０１０１】これによって、ＥＤＦ４２の出力光強度は
次段のＥＤＦ３２の光増幅器での最適値となるように最
適化される。ＷＤＭ５６の出力する信号光は発振防止用
の光アイソレータ６０を通してＷＤＭ２８に供給され
る。ＷＤＭ２８はＬＤ１６から供給される例えば波長９
８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波してＥＤ
Ｆ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光強度に応
じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ３４はＬ
Ｄ３０の出力する励起光強度が一定となるようにＬＤ３
０を制御する。
次段のＥＤＦ３２の光増幅器での最適値となるように最
適化される。ＷＤＭ５６の出力する信号光は発振防止用
の光アイソレータ６０を通してＷＤＭ２８に供給され
る。ＷＤＭ２８はＬＤ１６から供給される例えば波長９
８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波してＥＤ
Ｆ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光強度に応
じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ３４はＬ
Ｄ３０の出力する励起光強度が一定となるようにＬＤ３
０を制御する。
【０１０２】ＥＤＦ３２はエルビウムのドープ量をＥＤ
Ｆ４２に対して多くした、又はファイバ長を長くした、
ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構成するもの
であり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化された信号光
を供給され、ＬＤ３０から光強度を最適化された励起光
を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力光強度が
一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅された信号
光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して光出力端
子３８より出力される。
Ｆ４２に対して多くした、又はファイバ長を長くした、
ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構成するもの
であり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化された信号光
を供給され、ＬＤ３０から光強度を最適化された励起光
を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力光強度が
一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅された信号
光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して光出力端
子３８より出力される。
【０１０３】この実施例では前段の光増幅器の出力を利
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１４は本発明の第１３実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
５に示す回路を用いたものである。図１４において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は光アイソレータ１２を通してＷＤＭ１４に供給さ
れる。ＷＤＭ１４はＬＤ１６から供給される信号光波長
と異なる例えば９８０nmの励起光を上記信号光に合波す
る例えばファイバ型のものであり、励起光を合波された
信号光は光測定部４４に供給される。
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１４は本発明の第１３実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
５に示す回路を用いたものである。図１４において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は光アイソレータ１２を通してＷＤＭ１４に供給さ
れる。ＷＤＭ１４はＬＤ１６から供給される信号光波長
と異なる例えば９８０nmの励起光を上記信号光に合波す
る例えばファイバ型のものであり、励起光を合波された
信号光は光測定部４４に供給される。
【０１０４】光測定部４４は光カプラ４５と、スターカ
プラ４６と、光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄと、
フォトダイオード４９ａ〜４９ｄと、Ａ／Ｄコンバータ
５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ５２とより構成されている。
光カプラ４５で分離された信号光の一部はスターカプラ
４６で５分岐されてフォトダイオード４７及び光バンド
パスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に供給される。
プラ４６と、光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄと、
フォトダイオード４９ａ〜４９ｄと、Ａ／Ｄコンバータ
５０ａ〜５０ｄと、ＣＰＵ５２とより構成されている。
光カプラ４５で分離された信号光の一部はスターカプラ
４６で５分岐されてフォトダイオード４７及び光バンド
パスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々に供給される。
【０１０５】光バンドパスフィルタ４８ａ〜４８ｄ夫々
は例えば波長１５４０nm，１５５０nm，１５６０nm，１
５７０nm夫々を通過させる半値幅１nmの光フィルタであ
り、夫々を通過した自然放出光はフォトダイオード４７
ａ〜４７ｄ夫々において光強度を検出される。これらの
各帯域の自然放出光の光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ
〜５０ｄ夫々においてディジタル化されてＣＰＵ５２に
供給される。
は例えば波長１５４０nm，１５５０nm，１５６０nm，１
５７０nm夫々を通過させる半値幅１nmの光フィルタであ
り、夫々を通過した自然放出光はフォトダイオード４７
ａ〜４７ｄ夫々において光強度を検出される。これらの
各帯域の自然放出光の光強度はＡ／Ｄコンバータ５０ａ
〜５０ｄ夫々においてディジタル化されてＣＰＵ５２に
供給される。
【０１０６】ＣＰＵ５２は各帯域の光強度を３次の関数
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報としてバイアス制御
回路５４に供給する。また、光カプラ４５で分離された
信号光の大部分はＥＤＦ４２に供給される。ＥＤＦ４２
はファイバ長が短かく、ＬＤ１６及びＷＤＭ１４と共に
光増幅器を構成するものであり、ここで増幅された信号
光はＷＤＭ５６に供給される。ところでＥＤＦ４２には
ＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波長８５０nmの励起光
が供給され、これによってＥＤＦ４２のホールバーニン
グ又はＥＳＡが制御されている。
に最小二乗法でフィッティングを行ったとき、その最大
値をとる波長（ピーク波長）を算出し、そのピーク波長
の値と出力光強度をピーク波長情報としてバイアス制御
回路５４に供給する。また、光カプラ４５で分離された
信号光の大部分はＥＤＦ４２に供給される。ＥＤＦ４２
はファイバ長が短かく、ＬＤ１６及びＷＤＭ１４と共に
光増幅器を構成するものであり、ここで増幅された信号
光はＷＤＭ５６に供給される。ところでＥＤＦ４２には
ＬＤ５８からＷＤＭ５６を通して波長８５０nmの励起光
が供給され、これによってＥＤＦ４２のホールバーニン
グ又はＥＳＡが制御されている。
【０１０７】ＷＤＭ５６はＬＤ５８から供給される例え
ば波長８５０nmの励起光を信号光に合波してＥＳＡ又は
ホールバーニングを起こさせる。ＬＤ５８の発生する励
起光強度に応じたバックパワーはバイアス制御回路５４
に供給されている。更に、ＷＤＭ５６から出力される信
号光はＷＤＭ６２及び発振防止用の光アイソレータ６０
を通してＷＤＭ２８に供給される。
ば波長８５０nmの励起光を信号光に合波してＥＳＡ又は
ホールバーニングを起こさせる。ＬＤ５８の発生する励
起光強度に応じたバックパワーはバイアス制御回路５４
に供給されている。更に、ＷＤＭ５６から出力される信
号光はＷＤＭ６２及び発振防止用の光アイソレータ６０
を通してＷＤＭ２８に供給される。
【０１０８】ＷＤＭ６２で分岐された信号光の一部はフ
ォトダイオード６４に供給されて信号光の光強度が検出
される。この光強度はＡＬＣ２４に供給され、ＥＤＦ４
２の出力光の光強度が一定となるようにＬＤ１６が発生
する励起光強度が制御される。また、バイアス制御回路
５４はバックパワーに基づいて出力光にＡＬＣをかけた
状態で、ＣＰＵ５２から供給されるピーク波長情報に基
づいてＡＳＥの最大値の波長が変化しないようにＬＤ５
８の出力を制御する。
ォトダイオード６４に供給されて信号光の光強度が検出
される。この光強度はＡＬＣ２４に供給され、ＥＤＦ４
２の出力光の光強度が一定となるようにＬＤ１６が発生
する励起光強度が制御される。また、バイアス制御回路
５４はバックパワーに基づいて出力光にＡＬＣをかけた
状態で、ＣＰＵ５２から供給されるピーク波長情報に基
づいてＡＳＥの最大値の波長が変化しないようにＬＤ５
８の出力を制御する。
【０１０９】つまり、ＥＤＦ４２からの出力光のうち信
号光波長の存在しない３つ以上の離れた波長の自然放出
光強度を比較し、それを測定波長点数以下の次数の整数
次数の関数で最小二乗法によりフィッティングを行った
ときにその最大値をとる波長が変化しないようにする事
により反転分布係数が一定の状態で光増幅器を動作させ
ることが出来る。利得の波長依存性は（１）式より反転
分布係数により唯一決定されるものであるので、この原
理を用いる事により入力光によらず利得波長依存性が変
化しない。これによって、ＥＤＦ４２の出力光強度は次
段のＥＤＦ３２の光増幅器で最適値となるように最適化
される。
号光波長の存在しない３つ以上の離れた波長の自然放出
光強度を比較し、それを測定波長点数以下の次数の整数
次数の関数で最小二乗法によりフィッティングを行った
ときにその最大値をとる波長が変化しないようにする事
により反転分布係数が一定の状態で光増幅器を動作させ
ることが出来る。利得の波長依存性は（１）式より反転
分布係数により唯一決定されるものであるので、この原
理を用いる事により入力光によらず利得波長依存性が変
化しない。これによって、ＥＤＦ４２の出力光強度は次
段のＥＤＦ３２の光増幅器で最適値となるように最適化
される。
【０１１０】ＷＤＭ２８はＬＤ１６から供給される例え
ば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波
してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光
強度に応じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ
３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一定となるよう
にＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエルビウムのドー
プ量をＥＤＦ４２に対して多くした、又はファイバ長を
長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力
光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅さ
れた信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して
光出力端子３８より出力される。
ば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波
してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光
強度に応じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ
３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一定となるよう
にＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエルビウムのドー
プ量をＥＤＦ４２に対して多くした、又はファイバ長を
長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力
光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅さ
れた信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して
光出力端子３８より出力される。
【０１１１】この実施例では前段の光増幅器の出力を利
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１５は本発明の第１４実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
８に示す回路を用いたものである。図１５において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は発振防止用の光アイソレータ１２を通し、カプラ
８０に供給される。カプラ８０は信号光の一部を分岐し
てＰＤ８１に供給し、ここで信号光の光強度が検出され
て制御回路８２に供給される。
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１５は本発明の第１４実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
８に示す回路を用いたものである。図１５において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は発振防止用の光アイソレータ１２を通し、カプラ
８０に供給される。カプラ８０は信号光の一部を分岐し
てＰＤ８１に供給し、ここで信号光の光強度が検出され
て制御回路８２に供給される。
【０１１２】一方、信号光の大部分はカプラ８０からＷ
ＤＭ１４に供給される。ＷＤＭ１４にはＬＤ１６で発生
された例えば波長９８０nmの励起光がカプラ８３を通し
て供給されており、ＷＤＭ１４は信号光に励起光を合波
してファイバー長の短かいＥＤＦ４２に供給する。これ
によってＥＤＦ４２は信号光を増幅する。また、ＥＤＦ
４２にはＬＤ５８で発生された例えば波長８５０nmの励
起光がカプラ８４及びＷＤＭ５６を通して供給されてお
り、これによりホールバーニング又はＥＳＡが起きる。
ＤＭ１４に供給される。ＷＤＭ１４にはＬＤ１６で発生
された例えば波長９８０nmの励起光がカプラ８３を通し
て供給されており、ＷＤＭ１４は信号光に励起光を合波
してファイバー長の短かいＥＤＦ４２に供給する。これ
によってＥＤＦ４２は信号光を増幅する。また、ＥＤＦ
４２にはＬＤ５８で発生された例えば波長８５０nmの励
起光がカプラ８４及びＷＤＭ５６を通して供給されてお
り、これによりホールバーニング又はＥＳＡが起きる。
【０１１３】また、カプラ８３で分岐された波長９８０
nmの励起光の一部はＷＤＭ８６でループ光と合波されて
ＥＤＦ８８に供給され、カプラ８４で分岐された波長８
５０nmの励起光の一部がＷＤＭ９０でループ光に合波さ
れてＥＤＦ８８に供給される。ＷＤＭ８６，光アイソレ
ータ９１，アッティネータ（ＡＴＴ）９２，カプラ９
３，ＷＤＭ９０，ＥＤＦ８８はＡＳＥ周回系を形成して
おり、このＡＳＥ周回系では利得が大きい波長のレベル
が増大してピークを形成する。
nmの励起光の一部はＷＤＭ８６でループ光と合波されて
ＥＤＦ８８に供給され、カプラ８４で分岐された波長８
５０nmの励起光の一部がＷＤＭ９０でループ光に合波さ
れてＥＤＦ８８に供給される。ＷＤＭ８６，光アイソレ
ータ９１，アッティネータ（ＡＴＴ）９２，カプラ９
３，ＷＤＭ９０，ＥＤＦ８８はＡＳＥ周回系を形成して
おり、このＡＳＥ周回系では利得が大きい波長のレベル
が増大してピークを形成する。
【０１１４】ＬＤ１６，５８夫々の出力一定としたと
き、入力信号光の光強度に応じて制御回路８２によりア
ッティネータ９２の減衰量を変化させるとＡＳＥ周回系
のループゲインが変化し、利得波長依存性の入力光強度
依存性によって上記ＡＳＥ周回系のピーク波長が変化す
る。
き、入力信号光の光強度に応じて制御回路８２によりア
ッティネータ９２の減衰量を変化させるとＡＳＥ周回系
のループゲインが変化し、利得波長依存性の入力光強度
依存性によって上記ＡＳＥ周回系のピーク波長が変化す
る。
【０１１５】ここで、予め入力信号光の光強度を変化さ
せて上記ＥＤＦの利得ピーク波長が変化しないようなＬ
Ｄ１６の出力値と、ＬＤ５８の出力値とを調整して、そ
のときのＡＳＥ周回系のピーク波長が変化しないように
アッティネータ９２の減衰量を測定し、入力信号光強度
と共に制御回路８２に予めセットしておく。
せて上記ＥＤＦの利得ピーク波長が変化しないようなＬ
Ｄ１６の出力値と、ＬＤ５８の出力値とを調整して、そ
のときのＡＳＥ周回系のピーク波長が変化しないように
アッティネータ９２の減衰量を測定し、入力信号光強度
と共に制御回路８２に予めセットしておく。
【０１１６】ＡＳＥ周回系のカプラ９３で分岐されたル
ープ光の一部は上記ＡＳＥ周回系のピーク波長を通過さ
せるバンドパスフィルタ９４を通してＰＤ９６に供給さ
れ、ピーク波長の光強度が検出されて制御回路９８に供
給され、制御回路９８はピーク波長の光強度が最大とな
るようにＬＤ５８を制御する。
ープ光の一部は上記ＡＳＥ周回系のピーク波長を通過さ
せるバンドパスフィルタ９４を通してＰＤ９６に供給さ
れ、ピーク波長の光強度が検出されて制御回路９８に供
給され、制御回路９８はピーク波長の光強度が最大とな
るようにＬＤ５８を制御する。
【０１１７】ＷＤＭ５６の出力光はカプラ６２，光アイ
ソレータ６０を通してＷＤＭ２８に供給される。これと
共に、カプラ６２で分岐された出力光の一部はＰＤ６４
に供給されて出力光の光強度が検出されＡＬＣ２４はこ
の光強度に応じて出力光強度が一定となるようにＬＤ１
６を制御する。
ソレータ６０を通してＷＤＭ２８に供給される。これと
共に、カプラ６２で分岐された出力光の一部はＰＤ６４
に供給されて出力光の光強度が検出されＡＬＣ２４はこ
の光強度に応じて出力光強度が一定となるようにＬＤ１
６を制御する。
【０１１８】つまり、入力光強度に応じてアッティネー
タ９２の減衰量を変化させてＡＳＥピーク波長が調整時
の波長となるようにＬＤ１６，５８夫々の励起光強度を
制御することにより、光増幅器の利得波長依存性が入力
光強度に応じて変化しないように制御できる。これによ
って、ＥＤＦ４２の出力光強度は次段のＥＤＦ３２の光
増幅器での最適値とされる。
タ９２の減衰量を変化させてＡＳＥピーク波長が調整時
の波長となるようにＬＤ１６，５８夫々の励起光強度を
制御することにより、光増幅器の利得波長依存性が入力
光強度に応じて変化しないように制御できる。これによ
って、ＥＤＦ４２の出力光強度は次段のＥＤＦ３２の光
増幅器での最適値とされる。
【０１１９】ＷＤＭ２８はＬＤ１６から供給される例え
ば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波
してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光
強度に応じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ
３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一定となるよう
にＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエルビウムのドー
プ量をＥＤＦ４２に対して多くした、又はファイバ長を
長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力
光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅さ
れた信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して
光出力端子３８より出力される。
ば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波
してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光
強度に応じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ
３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一定となるよう
にＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエルビウムのドー
プ量をＥＤＦ４２に対して多くした、又はファイバ長を
長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力
光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅さ
れた信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して
光出力端子３８より出力される。
【０１２０】この実施例では前段の光増幅器の出力を利
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１６は本発明の第１５実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
９に示す回路を用いたものである。図１６において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は発振防止用の光アイソレータ１２を通し、カプラ
１００，１０２を通してＷＤＭ１０４に供給され、ここ
でＬＤ５８で発生した波長８１０nmの励起光を合波され
てＥＤＦ４２に供給される。
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。図１６は本発明の第１５実施例のブ
ロック構成図を示す。この実施例は図１における光入力
端子１０から光アイソレータ２６までの前段部として図
９に示す回路を用いたものである。図１６において、光
入力端子１０より入光する例えば波長１５５０nm帯の信
号光は発振防止用の光アイソレータ１２を通し、カプラ
１００，１０２を通してＷＤＭ１０４に供給され、ここ
でＬＤ５８で発生した波長８１０nmの励起光を合波され
てＥＤＦ４２に供給される。
【０１２１】また、ＷＤＭ１０６にはＬＤ１６で発生さ
れた波長９８０nmの励起光がカプラ１１０を通して供給
されており、ＷＤＭ１０６において信号光に合波され
る。ＥＤＦ４２において上記波長９８０nmの励起光によ
って信号光が増幅され、また波長８５０nmの励起光によ
ってホールバーニング又はＥＳＡが起きる。上記ＥＤＦ
４２で増幅された信号光はＷＤＭ１０６より出力され、
カプラ１０８及び発振防止用の光アイソレータ６０を通
してＷＤＭ２８に供給される。
れた波長９８０nmの励起光がカプラ１１０を通して供給
されており、ＷＤＭ１０６において信号光に合波され
る。ＥＤＦ４２において上記波長９８０nmの励起光によ
って信号光が増幅され、また波長８５０nmの励起光によ
ってホールバーニング又はＥＳＡが起きる。上記ＥＤＦ
４２で増幅された信号光はＷＤＭ１０６より出力され、
カプラ１０８及び発振防止用の光アイソレータ６０を通
してＷＤＭ２８に供給される。
【０１２２】カプラ１００は波長９８０nmの励起光を分
岐し、この励起光の光強度がＰＤ１１２で検出される。
カプラ１０２は入力信号光を分岐し、この入力信号光の
光強度がＰＤ１１４で検出される。カプラ１０８は出力
信号光を分岐し、この出力信号光の光強度がＰＤ１１６
で検出され、ＡＬＣ１１８はこの出力信号光強度が一定
となるようにＬＤ１６を制御する。更にカプラ１１０で
分岐された波長９８０nmの励起光の一部がＰＤ１２０に
供給され、励起光の光強度が検出される。
岐し、この励起光の光強度がＰＤ１１２で検出される。
カプラ１０２は入力信号光を分岐し、この入力信号光の
光強度がＰＤ１１４で検出される。カプラ１０８は出力
信号光を分岐し、この出力信号光の光強度がＰＤ１１６
で検出され、ＡＬＣ１１８はこの出力信号光強度が一定
となるようにＬＤ１６を制御する。更にカプラ１１０で
分岐された波長９８０nmの励起光の一部がＰＤ１２０に
供給され、励起光の光強度が検出される。
【０１２３】損失演算部１２２はＰＤ１２０，１１２夫
々の検出光強度から波長９８０nmの励起光の損失を演算
し、利得演算部１２４はＰＤ１１６，１１４夫々の検出
光強度から信号光の利得を演算する。制御回路１２６は
信号光の利得の対数と、励起光の損失の対数との比を求
めることにより反転分布係数が一定となるようＬＤ５８
を制御して、入力光強度に拘らず利得波長依存性が変化
しない光増幅を行う。これによって、ＥＤＦ４２の出力
光強度は次段のＥＤＦ３２の光増幅器での最適値とされ
る。
々の検出光強度から波長９８０nmの励起光の損失を演算
し、利得演算部１２４はＰＤ１１６，１１４夫々の検出
光強度から信号光の利得を演算する。制御回路１２６は
信号光の利得の対数と、励起光の損失の対数との比を求
めることにより反転分布係数が一定となるようＬＤ５８
を制御して、入力光強度に拘らず利得波長依存性が変化
しない光増幅を行う。これによって、ＥＤＦ４２の出力
光強度は次段のＥＤＦ３２の光増幅器での最適値とされ
る。
【０１２４】ＷＤＭ２８はＬＤ１６から供給される例え
ば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波
してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光
強度に応じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ
３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一定となるよう
にＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエルビウムのドー
プ量をＥＤＦ４２に対して多くした、又はファイバ長を
長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力
光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅さ
れた信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して
光出力端子３８より出力される。
ば波長９８０nm又は１４８０nmの励起光を信号光に合波
してＥＤＦ３２に供給する。ＬＤ１６の発生する励起光
強度に応じたバックパワーはＡＬＣに供給され、ＡＬＣ
３４はＬＤ３０の出力する励起光強度が一定となるよう
にＬＤ３０を制御する。ＥＤＦ３２はエルビウムのドー
プ量をＥＤＦ４２に対して多くした、又はファイバ長を
長くした、ＷＤＭ２８及びＬＤ３０と共に光増幅器を構
成するものであり、ＥＤＦ４２で入力光強度を最適化さ
れた信号光を供給され、ＬＤ３０から強度を最適化され
た励起光を供給されることにより、ＥＤＦ３２への入力
光強度が一定の条件とされている。ＥＤＦ３２で増幅さ
れた信号光は発振防止用の光アイソレータ３６を通して
光出力端子３８より出力される。
【０１２５】この実施例では前段の光増幅器の出力を利
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。
得一定の後段の増幅部で増幅して出力するため、利得波
長依存性の入力光強度依存性を抑制すると共に、信号利
得を大きくできる。
【０１２６】
【発明の効果】上述の如く、請求項１に記載の発明によ
れば、第１の光増幅部で光増幅動作を行う元素又はイオ
ンの総量が少なく、過大な励起光により励起することに
より、利得を略一定として利得波長依存性の入力光強度
依存性を小さくし、その後、出力する信号光の光強度を
一定として出力することにより、利得波長依存性の入力
光強度依存性を抑制できる。
れば、第１の光増幅部で光増幅動作を行う元素又はイオ
ンの総量が少なく、過大な励起光により励起することに
より、利得を略一定として利得波長依存性の入力光強度
依存性を小さくし、その後、出力する信号光の光強度を
一定として出力することにより、利得波長依存性の入力
光強度依存性を抑制できる。
【０１２７】また、請求項２に記載の発明によれば、励
起光の光強度を制御することにより、利得を略一定とし
た状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定と
することができる。また、請求項３に記載の発明によれ
ば、入力信号光の減衰量を制御することにより、利得を
一定とした状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度
を一定とすることができる。
起光の光強度を制御することにより、利得を略一定とし
た状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度を一定と
することができる。また、請求項３に記載の発明によれ
ば、入力信号光の減衰量を制御することにより、利得を
一定とした状態で第１の光増幅部の出力信号光の光強度
を一定とすることができる。
【０１２８】また、請求項４に記載の発明によれば、第
４の励起光を第３の増幅部に供給することにより反転分
布を生成し、出力信号光の光強度を一定とした上で測定
したＡＳＥに応じて第４の励起光を制御することによ
り、利得が入力信号強度に応じて可変された場合も反転
分布を可変して増幅に与る元素又はイオンの総量を制御
し、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制できる。
４の励起光を第３の増幅部に供給することにより反転分
布を生成し、出力信号光の光強度を一定とした上で測定
したＡＳＥに応じて第４の励起光を制御することによ
り、利得が入力信号強度に応じて可変された場合も反転
分布を可変して増幅に与る元素又はイオンの総量を制御
し、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制できる。
【０１２９】また、請求項５に記載の発明によれば、信
号光と同一方向に進行するＡＳＥを測定することによ
り、反転分布の状態を知ることができる。また、請求項
６に記載の発明によれば、信号光と逆方向に進行するＡ
ＳＥを測定することにより、信号光の影響を受けること
なく反転分布の状態を知ることができる。
号光と同一方向に進行するＡＳＥを測定することによ
り、反転分布の状態を知ることができる。また、請求項
６に記載の発明によれば、信号光と逆方向に進行するＡ
ＳＥを測定することにより、信号光の影響を受けること
なく反転分布の状態を知ることができる。
【０１３０】また、請求項７に記載の発明によれば、Ａ
ＳＥピーク波長を測定することにより反転分布の状態を
正確に知ることができる。また、請求項８に記載の発明
によれば、ＡＳＥ所定波長を測定することにより、簡易
に反転分布の状態を知ることができる。
ＳＥピーク波長を測定することにより反転分布の状態を
正確に知ることができる。また、請求項８に記載の発明
によれば、ＡＳＥ所定波長を測定することにより、簡易
に反転分布の状態を知ることができる。
【０１３１】また、請求項９に記載の発明によれば、第
３の光増幅部の出力光に比例した光強度で動作する第４
の増幅器によりＡＳＥ周回系を形成し、第３の増幅器が
最適な利得波長依存性を持つ状態でＡＳＥ周回系のピー
ク波長が変化しないように第４の励起光の光強度を制御
することにより、第３の光増幅部の反転分布が一定の状
態で動作を行い、入力光の光強度による利得波長依存性
の変化を抑制できる。
３の光増幅部の出力光に比例した光強度で動作する第４
の増幅器によりＡＳＥ周回系を形成し、第３の増幅器が
最適な利得波長依存性を持つ状態でＡＳＥ周回系のピー
ク波長が変化しないように第４の励起光の光強度を制御
することにより、第３の光増幅部の反転分布が一定の状
態で動作を行い、入力光の光強度による利得波長依存性
の変化を抑制できる。
【０１３２】また、請求項１０に記載の発明によれば、
信号光の利得と第３の励起光の損失とに応じて第３の励
起光の光強度を制御するため、反転分布状態を一定とし
て光増幅を行うことができ、利得波長依存性の入力光強
度依存性を抑制できる。また、請求項１１に記載の発明
によれば、入力信号光の光強度に応じて増幅媒体の長さ
を可変することにより、入力信号光強度によらず増幅を
行う元素又はイオンの増幅に与る総量を略一定とするこ
とができ、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制す
ることができる。
信号光の利得と第３の励起光の損失とに応じて第３の励
起光の光強度を制御するため、反転分布状態を一定とし
て光増幅を行うことができ、利得波長依存性の入力光強
度依存性を抑制できる。また、請求項１１に記載の発明
によれば、入力信号光の光強度に応じて増幅媒体の長さ
を可変することにより、入力信号光強度によらず増幅を
行う元素又はイオンの増幅に与る総量を略一定とするこ
とができ、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制す
ることができる。
【０１３３】また、請求項１２に記載の発明によれば、
第３の増幅部が利得一定となるよう制御され、その出力
信号光の光強度を一定とするため、上記利得一定の増幅
により利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制するこ
とができる。また、請求項１３に記載の発明によれば、
請求項１２の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部
で増幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度
依存性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
第３の増幅部が利得一定となるよう制御され、その出力
信号光の光強度を一定とするため、上記利得一定の増幅
により利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制するこ
とができる。また、請求項１３に記載の発明によれば、
請求項１２の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部
で増幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度
依存性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
【０１３４】また、請求項１４に記載の発明によれば、
請求項４の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で
増幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度依
存性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。ま
た、請求項１５に記載の発明によれば、請求項９の光増
幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増幅して出力す
るため、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制する
と共に、信号利得を大きくできる。
請求項４の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で
増幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度依
存性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。ま
た、請求項１５に記載の発明によれば、請求項９の光増
幅器の出力を利得一定の第２の増幅部で増幅して出力す
るため、利得波長依存性の入力光強度依存性を抑制する
と共に、信号利得を大きくできる。
【０１３５】また、請求項１６に記載の発明によれば、
請求項１０の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部
で増幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度
依存性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
請求項１０の光増幅器の出力を利得一定の第２の増幅部
で増幅して出力するため、利得波長依存性の入力光強度
依存性を抑制すると共に、信号利得を大きくできる。
【図１】本発明の第１実施例のブロック構成図である。
【図２】本発明の第２実施例のブロック構成図である。
【図３】本発明の第３実施例のブロック構成図である。
【図４】ＥＤＦのバンド構造を示す図である。
【図５】本発明の第４実施例のブロック構成図である。
【図６】本発明の第５実施例のブロック構成図である。
【図７】本発明の第６実施例のブロック構成図である。
【図８】本発明の第７実施例のブロック構成図である。
【図９】本発明の第８実施例のブロック構成図である。
【図１０】本発明の第９実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第１０実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第１１実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第１２実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１４】本発明の第１３実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１５】本発明の第１４実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１６】本発明の第１５実施例のブロック構成図であ
る。
る。
【図１７】ＥＤＦ増幅器の利得波長依存性の入力光強度
依存性を示す特性図である。
依存性を示す特性図である。
１０ 光入力端子 １２，２６，３６，６０，９１ 光アイソレータ １４，２８，５６，８０，８６，９０，１３０，１３
２，１３４，１３６，１３８ ＷＤＭ １６，３０，５８ ＬＤ １８，３２，４２ ＥＤＦ ２１，４５，６２，７２，８０，８４，９４，１４４
カプラ ２２，４７，４９ａ〜４９ｄ，６４，８１，９６，１６
４ ＰＤ ２４，３４，１６６ ＡＬＣ ４０，９２，１６０ アッティネータ ４６ スターカプラ ４８ａ〜４８ｄ，７３ａ，７３ｂ，９４ バンドパスフ
ィルタ ５０ａ〜５０ｄ，１５０，１５２ Ａ／Ｄコンバータ ５２，１５４ ＣＰＵ ５４，７６ バイアス制御回路 ７５ 比較器 ８２，９８，１４２，１５６ 制御回路 １３１，１３３，１３５，１３７，１４０ スイッチ １５８ ＡＧＣ
２，１３４，１３６，１３８ ＷＤＭ １６，３０，５８ ＬＤ １８，３２，４２ ＥＤＦ ２１，４５，６２，７２，８０，８４，９４，１４４
カプラ ２２，４７，４９ａ〜４９ｄ，６４，８１，９６，１６
４ ＰＤ ２４，３４，１６６ ＡＬＣ ４０，９２，１６０ アッティネータ ４６ スターカプラ ４８ａ〜４８ｄ，７３ａ，７３ｂ，９４ バンドパスフ
ィルタ ５０ａ〜５０ｄ，１５０，１５２ Ａ／Ｄコンバータ ５２，１５４ ＣＰＵ ５４，７６ バイアス制御回路 ７５ 比較器 ８２，９８，１４２，１５６ 制御回路 １３１，１３３，１３５，１３７，１４０ スイッチ １５８ ＡＧＣ
Claims (16)
- 【請求項１】 光増幅動作を行う元素又はイオンの総量
が少なく、上記元素の総量に対して過大な第１の励起光
により励起されて、入力される信号光を増幅する第１の
光増幅部と、 上記第１の光増幅部に対して光増幅動作を行う元素又は
イオンの総量が多く、一定強度の第２の励起光により励
起されて第１の光増幅部の出力する信号光を増幅する第
２の光増幅部と、 上記第１の光増幅部の出力する信号光の光強度を一定と
するように制御する第１の制御部とを有することを特徴
とする光増幅器。 - 【請求項２】 前記第１の制御部は、第１の励起光の光
強度を制御して第１の光増幅部の出力する信号光の光強
度を一定とすることを特徴とする請求項１記載の光増幅
器。 - 【請求項３】 前記第１の制御部は、入力される信号光
の減衰量を制御して第１の光増幅部の出力する信号光の
光強度を一定とすることを特徴とする請求項１記載の光
増幅器。 - 【請求項４】 第３の励起光により励起されて、入力さ
れる信号光を増幅する第３の光増幅部と、 上記第３の光増幅部に第３の励起光とは波長の異なる第
４の励起光を供給して光増幅動作を行う元素又はイオン
の増幅に与る準位と増幅に与らない準位との反転分布を
生成する反転分布生成部と、 上記反転分布により生じるＡＳＥを測定するＡＳＥ測定
部と、 上記第３の光増幅部の出力する信号光の光強度を一定と
するように制御する第２の制御部と、 上記ＡＳＥ測定部の測定結果からＡＳＥのピーク波長又
は所定波長を一定とするように第４の励起光を制御する
第３の制御部とを有することを特徴とする光増幅器。 - 【請求項５】 前記ＡＳＥ測定部は、信号光の進行方向
と同一方向に進行するＡＳＥを測定することを特徴とす
る請求項４記載の光増幅器。 - 【請求項６】 前記ＡＳＥ測定部は、信号光の進行方向
と逆方向に進行するＡＳＥを測定することを特徴とする
請求項４記載の光増幅器。 - 【請求項７】 前記ＡＳＥ測定部は、ＡＳＥのピーク波
長を測定することを特徴とする請求項５又は６記載の光
増幅器。 - 【請求項８】 前記ＡＳＥ測定部は、ＡＳＥの所定波長
を測定することを特徴とする請求項５又は６記載の光増
幅器。 - 【請求項９】 第３の励起光により励起されて、入力さ
れる信号光を増幅する第３の光増幅部と、 上記第３の光増幅部に第３の励起光とは波長の異なる第
４の励起光を供給して光増幅動作を行う元素又はイオン
の反転分布を生成する反転分布生成部と、 上記第３の励起光と第４の励起光とを供給されており、
その出力光を入力光としてループを形成し、ループ内に
アッティネータを有する第４の光増幅器と、 上記第３の光増幅部に入力される信号光に応じて上記ア
ッティネータの減衰量を制御する減衰制御部と、 上記アッティネータの出力するＡＳＥに応じて上記第４
の励起光の光強度を制御する第４の制御部と、 上記第３の光増幅器の出力する信号光の光強度を一定と
するように制御する第５の制御部とを有することを特徴
とする光増幅器。 - 【請求項１０】 第３の励起光により励起されて、入力
される信号光を増幅する第３の光増幅部と、 上記第３の光増幅部に第４の励起光を供給して光増幅動
作を行う元素又はイオンの反転分布を生成する反転分布
生成部と、 上記第３の光増幅部による信号光の利得と第４の励起光
の損失とを求め、上記利得と損失とに応じて上記第３の
励起光の光強度を制御する第６の制御部とを有すること
を特徴とする光増幅器。 - 【請求項１１】 増幅媒体の長さが可変可能とされてお
り、前記第３の励起光により励起されて、入力される信
号光を増幅する第５の光増幅部と、 上記第５の光増幅部に供給される信号光の光強度に応じ
て第５の光増幅部の増幅媒体の長さを可変制御する第７
の制御部と、 上記第５の光増幅部の出力する信号光の光強度に応じて
上記第３の励起光の光強度を制御する第８の制御部とを
有することを特徴とする光増幅器。 - 【請求項１２】 第３の励起光により励起されて、入力
される信号光を増幅する第３の光増幅部と、 上記第３の光増幅部による信号光の利得を一定とするよ
う上記第３の励起光の光強度を制御する第９の制御部
と、 上記第３の光増幅部の出力する信号光の光強度を一定と
するように制御する第１０の制御部とを有することを特
徴とする光増幅器。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の光増幅器において、 前記第１０の制御部で制御された信号光を供給され、一
定強度の第２の励起光により励起されて上記信号光を増
幅する第２の光増幅部を有することを特徴とする光増幅
器。 - 【請求項１４】 請求項４記載の光増幅器において、 前記第３の光増幅部の出力する信号光を供給され、一定
強度の第２の励起光により励起されて上記信号光を増幅
する第２の光増幅部を有することを特徴とする光増幅
器。 - 【請求項１５】 請求項９記載の光増幅器において、 前記第３の光増幅部の出力する信号光を供給され、一定
強度の第２の励起光により励起されて上記信号光を増幅
する第２の光増幅部を有することを特徴とする光増幅
器。 - 【請求項１６】 請求項１０記載の光増幅器において、 前記第３の光増幅部の出力する信号光を供給され、一定
強度の第２の励起光により励起されて上記信号光を増幅
する第２の光増幅部を有することを特徴とする光増幅
器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05956495A JP3618008B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 光増幅器 |
| US08/530,875 US5664131A (en) | 1995-03-17 | 1995-09-20 | Light amplifier |
| US08/871,292 US5912760A (en) | 1995-03-17 | 1997-06-09 | Light amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05956495A JP3618008B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 光増幅器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003115639A Division JP2003347633A (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | 光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255940A true JPH08255940A (ja) | 1996-10-01 |
| JP3618008B2 JP3618008B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=13116869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05956495A Expired - Fee Related JP3618008B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 光増幅器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5664131A (ja) |
| JP (1) | JP3618008B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057394A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置および光増幅方法ならびに光通信システム |
| US6384943B2 (en) | 1993-08-10 | 2002-05-07 | Fujitsu Limited | Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method |
| JP2003526215A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | 光増幅器内の利得制御 |
| US6751011B2 (en) | 2001-04-20 | 2004-06-15 | Fujitsu Limited | Characteristic measuring method and characteristic measuring system of wavelength division multiplexing optical amplifier |
| US6768578B1 (en) | 1998-09-03 | 2004-07-27 | Fujitsu Limited | Optical amplifier for amplifying a wavelength division multiplexed (WDM) light including light in different wavelength bands |
| JP2006295113A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-10-26 | Fujitsu Ltd | 光増幅器の制御装置及び制御方法並びに光増幅器，光伝送装置及び帯域単位利得等化器並びに同等化器を用いた波長多重伝送装置，光増幅器及び波長多重伝送システム |
| JP2008305840A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 光ファイバ増幅器 |
| EP2071748A1 (en) | 2007-12-14 | 2009-06-17 | Tecdia Co., Ltd. | Control system and method for optical communication device application |
| JP2010212420A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nec Corp | 光増幅器、光増幅器の制御方法及びプログラム |
| JP2011243803A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Nec Corp | 光ファイバ増幅装置、及び該光ファイバ増幅装置における光信号増幅方法 |
| JP2013519245A (ja) * | 2009-09-25 | 2013-05-23 | テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド | 波長選択インタリーブフィルタリング技術（ｓｗｉｆｔ）ａｄｃのシステムおよび方法 |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6061173A (en) * | 1994-09-26 | 2000-05-09 | Fujitsu Limited | Wavelength-division-multiplexing optical amplifier |
| JP3306693B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2002-07-24 | 富士通株式会社 | 光増幅装置，光波長多重通信システム，光端局装置及び光中継装置 |
| JPH08248455A (ja) * | 1995-03-09 | 1996-09-27 | Fujitsu Ltd | 波長多重用光増幅器 |
| JP3363003B2 (ja) | 1995-10-03 | 2003-01-07 | 株式会社日立製作所 | 光増幅装置及び光増幅装置を用いた光伝送システム |
| JP3839861B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2006-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ増幅器 |
| JP3422398B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2003-06-30 | 富士通株式会社 | 重心波長モニタ方法及び装置、光増幅器並びに光通信システム |
| DE19547603A1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-06-26 | Sel Alcatel Ag | Optische Verstärkereinrichtung |
| JP3741767B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2006-02-01 | 富士通株式会社 | 光ファイバ増幅器 |
| JP3739471B2 (ja) * | 1996-03-01 | 2006-01-25 | 富士通株式会社 | 光可変減衰器 |
| US6025947A (en) * | 1996-05-02 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Controller which controls a variable optical attenuator to control the power level of a wavelength-multiplexed optical signal when the number of channels are varied |
| JPH09321701A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Fujitsu Ltd | 光通信システム及び光増幅器 |
| US6369938B1 (en) | 1996-05-28 | 2002-04-09 | Fujitsu Limited | Multi-wavelength light amplifier |
| JP3006500B2 (ja) * | 1996-08-01 | 2000-02-07 | 日本電気株式会社 | 波長多重光伝送用光増幅装置 |
| US5764406A (en) * | 1996-10-01 | 1998-06-09 | Corning Incorporated | Hydrid optical amplifier having improved dynamic gain tilt |
| JP4240551B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2009-03-18 | 富士通株式会社 | 光増幅装置 |
| JP3542253B2 (ja) * | 1997-06-19 | 2004-07-14 | 株式会社日立コミュニケーションテクノロジー | 光ファイバ増幅器およびそれを用いた光伝送システム |
| US6072614A (en) * | 1997-08-21 | 2000-06-06 | Nortel Networks Corporation | Monitoring induced counterpropagating signals in optical communications systems |
| DE19836373A1 (de) * | 1997-08-22 | 1999-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Analoge/digitale doppelt-automatische Leistungsregelungsvorrichtung in optischem Faserverstärker |
| JPH11112435A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Fujitsu Ltd | 光増幅器 |
| JPH11121848A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 光増幅器及び該光増幅器を備えた光伝送システム |
| JPH11122192A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 光増幅器及び該光増幅器を備えた光通信システム |
| KR100280968B1 (ko) | 1997-12-10 | 2001-02-01 | 윤종용 | 동기화된에탈론필터를이용한광섬유증폭기 |
| US5912761A (en) * | 1998-01-22 | 1999-06-15 | Tyco Submarine Systems Ltd. | Apparatus and method for controlling shared optical pump power sources |
| US6441955B1 (en) * | 1998-02-27 | 2002-08-27 | Fujitsu Limited | Light wavelength-multiplexing systems |
| US6496300B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-12-17 | Fujitsu Limited | Optical amplifier |
| US6603596B2 (en) * | 1998-03-19 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Gain and signal level adjustments of cascaded optical amplifiers |
| JPH11275021A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
| US6317255B1 (en) * | 1998-04-28 | 2001-11-13 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for controlling optical signal power in response to faults in an optical fiber path |
| US6049413A (en) * | 1998-05-22 | 2000-04-11 | Ciena Corporation | Optical amplifier having first and second stages and an attenuator controlled based on the gains of the first and second stages |
| EP2306605B1 (en) * | 1998-07-23 | 2012-05-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Pumping unit for a Raman amplifier and Raman amplifier comprising the same |
| JP3134854B2 (ja) * | 1998-09-07 | 2001-02-13 | 日本電気株式会社 | 光増幅器 |
| DE19840926B4 (de) * | 1998-09-08 | 2013-07-11 | Hell Gravure Systems Gmbh & Co. Kg | Anordnung zur Materialbearbeitung mittels Laserstrahlen und deren Verwendung |
| KR100416439B1 (ko) * | 1998-11-24 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 이득평탄도를제어하는광섬유증폭기 |
| KR100283956B1 (ko) * | 1998-11-24 | 2001-04-02 | 윤종용 | 채널별 출력세기가 일정한 광섬유증폭기 및 그 증폭방법 |
| DE19910041A1 (de) * | 1999-03-08 | 2000-08-31 | Siemens Ag | Verfahren und Anordnung zur Einstellung der Verkippung eines optischen Datensignals |
| JP2000269578A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | 光増幅のための方法、装置及びシステム |
| US6198571B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-03-06 | Afc Technologies Inc. | Computerized intelligent optical amplifier for multi-channel optical networks |
| US6215584B1 (en) | 1999-05-10 | 2001-04-10 | Jds Uniphase Inc. | Input independent tilt free actively gain flattened broadband amplifier |
| US6611370B2 (en) * | 1999-07-23 | 2003-08-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Raman amplifier system, apparatus and method for identifying, obtaining and maintaining an arbitrary Raman amplification performance |
| US6366393B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-04-02 | Lucent Technologies Inc. | Fast gain control for optical amplifiers |
| US20090168111A9 (en) * | 1999-09-01 | 2009-07-02 | Hell Gravure Systems Gmbh | Printing form processing with fine and coarse engraving tool processing tracks |
| US6411429B1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-06-25 | Fujitsu Limited | Optical amplifying apparatus, wide-band optical amplifying apparatus, and optical communication system |
| JP3588435B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | 光増幅装置、複合光増幅装置および光通信システム |
| EP1273077A1 (de) * | 2000-04-13 | 2003-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur regelung eines verstärkend wirkenden mediums, insbesondere einer lichtleitfaser |
| DE10040790B4 (de) * | 2000-08-21 | 2004-03-04 | Siemens Ag | Regelverfahren und optische Datenübertragungsstrecke mit einer Vorrichtung zur Kompensation von Änderungen des SRS-bedingten Leistungsaustausches |
| US6900931B1 (en) * | 2000-10-02 | 2005-05-31 | Ciena Corporation | Three-stage optical amplifier having flat spectral gain |
| US6690506B2 (en) * | 2001-05-17 | 2004-02-10 | Corning Incorporated | Control architecture and method for optical amplifiers |
| US6943937B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-09-13 | Avanex Corporation | Optical amplifier performance controller and method of use |
| JP2003008117A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Fujitsu Ltd | 光増幅ブロックとこれを用いる光増幅システム |
| US20030072073A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Jerzy Domagala | Output power monitoring in an optical preamplifier |
| JP2003163642A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Fujitsu Ltd | 光伝送装置および光伝送モジュール |
| US20030133713A1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-17 | Ng Eddie Kai Ho | Method and system for multi-level power management in an optical network |
| US6768577B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-07-27 | Fitel Usa Corp. | Tunable multimode laser diode module, tunable multimode wavelength division multiplex raman pump, and amplifier, and a system, method, and computer program product for controlling tunable multimode laser diodes, raman pumps, and raman amplifiers |
| US7199919B2 (en) * | 2002-03-15 | 2007-04-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Tunable multimode wavelength division multiplex Raman pump and amplifier, and a system, method, and computer program product for controlling tunable Raman pumps, and Raman amplifiers |
| US7333732B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-02-19 | Tyco Telecommunications (Us) Inc. | Optical receiver |
| US7877019B2 (en) * | 2002-10-16 | 2011-01-25 | Tyco Electronics Subsea Communications Llc | Optical receiver including a system and method of controlling gain of an optical amplifier |
| EP1557916A4 (en) * | 2002-11-01 | 2009-12-16 | Fujitsu Ltd | CONTROL DEVICE OF AN OPTICAL AMPLIFIER AND CONTROL METHOD |
| AU2003287619A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Furukawa America, Inc. | System, method and computer program product for modeling of edfa |
| US7206123B2 (en) * | 2003-09-08 | 2007-04-17 | The Furukawa Electric Co. Ltd. | Raman amplifier, pump source for use in a raman amplifier and method for amplifying an optical signal |
| US20050068612A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Gordon Wilson | Pre-programmable optical filtering / amplifying method and apparatus |
| US20060279793A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-12-14 | Hell Gravure Systems Gmbh | Printing form processing with a plurality of engraving tool tracks forming lines |
| US7508577B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-03-24 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Method and system for suppressing ASE noise |
| US8064771B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-11-22 | Infinera Corporation | Active control loop for power control of optical channel groups |
| CA2740102A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Making Memories | Hands free pattern creating device |
| US9667312B2 (en) * | 2015-01-13 | 2017-05-30 | Hughes Network Systems, Llc | Radio based automatic level control for linear radio calibration |
| US11502770B2 (en) | 2017-01-20 | 2022-11-15 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link extender, and related systems and methods |
| US10205552B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-02-12 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link, systems, and methods |
| US10516922B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-12-24 | Cox Communications, Inc. | Coherent gigabit ethernet and passive optical network coexistence in optical communications module link extender related systems and methods |
| US10999658B2 (en) | 2019-09-12 | 2021-05-04 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link extender backhaul systems and methods |
| US11317177B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-04-26 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link extender, and related systems and methods |
| US11271670B1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-03-08 | Cox Communications, Inc. | C and L band optical communications module link extender, and related systems and methods |
| US11146350B1 (en) | 2020-11-17 | 2021-10-12 | Cox Communications, Inc. | C and L band optical communications module link extender, and related systems and methods |
| US12199743B2 (en) | 2021-02-12 | 2025-01-14 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link extender including ethernet and PON amplification |
| US11689287B2 (en) | 2021-02-12 | 2023-06-27 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link extender including ethernet and PON amplification |
| US11323788B1 (en) | 2021-02-12 | 2022-05-03 | Cox Communications, Inc. | Amplification module |
| US11523193B2 (en) | 2021-02-12 | 2022-12-06 | Cox Communications, Inc. | Optical communications module link extender including ethernet and PON amplification |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5177634A (en) * | 1991-10-25 | 1993-01-05 | Bell Communications Research, Inc. | High gain limiting erbium-doped fiber amplifier with wide dynamic range |
| JPH0519311A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 光増幅方式 |
| JPH0548207A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 光前置増幅器 |
| JPH05100260A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フイルタ |
| JPH05152691A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ増幅器 |
| JPH05241209A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 光増幅器制御システム |
| JPH05343784A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅器 |
| JPH065958A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ増幅装置 |
| US5280383A (en) * | 1992-12-02 | 1994-01-18 | At&T Bell Laboratories | Dual-stage low power optical amplifier |
| JPH0653588A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Nec Corp | 光ファイバアンプ |
| JPH0697554A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ増幅器 |
| JPH06318754A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ増幅器および光信号伝送システム |
| JPH0749917A (ja) * | 1990-08-30 | 1995-02-21 | Nokia Mobile Phones Ltd | ダイナミック電圧積分方法ならびにそれを実行しおよび応用する回路 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03206427A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | ファイバ形光増幅器 |
| US5050949A (en) * | 1990-06-22 | 1991-09-24 | At&T Bell Laboratories | Multi-stage optical fiber amplifier |
| JPH0563259A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ増幅器 |
| JPH05107573A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Fujitsu Ltd | 光増幅器 |
| JPH05235810A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Nec Corp | 遠隔制御システム及びそれに用いる端局装置、中継局装置 |
| US5239607A (en) * | 1992-06-23 | 1993-08-24 | Bell Communications Research, Inc. | Optical fiber amplifier with flattened gain |
| JP3320452B2 (ja) * | 1992-07-15 | 2002-09-03 | 沖電気工業株式会社 | 光中継器の監視制御方式 |
| US5428471A (en) * | 1992-07-30 | 1995-06-27 | Alcatel Network Systems, Inc. | Fail-safe automatic shut-down apparatus and method for high output power optical communications system |
| JP2751789B2 (ja) * | 1993-07-14 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 光ファイバ増幅器 |
| US5374973A (en) * | 1993-09-21 | 1994-12-20 | Alcatel Network Systems, Inc. | Optical amplifier |
| US5430572A (en) * | 1993-09-30 | 1995-07-04 | At&T Corp. | High power, high gain, low noise, two-stage optical amplifier |
| JP3012760B2 (ja) * | 1993-10-25 | 2000-02-28 | 三菱電機株式会社 | 光増幅器及び分配システム及びローカル・エリア・ネットワーク及び利得制御方法 |
| US5406404A (en) * | 1993-11-02 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Method of mitigating gain peaking using a chain of fiber amplifiers |
| JP2778438B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 光増幅装置と光増幅器設計方法と光中継伝送システム |
| FR2714982B1 (fr) * | 1994-01-13 | 1996-02-02 | Alcatel Nv | Amplificateur optique régulé. |
| JPH07212315A (ja) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Fujitsu Ltd | 光増幅器 |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP05956495A patent/JP3618008B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-20 US US08/530,875 patent/US5664131A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-09 US US08/871,292 patent/US5912760A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0749917A (ja) * | 1990-08-30 | 1995-02-21 | Nokia Mobile Phones Ltd | ダイナミック電圧積分方法ならびにそれを実行しおよび応用する回路 |
| JPH0519311A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 光増幅方式 |
| JPH0548207A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 光前置増幅器 |
| JPH05100260A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フイルタ |
| US5177634A (en) * | 1991-10-25 | 1993-01-05 | Bell Communications Research, Inc. | High gain limiting erbium-doped fiber amplifier with wide dynamic range |
| JPH05152691A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ増幅器 |
| JPH05241209A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 光増幅器制御システム |
| JPH05343784A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅器 |
| JPH065958A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ増幅装置 |
| JPH0653588A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Nec Corp | 光ファイバアンプ |
| JPH0697554A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ増幅器 |
| US5280383A (en) * | 1992-12-02 | 1994-01-18 | At&T Bell Laboratories | Dual-stage low power optical amplifier |
| JPH06318754A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ増幅器および光信号伝送システム |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384943B2 (en) | 1993-08-10 | 2002-05-07 | Fujitsu Limited | Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method |
| US6417945B2 (en) | 1993-08-10 | 2002-07-09 | Fujitsu Limited | Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method |
| US6768578B1 (en) | 1998-09-03 | 2004-07-27 | Fujitsu Limited | Optical amplifier for amplifying a wavelength division multiplexed (WDM) light including light in different wavelength bands |
| US6943940B2 (en) | 1998-09-03 | 2005-09-13 | Fujitsu Limited | Optical amplifier for amplifying a wavelength division multiplexed (WDM) light including light in different wavelength bands |
| US6891663B2 (en) | 1998-09-03 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Optical amplifier for amplifying a wavelength division multiplexed (WDM) light including light in different wavelength bands |
| JP2003526215A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | 光増幅器内の利得制御 |
| JP2002057394A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置および光増幅方法ならびに光通信システム |
| US6751011B2 (en) | 2001-04-20 | 2004-06-15 | Fujitsu Limited | Characteristic measuring method and characteristic measuring system of wavelength division multiplexing optical amplifier |
| JP2006295113A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-10-26 | Fujitsu Ltd | 光増幅器の制御装置及び制御方法並びに光増幅器，光伝送装置及び帯域単位利得等化器並びに同等化器を用いた波長多重伝送装置，光増幅器及び波長多重伝送システム |
| JP2008305840A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 光ファイバ増幅器 |
| EP2071748A1 (en) | 2007-12-14 | 2009-06-17 | Tecdia Co., Ltd. | Control system and method for optical communication device application |
| JP2010212420A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nec Corp | 光増幅器、光増幅器の制御方法及びプログラム |
| JP2013519245A (ja) * | 2009-09-25 | 2013-05-23 | テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド | 波長選択インタリーブフィルタリング技術（ｓｗｉｆｔ）ａｄｃのシステムおよび方法 |
| JP2011243803A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Nec Corp | 光ファイバ増幅装置、及び該光ファイバ増幅装置における光信号増幅方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5664131A (en) | 1997-09-02 |
| US5912760A (en) | 1999-06-15 |
| JP3618008B2 (ja) | 2005-02-09 |
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