JPH082612B2 - 金属ベースプリント配線基板及びその製造方法 - Google Patents
金属ベースプリント配線基板及びその製造方法Info
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- JPH082612B2 JPH082612B2 JP61123530A JP12353086A JPH082612B2 JP H082612 B2 JPH082612 B2 JP H082612B2 JP 61123530 A JP61123530 A JP 61123530A JP 12353086 A JP12353086 A JP 12353086A JP H082612 B2 JPH082612 B2 JP H082612B2
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- dianhydride
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は金属ベースプリント配線基板の製法に係り、
さらに詳細には耐熱性、耐電圧性、絶縁性及び／又は誘
電特性に優れ高度の接着性を有する絶縁層を持った金属
ベースプリント配線基板及びその製造方法に関する。
さらに詳細には耐熱性、耐電圧性、絶縁性及び／又は誘
電特性に優れ高度の接着性を有する絶縁層を持った金属
ベースプリント配線基板及びその製造方法に関する。
電子機器用のプリント配線基板として、従来、一般に
紙あるいはガラス繊維を支持体としたエポキシ樹脂ある
いはフェノール樹脂に銅箔が積層された積層板が用いら
れているが、近年、金属の有する固有の特性である加工
性、強度、熱伝導性、耐熱性、、磁性、電気磁気シール
ド性を生かした金属ベース配線基板が注目され開発、実
用化されている。例えば、磁性を生かした例ではVTRな
どに用いられている精密小型モーターの中の金属ベース
配線基板、熱伝導性を生かした例では、パワートランジ
スター放熱用のハイブリッドIC基板、小型モーターのシ
ャーシー一体放熱基板などがある。
紙あるいはガラス繊維を支持体としたエポキシ樹脂ある
いはフェノール樹脂に銅箔が積層された積層板が用いら
れているが、近年、金属の有する固有の特性である加工
性、強度、熱伝導性、耐熱性、、磁性、電気磁気シール
ド性を生かした金属ベース配線基板が注目され開発、実
用化されている。例えば、磁性を生かした例ではVTRな
どに用いられている精密小型モーターの中の金属ベース
配線基板、熱伝導性を生かした例では、パワートランジ
スター放熱用のハイブリッドIC基板、小型モーターのシ
ャーシー一体放熱基板などがある。
これらの金属ベース配線基板に使用される絶縁層とし
てはエポキシ樹脂が用いられている。しかしながら、部
品実装密度の増大、部品の高出力化、配線パターンの高
密度化に伴なって、部品あるいは配線からの発熱量の増
加が大きな問題となり、基板に使われる絶縁層の耐熱性
向上及び薄膜化が重要な課題となっている。
てはエポキシ樹脂が用いられている。しかしながら、部
品実装密度の増大、部品の高出力化、配線パターンの高
密度化に伴なって、部品あるいは配線からの発熱量の増
加が大きな問題となり、基板に使われる絶縁層の耐熱性
向上及び薄膜化が重要な課題となっている。
従来のエポキシ樹脂にかわる耐熱性樹脂としては、耐
熱性エポキシ、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾ
ール、シリコーン、ポリイミド樹脂等が挙げられるが、
銅箔の引き剥し強さに関し、必ずしも満足のゆくものは
得られていない。これらの樹脂のうち、特にポリイミド
は耐熱性に優れているばかりでなく、耐電圧性、絶縁性
及び／又は誘電特性などの電気特性にも優れ、従って電
気絶縁材料として関心が高まっている。然しながらポリ
イミド樹脂は金属等に対する接着力が劣り、金属ベース
配線基板用の絶縁層として用いる場合には銅箔及び金属
ベース基板に積層させる接着剤が必要となる。接着力、
耐熱性共に優れているものは、D.J.Progar等によって開
発されたポリイミド接着剤（米国特許第4,065,345号）
が知られているにすぎない。
熱性エポキシ、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾ
ール、シリコーン、ポリイミド樹脂等が挙げられるが、
銅箔の引き剥し強さに関し、必ずしも満足のゆくものは
得られていない。これらの樹脂のうち、特にポリイミド
は耐熱性に優れているばかりでなく、耐電圧性、絶縁性
及び／又は誘電特性などの電気特性にも優れ、従って電
気絶縁材料として関心が高まっている。然しながらポリ
イミド樹脂は金属等に対する接着力が劣り、金属ベース
配線基板用の絶縁層として用いる場合には銅箔及び金属
ベース基板に積層させる接着剤が必要となる。接着力、
耐熱性共に優れているものは、D.J.Progar等によって開
発されたポリイミド接着剤（米国特許第4,065,345号）
が知られているにすぎない。
本発明は、高温にさらされて使用しても、使用中、使
用後に於いて絶縁層の特性及び銅箔、金属ベース基板と
の接着力の低下しない耐熱性に優れた金属ベースプリン
ト配線基板及び対電圧性、絶縁性及び／又は誘電特性に
優れた金属ベースプリント配線基板を提供することにあ
る。
用後に於いて絶縁層の特性及び銅箔、金属ベース基板と
の接着力の低下しない耐熱性に優れた金属ベースプリン
ト配線基板及び対電圧性、絶縁性及び／又は誘電特性に
優れた金属ベースプリント配線基板を提供することにあ
る。
本発明の上記目的は、銅箔と金属ベース基板が実質的
に溶剤を含有せず、かつ脱水反応の終了した、ガラス転
移点が150℃以上であり、ガラス転移点から更に30℃温
度を上昇させたとき弾性率がガラス転移点での弾性率と
比較すると1/1000以下に低下する熱可塑性ポリイミドで
あって、該ポリイミドが、3,3′−ジアミノジフェニル
エーテル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,
3′−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミ
ノフェニルスルホン、3,3′−ジアミノベンゾフェノ
ン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メ
タン、1,1−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］エタン、1,2−ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］エタン、2,2−ビス（４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパン、2,2−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、2,2−ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテルか
らなる群から選ばれるジアミンと ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二
無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二
無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−
ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アント
ラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナン
トレンテトラカルボン酸二無水物からなる群から選ばれ
る芳香族酸無水物から合成されたものを絶縁層により接
着剤を介することなく積層されてなる、半田耐熱性が30
0℃以上、絶縁破壊強さが95kV/mm以上、25℃における銅
箔引き剥し強さが0.9kg/cm以上である金属ベースプリン
ト配線基板及び、銅箔と金属ベース基板との間に実質的
に溶剤を含有せず、かつ脱水反応の終了した、ガラス転
移点が150℃以上であり、ガラス転移点から更に30℃温
度を上昇させたとき弾性率がガラス転移点での弾性率と
比較すると1/1000以下に低下する前記熱可塑性ポリイミ
ドを絶縁層兼接着剤として挿入し積層することを特徴と
する半田耐熱性が300℃以上、絶縁破壊強さが95kV/mm以
上、銅箔引き剥し強さが0.9kg/cm以上である金属ベース
プリント配線基板の製造方法によって達成される。
に溶剤を含有せず、かつ脱水反応の終了した、ガラス転
移点が150℃以上であり、ガラス転移点から更に30℃温
度を上昇させたとき弾性率がガラス転移点での弾性率と
比較すると1/1000以下に低下する熱可塑性ポリイミドで
あって、該ポリイミドが、3,3′−ジアミノジフェニル
エーテル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,
3′−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミ
ノフェニルスルホン、3,3′−ジアミノベンゾフェノ
ン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メ
タン、1,1−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］エタン、1,2−ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］エタン、2,2−ビス（４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパン、2,2−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、2,2−ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテルか
らなる群から選ばれるジアミンと ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二
無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二
無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−
ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アント
ラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナン
トレンテトラカルボン酸二無水物からなる群から選ばれ
る芳香族酸無水物から合成されたものを絶縁層により接
着剤を介することなく積層されてなる、半田耐熱性が30
0℃以上、絶縁破壊強さが95kV/mm以上、25℃における銅
箔引き剥し強さが0.9kg/cm以上である金属ベースプリン
ト配線基板及び、銅箔と金属ベース基板との間に実質的
に溶剤を含有せず、かつ脱水反応の終了した、ガラス転
移点が150℃以上であり、ガラス転移点から更に30℃温
度を上昇させたとき弾性率がガラス転移点での弾性率と
比較すると1/1000以下に低下する前記熱可塑性ポリイミ
ドを絶縁層兼接着剤として挿入し積層することを特徴と
する半田耐熱性が300℃以上、絶縁破壊強さが95kV/mm以
上、銅箔引き剥し強さが0.9kg/cm以上である金属ベース
プリント配線基板の製造方法によって達成される。
本発明において積層とは、それぞれの層を重ね合わせ
固着することを意味する。
固着することを意味する。
挿入積層の方法としては、１つには、銅箔と金属ベー
ス基板との間に熱可塑性ポリイミドのフィルムを挿入
し、ポリイミドのガラス転移温度以上の温度と圧力で積
層する方法であり、他の１つには、熱可塑性ポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸を有機溶媒に溶解した溶液
を銅箔上あるいは金属ベース基板上に直接コーティング
した後、加熱、脱水する工程と、このようにしてできた
ポリイミド膜の上に金属ベース基板あるいは銅箔を重ね
合せ、ポリイミドのガラス転移温度以上の温度と圧力で
積層する工程とからなる方法がある。またこれらの諸層
は真空中あるいは不活性ガス中で行なうことにより銅箔
の酸化及び／又は絶縁層内のボイドを防ぐことにより、
より一層配線基板として優れたものにすることができ
る。また、このポリイミドの中に絶縁層の機械的補強あ
るいは耐電圧性の向上のためにガラス繊維の織布あるい
は不織布、または、他のポリイミドあるいはポリアミド
イミドの織布あるいは不織布を入れても良い。また絶縁
層の熱伝導性の向上のためにAl2O3、SiC、BN、SiO2など
のセラミックス粒を絶縁性、接着性をそこなわない範囲
でポリイミドに混合されてもよい。一般には30〜80重量
％であるが好ましくは50〜70重量％である。
ス基板との間に熱可塑性ポリイミドのフィルムを挿入
し、ポリイミドのガラス転移温度以上の温度と圧力で積
層する方法であり、他の１つには、熱可塑性ポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸を有機溶媒に溶解した溶液
を銅箔上あるいは金属ベース基板上に直接コーティング
した後、加熱、脱水する工程と、このようにしてできた
ポリイミド膜の上に金属ベース基板あるいは銅箔を重ね
合せ、ポリイミドのガラス転移温度以上の温度と圧力で
積層する工程とからなる方法がある。またこれらの諸層
は真空中あるいは不活性ガス中で行なうことにより銅箔
の酸化及び／又は絶縁層内のボイドを防ぐことにより、
より一層配線基板として優れたものにすることができ
る。また、このポリイミドの中に絶縁層の機械的補強あ
るいは耐電圧性の向上のためにガラス繊維の織布あるい
は不織布、または、他のポリイミドあるいはポリアミド
イミドの織布あるいは不織布を入れても良い。また絶縁
層の熱伝導性の向上のためにAl2O3、SiC、BN、SiO2など
のセラミックス粒を絶縁性、接着性をそこなわない範囲
でポリイミドに混合されてもよい。一般には30〜80重量
％であるが好ましくは50〜70重量％である。
本発明に用いられる熱可塑性ポリイミドの前駆体であ
るポリアミド酸は特に限定されるものではないが、通常
は各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と有機溶媒
中で重合させて製造することができる。
るポリアミド酸は特に限定されるものではないが、通常
は各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と有機溶媒
中で重合させて製造することができる。
また、熱可塑性ポリイミドフィルムは上記ポリアミド
酸溶液をスチール等のシートの上で一定厚みにコーティ
ングする工程、コーティングしたものを乾燥器中で溶剤
を除去しフィルム化する工程、およびフィルムを加熱、
脱水しイミド化する工程によって製造することができ
る。
酸溶液をスチール等のシートの上で一定厚みにコーティ
ングする工程、コーティングしたものを乾燥器中で溶剤
を除去しフィルム化する工程、およびフィルムを加熱、
脱水しイミド化する工程によって製造することができ
る。
本発明で用いられる熱可塑性ポリイミドは150℃以上
のガラス転移点を有するもので、ガラス転移点から更に
30℃温度を上昇させた時、弾性率がガラス転移点での弾
性率と比較すると1/1000以下（0.1％以下）に低下する
ものである。
のガラス転移点を有するもので、ガラス転移点から更に
30℃温度を上昇させた時、弾性率がガラス転移点での弾
性率と比較すると1/1000以下（0.1％以下）に低下する
ものである。
この方法で使用されるジアミンとしては、3,3′−ジ
アミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホキシ
ド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノベンゾフェノン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕メタン、1,1−ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エタン、1,2−ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、2,2−ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
ブタン、2,2−ビス〔４（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシ
ド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エーテル等が挙げられ、これらは単独或いは２種以
上混合して用いられる。
アミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホキシ
ド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノベンゾフェノン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕メタン、1,1−ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エタン、1,2−ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、2,2−ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
ブタン、2,2−ビス〔４（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシ
ド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エーテル等が挙げられ、これらは単独或いは２種以
上混合して用いられる。
これらジアミンに、熱可塑性をそこなわない範囲でｐ
−アミノベンジルアミン、4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4,
4′−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メ
タン、1,1−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕エタン、1,2−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エタン、2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、2,2−ビ
ス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4′−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシド、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕等のジ
アミンを単独あるいは２種以上混合して加えることもで
きる。
−アミノベンジルアミン、4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4,
4′−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メ
タン、1,1−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕エタン、1,2−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エタン、2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、2,2−ビ
ス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4′−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシド、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕等のジ
アミンを単独あるいは２種以上混合して加えることもで
きる。
ジアミンと反応させるテトラカルボン酸二無水物とし
ては、例えば、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4−ジカ
ルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4−ジ
カルボキシフェニル）スルホン二無水物、1,1−ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、2,3,
6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼン
テトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントテトラカルボ
ン酸二無水物等が用いられる。これらは単独或いは２種
以上混合して用いられる。
ては、例えば、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4−ジカ
ルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4−ジ
カルボキシフェニル）スルホン二無水物、1,1−ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、2,3,
6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼン
テトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントテトラカルボ
ン酸二無水物等が用いられる。これらは単独或いは２種
以上混合して用いられる。
有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、N,N−ジメチルアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノン、N,N−ジエ
チルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルスルホ
ン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿素、
Ｎ−メチルカプロラクタム、ヒトラヒドロフラン、ｍ−
ジオキサン、ｐ−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタ
ン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、1,2−ビス
（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔２−（２−
メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等がある。
ドン、N,N−ジメチルアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノン、N,N−ジエ
チルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルスルホ
ン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿素、
Ｎ−メチルカプロラクタム、ヒトラヒドロフラン、ｍ−
ジオキサン、ｐ−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタ
ン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、1,2−ビス
（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔２−（２−
メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等がある。
ポリアミド酸溶液を銅箔あるいは金属ベース基板ある
いはフィルム作成のためのスチール等のシートの上に一
定厚みにコーテイングする場合、ポリアミド酸溶液の粘
度は所定のコーティング方法により、所望の厚さのコー
ティング膜が得られるような最適粘度を与えるように実
施するのが肝要である。
いはフィルム作成のためのスチール等のシートの上に一
定厚みにコーテイングする場合、ポリアミド酸溶液の粘
度は所定のコーティング方法により、所望の厚さのコー
ティング膜が得られるような最適粘度を与えるように実
施するのが肝要である。
コーティングは出来るだけ均一になされなければなら
ず、かかるコーティングはバーコーター、ドクターブレ
ード及びコンマコーター等を用いて実施することができ
る。
ず、かかるコーティングはバーコーター、ドクターブレ
ード及びコンマコーター等を用いて実施することができ
る。
熱可塑性ポリイミドに接着剤としての性能を持たせる
ためには、溶剤の除去と脱水させるための加熱温度のコ
ントロールが肝要である。
ためには、溶剤の除去と脱水させるための加熱温度のコ
ントロールが肝要である。
ポリアミド酸溶液を所定の基材の上にコーティングし
た後、所要時間80〜200℃、好ましくは100〜150℃に加
熱し、溶剤を除去する。温度が80℃以下の場合は溶剤の
除去が遅く経済的でなく、200℃以上では溶剤の除去が
速すぎるため皮膜形成、泡の発生、皮膜の乾燥収縮によ
る反り等の応力発生があり好ましくない。更に、150〜5
00℃、好ましくは200〜300℃に加熱し、溶剤の十分な除
去を行なうと共に脱水縮合によりイミド化させることに
より実施できる。150℃以下では溶剤の除去あるいは脱
水が十分でないため銅箔と金属ベース基板の積層におい
てボイドの発生が起り絶縁性、接着性が不十分となる。
また、500℃以上では熱可塑性ポリイミドの劣化により
絶縁性が低下したり、ポリイミドのガラス転移点が高く
なり、銅箔と金属ベース基板との積層が行ない難くな
る。
た後、所要時間80〜200℃、好ましくは100〜150℃に加
熱し、溶剤を除去する。温度が80℃以下の場合は溶剤の
除去が遅く経済的でなく、200℃以上では溶剤の除去が
速すぎるため皮膜形成、泡の発生、皮膜の乾燥収縮によ
る反り等の応力発生があり好ましくない。更に、150〜5
00℃、好ましくは200〜300℃に加熱し、溶剤の十分な除
去を行なうと共に脱水縮合によりイミド化させることに
より実施できる。150℃以下では溶剤の除去あるいは脱
水が十分でないため銅箔と金属ベース基板の積層におい
てボイドの発生が起り絶縁性、接着性が不十分となる。
また、500℃以上では熱可塑性ポリイミドの劣化により
絶縁性が低下したり、ポリイミドのガラス転移点が高く
なり、銅箔と金属ベース基板との積層が行ない難くな
る。
上記の脱水、縮合によるイミド化の工程に於いて、所
定の基材にコートしたまま行なえば、その基材に接着し
たポリイミド膜が生成する。また、脱水、縮合前にその
基材から剥離し、ピンテンターにかけてイミド化工程を
行なえばポリイミドフィルムが生成する。
定の基材にコートしたまま行なえば、その基材に接着し
たポリイミド膜が生成する。また、脱水、縮合前にその
基材から剥離し、ピンテンターにかけてイミド化工程を
行なえばポリイミドフィルムが生成する。
ポリイミドフィルムあるいは基材に接着したポリイミ
ド膜の厚さは５〜500μｍが一般的な使用に適するが、
生産性、絶縁性、強度、熱伝導性等から10〜100μｍが
好ましい。
ド膜の厚さは５〜500μｍが一般的な使用に適するが、
生産性、絶縁性、強度、熱伝導性等から10〜100μｍが
好ましい。
また、積層する銅箔は電解銅箔、圧延銅箔などプリン
ト配線板に使用できる銅箔であれば、いずれを用いても
良い。また、金属ベース基板はアルミニウム、亜鉛鋼
板、ステンレス鋼板、硅素鋼板、アルマイト処理したア
ルミニウム、モリブデン鋼板、タングステン鋼板、しん
ちゅうなど融点が350℃以上の金属であれば、いずれを
用いても良い。
ト配線板に使用できる銅箔であれば、いずれを用いても
良い。また、金属ベース基板はアルミニウム、亜鉛鋼
板、ステンレス鋼板、硅素鋼板、アルマイト処理したア
ルミニウム、モリブデン鋼板、タングステン鋼板、しん
ちゅうなど融点が350℃以上の金属であれば、いずれを
用いても良い。
銅箔の厚みは５〜150μｍ、好ましくは９〜70μｍが
一般的に使用されるが特に限定されるものではない。パ
ターン形成、銅箔の強度から考えると９〜35μｍが好ま
しい。
一般的に使用されるが特に限定されるものではない。パ
ターン形成、銅箔の強度から考えると９〜35μｍが好ま
しい。
また本発明に使用される金属板の厚みは30μｍ〜50mm
が使用に適するが、剛性、加工性等の特性から30〜3000
μｍが好ましく、特に好ましくは200〜2000μｍであ
る。
が使用に適するが、剛性、加工性等の特性から30〜3000
μｍが好ましく、特に好ましくは200〜2000μｍであ
る。
上記のようにして作成したポリイミドが、銅箔と金属
ベース基板の間に挿入された形の積層板として成形する
ためには、加熱温度と圧力のコントロールが肝要であ
る。
ベース基板の間に挿入された形の積層板として成形する
ためには、加熱温度と圧力のコントロールが肝要であ
る。
積層板として成形するための温度としては、使用する
ポリイミドのガラス転移点以上で、しかもガラス転移点
プラス300℃以下の温度、好ましくは200℃以下、さらに
好ましくはガラス転移点プラス30〜150℃が適当であ
る。ガラス転移点以下ではポリイミドの流動性が低く接
着力が低い。またガラス転移点プラス200℃以上ではポ
リイミドの劣化による接着力の低下あるいは流動性が高
すぎ絶縁層の厚みコントロールが行ないにくい。また特
に成形する温度が高温（280℃以上）で行なう場合は銅
箔の酸化劣化を防ぐため、酸素が実質的に存しない環境
で行なうことが望ましい。本発明において酸素が実質的
に存在しない環境とは、空気を窒素ガス、アルゴン、ヘ
リウムガス等の不活性ガスで置き換え、酸素濃度を６％
以下、好ましくは２％以下に下げた環境あるいは減圧に
し酸素の分圧を15Torr以下、好ましくは2Torr以下にし
た環境を意味する。
ポリイミドのガラス転移点以上で、しかもガラス転移点
プラス300℃以下の温度、好ましくは200℃以下、さらに
好ましくはガラス転移点プラス30〜150℃が適当であ
る。ガラス転移点以下ではポリイミドの流動性が低く接
着力が低い。またガラス転移点プラス200℃以上ではポ
リイミドの劣化による接着力の低下あるいは流動性が高
すぎ絶縁層の厚みコントロールが行ないにくい。また特
に成形する温度が高温（280℃以上）で行なう場合は銅
箔の酸化劣化を防ぐため、酸素が実質的に存しない環境
で行なうことが望ましい。本発明において酸素が実質的
に存在しない環境とは、空気を窒素ガス、アルゴン、ヘ
リウムガス等の不活性ガスで置き換え、酸素濃度を６％
以下、好ましくは２％以下に下げた環境あるいは減圧に
し酸素の分圧を15Torr以下、好ましくは2Torr以下にし
た環境を意味する。
積層板として成形するための圧力としては１〜1000kg
/cm2、好ましくは２〜50kg/cm2が適当である。圧力が1k
g/cm2以下ではポリイミドの接着力が十分でなく、ま
た、積層板の平滑性が十分に得られにくい。圧力が1000
kg/cm2以上では絶縁層の厚みコントロールが行ないにく
い。
/cm2、好ましくは２〜50kg/cm2が適当である。圧力が1k
g/cm2以下ではポリイミドの接着力が十分でなく、ま
た、積層板の平滑性が十分に得られにくい。圧力が1000
kg/cm2以上では絶縁層の厚みコントロールが行ないにく
い。
上記のような条件で、熱可塑性ポリイミドを作成し、
所定の圧力、温度で１〜300分、好ましくは５〜60分、
成形した金属ベースプリント配線基板は接着力、絶縁性
に優れ、しかも、180℃以上の雰囲気中でも長期間その
特性を変化させない優れた耐熱性を持っている。
所定の圧力、温度で１〜300分、好ましくは５〜60分、
成形した金属ベースプリント配線基板は接着力、絶縁性
に優れ、しかも、180℃以上の雰囲気中でも長期間その
特性を変化させない優れた耐熱性を持っている。
以下実施例により本発明を説明する。尚、実施例中の
対数粘度は35℃、0.5g/100ml、N,N−ジメチルアセトア
ミドで測定した値であり、回転粘度はＥ型粘度計の高粘
度用ロータを用いて25℃で測定した値である。
対数粘度は35℃、0.5g/100ml、N,N−ジメチルアセトア
ミドで測定した値であり、回転粘度はＥ型粘度計の高粘
度用ロータを用いて25℃で測定した値である。
プリント配線基板の銅箔引き剥し強さはIPC−FC−241
Aの方法に準じて行なった。絶縁破壊強さはASTM D−149
に準じて行なった。ハンダ耐熱性はJIS C−6481で行な
った。耐熱性は180℃循環空気中に240時間放置前後の体
積抵抗率の変化及び銅箔引き剥し強さの変化で検討し
た。また、体積抵抗率はJIS C−6481に準じて行なっ
た。
Aの方法に準じて行なった。絶縁破壊強さはASTM D−149
に準じて行なった。ハンダ耐熱性はJIS C−6481で行な
った。耐熱性は180℃循環空気中に240時間放置前後の体
積抵抗率の変化及び銅箔引き剥し強さの変化で検討し
た。また、体積抵抗率はJIS C−6481に準じて行なっ
た。
実施例−１ 撹拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で、
3,3′−ジアミノベンゾフェノン53.0g（0.25モル）を、
N,N−ジメチルアセトアミド240mlに溶解した。この溶液
に3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物78.6g（0.244モル）の粉末を添加し、10℃で24時間
撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液中のポ
リアミド酸の対数粘度は0.59dl/g、回転粘度は32,000cp
sであった。この溶液をドクターブレードを用いて電解
銅箔（厚さ35μｍ）に均一にコーティングした。このコ
ーティング銅箔を100℃で１時間加熱乾燥した後、240℃
で３時間加熱して、ポリイミドをコートした銅箔を得
た。このポリイミドのガラス転移温度は210℃であり、
膜厚は52μｍであった。また、残存溶剤量は0.8％であ
った。このポリイミドをコートした銅箔を、アルミニウ
ム板（JIS H4000 1050P、厚さ1.0mm）の上にポリイミド
膜が挿入される形で積層し、プレスにて270℃、40kg/cm
2で30分間成形を行ない、アルミベースプリント配線基
板を得た。この配線基板の特性は表−１の通りであっ
た。
3,3′−ジアミノベンゾフェノン53.0g（0.25モル）を、
N,N−ジメチルアセトアミド240mlに溶解した。この溶液
に3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物78.6g（0.244モル）の粉末を添加し、10℃で24時間
撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液中のポ
リアミド酸の対数粘度は0.59dl/g、回転粘度は32,000cp
sであった。この溶液をドクターブレードを用いて電解
銅箔（厚さ35μｍ）に均一にコーティングした。このコ
ーティング銅箔を100℃で１時間加熱乾燥した後、240℃
で３時間加熱して、ポリイミドをコートした銅箔を得
た。このポリイミドのガラス転移温度は210℃であり、
膜厚は52μｍであった。また、残存溶剤量は0.8％であ
った。このポリイミドをコートした銅箔を、アルミニウ
ム板（JIS H4000 1050P、厚さ1.0mm）の上にポリイミド
膜が挿入される形で積層し、プレスにて270℃、40kg/cm
2で30分間成形を行ない、アルミベースプリント配線基
板を得た。この配線基板の特性は表−１の通りであっ
た。
ここで得られたポリイミドのガラス転移点温度での引
張弾性率は300kg/mm2であり、240℃での引張弾性率は0.
1kg/mm2以下であった。
張弾性率は300kg/mm2であり、240℃での引張弾性率は0.
1kg/mm2以下であった。
実施例−２ 連続キャスト製膜に用いられるスチールドラム面に電
解銅箔（35μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリア
ミド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延し
た。スチールドラムを100℃から40℃迄４時間かけて徐
々に加熱して、ポリイミドをコートした銅箔を連続的に
得た。このポリイミドのガラス転移温度は205℃であ
り、膜厚は52μｍであった。また、残存溶剤量は0.9％
であった。このポリイミドをコートした銅箔をアルミニ
ウム板（JIS H4000 1050P、厚さ1.0mm）の上にポリイミ
ド膜が挿入される形で積層し、プレスにて270℃、40kg/
cm2で30分間成形を行ない、アルミベースプリント配線
基板を得た。この配線基板の特性は表−１の通りであっ
た。
解銅箔（35μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリア
ミド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延し
た。スチールドラムを100℃から40℃迄４時間かけて徐
々に加熱して、ポリイミドをコートした銅箔を連続的に
得た。このポリイミドのガラス転移温度は205℃であ
り、膜厚は52μｍであった。また、残存溶剤量は0.9％
であった。このポリイミドをコートした銅箔をアルミニ
ウム板（JIS H4000 1050P、厚さ1.0mm）の上にポリイミ
ド膜が挿入される形で積層し、プレスにて270℃、40kg/
cm2で30分間成形を行ない、アルミベースプリント配線
基板を得た。この配線基板の特性は表−１の通りであっ
た。
実施例−３ 平滑なガラス板上に実施例−１で得られたポリアミド
酸溶液をドクターブレードを用いて均一にコーティング
した。このコーティングされたガラス板を100℃で１時
間加熱乾燥した後、135℃で１時間加熱した。この時の
コーティング膜中の残存容量は21％であった。このコー
ティング膜をガラス板から剥し、ピンテンターに設置
し、再加熱を行なった。その時の加熱は100℃から240℃
迄４時間かけて徐々に行なった。このポリイミドのガラ
ス転移温度は206℃であり、膜厚は52μｍであった。ま
た、残存溶剤量は0.3％であった。このポリイミドシー
トを電解銅箔（厚さ35μｍ）とアルミニウム板（JIS H4
000 1050P、厚さ1.0mm）の間に挿入して積層し、プレス
にて260℃、40kg/cm2で30分間成形を行ない、アルミベ
ースプリント配線基板を得た。この配線基板の特性は表
−１の通りであった。
酸溶液をドクターブレードを用いて均一にコーティング
した。このコーティングされたガラス板を100℃で１時
間加熱乾燥した後、135℃で１時間加熱した。この時の
コーティング膜中の残存容量は21％であった。このコー
ティング膜をガラス板から剥し、ピンテンターに設置
し、再加熱を行なった。その時の加熱は100℃から240℃
迄４時間かけて徐々に行なった。このポリイミドのガラ
ス転移温度は206℃であり、膜厚は52μｍであった。ま
た、残存溶剤量は0.3％であった。このポリイミドシー
トを電解銅箔（厚さ35μｍ）とアルミニウム板（JIS H4
000 1050P、厚さ1.0mm）の間に挿入して積層し、プレス
にて260℃、40kg/cm2で30分間成形を行ない、アルミベ
ースプリント配線基板を得た。この配線基板の特性は表
−１の通りであった。
実施例−４ 実施例−３で得られたポリイミドシートを圧延銅箔
（厚さ35μｍ）とアルミニウム板（JIS H4000 1050P、
厚さ1.0mm）の間に挿入して積層し、バキュームプレス
（米国バキュームプレス社製）を用い、内部を10Torrに
減圧し、外部は20kg/cm2で加圧しつつ300℃にて30分間
成形を行ない、アルミベースプリント配線基板を得た。
この配線基板の特性は表−１の通りであった。
（厚さ35μｍ）とアルミニウム板（JIS H4000 1050P、
厚さ1.0mm）の間に挿入して積層し、バキュームプレス
（米国バキュームプレス社製）を用い、内部を10Torrに
減圧し、外部は20kg/cm2で加圧しつつ300℃にて30分間
成形を行ない、アルミベースプリント配線基板を得た。
この配線基板の特性は表−１の通りであった。
実施例−５ 撹拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で、
2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン41.0g（0.1モル）を、N,N−ジメチルアセトア
ミド200mlに溶解し、０℃付近まで冷却し、窒素雰囲気
下に於てピロメリット酸二無水物21.8g（0.1モル）の粉
末を加え０℃付近で２時間撹拌した。次に上記溶液を室
温に戻し、窒素雰囲気下で約20時間撹拌を行なった。こ
うして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は1.5dl/
g、回転粘度は56,000cpsであった。
2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン41.0g（0.1モル）を、N,N−ジメチルアセトア
ミド200mlに溶解し、０℃付近まで冷却し、窒素雰囲気
下に於てピロメリット酸二無水物21.8g（0.1モル）の粉
末を加え０℃付近で２時間撹拌した。次に上記溶液を室
温に戻し、窒素雰囲気下で約20時間撹拌を行なった。こ
うして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は1.5dl/
g、回転粘度は56,000cpsであった。
この溶液を厚さ35μｍの電解銅箔に均一にコーティン
グした。このコーティングされた銅箔を、100℃で１時
間加熱乾燥した後、230℃で４時間加熱して、ポリイミ
ドをコートした銅箔を得た。このポリイミドのガラス転
移温度は188℃であり、膜厚は42μｍであった。また残
存溶剤量は0.3％であった。このポリイミドをコートし
た銅箔を、アルミニウム板（JIS H4000 1050P、厚さ1.0
mm）の上にポリイミド膜が挿入される形で積層し、プレ
スにて260℃、40kg/cm2で30分間成形を行ない、アルミ
ベースプリント配線基板を得た。この配線基板の特性は
表−１の通りであった。
グした。このコーティングされた銅箔を、100℃で１時
間加熱乾燥した後、230℃で４時間加熱して、ポリイミ
ドをコートした銅箔を得た。このポリイミドのガラス転
移温度は188℃であり、膜厚は42μｍであった。また残
存溶剤量は0.3％であった。このポリイミドをコートし
た銅箔を、アルミニウム板（JIS H4000 1050P、厚さ1.0
mm）の上にポリイミド膜が挿入される形で積層し、プレ
スにて260℃、40kg/cm2で30分間成形を行ない、アルミ
ベースプリント配線基板を得た。この配線基板の特性は
表−１の通りであった。
ここで得られたポリイミドのガラス転移温度での引張
弾性率は220kg/mm2であり、218℃での引張弾性率は0.1k
g/mm2以下であった。
弾性率は220kg/mm2であり、218℃での引張弾性率は0.1k
g/mm2以下であった。
実施例−６ 平滑な鋼製ベース基板（JIS G3141 SPCC−SB、厚さ0.
5mm）に実施例−５で得られたポリアミド酸溶液をドク
ターブレードを用いて均一にコーティングした。このコ
ーティングされた鋼板を100℃で１時間加熱乾燥した
後、230℃で２時間加熱してポリイミドをコートした鋼
板を得た。このポリイミドのガラス転移温度は187℃で
あり、膜厚は52μｍであった。また、残存溶剤量は0.5
％であった。このポリイミドをコートした鋼板にポリイ
ミド膜が挿入される形で圧延銅箔（厚さ35μｍ）を積層
し、プレスにて260℃、40kg/cm2で30分間成形を行な
い、鋼板ベースプリント配線基板を得た。この配線基板
の特性は表−１の通りであった。
5mm）に実施例−５で得られたポリアミド酸溶液をドク
ターブレードを用いて均一にコーティングした。このコ
ーティングされた鋼板を100℃で１時間加熱乾燥した
後、230℃で２時間加熱してポリイミドをコートした鋼
板を得た。このポリイミドのガラス転移温度は187℃で
あり、膜厚は52μｍであった。また、残存溶剤量は0.5
％であった。このポリイミドをコートした鋼板にポリイ
ミド膜が挿入される形で圧延銅箔（厚さ35μｍ）を積層
し、プレスにて260℃、40kg/cm2で30分間成形を行な
い、鋼板ベースプリント配線基板を得た。この配線基板
の特性は表−１の通りであった。
実施例７ 実施例３で得られたポリイミドシートを圧延銅箔（厚
さ35μｍ）とアルミニウム板（JIS H4000、1050P、厚さ
1.0mm）の間に挿入して積層し、プレスにて300℃、20kg
/cm2で30分間、成形を行ないアルミベースプリント配線
基板を得た。この配線板の特性は第１表のとうりであっ
た。
さ35μｍ）とアルミニウム板（JIS H4000、1050P、厚さ
1.0mm）の間に挿入して積層し、プレスにて300℃、20kg
/cm2で30分間、成形を行ないアルミベースプリント配線
基板を得た。この配線板の特性は第１表のとうりであっ
た。
比較例１ 市販の多層板用エポキシ系プリプレグシート（日立化
成（株）GEN−67N、厚さ100μｍ）を圧延銅箔（厚さ35
μｍ）とアルミニウム板（JIS H4000、1050P、厚さ1.0m
m）の間に挿入し、プレスにて170℃、40kg/cmで60分間
成形を行ないアルミベースプリント配線基板を得た。こ
の配線基板の特性は第２表のとうりであった。
成（株）GEN−67N、厚さ100μｍ）を圧延銅箔（厚さ35
μｍ）とアルミニウム板（JIS H4000、1050P、厚さ1.0m
m）の間に挿入し、プレスにて170℃、40kg/cmで60分間
成形を行ないアルミベースプリント配線基板を得た。こ
の配線基板の特性は第２表のとうりであった。
比較例２ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器に2,
2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン10.3g（0.025モル）及び4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル15.0g（0.075モル）をN,N−ジメチルアセ
トアミド200mlに溶解し、０℃付近まで冷却し、窒素雰
囲気下においてピロメリット酸二無水物21.8g（0.1モ
ル）の粉末を加え０℃付近で２時間攪拌した。次に上記
溶液を室温に戻し、窒素雰囲気下で約20時間攪拌を行な
った。こうして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は
1.8dl/g、回転粘度は74000cpsであった。このワニスを
平滑なガラス板上にドクターブレードを用いて均一にコ
ーティングした。このコーティングされたガラス板を10
0℃で１時間加熱乾燥した後、135℃で１時間加熱した。
この時のコーティング膜中の残溶液を23％であった。こ
のコーティング膜をガラス板から剥し、ピンテンターに
設置し、再加熱を行なった。その時の加熱は100℃から2
60℃まで４時かけて徐々に行なった。このポリイミドの
ガラス転移温度は240℃であり、膜厚は46μｍであっ
た。また残存溶剤量は0.2％であった。このポリイミド
のガラス転移温度での引張弾性率は240kg/mm2であり、2
70℃での引張弾性率は1.2kg/mm2（0.5％）であった。
2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン10.3g（0.025モル）及び4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル15.0g（0.075モル）をN,N−ジメチルアセ
トアミド200mlに溶解し、０℃付近まで冷却し、窒素雰
囲気下においてピロメリット酸二無水物21.8g（0.1モ
ル）の粉末を加え０℃付近で２時間攪拌した。次に上記
溶液を室温に戻し、窒素雰囲気下で約20時間攪拌を行な
った。こうして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は
1.8dl/g、回転粘度は74000cpsであった。このワニスを
平滑なガラス板上にドクターブレードを用いて均一にコ
ーティングした。このコーティングされたガラス板を10
0℃で１時間加熱乾燥した後、135℃で１時間加熱した。
この時のコーティング膜中の残溶液を23％であった。こ
のコーティング膜をガラス板から剥し、ピンテンターに
設置し、再加熱を行なった。その時の加熱は100℃から2
60℃まで４時かけて徐々に行なった。このポリイミドの
ガラス転移温度は240℃であり、膜厚は46μｍであっ
た。また残存溶剤量は0.2％であった。このポリイミド
のガラス転移温度での引張弾性率は240kg/mm2であり、2
70℃での引張弾性率は1.2kg/mm2（0.5％）であった。
このポリイミドシートを電解銅箔（厚さ35μｍ）とア
ルミニウム板（JIS H4000、1050P、厚さ1.0mm）の間に
挿入して積載し、プレスにて275℃、40kg/cm2で30分間
成形を行ない、アルベースプリント配線基板を得た。こ
の配線基板の特性は第２表のとうりであった。
ルミニウム板（JIS H4000、1050P、厚さ1.0mm）の間に
挿入して積載し、プレスにて275℃、40kg/cm2で30分間
成形を行ない、アルベースプリント配線基板を得た。こ
の配線基板の特性は第２表のとうりであった。
〔発明の効果〕 上記実施例の説明のように、絶縁層である熱可塑性ポ
リイミド自身に接着性があるために、一般的に耐熱性の
劣る接着剤を使わないので、優れた高温時多箔引き剥し
強さ及び耐熱劣化性を持つと共に優れた電気特性を兼ね
備えた金属ベースプリント配線基板が簡便な操作により
容易に製造が可能になる。
リイミド自身に接着性があるために、一般的に耐熱性の
劣る接着剤を使わないので、優れた高温時多箔引き剥し
強さ及び耐熱劣化性を持つと共に優れた電気特性を兼ね
備えた金属ベースプリント配線基板が簡便な操作により
容易に製造が可能になる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−40995（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−79797（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−11137（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−148870（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭50−2637（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (5)
- 【請求項１】銅箔と金属ベース基板が実質的に溶剤を含
有せず、かつ脱水反応の終了した、ガラス転移点が150
℃以上であり、ガラス転移点から更に30℃温度を上昇さ
せたとき弾性率がガラス転移点での弾性率と比較すると
1/1000以下に低下する熱可塑性ポリイミドであって、該
ポリイミドが 3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホキシド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、3,
3′−アミノベンゾフェノン、ビス［４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］メタン、1,1−ビス［４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、1,2−ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、2,
2−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］ブタン、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロ
パン、1,3−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビ
ス［４（３−アミノフェノキシ）フェニル）ケトン、ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィ
ド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルホキシド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル］エーテルからなる群から選ばれるジアミンと ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジ
カルボキフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,
4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、1,1
−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二無水
物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−
ベンゼンテトラカルボ酸二無水物、3,4,9,10−ペリレン
トテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレン
テトラカルボン酸二無水物からなる群から選ばれる芳香
族無水物から合成されたものからなる絶縁層により接着
剤を介することなく積層されてなる、半田耐熱性が300
℃以上、絶縁破壊強さが95kV/mm以上、25℃における銅
箔引き剥し強さが0.9kg/cm以上である金属ベースプリン
ト配線基板。 - 【請求項２】銅箔と金属ベース基板との間に実質的に溶
剤を含有せず、かつ脱水反応の終了した、ガラス転移点
が150℃以上であり、ガラス転移点から更に30℃温度を
上昇させたとき弾性率がガラス転移点での弾性率と比較
すると1/1000以下に低下する熱可塑性ポリイミドであっ
て、該ポリイミドが3,3′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3′−ジ
アミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、3,3′−ジアミノベンゾフェノン、ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、
1,1−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］
エタン、1,2−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］エタン、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、2,2−ビス［４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ブタン、2,2−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテルからなる
群から選ばれるジアミンと ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジ
カルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス
（2,3−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二
無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二
無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−
ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アント
ラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナン
トレンテトラカルボン酸二無水物からなる群から選ばれ
る芳香族酸無水物から合成されたものを絶縁層兼接着剤
として挿入し積層することを特徴とする、半田耐熱性が
300℃以上、絶縁破壊強さが95kV/mm以上、25℃における
銅箔引き剥し強さが0.9kg/cm以上である金属ベースプリ
ント配線基板の製造方法。 - 【請求項３】銅箔と金属ベース基板との間に実質的に溶
剤を含有しない熱可塑性ポリイミドフィルム挿入し、該
ポリイミドのガラス転移温度以上の温度と圧力で積層す
る、特許請求の範囲第２項の金属ベースプリント配線基
板の製造方法。 - 【請求項４】熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリア
ミド酸を有機溶媒に溶解した溶液を銅箔上あるいは金属
ベース基板上に直接コーティングした後、加熱、脱水す
る工程と、このようにしてできた実質的に溶剤を含有し
ないポリイミド膜の上に金属ベース基板あるいは銅箔を
重ね合せ、該ポリイミドのガラス転移温度以上の温度と
圧力で積層する工程とを有する特許請求の範囲第２項の
金属ベースプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項５】前記積層工程を真空中あるいは不活性ガス
気体中で行う特許請求の範囲第３項または第４項記載の
金属ベースプリント配線基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-115390 | 1985-05-30 | ||
| JP11539085 | 1985-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6253827A JPS6253827A (ja) | 1987-03-09 |
| JPH082612B2 true JPH082612B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14661359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123530A Expired - Lifetime JPH082612B2 (ja) | 1985-05-30 | 1986-05-30 | 金属ベースプリント配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082612B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616105B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1994-03-02 | 横河メディカルシステム株式会社 | 多チャンネル電離箱型ｘ線検出器 |
| DE69023382T2 (de) * | 1989-04-17 | 1996-06-20 | Ibm | Laminierungsverfahren zum Überdecken der Seitenwände einer Höhlung in einem Substrat sowie zur Füllung dieser Höhlung. |
| JP2686836B2 (ja) * | 1990-01-23 | 1997-12-08 | ジーイー横河メディカルシステム株式会社 | 多チャンネル電離箱型ｘ線検出器 |
| JPH06314622A (ja) | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型回路部品及びその製造方法 |
| JP3198796B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2001-08-13 | 富士電機株式会社 | モールドモジュール |
| JP2000174399A (ja) | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Nhk Spring Co Ltd | 立体配線基板とその製造方法および基板用絶縁材料 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502637A (ja) * | 1973-05-12 | 1975-01-11 | ||
| JPS5740995A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-06 | Sumitomo Electric Industries | Method of producing metallic core printed circuit board |
| JPS5811137A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-21 | 三菱化学株式会社 | 耐熱性積層体の製造方法 |
| JPS6079797A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | 三洋電機株式会社 | 低熱抵抗回路基板 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61123530A patent/JPH082612B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6253827A (ja) | 1987-03-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |