JPH0686534B2

JPH0686534B2 - フレキシブルプリント回路基板の製造法

Info

Publication number: JPH0686534B2
Application number: JP60242936A
Authority: JP
Inventors: 守次森田; 和夫宮崎; 彰宏山口; 正博太田; 正司玉井
Original assignee: 三井東圧化学株式会社
Priority date: 1985-10-31
Filing date: 1985-10-31
Publication date: 1994-11-02
Anticipated expiration: 2009-11-02
Also published as: JPS62104840A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、耐熱性，電気特性，機械特性および寸法安定
性に優れたフレキシブルプリント回路基板の製法に関
し、片面金属箔張りおよび両面金属箔張りポリイミドフ
レキシブルプリント回路基板並びに片面金属箔張りに於
いて一層の寸法安定性と熱放散性を良くした金属箔裏打
ちポリイミドフレキシブルプリント回路基板の製法に関
する。

〔従来の技術〕

フレキシブルプリント回路基板は可撓性を有するプリン
ト回路を製造するための基板であつて、近年に於いて、
プリント回路が納まるケース類がコンパクト化されるな
どのために利用が増大している。このようなフレキシブ
ルプリント回路基板は従来、銅箔にポリイミドフイルム
を接着剤を用いて張り合せて製造されている。この基板
において、ポリイミドフイルムは十分に耐熱性，電気特
性および機械特性が良いが、接着剤の特性は不十分であ
るため、ポリイミドフイルムの特性が十分に生かされて
いないという問題があつた。

そこで、接着剤層を用いずに、ポリイミド金属張板から
なるフレキシブルプリント回路基板を製造する方法が従
来より検討されており、例としては、米国特許第3,179,
634号，特開昭49-129862号，特開昭58-190091号，特開
昭58-190092号などがある。しかしながら、耐熱性，接
着性，可撓性及び寸法安定性のいずれもが十分であるフ
レキシブルプリント回路基板は得られていない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、耐熱性，電気特性，機械特性及び寸法
安定性の全てに優れた、片面及び両面金属箔張りポリイ
ミドフレキシブルプリント回路基板並びに片面銅箔張り
に於いて一層の寸法安定性と熱放散性を良くした金属箔
裏打ちポリイミドフレキシブルプリント回路基板の製造
法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は、次のフレキシブルプリント回路基板の製
造法により達成される。片面銅箔張りポリイミドフレキ
シブルプリント回路基板については、対称型芳香族メタ
置換第一級アミンを当量での割合で100〜20％含む対称
型芳香族第一級アミン群と芳香族テトラカルボン酸無水
物とを反応させて生成したポリイミド（ただし、ポリイ
ミドがである場合を除く）のフイルム（Ａ）を金属箔と熱硬化
性ポリイミドフイルムとを積層するための接着剤として
用いることを特徴とする製造方法。

対称型芳香族メタ置換第一級アミンを当量での割合で10
0〜20％含む対称型芳香族第一級アミン群と芳香族テト
ラカルボン酸二無水物とを反応させ、生成したポリイミ
ドフィルムを、該生成したポリイミドフィルムとは接着
性のないフィルムと金属箔との間に挿入して積層し、加
圧、加熱下に、該生成したポリイミドフィルムを金属箔
に直接積層することを特徴とするフレキシブルプリント
回路基板の製造法。

また、対称型芳香族メタ置換第一級アミンを当量での割
合で100〜20％含む対称型芳香族第一級アミン群と芳香
族テトラカルボン酸二無水物とを反応させ、生成したポ
リイミドフィルムを金属箔と金属箔との積層用接着剤兼
絶縁層として用いることを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板の製造法。

さらに寸法安定性を一層良くするため及び熱放散性の改
良のために、金属箔を裏打ちしたポリイミドフレキシブ
ルプリント回路基板については、ポリイミドフイルム
（Ａ）を銅箔と寸法安定性改良のための金属箔との積層
用接着剤兼絶縁層として用いることができる。

本発明に用いられる対称型芳香族メタ置換第１級アミン
（以後、ｍ−ジアミンと略す）は次に示す一般式により
表わすことができる。

〔上記一般式において、×はO,SO₂,S,CO,CH₂，C(C
H₃)₂，C(CF₃)₂から選ばれ、それぞれの×は同じであつ
ても異なつても良い。〕上記一般式で表わされるｍ−ジアミンの例としては3,
3′−ジアミノジフエニルエーテル,3,3′−ジアミノジ
フエニルスルフイド,3,3′−ジアミノジフエニルスルホ
キシド,3,3′−ジアミノジフエニルスルホン,3,3′−ジ
アミノベンゾフエノン，ビス〔４−（３−アミノフエノ
キシ）フエニル〕メタン,2,2−ビス〔４−（３−アミノ
フエノキシ）フエニル〕プロパン,2,2−ビス〔４−（３
−アミノフエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロプロパン,1,3−ビス（３−アミノフエノキ
シ）ベンゼン,4,4′−ビス（３−アミノフエノキシ）ビ
フエニル，ビス〔４−（３−アミノフエノキシ）フエニ
ル〕ケトン，ビス〔４−（３−アミノフエノキシ）フエ
ニル〕スルフイド，ビス〔４−（３−アミノフエノキ
シ）フエニル〕スルホキシド，ビス〔４−（３−アミノ
フエノキシ）フエニル〕スルホン，ビス〔４−（３−ア
ミノフエノキシ）フエニル〕エーテル,4,4′−ビス（３
−アミノフエニルスルホニル）ジフエニルエーテル,4,
4′−ビス（３−アミノチオフエノキシ）ジフエニルス
ルホン,1,4−ビス〔４−（３−アミノフエノキシ）ベン
ゾイル〕ベンゼン等が挙げられ、これ等は単独あるいは
２種以上混合して用いることができる。

対称型芳香族第一級アミン群は、ｍ−ジアミン100％あ
るいは、ｍ−ジアミンと対称型芳香族パラ置換第一級ア
ミン（以降、ｐ−ジアミンと略す）との混合体を表わし
ている。ｐ−ジアミンは次に示す一般式により表わすこ
とができる。

〔上記一般式において、×はO,SO₂,S,CO,CH₂，C(C
H₃)₂，C(CF₃)₂から選ばれ、それぞれの×は同じであつ
ても異なつても良い。〕上記一般式で表わされるｐ−ジアミンの例としては、4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル,4,4′−ジアミノジ
フエニルスルフイド,4,4′−ジアミノジフエニルスルホ
キシド,4,4′−ジアミノジフエニルスルホン,4,4′−ジ
アミノベンゾフエノン，ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕メタン,2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フエノキシ）フエニル〕プロパン,2,2−ビス〔４−（４
−アミノフエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロプロパン,1,3−ビス（４−アミノフエノキ
シ）ベンゼン,4,4′−ビス（４−アミノフエノキシ）ビ
フエニル，ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニ
ル〕ケトン，ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエ
ニル〕スルフイド，ビス〔４−（４−アミノフエノキ
シ）フエニル〕スルホキシド，ビス〔４−（４−アミノ
フエノキシ）フエニル〕スルホン，ビス〔４−（４−ア
ミノフエノキシ）フエニル〕エーテル,4,4′−ビス（４
−アミノフエニルスルホニル）ジフエニルエーテル,4,
4′−ビス（４−アミノチオフエノキシ）ジフエニルス
ルホン,1,4−ビス〔４−（３−アミノフエノキシ）ベン
ゾイル〕ベンゼン等が挙げられ、これ等は単独あるいは
２種以上混合して用いることができる。

ジアミンと反応させる芳香族テトラカルボン酸無水物と
してはピロメリツト酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾ
フエノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベ
ンゾフエノン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフエニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフエニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカルボキ
シフエニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3−ジカ
ルボキシフエニル）プロパン二無水物、ビス（3,4−ジ
カルボキシフエニル）エーテル二無水物、ビス（3,4−
ジカルボキシフエニル）スルホン二無水物、1,1−ビス
（2,3−ジカルボキシフエニル）エタン二無水物、ビス
（2,3−ジカルボキシフエニル）メタン二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフエニル）メタン二無水物、2,3,
6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼン
テトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,2,7,8−フエナントレンテトラカ
ルボン酸二無水物等が用いられる。これらは単独或いは
２種以上混合して用いられる。

有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノン、N,N−
ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキメチルホスホルアミド、テトラメチル尿
素、Ｎ−メチルカプロラクタム、テトラヒドロフラン、
ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、1,2−ジメトキシエ
タン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、1,2−ビ
ス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔２−（２
−メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等がある。

本発明に於いては、ポリアミド酸を製造する際、ｍ−ジ
アミンとｐ−ジアミンを有機溶剤中に於いて、あらかじ
め、ｍ−ジアミンとｐ−ジアミンとの当量比を100〜20:
0〜80、好ましくは100〜30:0〜70、特にこのましくは10
0〜50:0〜50で混合した後、芳香族テトラカルボン酸無
水物と反応させることが肝要である。ジアミンの中でｐ
−ジアミンが当量比で80％以上の場合には、生成したポ
リイミドの接着剤としての特性が低く、フレキシブルプ
リント回路の回路が容易にポリイミドフイルムから剥れ
易く実用に供し得ないという欠点が生じる。

また、ポリアミド酸を製造する際、ｍ−ジアミンとし
て、1,3−ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン、3,
3′−ジアミノベンゾフエノン、4,4′−ビス（３−アミ
ノフエノキシ）ビフエニルを単独あるいは混合して用
い、ｐ−ジアミンとして1,3−ビス（４−アミノフエノ
キシ）ベンゼン、4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、4,4′−ビス（４−アミノフエノキシ）ビフエニル
を単独あるいは混合して用い、芳香族テトラカルボン酸
無水物としてはピロメリツト酸二無水物、3,3′,4,4′
−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物を単独ある
いは混合して用いた場合は特に好ましく、耐熱性，電気
特性，接着性，可撓性等の機械特性及び寸法安定性に優
れたフレキシブルプリント回路基板を製造することがで
きる。

これ等、ポリアミド酸溶液からポリイミドフイルムを生
成させる場合は、先ず、スチール等のシートの上に、一
定厚みのポリアミド酸溶液をコートする。これ等、ポリ
アミド酸溶液をシート上にコートする場合は、ポリアミ
ド酸を５〜40重量パーセント含有する溶液であることが
好ましく、また、対数粘度が0.5〜6dl/g（85℃、濃度0.
5g/ml、N,N−ジメチルアセトアミドで測定した値）、特
に0.7〜４であるものが好ましい。

ポリアミド酸溶液をシート上にコートする操作は、流延
塗布により行なわれることが好ましく、具体的には、次
のような方法が利用される。シート上にポリアミド酸溶
液を製膜用スリツトから吐出させて均一な厚さ（厚さ
は、一般的には、30〜300μとなるように調節される）
の塗膜層を形成させる。コーテイング手段としては、ロ
ールーコーター、ナイフコーター、ドクターブレード、
フローコーターなど他の公知の手段を利用することも可
能である。

上記のようにして調製されたポリアミド酸塗布層を、次
に加熱して脱溶媒、脱水縮合反応を行なう。この操作
は、常圧，減圧あるいは加圧など任意の条件で行なうこ
とができる。

一般的には、所要時間80〜200℃、好ましくは100〜150
℃に加熱し、溶剤の大部分を除去する。温度が80℃以下
の場合は溶剤の除去が遅く経済的でなく、200℃以上で
は溶剤の除去が速すぎるため、皮膜形成，泡の発生等で
フイルム形状に悪影響を与えたり、一部脱水，縮合反応
が始まるに伴いシートへの接着も始まり、フイルムがシ
ートから離型しにくゝなるために好ましくない。

溶剤の大部分を除去し、ポリアミド酸フイルムを形成し
た後、シートから剥離し、ピンテンターにかけて溶剤の
完全な除去と水に脱水，縮合反応を行なってイミド化し
ポリイミドフイルム（Ａ）を形成させる。溶剤の完全な
除去と脱水，縮合反応は、150〜350℃好ましくは、200
〜300℃に加熱して行なう。150℃以下では溶剤の除去あ
るいは縮合反応が十分でないため、フレキシブルプリン
ト基板を製造する際の積層工程で、ポリイミドフイルム
内にボイドの発生が起り絶縁性，接着性等が不十分とな
る。また、350℃以上ではポリイミドの劣化や、ポリイ
ミドのガラス転移点が高くなり、積層工程の接着温度を
高くする必要など積層が困難になるために好ましくな
い。

上記のようにして生成したポリイミドフイルム（Ａ）を
使用して、フレキシブルプリント基板を製造する際に用
いる金属箔導電体としては、一般に、銅箔、アルミニウ
ム箔、ニツケル箔などの金属箔が用いられる。また、基
板の寸法安定性を向上させるための基板裏打ち用金属箔
としては、ステンレス箔、アルミニウム箔、ニツケル
箔、銅箔などの金属が用いられる。

ポリイミドフイルム（Ａ）を使用して金属箔等と積層
し、基板に成形するためには、加熱温度と圧力のコント
ロールが肝要である。

基板として成形するための温度としては、使用するポリ
イミドフイルム（Ａ）のガラス転移点以上が必要で、好
ましくは、ガラス転移温度プラス15〜100℃が適当であ
り、基板として成形するための圧力としては１〜500kg/
cm³、好ましくは５〜100kg/cm³が適当である。また、加
熱，加圧する時間は、１〜200分、好ましくは、５〜60
分である。上記の基板に成形する工程に於いて、金属箔
表面が酸化される温度以上の温度にさらされる場合に
は、金属箔表面の酸化が起こり、金属箔の機械特性，電
気特性及び接着性の低下が起り易くなることがあるた
め、金属箔表面が酸化される温度以上で成形する場合は
不活性ガス中で行なうことが特に好ましい。こゝで不活
性ガス中とは、金属箔表面が、所定時間の加熱の際、実
質的に電気特性，機械特性あるいは接着力等に悪影響を
与える酸化反応を受けない気体雰囲気中であることを意
味し、加熱温度と時間に依存するが、多くの場合、酸素
濃度が２×10^-3モル/l以下である気体雰囲気を意味し、
以下の方法等で実行できる。耐熱性フイルムからなる袋
状物の中に、積層すべき材料を入れ、先ず、真空ポンプ
で袋状物の中の空気を抜く。その後、不活性ガスで加
圧，加熱を行なう、いわゆる真空プレス（米国バキユー
ムプレス社製など）で成形する。また、ポリイミドフイ
ルム（Ａ）の片面だけに金属箔を直接積層する場合は、
ポリイミドフイルム（Ａ）とは接着性のないフイルムと
金属箔の間にポリイミドフイルム（Ａ）を挿入し加圧，
加熱下で積層することにより行うことができる。ポリイ
ミドフイルム（Ａ）と加圧，加熱下で接着性のないフイ
ルムとしては、テフロン（デユポン社製弗素樹脂）、ユ
ーピレツクスＳ（宇部興産社製ポリイミド）などがあ
る。

以上に述べたような方法で代表される本発明により製造
されるポリイミド金属張シートからなるフレキシブルプ
リント回路基板は、接着剤層を含まないこと、接着剤兼
絶縁層となるポリイミドフイルム（Ａ）が実質的に溶剤
を含まず、縮合反応を終えた特性の優れたポリイミドで
あることなどにより、耐熱性，電気特性，機械特性及び
寸法安定性に優れている。

〔実施例〕

次に実施例および比較例を示して本発明およびその効果
を具体的に説明する。

実施例中の対数粘度は35℃、0.5g/100ml、N,N−ジメチ
ルアセトアミドで測定した値であり、回転粘度はＥ型粘
度計の高粘度用ロータを用いて25℃で測定した値であ
る。プリント回路基板としての各種の性能は以下に示す
方法により測定した。

（１）箔引き剥し強さ IPC-FC-241Aの方法に準じて行なつた。

（２）表面抵抗 JIS C−6481に準じて行なつた。

（３）耐半田性 JIS C−6481に準じて行なつた試料を300℃の半田浴中に
60秒浸漬したのち、「フクレ」、「ポリイミドフイルム
の変形」を観察した。

（４）耐折強さ JIS P−8115に準じ、折曲げ面の曲率半径0.8mm、静止荷
重500gで測定を行なつた。両面金属箔張基板の場合は片
面の金属箔を全面エツチングして除いた後、測定を行な
つた。

（５）寸法安定性 IPC-FC-241Aの方法に準じて行ない、収縮率で表わし
た。

実施例１攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で4,
4′−ビス（３−アミノフエノキシ）ビフエニル73.7g
（0.2モル）をN,N−ジメチルアセトアミド250mlに溶解
し、０℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下に於いてピロメ
リツト酸二無水物43.6g（0.2モル）を加え、０℃付近で
２時間攪拌した。次に上記溶液を室温に戻し、窒素雰囲
気下で約20時間攪拌を行なつた。こうして得られたポリ
アミド酸溶液の対数粘度は1.9dl/gであつた。このポリ
アミド酸溶液をN,N−ジメチルアセトアミドで12％迄希
釈し、粘度を30,000CPSに調節した。この溶液を平滑な
ガラス板上にドクターブレードを用いて均一にコートし
た。このコートされたガラス板を135℃で１時間加熱
し、ポリアミド酸のフイルムを得た。このフイルムをガ
ラス板から剥し、ピンテンターに設置し、再加熱を行な
つた。その時の加熱は100℃から280℃迄２時間かけて徐
々に行なつた。その後280℃で１時間保つた後、室温迄
冷却しポリイミドフイルムを得た。膜厚は15μであり残
存溶剤量は0.1％以下であつた。このポリイミドフイル
ムを圧延銅箔（厚さ35μ）とカプトンフイルム（デユポ
ン社製ポリイミドフイルム、厚さ25μ）の間に挿入して
積層しバキユームプレス（米国バキユームプレス社製）
を使い窒素中で300℃、20kg/cm³で30分間成形を行い、
カプトンベースの片面銅張フレキシブルプリント回路基
板を得た。この基板の特性は表−１の通りであつた。

実施例２実施例１と同様にして作成した厚さ25μのポリイミドフ
イルム（残存溶剤量は0.1％以下）を圧延銅箔（厚さ35
μ）とユーピレツクスＳフイルム（25μ）との間に挿入
して積層し、バキユームプレスを使い、窒素中で280
℃、20kg/cm³で40分間成形を行なつた。室温に冷却後、
ユーピレツクスＳフイルムを積層シートから剥し、接着
層を使用しない片面銅張フレキシブルプリント回路基板
を得た。この基板の特性は表−１の通りであつた。

実施例３攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で4,
4′−ビス（３−アミノフエノキシ）ビフエニル51.6g
（0.14モル）と1,3−ビス（３−アミノフエノキシ）ベ
ンゼン17.5g（0.06モル）とをN,N−ジメチルアセトアミ
ド250mlに溶解し、０℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下
に於いてピロメリツト酸二無水物43.6g（0.2モル）を加
え、０℃付近で２時間攪拌した。次に上記溶液を室温に
戻し、窒素雰囲気下で約20時間攪拌を行なつた。こうし
て得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は、1.6dl/gで
あつた。このポリアミド酸溶液をN,N−ジメチルアセト
アミドで15％迄希釈し、粘度を25,000CPSに調節した。
この溶液を平滑なガラス板上にドクターブレードを用い
て均一にコートした。このコートされたガラス板を135
℃で１時間加熱し、ポリアミド酸のフイルムを得た。こ
のフイルムをガラス板から剥し、ピンテンターに設置
し、再加熱を行なつた。その時の加熱は100℃から250℃
迄２時間かけ徐々に行なつた。その後250℃で１時間保
つた後、室温迄冷却しポリイミドフイルムを得た。膜厚
は25μであり、残存溶剤量は検出されなかつた。このポ
リイミドを２枚の電解銅箔（厚さ18μ）の間に挿入して
積層し、熱圧プレスにて250℃、40kg/cm³で20分間成形
を行い、ポリアミドが接着層兼絶縁層である両面銅張フ
レキシブルプリント回路基板を得た。この基板の特性は
表−１の通りであつた。

実施例４攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で1,3
−ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン14.6g（0.05
モル）と4,4′−ジアミノジフエニルエーテル10.0g（0.
05モル）とをN,N−ジメチルアセトアミド200mlに溶解
し、窒素雰囲気下に於いて室温に於いて3,3′,4,4′−
ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物32.2g（0.1モ
ル）を加え、窒素雰囲気下で約22時間攪拌を行なつた。
こうして得られたポリアミド酸溶液を実施例３と同様な
方法（最終乾燥温度250℃）でポリイミドフイルムを作
製した。このポリイミドフイルムの厚さは25μであり、
残存溶剤は0.2％であつた。このフイルムを電解銅箔（3
5μ）とユーピレツクスＳフイルム（25μ）との間に挿
入して積層し、バキユームプレスを使い、窒素中で280
℃、20kg/cm³で30分間成形を行なつた。室温に冷却後ユ
ーピレツクスＳフイルムを積層シートから剥し、接着層
を使用しない片面銅張フレキシブルプリント回路基板を
得た。この基板の特性は表−１の通りであつた。

実施例５攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で1,3
ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン29.2g（0.1モ
ル）をN,N−ジメチルアセトアミド200mlに溶解し、窒素
雰囲気下に於いて室温で3,3′,4,4′−ベンゾフエノン
テトラカルボン酸二無水物32.2g（0.1モル）を加え、窒
素雰囲気下で約20時間攪拌を行なつた。こうして得られ
たポリアミド酸溶液の対数粘度は1.72dl/gであつた。こ
のポリアミド酸溶液をN,N−ジメチルアセトアミドで14
％迄希釈し、粘度を31,000CPSに調節した。この溶液を
平滑なガラス板上にドクターブレードを用いて均一にコ
ートした。このコートしガラス板を135℃で１時間加熱
し、ポリアミド酸のフイルムを得た。このフイルムをガ
ラス板から剥し、ピンテンターに設置し再加熱を行なつ
た。その時の加熱は100℃から240℃迄90分かけ徐々に行
なつた。その後220℃で１時間保つた後、室温迄冷却し
ポリイミドフイルムを得た。膜厚は25μであり、残存溶
剤量は検出されなかつた。このポリイミドフイルムを電
解銅箔（35μ）とアルミニウム箔（50μ）の間に挿入し
て積層し、熱圧プレスにて230℃、40kg/cm³30分間成形
を行い、アルミニウム箔を寸法安定性を改良するための
裏打材とした。片面銅張フレキシブルプリント回路基板
を得た。この基板の特性は表−１の通りであつた。

比較例１攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル20.0g（0.1モル）を
N,N−ジメチルアセトアミド200mlに溶解し、窒素雰囲気
下に於いて室温に於いて、５℃でピロメリツト酸二無水
物21.8g（0.1モル）を加え約２時間攪拌した後、室温に
戻し更に約20時間攪拌を行なつた。こうして得られたポ
リアミド酸溶液の対数粘度は1.6dl/gであつた。このポ
リアミド酸溶液をN,N−ジメチルアセトアミドで15％迄
希釈し、粘度を28,000CPSに調節した。この溶液を223g
とり、実施例−５で得た希釈溶液88gと窒素雰囲気下で
良く混合し、ｍ−ジアミン:p−ジアミン＝0.2:0.8（当
量比）のポリアミド酸溶液を得た。この溶液を実施例１
と同様の方法（最終乾燥温度280℃）でポリイミドフイ
ルムを作製した。このポリイミドフイルムの膜厚は25μ
であり、残存溶剤量は0.1％であつた。このフイルムを
使い実施例２と同一方法で片面銅張フレキシブルプリン
ト回路基板を得た。この基板の特性は表−１の通りであ
つた。

比較例−２実施例２に於いて、バキユームプレスの代りに通常の熱
圧プレスを用い、280℃、40kg/cm³で40分間成形を行な
つた。室温に冷却後、ユーピレツクスＳフイルムを積層
シートから剥し、接着層を使用しない片面銅張フレキシ
ブルプリント回路基板を得た。この基板の特性は表−１
の通りであつた。

〔発明の効果〕本発明によれば、上記実施例の説明のように、接着能力
を有する絶縁性に優れたポリイミドフイルムを用いるこ
とにより、ポリイミドフイルムを直接、金属箔に積層す
ることが可能になり、耐熱性，電気特性および接着性，
可撓性等の機械特性並びに寸法安定性の全てに良好な片
面及び両面金属箔張りポリイミドフレキシブルプリント
回路基板の製造が可能になつた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対称型芳香族メタ置換第一級アミンを当量
での割合で100〜20％含む対称型芳香族第一級アミン群
と芳香族テトラカルボン酸二無水物とを反応させ、生成
したポリイミド（ただし、ポリイミドがである場合を除く）のフィルムを金属箔と熱硬化性ポリ
イミドフィルムとを積層するための接着剤として用いる
ことを特徴とするフレキシブルプリント回路基板の製造
法。
【請求項２】対称型芳香族メタ置換第一級アミンを当量
での割合で100〜20％含む対称型芳香族第一級アミン群
と芳香族テトラカルボン酸二無水物とを反応させ、生成
したポリイミドフィルムを、該生成したポリイミドフィ
ルムとは接着性のないフィルムと金属箔との間に挿入し
て積層し、加圧、加熱下に、該生成したポリイミドフィ
ルムを金属箔に直接積層することを特徴とするフレキシ
ブルプリント回路基板の製造法。
【請求項３】対称型芳香族メタ置換第一級アミンを当量
での割合で100〜20％含む対称型芳香族第一級アミン群
と芳香族テトラカルボン酸二無水物とを反応させ、生成
したポリイミドフィルムを金属箔と金属箔との積層用接
着剤兼絶縁層として用いることを特徴とするフレキシブ
ルプリント回路基板の製造法。
【請求項４】二つの金属箔のうち少なくとも一方が銅箔
である特許請求の範囲第３項に記載の方法。
【請求項５】積層工程を不活性ガス中で加熱、加圧して
行なう特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載
の方法。