JPH08262746A - フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法Info
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- JPH08262746A JPH08262746A JP6974695A JP6974695A JPH08262746A JP H08262746 A JPH08262746 A JP H08262746A JP 6974695 A JP6974695 A JP 6974695A JP 6974695 A JP6974695 A JP 6974695A JP H08262746 A JPH08262746 A JP H08262746A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路の製造工程において無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存
するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易
に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンス
できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜４
５重量％、グリコールモノアルキルエーテルを１〜２５
重量％、糖類または糖アルコール類を０．５〜１５重量
％、第四級アンモニウム水酸化物を０．０１〜１０重量
％を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物
及び該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。
上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存
するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易
に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンス
できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜４
５重量％、グリコールモノアルキルエーテルを１〜２５
重量％、糖類または糖アルコール類を０．５〜１５重量
％、第四級アンモニウム水酸化物を０．０１〜１０重量
％を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物
及び該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程におけるフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物及びフォトレジスト剥離方法に関するものである。
程におけるフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物及びフォトレジスト剥離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、無機質基体上にフォ
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体上か
ら剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成し
た後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無
機質基体上から剥離する方法によって製造される。
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体上か
ら剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成し
た後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無
機質基体上から剥離する方法によって製造される。
【０００３】従来、これらの方法のフォトレジスト剥離
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
【０００４】一方、アルカリ性剥離液はアルカノールア
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離剤の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離剤の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
【０００５】更に近年、配線工程における超微細化に伴
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従ってこのような問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物の剥離が容易
で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤が
要求される。
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従ってこのような問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物の剥離が容易
で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤が
要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、構成度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、構成度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、グリコールモノアルキルエー
テル類と、糖類または糖アルコール類、更に第四級アン
モニウム水酸化物を含む水溶液からなる剥離剤組成物
が、半導体集積回路の製造工程におけるフォトレジスト
を低温でかつ短時間で容易に剥離できること、さらに該
剥離剤組成物は配線材料を全く腐食しない非腐食性と作
業の簡便性を備えた極めて優れた特性を有することを見
い出し本発明に到達した。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、グリコールモノアルキルエー
テル類と、糖類または糖アルコール類、更に第四級アン
モニウム水酸化物を含む水溶液からなる剥離剤組成物
が、半導体集積回路の製造工程におけるフォトレジスト
を低温でかつ短時間で容易に剥離できること、さらに該
剥離剤組成物は配線材料を全く腐食しない非腐食性と作
業の簡便性を備えた極めて優れた特性を有することを見
い出し本発明に到達した。
【０００８】即ち本発明は、(1) 一般式 Ｒ1 Ｒ2 −Ｎ
Ｃm Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素
原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル
基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２
〜４の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコ
キシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を
５〜４５重量％、(2) 一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q
−Ｒ4 （Ｒ4 は水素または炭素数１〜４のアルキル基、
p は２〜３の整数、q は１〜３の整数）で表されるグリ
コールモノアルキルエーテルを１〜２５重量％、(3) 糖
類または糖アルコール類を０．５〜１５重量％、(4) 一
般式［（Ｒ5 ）3 Ｎ−Ｒ6 ］+ ＯＨ- （Ｒ5 は炭素数１
〜４のアルキル基、Ｒ6 は炭素数１〜４のアルキル基ま
たはヒドロキシアルキル基）で表される第四級アンモニ
ウム水酸化物 ０．０１〜１０重量％を含み、残部が水
であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物で
ある。
Ｃm Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素
原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル
基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２
〜４の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコ
キシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を
５〜４５重量％、(2) 一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q
−Ｒ4 （Ｒ4 は水素または炭素数１〜４のアルキル基、
p は２〜３の整数、q は１〜３の整数）で表されるグリ
コールモノアルキルエーテルを１〜２５重量％、(3) 糖
類または糖アルコール類を０．５〜１５重量％、(4) 一
般式［（Ｒ5 ）3 Ｎ−Ｒ6 ］+ ＯＨ- （Ｒ5 は炭素数１
〜４のアルキル基、Ｒ6 は炭素数１〜４のアルキル基ま
たはヒドロキシアルキル基）で表される第四級アンモニ
ウム水酸化物 ０．０１〜１０重量％を含み、残部が水
であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物で
ある。
【０００９】本発明において一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm
Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキ
シアルキルアミン類、またはアルコキシアルカノールア
ミン類としては、例えばエタノールアミン、Ｎ−メチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロ
パノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミ
ン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
プロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−
エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、
３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノ
ール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２
−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカ
ノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ルアミン等が好適に用いられる。これらのアルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルカノールアミン類の濃度範囲は全溶液中５〜４５重量
％であり、好ましくは１０〜４０重量％である。アルカ
ノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、または
アルコキシアルカノールアミン類の濃度が該範囲よりも
低い場合には、フォトレジストの剥離速度が遅く、また
該範囲よりも高い場合には、配線材料の腐食を防止でき
ない。
Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキ
シアルキルアミン類、またはアルコキシアルカノールア
ミン類としては、例えばエタノールアミン、Ｎ−メチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロ
パノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミ
ン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
プロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−
エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、
３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノ
ール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２
−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカ
ノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ルアミン等が好適に用いられる。これらのアルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルカノールアミン類の濃度範囲は全溶液中５〜４５重量
％であり、好ましくは１０〜４０重量％である。アルカ
ノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、または
アルコキシアルカノールアミン類の濃度が該範囲よりも
低い場合には、フォトレジストの剥離速度が遅く、また
該範囲よりも高い場合には、配線材料の腐食を防止でき
ない。
【００１０】また一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ
4 で表されるグリコールアルキルエーテルとしては、例
えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジピロピ
レングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これ
らのグリコールアルキルエーテルの濃度の範囲は全溶液
中１〜２５重量％であり、好ましくは５〜２０重量％で
ある。グリコールアルキルエーテルが該濃度範囲より低
い場合には配線材料の腐食が進行し、また該濃度範囲よ
り高い場合にはフォトレジストの剥離速度が低下する。
4 で表されるグリコールアルキルエーテルとしては、例
えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジピロピ
レングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これ
らのグリコールアルキルエーテルの濃度の範囲は全溶液
中１〜２５重量％であり、好ましくは５〜２０重量％で
ある。グリコールアルキルエーテルが該濃度範囲より低
い場合には配線材料の腐食が進行し、また該濃度範囲よ
り高い場合にはフォトレジストの剥離速度が低下する。
【００１１】本発明において使用される糖類としては、
単糖類、多糖類等の糖類の他、具体的には例えば炭素数
３〜６のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノ
ース、キシロース、リボース、シブロース、キシルロー
ス、グルコース、マンノース、ガラクトース、タガトー
ス、アロース、アルトース、グロース、イドース、タロ
ース、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。
また本発明において使用される糖アルコール類として
は、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、タリトール、ソルビトー
ル、マンニトール、イジトール、ズルシトール等が挙げ
られる。これらの糖類および糖アルコール類の中、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。これらの糖類または糖アルコー
ル類は全溶液中０．１〜１５重量％、好ましくは１〜１
０重量％の濃度範囲で使用され、糖類または糖アルコー
ル類が該範囲より低い場合には配線材料の腐食を充分に
防止できない。一方、該濃度範囲よりも高くても格別な
利点はなく、経済的な面から得策ではない。
単糖類、多糖類等の糖類の他、具体的には例えば炭素数
３〜６のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノ
ース、キシロース、リボース、シブロース、キシルロー
ス、グルコース、マンノース、ガラクトース、タガトー
ス、アロース、アルトース、グロース、イドース、タロ
ース、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。
また本発明において使用される糖アルコール類として
は、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、タリトール、ソルビトー
ル、マンニトール、イジトール、ズルシトール等が挙げ
られる。これらの糖類および糖アルコール類の中、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。これらの糖類または糖アルコー
ル類は全溶液中０．１〜１５重量％、好ましくは１〜１
０重量％の濃度範囲で使用され、糖類または糖アルコー
ル類が該範囲より低い場合には配線材料の腐食を充分に
防止できない。一方、該濃度範囲よりも高くても格別な
利点はなく、経済的な面から得策ではない。
【００１２】本発明に使用される一般式［（Ｒ5 ）3 Ｎ
−Ｒ6 ］+ ＯＨ- で表される第四級アンモニウム水酸化
物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウム
ヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ムヒドロキシド、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）
アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。これらの第
四級アンモニウム水酸化物の中で特にテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）及びトリメチル（２
−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドが好適
である。これらの第四級アンモニウム水酸化物の濃度の
範囲は、全溶液中０．０１〜１０重量％であり、好まし
くは０．１〜５重量％である。第四級アンモニウム水酸
化物が該濃度範囲より低い場合には、フォトレジストの
剥離速度が低下し、また該濃度範囲より高い場合には配
線材料の腐食が進行する。
−Ｒ6 ］+ ＯＨ- で表される第四級アンモニウム水酸化
物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウム
ヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ムヒドロキシド、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）
アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。これらの第
四級アンモニウム水酸化物の中で特にテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）及びトリメチル（２
−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドが好適
である。これらの第四級アンモニウム水酸化物の濃度の
範囲は、全溶液中０．０１〜１０重量％であり、好まし
くは０．１〜５重量％である。第四級アンモニウム水酸
化物が該濃度範囲より低い場合には、フォトレジストの
剥離速度が低下し、また該濃度範囲より高い場合には配
線材料の腐食が進行する。
【００１３】フォトレジスト膜が塗布される無機質基体
としては、シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、
アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タ
ングステン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線
材料あるいはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジ
ウム−リン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基
板等が挙げられる。本発明のフォトレジスト剥離剤は、
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無
機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッ
チング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライ
エッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジス
ト残渣物等の無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離す
る際に用いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応
じて適宜加熱あるいは超音波等を併用することができ
る。また本発明に係る剥離剤による処理方法は、浸漬法
が一般的であるが、その他の方法、例えばスプレーによ
る方法などを使用してもよい。本発明による剥離剤の処
理後のリンスとしては、アルコールの様な有機溶媒を使
用する必要はなく、水でリンスするだけで充分である。
としては、シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、
アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タ
ングステン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線
材料あるいはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジ
ウム−リン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基
板等が挙げられる。本発明のフォトレジスト剥離剤は、
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無
機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッ
チング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライ
エッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジス
ト残渣物等の無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離す
る際に用いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応
じて適宜加熱あるいは超音波等を併用することができ
る。また本発明に係る剥離剤による処理方法は、浸漬法
が一般的であるが、その他の方法、例えばスプレーによ
る方法などを使用してもよい。本発明による剥離剤の処
理後のリンスとしては、アルコールの様な有機溶媒を使
用する必要はなく、水でリンスするだけで充分である。
【００１４】
【実施例】次に実施例及び比較例により本発明を更に具
体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制
限されるものではない。
体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制
限されるものではない。
【００１５】実施例１〜９、比較例１〜４ 図１はレジスト膜４をマスクとしてドライエッチングを
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４及び残渣物５の剥離性と、アルミニウム（Ａｌ）
配線体３の腐食性について評価を行った結果を表１に示
す。なおＳＥＭ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４及び残渣物５の剥離性と、アルミニウム（Ａｌ）
配線体３の腐食性について評価を行った結果を表１に示
す。なおＳＥＭ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。
【００１６】実施例１０〜１５、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を酸素プラズマを用
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表２に示す。
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表２に示す。
【００１７】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【図１】断面図レジスト膜４をマスクとしてドライエッ
チングを行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体
装置の断面を示す。
チングを行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体
装置の断面を示す。
【図２】断面図図１の半導体装置を酸素プラズマを用い
てレジストアッシングを行い、レジスト膜４を除去した
半導体装置の断面図を示す。
てレジストアッシングを行い、レジスト膜４を除去した
半導体装置の断面図を示す。
１：半導体装置基板 ２：酸化膜 ３：アルミニウム配線体 ４：レジスト膜 ５：側壁保護堆積膜（残渣物）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】実施例１０〜１８、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を酸素プラズマを用
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表２に示す。
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表２に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 英俊 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】(1) 一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm Ｈ2mＯＲ3
（Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原子、炭素数１
〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチ
ル基またはエトキシエチル基、m は２〜４の整数）で表
されるアルカノールアミン類、アルコキシアミン類また
はアルコキシアルカノールアミン類を５〜４５重量％、
(2) 一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ4 （Ｒ4 は水
素または炭素数１〜４のアルキル基、p は２〜３の整
数、q は１〜３の整数）で表されるグリコールモノアル
キルエーテルを１〜２５重量％、(3) 糖類または糖アル
コール類を０．５〜１５重量％、(4) 一般式［（Ｒ5 ）
3 Ｎ−Ｒ6 ］+ ＯＨ- （Ｒ5 は炭素数１〜４のアルキル
基、Ｒ6 は炭素数１〜４のアルキル基またはヒドロキシ
アルキル基）で表される第四級アンモニウム水酸化物
０．０１〜１０重量％を含み、残部が水であることを特
徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】請求項１に記載の剥離剤組成物を用いてフ
ォトレジストを剥離することを特徴とするフォトレジス
ト剥離方法。 - 【請求項３】無機質基体上に塗布されたフォトレジスト
膜を剥離する請求項２に記載のフォトレジスト剥離方
法。 - 【請求項４】無機質基体上にフォトレジスト膜を用いて
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層を剥離する請求
項２に記載のフォトレジスト剥離方法。 - 【請求項５】無機質基体上にフォトレジスト膜を用いて
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層をさらにアッシ
ングを行い、残存するフォトレジスト残部を剥離する請
求項２に記載のフォトレジスト剥離方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6974695A JPH08262746A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
| US08/569,673 US5567574A (en) | 1995-01-10 | 1995-12-08 | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
| TW084113224A TW389848B (en) | 1995-01-10 | 1995-12-12 | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
| EP95119606A EP0723205B1 (en) | 1995-01-10 | 1995-12-13 | Removing agent composition and method of removing photoresist using the same |
| DE69526637T DE69526637T2 (de) | 1995-01-10 | 1995-12-13 | Reinigungsmittelzusammensetzung und Verfahren zum Entfernen von Photoresist mit dieser Zusammensetzung |
| KR1019960000342A KR100377445B1 (ko) | 1995-01-10 | 1996-01-10 | 포토레지스트박리조성물및박리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6974695A JPH08262746A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262746A true JPH08262746A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13411682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6974695A Pending JPH08262746A (ja) | 1995-01-10 | 1995-03-28 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08262746A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
| US6787293B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-09-07 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist residue remover composition |
| KR100469558B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2005-02-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| US6861210B2 (en) | 2001-05-21 | 2005-03-01 | Dongjin Semichen Co., Ltd. | Resist remover composition |
| US6864044B2 (en) | 2001-12-04 | 2005-03-08 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist residue removing liquid composition |
| US7015183B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-03-21 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Resist remover composition |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| WO2008140076A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| US7951765B2 (en) | 2005-08-13 | 2011-05-31 | Techno Semichem Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
| US8697345B2 (en) | 2001-12-27 | 2014-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| WO2015072550A1 (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法 |
| JPWO2021020410A1 (ja) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP6974695A patent/JPH08262746A/ja active Pending
Cited By (22)
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| US7015183B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-03-21 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Resist remover composition |
| US6861210B2 (en) | 2001-05-21 | 2005-03-01 | Dongjin Semichen Co., Ltd. | Resist remover composition |
| KR100927148B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2009-11-18 | 간토 가가꾸 가부시키가이샤 | 포토레지스트 잔사제거액 조성물 |
| US6864044B2 (en) | 2001-12-04 | 2005-03-08 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist residue removing liquid composition |
| US8697345B2 (en) | 2001-12-27 | 2014-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| US6787293B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-09-07 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist residue remover composition |
| KR100469558B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2005-02-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
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| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| US7816312B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-10-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| US7951765B2 (en) | 2005-08-13 | 2011-05-31 | Techno Semichem Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
| JP2008286881A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Nagase Chemtex Corp | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| WO2008140076A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| WO2015072550A1 (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法 |
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| KR20220043131A (ko) * | 2019-07-30 | 2022-04-05 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 포토레지스트 제거용 조성물 |
| US20220285172A1 (en) * | 2019-07-30 | 2022-09-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for removing photoresist |
| TWI857112B (zh) * | 2019-07-30 | 2024-10-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 光阻除去用組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040707 |